JP7200705B2 - 振動デバイス、振動デバイスの製造方法、振動モジュール、電子機器および移動体 - Google Patents
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Description
前記ベース基板の前記主面側に配置されている振動素子と、
前記ベース基板との間に前記振動素子を収納するように前記ベース基板の前記主面に接合されているリッドと、を備え、
前記ベース基板と前記リッドとが接合している接合領域は、前記主面の外縁より内側に位置している。
前記主面は、(100)結晶面であることが好ましい。
前記角部は、丸み付けされていることが好ましい。
複数の前記個片化領域を含み、前記ベースウエハ側の主面となる第2面側に、前記個片化領域毎に前記振動素子を収納する第1凹部と、隣り合う前記個片化領域の境界に沿い、深さが前記第1凹部よりも深くかつ開口幅が前記溝の開口幅よりも大きい第2凹部と、が形成されているリッドウエハを準備し、前記第1面と前記第2面とを接合して前記ベースウエハと前記リッドウエハとの積層体であるデバイスウエハを得る工程と、
前記デバイスウエハに応力を加えて、前記ベースウエハを前記溝の先端部から割断させることにより前記個片化領域毎に個片化する工程と、を有する。
図1は、第1実施形態に係る振動デバイスを示す斜視図である。図2は、図1中のA-A線断面図である。図3は、図1中のB-B線断面図である。図4は、図1に示す振動デバイスの平面図である。図5は、ベース基板とリッドとの接合部分を示す断面図である。図6は、振動素子の平面図である。図7は、振動素子を上側から見た透過図である。図8は、振動デバイスの製造工程を示す図である。図9ないし図19は、それぞれ、振動デバイスの製造工程を示す断面図である。なお、説明の便宜上、各図には、互いに直交する3軸をX軸、Y軸およびZ軸として図示している。また、図2および図4のZ軸の+側を「上」とも言い、-側を「下」とも言う。また、ベース基板の厚さ方向からの平面視を単に「平面視」とも言う。
まず、図9に示すように、ベース基板41の母材となるシリコンウエハSW1を準備する。シリコンウエハSW1は、その上面が(100)結晶面である単結晶シリコンウエハである。また、このシリコンウエハSW1には、後の個片化工程によって1つのベース基板41となる複数の個片化領域Rが行列上に並んで含まれている。次に、各個片化領域Rにおいて、上面側から有底の凹部SW11を2つ形成する。凹部SW11は、例えば、ボッシュ・プロセスに代表されるドライエッチングで形成することができる。次に、図10に示すように、シリコンウエハSW1を下面側から研削・研磨し、凹部SW11が貫通するまでシリコンウエハSW1を薄肉化する。これにより、各個片化領域Rに貫通孔415、416が形成される。
まず、図15に示すように、リッド3の母材となるシリコンウエハSW2を準備する。シリコンウエハSW2は、主面が(100)結晶面の単結晶シリコンウエハである。また、このシリコンウエハSW2には、後の個片化によって1つのリッド3となる複数の個片化領域Rが行列状に並んで含まれている。次に、個片化領域R毎に下面側から有底の凹部32を形成すると共に、隣り合う個片化領域Rの境界に沿って凹部SW21を形成する。これら凹部32、SW21は、例えば、ボッシュ・プロセスに代表されるドライエッチングで形成することができる。なお、凹部SW21は、その深さD1が凹部32の深さD2よりも深く、その開口幅W2が溝SW12の開口幅W1よりも大きい。以上の工程により、複数のリッド3が一体形成されたリッドウエハ300が得られる。
図18に示すように、可撓性を有するシートPにデバイスウエハ100を載置し、上からローラー等の押圧部材Bで押圧する。これにより、V字状の溝SW12の頂点から亀裂Kが進展し、図19に示すように、複数の振動デバイス1が個片化される。このように製造された振動デバイス1では、ベース基板41の側面413が割断面で構成され、傾斜面414がエッチング面で構成される。ただし、個片化方法は、特に限定されない。なお、図19は、シートPを伸張させて、隣り合う振動デバイス1を互いに離間させた状態を示している。
図20は、第2実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。
図21は、第3実施形態に係る振動モジュールを示す断面図である。
図22は、第4実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
図23は、第5実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
図24は、第6実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
図25は、第7実施形態に係る移動体を示す斜視図である。
Claims (9)
- 単結晶シリコンからなり、(100)結晶面である主面、側面、および、前記主面と前
記側面とを接続し、且つ、前記主面および前記側面に対して傾斜した(111)結晶面ま
たは(101)結晶面である傾斜面を備えるベース基板と、
前記ベース基板の前記主面側に配置されている振動素子と、
前記ベース基板との間に前記振動素子を収納するように前記ベース基板の前記主面に接
合されているリッドと、を備え、
前記ベース基板と前記リッドとが接合している接合領域は、前記主面の外縁より内側に
位置し、
前記ベース基板の前記傾斜面は、前記主面の外縁と前記側面の前記主面側の端部とを接
続していることを特徴とする振動デバイス。 - 前記ベース基板は、
複数の回路要素を含み、前記振動素子と電気的に接続された発振回路と、
前記主面とは反対の面側に配置され、絶縁層および配線層を含む積層体と、
を備え、
前記発振回路は、複数の前記回路要素と前記配線層とが電気的に接続されて構成されて
いる請求項1に記載の振動デバイス。 - 前記側面は、割断面である請求項1または2に記載の振動デバイス。
- 前記リッドは、単結晶シリコンからなり、
前記ベース基板と前記リッドとは、直接接合されている請求項1ないし3のいずれか1
項に記載の振動デバイス。 - 前記ベース基板と前記リッドとは、前記リッド側に配置された第1金属膜と前記ベース
基板側に配置された第2金属膜とが拡散接合して形成された接合部材を介して接合されて
いる請求項1ないし3のいずれか1項に記載の振動デバイス。 - 前記リッドの側面は、少なくとも1つの角部を有し、
前記角部は、丸み付けされている請求項1ないし5のいずれか1項に記載の振動デバイ
ス。 - 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の振動デバイスを備えることを特徴とする振動
モジュール。 - 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の振動デバイスを備えることを特徴とする電子
機器。 - 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の振動デバイスを備えることを特徴とする移動
体。
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