JP2017167026A - 電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子デバイス装置、電子機器および移動体 - Google Patents

Abstract

【課題】接合部材との間にボイドが発生し難い電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子デバイス装置、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】第１基体と、前記第１基体に配置されている機能素子と、前記第１基体との間に、前記機能素子を収容する収容空間を形成するように前記第１基体に接合されている第２基体と、を有し、前記第２基体は、前記収容空間の内外を連通する連通孔を有し、前記連通孔は、前記連通孔内に配置されている封止部材で封止されており、前記第２基体の前記連通孔が開放する外表面である第２基体外表面と、前記封止部材の外表面である封止部材外表面と、が連続した面となっていることを特徴とする電子デバイス。【選択図】図２

Description

本発明は、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子デバイス装置、電子機器および移動体に関するものである。

例えば、電子デバイス装置として特許文献１に記載の構成が知られている。特許文献１の電子デバイス装置は、基板と、基板上に固定された電子デバイス（加速度センサー）と、電子デバイス上に固定されたＩＣと、を有している。なお、例えば、基板と電子デバイスおよび電子デバイスとＩＣは、それぞれ、接着剤等の接合部材を介して接合することができる。

また、例えば、上述の電子デバイスとしては、特許文献２に記載されている振動子を用いることも考えられる。特許文献２に記載の振動子は、パッケージと、パッケージ内に収容された水晶振動素子と、を有している。また、パッケージにはパッケージの内外を連通し、パッケージ内を所定の環境に置換するための連通孔と、置換した後に連通孔を封止するための封止部材と、が設けられている。

特開平０６−２５８３４２号公報 特開２００９−１８２９２４号公報

しかしながら、特許文献２の振動子では、パッケージの底面（連通孔が開口する面）と封止部材との間に段差が形成されている。そのため、特許文献１の電子デバイスとして特許文献２の振動子を用い、例えば、接合部材を介してパッケージの底面を基板の上面に接合する際、前記段差の部分（底面と接合部材との間）にボイド（気泡）が発生し易い。また、封止部材の外表面が湾曲凹面となっているため、封止部材の外表面と接合部材との間にもボイドが発生し易い。このようなボイドが発生すると、ボイドの熱膨張によってパッケージに応力が加わり、パッケージが破損するおそれがある。

本発明の目的は、接合部材との間にボイドが発生し難い電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子デバイス装置、電子機器および移動体を提供することにある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。

本発明の電子デバイスの製造方法は、第１基体を準備し、前記第１基体に機能素子を配置する機能素子配置工程と、
前記第１基体との間で前記機能素子を収容する収容空間を形成するように前記第１基体に第２基体を接合する第２基体接合工程と、
前記第２基体に形成され、前記収容空間の内外を連通する連通孔内に封止部材を配置して前記連通孔を封止する封止工程と、
前記第２基体の前記連通孔が開放する外表面である第２基体外表面と、前記封止部材の外表面である封止部材外表面と、を連続した面とする連続面形成工程と、を含んでいることを特徴とする。
これにより、例えば、第２基体外表面に接合部材を介してＩＣ等の電子部品を接合する際、第２基体と接合部材との間（特に、第２基体外表面と封止部材外表面との境界部）にボイド（空泡）が発生し難くなる。そのため、例えば、ボイドの熱膨張によって発生する応力による電子デバイスの損傷（クラックの発生等）を低減することができる。

本発明の電子デバイスの製造方法では、前記連続面形成工程では、前記第２基体外表面と前記封止部材外表面とを面一とすることが好ましい。
これにより、第２基体外表面と接合部材との間にボイドがより発生し難くなる。

本発明の電子デバイスの製造方法では、前記連続面形成工程では、前記第２基体外表面を研削することで、前記第２基体外表面と前記封止部材外表面とを前記面一とすることが好ましい。
これにより、比較的簡単かつ精度よく、第２基体外表面と封止部材外表面とを面一とすることができる。

本発明の電子デバイスの製造方法では、前記第１基体は、前記機能素子と電気的に接続される端子を有し、
前記第２基体接合工程では、前記端子を覆うようにして前記第２基体を前記第１基体に接合し、
前記連続面形成工程では、前記研削によって前記面一とすると共に、前記端子を前記第２基体の外部へ露出させることが好ましい。
これにより、研削屑によって端子がダメージを受けることを低減することができる。

本発明の電子デバイスの製造方法では、前記第１基体および前記第２基体は、それぞれ、板状をなし、
前記機能素子配置工程では、前記第１基体の一方の主面に前記機能素子を配置し、
前記第２基体接合工程では、前記第２基体で前記機能素子を覆うように、前記第２基体を前記第１基体の前記一方の主面に接合し、
前記連通孔は、前記第２基体の前記第１基体と反対側の主面に開放し、
前記連続面形成工程では、前記第２基体の前記第１基体と反対側の主面を、前記第１基板側に向けて研削することが好ましい。
これにより、さらに、電子デバイスを低背化することができる。

本発明の電子デバイスの製造方法では、前記封止工程では、前記連通孔に封止部材を配置し、前記封止部材を溶融させることで前記連通孔を封止することが好ましい。
これにより、比較的簡単に連通孔を封止することができる。

本発明の電子デバイスの製造方法では、前記封止工程では、前記封止部材にエネルギー線を照射することで、前記封止部材を溶融させることが好ましい。
これにより、封止部材を局所的に加熱することができるため、電子デバイスへの熱ダメージを低減することができる。

本発明の電子デバイスは、第１基体と、
前記第１基体に配置されている機能素子と、
前記第１基体との間に、前記機能素子を収容する収容空間を形成するように前記第１基体に接合されている第２基体と、を有し、
前記第２基体は、前記収容空間の内外を連通する連通孔を有し、
前記連通孔は、前記連通孔内に配置されている封止部材で封止されており、
前記第２基体の前記連通孔が開放する外表面である第２基体外表面と、前記封止部材の外表面である封止部材外表面と、が連続した面となっていることを特徴とする。
これにより、例えば、第２基体外表面にダイアタッチ剤（接合部材）を介してＩＣ等の電子部品を接合する際、第２基体とダイアタッチ剤との間（特に、第２基体外表面と封止部材外表面との境界部）にボイドが発生し難くなる。そのため、例えば、ボイドの熱膨張によって発生する応力による電子デバイスの損傷（クラックの発生等）を低減することができる。

本発明の電子デバイス装置は、本発明の電子デバイスと、
前記電子デバイスの前記第２基体外表面側に配置されている電子部品と、
前記第２基体外表面と前記電子部品との間に配置され、前記第２基体外表面と前記電子部品とを接合している接合部材と、を有していることを特徴とする。
これにより、電子デバイスと接合部材との間にボイドが発生し難くなる。そのため、例えば、ボイドの熱膨張により発生する応力による電子デバイスの損傷（クラックの発生等）を低減することができ、信頼性の高い電子デバイス装置となる。

本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。

本発明の移動体は、本発明の電子デバイスを有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。

本発明の第１実施形態に係る電子デバイス装置を示す断面図である。 図１に示す電子デバイス装置が有する電子デバイスの断面図である。 図２に示す電子デバイスの蓋体の図示を省略した上面図である。 図２に示す電子デバイスの上面図である。 封止部材を示す断面図である。 図５に示す封止部材の形成方法を示す断面図である。 図５に示す封止部材の変形例を示す断面図である。 図５に示す封止部材の変形例を示す断面図である。 図１に示す電子デバイス装置の製造方法を示すフローチャートである。 図２に示す電子デバイスの製造方法を示すフローチャートである。 図２に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。 図２に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。 図２に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。 図２に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。 図２に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。 図２に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。 図２に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。 図２に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。 図２に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。 図２に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。 図１に示す電子デバイス装置の製造方法を説明する断面図である。 図１に示す電子デバイス装置の製造方法を説明する断面図である。 図１に示す電子デバイス装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の第２実施形態に係る電子デバイス装置が有する角速度センサー素子を示す上面図である。 本発明の第３実施形態に係る電子デバイス装置が有する電子デバイスの上面図である。 本発明の第４実施形態に係る電子デバイス装置が有する電子デバイスの上面図である。 本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用した携帯電話機（スマートフォン、ＰＨＳ等も含む）の構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用したデジタルスチールカメラの構成を示す斜視図である。 本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。

以下、本発明の電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子デバイス装置、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子デバイス装置を示す断面図である。図２は、図１に示す電子デバイス装置が有する電子デバイスの断面図である。図３は、図２に示す電子デバイスの蓋体の図示を省略した上面図である。図４は、図２に示す電子デバイスの上面図である。図５は、封止部材を示す断面図である。図６は、図５に示す封止部材の形成方法を示す断面図である。図７および図８は、それぞれ、図５に示す封止部材の変形例を示す断面図である。図９は、図１に示す電子デバイス装置の製造方法を示すフローチャートである。図１０は、図２に示す電子デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図１１ないし図２０は、それぞれ、図２に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。図２１ないし図２３は、それぞれ、図１に示す電子デバイス装置の製造方法を説明する断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１中の上側を「上」、下側を「下」とも言う。また、各図には互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸が図示されている。また、以下では、Ｘ軸に平行な方向を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向を「Ｚ軸方向」とも言う。また、Ｚ軸方向から見た平面視を単に「平面視」とも言う。

図１に示す電子デバイス装置１は、電子デバイス２と、電子デバイス２の下側に配置されている基板３と、電子デバイス２と基板３との間に配置され、電子デバイス２と基板３とを接合している接合部材４と、電子デバイス２の上面側に配置されているＩＣ５（電子部品）と、電子デバイス２とＩＣ５との間に配置され、電子デバイス２とＩＣ５とを接合している接合部材６と、電子デバイス２とＩＣ５とを電気的に接続するＢＷ１と、基板３とＩＣ５とを電気的に接続するボンディングワイヤーＢＷ２と、電子デバイス２およびＩＣ５をモールドするモールド部７（樹脂部）と、を有している。

（基板）
基板３は、電子デバイス２を支持する基板であり、例えば、インターポーザー基板である。このような基板３の上面には複数の端子３１が配置されており、下面には複数の実装端子３２が配置されている。また、基板３内には、図示しない内部配線が配置されており、この内部配線を介して各端子３１が、それと対応する実装端子３２と電気的に接続されている。このような基板３としては、特に限定されず、例えば、シリコン基板、セラミック基板、樹脂基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板等を用いることができる。

（電子デバイス）
図２に示す電子デバイス２は、第１基体としてのベース２１および第２基体としての蓋体２２を有するパッケージ２０と、パッケージ２０の収容空間Ｓに収容された機能素子としての加速度センサー素子２３と、を有している。このように、機能素子として加速度センサー素子２３を用いることで、電子デバイス２を加速度センサーとして利用することができるため、電子デバイス２の利便性が向上する。

このような電子デバイス２は、ベース２１を下側（基板３側）に向け、蓋体２２を上側（ＩＣ５側）に向けて配置されている。そして、ベース２１の下面２１ａが接合部材４を介して基板３に接合され、蓋体２２の上面２２ａが接合部材６を介してＩＣ５と接合されている（図１参照）。

図３に示すように、ベース２１は、矩形の平面視形状を有する板状をなしている。また、ベース２１は、上面（蓋体２２側の面）に開放する凹部２１１を有している。この凹部２１１は、加速度センサー素子２３とベース２１との接触を防止するための逃げ部として機能する。また、ベース２１は、上面に開口し、凹部２１１の周囲に配置された溝部２１２、２１３、２１４を有している。溝部２１２、２１３、２１４には配線Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３が配置され、配線Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３の端部が端子Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３となっている。端子Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３は、それぞれ、パッケージ２０（蓋体２２）の外部に露出しており、これら端子Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３がボンディングワイヤーＢＷ１を介してＩＣ５と電気的に接続されている。

このようなベース２１は、アルカリ金属イオン（可動イオン）を含むガラス材料（例えば、パイレックスガラス（登録商標）のような硼珪酸ガラス）から形成されている。ただし、ベース２１の構成材料としては、ガラス材料に限定されず、例えば、高抵抗のシリコンやセラミックスを用いてもよい。

図４に示すように、蓋体２２は、矩形の平面視形状を有する板状をなし、平面視で、その外縁がベース２１の外縁と重なっている（一致している）。このように、蓋体２２の外縁をベース２１の外縁に重ねることで、パッケージ２０の外縁に段差をなくすことができ、パッケージ２０の外縁への応力集中を低減することができる。パッケージ２０の外縁は、破損（クラックの発生）の起点になり易い部位であるため、当該箇所への応力集中を低減することで、パッケージ２０の破損、特に、ベース２１へのクラックの発生を効果的に低減することができる。そのため、機械的強度および信頼性に優れた電子デバイス２となる。

また、図２に示すように、蓋体２２は、ベース２１との間に加速度センサー素子２３を収容する収容空間Ｓを形成するようにベース２１の上面に接合されている。具体的には、蓋体２２は、下面に開放する凹部２２１を有しており、この凹部２２１によってベース２１との間に収容空間Ｓが画成されている。また、蓋体２２は、その上面２２ａ（ベース２１と反対側の面）に開放し、収容空間Ｓの内外を連通する連通孔２２２を有しており、この連通孔２２２を介して収容空間Ｓを所望の雰囲気に置換することができるようになっている。また、連通孔２２２内には封止部材２２３が配置されており、封止部材２２３によって、連通孔２２２が気密的に封止されている。なお、封止部材２２３は、連通孔２２２を介して収容空間Ｓを前記所望の雰囲気に置換した後に、連通孔２２２を封止するようになっている。

また、蓋体２２は、凹部２２１と重ならない位置、具体的には凹部２２１の−Ｘ軸側に、その上面と下面とを貫通する貫通孔２２４を有している。貫通孔２２４は、端子Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３と重なって配置されており、貫通孔２２４を介して端子Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３がパッケージ２０の外側に露出している。貫通孔２２４は、蓋体２２の外縁に開放しない閉じた孔であり、全周が蓋体２２に囲まれている。すなわち、蓋体２２は、凹部２２１と並設され、貫通孔２２４を囲む枠状の囲み部２２５を有しているとも言える。なお、貫通孔２２４は、開口面積が下側へ向けて漸増するテーパー状をなしている。これにより、端子Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３の配置スペースを十分に確保しつつ、蓋体２２の上面２２ａにおける貫通孔２２４の開口面積を小さくすることができる。そのため、貫通孔２２４内へのゴミ、塵、埃等の侵入（特に後述する飛沫２２３’の侵入）を低減することができる。

また、囲み部２２５を設けることで、ベース２１の蓋体２２と接合している接合部分の面積を広く確保することができる。そのため、パッケージ２０の機械的強度を高めることができる。そのため、接合部材４、６やモールド部７の収縮等に起因した応力によるパッケージ２０の破損、特にベース２１へのクラックの発生を効果的に低減することができる。

このような蓋体２２は、シリコンから形成されている。ただし、蓋体２２の構成材料は、シリコンに限定されず、例えば、ガラス材料やセラミックスを用いてもよい。また、ベース２１と蓋体２２との接合方法としは、特に限定されず、ベース２１や蓋体２２の材料によって適宜選択すればよいが、例えば、陽極接合、プラズマ照射によって活性化させた接合面同士を接合させる活性化接合、ガラスフリット等の接合材を介した接合、ベース２１の上面および蓋体２２の下面に成膜した金属膜同士を接合する拡散接合等が挙げられる。

ただし、本実施形態では、ガラスフリット２２９を介して接合されている。ここで、蓋体２２とベース２１とを重ね合わせた状態では、溝部２１２、２１３、２１４を介して収容空間Ｓの内外が連通してしまうが、これらの間に接合用のガラスフリット２２９を配置することで、このガラスフリット２２９によって溝部２１２、２１３、２１４を埋めることができる。このように、ガラスフリット２２９によれば、ベース２１と蓋体２２との接合と、溝部２１２、２１３、２１４の封止を同時に行うことができる。

なお、例えば、ベース２１と蓋体２２とを陽極接合で接合した場合には、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いたＣＶＤ法等で形成されたＳｉＯ_２膜によって溝部２１２、２１３、２１４を塞ぐことができる。

封止部材２２３としては、連通孔２２２を気密的に封止できれば、特に限定されず、例えば、Ａｕ／Ｓｎ系合金、Ａｕ／Ｇｅ系合金、Ａｕ／Ａｌ系合金等の各種金属材料、低融点ガラス等のガラス材料等を用いることができる。また、後述する製造方法でも説明するように、まず、球状の封止部材２２３を連通孔２２２内に配置し、封止部材２２３にエネルギー線としてのレーザー光線ＬＬを照射し、封止部材２２３を局所的に加熱して溶融させることで、連通孔２２２を封止することができる（図１６、図１７参照）。この際、連通孔２２２内に封止部材２２３を留めることができるように、連通孔２２２が下方へ向けて開口面積が小さくなるテーパー状となっている。

また、図５に示すように、連通孔２２２の収容空間Ｓと反対側の端が位置する面である蓋体２２の上面２２ａ（連通孔２２２が開放する外表面である第２基体外表面）と、封止部材２２３の外表面２２３ａ（封止部材外表面。パッケージ２０の外側に臨む面）と、が連続した面となっている。なお、「連続した面」とは、上面２２ａと外表面２２３ａとの境界部Ｉが連続していること、すなわち、これらの境界部Ｉに実質的に段差が形成されていないことを意味している。このように、上面２２ａと外表面２２３ａとを連続した面とすることで、蓋体２２の上面２２ａに接合部材６を介してＩＣ５を接合する際、蓋体２２と接合部材６との間（特に、境界部Ｉ）にボイド（空泡）が発生し難くなる。そのため、例えば、ボイドの熱膨張によって発生する応力による電子デバイス２の損傷を低減することができる。特に、蓋体２２や封止部材２２３へのクラックの発生や、連通孔２２２の内周面からの封止部材２２３の剥離を低減でき、収容空間Ｓの気密性をより確実に維持することができる。

特に、本実施形態では、上面２２ａおよび外表面２２３ａが共に平坦面をなし、上面２２ａと外表面２２３ａとが面一となっている。そのため、蓋体２２と接合部材６との間（特に、境界部Ｉ）にボイドがより発生し難くなり、上述した効果がより顕著なものとなる。なお、前記「面一」とは、上面２２ａと外表面２２３ａとが実質的に同一面内に位置すること、言い換えると、実質的に上面２２ａと外表面２２３ａとが同一面を構成していることを意味する。

なお、電子デバイス２では、後述する製造方法でも説明するように、図６に示すように、封止部材２２３で連通孔２２２を封止した後に、上面２２ａ側から蓋体２２および封止部材２２３を研削（例えば、ＣＭＰ等のラップ研磨）することで、上面２２ａと外表面２２３ａとを面一にしている。このような方法によれば、レーザー光線を照射した際に封止部材２２３から飛び散って上面２２ａに付着してしまった飛沫２２３’を除去することができる。そのため、飛沫２２３’によって上面２２ａに凹凸が形成されてしまうことが防止され、上面２２ａをより平坦な面とすることができる。したがって、上面２２ａと接合部材６との間にボイドがより発生し難くなり、電子デバイス２の破損をより効果的に低減することができる。また、例えば、蓋体２２をグランドに接続する場合もあり、このような場合には、蓋体２２の上面２２ａにボンディングワイヤーをより確実に接合することができる。

なお、前述したように、本実施形態では、上面２２ａと外表面２２３ａとが面一となっているが、上面２２ａと外表面２２３ａとが連続した面となっていれば、面一でなくてもよい。例えば、図７に示すように、外表面２２３ａが上面２２ａに対して若干突出した湾曲凸面となっていてもよいし、反対に、図８に示すように、外表面２２３ａが上面２２ａに対して若干凹んだ湾曲凹面となっていてもよい。なお、図７に示す場合の外表面２２３ａと上面２２ａとのなす角θ１としては、１７９．５°≦θ１＜１８０°の関係を満足していることが好ましく、図８に示す場合の外表面２２３ａと上面２２ａとのなす角θ２としては、１８０°＜θ２≦１８０．５°の関係を満足していることが好ましい。外表面２２３ａを覆う接合部材６として、比較的硬い（すなわち、ボイドが発生し易い）エポキシ系の樹脂材料を用いて実験した結果、角θ１、θ２をこの程度の範囲内とすることで、本実施形態よりもやや劣るが、本実施形態とほぼ同等の効果を発揮することができることが分かった。

ただし、図８に示すような外表面２２３ａが湾曲凹面となっている構成では、製造プロセス等によっては外表面２２３ａと接合部材６との間に、従来と比較して極めて微小ではあるが、ボイドが発生するおそれもある。このようなことから、本実施形態のように、外表面２２３ａが上面２２ａと面一となっていることが最も好ましく、次に、外表面２２３ａが湾曲凸面となっていることが好ましく、次に、外表面２２３ａが湾曲凹面となっていることが好ましい。

加速度センサー素子２３は、図２に示すように、ベース２１に配置されている。具体的には、加速度センサー素子２３は、ベース２１の上面に凹部２１１と重なって接合されている。また、加速度センサー素子２３は、図３に示すように、ベース２１に対して変位可能な部分を有する第１構造体２３Ａと、ベース２１に対して位置が固定されている第２構造体２３Ｂと、を有している。このような加速度センサー素子２３は、例えば、リン、ボロン等の不純物がドープされたシリコン基板をエッチングによってパターニングすることで形成されている。また、加速度センサー素子２３は、陽極接合によりベース２１の上面に接合されている。

第１構造体２３Ａは、支持部２３１、２３２と、可動部２３３と、連結部２３４、２３５と、を有している。支持部２３１、２３２は、凹部２１１を介してＸ軸方向に対向して配置されており、それぞれ、ベース２１に接合されている。また、支持部２３１は、導電性バンプＢ１１を介して配線Ｌ１１と電気的に接続されている。

支持部２３１、２３２の間には可動部２３３が位置している。この可動部２３３は、−Ｘ軸側において連結部２３４を介して支持部２３１に連結され、＋Ｘ軸側において連結部２３５を介して支持部２３２に連結されている。これにより、可動部２３３は、連結部２３４、２３５を弾性変形させつつ、支持部２３１、２３２に対して矢印ａで示すようにＸ軸方向に変位可能となる。また、可動部２３３は、Ｘ軸方向に延在する基部２３３１と、基部２３３１からＹ軸方向両側に突出し、櫛歯状に配列されている複数の可動電極指２３３２と、を有している。

第２構造体２３Ｂは、複数の第１固定電極指２３８と、複数の第２固定電極指２３９と、を有している。複数の第１固定電極指２３８は、可動電極指２３３２のＸ軸方向一方側に配置され、対応する可動電極指２３３２に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並んでいる。一方、複数の第２固定電極指２３９は、可動電極指２３３２のＸ軸方向他方側に配置され、対応する可動電極指２３３２に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並んでいる。そして、各第１固定電極指２３８は、導電性バンプＢ１２を介して配線Ｌ１２と電気的に接続されており、各第２固定電極指２３９は、導電性バンプＢ１３を介して配線Ｌ１３と電気的に接続されている。

以上、電子デバイス２について説明した。このような電子デバイス２は、次のようにして加速度を検出する。すなわち、Ｘ軸方向の加速度が電子デバイス２に加わると、その加速度の大きさに基づいて、可動部２３３が連結部２３４、２３５を弾性変形させながらＸ軸方向に変位する。このような変位に伴って、可動電極指２３３２と第１固定電極指２３８との隙間および可動電極指２３３２と第２固定電極指２３９との隙間がそれぞれ変化し、この変位に伴って、可動電極指２３３２と第１固定電極指２３８との間の静電容量および可動電極指２３３２と第２固定電極指２３９との間の静電容量の大きさがそれぞれ変化する。そのため、これら静電容量の変化（差動信号）に基づいて加速度を検出することができる。

ここで、収容空間Ｓは、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが封入されて、使用温度（−４０℃〜８０℃程度）で、ほぼ大気圧となっていることが好ましい。収容空間Ｓを大気圧とすることで、粘性抵抗が増してダンピング効果が発揮され、可動部２３３の振動を速やかに収束（停止）させることができる。そのため、電子デバイス２の加速度の検出精度が向上する。

（ＩＣ）
ＩＣ５は、電子デバイス２の上側（蓋体２２の上面２２ａ側）に、封止部材２２３の外表面２２３ａと重なるように配置されており、接合部材６を介して上面２２ａと接合されている。そして、ＩＣ５は、ボンディングワイヤーＢＷ１を介して電子デバイス２の端子Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３と電気的に接続されており、ボンディングワイヤーＢＷ２を介して基板３の端子３１と電気的に接続されている。このようなＩＣ５には、例えば、電子デバイス２を駆動する駆動回路や、電子デバイス２からの出力信号に基づいて加速度を検出する検出回路や、検出回路からの信号を所定の信号に変換して出力する出力回路等が含まれている。

（接合部材）
接合部材４は、電子デバイス２（ベース２１の下面２１ａ）と基板３との間に配置され、電子デバイス２（ベース２１の下面２１ａ）と基板３とを接合している。一方、接合部材６は、電子デバイス２（蓋体２２の上面２２ａ）とＩＣ５との間に配置され、電子デバイス２（蓋体２２の上面２２ａ）とＩＣ５とを接合している。このような接合部材４、６としては、特に限定されず、例えば、エポキシ系、シリコーン系、アクリル系等の各種樹脂材料（ダイアタッチ剤）を用いることができる。また、導電性を有していてもよい場合は、半田、金属ろう材等を用いることもできる。

（モールド部）
図１に示すように、モールド部７は、電子デバイス２およびＩＣ５をモールドしている。これにより、電子デバイス２やＩＣ５を水分、埃、衝撃等から保護することができる。モールド部７としては、特に限定されないが、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂を用いることができ、例えば、トランスファーモールド法によってモールドすることができる。

以上、電子デバイス装置１の構成について説明した。このような電子デバイス装置１によれば、電子デバイス２の破損を効果的に低減することができ、高い信頼性を得ることができる。

次に、電子デバイス装置１の製造方法について説明する。図９に示すように、電子デバイス装置１の製造方法は、電子デバイス２を製造する電子デバイス製造工程と、電子デバイス２と基板３およびＩＣ５とを接合する接合工程と、電子デバイス２およびＩＣ５をモールドするモールド工程と、個片化工程と、を有している。

［電子デバイス製造工程］
図１０に示すように、電子デバイス製造工程（電子デバイスの製造方法）は、第１基体としてのベース２１を準備し、ベース２１に機能素子としての加速度センサー素子２３を配置する加速度センサー素子配置工程（機能素子配置工程）と、ベース２１との間で加速度センサー素子２３を収容する収容空間Ｓを形成するように、ベース２１に第２基体としての蓋体２２を接合する蓋体接合工程（第２基体接合工程）と、蓋体２２に形成され、収容空間Ｓの内外を連通する連通孔２２２内に封止部材２２３を配置して連通孔２２２を封止する封止工程と、蓋体２２の連通孔２２２が開口する外表面である上面２２ａ（第２基体外表面）と、封止部材２２３の外表面２２３ａ（封止部材外表面）と、を連続した面とする連続面形成工程と、を含んでいる。

（加速度センサー素子配置工程）
まず、図１１に示すように、ベース２１の母材であり、複数の個片化領域ＳＳ（１つのベース２１となる領域）を有するガラス基板２１０を準備し、個片化領域ＳＳ毎にエッチングによって凹部２１１および溝部２１２、２１３、２１４を形成する。次に、溝部２１２、２１３、２１４に、加速度センサー素子２３と電気的に接続される配線Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３および端子Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３を形成する（ただし、端子Ｔ１２、Ｔ１３は図示せず。以下同様）。次に、図１２に示すように、加速度センサー素子２３の母材であるシリコン基板２３０をガラス基板２１０の上面に陽極接合する。次に、必要に応じてＣＭＰ（化学機械研磨）を用いてシリコン基板２３０を薄肉化した後、シリコン基板２３０にリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散）して導電性を付与する。次に、シリコン基板２３０をエッチング（好ましくは、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等のドライエッチング）によりパターニングすることで、図１３に示すように、個片化領域ＳＳ毎に加速度センサー素子２３を形成する。これにより、個片化領域ＳＳ毎に、ベース２１の上面（一方の主面）に加速度センサー素子２３が配置される。

（蓋体接合工程）
次に、蓋体２２の母材であり、複数の個片化領域ＳＳを有するシリコン基板２２０を容易する。図１４に示すように、シリコン基板２２０には、個片化領域ＳＳ毎に、凹部２２１および連通孔２２２が形成されており、さらには下面に開放する凹部２２４’が形成されている。この凹部２２４’は、後に貫通孔２２４となる部分であり、その頂面は、凹部２２１の頂面よりも上側に位置している。次に、図１５に示すように、加速度センサー素子２３および端子Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３を覆うように、シリコン基板２２０（蓋体２２）をガラス基板２１０（ベース２１）の上面（一方の主面）にガラスフリット２２９を介して接合する。これにより、各個片化領域ＳＳにおいて、凹部２２１で加速度センサー素子２３が覆われ、凹部２２４’で端子Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３が覆われた状態となる。

（封止工程）
次に、図１６に示すように、シリコン基板２２０の上面（蓋体２２のベース２１と反対側の主面）に開放している連通孔２２２内に球状の封止部材２２３を配置し、連通孔２２２を介して収容空間Ｓを所望の雰囲気に置換する。なお、連通孔２２２と封止部材２２３と密着性を向上させるために、連通孔２２２の表面に、金属膜を成膜してもよい。金属膜としては、下地層にチタン（Ｔｉ）、表層に金（Ａｕ）を用いると好適である。金属膜は、特に表層に金（Ａｕ）を用いることで封止部材２２３の濡れ性を高めるとともに、下地層にチタン（Ｔｉ）を用いることで金属膜と連通孔２２２との密着性を向上させることができる。下地層は、チタンの他に、クロム（Ｃｒ）やタングステン（Ｗ）であってもよい。また、金属膜の成膜は、シリコン基板２２０をガラス基板２１０に配置した後であってもよい。この場合、凹部２２４’により、端子Ｔ１１等に金属膜が付着することを防止することができる。

次に、封止部材２２３を溶融させることで、連通孔２２２を封止する。このような封止部材２２３の溶融によれば、比較的簡単に連通孔２２２を封止することができる。特に、本実施形態では、図１７に示すように、封止部材２２３にエネルギー線としてのレーザー光線ＬＬを照射し、封止部材２２３を溶融させることで、封止部材２２３によって連通孔２２２を封止している。これにより、封止部材２２３を局所的に加熱することができるため、電子デバイス２への熱ダメージを低減することができる。なお、エネルギー線としては、封止部材２２３を溶融させることができれば、レーザー光線ＬＬに限定されない。

本工程が終了した状態では、シリコン基板２２０の上面２２０ａに対して、封止部材２２３の外表面２２３ａが凹んでいたり、反対に、突出していたりする。また、レーザー光線ＬＬの照射によって封止部材２２３の一部が飛び散り、シリコン基板２２０の上面に飛沫２２３’として付着している。

（連続面形成工程）
次に、シリコン基板２２０の上面２２０ａ（蓋体２２の上面２２ａ）と、封止部材２２３の外表面２２３ａと、を面一（連続した面）とする。具体的には、図１８に示すように、例えばダイシングソー（ダイシングブレード）を用いてガラス基板２１０とシリコン基板２２０との積層体２００をガラス基板２１０側からハーフダイシングし、各個片化領域ＳＳの境界部に切り込みＣを形成する。切り込みＣは、凹部２２１の頂面よりも上側（シリコン基板２２０の上面２２０ａ側）まで形成する。次に、図１９に示すように、ラップ盤Ｐを用いて、シリコン基板２２０の上面２２０ａ（蓋体２２の上面２２ａ）を下側（ガラス基板２１０（ベース２１）側）に向けて研削（ラップ研磨）し、封止部材２２３も同時に研削する。この研削は、封止部材２２３の外表面２２３ａが平坦面となるまで行う。これにより、上面２２０ａと外表面２２３ａとが面一となると共に、凹部２２４’の頂面が除去されて貫通孔２２４となり、端子Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３がシリコン基板２２０（蓋体２２）の外部へ露出する。さらには、研削が切り込みＣまで到達することで、電子デバイス２が個片化される。以上により、図２０に示すように、蓋体２２の上面２２ａと封止部材２２３の外表面２２３ａとが面一となっている電子デバイス２が得られる。

このように、研削によれば、比較的簡単に、かつ精度よく、上面２２ａと外表面２２３ａとを面一とすることができる。また、上面２２０ａに付着した飛沫２２３’を除去することができるため、飛沫２２３’による凹凸がなくなり、上面２２０ａを平坦な面とすることができる。また、下側へ向けて研削することで、シリコン基板２２０（蓋体２２）の厚みが薄くなり、電子デバイス２の低背化を図ることができる。また、研削前に凹部２２４’で端子Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３を覆っておくことで、端子Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３上への飛沫２２３’の付着を防止することができ、さらには、研削中に研削屑によって端子Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３がダメージを受けることを低減することができる。また、予め切り込みＣを入れておくことで、研削によって、上面２２ａと外表面２２３ａとを面一とすると共に、電子デバイス２の個片化を行うことができ、製造工程を簡略化することができる。

なお、上記のような研削の後に、研磨を施して、上面２２ａおよび外表面２２３ａをより平滑化してもよい。

［接合工程］
次に、基板３の母材であり、複数の個片化領域ＳＳ’（１つの基板３となる領域）を有する基板３０およびＩＣ５を準備し、図２１に示すように、各個片化領域ＳＳ’において、電子デバイス２の下面と基板３０とを接合部材４を介して接合すると共に、電子デバイス２の上面とＩＣ５とを接合部材６を介して接合する。次に、ボンディングワイヤーＢＷ１を用いてＩＣ５と電子デバイス２（端子Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３）とを電気的に接合し、ボンディングワイヤーＢＷ２を用いてＩＣ５と基板３（端子３１）とを電気的に接続する。

［モールド工程］
次に、図２２に示すように、例えば、トランスファーモールド法を用いて、基板３０上に樹脂材料からなるモールド部７０を配置し、モールド部７０によって電子デバイス２およびＩＣ５を覆う。このようなモールド部７０を配置することで、電子デバイス２およびＩＣ５を水分、埃、衝撃等から保護することができる。

［個片化工程］
次に、例えばダイシングソー（ダイシングブレード）を用いて基板３０とモールド部７０との積層体を個片化領域ＳＳ’毎に個片化する。以上により、図２３に示すように、電子デバイス装置１が得られる。

このような製造方法では、前述したように、電子デバイス２の蓋体２２の上面２２ａと封止部材２２３の外表面２２３ａとを連続した面としているため、上面２２ａに接合部材６を介してＩＣ５を接合する際、蓋体２２と接合部材６との間（特に、上面２２ａと外表面２２３ａとの境界部）にボイド（空泡）が発生し難くなる。そのため、例えば、ボイドの熱膨張によって発生する応力による電子デバイス２の損傷（クラックの発生等）を低減することができる。特に、本実施形態では、上面２２ａと外表面２２３ａとを面一としているため、上述の効果がより顕著なものとなる。また、封止部材２２３の飛沫２２３’を除去して上面２２ａをより平坦な面としているため、この点においても、上述の効果がより顕著なものとなる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る電子デバイス装置について説明する。

図２４は、本発明の第２実施形態に係る電子デバイス装置が有する角速度センサー素子を示す上面図である。

本実施形態にかかる電子デバイス装置では、主に、電子デバイスが有する機能素子が異なること以外は、前述した第１実施形態の電子デバイス装置と同様である。

なお、以下の説明では、第２実施形態の電子デバイス装置に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図２４では前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。

図２４に示す電子デバイス２では、機能素子として角速度センサー素子２４を用いている。このように、機能素子として角速度センサー素子２４を用いることで、電子デバイス装置１を角速度センサーとして利用することができるため、電子デバイス装置１の利便性が向上する。

ベース２１は、上面に開放する凹部２１１を有している。凹部２１１は、角速度センサー素子２４とベース２１との接触を防止するための逃げ部として機能する。また、ベース２１は、上面に開口し、凹部２１１の外周に配置された溝部２１５、２１６、２１７、２１８、２１９を有している。溝部２１５、２１６、２１７、２１８、２１９には配線Ｌ２１、Ｌ２２、Ｌ２３、Ｌ２４、Ｌ２５が配置され、図示しないが、これら配線Ｌ２１、Ｌ２２、Ｌ２３、Ｌ２４、Ｌ２５の端部が端子となっている。そして、前述した実施形態と同様に、これら端子が、前述した第１実施形態と同様に、蓋体２２の貫通孔２２４からパッケージ２０の外部に露出している。

角速度センサー素子２４は、Ｘ軸まわりの角速度ωｘを検出することができるセンサー素子である。角速度センサー素子２４は、Ｙ軸方向に並んだ２つの構造体２４０（２４０ａ、２４０ｂ）を有している。各構造体２４０は、振動部２４１と、駆動バネ部２４２と、固定部２４３と、可動駆動電極２４４と、固定駆動電極２４５、２４６と、検出用フラップ板２４７と、梁部２４８と、を有している。このような構造体２４０は、リン、ボロン等の不純物がドープされた導電性のシリコン基板をエッチングによってパターニングすることで一括形成されている。

振動部２４１は、矩形の枠体であり、その４隅に駆動バネ部２４２の一端部が接続されている。駆動バネ部２４２の他端部は、固定部２４３に接続されており、固定部２４３は、ベース２１に接合されている。また、可動駆動電極２４４は、振動部２４１に設けられている。一方、固定駆動電極２４５、２４６は、ベース２１に接合されており、可動駆動電極２４４を間に挟んで設けられている。

検出用フラップ板２４７は、振動部２４１の内側に配置されており、梁部２４８によって振動部２４１に連結されている。検出用フラップ板２４７は、梁部２４８により形成された回動軸Ｊ２４まわりに回動（傾倒）可能となっている。また、凹部２１１の底面には、検出用フラップ板２４７と対向して固定検出電極２４９が設けられており、検出用フラップ板２４７と固定検出電極２４９との間に静電容量が形成されている。

また、配線Ｌ２１は、導電性バンプＢ２１を介して固定部２４３と電気的に接続されており、配線Ｌ２２は、導電性バンプＢ２２を介して固定駆動電極２４５と電気的に接続されており、配線Ｌ２３は、導電性バンプＢ２３を介して固定駆動電極２４６と電気的に接続されており、配線Ｌ２４は、構造体２４０ａの固定検出電極２４９と電気的に接続されており、配線Ｌ２５は、構造体２４０ｂの固定検出電極２４９と電気的に接続されている。

以上のような角速度センサー素子２４は、次のようにして角速度ωｘを検出することができる。まず、可動駆動電極２４４と固定駆動電極２４５、２４６との間に駆動電圧を印加し、２つの振動部２４１をＹ軸方向に互いに逆位相で振動させる。この状態で、電子デバイス装置１に角速度ωｘが加わると、コリオリ力が働き、２つの検出用フラップ板２４７が回動軸Ｊ２４まわりに互いに逆位相で変位する。検出用フラップ板２４７が変位することで、検出用フラップ板２４７と固定検出電極２４９とのギャップが変化し、それに伴ってこれらの間の静電容量が変化する。そのため、この静電容量の変化量に基づいて角速度ωｘを検出することができる。

以上、角速度センサー素子２４について説明した。このような角速度センサー素子２４が収容されている収容空間Ｓは、減圧状態（例えば、０．０１〜１０Ｐａ程度）となっている。これにより、粘性抵抗が減り、角速度センサー素子２４の振動部２４１を効率的にかつ安定して振動させることができる。そのため、角速度ωｘの検出精度が向上する。

このような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。

＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る電子デバイスについて説明する。

図２５は、本発明の第３実施形態に係る電子デバイス装置が有する電子デバイスの上面図である。

本実施形態にかかる電子デバイス装置では、主に、電子デバイスに機能素子が複数配置されていること以外は、前述した第１実施形態の電子デバイスと同様である。

なお、以下の説明では、第３実施形態の電子デバイスに関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図２５では前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。

図２５に示す電子デバイス２は、機能素子として、加速度センサー素子２３および角速度センサー素子２４を有しており、角速度および加速度を検出することのできる複合センサーである。このような電子デバイス２を備えた電子デバイス装置１によれば、異なる物理量が検出可能となり、優れた利便性を発揮することができる。なお、加速度センサー素子２３および角速度センサー素子２４については、前述した実施形態と同様の構成であるため、その説明を省略する。

このような電子デバイス２では、パッケージ２０に、第１収容空間Ｓ１および第２収容空間Ｓ２が独立して設けられており、第１収容空間Ｓ１に加速度センサー素子２３が収容され、第２収容空間Ｓ２に角速度センサー素子２４が収容されている。

蓋体２２は、Ｘ軸方向に並んで設けられ、下面に開放する凹部２２１Ａおよび凹部２２１Ｂを有している。そして、凹部２２１Ａによって第１収容空間Ｓ１が形成され、凹部２２１Ｂによって第２収容空間Ｓ２が形成されている。また、蓋体２２は、第１、第２収容空間Ｓ１、Ｓ２の各々について、その内外を連通する連通孔２２２を有し、各連通孔２２２が封止部材２２３で封止されている。

また、蓋体２２は、凹部２２１Ａよりも−Ｘ軸側に位置する第１貫通孔２２４Ａと、凹部２２１Ｂよりも＋Ｘ軸側に位置する第２貫通孔２２４Ｂと、を有している。そして、第１貫通孔２２４Ａから、加速度センサー素子２３と電気的に接続された端子Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３がパッケージ２０の外部に露出しており、第２貫通孔２２４Ｂから角速度センサー素子２４と電気的に接続された端子Ｔ２１、Ｔ２２、Ｔ２３、Ｔ２４、Ｔ２５（配線Ｌ２１、Ｌ２２、Ｌ２３、Ｌ２４、Ｌ２５の端部）がパッケージ２０の外部に露出している。このように、第１、第２貫通孔２２４Ａ、２２４Ｂに分けることで、ベース２１上での各配線Ｌ１１〜Ｌ１３、Ｌ２１〜Ｌ２５の引き回しの自由度が増すと共に、各配線Ｌ１１〜Ｌ１３、Ｌ２１〜Ｌ２５の配線長を短く抑えることができる。

このような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。

なお、本実施形態では、電子デバイス２が加速度センサー素子と、角速度センサー素子と、を１つずつ用いた構成となっているが、加速度センサー素子、角速度センサー素子の数としては、特に限定されない。例えば、Ｘ軸方向の加速度を検出する加速度センサー素子と、Ｙ軸方向の加速度を検出する加速度センサー素子と、Ｚ軸方向の加速度を検出する加速度センサー素子と、の計３つの加速度センサー素子を用い、Ｘ軸まわりの角速度を検出する角速度センサー素子と、Ｙ軸まわりの角速度を検出する角速度センサー素子と、Ｚ軸まわりの角速度を検出する角速度センサー素子と、の計３つの角速度センサー素子を用いてもよい。これにより、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の各軸まわりの角速度と、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向の各方向の加速度と、をそれぞれ、独立して検出することができる所謂「６軸検出複合センサー」とすることができる。そのため、極めて利便性に優れた電子デバイス装置１となる。

＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態に係る電子デバイス装置について説明する。

図２６は、本発明の第４実施形態に係る電子デバイス装置が有する電子デバイスの上面図である。

本実施形態にかかる電子デバイス装置では、主に、電子デバイスの蓋体の構成が異なること以外は、前述した第３実施形態の電子デバイスと同様である。

なお、以下の説明では、第４実施形態の電子デバイス装置に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図２６では前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。

図２６に示すように、本実施形態の電子デバイス２では、第１収容空間Ｓ１と第２収容空間Ｓ２との間に貫通孔２２４が位置している。そして、この貫通孔２２４を介して、加速度センサー素子２３と電気的に接続された端子Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３および角速度センサー素子２４と電気的に接続された端子Ｔ２１、Ｔ２２、Ｔ２３、Ｔ２４、Ｔ２５がパッケージの外部に露出している。このような構成によれば、例えば、前述した第３実施形態と比較して電子デバイス２の小型化を図ることができる。

このような第４実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。

［電子機器］
次に、本発明の電子機器を説明する。

図２７は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を備えた表示ユニット１１０６と、により構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００は、損傷し難い電子デバイス装置１（電子デバイス２）を有している（内蔵している）。

図２８は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（スマートフォン、ＰＨＳ等も含む）の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、アンテナ（図示せず）、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２００は、電子デバイス装置１（電子デバイス２）を有している（内蔵している）。

図２９は、本発明の電子機器を適用したデジタルスチールカメラの構成を示す斜視図である。この図において、デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。そして、撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。このようなデジタルスチールカメラ１３００は、電子デバイス装置１（電子デバイス２）を有している（内蔵している）。

このような電子機器は、損傷し難い電子デバイス装置１（電子デバイス２）を備えているので、高い信頼性を有している。

なお、本発明の電子機器は、図２７のパーソナルコンピューター、図２８の携帯電話機、図２９のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計（スマートウォッチを含む）、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）等のウェアラブル端末、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。

［移動体］
次に、本発明の移動体を説明する。

図３０は、本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。この図において、自動車１５００は、電子デバイス装置１（電子デバイス２）を有しており（内蔵されており）、例えば、電子デバイス装置１によって、車体１５０１の姿勢を検出することができる。電子デバイス装置１の検出信号は、車体姿勢制御装置１５０２に供給され、車体姿勢制御装置１５０２は、その信号に基づいて車体１５０１の姿勢を検出し、検出結果に応じてサスペンションの硬軟を制御したり、個々の車輪１５０３のブレーキを制御したりすることができる。

このような移動体は、損傷し難い電子デバイス装置１（電子デバイス２）を備えているので、高い信頼性を有している。

なお、電子デバイス装置１は、他にもキーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。

以上、本発明の電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子デバイス装置、電子機器および移動体を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。

前述した実施形態では、機能素子として、加速度センサー素子や角速度センサー素子を用いた構成について説明したが、加速度センサー素子および角速度センサー素子の構成としては特に限定されない。また、機能素子としては、加速度センサー素子や角速度センサー素子に限定されず、例えば、圧力センサー素子であってもよいし、発振器等に用いられる振動素子であってもよい。

１…電子デバイス装置、２…電子デバイス、２０…パッケージ、２００…積層体、２１…ベース、２１ａ…下面、２１０…ガラス基板、２１１…凹部、２１２、２１３、２１４、２１５、２１６、２１７、２１８、２１９…溝部、２２…蓋体、２２ａ…上面、２２０…シリコン基板、２２０ａ…上面、２２１、２２１Ａ、２２１Ｂ…凹部、２２２…連通孔、２２３…封止部材、２２３’…飛沫、２２３ａ…外表面、２２４…貫通孔、２２４’…凹部、２２４Ａ…第１貫通孔、２２４Ｂ…第２貫通孔、２２５…囲み部、２２９…ガラスフリット、２３…加速度センサー素子、２３Ａ…第１構造体、２３Ｂ…第２構造体、２３０…シリコン基板、２３１、２３２…支持部、２３３…可動部、２３３１…基部、２３３２…可動電極指、２３４、２３５…連結部、２３８…第１固定電極指、２３９…第２固定電極指、２４…角速度センサー素子、２４０、２４０ａ、２４０ｂ…構造体、２４１…振動部、２４２…駆動バネ部、２４３…固定部、２４４…可動駆動電極、２４５、２４６…固定駆動電極、２４７…検出用フラップ板、２４８…梁部、２４９…固定検出電極、３…基板、３０…基板、３１…端子、３２…実装端子、４…接合部材、５…ＩＣ、６…接合部材、７…モールド部、７０…モールド部、１１００…パーソナルコンピューター、１１０２…キーボード、１１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１１０８…表示部、１２００…携帯電話機、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１２０８…表示部、１３００…デジタルスチールカメラ、１３０２…ケース、１３０４…受光ユニット、１３０６…シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１０…表示部、１５００…自動車、１５０１…車体、１５０２…車体姿勢制御装置、１５０３…車輪、Ｂ１１、Ｂ１２、Ｂ１３、Ｂ２１、Ｂ２２、Ｂ２３…導電性バンプ、ＢＷ１、ＢＷ２…ボンディングワイヤー、Ｃ…切り込み、Ｉ…境界部、Ｊ２４…回動軸、Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、Ｌ２１、Ｌ２２、Ｌ２３、Ｌ２４、Ｌ２５…配線、ＬＬ…レーザー光線、Ｐ…ラップ盤、Ｓ…収容空間、Ｓ１…第１収容空間、Ｓ２…第２収容空間、ＳＳ、ＳＳ’…個片化領域、Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３、Ｔ２１、Ｔ２２、Ｔ２３、Ｔ２４、Ｔ２５…端子、ａ…矢印、θ１、θ２…角、ωｘ…角速度

Claims (11)

1. 第１基体を準備し、前記第１基体に機能素子を配置する機能素子配置工程と、
   前記第１基体との間で前記機能素子を収容する収容空間を形成するように前記第１基体に第２基体を接合する第２基体接合工程と、
   前記第２基体に形成され、前記収容空間の内外を連通する連通孔内に封止部材を配置して前記連通孔を封止する封止工程と、
   前記第２基体の前記連通孔が開放する外表面である第２基体外表面と、前記封止部材の外表面である封止部材外表面と、を連続した面とする連続面形成工程と、を含んでいることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
2. 前記連続面形成工程では、前記第２基体外表面と前記封止部材外表面とを面一とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
3. 前記連続面形成工程では、前記第２基体外表面を研削することで、前記第２基体外表面と前記封止部材外表面とを前記面一とする請求項１または２に記載の電子デバイスの製造方法。
4. 前記第１基体は、前記機能素子と電気的に接続される端子を有し、
   前記第２基体接合工程では、前記端子を覆うようにして前記第２基体を前記第１基体に接合し、
   前記連続面形成工程では、前記研削によって前記面一とすると共に、前記端子を前記第２基体の外部へ露出させる請求項３に記載の電子デバイスの製造方法。
5. 前記第１基体および前記第２基体は、それぞれ、板状をなし、
   前記機能素子配置工程では、前記第１基体の一方の主面に前記機能素子を配置し、
   前記第２基体接合工程では、前記第２基体で前記機能素子を覆うように、前記第２基体を前記第１基体の前記一方の主面に接合し、
   前記連通孔は、前記第２基体の前記第１基体と反対側の主面に開放し、
   前記連続面形成工程では、前記第２基体の前記第１基体と反対側の主面を、前記第１基板側に向けて研削する請求項３または４に記載の電子デバイスの製造方法。
6. 前記封止工程では、前記連通孔に封止部材を配置し、前記封止部材を溶融させることで前記連通孔を封止する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
7. 前記封止工程では、前記封止部材にエネルギー線を照射することで、前記封止部材を溶融させる請求項６に記載の電子デバイスの製造方法。
8. 第１基体と、
   前記第１基体に配置されている機能素子と、
   前記第１基体との間に、前記機能素子を収容する収容空間を形成するように前記第１基体に接合されている第２基体と、を有し、
   前記第２基体は、前記収容空間の内外を連通する連通孔を有し、
   前記連通孔は、前記連通孔内に配置されている封止部材で封止されており、
   前記第２基体の前記連通孔が開放する外表面である第２基体外表面と、前記封止部材の外表面である封止部材外表面と、が連続した面となっていることを特徴とする電子デバイス。
9. 請求項８に記載の電子デバイスと、
   前記電子デバイスの前記第２基体外表面側に配置されている電子部品と、
   前記第２基体外表面と前記電子部品との間に配置され、前記第２基体外表面と前記電子部品とを接合している接合部材と、を有していることを特徴とする電子デバイス装置。
10. 請求項８に記載の電子デバイスを有することを特徴とする電子機器。
11. 請求項８に記載の電子デバイスを有することを特徴とする移動体。

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