JP6685341B2 - 電子放出素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
第1電極12:JIS A1050(厚さ0.5mm)の内、陽極酸化された部分を除く部分
ポーラスアルミナ層(32A):開口径Dp 約100nm、深さDd 約2200nm、隣接間距離Dint 200nm、ポーラスアルミナ層の厚さtp 2200nm、バリア層の厚さtb 約50nm
深い方の細孔部分:細孔径Dp1 約20nm、深さDd1 約1500nm
浅い方の細孔部分:細孔径(開口径Dp) 約100nm、深さ 約700nm
Agナノ粒子42n:上記Agナノ粒子分散液に含まれているアルコール誘導体で被覆されたAgナノ粒子の平均粒径 6nm
第2電極52:Au層(厚さ40nm)
素子サイズ(第2電極52のサイズ):5mm×5mm
第1電極71:JIS A1050(厚さ:0.5mm)
絶縁層72:陽極酸化アルミナ層(封孔処理されたポーラスアルミナ層)、厚さ4μm
半導電層73:厚さ1μm〜2μm
絶縁体73m:シリコーン樹脂
Agナノ粒子73n:上記Agナノ粒子分散液に含まれているアルコール誘導体で被覆されたAgナノ粒子の平均粒径 6nm、シリコーン樹脂に対して1.5質量%
第2電極74:Au層(厚さ40nm)
素子サイズ(第2電極74のサイズ):5mm×5mm
Si:0.25%以下、Fe:0.40%以下、Cu:0.05%以下、Mn:0.05%以下、Mg:0.05%以下、Zn:0.05%以下、V:0.05%以下、Ti:0.03%以下、その他:個々は0.03%以下、Al:99.50%以上
Si+Fe:0.95%以下、Cu:0.05%〜0.20%、Mn:0.05%以下、Zn:0.10%以下、その他:個々は0.05%以下で、全体は0.15%以下、Al:99.00%以上
Si:0.05%以下、Fe:0.03%以下、Cu:0.05%以下、Al:99.98%以上
絶縁層形成溶液36:東京応化工業株式会社製のOCD T−12 1200V((HSiO1.5)nをPGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)で5倍に希釈したもの)をPGMEA(溶媒)で3倍に希釈したもの
絶縁層形成溶液36の付与方法:スピンコート法(3000rpmで30秒間)
絶縁層37の形成方法:絶縁層形成溶液36を自然乾燥させる
絶縁層37の厚さ:500nm
ρ[Ωcm]=(Vd[V]/Id[A/cm2])×DR/tp[cm]
ここで、駆動電圧Vdのデューティ比をDRとし、ポーラスアルミナ層32の厚さtpを半導電層30の厚さとして用いた。試料サンプルNo.4〜No.6のポーラスアルミナ層32の厚さtpは、2.5[μm]=2.5×10−4[cm]であった。ポーラスアルミナ層32の平坦部分の上に形成された絶縁層37の厚さは、ポーラスアルミナ層32の厚さtpに比べて無視できるほど小さかった。
22 :絶縁層
30、30A :半導電層
32、32A、32B、32C :ポーラスアルミナ層
32b :バリア層
34、34A、34B、34C :細孔
36 :絶縁層形成溶液
37 :絶縁層
42 :細孔34内に担持された銀(Ag)
42n :Agナノ粒子
52 :第2電極
71 :第1電極
72 :絶縁層
73 :半導電層
73m :絶縁体
73n :Agナノ粒子
74 :第2電極
100、100A、100A1、100A2、200 :電子放出素子
Claims (15)
- アルミニウム基板または基板に支持されたアルミニウム層を用意する工程Aと、
前記アルミニウム基板の表面または前記アルミニウム層の表面を陽極酸化することによって、複数の細孔を有するポーラスアルミナ層を形成する工程Bと、
前記複数の細孔内に銀ナノ粒子を付与することによって、前記複数の細孔内に銀ナノ粒子を担持させる工程Cと、
前記工程Cの後に、前記アルミニウム基板または前記アルミニウム層の表面の実質的に全面に、シロキサン結合を含む重合体を7質量%以上20質量%未満含む絶縁層形成溶液を付与する工程Dと、
前記工程Dの後に、前記絶縁層形成溶液に含まれる溶媒を少なくとも減少させることによって、絶縁層を形成する工程Eと、
前記工程Eの後に、前記絶縁層上に、電極を形成する工程Fと
を包含する、電子放出素子の製造方法。 - 前記絶縁層形成溶液は、前記シロキサン結合を含む重合体を約10質量%含む、請求項1に記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記工程Dは、前記絶縁層形成溶液を塗布または印刷する工程を包含する、請求項1または2に記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記工程Dは、前記絶縁層形成溶液をスピンコート法によって塗布する工程を包含する、請求項1から3のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記工程Fは、前記絶縁層上に導電膜を堆積する工程F1と、前記導電膜をパターニングすることによって前記電極を形成する工程F2とを包含する、請求項1から4のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記電極は、金属を含む、請求項1から5のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記工程Aで用意される前記アルミニウム基板または前記アルミニウム層の表面は、電極間絶縁層によって部分的に覆われている、請求項1から6のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記工程Aは、アルミニウム基板または基板に支持されたアルミニウム層を用意する工程A1と、前記電極間絶縁層を形成する工程A2であって、前記工程A1で用意した前記アルミニウム基板または前記アルミニウム層の表面の一部を陽極酸化することによって形成される陽極酸化層を含む前記電極間絶縁層を形成する工程A2とを包含する、請求項7に記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記工程Eは、前記絶縁層形成溶液を焼成する工程を包含する、請求項1から8のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記工程Eは、前記絶縁層形成溶液を220℃以下で焼成する工程を包含する、請求項1から9のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記工程Eは、前記絶縁層形成溶液を前記溶媒の沸点以上で焼成する工程を包含する、請求項1から10のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記工程Bは、前記陽極酸化工程の後に行われるエッチング工程をさらに包含する、請求項1から11のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記工程Bは、前記エッチング工程の後に、さらなる陽極酸化工程を包含する、請求項12に記載の電子放出素子の製造方法。
- 第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた半導電層とを有し、
前記第1電極は、アルミニウム基板またはアルミニウム層から形成されており、
前記半導電層は、前記アルミニウム基板の表面または前記アルミニウム層の表面に形成された、複数の細孔を有するポーラスアルミナ層と、前記複数の細孔内に担持された銀ナノ粒子とを有し、
前記ポーラスアルミナ層上および前記複数の細孔内に形成された、シロキサン結合を含む重合体を含む絶縁層をさらに有し、
前記複数の細孔の深さは約1000nm以上であって、前記銀ナノ粒子は、前記深さの半分以上に渡って分布し、前記絶縁層によって前記複数の細孔の壁面に固定されている、電子放出素子。 - 前記絶縁層は、実質的に炭素を含まない、請求項14に記載の電子放出素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018069646A JP6685341B2 (ja) | 2018-03-30 | 2018-03-30 | 電子放出素子およびその製造方法 |
US16/369,004 US10692680B2 (en) | 2018-03-30 | 2019-03-29 | Electron emission device and method for manufacturing the same |
CN201910249304.4A CN110323113B (zh) | 2018-03-30 | 2019-03-29 | 电子发射元件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018069646A JP6685341B2 (ja) | 2018-03-30 | 2018-03-30 | 電子放出素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019179719A JP2019179719A (ja) | 2019-10-17 |
JP6685341B2 true JP6685341B2 (ja) | 2020-04-22 |
Family
ID=68057267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018069646A Active JP6685341B2 (ja) | 2018-03-30 | 2018-03-30 | 電子放出素子およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10692680B2 (ja) |
JP (1) | JP6685341B2 (ja) |
CN (1) | CN110323113B (ja) |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4254357A (en) * | 1979-09-14 | 1981-03-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Multi-arrayed micro-patch emitter with integral control grid |
GB9416754D0 (en) * | 1994-08-18 | 1994-10-12 | Isis Innovation | Field emitter structures |
JP3610293B2 (ja) * | 1999-09-22 | 2005-01-12 | キヤノン株式会社 | 細孔を有する構造体及び前記細孔を有する構造体を用いたデバイス |
JP3597739B2 (ja) | 1999-11-10 | 2004-12-08 | シャープ株式会社 | 電界放出型冷陰極及びその製造方法 |
US6771010B2 (en) * | 2001-04-30 | 2004-08-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Silicon emitter with low porosity heavily doped contact layer |
JP2003229045A (ja) | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Toshiba Corp | 電子源装置およびその製造方法 |
JP2004014406A (ja) | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Toshiba Corp | 電子源装置とその製造方法および表示装置 |
JP2004178863A (ja) | 2002-11-25 | 2004-06-24 | Toshiba Corp | 電子源装置および表示装置 |
US7239076B2 (en) * | 2003-09-25 | 2007-07-03 | General Electric Company | Self-aligned gated rod field emission device and associated method of fabrication |
JP4303308B2 (ja) | 2007-11-20 | 2009-07-29 | シャープ株式会社 | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の製造方法 |
US9751755B2 (en) * | 2010-10-21 | 2017-09-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a micro-structure |
US9410260B2 (en) * | 2010-10-21 | 2016-08-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a nano-structure |
JP6425558B2 (ja) | 2015-01-23 | 2018-11-21 | シャープ株式会社 | 電子放出素子、及び電子放出装置 |
-
2018
- 2018-03-30 JP JP2018069646A patent/JP6685341B2/ja active Active
-
2019
- 2019-03-29 CN CN201910249304.4A patent/CN110323113B/zh active Active
- 2019-03-29 US US16/369,004 patent/US10692680B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10692680B2 (en) | 2020-06-23 |
JP2019179719A (ja) | 2019-10-17 |
CN110323113A (zh) | 2019-10-11 |
US20190304732A1 (en) | 2019-10-03 |
CN110323113B (zh) | 2021-11-30 |
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A621 | Written request for application examination |
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