WO2015143746A1 - 一种tft阵列基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种TFT阵列基板的制造方法，包括如下步骤：在玻璃基板上采用第一道光罩工艺（S10），形成栅极金属层和像素电极图案，所述第一道光罩工艺（S10）为半调式光罩工艺；采用第二道光罩工艺（S11），形成栅极绝缘层、半导体层图案，所述第二道光罩工艺（S11）为半调式光罩工艺或灰调光罩工艺；采用第三道光罩工艺（S12），形成源/漏极金属层和沟道。上述制造方法简化了制造平板显示面板的非晶硅半导体或氧化物半导体TFT阵列基板的工艺流程，减少掩膜板的使用量，降低了生产成本。

Description

一种 TFT阵列基板的制造方法 本申请要求于 2014 年 3 月 28 日提交中国专利局、 申请号为 201410121731.1, 发明名称为" 一种 TFT阵列基板的制造方法" 的中国专利 申请的优先权，上述专利的全部内容通过引用结合在本申请中。 技术领域
本发明涉及平板显示器的制造技术，特别涉及一种薄膜场效应晶体管 ( Thin Film Transistor , TFT )阵列基板的制造方法。
背景技术
近年来，显示技术得到快速的发展，平板显示器已取代笨重的 CRT显 示器日益深入人们的日常生活中。 目前，常用的平板显示器包括液晶显示器 ( Liquid Crystal Display , LCD ) 和有机发光二极管（ Organic Light-Emitting Diode , OLED ) 显示器。 上述平板显示器具有体积小、 功耗低、 无辐射等 特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。
而在平板显示器的阵列基板中，每一个像素配备了用于控制该像素的开 关单元，即薄膜场效应晶体管（ Thin Film Transistor , TFT ) , TFT 至少包含 棚电极，源、 漏极以及棚绝缘层和有源层。 通过驱动电路可以独立控制每一 个像素，同时不会对其他像素造成串扰等的影响。
目前常见的 TFT背板主要采用非晶硅（a-Si 低温多晶硅、 金属氧化 物（Oxide )和有机半导体等材料。 就工艺而言，非晶硅半导体工艺最为简 单，技术比较成熟，是目前主流的半导体材料，但采用非晶硅半导体的制造 工艺中通常采用 5道光罩或 4道光罩工艺；而采用金属氧化物半导体的制造 工艺中通常采用刻蚀阻挡形结构，其一般要采用 6道光罩工艺。 在现有技术 中，无论采用非晶硅半导体工艺还是采用金属氧化物半导体工艺，不但工艺 流程复杂，而且成本高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种 TFT阵列基板的制造方法， 其可以減少掩膜板的使用量，从而降低生产成本。 为了解决上述技术问题本发明的实施例的一方面提供了一种 TFT阵列 基板的制造方法，包括如下步骤：
在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成棚极金属层和像素电极图案， 所述第一道光罩工艺为半调式光罩工艺；
采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案，所述第二道光 罩工艺为半调式光罩工艺或灰调光罩工艺；
采用第三道光罩工艺，形成源 /漏极金属层和沟道。
其中，所述在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成棚极金属层和像素 电极图案的步骤包括：
在所述玻璃基板上沉积预定厚度的像素电极层以及棚极金属层，并涂覆 光刻胶；
采用半调式光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对棚金属层进行第一次湿刻，对像素电极层进行湿刻，并去除部份 光刻胶；然后对棚金属层进行第二次湿刻并剝离相应光刻胶，形成棚极金属 层和像素电极图案。
其中，所述在玻璃基板沉积预定厚度的像素电极层以及棚极金属层的步 骤具体为：
采用溅射或热蒸发的方法在所述玻璃基板上沉积厚度为 1000 A -6000A 的棚金属薄膜，以及沉积厚度为 100人〜 1000人的 ITO像素电极层或 IZO像素 电极层。
其中，所述采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案的步 骤包括：
在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预定厚度为 2000 A -5000A的棚绝缘层、 厚度为 1000 A -3000A的非晶硅半导体薄膜， 并涂覆光刻胶；
采用半调式光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对位于沟道上的绝缘保护层进行干刻以及对非晶硅半导体薄膜进 行第一次干刻，去除部份光刻胶；然后对非晶硅半导体薄膜进行第二次干刻， 并剝离相应光刻胶，形成棚极绝缘层和半导体层图案。 其中，所述采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案的步 骤包括：
在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预定厚度为
2000 A -5000A的棚绝缘层、 厚度为 1000 A -3000A的非晶硅半导体薄膜， 并涂覆光刻胶；
采用灰调光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对位于沟道上的绝缘保护层进行第一次干刻，对非晶硅半导体薄膜 进行第一次干刻以及对棚极绝缘保护层进行干刻，去除部份光刻胶；对位于 沟道上的绝缘保护层进行第二次干刻以及对非晶硅半导体薄膜进行第二次 干刻，第二次去除部份光刻胶；对位于沟道上的绝缘保护层进行第三次干刻， 并剝离相应光刻胶，形成棚极绝缘层和非晶硅半导体层和沟道绝缘保护层图 其中，所述采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案的步 骤包括：
在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，依次沉积厚度为 2000 A -5000A的棚绝缘层、厚度为 300 A -1000A的氧化物半导体薄膜以及 厚度为 1000 A -3000A的刻蚀阻挡层，并涂覆光刻胶；
采用灰调光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对位于沟道上的绝缘保护层进行第一次干刻以及对氧化物半导体 薄膜进行第一次干刻，对刻蚀阻挡层进行第一次干刻，去除部份光刻胶；然 后对位于沟道上的绝缘保护层进行第二次干刻以及对氧化物半导体薄膜进 行第二次干刻，第二次去除部份光刻胶；对刻蚀阻挡层进行第二次干刻，并 剝离相应光刻胶，形成棚极绝缘层、 氧化物半导体层和刻蚀阻挡层图案。
其中，所述采用第三道光罩工艺 ,形成源 /漏极金属层和沟道的步骤包括： 在所述形成有形成棚极绝缘层、半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚 度的源 /漏极金属薄膜，并涂覆光刻胶；
采用第三道光罩工艺进行曝光显影，对源 /漏极金属薄膜进行湿刻，对沟 道进行干刻，并剝离相应的光刻胶，形成源极金属层、 漏极金属层和沟道。
其中，所述在形成有形成棚极绝缘层、 半导体层图案的玻璃基板上沉积 预定厚度的源 /漏极金属薄膜的步骤具体为：
采用磁控溅射或热蒸发方法，沉积厚度为 1000人〜 6000人的源 /漏极金属 薄膜。
其中，所述沉积棚绝缘层、 半导体薄膜、 氧化物半导体薄膜或刻蚀阻挡 层采用等离子体增强化学气相沉淀法，所述棚绝缘层采用 SiNx ,所述氧化 物半导体薄膜采用 ZnO、 InZnO、 ZnSnO、 GalnZnO或 ZrlnZnO中的一种。
相应地，本发明实施例的另一方面，还提供一种 TFT阵列基板的制造方 法，包括如下步骤：
在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成棚极金属层和像素电极图案， 所述第一道光罩工艺为半调式光罩工艺；
采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案，所述第二道光 罩工艺为半调式光罩工艺或灰调光罩工艺；
采用第三道光罩工艺，形成源 /漏极金属层和沟道；
其中，所述在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成棚极金属层和像素 电极图案的步骤包括：
在所述玻璃基板上沉积预定厚度的像素电极层以及棚极金属层，并涂覆 光刻胶；
采用半调式光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对棚金属层进行第一次湿刻，对像素电极层进行湿刻，并去除部份 光刻胶；然后对棚金属层进行第二次湿刻并剝离相应光刻胶，形成棚极金属 层和像素电极图案。
其中，所述在玻璃基板沉积预定厚度的像素电极层以及棚极金属层的步 骤具体为：
采用溅射或热蒸发的方法在所述玻璃基板上沉积厚度为 1000 A -6000A 的棚金属薄膜，以及沉积厚度为 100人〜 1000人的 ITO像素电极层或 IZO像素 电极层。
其中，所述采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案的步 骤包括：
在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预定厚度为 2000 A -5000A的棚绝缘层、 厚度为 1000 A -3000A的非晶硅半导体薄膜， 并涂覆光刻胶；
采用半调式光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对位于沟道上的绝缘保护层进行干刻以及对非晶硅半导体薄膜进 行第一次干刻，去除部份光刻胶；然后对非晶硅半导体薄膜进行第二次干刻， 并剝离相应光刻胶，形成棚极绝缘层和半导体层图案。
其中，所述采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案的步 骤包括：
在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预定厚度为 2000 A -5000A的棚绝缘层、 厚度为 1000 A -3000A的非晶硅半导体薄膜， 并涂覆光刻胶；
采用灰调光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对位于沟道上的绝缘保护层进行第一次干刻，对非晶硅半导体薄膜 进行第一次干刻以及对棚极绝缘保护层进行干刻，去除部份光刻胶；对位于 沟道上的绝缘保护层进行第二次干刻以及对非晶硅半导体薄膜进行第二次 干刻，第二次去除部份光刻胶；对位于沟道上的绝缘保护层进行第三次干刻， 并剝离相应光刻胶，形成棚极绝缘层和非晶硅半导体层和沟道绝缘保护层图 其中，所述采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案的步 骤包括：
在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，依次沉积厚度为 2000 A -5000A的棚绝缘层、厚度为 300 A -1000A的氧化物半导体薄膜以及 厚度为 1000 A -3000A的刻蚀阻挡层，并涂覆光刻胶；
采用灰调光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对位于沟道上的绝缘保护层进行第一次干刻以及对氧化物半导体 薄膜进行第一次干刻，对刻蚀阻挡层进行第一次干刻，去除部份光刻胶；然 后对位于沟道上的绝缘保护层进行第二次干刻以及对氧化物半导体薄膜进 行第二次干刻，第二次去除部份光刻胶；对刻蚀阻挡层进行第二次干刻，并 剝离相应光刻胶，形成棚极绝缘层、 氧化物半导体层和刻蚀阻挡层图案。 其中，所述采用第三道光罩工艺 ,形成源 /漏极金属层和沟道的步骤包括： 在所述形成有形成棚极绝缘层、半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚 度的源 /漏极金属薄膜，并涂覆光刻胶；
采用第三道光罩工艺进行曝光显影，对源 /漏极金属薄膜进行湿刻，对沟 道进行干刻，并剝离相应的光刻胶，形成源极金属层、 漏极金属层和沟道。
其中，所述在形成有形成棚极绝缘层、 半导体层图案的玻璃基板上沉积 预定厚度的源 /漏极金属薄膜的步骤具体为：
采用磁控溅射或热蒸发方法，沉积厚度为 1000人〜 6000人的源 /漏极金属 薄膜。
其中，所述沉积棚绝缘层、 半导体薄膜、 氧化物半导体薄膜或刻蚀阻挡 层采用等离子体增强化学气相沉淀法，所述棚绝缘层采用 SiNx ,所述氧化 物半导体薄膜采用 ZnO、 InZnO、 ZnSnO、 GalnZnO或 ZrlnZnO中的一种。
实施本发明的实施例，具有如下的有益效果：
实施本发明实施例，在采用非晶硅半导体或的金属氧化物半导体制造工艺中 只需要采用三道光罩工艺 ,简化了制造平板显示器面板的 TFT阵列基板的工 艺流程，可以減少掩膜板的使用量，从而降低生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实 施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面 描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图 1是本发明提供的一种 TFT阵列基板的制造方法的一个实施例中的主 流程示意图；
图 2是图 1中采用第一道光罩形成棚极金属层和像素电极层后的阵列基 板的结构示意图；
图 3是图 1中采用第二道光罩形成棚极绝缘保护层和 a-Si半导体层后的 阵列基板的结构示意图；
图 4是图 1采用第三道光罩形成源 /漏极金属层后的阵列基板的结构示意 图； 图 5是图 1中形成的 TFT阵列基板的结构示意图；
图 6是本发明的提供的一种 TFT阵列基板的制造方法的另一实施例中采 用第一道光罩形成棚极金属层和像素电极层后的阵列基板的结构示意图； 图 7是本发明的提供的一种 TFT阵列基板的制造方法的另一实施例中采 用第二道光罩形成棚极绝缘保护层和半导体层的结构示意图；
图 8是图 7完成后形成的阵列基板的结构示意图；
图 9是采用第三道光罩形成源 /漏极金属层后的阵列基板的结构示意图。 具体实施方式
下面参考附图对本发明的优选实施例进行描述。
如图 1所示 ,是本发明提供的一种 TFT阵列基板的制造方法的一个实施 例中的主流程示意图；在该实施例中，该方法适宜于用来制造平板面板的非 晶硅阵列基板，该方法包括如下步骤：
步骤 S10 ,在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成棚极金属层和像素 电极图案，第一道光罩工艺为半调式（half tone )光罩工艺；
具体地，该步骤包括：
在玻璃基板上沉积预定厚度的像素电极层以及棚极金属层，并涂覆光刻 胶，例如在一个实施例中，采用溅射或热蒸发的方法在玻璃基板上沉积厚度 为 1000 A -6000A的棚金属薄膜，以及沉积厚度为 100~1000人的 ITO (铟锡 氧化物）像素电极层或 IZO (氧化锌）像素电极层，其中，棚金属薄膜可以 采用诸如金属 Cr、 Mo、 Al、 Cu等；
采用半调式（half tone )光罩工艺对光刻胶进行曝光显影；
然后对棚金属层进行第一次湿刻，对像素电极层进行湿刻，并去除部份 光刻胶；然后对棚金属层进行第二次湿刻，并剝离相应光刻胶，形成棚极金 属层、 像素电极和公共电极（Com )图案，其中棚极金属层图案包括棚极 ( Gate )以及棚极引线连接区（ Gate pad I
其中，形成棚极金属层和像素电极层后的阵列基板的结构示意图可参见 图 2所示。具体包括，玻璃基板 21以及在其上形成的棚极 22、像素电极 23、 公共电极 24和棚极引线连接区 25。
步骤 S11 ,采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案，第 二道光罩工艺为半调式（half tone )光罩工艺；
具体地，该步骤包括：
在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预定厚度的棚 绝缘层（如 SiNx )以及非晶硅（ a-Si )半导体层薄膜，并涂覆光刻胶，例如， 在一个实施例中，采用化学气相沉积方法，在形成有棚极金属层和像素电极 图案的玻璃基板上依次沉积厚度为 2000人〜 5000人的棚绝缘层、厚度为 1000 A -3000A的 a-Si半导体层薄膜，具体地，可以通过等离子体增强化学气相 沉淀法 ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition , PECVD )来实现沉积 过程；
采用半调式光罩工艺对光刻胶进行曝光显影，形成一定的图案； 然后对位于沟道上的绝缘保护层进行干刻以及对 a-Si 半导体层薄膜进 行第一次干刻，去除部份光刻胶；然后对 a-Si半导体层薄膜进行第二次干刻， 并剝离相应光刻胶，形成棚极绝缘层和半导体层图案。
其中，形成棚极绝缘层、 半导体层图案后的阵列基板的结构示意图可参 见图 3所示。 其中，标号 26代表的为棚绝缘层，标号 76代表的为 a-Si半导 体层薄膜，其他标号所代表的元件可参照图 2中的介绍。
步骤 S12 ,采用第三道光罩工艺，形成源 /漏极金属层和沟道，其中，该 第三道光罩工艺可以为普通的光罩工艺；
在形成有棚极绝缘层、 半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚度的源 / 漏极金属薄膜，并涂覆光刻胶，例如，在一个实施例中，可以采用磁控溅射 或热蒸发方法，沉积厚度为 1000人〜 6000人的源 /漏极金属薄膜；
采用第三道光罩工艺进行曝光显影，对源 /漏极金属薄膜进行湿刻，对沟 道进行干刻，并剝离相应的光刻胶，形成源极金属层、 漏极金属层、 沟道和 数据引线连接区（Data pad
其中，形成有源 /漏极金属层后的阵列基板的结构示意图可参见图 4 所 示。 其中，标号 28代表的为源 /漏极金属层，标号 29代表的为数据引线连接 区，其他标号所代表的元件可参照图 3中的介绍。
如图 5所示是按照图 1的方法形成的一个 TFT阵列基板的结构示意图； 其中，标号 280代表一个 TFT单元，其包括前述的源 /漏极金属层 28和沟道。 而 20代表数据线，其他各标号所代表的元件可参照图 4中的介绍。
相应地，在其他的实施例中，本发明提供的方法还可以应用于采用金属 氧化物半导体工艺的 TFT阵列基板制造过程中。 如图 6-图 9所示，示出了 一种采用金属氧化物半导体工艺的 TFT阵列基板制造步骤。具体地，在该实 施例中包括如下步骤：
第一步骤：在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成棚极金属层和像素 电极图案，第一道光罩工艺为半调式（half tone )光罩工艺；
具体地，该步骤包括：
在玻璃基板上沉积预定厚度的像素电极层以及棚极金属层，并涂覆光刻 胶，例如在一个实施例中，采用溅射或热蒸发的方法在玻璃基板上沉积厚度 为 1000 A -6000A的棚金属薄膜，以及沉积厚度为 100~1000人的 ITO (铟锡 氧化物）像素电极层或 IZO (氧化锌）像素电极层，其中，棚金属薄膜可以 采用诸如金属 Cr、 Mo、 Al、 Cu等；
采用半调式（half tone )光罩工艺对光刻胶进行曝光显影；
然后对棚金属层进行第一次湿刻，对像素电极层进行湿刻，并去除部份 光刻胶；然后对棚金属层进行第二次湿刻，并剝离相应光刻胶，形成棚极金 属层、 像素电极和公共电极（Com )图案，其中棚极金属层图案包括棚极 ( Gate )以及棚极引线连接区（ Gate pad I
其中，形成棚极金属层和像素电极层后的阵列基板的结构示意图可参见 图 6所示。具体包括，玻璃基板 21以及在其上形成的棚极 22、像素电极 23、 公共电极 24和棚极引线连接区 25。
第二步骤，采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案，第 二道光罩工艺为灰调（ gray tone )光罩工艺；
具体地，该步骤包括：
在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，依次沉积厚度为 2000 A -5000A的棚绝缘层 26、 厚度为 300 A -1000A的氧化物半导体薄膜 27以及厚度为 1000 A -3000A的刻蚀阻挡层 31 (如 Si02 ) ,并涂覆光刻胶； 具体地，可以通过等离子体增强化学气相沉淀法（ Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition , PECVD )来实现沉积过程，其中，氧化物半导体薄膜可 以是诸如 ZnO、 InZnO、 ZnSnO、 GalnZnO或 ZrlnZnO等金属氧化物半导 体薄膜；
采用灰调光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影，具体地采用一个具有多 种透光率的灰阶掩膜板，如图 7所示，示出了这样一种灰阶掩膜板，在该灰 阶掩膜板中，不同区域的地方对光线具有不同的透过率。 图 7中示出了四种 区域，其透过率分别为 0/3、 1/3、 2/3和 3/3；
然后对位于沟道上的绝缘保护层进行第一次干刻以及对氧化物半导体 薄膜进行第一次干刻，对刻蚀阻挡层进行第一次干刻，去除部份光刻胶；然 后对位于沟道上的绝缘保护层进行第二次干刻以及对氧化物半导体薄膜进 行第二次干刻，第二次去除部份光刻胶；对刻蚀阻挡层进行第二次干刻，并 剝离相应光刻胶，形成棚极绝缘层、 氧化物半导体层和刻蚀阻挡层图案。
其中，形成棚极绝缘层、 氧化物半导体层图案后的阵列基板的结构示意 图可参见图 8所示。 其中，标号 26代表的为棚绝缘层，标号 76代表的为氧 化物半导体层薄膜，标号 31代表的为刻蚀阻挡层；其他标号所代表的元件 可参照图 6中的介绍。
第三步骤，采用第三道光罩工艺，形成源 /漏极金属层和沟道，其中，该 第三道光罩工艺可以为普通的光罩工艺；
在形成有棚极绝缘层、 半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚度的源 / 漏极金属薄膜，并涂覆光刻胶，例如，在一个实施例中，可以采用磁控溅射 或热蒸发方法，沉积厚度为 1000人〜 6000人的源 /漏极金属薄膜；
采用第三道光罩工艺进行曝光显影，对源 /漏极金属薄膜进行湿刻，对沟 道进行干刻，并剝离相应的光刻胶，形成源极金属层、 漏极金属层、 沟道和 数据引线连接区（Data pad
其中，形成有源 /漏极金属层后的阵列基板的结构示意图可参见图 9 所 示。 其中，标号 28代表的为源 /漏极金属层，标号 29代表的为数据引线连接 区，其他标号所代表的元件可参照图 8中的介绍。
可以理解的是，在其他的实施例中，也可以制造平板面板的非晶硅阵列 基板时采用一道灰调（ gray tone )光罩工艺，其具体方法与图 1中示出的类 似，只不过将步骤 S11中的第二道光罩工艺替换为灰调光罩工艺，则在这种 实施例中，在步骤 S11中采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层 图案的步骤具体包括：
在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预定厚度为
2000 A -5000A的棚绝缘层、 厚度为 1000 A -3000A的半导体层薄膜，并涂 覆光刻胶；
采用灰调光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影，灰调光罩工艺的原理可 参见前述对图 7的介绍；
然后对位于沟道上的绝缘保护层进行第一次干刻，对半导体层进行第一 次干刻以及对棚极绝缘保护层进行干刻，去除部份光刻胶；对位于沟道上的 绝缘保护层进行第二次干刻以及对半导体层进行第二次干刻，第二次去除部 份光刻胶；对位于沟道上的绝缘保护层进行第三次干刻，并剝离相应光刻胶， 形成棚极绝缘层和半导体层和沟道绝缘保护层图案。
而步骤 S10和步骤 S12与图 1中示出的相同，可以参见前述的描述，在 此不进行赘述。
实施本发明实施例，具有如下的有益效果：
实施本发明实施例，在采用非晶硅半导体或的金属氧化物半导体制造工 艺中只需要采用三道光罩工艺 ,简化了制造平板显示器面板的 TFT阵列基板 的工艺流程，可以減少掩膜板的使用量，从而降低生产成本。
实施本发明实施例，在采用非晶硅半导体或的金属氧化物半导体制造工 艺中只需要采用三道光罩工艺 ,简化了制造平板显示器面板的 TFT阵列基板 的工艺流程，可以減少掩膜板的使用量，从而降低生产成本。
以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明 之权利范围，因此等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

Claims

权 利 要 求
1、 一种 TFT阵列基板的制造方法，其中，包括如下步骤：
在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成棚极金属层和像素电极图案， 所述第一道光罩工艺为半调式光罩工艺；
采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案，所述第二道光 罩工艺为半调式光罩工艺或灰调光罩工艺；
采用第三道光罩工艺，形成源 /漏极金属层和沟道。
2、 如权利要求 1的一种 TFT阵列基板的制造方法，其中，所述在玻璃 基板上采用第一道光罩工艺，形成棚极金属层和像素电极图案的步骤包括： 在所述玻璃基板上沉积预定厚度的像素电极层以及棚极金属层，并涂覆 光刻胶；
采用半调式光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对棚金属层进行第一次湿刻，对像素电极层进行湿刻，并去除部份 光刻胶；然后对棚金属层进行第二次湿刻并剝离相应光刻胶，形成棚极金属 层和像素电极图案。
3、 如权利要求 2所述的一种 TFT阵列基板的制造方法，其中，所述在 玻璃基板沉积预定厚度的像素电极层以及棚极金属层的步骤具体为：
采用溅射或热蒸发的方法在所述玻璃基板上沉积厚度为 1000 A -6000A 的棚金属薄膜，以及沉积厚度为 100人〜 1000人的 ITO像素电极层或 IZO像素 电极层。
4、 如权利要求 3所述的一种 TFT阵列基板的制造方法，其中，所述采 用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案的步骤包括：
在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预定厚度为 2000 A -5000A的棚绝缘层、 厚度为 1000 A -3000A的非晶硅半导体薄膜， 并涂覆光刻胶；
采用半调式光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对位于沟道上的绝缘保护层进行干刻以及对非晶硅半导体薄膜进 行第一次干刻，去除部份光刻胶；然后对非晶硅半导体薄膜进行第二次干刻， 并剝离相应光刻胶，形成棚极绝缘层和半导体层图案。
5、 如权利要求 3所述的一种 TFT阵列基板的制造方法，其中，所述采 用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案的步骤包括：
在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预定厚度为 2000 A -5000A的棚绝缘层、 厚度为 1000 A -3000A的非晶硅半导体薄膜， 并涂覆光刻胶；
采用灰调光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对位于沟道上的绝缘保护层进行第一次干刻，对非晶硅半导体薄膜 进行第一次干刻以及对棚极绝缘保护层进行干刻，去除部份光刻胶；对位于 沟道上的绝缘保护层进行第二次干刻以及对非晶硅半导体薄膜进行第二次 干刻，第二次去除部份光刻胶；对位于沟道上的绝缘保护层进行第三次干刻， 并剝离相应光刻胶，形成棚极绝缘层和非晶硅半导体层和沟道绝缘保护层图
6、 如权利要求 3所述的一种 TFT阵列基板的制造方法，其中，所述采 用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案的步骤包括：
在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，依次沉积厚度为 2000 A -5000A的棚绝缘层、厚度为 300 A -1000A的氧化物半导体薄膜以及 厚度为 1000 A -3000A的刻蚀阻挡层，并涂覆光刻胶；
采用灰调光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对位于沟道上的绝缘保护层进行第一次干刻以及对氧化物半导体 薄膜进行第一次干刻，对刻蚀阻挡层进行第一次干刻，去除部份光刻胶；然 后对位于沟道上的绝缘保护层进行第二次干刻以及对氧化物半导体薄膜进 行第二次干刻，第二次去除部份光刻胶；对刻蚀阻挡层进行第二次干刻，并 剝离相应光刻胶，形成棚极绝缘层、 氧化物半导体层和刻蚀阻挡层图案。
7、 如权利要求 4所述的一种 TFT阵列基板的制造方法，其中，所述采 用第三道光罩工艺，形成源 /漏极金属层和沟道的步骤包括：
在所述形成有形成棚极绝缘层、半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚 度的源 /漏极金属薄膜，并涂覆光刻胶；
采用第三道光罩工艺进行曝光显影，对源 /漏极金属薄膜进行湿刻，对沟 道进行干刻，并剝离相应的光刻胶，形成源极金属层、 漏极金属层和沟道。
8、 如权利要求 5所述的一种 TFT阵列基板的制造方法，其中，所述采 用第三道光罩工艺，形成源 /漏极金属层和沟道的步骤包括：
在所述形成有形成棚极绝缘层、半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚 度的源 /漏极金属薄膜，并涂覆光刻胶；
采用第三道光罩工艺进行曝光显影，对源 /漏极金属薄膜进行湿刻，对沟 道进行干刻，并剝离相应的光刻胶，形成源极金属层、 漏极金属层和沟道。
9、 如权利要求 6所述的一种 TFT阵列基板的制造方法，其中，所述采 用第三道光罩工艺，形成源 /漏极金属层和沟道的步骤包括：
在所述形成有形成棚极绝缘层、半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚 度的源 /漏极金属薄膜，并涂覆光刻胶；
采用第三道光罩工艺进行曝光显影，对源 /漏极金属薄膜进行湿刻，对沟 道进行干刻，并剝离相应的光刻胶，形成源极金属层、 漏极金属层和沟道。
10、 如权利要求 7所述的一种 TFT阵列基板的制造方法，其中，所述在 形成有形成棚极绝缘层、半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚度的源 /漏极 金属薄膜的步骤具体为：
采用磁控溅射或热蒸发方法，沉积厚度为 1000人〜 6000人的源 /漏极金属 薄膜。
11、 如权利要求 10所述的一种 TFT阵列基板的制造方法，其中， 所述沉积棚绝缘层、 半导体薄膜、 氧化物半导体薄膜或刻蚀阻挡层采用 等离子体增强化学气相沉淀法，所述棚绝缘层采用 SiNx ,所述氧化物半导 体薄膜采用 ZnO、 InZnO、 ZnSnO、 GalnZnO或 ZrlnZnO中的一种。
12、 一种 TFT阵列基板的制造方法，其中，包括如下步骤：
在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成棚极金属层和像素电极图案， 所述第一道光罩工艺为半调式光罩工艺；
采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案，所述第二道光 罩工艺为半调式光罩工艺或灰调光罩工艺；
采用第三道光罩工艺，形成源 /漏极金属层和沟道；
其中，所述在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成棚极金属层和像素 电极图案的步骤包括： 在所述玻璃基板上沉积预定厚度的像素电极层以及棚极金属层，并涂覆 光刻胶；
采用半调式光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对棚金属层进行第一次湿刻，对像素电极层进行湿刻，并去除部份 光刻胶；然后对棚金属层进行第二次湿刻并剝离相应光刻胶，形成棚极金属 层和像素电极图案。
13、 如权利要求 12所述的一种 TFT阵列基板的制造方法，其中，所述 在玻璃基板沉积预定厚度的像素电极层以及棚极金属层的步骤具体为：
采用溅射或热蒸发的方法在所述玻璃基板上沉积厚度为 1000 A -6000A 的棚金属薄膜，以及沉积厚度为 100人〜 1000人的 ITO像素电极层或 IZO像素 电极层。
14、 如权利要求 13所述的一种 TFT阵列基板的制造方法，其中，所述 采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案的步骤包括：
在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预定厚度为 2000 A -5000A的棚绝缘层、 厚度为 1000 A -3000A的非晶硅半导体薄膜， 并涂覆光刻胶；
采用半调式光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对位于沟道上的绝缘保护层进行干刻以及对非晶硅半导体薄膜进 行第一次干刻，去除部份光刻胶；然后对非晶硅半导体薄膜进行第二次干刻， 并剝离相应光刻胶，形成棚极绝缘层和半导体层图案。
15、 如权利要求 13所述的一种 TFT阵列基板的制造方法，其中，所述 采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案的步骤包括：
在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预定厚度为 2000 A -5000A的棚绝缘层、 厚度为 1000 A -3000A的非晶硅半导体薄膜， 并涂覆光刻胶；
采用灰调光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对位于沟道上的绝缘保护层进行第一次干刻，对非晶硅半导体薄膜 进行第一次干刻以及对棚极绝缘保护层进行干刻，去除部份光刻胶；对位于 沟道上的绝缘保护层进行第二次干刻以及对非晶硅半导体薄膜进行第二次 干刻，第二次去除部份光刻胶；对位于沟道上的绝缘保护层进行第三次干刻， 并剝离相应光刻胶，形成棚极绝缘层和非晶硅半导体层和沟道绝缘保护层图
16、 如权利要求 13所述的一种 TFT阵列基板的制造方法，其中，所述 采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案的步骤包括：
在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，依次沉积厚度为 2000 A -5000A的棚绝缘层、厚度为 300 A -1000A的氧化物半导体薄膜以及 厚度为 1000 A -3000A的刻蚀阻挡层，并涂覆光刻胶；
采用灰调光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对位于沟道上的绝缘保护层进行第一次干刻以及对氧化物半导体 薄膜进行第一次干刻，对刻蚀阻挡层进行第一次干刻，去除部份光刻胶；然 后对位于沟道上的绝缘保护层进行第二次干刻以及对氧化物半导体薄膜进 行第二次干刻，第二次去除部份光刻胶；对刻蚀阻挡层进行第二次干刻，并 剝离相应光刻胶，形成棚极绝缘层、 氧化物半导体层和刻蚀阻挡层图案。
17、 如权利要求 14所述的一种 TFT阵列基板的制造方法，其中，所述 采用第三道光罩工艺，形成源 /漏极金属层和沟道的步骤包括：
在所述形成有形成棚极绝缘层、半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚 度的源 /漏极金属薄膜，并涂覆光刻胶；
采用第三道光罩工艺进行曝光显影，对源 /漏极金属薄膜进行湿刻，对沟 道进行干刻，并剝离相应的光刻胶，形成源极金属层、 漏极金属层和沟道。
18、 如权利要求 15所述的一种 TFT阵列基板的制造方法，其中，所述 采用第三道光罩工艺，形成源 /漏极金属层和沟道的步骤包括：
在所述形成有形成棚极绝缘层、半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚 度的源 /漏极金属薄膜，并涂覆光刻胶；
采用第三道光罩工艺进行曝光显影，对源 /漏极金属薄膜进行湿刻，对沟 道进行干刻，并剝离相应的光刻胶，形成源极金属层、 漏极金属层和沟道。
19、 如权利要求 16所述的一种 TFT阵列基板的制造方法，其中，所述 采用第三道光罩工艺，形成源 /漏极金属层和沟道的步骤包括：
在所述形成有形成棚极绝缘层、半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚 度的源 /漏极金属薄膜，并涂覆光刻胶；
采用第三道光罩工艺进行曝光显影，对源 /漏极金属薄膜进行湿刻，对沟 道进行干刻，并剝离相应的光刻胶，形成源极金属层、 漏极金属层和沟道。
20、 如权利要求 18所述的一种 TFT阵列基板的制造方法，其中，所述 在形成有形成棚极绝缘层、 半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚度的源 / 漏极金属薄膜的步骤具体为：
采用磁控溅射或热蒸发方法，沉积厚度为 1000人〜 6000人的源 /漏极金属 薄膜。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107706116A (zh) * 2017-09-15 2018-02-16 惠科股份有限公司 主动阵列开关的制造方法
CN108269764B (zh) * 2018-02-01 2022-04-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020028014A (ko) * 2000-10-06 2002-04-15 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법
US20100105164A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN101710579A (zh) * 2009-10-16 2010-05-19 上海广电光电子有限公司 薄膜晶体管阵列基板制造方法
CN101957526A (zh) * 2009-07-13 2011-01-26 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
CN102270604A (zh) * 2010-06-03 2011-12-07 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板的结构及其制造方法
CN102543866A (zh) * 2012-03-06 2012-07-04 深圳市华星光电技术有限公司 穿透式液晶显示器的阵列基板制造方法
CN103887245A (zh) * 2014-03-28 2014-06-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板的制造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100792300B1 (ko) * 2005-11-11 2008-01-07 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반투과형 액정표시장치의 어레이기판 제조방법
CN101621039B (zh) * 2008-07-01 2011-02-09 中华映管股份有限公司 像素结构的制作方法以及像素结构
CN102629051B (zh) * 2011-08-12 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 一种tft-lcd阵列基板及其制造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020028014A (ko) * 2000-10-06 2002-04-15 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법
US20100105164A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN101957526A (zh) * 2009-07-13 2011-01-26 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
CN101710579A (zh) * 2009-10-16 2010-05-19 上海广电光电子有限公司 薄膜晶体管阵列基板制造方法
CN102270604A (zh) * 2010-06-03 2011-12-07 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板的结构及其制造方法
CN102543866A (zh) * 2012-03-06 2012-07-04 深圳市华星光电技术有限公司 穿透式液晶显示器的阵列基板制造方法
CN103887245A (zh) * 2014-03-28 2014-06-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板的制造方法

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