JP2004178863A - 電子源装置および表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】電子放出能力が高く、安価で低真空度でも長寿命の電子源装置、および発光効率が高く安価で信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の電子源装置は、絶縁体から成り垂直方向に配設された多数の微細孔を有する多孔質層(例えば多孔質アルミナ層)と、この多孔質層の両面側に配設された第1および第2の導電体層とを備え、第2の導電体層を陽極として第1の導電体層との間に直流電圧を印加したときの電流密度I/Sが、1μA/cm2以上であることを特徴とする。ただし、Sは第1の導電体層と第2の導電体層および多孔質層の重なり部分の面積を示す。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明の電子源装置は、絶縁体から成り垂直方向に配設された多数の微細孔を有する多孔質層(例えば多孔質アルミナ層)と、この多孔質層の両面側に配設された第1および第2の導電体層とを備え、第2の導電体層を陽極として第1の導電体層との間に直流電圧を印加したときの電流密度I/Sが、1μA/cm2以上であることを特徴とする。ただし、Sは第1の導電体層と第2の導電体層および多孔質層の重なり部分の面積を示す。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子源装置および電子源装置を備えた表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、平面型の画像表示装置として、フィールドエミッションディスプレイ(以下、FEDと示す。)の開発が進められている。このFEDは、所定の隙間をおいて対向配置されたフェースプレートとリアプレートとを有し、フェースプレートの内面には3色の蛍光体層が形成され、リアプレートの内面には、これらの蛍光体を励起する電子を放出する電子放出源が設けられている。
【0003】
従来、FEDの電子放出源として、スピント型と称する構造が提案されている。この電子放出源は、Moから形成された電子放出部の先鋭部に電界を集中させ、蛍光体層との間にかけた電圧により電子放出部から電子を放出させて蛍光体を発光させる構造を有している。この方式により、薄型の平面表示装置が実現される。
【0004】
しかしながら、前記した電子放出源は非常に精細な構造を有し、均一にかつ簡便に多数形成することが極めて難しかった。したがって、このような電子放出源を用いて大型の平面表示装置を作ることが困難であるとともに、小型画面の平面表示装置であっても製造コストが高くなってしまうという問題があった。また、電子放出源の僅かな形状の相違により電子放出能力に違いが生じるため、安定した画像を得ることが難しかった。
【0005】
最近、アルミニウム(Al)の陽極酸化により得られる直径が数nm〜数100nmの極めて微細な細孔(ナノホール)内に、カーボンナノチューブ(CN)を形成して電子放出源とした構造が提案されている(例えば、非特許文献1参照)
【0006】
【非特許文献1】
Displays21(2000)(P99−104)
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構造の電子放出源においては、CNが高価格であるばかりでなく、管内の真空度が低いと管内ガスがCNを汚染するため寿命が短くなるなど、実用化面で多くの問題があった。
【0008】
本発明は、これらの問題を解決するためになされたもので、電子放出能力が高く、安価で低真空度でも長寿命の電子源装置、およびそのような電子源装置を備え、発光効率が高く安価で信頼性の高い表示装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の発明の電子源装置は、絶縁体から成り垂直方向に配設された多数の微細孔を有する多孔質層と、前記多孔質層の両面側にそれぞれ配設された第1の導電体層および第2の導電体層を備え、前記第2の導電体層を陽極として前記第1の導電体層との間に直流電圧を印加したときの電流密度I/Sが、以下に示す範囲にあることを特徴とする。
【0010】
1μA/cm2 ≦ I/S
(ただし、Iは第1の導電体層と第2の導電体層との間に流れる電流を示し、Sは、第1の導電体層と第2の導電体層および多孔質層の三者が重なる部分の面積を示す。)
【0011】
この電子源装置において、さらに電流密度I/Sが以下に示す範囲にあることができる。
【0012】
1μA/cm2 ≦ I/S ≦ 100mA/cm2
【0013】
第2の発明の電子源装置は、絶縁体から成り垂直方向に配設された多数の微細孔を有する多孔質層と、前記多孔質層の両面側にそれぞれ配設された第1の導電体層および第2の導電体層を備え、前記多孔質層の微細孔の少なくとも一方の端部と前記第1の導電体層または第2の導電体層とが、誘電体から成るバリア層により隔てられ、かつ前記第2の導電体層を陽極として前記第1の導電体層との間に直流電圧を印加したときの電流密度I/Sが、以下に示す範囲にあることを特徴とする。
【0014】
1μA/cm2 ≦ I/S
(ただし、Iは第1の導電体層と第2の導電体層との間に流れる電流を示し、Sは、第1の導電体層と第2の導電体層および多孔質層の三者が重なる部分の面積を示す。)
【0015】
第2の発明の電子源装置において、さらに電流密度I/Sが、以下に示す範囲にあることができる。
【0016】
1μA/cm2 ≦ I/S ≦ 100mA/cm2
【0017】
また、第2の発明の電子源装置において、多孔質層の微細孔が、第1の導電体層と第2の導電体層の少なくとも一方の側に開口部を有し、かつ前記微細孔の前記開口部と反対側の端部を閉塞するように形成された誘電体から成るバリア層を有することができる。
【0018】
第1の発明および第2の発明の電子源装置において、微細孔を有する多孔質層が、多孔質アルミナ層であることができる。そして、この多孔質アルミナ層が、アルミニウムを主成分とする層の陽極酸化により得られた層であることができる。また、多孔質層の微細孔の径を5〜1000nmとすることができる。また、多孔質層の厚さを0.05〜50μmとすることができる。そして、多孔質層の微細孔内に形成された導体または半導体層を有することができる。
【0019】
さらに、第2の発明の電子源装置において、バリア層が多孔質層を構成する絶縁体と同種の絶縁体から成る層を有することができる。また、バリア層が、多孔質層を構成する絶縁体と異種の誘電体から成る層を有することができる。そして、バリア層の厚さを5〜50nmとすることができる。
【0020】
またさらに、第1の発明および第2の発明の電子源装置において、第1の導電体層と第2の導電体層および多孔質層から選ばれる少なくとも1つの層が、パターン化されていることができる。また、第1の導電体層と第2の導電体層の少なくとも一方が複数の導電体層を有することができる。そして、第1の導電体層と第2の導電体層および前記多孔質層の三者が重なる部分の最小単位の面積を、25mm2以下とすることができる。
【0021】
本発明の表示装置は、互いに対向して配置された第1の基板および第2の基板と、前記第1の基板の内面に設けられた蛍光体層と、前記第2の基板の内面側に設けられ、前記蛍光体層を励起する電子を放出する電子源とを備えた表示装置であり、この電子源は前記した電子源装置のいずれか1つであることができる。
【0022】
第1の発明の電子源装置においては、絶縁体から成る多孔質層の一方の主面に第1の導電体層が、もう一方の主面に第2の導電体層がそれぞれ配設されており、第2の導電体層を陽極として第1の導電体層との間に直流電圧を印加したとき、多孔質層の微細孔内に電界が生じ、第1の導電体層から第2の導電体層に向う方向に電子が移動する。そして、第1の導電体層と第2の導電体層との間を流れる電流の密度I/Sが、1μA/cm2以上となるとき、多孔質層の微細孔の一部において、電子が第2の導電体層を突き抜け、外部の例えば蛍光体層に向けて放出される。
【0023】
また第2の発明の電子源装置においては、絶縁体から成る多孔質層の一方の主面に第1の導電体層が、もう一方の主面に第2の導電体層がそれぞれ配設されており、前記した多孔質層の微細孔の少なくとも一方の端部と第1の導電体層または第2の導電体層とが、誘電体から成るバリア層により隔てられているので、第2の導電体層を陽極として第1の導電体層との間に直流電圧を印加したとき、多孔質層の微細孔内に電界が発生し、この電界がバリア層に集中し、電子(トンネル電子)が放出される。電子の移動方向は、第1の導電体層から第2の導電体層に向う方向である。そして、第1の導電体層と第2の導電体層との間を流れる電流の密度I/Sが、1μA/cm2以上となるとき、多孔質層の微細孔の一部において、トンネル電子が第2の導電体層を突き抜け、外部の蛍光体層に向けて放出される。
【0024】
こうして、均一で電子の放出能力が高い電子源装置が得られる。また、電子放出部と雰囲気ガスとの直接接触が回避されているので、電子放出部の汚染による劣化がほとんど生じず、長寿命が達成される。
【0025】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を、図面に基づいて説明する。
【0026】
図1乃至図6は、それぞれ本発明の第1乃至第6の実施形態の概略構成を示す断面図である。
【0027】
これら第1乃至第6の実施形態の電子源装置は、いずれも、絶縁体から構成され直径がナノメートル(nm)オーダーの多数の微細孔(ナノホール)1aを含む多孔質層1を有する。
【0028】
多数のナノホール1aは、主面に対してほぼ垂直方向に延設されており、多孔質層1の一方の主面側、例えば上面側に開口部を有するが、下面側に開口部を有しても良い。また、図3に示すように、ナノホール1aが、上下両面側に開口部を有する透孔(貫通孔)となっていても良い。ここで、ナノホール1aの径(直径)は、5〜1000nmとすることが望ましい。ナノホール1aの径は、大きすぎると電界集中が少なくなるため、電子放出(エミッション)の発生電圧が大きくなり好ましくない。逆にナノホール1aの径が小さすぎると、孔の形成が難しくなる。
【0029】
このようなナノホール1aを有する多孔質絶縁体としては、多孔質アルミナ(酸化アルミニウム)を挙げることができる。例えば、アルミニウムを主成分とする層を陽極酸化することにより、多数のナノホールが微小間隔をおいて規則的に配列された多孔質アルミナ層を得ることができる。多孔質アルミナ層は、陽極酸化以外の方法でも形成することができる。
【0030】
また、多孔質層1としては、チタン(Ti)層の陽極酸化により形成された、多数のナノホールを有する酸化チタン層を用いることも可能である。さらに、多孔質層1として、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、バナジウム(V)、ジルコニウム(Zr)、モリブデン(Mo)、ハフニウム(Hf)、タングステン(W)などを陽極酸化することにより形成された各金属の酸化物層を挙げることもできる。
【0031】
多孔質層1の厚さは、0.05〜50μmとすることが望ましく、より好ましくは0.1〜20μmとする。
【0032】
このような多孔質層1の下面に、第1の導電体層2が配設されている。第1の導電体層2を構成する導電体として、Al、Ag、Cu、Ni、Au、Baなどの金属やカーボン等を挙げることができる。
【0033】
また、多孔質層1において、第1の導電体層2が形成された面の反対側の面には、直接あるいは後述するバリア層を介して、ゲート電極となる第2の導電体層3が形成されている。第2の導電体層3を構成する導電体としては、第1の導電体層1を構成する導電体と同様に、カーボン、Al、Ag、Cu、Ni、Au、Baなどを挙げることができる。第2の導電体層3の形成は、蒸着、スパッタリング、電界析出など、種々の方法で行うことが可能である。例えば、Au層の形成は、蒸着、スパッタリングなどの方法で行うことができる。また、Al層は蒸着法により、Ag層は電界析出法により、それぞれ形成することができる。
【0034】
多孔質層1のナノホール1a内は、空隙部として保持されているが、図4に示すように、導体または半導体から成る層4を形成しても良い。この導体または半導体層4は、ナノホール1aの開口部で第1の導電体層2または第2の導電体層3と電気的に接し、かつ後述するバリア層までナノホール1a内の導通を確保することができるものであれば良く、ナノホール1aの内壁面の一部または全部に付着・形成されていても、あるいはナノホール1a内の一部または全部を埋めるように充填されていても良い。
【0035】
導体または半導体層4を構成する材料としては、ある程度の導電性を有するものであれば、種類を問わず使用することができる。例えば、カーボン、Al、Ag、Cu、Ni、Au、Baなどの導電性材料を使用することができる。また、Ni酸化物、ATO、ITOなどの半導体材料も使用することができる。これらの導体または半導体層の形成は、例えば、電気化学的方法やCVD法あるいは蒸着法などにより行うことができる。
【0036】
多孔質層1のナノホール1aの開口部と反対側の面には、誘電体から成るバリア層5が設けられている。バリア層5としては、多孔質層1を構成する絶縁体と同じ材料から成る層が用いられる。例えば、アルミニウムの陽極酸化により形成された酸化アルミニウム(アルミナ)層を使用し、ナノホール1aの底端部と第1の導電体層2または第2の導電体層3とが、ナノホール1aを有する絶縁体と同じアルミナから成るバリア層5により隔てられるように構成することができる。なお、図3に示すように、上下両面側に開口部を有する透孔(貫通孔)のナノホール1aを有する構造では、バリア層5がなく、多孔質層1の両面に直接第1および第2の導電体層2,3が形成された構造としても電子の放出が得られる。
【0037】
また、図5に示すように、多孔質層1のナノホール1aの開口側の面に、誘電体から成る第2のバリア層5aが形成されていても良い。さらに、バリア層を2層以上の誘電体層を積層した構造としても良い。例えば、図6に示すように、アルミニウムの陽極酸化により形成されたアルミナ層5の上に、1層あるいは2層以上の別の誘電体からなる第2のバリア層5aを積層して形成し、多層構造のバリア層6を形成することができる。
【0038】
ここで、バリア層5あるいは第2のバリア層5aを構成する誘電体としては、特に種類は限定されないが、誘電率が高く耐電圧特性が良好なものが好ましい。前記したアルミニウムの陽極酸化により形成された酸化アルミニウム(アルミナ)の他に、酸化タンタル、窒化ケイ素、酸化チタン、シリカ等を使用することができる。
【0039】
そして、このような構造を有する第1乃至第6の実施形態では、第1の導電体層2を陰極(負極)、第2の導電体層3を陽極(正極)として直流電圧を印加することにより電子が放出し、放出された電子による電流Iの密度(I/S)が、1μA/cm2以上、好ましくは100mA/cm2以下となっている。なお、Sは、第1の導電体層2と第2の導電体層3および多孔質層1の三者が重なる部分の面積を示す。
【0040】
電子を放出する機構は、以下に示すように考えられる。すなわち、第1の導電体層2と第2の導電体層3との間に多孔質層1が存在し、この多孔質層1は、空隙部(ナノホール)および誘電体(絶縁体)から成るため、第1の導電体層2と第2の導電体層3との間に直流電圧を印加すると、ナノホール1a内に電界が集中し、一方の導電体層からもう一方(正極側)の導電体層に向う電子の流れ(移動)が生じる。このとき流れる電子の一部が、ナノホール1a内の電界によって加速され、正極側の導電体層を突き抜けることにより、電子が外部に放出される。
【0041】
前記した電子の流れによる電流密度(I/S)の値は、印加電圧の他に、多孔質層1の厚さ、多孔質層1の有するナノホール1aの径、ナノホール1aの含有率、ナノホール1a内に導体または半導体層4が存在する場合にはそれらの導電率および充填率、誘電体から成るバリア層5、5aが存在する場合にはその厚さおよび誘電体の誘電率などを変えることにより制御することができる。
【0042】
そして、電流密度(I/S)の好ましい範囲は、本発明者らが実験を繰り返した結果、得られたものである。すなわち、第1の導電体層2を基準電極とするとともに第2の導電体層3をゲート電極とし、これらの電極間に電圧(正電圧)を印加したとき、多孔質層1のナノホール1a内に発生した電界で放出された電子による電流密度(I/S)が、1μA/cm2以上好ましくは100mA/cm2以下となるように制御した場合に、第1の導電体層2から一部のナノホール1aを通り第2の導電体層3に向う方向に電子(トンネル電子)の移動が生じ、かつこの電子が第2の導電体層3を突き抜け、外部の例えば蛍光体層に向けて放出されることが確認された。
【0043】
前記した第1乃至第6の実施形態の電子源装置において、第1の導電体層2と第2の導電体層3との間に印加する電圧(正電圧)を変え、電子放出特性を調べた結果を、図7に示す。
【0044】
このグラフから、電子源装置の電子放出特性が、第1の導電体層2と第2の導電体層3との間を流れる電流の密度(I/S)に依存することがわかる。また、電子源から外部への電子放出が行われるには、電流密度(I/S)が1μA/cm2以上でなければならないことがわかる。そして、電流密度(I/S)が100mA/cm2を超えると、絶縁破壊により電子源が損傷するおそれがあり好ましくない。したがって、このような電子源装置では、100mA/cm2以下の電流密度(I/S)で動作させることが望ましい。
【0045】
さらに、電子源装置の電子放出量を第1の導電体層2と第2の導電体層3との間に印加する電圧により制御するとき、100V以下の低電圧で1μA/cm2以上の電流密度(I/S)が得られることが望ましい。そして、より好ましくは、50V以下で1μA/cm2以上の電流密度(I/S)が得られるようにする。
【0046】
また、この関係は電流密度(I/S)に依存していることから、電圧の印加される第1および第2の導電体層2,3と多孔質層1との重なり部分の最小単位の面積を小さくすることにより、両導電体層間に印加する電圧を安定化することができる。前記重なり部分の最小単位の面積は25mm2以下であることが好ましい。
【0047】
そして、前記した重なり部分の最小単位の面積を小さくするために、第1の導電体層2と第2の導電体層3および多孔質層1から選ばれる少なくとも一つを、所定のパターンに形成することができる。これらのパターンとしては、単純マトリックス型のパターンが挙げられる。例えば、第1の導電体層2と第2の導電体層3とをそれぞれX軸およびY軸方向に平行なストライプ状に形成し、かつ互いにクロスするように配置することができる。
【0048】
このように第1の導電体層2および/または第2の導電体層3をパターン化した場合には、電子発生部位の調整ならびに電子発生量の制御が可能であるという利点があり、個々の電子放出源に順次電圧を印加するタイプの表示装置や陰極線管のように、小面積の陰極を使用するタイプの表示装置に好適する。
【0049】
次に、このような電子源装置を備えたFEDについて、図8に基づいて説明する。
【0050】
このFEDは、それぞれ矩形状のガラス基板からなるリアプレート7およびフェースプレート8を備え、これらのプレートは所定の間隔をおいて対向配置されている。そして、リアプレート7とフェースプレート8は、それぞれ周端部がガラスからなる矩形枠状の側壁9を介して接合され、真空外囲器を形成している。
【0051】
フェースプレート8の内面には、蛍光体スクリーン10が形成されている。蛍光体スクリーン10は、ストライプ状あるいはドット状に形成された赤(R)、青(B)、緑(G)の3色の蛍光体層と黒色顔料から成る光吸収層が、並べられて構成されている。また、蛍光体スクリーン10の上には、第3の電極(アノード電極)としてメタルバック層11が形成されている。なお、蛍光体スクリーン10とフェースプレート8との間に、例えばITOからなる対向電極(図示を省略。)を形成し、これをアノード電極とすることができる。
【0052】
蛍光体スクリーン10の形成において、光吸収層はフォトリソグラフィなどにより形成することができる。また、赤(R)、青(B)、緑(G)の3色の蛍光体層の形成は、ZnS系、Y2O3系、Y2O2S系などの蛍光体液を用いたスラリー法で行うことができる。なお、各色の蛍光体層の形成は、スプレー法や印刷法で行うこともでき、これらの方法においても、必要に応じてフォトリソグラフィによるパターニングを併用することができる。
【0053】
リアプレート7の内面には、第1の実施形態の電子源装置12が設けられている。電子源装置12は、電子源装置外に電子ビーム(矢印で示す。)を放出する第2の導電体層3を内側(蛍光体スクリーン10側)にして、配設されている。
【0054】
側壁9は、例えばフリットガラスによりリアプレート7の周縁部とフェースプレート8の周縁部に封着され、これらリアプレート7とフェースプレート8および側壁9から構成された外囲器の内部は、ほぼ真空に保持されている。さらに、リアプレート7とフェースプレート8の間には、これらのプレート間の間隙を維持するため、多数のスペーサ(図示を省略。)が所定の間隔をおいて配置されている。スペーサはそれぞれ板状あるいは柱状に形成されている。
【0055】
このようなFEDによれば、電子源装置において、基準電極である第1の導電体層2とゲート電極である第2の導電体層3との間の電圧印加により、第2の導電体層3を突きぬけて放出された電子が、蛍光体スクリーン10側に設けられた第3の電極(メタルバック層11)に印加された電圧(アノード電圧)により加速され、蛍光体層に衝突する。そして、電子の衝突の結果蛍光体が励起されて発光し、所望の画像が表示される。
【0056】
なお、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。
【0057】
以下、本発明の具体的実施例について説明する。
【0058】
実施例
縦50mm×横50mm、厚さ2.5mmのAl基板をメタノールで洗浄し油分を取り除いた後、20℃に保持されたリン酸水溶液(リン酸濃度4重量%)の浴に浸漬した。そして、対向電極として第2のAl板を使用し、表1に示すように、印加電圧(陽極酸化電圧)および時間(陽極酸化時間)を変えて陽極酸化を行い、ナノホールを有する多孔質アルミナ層(陽極酸化層)を形成した。(試料No.1〜23)
【0059】
また、印加電圧65Vで陽極酸化を行った後、徐々に陽極酸化電圧を下げてバリア層を溶解していくことにより、バリア層の厚さが10nm以下でナノホールが実質的に多孔質アルミナ層を貫通している陽極酸化層を形成した(試料No.24〜29)。
【0060】
こうして形成されたナノホールを有する多孔質アルミナ層において、ナノホール形成部の厚さ、およびナノホールの底端部に形成されたアルミナから成るバリア層の厚さをそれぞれ測定した。測定結果を、陽極酸化の条件とともに表1に示す。
【0061】
【表1】
【0062】
次いで、陽極酸化層(多孔質アルミナ層)の上にAuをスパッタリングすることにより、長さ10mm×幅1mm(面積0.1cm2)のAu薄膜(厚さ約40nm)のパターンを形成した。
【0063】
こうして、図9および図10にそれぞれ示すように、第1の導電層体層である陽極酸化されずに残ったAl板13と、その上に形成された多数のナノホール14を有する多孔質アルミナ層15、および多孔質アルミナ層15の上に形成された第2の導電層体層であるAu薄膜のパターン16を有する電子源が得られた。なお、図9に示す電子源では、多孔質アルミナ層15は、ナノホールが形成された多孔部15aと、ナノホール14の底端部に形成されたアルミナから成るバリア層15bとを有しているが、ナノホール14が実質的に多孔質アルミナ層15を貫通している構造(図10)の電子源では、バリア層15bがなく、多孔質アルミナ層15が多孔部15aのみから構成されている。
【0064】
次に、図11に示すように、実施例で得られた電子源を備えた基板(リアプレート)17と、蛍光体スクリーン18が形成された基板(フェースプレート)19とを、第2の導電体層であるAu薄膜のパターン16と蛍光体スクリーン18とが向き合うように2mmの間隔(ギャップ)をおいて対向配置し、真空雰囲気に保持した。なお、図中符号20は第3の電極であるメタルバック層を示す。
【0065】
なお、蛍光体スクリーン18は以下の手順で作製した。すなわち、縦50mm×横50mmのガラス基板上に、格子マトリックス状のグラフファイトを主成分とする光吸収層をフォトリソグラフィにより形成した後、光吸収層の間隙部に、規則正しく配列された赤(Y2O2S:Eu)、緑(ZnS:Cu,Al)、青(ZnS:Ag,Al)の蛍光体層を、フォトリソグラフィにより形成した。次いで、蛍光体層上にニトロセルロースからなるフィルムを形成し、その上にアルミニウムを蒸着し、メタルバック層20を形成した。
【0066】
また、リアプレート17とフェースプレート18との組立ては、以下の手順で行った。まず、電子源の画像有効面外の所望位置に穴をあけ、排気管をフリットガラスにより接合した後、電子源にギャップ制御のためのスペーサであるガラス枠を配置し、その上にフェースプレート18を配置し、電子源の第2の導電体層であるAu薄膜のパターン16と蛍光体スクリーン18とがガラス枠を介して対向するようにした。電子源の個々の電子放出部位が蛍光面画素と対応するように位置合せを行った後、フリットガラスにより接合した。次いで、300℃で加熱しながら排気管により排気を行い、1×10−3〜5×10−3Paの真空度になったところで排気管の封止を行った。
【0067】
こうして得られた表示装置において、第1の導電層体層である陽極酸化されずに残ったAl板13をカソード電極(基準電極)とし、Au薄膜パターン16をアノード電極とし、これらの電極間に100V以下の直流電圧(ドライブ電圧:Vd)を印加するようにした。電極間を流れる電流値を測定した。第3の電極の電圧(アノード電圧:Va)を5kVとし、ドライブ電圧の値を変え、蛍光面の発光状態を観察することにより電子放出(エミッション)の有無を調べた。そして、電子放出開始電圧と、このとき第1の導電体層と第2の導電体層との間を流れる電流値(I)、および絶縁破壊電圧をそれぞれ測定した。そして、電流密度(I/S)を求めた。なお、Sの値は、Au薄膜パターンの面積に等しく0.1cm2である。測定結果を表2に示す。
【0068】
【表2】
【0069】
表2の測定結果から、以下のことが確かめられた。すなわち、第1の導電体層であるAl板と第2の導電体層であるAu薄膜パターンとの間を流れる電流密度(I/S)の値が1μA/cm2〜100mA/cm2の範囲にある試料No.1〜4,7〜9,12,16および試料No.24〜28の電子源を備えた表示装置では、いずれも50V以下の低い電圧で電子の放出が見られ、良好な発光状態が得られた。また、絶縁破壊電圧が高く、耐電圧性も十分に満足のゆくものであった。
【0070】
【発明の効果】
以上の記載から明らかなように、本発明によれば、高く均一な電子放出能力を有し、簡便で低真空度でも長寿命の電子源装置を安価に得ることができる。そして、この電子源装置を備えた表示装置では、発光効率が高く安価で信頼性の高い表示を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る電子源装置の第1の実施形態を示す断面図。
【図2】本発明の電子源装置の第2の実施形態を示す断面図。
【図3】本発明に係る電子源装置の第3の実施形態を示す断面図。
【図4】本発明の電子源装置の第4の実施形態を示す断面図。
【図5】本発明に係る電子源装置の第5の実施形態を示す断面図。
【図6】本発明の電子源装置の第6の実施形態を示す断面図。
【図7】第1乃至第6の実施形態の電子源装置の電子放出特性を示すグラフ。
【図8】第1の実施形態の電子源装置を備えたFEDの構造を模式的に示す断面図。
【図9】本発明の実施例において、試料1〜23の電子源の構造を示す断面図。
【図10】本発明の実施例において、試料24〜29の電子源の構造を示す断面図。
【図11】本発明の実施例において、電子源を備えた表示装置の特性を調べる方法を模式的に示す図。
【符号の説明】
1………多孔質層、1a………ナノホール、2………第1の導電体層、3………第2の導電体層、4………導体または半導体層、5………バリア層、5a………第2のバリア層、7………リアプレート、8………フェースプレート、11………蛍光体スクリーン、11………メタルバック層
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子源装置および電子源装置を備えた表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、平面型の画像表示装置として、フィールドエミッションディスプレイ(以下、FEDと示す。)の開発が進められている。このFEDは、所定の隙間をおいて対向配置されたフェースプレートとリアプレートとを有し、フェースプレートの内面には3色の蛍光体層が形成され、リアプレートの内面には、これらの蛍光体を励起する電子を放出する電子放出源が設けられている。
【0003】
従来、FEDの電子放出源として、スピント型と称する構造が提案されている。この電子放出源は、Moから形成された電子放出部の先鋭部に電界を集中させ、蛍光体層との間にかけた電圧により電子放出部から電子を放出させて蛍光体を発光させる構造を有している。この方式により、薄型の平面表示装置が実現される。
【0004】
しかしながら、前記した電子放出源は非常に精細な構造を有し、均一にかつ簡便に多数形成することが極めて難しかった。したがって、このような電子放出源を用いて大型の平面表示装置を作ることが困難であるとともに、小型画面の平面表示装置であっても製造コストが高くなってしまうという問題があった。また、電子放出源の僅かな形状の相違により電子放出能力に違いが生じるため、安定した画像を得ることが難しかった。
【0005】
最近、アルミニウム(Al)の陽極酸化により得られる直径が数nm〜数100nmの極めて微細な細孔(ナノホール)内に、カーボンナノチューブ(CN)を形成して電子放出源とした構造が提案されている(例えば、非特許文献1参照)
【0006】
【非特許文献1】
Displays21(2000)(P99−104)
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構造の電子放出源においては、CNが高価格であるばかりでなく、管内の真空度が低いと管内ガスがCNを汚染するため寿命が短くなるなど、実用化面で多くの問題があった。
【0008】
本発明は、これらの問題を解決するためになされたもので、電子放出能力が高く、安価で低真空度でも長寿命の電子源装置、およびそのような電子源装置を備え、発光効率が高く安価で信頼性の高い表示装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の発明の電子源装置は、絶縁体から成り垂直方向に配設された多数の微細孔を有する多孔質層と、前記多孔質層の両面側にそれぞれ配設された第1の導電体層および第2の導電体層を備え、前記第2の導電体層を陽極として前記第1の導電体層との間に直流電圧を印加したときの電流密度I/Sが、以下に示す範囲にあることを特徴とする。
【0010】
1μA/cm2 ≦ I/S
(ただし、Iは第1の導電体層と第2の導電体層との間に流れる電流を示し、Sは、第1の導電体層と第2の導電体層および多孔質層の三者が重なる部分の面積を示す。)
【0011】
この電子源装置において、さらに電流密度I/Sが以下に示す範囲にあることができる。
【0012】
1μA/cm2 ≦ I/S ≦ 100mA/cm2
【0013】
第2の発明の電子源装置は、絶縁体から成り垂直方向に配設された多数の微細孔を有する多孔質層と、前記多孔質層の両面側にそれぞれ配設された第1の導電体層および第2の導電体層を備え、前記多孔質層の微細孔の少なくとも一方の端部と前記第1の導電体層または第2の導電体層とが、誘電体から成るバリア層により隔てられ、かつ前記第2の導電体層を陽極として前記第1の導電体層との間に直流電圧を印加したときの電流密度I/Sが、以下に示す範囲にあることを特徴とする。
【0014】
1μA/cm2 ≦ I/S
(ただし、Iは第1の導電体層と第2の導電体層との間に流れる電流を示し、Sは、第1の導電体層と第2の導電体層および多孔質層の三者が重なる部分の面積を示す。)
【0015】
第2の発明の電子源装置において、さらに電流密度I/Sが、以下に示す範囲にあることができる。
【0016】
1μA/cm2 ≦ I/S ≦ 100mA/cm2
【0017】
また、第2の発明の電子源装置において、多孔質層の微細孔が、第1の導電体層と第2の導電体層の少なくとも一方の側に開口部を有し、かつ前記微細孔の前記開口部と反対側の端部を閉塞するように形成された誘電体から成るバリア層を有することができる。
【0018】
第1の発明および第2の発明の電子源装置において、微細孔を有する多孔質層が、多孔質アルミナ層であることができる。そして、この多孔質アルミナ層が、アルミニウムを主成分とする層の陽極酸化により得られた層であることができる。また、多孔質層の微細孔の径を5〜1000nmとすることができる。また、多孔質層の厚さを0.05〜50μmとすることができる。そして、多孔質層の微細孔内に形成された導体または半導体層を有することができる。
【0019】
さらに、第2の発明の電子源装置において、バリア層が多孔質層を構成する絶縁体と同種の絶縁体から成る層を有することができる。また、バリア層が、多孔質層を構成する絶縁体と異種の誘電体から成る層を有することができる。そして、バリア層の厚さを5〜50nmとすることができる。
【0020】
またさらに、第1の発明および第2の発明の電子源装置において、第1の導電体層と第2の導電体層および多孔質層から選ばれる少なくとも1つの層が、パターン化されていることができる。また、第1の導電体層と第2の導電体層の少なくとも一方が複数の導電体層を有することができる。そして、第1の導電体層と第2の導電体層および前記多孔質層の三者が重なる部分の最小単位の面積を、25mm2以下とすることができる。
【0021】
本発明の表示装置は、互いに対向して配置された第1の基板および第2の基板と、前記第1の基板の内面に設けられた蛍光体層と、前記第2の基板の内面側に設けられ、前記蛍光体層を励起する電子を放出する電子源とを備えた表示装置であり、この電子源は前記した電子源装置のいずれか1つであることができる。
【0022】
第1の発明の電子源装置においては、絶縁体から成る多孔質層の一方の主面に第1の導電体層が、もう一方の主面に第2の導電体層がそれぞれ配設されており、第2の導電体層を陽極として第1の導電体層との間に直流電圧を印加したとき、多孔質層の微細孔内に電界が生じ、第1の導電体層から第2の導電体層に向う方向に電子が移動する。そして、第1の導電体層と第2の導電体層との間を流れる電流の密度I/Sが、1μA/cm2以上となるとき、多孔質層の微細孔の一部において、電子が第2の導電体層を突き抜け、外部の例えば蛍光体層に向けて放出される。
【0023】
また第2の発明の電子源装置においては、絶縁体から成る多孔質層の一方の主面に第1の導電体層が、もう一方の主面に第2の導電体層がそれぞれ配設されており、前記した多孔質層の微細孔の少なくとも一方の端部と第1の導電体層または第2の導電体層とが、誘電体から成るバリア層により隔てられているので、第2の導電体層を陽極として第1の導電体層との間に直流電圧を印加したとき、多孔質層の微細孔内に電界が発生し、この電界がバリア層に集中し、電子(トンネル電子)が放出される。電子の移動方向は、第1の導電体層から第2の導電体層に向う方向である。そして、第1の導電体層と第2の導電体層との間を流れる電流の密度I/Sが、1μA/cm2以上となるとき、多孔質層の微細孔の一部において、トンネル電子が第2の導電体層を突き抜け、外部の蛍光体層に向けて放出される。
【0024】
こうして、均一で電子の放出能力が高い電子源装置が得られる。また、電子放出部と雰囲気ガスとの直接接触が回避されているので、電子放出部の汚染による劣化がほとんど生じず、長寿命が達成される。
【0025】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を、図面に基づいて説明する。
【0026】
図1乃至図6は、それぞれ本発明の第1乃至第6の実施形態の概略構成を示す断面図である。
【0027】
これら第1乃至第6の実施形態の電子源装置は、いずれも、絶縁体から構成され直径がナノメートル(nm)オーダーの多数の微細孔(ナノホール)1aを含む多孔質層1を有する。
【0028】
多数のナノホール1aは、主面に対してほぼ垂直方向に延設されており、多孔質層1の一方の主面側、例えば上面側に開口部を有するが、下面側に開口部を有しても良い。また、図3に示すように、ナノホール1aが、上下両面側に開口部を有する透孔(貫通孔)となっていても良い。ここで、ナノホール1aの径(直径)は、5〜1000nmとすることが望ましい。ナノホール1aの径は、大きすぎると電界集中が少なくなるため、電子放出(エミッション)の発生電圧が大きくなり好ましくない。逆にナノホール1aの径が小さすぎると、孔の形成が難しくなる。
【0029】
このようなナノホール1aを有する多孔質絶縁体としては、多孔質アルミナ(酸化アルミニウム)を挙げることができる。例えば、アルミニウムを主成分とする層を陽極酸化することにより、多数のナノホールが微小間隔をおいて規則的に配列された多孔質アルミナ層を得ることができる。多孔質アルミナ層は、陽極酸化以外の方法でも形成することができる。
【0030】
また、多孔質層1としては、チタン(Ti)層の陽極酸化により形成された、多数のナノホールを有する酸化チタン層を用いることも可能である。さらに、多孔質層1として、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、バナジウム(V)、ジルコニウム(Zr)、モリブデン(Mo)、ハフニウム(Hf)、タングステン(W)などを陽極酸化することにより形成された各金属の酸化物層を挙げることもできる。
【0031】
多孔質層1の厚さは、0.05〜50μmとすることが望ましく、より好ましくは0.1〜20μmとする。
【0032】
このような多孔質層1の下面に、第1の導電体層2が配設されている。第1の導電体層2を構成する導電体として、Al、Ag、Cu、Ni、Au、Baなどの金属やカーボン等を挙げることができる。
【0033】
また、多孔質層1において、第1の導電体層2が形成された面の反対側の面には、直接あるいは後述するバリア層を介して、ゲート電極となる第2の導電体層3が形成されている。第2の導電体層3を構成する導電体としては、第1の導電体層1を構成する導電体と同様に、カーボン、Al、Ag、Cu、Ni、Au、Baなどを挙げることができる。第2の導電体層3の形成は、蒸着、スパッタリング、電界析出など、種々の方法で行うことが可能である。例えば、Au層の形成は、蒸着、スパッタリングなどの方法で行うことができる。また、Al層は蒸着法により、Ag層は電界析出法により、それぞれ形成することができる。
【0034】
多孔質層1のナノホール1a内は、空隙部として保持されているが、図4に示すように、導体または半導体から成る層4を形成しても良い。この導体または半導体層4は、ナノホール1aの開口部で第1の導電体層2または第2の導電体層3と電気的に接し、かつ後述するバリア層までナノホール1a内の導通を確保することができるものであれば良く、ナノホール1aの内壁面の一部または全部に付着・形成されていても、あるいはナノホール1a内の一部または全部を埋めるように充填されていても良い。
【0035】
導体または半導体層4を構成する材料としては、ある程度の導電性を有するものであれば、種類を問わず使用することができる。例えば、カーボン、Al、Ag、Cu、Ni、Au、Baなどの導電性材料を使用することができる。また、Ni酸化物、ATO、ITOなどの半導体材料も使用することができる。これらの導体または半導体層の形成は、例えば、電気化学的方法やCVD法あるいは蒸着法などにより行うことができる。
【0036】
多孔質層1のナノホール1aの開口部と反対側の面には、誘電体から成るバリア層5が設けられている。バリア層5としては、多孔質層1を構成する絶縁体と同じ材料から成る層が用いられる。例えば、アルミニウムの陽極酸化により形成された酸化アルミニウム(アルミナ)層を使用し、ナノホール1aの底端部と第1の導電体層2または第2の導電体層3とが、ナノホール1aを有する絶縁体と同じアルミナから成るバリア層5により隔てられるように構成することができる。なお、図3に示すように、上下両面側に開口部を有する透孔(貫通孔)のナノホール1aを有する構造では、バリア層5がなく、多孔質層1の両面に直接第1および第2の導電体層2,3が形成された構造としても電子の放出が得られる。
【0037】
また、図5に示すように、多孔質層1のナノホール1aの開口側の面に、誘電体から成る第2のバリア層5aが形成されていても良い。さらに、バリア層を2層以上の誘電体層を積層した構造としても良い。例えば、図6に示すように、アルミニウムの陽極酸化により形成されたアルミナ層5の上に、1層あるいは2層以上の別の誘電体からなる第2のバリア層5aを積層して形成し、多層構造のバリア層6を形成することができる。
【0038】
ここで、バリア層5あるいは第2のバリア層5aを構成する誘電体としては、特に種類は限定されないが、誘電率が高く耐電圧特性が良好なものが好ましい。前記したアルミニウムの陽極酸化により形成された酸化アルミニウム(アルミナ)の他に、酸化タンタル、窒化ケイ素、酸化チタン、シリカ等を使用することができる。
【0039】
そして、このような構造を有する第1乃至第6の実施形態では、第1の導電体層2を陰極(負極)、第2の導電体層3を陽極(正極)として直流電圧を印加することにより電子が放出し、放出された電子による電流Iの密度(I/S)が、1μA/cm2以上、好ましくは100mA/cm2以下となっている。なお、Sは、第1の導電体層2と第2の導電体層3および多孔質層1の三者が重なる部分の面積を示す。
【0040】
電子を放出する機構は、以下に示すように考えられる。すなわち、第1の導電体層2と第2の導電体層3との間に多孔質層1が存在し、この多孔質層1は、空隙部(ナノホール)および誘電体(絶縁体)から成るため、第1の導電体層2と第2の導電体層3との間に直流電圧を印加すると、ナノホール1a内に電界が集中し、一方の導電体層からもう一方(正極側)の導電体層に向う電子の流れ(移動)が生じる。このとき流れる電子の一部が、ナノホール1a内の電界によって加速され、正極側の導電体層を突き抜けることにより、電子が外部に放出される。
【0041】
前記した電子の流れによる電流密度(I/S)の値は、印加電圧の他に、多孔質層1の厚さ、多孔質層1の有するナノホール1aの径、ナノホール1aの含有率、ナノホール1a内に導体または半導体層4が存在する場合にはそれらの導電率および充填率、誘電体から成るバリア層5、5aが存在する場合にはその厚さおよび誘電体の誘電率などを変えることにより制御することができる。
【0042】
そして、電流密度(I/S)の好ましい範囲は、本発明者らが実験を繰り返した結果、得られたものである。すなわち、第1の導電体層2を基準電極とするとともに第2の導電体層3をゲート電極とし、これらの電極間に電圧(正電圧)を印加したとき、多孔質層1のナノホール1a内に発生した電界で放出された電子による電流密度(I/S)が、1μA/cm2以上好ましくは100mA/cm2以下となるように制御した場合に、第1の導電体層2から一部のナノホール1aを通り第2の導電体層3に向う方向に電子(トンネル電子)の移動が生じ、かつこの電子が第2の導電体層3を突き抜け、外部の例えば蛍光体層に向けて放出されることが確認された。
【0043】
前記した第1乃至第6の実施形態の電子源装置において、第1の導電体層2と第2の導電体層3との間に印加する電圧(正電圧)を変え、電子放出特性を調べた結果を、図7に示す。
【0044】
このグラフから、電子源装置の電子放出特性が、第1の導電体層2と第2の導電体層3との間を流れる電流の密度(I/S)に依存することがわかる。また、電子源から外部への電子放出が行われるには、電流密度(I/S)が1μA/cm2以上でなければならないことがわかる。そして、電流密度(I/S)が100mA/cm2を超えると、絶縁破壊により電子源が損傷するおそれがあり好ましくない。したがって、このような電子源装置では、100mA/cm2以下の電流密度(I/S)で動作させることが望ましい。
【0045】
さらに、電子源装置の電子放出量を第1の導電体層2と第2の導電体層3との間に印加する電圧により制御するとき、100V以下の低電圧で1μA/cm2以上の電流密度(I/S)が得られることが望ましい。そして、より好ましくは、50V以下で1μA/cm2以上の電流密度(I/S)が得られるようにする。
【0046】
また、この関係は電流密度(I/S)に依存していることから、電圧の印加される第1および第2の導電体層2,3と多孔質層1との重なり部分の最小単位の面積を小さくすることにより、両導電体層間に印加する電圧を安定化することができる。前記重なり部分の最小単位の面積は25mm2以下であることが好ましい。
【0047】
そして、前記した重なり部分の最小単位の面積を小さくするために、第1の導電体層2と第2の導電体層3および多孔質層1から選ばれる少なくとも一つを、所定のパターンに形成することができる。これらのパターンとしては、単純マトリックス型のパターンが挙げられる。例えば、第1の導電体層2と第2の導電体層3とをそれぞれX軸およびY軸方向に平行なストライプ状に形成し、かつ互いにクロスするように配置することができる。
【0048】
このように第1の導電体層2および/または第2の導電体層3をパターン化した場合には、電子発生部位の調整ならびに電子発生量の制御が可能であるという利点があり、個々の電子放出源に順次電圧を印加するタイプの表示装置や陰極線管のように、小面積の陰極を使用するタイプの表示装置に好適する。
【0049】
次に、このような電子源装置を備えたFEDについて、図8に基づいて説明する。
【0050】
このFEDは、それぞれ矩形状のガラス基板からなるリアプレート7およびフェースプレート8を備え、これらのプレートは所定の間隔をおいて対向配置されている。そして、リアプレート7とフェースプレート8は、それぞれ周端部がガラスからなる矩形枠状の側壁9を介して接合され、真空外囲器を形成している。
【0051】
フェースプレート8の内面には、蛍光体スクリーン10が形成されている。蛍光体スクリーン10は、ストライプ状あるいはドット状に形成された赤(R)、青(B)、緑(G)の3色の蛍光体層と黒色顔料から成る光吸収層が、並べられて構成されている。また、蛍光体スクリーン10の上には、第3の電極(アノード電極)としてメタルバック層11が形成されている。なお、蛍光体スクリーン10とフェースプレート8との間に、例えばITOからなる対向電極(図示を省略。)を形成し、これをアノード電極とすることができる。
【0052】
蛍光体スクリーン10の形成において、光吸収層はフォトリソグラフィなどにより形成することができる。また、赤(R)、青(B)、緑(G)の3色の蛍光体層の形成は、ZnS系、Y2O3系、Y2O2S系などの蛍光体液を用いたスラリー法で行うことができる。なお、各色の蛍光体層の形成は、スプレー法や印刷法で行うこともでき、これらの方法においても、必要に応じてフォトリソグラフィによるパターニングを併用することができる。
【0053】
リアプレート7の内面には、第1の実施形態の電子源装置12が設けられている。電子源装置12は、電子源装置外に電子ビーム(矢印で示す。)を放出する第2の導電体層3を内側(蛍光体スクリーン10側)にして、配設されている。
【0054】
側壁9は、例えばフリットガラスによりリアプレート7の周縁部とフェースプレート8の周縁部に封着され、これらリアプレート7とフェースプレート8および側壁9から構成された外囲器の内部は、ほぼ真空に保持されている。さらに、リアプレート7とフェースプレート8の間には、これらのプレート間の間隙を維持するため、多数のスペーサ(図示を省略。)が所定の間隔をおいて配置されている。スペーサはそれぞれ板状あるいは柱状に形成されている。
【0055】
このようなFEDによれば、電子源装置において、基準電極である第1の導電体層2とゲート電極である第2の導電体層3との間の電圧印加により、第2の導電体層3を突きぬけて放出された電子が、蛍光体スクリーン10側に設けられた第3の電極(メタルバック層11)に印加された電圧(アノード電圧)により加速され、蛍光体層に衝突する。そして、電子の衝突の結果蛍光体が励起されて発光し、所望の画像が表示される。
【0056】
なお、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。
【0057】
以下、本発明の具体的実施例について説明する。
【0058】
実施例
縦50mm×横50mm、厚さ2.5mmのAl基板をメタノールで洗浄し油分を取り除いた後、20℃に保持されたリン酸水溶液(リン酸濃度4重量%)の浴に浸漬した。そして、対向電極として第2のAl板を使用し、表1に示すように、印加電圧(陽極酸化電圧)および時間(陽極酸化時間)を変えて陽極酸化を行い、ナノホールを有する多孔質アルミナ層(陽極酸化層)を形成した。(試料No.1〜23)
【0059】
また、印加電圧65Vで陽極酸化を行った後、徐々に陽極酸化電圧を下げてバリア層を溶解していくことにより、バリア層の厚さが10nm以下でナノホールが実質的に多孔質アルミナ層を貫通している陽極酸化層を形成した(試料No.24〜29)。
【0060】
こうして形成されたナノホールを有する多孔質アルミナ層において、ナノホール形成部の厚さ、およびナノホールの底端部に形成されたアルミナから成るバリア層の厚さをそれぞれ測定した。測定結果を、陽極酸化の条件とともに表1に示す。
【0061】
【表1】
【0062】
次いで、陽極酸化層(多孔質アルミナ層)の上にAuをスパッタリングすることにより、長さ10mm×幅1mm(面積0.1cm2)のAu薄膜(厚さ約40nm)のパターンを形成した。
【0063】
こうして、図9および図10にそれぞれ示すように、第1の導電層体層である陽極酸化されずに残ったAl板13と、その上に形成された多数のナノホール14を有する多孔質アルミナ層15、および多孔質アルミナ層15の上に形成された第2の導電層体層であるAu薄膜のパターン16を有する電子源が得られた。なお、図9に示す電子源では、多孔質アルミナ層15は、ナノホールが形成された多孔部15aと、ナノホール14の底端部に形成されたアルミナから成るバリア層15bとを有しているが、ナノホール14が実質的に多孔質アルミナ層15を貫通している構造(図10)の電子源では、バリア層15bがなく、多孔質アルミナ層15が多孔部15aのみから構成されている。
【0064】
次に、図11に示すように、実施例で得られた電子源を備えた基板(リアプレート)17と、蛍光体スクリーン18が形成された基板(フェースプレート)19とを、第2の導電体層であるAu薄膜のパターン16と蛍光体スクリーン18とが向き合うように2mmの間隔(ギャップ)をおいて対向配置し、真空雰囲気に保持した。なお、図中符号20は第3の電極であるメタルバック層を示す。
【0065】
なお、蛍光体スクリーン18は以下の手順で作製した。すなわち、縦50mm×横50mmのガラス基板上に、格子マトリックス状のグラフファイトを主成分とする光吸収層をフォトリソグラフィにより形成した後、光吸収層の間隙部に、規則正しく配列された赤(Y2O2S:Eu)、緑(ZnS:Cu,Al)、青(ZnS:Ag,Al)の蛍光体層を、フォトリソグラフィにより形成した。次いで、蛍光体層上にニトロセルロースからなるフィルムを形成し、その上にアルミニウムを蒸着し、メタルバック層20を形成した。
【0066】
また、リアプレート17とフェースプレート18との組立ては、以下の手順で行った。まず、電子源の画像有効面外の所望位置に穴をあけ、排気管をフリットガラスにより接合した後、電子源にギャップ制御のためのスペーサであるガラス枠を配置し、その上にフェースプレート18を配置し、電子源の第2の導電体層であるAu薄膜のパターン16と蛍光体スクリーン18とがガラス枠を介して対向するようにした。電子源の個々の電子放出部位が蛍光面画素と対応するように位置合せを行った後、フリットガラスにより接合した。次いで、300℃で加熱しながら排気管により排気を行い、1×10−3〜5×10−3Paの真空度になったところで排気管の封止を行った。
【0067】
こうして得られた表示装置において、第1の導電層体層である陽極酸化されずに残ったAl板13をカソード電極(基準電極)とし、Au薄膜パターン16をアノード電極とし、これらの電極間に100V以下の直流電圧(ドライブ電圧:Vd)を印加するようにした。電極間を流れる電流値を測定した。第3の電極の電圧(アノード電圧:Va)を5kVとし、ドライブ電圧の値を変え、蛍光面の発光状態を観察することにより電子放出(エミッション)の有無を調べた。そして、電子放出開始電圧と、このとき第1の導電体層と第2の導電体層との間を流れる電流値(I)、および絶縁破壊電圧をそれぞれ測定した。そして、電流密度(I/S)を求めた。なお、Sの値は、Au薄膜パターンの面積に等しく0.1cm2である。測定結果を表2に示す。
【0068】
【表2】
【0069】
表2の測定結果から、以下のことが確かめられた。すなわち、第1の導電体層であるAl板と第2の導電体層であるAu薄膜パターンとの間を流れる電流密度(I/S)の値が1μA/cm2〜100mA/cm2の範囲にある試料No.1〜4,7〜9,12,16および試料No.24〜28の電子源を備えた表示装置では、いずれも50V以下の低い電圧で電子の放出が見られ、良好な発光状態が得られた。また、絶縁破壊電圧が高く、耐電圧性も十分に満足のゆくものであった。
【0070】
【発明の効果】
以上の記載から明らかなように、本発明によれば、高く均一な電子放出能力を有し、簡便で低真空度でも長寿命の電子源装置を安価に得ることができる。そして、この電子源装置を備えた表示装置では、発光効率が高く安価で信頼性の高い表示を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る電子源装置の第1の実施形態を示す断面図。
【図2】本発明の電子源装置の第2の実施形態を示す断面図。
【図3】本発明に係る電子源装置の第3の実施形態を示す断面図。
【図4】本発明の電子源装置の第4の実施形態を示す断面図。
【図5】本発明に係る電子源装置の第5の実施形態を示す断面図。
【図6】本発明の電子源装置の第6の実施形態を示す断面図。
【図7】第1乃至第6の実施形態の電子源装置の電子放出特性を示すグラフ。
【図8】第1の実施形態の電子源装置を備えたFEDの構造を模式的に示す断面図。
【図9】本発明の実施例において、試料1〜23の電子源の構造を示す断面図。
【図10】本発明の実施例において、試料24〜29の電子源の構造を示す断面図。
【図11】本発明の実施例において、電子源を備えた表示装置の特性を調べる方法を模式的に示す図。
【符号の説明】
1………多孔質層、1a………ナノホール、2………第1の導電体層、3………第2の導電体層、4………導体または半導体層、5………バリア層、5a………第2のバリア層、7………リアプレート、8………フェースプレート、11………蛍光体スクリーン、11………メタルバック層
Claims (17)
- 絶縁体から成り垂直方向に配設された多数の微細孔を有する多孔質層と、
前記多孔質層の両面側にそれぞれ配設された第1の導電体層および第2の導電体層を備え、
前記第2の導電体層を陽極として前記第1の導電体層との間に直流電圧を印加したときの電流密度I/Sが、以下に示す範囲にあることを特徴とする電子源装置。
1μA/cm2 ≦ I/S
(ただし、Iは第1の導電体層と第2の導電体層との間に流れる電流を示し、Sは、第1の導電体層と第2の導電体層および多孔質層の三者が重なる部分の面積を示す。) - 前記電流密度I/Sが、以下に示す範囲にあることを特徴とする請求項1記載の電子源装置。
1μA/cm2 ≦ I/S ≦ 100mA/cm2 - 絶縁体から成り垂直方向に配設された多数の微細孔を有する多孔質層と、
前記多孔質層の両面側にそれぞれ配設された第1の導電体層および第2の導電体層を備え、
前記多孔質層の微細孔の少なくとも一方の端部と前記第1の導電体層または第2の導電体層とが、誘電体から成るバリア層により隔てられ、
かつ前記第2の導電体層を陽極として前記第1の導電体層との間に直流電圧を印加したときの電流密度I/Sが、以下に示す範囲にあることを特徴とする電子源装置。
1μA/cm2 ≦ I/S
(ただし、Iは第1の導電体層と第2の導電体層との間に流れる電流を示し、Sは、第1の導電体層と第2の導電体層および多孔質層の三者が重なる部分の面積を示す。) - 前記電流密度I/Sが、以下に示す範囲にあることを特徴とする請求項3記載の電子源装置。
1μA/cm2 ≦ I/S ≦ 100mA/cm2 - 前記多孔質層の微細孔が、前記第1の導電体層と第2の導電体層の少なくとも一方の側に開口部を有し、かつ前記微細孔の前記開口部と反対側の端部を閉塞するように形成された誘電体から成るバリア層を有することを特徴とする請求項3または4記載の電子源装置。
- 前記微細孔を有する多孔質層が、多孔質アルミナ層であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の電子源装置。
- 前記多孔質アルミナ層が、アルミニウムを主成分とする層の陽極酸化により得られた層であることを特徴とする請求項6記載の電子源装置。
- 前記多孔質層の微細孔の径が、5〜1000nmであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の電子源装置。
- 前記多孔質層の厚さが、0.05〜50μmであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の電子源装置。
- 前記多孔質層の微細孔内に形成された導体または半導体層を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の電子源装置。
- 前記バリア層が、前記多孔質層を構成する絶縁体と同種の絶縁体から成る層を有することを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項記載の電子源装置。
- 前記バリア層が、前記多孔質層を構成する絶縁体と異種の誘電体から成る層を有することを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項記載の電子源装置。
- 前記バリア層の厚さが5〜50nmであることを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項記載の電子源装置。
- 前記第1の導電体層と前記第2の導電体層および前記多孔質層から選ばれる少なくとも1つの層が、パターン化されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の電子源装置。
- 前記第1の導電体層と前記第2の導電体層の少なくとも一方が複数の導電体層を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の電子源装置。
- 前記第1の導電体層と前記第2の導電体層および前記多孔質層の三者が重なる部分の最小単位の面積が、25mm2以下であることを特徴とする請求項14記載の電子源装置。
- 互いに対向して配置された第1の基板および第2の基板と、前記第1の基板の内面に設けられた蛍光体層と、前記第2の基板の内面側に設けられ、前記蛍光体層を励起する電子を放出する電子源とを備えた表示装置であり、
前記電子源は、請求項1乃至16のいずれか1項記載の電子源装置であることを特徴とする表示装置。
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