JP6063111B2 - 電子デバイス用パッケージの製造方法および電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子デバイス用パッケージの製造方法および電子デバイスの製造方法に関するものである。

パッケージ内に電子部品を収納した電子デバイスとしては、例えば、特許文献１に記載されているような圧電デバイスが知られている。
特許文献１に記載の圧電デバイスは、電子部品である圧電振動片と、この圧電振動片を収納するパッケージとを備える。この圧電デバイスのパッケージは、凹部を有するパッケージ本体と、そのパッケージ本体の凹部の開口を覆う蓋体とを有する。

従来、このようなパッケージは、特許文献１に記載されているように、パッケージ本体に貫通孔を形成しておき、パッケージ本体と蓋体とを接合した後、その貫通孔を減圧下でＡｕ−Ｇｅ合金のような金属で構成された封止材で塞ぐことにより形成される。これにより、パッケージ本体と蓋体との接合時に生じた不要なガスをパッケージ内から除去して、気密封止されたパッケージを得ることができる。
しかし、このようなパッケージは、パッケージ本体に貫通孔を形成しなければならないので、製造工程が煩雑になるという問題があった。また、パッケージ本体の貫通孔が形成された部分には部品を実装することができないため、パッケージの大型化を招くという問題もあった。

特開２００４−２８９２３８号公報

本発明の目的は、小型化を図るとともに、高品質な気密封止を簡単に実現することができる電子デバイス用パッケージの製造方法および電子デバイスの製造方法を提供することにある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法は、ベース部材と蓋部材との間に電子部品が収納される内部空間を形成し、前記ベース部材と前記蓋部材とが接合された電子デバイス用パッケージの製造方法であって、
前記ベース部材と接合される側の面に溝が形成された前記蓋部材、および前記ベース部材を用意する工程と、
平面視で前記蓋部材の前記溝が形成された部分を含む外周に電流を流し、前記内部空間と外部とが前記溝を介して連通した状態を維持して、前記ベース部材の接合面と前記蓋部材とをシーム溶接する第１の接合工程と、
前記第１の接合工程の後、前記内部空間を減圧状態および不活性ガス封入状態の少なくとも一方にして、前記溝をエネルギー線溶接により塞ぐ第２の接合工程と、
を有することを特徴とする。
このような電子デバイス用パッケージの製造方法によれば、シーム溶接後（第１の接合工程後）にベース部材と蓋部材との間に局所的に隙間を形成することができる。そのため、この隙間を減圧下または不活性ガス雰囲気下で第２の接合工程で塞ぐことにより、シーム溶接時に生じたガスをパッケージ内から除去して、高品質な気密封止を実現することができる。
また、従来のような貫通孔および封止材を必要としないことから、製造工程が簡単化されるとともに、パッケージの小型化を図ることができる。

［適用例２］
本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法では、前記溝の幅は、前記第２の接合工程での前記エネルギー線溶接のスポット径よりも小さいことが好ましい。
これにより、第２の接合工程において、エネルギー線溶接に際し、エネルギー線を走査する必要が無くなる。そのため、第２の接合工程に用いる機器が簡単かつ安価なものとなる。また、第２の工程において、シーム溶接後（第１の接合工程後）にベース部材と蓋部材との間に局所的に形成された隙間をエネルギー線溶接により簡単かつ確実に塞ぐことができる。

［適用例３］
本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法では、前記第１の接合工程では、前記ベース部材の前記接合面に前記シーム溶接により溶融し得る第１の金属層と、前記蓋部材の前記ベース部材と接合される側の面に前記シーム溶接により溶融し得る第２の金属層と、が形成された状態で、前記シーム溶接を行い、
前記溝の最大深さは、前記第１の金属層の厚さと前記第２の金属層の厚さとの和よりも大きいことが好ましい。
これにより、第１の接合工程において、蓋部材のベース部材との接合面に形成された溝が塞がれることなく、蓋部材とベース部材とをシーム溶接により強固に接合することができる。

［適用例４］
本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法では、前記溝の幅をＬ１とし、前記溝の深さをＬ２としたときに、
Ｌ１＞Ｌ２なる関係を満たすことが好ましい。
これにより、第１の接合工程後にベース部材と蓋部材との間に局所的に隙間を形成するとともに、かかる隙間を第２の接合工程において簡単かつ確実に塞ぐことができる。

［適用例５］
本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法では、前記溝の壁面の横断面は、湾曲形状を有していることが好ましい。
これにより、第１の接合工程後にベース部材と蓋部材との間に局所的に隙間を形成するとともに、かかる隙間を第２の接合工程において簡単かつ確実に塞ぐことができる。
［適用例６］
本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法では、前記蓋部材の平面視での輪郭は、矩形状を有し、
前記第１の接合工程では、前記蓋部材の平面視での各辺に沿って前記シーム溶接を行うことが好ましい。
これにより、第１の接合工程において、蓋部材のベース部材との接合面に形成された溝に対応する部分が溶接されないようにして、ベース部材と蓋部材との接合予定部位の主要部分を簡単かつ確実に接合することができる。

［適用例７］
本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法では、前記溝は、前記蓋部材の平面視での角部に設けられていることが好ましい。
これにより、簡単かつ確実に、シーム溶接後にベース部材と蓋部材との間に局所的に隙間を形成することができる。

［適用例８］
本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法では、前記溝は、前記蓋部材の平面視での辺部に設けられていることが好ましい。
これにより、シーム溶接後にベース部材と蓋部材との間に形成される局所的な隙間の大きさの制御が容易となる。

［適用例９］
本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法では、前記ベース部材の前記接合面には接合部材が配置されており、
前記蓋部材は、平面視で、輪郭が全周に亘って前記接合部材に重なるように形成されていることが好ましい。
これにより、接合部材の全周に亘って、ベース部材と蓋部材とを簡単かつ確実に接合することができる。
［適用例１０］
本発明の電子デバイスの製造方法は、ベース部材と蓋部材との間に電子部品が収納される内部空間を形成し、前記ベース部材と前記蓋部材とが接合された電子デバイスの製造方法であって、
前記ベース部材と接合される側の面に溝が形成された前記蓋部材、および前記ベース部材を用意する工程と、
前記内部空間に電子部品を収容する工程と、
平面視で前記蓋部材の前記溝が形成された部分を含む外周に電流を流し、前記内部空間と外部とが前記溝を介して連通した状態を維持して、前記ベース部材の接合面と前記蓋部材とをシーム溶接する第１の接合工程と、
前記第１の接合工程の後、前記内部空間を減圧状態および不活性ガス封入状態の少なくとも一方にして、前記溝をエネルギー線溶接により塞ぐ第２の接合工程と、
を有することを特徴とする。

本発明の第１実施形態に係るセンサーデバイス（電子デバイス）の概略構成を示す模式的断面図である。 図１に示すセンサーデバイスの平面図である。 図１に示すセンサーデバイスのセンサーモジュール（電子部品モジュール）に備えられた支持部材を示す斜視図である。 図１に示すセンサーデバイスのセンサーモジュールに備えられたセンサー素子（電子部品）の平面図である。 図１に示すセンサーデバイスのパッケージの平面図である。 本発明の第１実施形態に係る電子デバイス用パッケージの製造方法（センサーデバイスの製造方法）における第１の接合工程を説明する図である。 図６に示す第１の接合工程に用いるシーム溶接を説明する図である。 図７の部分拡大図である。 図６に示す第１の接合工程後のパッケージの部分拡大平面図である。 図９のＡ方向からみた部分拡大側面図である。 本発明の第１実施形態に係る電子デバイス用パッケージの製造方法（センサーデバイスの製造方法）における第２の接合工程を説明する図である。 図１１のＡ方向からみた部分拡大側面図である。 本発明の第２実施形態に係るセンサーデバイス（電子デバイス）のパッケージの平面図である。 本発明の第２実施形態に係るセンサーデバイスの製造方法における第１の接合工程後のパッケージを示す部分拡大側面図である。 本発明の第２実施形態に係るセンサーデバイスの製造方法における第２の接合工程後のパッケージを示す部分拡大側面図である。 本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。

以下、本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法および電子デバイスの製造方法を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。なお、以下では、本発明の電子デバイスをセンサーデバイスに適用した場合を例に説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態について説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係るセンサーデバイス（電子デバイス）の概略構成を示す模式的断面図、図２は、図１に示すセンサーデバイスの平面図、図３は、図１に示すセンサーデバイスのセンサーモジュール（電子部品モジュール）に備えられた支持部材を示す斜視図、図４は、図１に示すセンサーデバイスのセンサーモジュールに備えられたセンサー素子（電子部品）の平面図、図５は、図１に示すセンサーデバイスのパッケージの平面図である。
なお、以下では、説明の便宜上、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、説明の便宜上、図１〜３、５では、互いに直交する３つの軸として、ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸を図示しており、ｘ軸に平行な方向を「ｘ軸方向」、ｙ軸に平行な方向を「ｙ軸方向」、ｚ軸に平行な方向（上下方向）を「ｚ軸方向」と言う。

（電子デバイス）
図１に示すセンサーデバイス（電子デバイス）１は、互いに直交するｘ軸、ｙ軸およびｚ軸の３軸まわりの角速度をそれぞれ検出するジャイロセンサーである。
このようなセンサーデバイス１は、例えば、撮像機器の手ぶれ補正や、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）衛星信号を用いた移動体ナビケーションシステムにおける車両などの姿勢検出、姿勢制御等に用いることができる。
このセンサーデバイス１は、図１に示すように、センサーモジュール２と、センサーモジュール２を収納するパッケージ３とを有する。

以下、センサーデバイス１を構成する各部を順次説明する。
（センサーモジュール２）
図１および図２に示すように、センサーモジュール２は、支持部材１０と、ｚ軸まわりの角速度を検知するセンサーユニット１０１と、ｘ軸まわりの角速度を検知するセンサーユニット１０２と、ｙ軸まわりの角速度を検知するセンサーユニット１０３とを備える。

そして、センサーユニット１０１、１０２、１０３は、それぞれ、ＩＣチップ２０およびセンサー素子３０（センサー素子片）を備える。また、センサーユニット１０１は、フレキシブル配線基板４１を備え、センサーユニット１０２は、フレキシブル配線基板４２を備え、センサーユニット１０３は、フレキシブル配線基板４３を備える。
このように、センサーモジュール２は、支持部材１０と、３つのＩＣチップ２０と、３つのセンサー素子３０と、３つのフレキシブル配線基板４１、４２、４３とを備える。

［支持部材１０］
支持部材１０は、３つのセンサーユニット１０１、１０２、１０３を支持する機能を有する。
この支持部材１０は、図３に示すように、ｚ軸に直交する第１の支持面１１と、ｘ軸に直交する第２の支持面１２と、ｙ軸に直交する第３の支持面１３とを有する。

ここで、第１の支持面１１と第２の支持面１２とのなす角度θ１、第２の支持面１２と第３の支持面１３とのなす角度θ２、および、第１の支持面１１と第３の支持面１３とのなす角度θ３が、それぞれ、９０度（直角）である。なお、角度θ１〜θ３は、それぞれ、厳密に９０度でなくてもよく、センサーモジュール２のセンシング機能に影響を及ぼさない範囲で多少の誤差（０度〜２度程度）は許容される。

このような支持部材１０の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、構造用鋼、ステンレス鋼、銅、黄銅、燐青銅、洋伯等の金属を好適に用いることができる。
また、支持部材１０は、前述したような金属で構成された場合、かかる金属で構成された金属板を折り曲げ加工することにより形成することができる。なお、支持部材１０の形状は、図３に示すものに限定されず、例えば、直方体、多角形柱状、多角錘状等のブロック体で構成されていてもよい。

［ＩＣチップ２０］
図１および図２に示すＩＣチップ２０は、センサー素子３０を駆動する機能と、センサー素子３０からの信号を検出する機能とを有する。
このＩＣチップ２０は、板状をなし、その一方の面が能動面を構成し、他方の面が非能動面を構成する。

そして、センサーユニット１０１のＩＣチップ２０の非能動面は、前述した支持部材１０の第１の支持面１１に絶縁性を有する接着剤（図示せず）により接着されている。同様に、センサーユニット１０２のＩＣチップ２０の非能動面は、支持部材１０の第２の支持面１２に絶縁性を有する接着剤（図示せず）により接着されている。また、センサーユニット１０３のＩＣチップ２０の非能動面は、支持部材１０の第３の支持面１３に絶縁性を有する接着剤（図示せず）により接着されている。

一方、ＩＣチップ２０の能動面には、図示しないが、センサー素子３０を駆動する駆動回路と、センサー素子３０からの信号を検出する検出回路とを備える集積回路が形成されている。
また、ＩＣチップ２０の能動面側には、図示しないが、前述した集積回路に電気的に接続された接続端子および外部接続端子が設けられている。

このＩＣチップ２０の接続端子は、例えば、ハンダボール、金線、アルミニウム線等を用いてバンプ形状に形成された突起電極である。そして、かかる接続端子は、センサー素子３０に電気的および機械的に接続されている。これにより、ＩＣチップ２０の集積回路がセンサー素子３０に電気的に接続されている。
また、この接続端子は、センサー素子３０をＩＣチップ２０に対して固定・支持する機能をも有する。ここで、この接続端子は、突起電極であることから、センサー素子３０とＩＣチップ２０との間に隙間を形成するスペーサとしても機能する。これにより、センサー素子３０の駆動振動や検出振動を許容する空間を確保することができる。

また、ＩＣチップ２０の外部接続端子は、例えば、ハンダボール、金線、アルミニウム線等などを用いてバンプ形状に形成された突起電極である。そして、かかる外部接続端子は、センサーユニット１０１ではフレキシブル配線基板４１、センサーユニット１０２ではフレキシブル配線基板４２、センサーユニット１０３ではフレキシブル配線基板４３に電気的に接続されている。これにより、各センサーユニット１０１、１０２、１０３のＩＣチップ２０の集積回路がフレキシブル配線基板４１、４２、４３に電気的に接続されている。

［センサー素子３０］
センサー素子３０は、１つの軸まわりの角速度を検出するジャイロセンサー素子である。
このセンサー素子３０は、その主要部分（基材）が圧電材料である水晶で構成されている。

水晶は、互いに直交するＸ軸（電気軸）、Ｙ軸（機械軸）およびＺ軸（光学軸）を有する。センサー素子３０は、水晶のＸ軸およびＹ軸に平行な板面を有する板状をなしている。また、センサー素子３０は、その厚さ方向に沿って水晶のＺ軸が存在している。このようなセンサー素子３０の厚さは、発振周波数（共振周波数）、外形サイズ、加工性等に応じて適宜設定される。

また、センサー素子３０における水晶のＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸の向きは、それぞれ、水晶からの切り出し時における誤差を多少の範囲（０度〜７度）で許容することができる。
また、センサー素子３０は、フォトリングラフィー技術を用いたエッチング（ウェットエッチングまたはドライエッチング）により形成されている。
図４に示すように、センサー素子３０は、いわゆるダブルＴ型と呼ばれる構造を有する。

具体的には、センサー素子３０は、基部３１と、基部３１からＹ軸に沿って延出した１対の検出用振動腕３２ａ、３２ｂと、基部３１からＸ軸に沿って延出した１対の連結腕３３ａ、３３ｂと、連結腕３３ａの先端部からＹ軸に沿って延出した１対の駆動用振動腕３４ａ、３４ｂと、連結部３３ｂの先端部からＹ軸に沿って延出した１対の駆動用振動腕３５ａ、３５ｂとを備えている。

また、センサー素子３０は、検出用振動腕３２ａおよび駆動用振動腕３４ａ、３５ａに対して基部３１および１対の連結腕３３ａ、３３ｂとは反対側でＸ軸に沿って延在した支持部３８ａと、検出用振動腕３２ｂおよび駆動用振動腕３４ｂ、３５ｂに対して基部３１および１対の連結腕３３ａ、３３ｂとは反対側でＸ軸に沿って延在した支持部３８ｂと、支持部３８ａと基部３１とを接続する１対の支持腕３６ａ、３６ｂと、支持部３８ｂと基部３１とを接続する１対の支持腕３７ａ、３７ｂとを備えている。

さらに、センサー素子３０は、検出用振動腕３２ａ、３２ｂ上にそれぞれ設けられた検出電極（図示せず）と、駆動用振動腕３４ａ、３４ｂ、３５ａ、３５ｂ上にそれぞれ設けられた駆動電極（図示せず）と、支持部３８ａ、３８ｂの一方の面上に設けられ、検出電極および駆動電極に電気的に接続された複数の接続電極３９とを備えている。
このようなセンサー素子３０は、その平面視において、ＩＣチップ２０と重なるように、前述したＩＣチップ２０の能動面上に実装されている。

ここで、センサー素子３０は、接続電極３９がＩＣチップ２０の各接続端子に電気的および機械的に接続されることにより、ＩＣチップ２０上に実装されている。
また、センサー素子３０は、その板面がＩＣチップ２０の板面に沿う（略平行になる）ように設置されている。これにより、センサーユニット１０１では、センサー素子３０の板面がｚ軸に直交する。また、センサーユニット１０２では、センサー素子３０の板面がｘ軸に直交する。また、センサーユニット１０３では、センサー素子３０の板面がｙ軸に直交する。

このように構成されたセンサー素子３０では、ＩＣチップ２０の集積回路（駆動回路）から接続電極３９（駆動電極）に駆動信号が印加されることにより、駆動用振動腕３４ａと駆動用振動腕３５ａとが互いに接近・離間するように屈曲振動（駆動振動）するとともに、駆動用振動腕３４ｂと駆動用振動腕３５ｂとが上記屈曲振動と同方向に互いに接近・離間するように屈曲振動（駆動振動）する。

このように駆動用振動腕３４ａ、３４ｂ、３５ａ、３５ｂを駆動振動させた状態で、センサー素子３０にその重心Ｇを通る法線まわりの角速度ωが加わると、駆動用振動腕３４ａ、３４ｂ、３５ａ、３５ｂには、コリオリ力が働く。これにより、連結腕３３ａ、３３ｂを屈曲振動させながら基部３１を重心Ｇを通る法線（検出軸）まわりに回動振動させ、これに伴い、検出用振動腕３２ａ、３２ｂの屈曲振動（検出振動）が励振される。

このような検出用振動腕３２ａ、３２ｂの検出振動により検出電極に生じた電荷を検出することにより、センサー素子３０に加わった角速度ωを求めることができる。
具体的には、センサーユニット１０１のセンサー素子３０は、その板面がｚ軸に直交することから、ｚ軸まわりの角速度を検出することができる。また、センサーユニット１０２のセンサー素子３０は、その板面がｘ軸に直交することから、ｘ軸まわりの角速度を検出することができる。また、センサーユニット１０３のセンサー素子３０は、その板面がｙ軸に直交することから、ｙ軸まわりの角速度を検出することができる。

［フレキシブル配線基板４１、４２、４３］
図１、２に示すフレキシブル配線基板４１、４２、４３は、それぞれ、例えば、ポリイミド等の可撓性を有する樹脂を主体としたベース層（図示せず）と、そのベース層に接合された配線パターン層（図示せず）とを備えている。
そして、フレキシブル配線基板４１は、配線パターン層の一方の端部が第１の支持面１１に支持されたＩＣチップ２０の外部接続端子（図示せず）に取り付けられ（接合され）、配線パターン層の他方の端部が後述するパッケージ３の内部端子７１に電気的に接続されている。同様に、フレキシブル配線基板４２は、配線パターン層の一方の端部が第２の支持面１２に支持されたＩＣチップ２０の外部接続端子（図示せず）に取り付けられ（接合され）、配線パターン層の他方の端部が後述するパッケージ３の内部端子７２に電気的に接続されている。また、フレキシブル配線基板４３は、配線パターン層の一方の端部が第３の支持面１３に支持されたＩＣチップ２０の外部接続端子（図示せず）に取り付けられ（接合され）、配線パターン層の他方の端部が後述するパッケージ３の内部端子７３に電気的に接続されている。

以上説明したように構成されたセンサーモジュール２によれば、ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸まわりのそれぞれの角速度を検出することができる。
このようなセンサーモジュール２は、パッケージ３内に収納されることにより、ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸まわりのそれぞれの角速度を検出可能なセンサーデバイス１を提供することができる。

また、センサーモジュール２は、１つの軸まわりの角速度を検出するセンサーデバイスを３つ組み合わせたもの（すなわち、３つのセンサーデバイスを個別に機器に組み込むもの）と比較して、実装スペースを相当程度小さくすることができることから、センサーデバイス１が組み込まれる機器の小型化を図ったり、機器に組み込む際の配置、設計等の自由度を高めたりすることができる。

また、センサーモジュール２は、１つの軸まわりの角速度を検出するセンサーデバイスを３つ組み合わせたものと比較して、パッケージの数が少なくて済むことから、低コスト化を図ることもできる。
また、センサーモジュール２は、１つの軸まわりの角速度を検出するセンサーデバイスを３つ組み合わせたものと比較して、取付姿勢を本来の安定なものとすることができることから、耐衝撃性を向上させることが可能となる。

また、センサーモジュール２は、３つのセンサー素子３０の検出軸の直交度が支持部材１０の加工精度（角度θ１、θ２、θ３の精度）で決まることから、センサーデバイス１が組み込まれる機器における実装精度（パッケージの取付角度の精度）に３つの検出軸の直交度が依存することがなく、簡単に検出精度の高精度化を図ることができる。これに対し、１つの軸まわりの角速度を検出するセンサーデバイスを３つ組み合わせたものでは、３つの検出軸の直交度が各センサーデバイスの実装精度に依存するため、検出精度を高めることが難しい。

（パッケージ３）
図１および図５に示すように、パッケージ３は、平板状のベース部材６１と、凹部６２を有する蓋部材６３（キャップ）とを備える。
本実施形態では、ベース部材６１は、ｚ軸方向からみた平面視（以下、単に「平面視」ともいう）にて矩形状をなしている。
このベース部材６１は、例えば、酸化アルニウム質焼結体、水晶、ガラス等で構成されている。

図１に示すように、ベース部材６１の上面６５（蓋部材６３に覆われる側の面）には、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂等を含んで構成された接着剤のような接合部材５１により、前述した支持部材１０の第１の支持面１１とは反対側の裏面１４が接合されている。これにより、センサーモジュール２がベース部材６１に対して支持・固定されている。
また、ベース部材６１の上面６５には、内部端子７１、７２、７３が設けられている。この内部端子７１、７２、７３には、導電性接着剤、異方性導電膜、ハンダ等の導電性を有する接合部材（図示せず）を介して、センサーモジュール２のフレキシブル配線基板４１、４２、４３が電気的に接続されている。

一方、ベース部材６１の下面６６（パッケージ３の底面であって、上面６５に沿った面）には、センサーデバイス１が組み込まれる機器（外部機器）に実装される際に用いられる複数の外部端子７４が設けられている。
この複数の外部端子７４は、図示しない内部配線を介して、前述した内部端子７１、７２、７３に電気的に接続されている。これにより、センサーモジュール２の各センサーユニット１０１、１０２、１０３と複数の外部端子７４とが電気的に接続されている。

このような内部端子７１、７２、７３および各外部端子７４は、それぞれ、例えば、タングステン（Ｗ）等のメタライズ層にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の被膜をメッキ等により積層した金属被膜からなる。
このようにセンサーモジュール２が取り付けられたベース部材６１の上面６５には、センサーモジュール２を覆うように、蓋部材６３が設けられている。

蓋部材６３は、ベース部材６１側に開口する凹部６２を有する。これにより、ベース部材６１との間にセンサーモジュール２が収納される内部空間を形成されている。
蓋部材６３の凹部６２の開口の外周部には、フランジ６７が形成されている。
このフランジ６７は、平面視にて四角環状をなす。また、フランジ６７は、平面視における外側の輪郭が矩形状をなしている。なお、ここで、「矩形状」とは、幾何学的に正確な矩形状のみならず、その矩形状の少なくとも１つの角部をＲ面取りやＣ面取り等により欠損した形状をも含む概念である。

ここで、蓋部材６３の平面視での輪郭、すなわちフランジ６７の平面視での外側の輪郭は、ｘ軸方向（第１の方向）に平行な１対の第１の辺６７ａ、６７ｂと、ｙ軸方向（第２の方向）に平行な１対の第２の辺６７ｃ、６７ｄとを有する。
また、蓋部材６３の平面視での輪郭の各角部には、Ｒ面取りが施されている。
この蓋部材６３は、例えば、ベース部材６１と同材料、または、コバール、４２アロイ、ステンレス鋼等の金属で構成されている。

このような蓋部材６３のフランジ６７は、ベース部材６１の上面６５に気密的に接合されている。これにより、パッケージ３内が気密封止されている。
具体的には、フランジ６７とベース部材６１とが金属で構成された接合部材６４を介して接合されている。この接合部材６４は、ベース部材６１の上面６５に対してろう接により接合されるとともに、蓋部材６３のフランジ６７に対して後述するシーム溶接およびエネルギー線溶接（レーザー溶接、電子線溶接等）により接合されている。

なお、ベース部材６１がシーム溶接およびエネルギー線溶接によりフランジ６７に対して拡散接合し得る金属で構成されている場合には、接合部材６４を省略することができる。この場合、蓋部材６３のフランジ６７は、ベース部材６１の上面６５にシーム溶接およびエネルギー線溶接により直接的に接合される。また、この場合、ベース部材６１が接合部材６４を兼ねることとなり、後述する溝８０をベース部材６１の上面に形成すればよい。

この接合部材６４は、蓋部材６３のフランジ６７に沿った四角環状をなしている。ここで、蓋部材６３は、平面視で、輪郭が全周に亘って接合部材６４に重なるように形成されている。これにより、ベース部材６１の構成材料によらず、接合部材６４の全周に亘って、ベース部材６１と蓋部材６３とを接合して、パッケージ３内を気密封止することができる。本実施形態では、フランジ６７は、平面視にて、接合部材６４の外側の輪郭と内側の輪郭との間に位置するように設けられている。
このような接合部材６４は、シーム溶接およびエネルギー線溶接によりフランジ６７に対して拡散接合されている。

具体的に説明すると、図５に示すように、蓋部材６３と接合部材６４との接合部９０は、ｘ軸方向に延在する１対の溶接部９１、９２（第１の溶接部）と、ｙ軸方向に延在する１対の溶接部９３、９４（第２の溶接部）と、蓋部材６３の１つの角部に対応して局所的に設けられた溶接部９５（第３の溶接部）とを有する。これにより、かかる接合部９０は、平面視にて、蓋部材６３の外形（輪郭）に沿ってその全周に亘って形成されている。

なお、図５では、説明の便宜上、見やすくするため、各溶接部９１〜９５の形成領域内を斜線で示している。また、実際では、蓋部材６３と接合部材６４との接合部９０において、蓋部材６３と接合部材６４とが互いに拡散しているため、蓋部材６３と接合部材６４との境界は明確ではないが、図１および図５では、説明の便宜上、蓋部材６３と接合部材６４との境界部を示している。また、これらのことは、他の実施形態および図についても同様である。

各溶接部９１〜９４は、平面視形状が帯状をなし、フランジ６７の平面視での各辺に沿ってシーム溶接により蓋部材６３と接合部材６４とを接合することにより形成されたもの（シーム溶接部）である。具体的には、１対の溶接部９１、９２は、前述した１対の第１の辺６７ａ、６７ｂに沿ってシーム溶接によりベース部材６１と蓋部材６３とを接合したものである。また、１対の溶接部９３、９４は、前述した１対の第１の辺６７ｃ、６７ｄに沿ってシーム溶接によりベース部材６１と蓋部材６３とを接合したものである。このような２対の溶接部９１〜９４により、蓋部材６３の平面視での外周部の主要部分と接合部材６４とが気密的に接合されている。

ここで、溶接部９１〜９４は、フランジ６７の平面視での１つの角部（後述する溝８０に対応する部分）を除いて形成されている。また、溶接部９１〜９４は、フランジ６７の平面視での他の３つの角部において互いに重なるように形成されている。
一方、溶接部９５は、平面視形状がスポット状をなし、フランジ６７の平面視での１つの角部（溝部８０）に対応してエネルギー線溶接により蓋部材６３と接合部材６４とを接合することにより形成されたもの（エネルギー線溶接部）である。このような溶接部９５により、前述した蓋部材６３の平面視での外周部の主要部分以外の部分（すなわち、２対の溶接部９１〜９４が形成されていない部分）と接合部材６４とが気密的に接合されている。また、このような溶接部９５により、シーム溶接後にベース部材６１と蓋部材６３との間に局所的に形成された隙間（図１０に示す隙間６９）を減圧下または不活性ガス雰囲気下で簡単かつ確実に塞ぐことができる。なお、かかる隙間および溝８０については、後述するパッケージ３の製造方法の説明において、詳述する。

ここで、溶接部９５は、互いに隣り合う２つの溶接部９１、９３の間を埋めるように形成され、その形成領域の一部は、溶接部９１、９３の形成領域の一部と重複している。
このようなフランジ６７の肉厚は、後述する第２の接合工程においてエネルギー線溶接により溝８０による隙間を塞ぐことができるものであれば、特に限定されないが、例えば、０．０１ｍｍ以上２ｍｍ以下程度であるのが好ましい。
また、接合部材６４の厚さは、特に限定されないが、例えば、０．０１ｍｍ以上２ｍｍ以下程度であるのが好ましい。

本実施形態では、フランジ６７の幅（すなわち、蓋部材６３の本体部の外周から突出した長さ）をｍとし、溶接部９１〜９４の幅をそれぞれＷとしたとき、Ｗ＜ｍなる関係を満たす。
この接合部材６４の構成材料としては、シーム溶接およびエネルギー線溶接によりフランジ６７に対して拡散接合し得る金属であればよく、特に限定されないが、例えば、ろう材を好適に用いることができる。
このように構成されたパッケージ３の内部は、各センサーユニット１０１、１０２、１０３のセンサー素子３０の振動が阻害されないように、減圧状態に保持されていることが好ましい。

（電子デバイス用パッケージの製造方法）
次に、本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法について、前述したパッケージ３の製造方法（センサーデバイス１）を製造する場合を例に説明する。
図６は、本発明の第１実施形態に係る電子デバイス用パッケージの製造方法（センサーデバイスの製造方法）における第１の接合工程を説明する図、図７は、図６に示す第１の接合工程に用いるシーム溶接を説明する図、図８は、図７の部分拡大図、図９は、図６に示す第１の接合工程後のパッケージの部分拡大平面図、図１０は、図９のＡ方向からみた部分拡大側面図、図１１は、本発明の第１実施形態に係る電子デバイス用パッケージの製造方法（センサーデバイスの製造方法）における第２の接合工程を説明する図、図１２は、図１１のＡ方向からみた部分拡大側面図である。
パッケージ３の製造方法（センサーデバイス１の製造方法）は、［１］ベース部材６１と蓋部材６３との接合予定部位の一部をシーム溶接により接合する第１の接合工程と、［２］ベース部材６１と蓋部材６３との接合予定部位の残部をエネルギー線溶接により接合する第２の接合工程とを有する。

以下、パッケージ３の製造方法の各工程を順次詳細に説明する。
［１］第１の接合工程
１−１
まず、図６（ａ）に示すように、ベース部材６１および蓋部材６３を用意し、ベース部材６１の上面６５側に蓋部材６３を重ね合わせる。

このとき、ベース部材６１の上面６５には、接合部材６４がろう接により予め接合されている。また、図示しないが、ベース部材６１の接合部材６４が設けられた側の面、すなわち上面６５上には、前述したセンサーモジュール２が取り付けられている。
そして、ベース部材６１の上面６５側に、蓋部材６３のフランジ６７が接合部材６４に接触した状態で、蓋部材６３が載置される。

また、蓋部材６３のベース部材６１と接合される側の面（接合部材６４と接合される面）、すなわち、フランジ６７の下面には、内外を連通する溝８０が形成されている。本実施形態では、溝部８０は、蓋部材６３の平面視での１つの角部に設けられている。
この溝８０は、後述するパッケージ３の製造における第１の接合工程後に蓋部材６３と接合部材６４との間に隙間６９を形成するためのものである（図１０参照）。

１−２
次に、図６（ｂ）に示すように、フランジ６７の平面視における互いに平行な１対の辺に沿ってフランジ６７と接合部材６４とをシーム溶接により接合することにより、１対の溶接部９１、９２を形成する。
かかるシーム溶接（シーム接合）は、例えば、図７に示すような溶接機３００を用いる。

溶接機３００は、１対のローラー電極３０１、３０２と、この１対のローラー電極３０１、３０２に電気的に接続された電源装置３０３とを備える。
１対のローラー電極３０１、３０２は、それぞれ、中心軸を中心として軸線ａまわりに回転可能に設けられている。
また、１対のローラー電極３０１、３０２は、軸線ａに平行な方向に互いに離間している。

また、１対のローラー電極３０１、３０２は、外径が内側から外側に向けてテーパー角θ４で漸増するテーパー形状をなしている。
このテーパー角θ４は、特に限定されないが、５°以上２５°以下であるのが好ましく、１０°以上２０°以下であるのがより好ましい。これにより、ローラー電極３０１、３０２とフランジ６７との接触状態の安定化を図り、その結果、溶接不良を防止することができる。

このような１対のローラー電極３０１、３０２は、図示しない加圧機構により、蓋部材６３のフランジ６７に対して、ベース部材６１とは反対側から加圧接触する。そして、１対のローラー電極３０１、３０２は、軸線ａまわりに回転しながら、フランジ６７の平面視における互いに平行な１対の辺に沿って所定の速度で走行する。
このとき、電源装置３０３は、蓋部材６３および接合部材６４を介してローラー電極３０１とローラー電極３０２との間に電流を流す。これにより、接合部材６４をジュール熱により溶融させ、蓋部材６３のフランジ６７と接合部材６４とを接合する。

ここで、軸線ａに平行な方向におけるローラー電極３０１、３０２とフランジ６７との重なり長さをそれぞれｄとし、フランジ６７の幅をｍとし、溶接部９１、９２の幅をそれぞれＷとしたとき、Ｗ≦ｄ＜ｍなる関係を満たす（図８、９参照）。
また、フランジ６７の下面には溝８０が形成されているので、蓋部材６３および接合部材６４は、蓋部材６３の平面視での１つの角部（溝８０）に対応する部分がシーム溶接されずに未溶接状態となる。

１−３
次いで、図６（ｃ）に示すように、フランジ６７の平面視における互いに平行な残りの１対の辺に沿ってフランジ６７と接合部材６４とをシーム溶接により接合することにより、１対の溶接部９３、９４を形成する。
かかるシーム溶接は、前述した１対の溶接部９１、９２の形成と同様にして行うことができる。

また、本工程においても、蓋部材６３および接合部材６４は、蓋部材６３の平面視での１つの角部（溝８０）に対応する部分がシーム溶接されずに未溶接状態となる。
以上、第１の接合工程では、蓋部材６３のベース部材６１と接合される側の面に内外を連通する溝８０を形成しておき、ベース部材６１と蓋部材６３との接合予定部位のうち、溝８０に対応する部分を除いて蓋部材６３の平面視での輪郭の各辺に沿った部分をシーム溶接により接合する。

ここで、蓋部材６３の平面視での各辺に沿ってシーム溶接を行うことにより、蓋部材６３のベース部材６１との接合面に形成された溝８０に対応する部分が溶接されないようにして、ベース部材６１と蓋部材６３との接合予定部位の主要部分を簡単かつ確実に接合することができる。
また、図９および図１０に示すように、第１の接合工程後のフランジ６７と接合部材６４との間には、溝８０によって内外を連通する隙間６９が形成される。

特に、前述したように、溝８０は、蓋部材６３の平面視での角部に設けられているので、第１の接合工程において、蓋部材６３の平面視での各辺に沿ってシーム溶接を行うことにより、簡単かつ確実に、シーム溶接後にベース部材６１と蓋部材６３との間に局所的に隙間６９を形成することができる。
また、溝８０の壁面の横断面は、湾曲形状をなしている。これにより、第１の接合工程後にベース部材６１と蓋部材６３との間に局所的に隙間６９するとともに、かかる隙間６９を後述する第２の接合工程において簡単かつ確実に塞ぐことができる。

溝８０の幅は、後述する第２の接合工程でのエネルギー線溶接のスポット径よりも小さいのが好ましい。これにより、第２の接合工程において、エネルギー線溶接に際し、エネルギー線を走査する必要が無くなる。そのため、第２の接合工程に用いる機器が簡単かつ安価なものとなる。また、第２の工程において、シーム溶接後（第１の接合工程後）にベース部材６１と蓋部材６３との間に局所的に形成された隙間６９をエネルギー線溶接により簡単かつ確実に塞ぐことができる。

また、第１の接合工程では、ベース部材６１と蓋部材６３との接合部にそれぞれシーム溶接により溶融し得る金属層を形成した後に、シーム溶接を行うことができ、この場合、溝８０の最大深さ（深さＬ２）は、この２つの金属層の厚さの和よりも大きいのが好ましい。これにより、第１の接合工程において、蓋部材６３のベース部材６１との接合面に形成された溝８０が塞がれることなく、蓋部材６３とベース部材６１とをシーム溶接により強固に接合することができる。

また、溝８０の幅をＬ１とし、幅８０の深さをＬ２としたときに、Ｌ１＞Ｌ２なる関係を満たす。これにより、第１の接合工程後にベース部材６１と蓋部材６３との間に局所的に隙間６９するとともに、かかる隙間６９を第２の接合工程において簡単かつ確実に塞ぐことができる。
また、溝８０の幅Ｌ１と深さＬ２との比Ｌ２／Ｌ１は、特に限定されないが、例えば、０．１以上０．５以下であるのが好ましい。
また、溝８０の幅Ｌ１は、特に限定されないが、１μｍ以上２００μｍ以下程度であるのが好ましい。
また、溝８０の深さＬ２は、特に限定されないが、５μｍ以上３０μｍ以下程度であるのが好ましい。

［２］第２の接合工程
２−１
次に、図１１に示すように、フランジ６７の１つの角部（溝８０に対応する角部）と接合部材６４とをエネルギー線溶接により接合することにより、溶接部９５を形成する。これにより、図１２に示すように、前述した隙間６９が塞がれる。このとき、フランジ６７の溝８０が塞がれた部分６７ｅは、ベース部材６１側に撓むこととなる。

かかるエネルギー線溶接は、例えば、レーザー光、電子ビーム等のエネルギー線を前記３つの角部に照射することにより行う。これにより、第２の接合工程において、シーム溶接後にベース部材６１と蓋部材６３との間に局所的に形成された隙間６９を減圧下または不活性ガス雰囲気下で簡単かつ確実に塞ぐことができる。
かかるエネルギー線溶接は、エネルギー線を連続発振するものであってもパルス発振するものであってもよい。

また、本工程におけるエネルギー線溶接は、減圧下または不活性ガス雰囲気下で行うのが好ましい。これにより、得られるパッケージ３内を減圧状態または不活性ガス封入状態で気密封止することができる。また、得られるパッケージ３内に前述したシーム溶接時に生じたガスが残留するのを防止することができる。
以上、第２の接合工程では、ベース部材６１と蓋部材６３との接合予定部位のうち、溝８０に対応した部分をエネルギー線溶接により接合する。

以上説明したようなパッケージ３の製造方法によれば、シーム溶接後にベース部材６１と蓋部材６３との間に隙間６９を形成することができる。そして、シーム溶接後に局所的なエネルギー線溶接を行うことにより隙間６９を塞いで気密封止することから、エネルギー線溶接時またはその前にシーム溶接時に生じたガスをパッケージ３内から除去することができる。また、エネルギー線溶接が局所的なものであることから、エネルギー線溶接に時に生じたガスがパッケージ３内に残留するのを防止または抑制することができる。このようなことから、高品質に気密封止されたパッケージ３を得ることができる。

また、ベース部材６１と蓋部材６３との接合前に、ベース部材６１や蓋部材６３に貫通孔を形成しておく必要が無く、また、その貫通孔を塞ぐ封止材も不要なことから、製造工程が簡易化されるとともに、材料費も抑えることができる。そのため、パッケージ３の低コスト化、ひいては、センサーデバイス１の低コスト化を図ることができる。
また、前述したような貫通孔や封止材が不要なことから、パッケージ３内における電子部品、配線、電極等の配置の自由度が増す。また、パッケージ３の小型化を図ることもできる。
以上説明したような第１実施形態に係るセンサーデバイス１によれば、小型化を図るとともに、高品質な気密封止を簡単に実現することができる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図１３は、本発明の第２実施形態に係るセンサーデバイス（電子デバイス）のパッケージの平面図、図１４は、本発明の第２実施形態に係るセンサーデバイスの製造方法における第１の接合工程後のパッケージを示す部分拡大側面図、図１５は、本発明の第２実施形態に係るセンサーデバイスの製造方法における第２の接合工程後のパッケージを示す部分拡大側面図である。

本実施形態にかかるセンサーデバイスは、蓋部材のベース部材との接合面に形成される溝の位置および横断面形状が異なる以外は、前述した第１実施形態にかかるセンサーデバイスと同様である。
なお、以下の説明では、第２実施形態のセンサーデバイスに関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１３ないし図１５において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。

本実施形態のセンサーデバイス１Ａは、図１５に示すように、パッケージ３Ａを備える。
このパッケージ３Ａでは、ベース部材６１に接合部材６４を介して蓋部材６３Ａが接合されている。
具体的に説明すると、図１３に示すように、蓋部材６３Ａと接合部材６４との接合部９０Ａは、ｘ軸方向に延在する１対の溶接部９１Ａ、９２Ａ（第１の溶接部）と、ｙ軸方向に延在する１対の溶接部９３Ａ、９４Ａ（第２の溶接部）と、蓋部材６３の１つの辺部に対応して局所的に設けられた溶接部９５Ａ（第３の溶接部）とを有する。これにより、かかる接合部９０Ａは、平面視にて、蓋部材６３の外形（輪郭）に沿ってその全周に亘って形成されている。

ここで、溶接部９１Ａ〜９４Ａは、シーム溶接により形成されたものである。また、溶接部９３Ａは、互いに離間した２つの部分９３ａ、９３ｂで構成され、フランジ６７Ａの平面視での辺６７ｃに沿った部分（辺部）の一部（後述する溝８０Ａに対応する部分）を除いて形成されている。また、溶接部９１Ａ〜９４Ａは、フランジ６７Ａの平面視での４つの角部において互いに重なるように形成されている。

一方、溶接部９５Ａは、エネルギー線溶接により形成されたものである。また、溶接部９５Ａは、図１４に示すようにシーム溶接後に内外を連通して形成された溝８０Ａによる隙間６９Ａを塞ぐためのものである。
パッケージ３Ａの製造時では、シーム溶接前に、フランジ６７Ａの下面に、内外に連通する８０Ａが形成される。この溝８０Ａは、蓋部材６３Ａの平面視での辺部に設けられている。これにより、シーム溶接後にベース部材６１と蓋部材６３Ａとの間に形成される局所的な隙間６９Ａの大きさの制御が容易となる。

また、溝８０Ａの平面の横断面は、矩形状をなしている。これにより、シーム溶接後に隙間６９Ａをより確実に形成することができる。
図１５に示すように、このような隙間６９Ａは、シーム溶接後のエネルギー線溶接により塞がれる。
以上説明したような第２実施形態に係るセンサーデバイス１Ａによっても、小型化を図るとともに、高品質な気密封止を簡単に実現することができる。
以上説明したような各実施形態のセンサーデバイスは、各種の電子機器に組み込んで使用することができる。
このような電子機器によれば、信頼性を優れたものとすることができる。

（電子機器）
ここで、本発明の電子デバイスを備える電子機器の一例について、図１７〜図１９に基づき、詳細に説明する。
図１６は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。

この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１００を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピュータ１１００には、ジャイロセンサーとして機能する前述したセンサーデバイス１が内蔵されている。

図１７は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１００が配置されている。

このような携帯電話機１２００には、ジャイロセンサーとして機能する前述したセンサーデバイス１が内蔵されている。
図１８は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。

ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。

撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリ１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
このようなディジタルスチルカメラ１３００には、ジャイロセンサーとして機能する前述したセンサーデバイス１が内蔵されている。

なお、電子機器は、図１６のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図１７の携帯電話機、図１８のディジタルスチルカメラの他にも、電子デバイスの種類に応じて、例えば、車体姿勢検出装置、ポインティングデバイス、ヘッドマウントディスプレイ、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、ナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ゲームコントローラー、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等に適用することができる。
以上、本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法および電子デバイスの製造方法について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。

また、本発明の電子デバイスおよび電子機器では、各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
また、本発明の電子デバイスおよび電子機器は、前述した各実施形態の任意の構成同士を組み合わせるようにしてもよい。
また、本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法では、任意の工程を追加することができる。

また、前述した実施形態では、蓋部材の平面視での角部に対応するよう接合部材に溝を設けた場合を例に説明したが、これに限定されず、接合部材に形成する溝の位置および数は、任意である。また、接合部材に形成する溝の形状は、第１の接合工程で塞がれず、かつ、第２の接合工程で塞ぐことができるものであれば、特に限定されず、例えば、溝の一端側から他端側に向けて幅または深さが漸減または漸増する部分を有していてもよいし、横断面形状が矩形状、Ｖ字状等をなしていてもよい。

また、前述した実施形態では、センサー素子３０の主要部分（基材）を水晶で構成した場合を例に説明したが、これに限定されるものではなく、センサー素子３０の主要部分（基材）は、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ_２Ｂ４Ｏ_７）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の圧電体、またはシリコン（Ｓｉ）等の半導体であってもよい。
また、センサー素子３０は、前述したようなダブルＴ型以外にも、二脚音叉、三脚音叉、Ｈ型音叉、くし歯型、直交型、角柱型等、種々のジャイロ素子を用いることが可能である。

また、センサー素子３０は、振動型以外のジャイロセンサー素子であってもよい。
また、センサー素子３０の振動の駆動方法や検出方法は、圧電体の圧電効果を用いた圧電型によるものの他に、クーロンカを利用した静電型によるものや、磁力を利用したローレンツ型によるもの等であってもよい。
また、センサー素子の検出軸は、センサー素子の主面（板面）生面に直交する軸のほかに、センサー素子の主面に平行な軸であってもよい。

また、前述した実施形態では、センサーモジュールのセンサー素子として振動ジャイロ素子を例に挙げたが、これに限定するものではなく、例えば、加速度に反応する加速度感知素子、圧力に反応する圧力感知素子、重さに反応する重量感知素子等でもよい。すなわち、本発明の電子デバイスは、ジャイロセンサーに限定されず、例えば、加速度センサー、圧力センサー、重量センサー等でもよい。
また、本発明の電子デバイスの電子部品としては、センサー素子に限らず、各種能動備品および各種受動部品を用いることができる。また、電子デバイス用パッケージ内に収納される電子部品の数は、任意である。

また、前述した実施形態では、支持部材を介して電子部品をパッケージに固定・支持した構成を例に説明したが、この支持部材を省略し、電子部品を直接的にパッケージに固定・支持した構成であってもよい。
また、前述した実施形態では、電子部品とパッケージとをフレキシブル配線基板を介して電気的に接続した構成を例に説明したが、電子部品とパッケージとの電気的接続は、これに限定されず、例えば、ボンディングワイヤーを介した接続、フェイスダウン実装による接続等であってもよい。

１‥‥センサーデバイス １Ａ‥‥センサーデバイス ２‥‥センサーモジュール ３‥‥パッケージ ３Ａ‥‥パッケージ １０‥‥支持部材 １１‥‥第１の支持面 １２‥‥第２の支持面 １３‥‥第３の支持面 １４‥‥裏面 ２０‥‥ＩＣチップ ３０‥‥センサー素子 ３１‥‥基部 ３２ａ‥‥検出用振動腕 ３２ｂ‥‥検出用振動腕 ３３ａ‥‥連結腕 ３３ｂ‥‥連結部 ３４ａ‥‥駆動用振動腕 ３４ｂ‥‥駆動用振動腕 ３５ａ‥‥駆動用振動腕 ３５ｂ‥‥駆動用振動腕 ３６ａ‥‥支持腕 ３６ｂ‥‥支持腕 ３７ａ‥‥支持腕 ３７ｂ‥‥支持腕 ３８ａ‥‥支持部 ３８ｂ‥‥支持部 ３９‥‥接続電極 ４１‥‥フレキシブル配線基板 ４２‥‥フレキシブル配線基板 ４３‥‥フレキシブル配線基板 ５１‥‥接合部材 ６１‥‥ベース部材 ６２‥‥凹部 ６３‥‥蓋部材 ６３Ａ‥‥蓋部材 ６４‥‥接合部材 ６５‥‥上面 ６６‥‥下面 ６７‥‥フランジ ６７Ａ‥‥フランジ ６７ａ‥‥第１の辺 ６７ｂ‥‥第１の辺 ６７ｃ‥‥第２の辺 ６７ｄ‥‥第２の辺 ６７ｅ‥‥部分 ６８‥‥角部 ６９‥‥隙間 ６９Ａ‥‥隙間 ７１‥‥内部端子 ７２‥‥内部端子 ７３‥‥内部端子 ７４‥‥外部端子 ８０‥‥溝 ９０‥‥接合部 ９０Ａ‥‥接合部 ９１‥‥溶接部 ９１Ａ‥‥溶接部 ９２‥‥溶接部 ９２Ａ‥‥溶接部 ９３‥‥溶接部 ９３Ａ‥‥溶接部 ９３ａ‥‥溶接部 ９３ｂ‥‥溶接部 ９４‥‥溶接部 ９４Ａ‥‥溶接部 ９５‥‥溶接部 ９５Ａ‥‥溶接部 １００‥‥表示部 １０１‥‥センサーユニット １０２‥‥センサーユニット １０３‥‥センサーユニット ３００‥‥溶接機 ３０１‥‥ローラー電極 ３０２‥‥ローラー電極 ３０３‥‥電源装置 １１００‥‥パーソナルコンピュータ １１０２‥‥キーボード １１０４‥‥本体部 １１０６‥‥表示ユニット １２００‥‥携帯電話機 １２０２‥‥操作ボタン １２０４‥‥受話口 １２０６‥‥送話口 １３００‥‥ディジタルスチルカメラ １３０２‥‥ケース １３０４‥‥受光ユニット １３０６‥‥シャッタボタン １３０８‥‥メモリ １３１２‥‥ビデオ信号出力端子 １３１４‥‥入出力端子 １４３０‥‥テレビモニタ １４４０‥‥パーソナルコンピュータ ａ‥‥軸線 ｄ‥‥長さ ｍ‥‥幅 Ｇ‥‥重心 Ｌ１‥‥幅 Ｌ２‥‥深さ θ１‥‥角度 θ２‥‥角度 θ３‥‥角度 θ４‥‥テーパー角 ω‥‥角速度

Claims (10)

1. ベース部材と蓋部材との間に電子部品が収納される内部空間を形成し、前記ベース部材と前記蓋部材とが接合された電子デバイス用パッケージの製造方法であって、
   前記ベース部材と接合される側の面に溝が形成された前記蓋部材、および前記ベース部材を用意する工程と、
   平面視で前記蓋部材の前記溝が形成された部分を含む外周に電流を流し、前記内部空間と外部とが前記溝を介して連通した状態を維持して、前記ベース部材の接合面と前記蓋部材とをシーム溶接する第１の接合工程と、
   前記第１の接合工程の後、前記内部空間を減圧状態および不活性ガス封入状態の少なくとも一方にして、前記溝をエネルギー線溶接により塞ぐ第２の接合工程と、
   を有することを特徴とする電子デバイス用パッケージの製造方法。
2. 前記溝の幅は、前記第２の接合工程での前記エネルギー線溶接のスポット径よりも小さい請求項１に記載の電子デバイス用パッケージの製造方法。
3. 前記第１の接合工程では、前記ベース部材の前記接合面に前記シーム溶接により溶融し得る第１の金属層と、前記蓋部材の前記ベース部材と接合される側の面に前記シーム溶接により溶融し得る第２の金属層と、が形成された状態で、前記シーム溶接を行い、
   前記溝の最大深さは、前記第１の金属層の厚さと前記第２の金属層の厚さとの和よりも大きい請求項１または２に記載の電子デバイス用パッケージの製造方法。
4. 前記溝の幅をＬ１とし、前記溝の深さをＬ２としたときに、
   Ｌ１＞Ｌ２なる関係を満たす請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電子デバイス用パッケージの製造方法。
5. 前記溝の壁面の横断面は、湾曲形状を有している請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電子デバイス用パッケージの製造方法。
6. 前記蓋部材の平面視での輪郭は、矩形状を有し、
   前記第１の接合工程では、前記蓋部材の平面視での各辺に沿って前記シーム溶接を行う請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電子デバイス用パッケージの製造方法。
7. 前記溝は、前記蓋部材の平面視での角部に設けられている請求項６に記載の電子デバイス用パッケージの製造方法。
8. 前記溝は、前記蓋部材の平面視での辺部に設けられている請求項６に記載の電子デバイス用パッケージの製造方法。
9. 前記ベース部材の前記接合面には接合部材が配置されており、
   前記蓋部材は、平面視で、輪郭が全周に亘って前記接合部材に重なるように形成されている請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電子デバイス用パッケージの製造方法。
10. ベース部材と蓋部材との間に電子部品が収納される内部空間を形成し、前記ベース部材と前記蓋部材とが接合された電子デバイスの製造方法であって、
    前記ベース部材と接合される側の面に溝が形成された前記蓋部材、および前記ベース部材を用意する工程と、
    前記内部空間に電子部品を収容する工程と、
    平面視で前記蓋部材の前記溝が形成された部分を含む外周に電流を流し、前記内部空間と外部とが前記溝を介して連通した状態を維持して、前記ベース部材の接合面と前記蓋部材とをシーム溶接する第１の接合工程と、
    前記第１の接合工程の後、前記内部空間を減圧状態および不活性ガス封入状態の少なくとも一方にして、前記溝をエネルギー線溶接により塞ぐ第２の接合工程と、
    を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。

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