JP6679890B2 - 物理量センサー、電子機器および移動体 - Google Patents
物理量センサー、電子機器および移動体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6679890B2 JP6679890B2 JP2015216900A JP2015216900A JP6679890B2 JP 6679890 B2 JP6679890 B2 JP 6679890B2 JP 2015216900 A JP2015216900 A JP 2015216900A JP 2015216900 A JP2015216900 A JP 2015216900A JP 6679890 B2 JP6679890 B2 JP 6679890B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electronic device
- physical quantity
- recess
- quantity sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 140
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 34
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48145—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Gyroscopes (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Description
前記マスクを介して前記基体を第1エッチングすることで前記面に開放する凹部を形成する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
前記面および前記凹部を第2エッチングする工程と、
前記第2エッチング後の前記面と前記凹部との接続部を跨いで導電部を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする。
これにより、面と凹部の側面とをなだらかな曲面で接続することができる。そのため、これらの境界部において、配線の断線や破損を低減することができる。
これにより、凹部を簡単に形成することができる。
これにより、基体を等方性エッチングすることができる。そのため、凹部の側面を簡単に傾斜面とすることができる。
前記側面の前記変曲点よりも前記面側は、湾曲凸面を含み、
前記側面の前記変曲点よりも前記凹部の底面側は、湾曲凹面を含んでいることが好ましい。
これにより、面と凹部の側面とをなだらかな曲面で接続することができ、凹部の側面と凹部の底面とをなだらかな曲面で接続することができる。そのため、これらの境界部において、配線の断線や破損を低減することができる。
これにより、第2エッチングのエッチング時間を短くすることができる。そのため、効率的に電子デバイスを製造することができる。
これにより、凹部の過度な大型化を防止することができる。
これにより、導電部を簡単に形成することができる。
前記基体に配置されている導電部と、を有し、
前記基体は、面に開放する凹部を有し、
前記凹部の側面は、前記凹部の深さ方向の途中に変曲点を有し、
前記側面の前記変曲点よりも前記面側は、湾曲凸面を含み、
前記側面の前記変曲点よりも前記凹部の底面側は、湾曲凹面を含み、
前記導電部は、前記湾曲凸面、前記変曲点および前記湾曲凹面を連続して跨いで配置されていることを特徴とする。
これにより、面と凹部の側面とをなだらかな曲面で接続することができる。そのため、これらの境界部において、配線の断線や破損を低減することができる。
前記基体の前記機能素子片とは反対側に接合されている補助基体と、を有し、
前記機能素子片の線膨張係数をα1とし、前記基体の線膨張係数をα2とし、前記補助基体の線膨張係数をα3としたとき、
|α1−α2|≧|α1−α3|の関係を満足することが好ましい。
これにより、熱膨張時の基体の反りが低減される。
これにより、機能素子片と補助基板との線膨張係数を簡単に近づけることができる。
前記基体の前記凹部は、前記内部空間と繋がっていることが好ましい。
これにより、電子デバイスの低背化を図ることができる。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る電子デバイスを示す側面図である。図2は、図1に示す電子デバイスが備えるジャイロセンサー素子の平面図である。図3は、図2中のA−A線断面図である。図4は、図2中のB−B線断面図である。図5ないし図14は、それぞれ、図1に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図である。なお、以下の説明では、互いに直交する3つの軸をX軸、Y軸およびZ軸とする。また、X軸に沿う方向を「X軸方向」とも言い、Y軸方向に沿う方向を「Y軸方向」とも言い、Z軸に沿う方向を「Z軸方向」とも言う。
図1に示す電子デバイス1は、Y軸まわりの角速度ωyを検出することのできるジャイロセンサーである。この電子デバイス1は、基板2と、基板2の上面に配置されたジャイロセンサー素子(電子デバイス素子)3と、ジャイロセンサー素子3の上面に配置されたIC(電子部品)9と、ジャイロセンサー素子3とIC9とを電気的に接続するボンディングワイヤーBW1と、基板2とIC9とを電気的に接続するボンディングワイヤーBW2と、ジャイロセンサー素子3およびIC9をモールドするモールド材Mと、を有している。以下、これら各構成要素について順次説明する。
基板2は、ジャイロセンサー素子3を支持している。また、基板2の上面には複数の端子21が配置されており、下面には図示しない内部配線等を介して端子21と電気的に接続された複数の実装端子22が配置されている。このような基板2としては、特に限定されないが、例えば、シリコン基板、セラミック基板、樹脂基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板等を用いることができる。
ジャイロセンサー素子3は、Y軸まわりの角速度ωyを検出する機能を有している。このようなジャイロセンサー素子3は、図2および図3に示すように、基板4と、蓋体5と、機能素子片6と、を有している。
IC9は、図1に示すように、ジャイロセンサー素子3の上面(蓋体5上)に固定されている。IC9には、例えば、ジャイロセンサー素子3を駆動する駆動回路や、ジャイロセンサー素子3からの出力信号に基づいて角速度ωyを検出する検出回路や、検出回路からの信号を所定の信号に変換して出力する出力回路等が含まれている。このようなIC9は、ボンディングワイヤーBW1を介してジャイロセンサー素子3の端子712〜752と電気的に接続されており、ボンディングワイヤーBW2を介して基板2の端子21と電気的に接続されている。
モールド材Mは、図1に示すように、ジャイロセンサー素子3およびIC9をモールドしている。これにより、ジャイロセンサー素子3やIC9を水分、埃、衝撃等から保護することができる。モールド材Mとしては、特に限定されないが、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂を用いることができ、例えば、トランスファーモールド法によってモールドすることができる。
電子デバイス1の製造方法は、ジャイロセンサー素子3を製造する素子製造工程と、基板2上にジャイロセンサー素子3を配置する素子配置工程と、ジャイロセンサー素子3上にIC9を配置するIC配置工程と、ジャイロセンサー素子3とIC9とを電気的に接続すると共に、IC9と基板2とを電気的に接続する電気接続工程と、ジャイロセンサー素子3およびIC9を封止する封止工程と、を有している。以下、これら各工程について順次説明する。なお、溝部43〜47については、それぞれ同じ工程で同じように製造することができるため、以下では、説明の便宜上、溝部46について代償して説明する。
まず、図5に示すように、基板4の母材となるガラス基板(基体)40を準備し、その上面に溝部46に対応する開口を有するマスクM1を成膜する。次に、マスクM1を介してガラス基板40をウェットエッチングすることで、ガラス基板40に溝部46を形成する。
次に、基板2を準備し、図12に示すように、基板2の上面にジャイロセンサー素子3を固定し、IC9を準備し、ジャイロセンサー素子3の上面にIC9を固定する。
次に、図13に示すように、ボンディングワイヤーBW1を用いてジャイロセンサー素子3(端子712〜752)とIC9とを電気的に接続すると共に、ボンディングワイヤーBW2を用いてIC9と基板2とを電気的に接続する。
次に、図14に示すように、モールド材Mによって、ジャイロセンサー素子3およびIC9を封止する。以上によって、電子デバイス1が得られる。
図15は、本発明の第2実施形態に係る電子デバイスが有するジャイロセンサー素子の断面図である。図16および図17は、それぞれ、図15に示すジャイロセンサー素子の製造方法を説明する断面図である。
まず、前述した第1実施形態の製造方法と同様にして、配線711〜751、端子712〜752および固定検出電極79が設けられた基板4を用意する。次に、基板4に導電性バンプB1〜B3を配置した後、図16に示すように、基板4の上面にシリコン基板600を接合する。基板4とシリコン基板600との接合は、陽極接合を用いることができる。
図18は、本発明の第3実施形態に係る電子デバイスの断面図である。図19および図20は、それぞれ、図18に示す電子デバイスの変形例を示す断面図である。
次に、本発明の電子デバイスを備える電子機器について説明する。
次に、本発明の移動体について説明する。
図24は、本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。
Claims (9)
- 互いに直交する3軸をX軸、Y軸およびZ軸としたとき、
互いに表裏の関係にあり、前記Z軸のプラス側にある第1の面及び前記Z軸のマイナス側にある第2の面を含み、前記第1の面に凹部が設けられている基板と、
前記基板の前記第1の面に配置されている導電部と、
前記Z軸方向からの平面視で前記凹部と重なり、前記基板の前記第1の面に陽極接合され、物理量を検出する機能素子片と、
前記基板の前記第2の面に陽極接合されている補助基板と、
を含み、
前記凹部の側面に、前記第1の面側から前記第2の面側に向かって、湾曲凸面、変曲点、湾曲凹面の順序で、前記湾曲凸面、前記変曲点および前記湾曲凹面が配置され、
前記導電部は、前記湾曲凸面、前記変曲点および前記湾曲凹面の上に積層され連続して配置され、
前記機能素子片の線膨張係数をα1、
前記基板の線膨張係数をα2、
前記補助基板の線膨張係数をα3としたとき、
|α1−α2|≧|α1−α3|
を満足していることを特徴とする物理量センサー。 - 請求項1において、
前記湾曲凸面の平均曲率半径をRa、
前記湾曲凹面の平均曲率半径をRbとしたとき、
Ra<Rb
を満足していることを特徴とする物理量センサー。 - 請求項1または2において、
前記機能素子片は、
静電容量の変化に基づいて前記物理量を検出し、
前記基板の前記凹部と前記Z軸方向に空間を介して対向し、前記X軸方向に変位可能な振動部と、
前記基板の前記第1の面に接合されている固定部と、
を含むことを特徴とする物理量センサー。 - 請求項1乃至3のいずれか一項において、
内部空間に前記基板が収容されているパッケージを含み、
前記基板の前記凹部は、前記内部空間と繋がっていることを特徴とする物理量センサー。 - 請求項1乃至4のいずれか一項において、
前記機能素子片と前記補助基板とは、互いに同じ材料を含むことを特徴とする物理量センサー。 - 請求項5において、
前記機能素子片の材料及び前記補助基板の材料は、シリコンであることを特徴とする物理量センサー。 - 請求項1乃至6のいずれか一項において、
前記基板の材料は、ガラスであることを特徴とする物理量センサー。 - 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の物理量センサーを含むことを特徴とする電子機器。
- 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の物理量センサーを含むことを特徴とする移動体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015216900A JP6679890B2 (ja) | 2015-11-04 | 2015-11-04 | 物理量センサー、電子機器および移動体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015216900A JP6679890B2 (ja) | 2015-11-04 | 2015-11-04 | 物理量センサー、電子機器および移動体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017092115A JP2017092115A (ja) | 2017-05-25 |
JP2017092115A5 JP2017092115A5 (ja) | 2018-12-13 |
JP6679890B2 true JP6679890B2 (ja) | 2020-04-15 |
Family
ID=58770988
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015216900A Expired - Fee Related JP6679890B2 (ja) | 2015-11-04 | 2015-11-04 | 物理量センサー、電子機器および移動体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6679890B2 (ja) |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58143536A (ja) * | 1982-02-22 | 1983-08-26 | Toshiba Corp | 絶縁膜開口部の形成方法 |
JPH02214122A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH07273352A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Nippon Seiki Co Ltd | 半導体センサ |
JP3913203B2 (ja) * | 2003-08-28 | 2007-05-09 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
US20090095076A1 (en) * | 2005-08-18 | 2009-04-16 | Yasuhiro Tamura | Acceleration Sensor Device and Sensor Apparatus |
JP2009016619A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Denso Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP6089397B2 (ja) * | 2011-12-14 | 2017-03-08 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、および電子機器 |
JP2013160554A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Seiko Epson Corp | 物理量センサーおよびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2014025830A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Seiko Epson Corp | Memsデバイス、電子モジュール、電子機器、及び移動体 |
JP6171446B2 (ja) * | 2013-03-22 | 2017-08-02 | セイコーエプソン株式会社 | 機能素子、センサー素子、電子機器及び移動体 |
-
2015
- 2015-11-04 JP JP2015216900A patent/JP6679890B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017092115A (ja) | 2017-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107010588B (zh) | 物理量传感器以及物理量传感器的制造方法 | |
CN106338619B (zh) | 物理量传感器、物理量传感器装置、电子设备以及移动体 | |
CN105372451B (zh) | 物理量传感器、物理量传感器装置、电子设备以及移动体 | |
US9520812B2 (en) | Electronic device, electronic apparatus, and method of manufacturing electronic device | |
JP6631108B2 (ja) | 物理量センサー、センサーデバイス、電子機器および移動体 | |
JP6575187B2 (ja) | 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体 | |
JP2013232626A (ja) | 電子デバイス及びその製造方法、電子機器、並びに移動体 | |
JP2017125753A (ja) | 電子デバイス、電子機器および移動体 | |
JP6544157B2 (ja) | 物理量センサー、センサーデバイス、電子機器および移動体 | |
JP6866623B2 (ja) | 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体 | |
JP2016176891A (ja) | 角速度検出素子、角速度検出デバイス、電子機器および移動体 | |
US10384931B2 (en) | Electronic device having a bonding wire connected to a terminal at an alloyed portion | |
JP2017167026A (ja) | 電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子デバイス装置、電子機器および移動体 | |
JP6679890B2 (ja) | 物理量センサー、電子機器および移動体 | |
JP6822200B2 (ja) | 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体 | |
JP2015007559A (ja) | モジュール、モジュールの製造方法、電子機器及び移動体 | |
JP2018148137A (ja) | 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子モジュール、電子機器および移動体 | |
JP6398730B2 (ja) | 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体 | |
CN110034743A (zh) | 振动器件、振动器件的制造方法、电子设备以及移动体 | |
JP2018169365A (ja) | 機能素子、機能素子の製造方法、電子機器および移動体 | |
JP2019035590A (ja) | 電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器、および移動体 | |
JP5987500B2 (ja) | 物理量検出デバイス、電子機器、移動体 | |
JP7200705B2 (ja) | 振動デバイス、振動デバイスの製造方法、振動モジュール、電子機器および移動体 | |
JP6855853B2 (ja) | 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体 | |
JP2018091819A (ja) | 加速度センサー、加速度センサーデバイス、電子機器および移動体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181101 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181101 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190620 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190723 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190920 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200302 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6679890 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |