JP2015088644A - 電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器、移動体、および蓋体 - Google Patents
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Abstract
Description
先ず、本発明に係る電子デバイスの製造方法を適用して製造される電子デバイスの第1実施形態として、振動子の実施形態について説明する。
図3は、上側(後述するリッド92側であり図2のz軸方向)から見たジャイロ素子の平面図である。なお、ジャイロ素子には、検出信号電極、検出信号配線、検出信号端子、検出接地電極、検出接地配線、検出接地端子、駆動信号電極、駆動信号配線、駆動信号端子、駆動接地電極、駆動接地配線および駆動接地端子などが設けられているが、同図においては省略している。
パッケージ9は、ジャイロ素子2を収納するものである。なお、パッケージ9には、後述する電子デバイスのように、ジャイロ素子2の他に、ジャイロ素子2の駆動等を行うICチップ等が収納されていてもよい。このようなパッケージ9は、その平面視(xy平面視)にて、略矩形状をなしている。
ここで、図4を用いて蓋体としてのリッド92について、その詳細を説明する。図4は、本発明に係る蓋体としてのリッドの一例を示し、(a)は平面図、(b)は溝94が設けられている部分の正断面図である。
次に、本発明に係る電子デバイスとしての振動子の製造方法について図5、および図6を参照しながら説明する。図5(a)〜図5(d)は、上述した図1および図2に示す電子デバイスとしての振動子の製造工程の概略を示す正断面図である。図6は、封止工程を示す図であり、図6(a)は溝とエネルギー線(レーザー光)との相関を示す平面図、図6(b)は図6(a)の正断面図、図6(c)は封止部の平面図、図6(d)は、図6(c)の正断面図である。
上述した第1実施形態においては、ベース91とリッド92を接合する接合材としてリング状の金属枠体であるシームリング93を用い、シーム溶接機のローラー電極97によりシーム溶接する接合方法を説明したが、別な接合方法を適用することもできる。別な接合方法として、ベース91の枠状の側壁912の上面またはリッド92の表面に接合材として銀ロウ材などのロウ材を配置し、そのロウ材をシーム溶接機のローラー電極97により溶融させ、溶融した金属ロウ材によりリッド92とベース91とを接合する接合方法(所謂ダイレクトシーム法)を適用できる。その場合、金属ロウ材は、レーザー、電子ビームなどのエネルギー線により溶融させてもよい。さらに別な接合方法として、リッド92とベース91とを接合材を介して接合するのではなく、リッドの一部を溶融させ、その溶融したリッドの部材によりリッド92とベース91とを直接的に接合する接合方法を適用できる。これらの接合方法によれば、シームリング93が不要であるため、電子デバイスの小型化および低コスト化を実現できる。
なお、上述した第1実施形態においては、図6(a)に示したように、リッド92がシームリング93上に載置されベース91に接合されたとき、溝94はリッド92の外周面92cから内部空間14にかかるように延在することで、溝94によって内部空間14とベース91の外部とを連通する連通部分が形成されていたが、溝94は、内部空間14にまでは延在させなくてもよい。即ち、溝94は、平面視で内部空間14と重ならず、且つ、シームリング93の内周面93aとリッド92の外周面92cとの間の領域に存在していてもよい。この場合、溝94が内部空間14まで連通していない。しかし、リッド92の溝94が設けられた側の面(裏面92b)において、溝94と隣接する領域であって、且つ、平面視で内部空間14と隣接する領域を、シームリング93に溶接しないことで非溶接領域とし、その非溶接領域を除くシームリングと重なる領域をシーム溶接機により溶接することで、リッド92の非溶接領域とシームリング93との間の僅かな隙間を通じて、上述した脱気を行うことができる。この場合、リッド92の非溶接領域とシームリング93との間の僅かな隙間が、内部空間14側(中央側)の開口となるが、図6(a)に示したように、溝94の外部側の端部の開口部分、即ちリッド92の外周面92cを含む溝94の一方端94aが、レーザー光98のスポット内に包含されるように配置されているため、レーザー光98の照射エネルギーを小さくすることが可能となる。したがって、上述の第1実施形態と同様な効果を有する。
また、溝94は図7に示すような形態であってもよい。図7は、溝の変形例2を示す平面図である。図7に示すように、変形例2の溝94は、リッド92の外周面92cから内部空間14に向かって一旦平面視で連続的に幅寸法が大きくなり、シームリング93の内周面93aと重なる近傍に変曲点を有し、さらに内部空間14に向かって平面視で連続的に幅寸法が小さくなっている。このときリッド92の外周面92c側の開口の幅W1は、内部空間14側の開口の幅W3より小さい。なお、幅寸法の変化は、連続的でなくてもよく、階段状に変化する構成でもよい。このような構成の溝94においても、上述の第1実施形態と同様な効果を有している。
また、溝94は図8に示すような形態であってもよい。図8は、溝の変形例3を示し、図8(a)は平面図、図8(b)は溝の外周側の開口部を示す側面図、図8(c)は図8(a)の正断面図である。図8に示すように、変形例3の溝94は、リッド92の外周面92c側に開口する溝94の一方端94aから内部空間14側の他方端94bに向かって順次深さが深くなるように形成されている。即ち、シームリング93の内周面93aと溝94とが平面視で重なる位置に存在する内部空間14側の内部開口94cは、リッド92の外周面92c側に開口する溝94の一方端94aよりも開口面積が大きくなる。このように、溝94は、外周面92cの開口面積が内部空間14側の開口面積より小さく形成されていることにより、レーザー光98による溶接を行う際のリッド92の溶融体積を小さくすることができ、レーザー光のエネルギーを小さくすることができる。これにより、溝94を閉塞する封止工程におけるレーザー光98の照射エネルギーを小さくすることが可能となる。したがって、上述の第1実施形態と同様な効果を有する。
次に、電子デバイスの第2実施形態として、ジャイロセンサーの実施形態について、図9を用いて説明する。図9はジャイロセンサーの概略を示す正断面図である。なお、本実施形態では、上述の第1実施形態と同様な構成については、同じ符号を付けて説明を省略することもある。
次に、ジャイロセンサー200の製造方法について説明するが、上述の振動子1の製造方法で説明した工程と同様な工程の説明は省略する。省略する工程は、ジャイロ素子2をベースとしてのパッケージ111の内部空間114に収納する工程、内部空間114にリッド92を載置する工程、リッド92をパッケージ111に接合する接合工程、および排気が終了した内部空間114を気密に封止する封止工程である。
次に、本発明に係る電子デバイスの第3実施形態としての振動子の実施形態について、図10を用いて説明する。図10は、本発明に係る電子デバイスの第3実施形態としての振動子を示す概略斜視図である。なお、本実施形態では、上述の第1実施形態と同様な構成については、同じ符号を付けて説明を省略することもある。
ここで、図11に沿って、第1実施形態、第2実施形態、および第3実施形態にて用いられたリッド92に形成されている溝94の開口形状について説明する。図11は、溝の開口形状例を示し、溝の開口を正面から見た正面図である。上述した実施形態では、リッド92に設けられている溝94の開口形状を、図11(e)に示すような、矩形状の溝94を例に説明したがこれに限らず、次に示すような他の形状であってもよい。
次いで、本発明の一実施形態に係る電子デバイスとしての振動子1,1A、あるいは電子デバイスとしてのジャイロセンサー200を適用した電子機器について、図12〜図14に基づき、詳細に説明する。なお、説明では、ジャイロ素子2を用いた振動子1を適用した例を示している。
図15は移動体の一例としての自動車を概略的に示す斜視図である。自動車506には本発明に係る電子デバイスとしての振動子1が搭載されている。例えば、同図に示すように、移動体としての自動車506には、ジャイロ素子2を用いた振動子1を内蔵してタイヤ509などを制御する電子制御ユニット508が車体507に搭載されている。また、振動子1は、他にもキーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム(ABS)、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム(TPMS:Tire Pressure Monitoring System)、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、等の電子制御ユニット(ECU:electronic control unit)に広く適用できる。
Claims (10)
- ベースと蓋体とによって設けられた内部空間に電子部品を収納する電子デバイスの製造方法であって、
前記ベースと溶接される側の面に溝が設けられ、前記溝の開口面積が、前記蓋体の外周側の開口面積より前記内部空間側の開口面積の方が大きい、前記蓋体を用意する工程と、
前記内部空間と外部とが前記溝を介して連通した状態で、前記ベースと前記蓋体との溶接予定部位のうちの、前記溝の少なくとも一部を含む未溶接部位を除いた部位の前記ベースと前記蓋体とを溶接する第1溶接工程と、
前記未溶接部位の前記ベースと前記蓋体とを溶接し、前記溝を閉塞する第2溶接工程と、
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 前記第1溶接工程と前記第2溶接工程との間に、前記溝から前記内部空間の排気を行う工程を備えていることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記溝の開口面積は、前記外周側から前記内部空間側に向かって連続的に大きくなっていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記溝の開口面積は、前記外周側から前記内部空間側に向かって段階的に大きくなっていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記溝は、前記外周側の深さより前記内部空間側の深さの方が深いことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記溝は、前記外周側の幅より前記内部空間側の幅の方が広いことを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
- 請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の製造方法を用いて製造された電子デバイス。
- 請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法を用いて製造された電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
- 請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法を用いて製造された電子デバイスを備えていることを特徴とする移動体。
- ベースと溶接されることによって内部空間が形成される蓋体であって、
前記ベースと溶接される側の面に溝が設けられ、
前記ベースとの溶接予定部位のうちの、前記溝の少なくとも一部を含む未溶接部位を除いた部位で前記ベースと溶接され、
前記溝は、前記蓋体の外周側の開口面積より前記内部空間側の開口面積の方が大きいことを特徴とする蓋体。
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