JP2020108087A - 振動デバイス、電子機器および移動体 - Google Patents
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Abstract
【課題】振動素子の特性の低下を抑制することのできる振動デバイス、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】振動デバイスは、第1導電型の半導体基板であるベース基板と、リッド基板と、前記ベース基板と前記リッド基板との間に配置されている振動素子と、前記ベース基板の前記リッド基板側の面上に配置されている配線と、前記配線と前記振動素子とを電気的に接続する接続部材と、を有し、前記ベース基板は、前記第1導電型とは異なる第2導電型のウェルと、前記ウェルに設けられ、前記リッド基板側の面に位置する第1コンタクト面を備える前記第1導電型の第1コンタクト領域と、を有し、前記配線および前記接続部材は、それぞれ、前記第1コンタクト面と接触し、前記第1コンタクト領域を介して電気的に接続されている。【選択図】図1
Description
本発明は、振動デバイス、電子機器および移動体に関するものである。
特許文献1に記載されている水晶振動子は、ベース基板と、リッド基板と、これら2つの基板に挟まれた振動子基板と、を有する。また、振動子基板は、振動子と、振動子を囲む枠状の枠部と、を有する。そして、ベース基板と枠部とが陽極接合され、リッド基板と枠部とが陽極接合されている。
しかしながら、特許文献1の水晶振動子では、振動素子の電気信号が陽極接合に用いる金属膜を介して外部に引き出されている。そのため、例えば、金属膜と他の配線との間に寄生容量が生じ易く、振動素子の特性に悪影響を及ぼすおそれがある。
本発明の一態様は、第1導電型の半導体基板であるベース基板と、
リッド基板と、
前記ベース基板と前記リッド基板との間に配置されている振動素子と、
前記ベース基板の前記リッド基板側の面上に配置されている配線と、
前記配線と前記振動素子とを電気的に接続する接続部材と、を有し、
前記ベース基板は、
前記第1導電型とは異なる第2導電型のウェルと、
前記ウェルに設けられ、前記リッド基板側の面に位置する第1コンタクト面を備える前記第1導電型の第1コンタクト領域と、を有し、
前記配線および前記接続部材は、それぞれ、前記第1コンタクト面と接触し、前記第1コンタクト領域を介して電気的に接続されていることを特徴とする振動デバイスである。
リッド基板と、
前記ベース基板と前記リッド基板との間に配置されている振動素子と、
前記ベース基板の前記リッド基板側の面上に配置されている配線と、
前記配線と前記振動素子とを電気的に接続する接続部材と、を有し、
前記ベース基板は、
前記第1導電型とは異なる第2導電型のウェルと、
前記ウェルに設けられ、前記リッド基板側の面に位置する第1コンタクト面を備える前記第1導電型の第1コンタクト領域と、を有し、
前記配線および前記接続部材は、それぞれ、前記第1コンタクト面と接触し、前記第1コンタクト領域を介して電気的に接続されていることを特徴とする振動デバイスである。
本発明の一態様では、前記ベース基板と前記リッド基板との間に配置され、前記振動素子と、前記振動素子を囲む枠状をなす枠部と、前記振動素子と前記枠部とを連結する連結部と、を備える中間基板と、
前記枠部と前記ベース基板との間に位置し、前記枠部と前記ベース基板とを接合する導電性の第1接合部材と、
前記枠部と前記リッド基板との間に位置し、前記枠部と前記リッド基板とを接合する導電性の第2接合部材と、を有することが好ましい。
前記枠部と前記ベース基板との間に位置し、前記枠部と前記ベース基板とを接合する導電性の第1接合部材と、
前記枠部と前記リッド基板との間に位置し、前記枠部と前記リッド基板とを接合する導電性の第2接合部材と、を有することが好ましい。
本発明の一態様では、前記リッド基板は、第1導電型の半導体基板であり、
前記第1接合部材および前記第2接合部材は、電気的に接続され、
前記ベース基板と前記リッド基板とは、前記第1接合部材および前記第2接合部材を介して電気的に接続されていることが好ましい。
前記第1接合部材および前記第2接合部材は、電気的に接続され、
前記ベース基板と前記リッド基板とは、前記第1接合部材および前記第2接合部材を介して電気的に接続されていることが好ましい。
本発明の一態様では、前記ベース基板は、
周囲に対して前記第1導電型の不純物が高濃度にドープされ、前記リッド基板側の面に位置する第2コンタクト面を備える前記第1導電型の第2コンタクト領域を有し、
前記第1接合部材は、前記第2コンタクト面に接触していることが好ましい。
周囲に対して前記第1導電型の不純物が高濃度にドープされ、前記リッド基板側の面に位置する第2コンタクト面を備える前記第1導電型の第2コンタクト領域を有し、
前記第1接合部材は、前記第2コンタクト面に接触していることが好ましい。
本発明の一態様では、前記リッド基板は、
周囲に対して前記第1導電型の不純物が高濃度にドープされ、前記ベース基板側の面に位置する第3コンタクト面を備える前記第1導電型の第3コンタクト領域を有し、
前記第2接合部材は、前記第3コンタクト面に接触していることが好ましい。
周囲に対して前記第1導電型の不純物が高濃度にドープされ、前記ベース基板側の面に位置する第3コンタクト面を備える前記第1導電型の第3コンタクト領域を有し、
前記第2接合部材は、前記第3コンタクト面に接触していることが好ましい。
本発明の一態様では、前記ベース基板は、前記接続部材との接続面および前記第1接合部材との接続面が面一であり、
前記中間基板は、前記接続部材との接続面および前記第1接合部材との接続面が面一であることが好ましい。
前記中間基板は、前記接続部材との接続面および前記第1接合部材との接続面が面一であることが好ましい。
本発明の一態様では、前記リッド基板は、前記ベース基板側の面に開放し、前記振動素子を収納する凹部を有し、前記ベース基板と直接接合されていることが好ましい。
本発明の一態様では、前記ベース基板に形成され、前記配線を含む発振回路を有することが好ましい。
本発明の一態様は、本発明の一態様の振動デバイスと、
前記振動デバイスの前記発振回路から出力される発振信号に基づいて動作する演算処理装置と、を備えることを特徴とする電子機器である。
前記振動デバイスの前記発振回路から出力される発振信号に基づいて動作する演算処理装置と、を備えることを特徴とする電子機器である。
本発明の一態様は、本発明の一態様の振動デバイスと、
前記振動デバイスの前記発振回路から出力される発振信号に基づいて動作する演算処理装置と、を備えることを特徴とする移動体である。
前記振動デバイスの前記発振回路から出力される発振信号に基づいて動作する演算処理装置と、を備えることを特徴とする移動体である。
以下、本発明の一態様の振動デバイス、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。図2は、中間基板の上面図である。図3は、中間基板の下面を上面側から見た透過図である。図4は、第1、第2接合部材を示す断面図である。図5は、ベース基板に形成された回路を示す回路図である。図6ないし図8は、それぞれ、ベース基板の詳しい構成を示す断面図である。なお、説明の便宜上、各図には、互いに直交する3軸をX軸、Y軸およびZ軸として図示している。また、図1中のZ軸方向+側を「上」とも言い、Z軸方向−側を「下」とも言う。
図1は、本発明の第1実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。図2は、中間基板の上面図である。図3は、中間基板の下面を上面側から見た透過図である。図4は、第1、第2接合部材を示す断面図である。図5は、ベース基板に形成された回路を示す回路図である。図6ないし図8は、それぞれ、ベース基板の詳しい構成を示す断面図である。なお、説明の便宜上、各図には、互いに直交する3軸をX軸、Y軸およびZ軸として図示している。また、図1中のZ軸方向+側を「上」とも言い、Z軸方向−側を「下」とも言う。
図1に示す振動デバイス1は、ベース基板2と、リッド基板3と、中間基板4と、を有し、ベース基板2とリッド基板3との間に中間基板4が挟まれた構造となっている。ベース基板2は、第1面である下面21と、下面21と反対側の第2面である上面22と、を含む板状をなす。リッド基板3は、ベース基板2の上側に位置し、ベース基板2側に位置する第3面である下面31と、下面31と反対側の第4面である上面32と、を含む板状をなす。中間基板4は、ベース基板2とリッド基板3との間に位置し、ベース基板2側に位置する第5面である下面41と、リッド基板3側の第6面である上面42と、を含む板状をなす。これら3つの基板のうち、ベース基板2およびリッド基板3は、それぞれ、シリコン基板であり、中間基板4は、水晶基板である。
また、図2および図3に示すように、中間基板4は、振動素子5と、振動素子5を囲む枠状の枠部43と、振動素子5と枠部43とを連結する連結部44と、を有する。振動素子5は、中間基板4から形成された振動基板51と、振動基板51の表面に配置された電極52と、を有する。振動基板51は、厚みすべり振動モードを有し、本実施形態ではATカット水晶基板から形成されている。すなわち、中間基板4は、水晶基板としてATカット水晶基板を用いている。ATカット水晶基板は、三次の周波数温度特性を有しているため、優れた温度特性を有する振動素子5となる。
電極52は、振動基板51の上面42に配置された励振電極521と、下面41に、励振電極521と対向して配置された励振電極522と、を有する。また、電極52は、振動基板51の下面41に配置された一対の端子523、524と、端子523と励振電極521とを電気的に接続する配線525と、端子524と励振電極522とを電気的に接続する配線526と、を有する。
なお、振動素子5の構成は、上述の構成に限定されない。例えば、振動素子5は、励振電極521、522に挟まれた振動領域がその周囲から突出したメサ型となっていてもよいし、逆に、振動領域がその周囲から凹没した逆メサ型となっていてもよい。また、振動基板51の周囲を研削するベベル加工や、上面42および下面41を凸曲面とするコンベックス加工が施されていてもよい。
また、振動素子5としては、厚みすべり振動モードで振動するものに限定されず、例えば、複数の振動腕が面内方向に屈曲振動する振動素子であってもよい。つまり、振動基板51は、ATカット水晶基板から形成されたものに限定されず、ATカット水晶基板以外の水晶基板、例えば、Xカット水晶基板、Yカット水晶基板、Zカット水晶基板、BTカット水晶基板、SCカット水晶基板、STカット水晶基板等から形成されていてもよい。また、本実施形態では、振動基板51が水晶で構成されているが、これに限定されず、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、四ホウ酸リチウム、ランガライト、ニオブ酸カリウム、リン酸ガリウム等の圧電単結晶体により構成されていてもよいし、これら以外の圧電単結晶体で構成されていてもよい。
図1に示すように、振動デバイス1は、枠部43とベース基板2との間に位置し、枠部43の下面41とベース基板2の上面22とを接合する第1接合部材61と、枠部43とリッド基板3との間に位置し、枠部43の上面42とリッド基板3の下面31とを接合する第2接合部材62と、を有する。そして、第1、第2接合部材61、62によって、ベース基板2、リッド基板3および枠部43が接合されることによりパッケージ10が構成され、パッケージ10の内部に振動素子5を収納する収納空間Sが形成されている。収納空間Sは、気密封止され、減圧状態、好ましくはより真空に近い状態となっている。これにより、粘性抵抗が減り、振動素子5を安定して駆動させることができる。ただし、収納空間Sの雰囲気は、特に限定されず、例えば、大気圧状態、加圧状態となっていてもよい。
第1接合部材61は、枠部43とベース基板2とを接合する接合部材として機能するだけでなく、振動素子5とベース基板2との間に隙間G1を形成するギャップ材としても機能する。同様に、第2接合部材62は、枠部43とリッド基板3とを接合する接合部材として機能するだけでなく、振動素子5とリッド基板3との間に隙間G2を形成するギャップ材としても機能する。このように、第1、第2接合部材61、62がギャップ材を兼ねることにより、パッケージ10の構成がより簡単なものとなる。
また、これら第1、第2接合部材61、62は、導電性を有し、本実施形態では金属で構成されている。具体的には、図4に示すように、第1接合部材61は、ベース基板2の上面22に設けられた金属膜611と、枠部43の下面41に設けられた金属膜612と、を有しており、金属膜611の上面と金属膜612の下面とを拡散接合して形成されている。金属膜611は、Cu(銅)からなる基部611a上に、Ni(ニッケル)/Pd(パラジウム)/Au(金)の積層体であるめっき層611bを形成して構成され、同様に、金属膜612も、Cuからなる基部612a上に、Ni/Pd/Auの積層体からなるめっき層612bを形成して構成されている。そして、金属膜611、612の表面にある金めっき層同士が拡散接合されている。このような構成によれば、第1接合部材61の表面が金めっき膜で覆われるため、優れた対候性が発揮され、第1接合部材61の腐食を効果的に抑制することができる。
第2接合部材62についても同様であり、第2接合部材62は、リッド基板3の下面31に設けられた金属膜621と、枠部43の上面42に設けられた金属膜622と、を拡散接合して形成されている。金属膜621は、Cuからなる基部621a上に、Ni/Pd/Auの積層体であるめっき層621bを形成して構成され、同様に、金属膜622も、Cuからなる基部622a上に、Ni/Pd/Auの積層体であるめっき層622bを形成して構成されている。そして、互いの表面にある金めっき膜同士が拡散接合されている。
また、第1接合部材61と第2接合部材62とは、枠部43の内側面を回り込んで互いに接触し、電気的に接続されている。そのため、ベース基板2とリッド基板3とが、第1接合部材61および第2接合部材62を介して電気的に接続される。
ベース基板2は、シリコン基板であり、特に、本実施形態では、第1導電型であるP型導電性を有するP型シリコン基板を用いている。P型シリコン基板は、例えば、シリコン基板にホウ素(B)、アルミニウム(Al)等のP型不純物をドープすることにより製造される。ただし、ベース基板2およびリッド基板3としては、特に限定されず、N型シリコン基板を用いてもよいし、シリコン以外の半導体基板、例えば、Ge、GaP、GaAs、InP等の化合物半導体基板を用いてもよい。
また、ベース基板2には、振動素子5と電気的に接続された回路28が形成されており、本実施形態では、その上面22が能動面となっている。このように、ベース基板2に回路28を形成することにより、ベース基板2のスペースを有効活用することができる。回路28としては、特に限定されず、例えば、図5に示すような、振動素子5を発振させてクロック信号等の基準信号の周波数を生成する発振回路が挙げられる。なお、このような発振回路には、例えば、静電気による破壊を抑制する静電気保護回路が含まれている。回路28に静電気保護回路を含むことにより、静電気放電(ESD:Electro Static Discharge)による回路28の損傷を抑制することができる。
また、図6および図7に示すように、ベース基板2の上面22には、第1絶縁層291、第1配線層292および第2絶縁層293が積層した積層体29が設けられ、この第1配線層292に含まれる配線292aを介して、上面22に形成された複数の回路要素(図示せず)が電気的に接続され、回路28が構成されている。
また、図8に示すように、ベース基板2の下面21には3つの外部接続端子651、652、653が設けられている。また、これら3つの外部接続端子651、652、653は、それぞれ、ベース基板2の下面21と上面22とを貫通する貫通電極67を介して回路28と電気的に接続されている。外部接続端子651、652、653のうち、外部接続端子651は、電源に繋がる端子であり、外部接続端子652は、グランドに繋がる端子であり、外部接続端子653は、回路28からの発信信号が出力される端子である。また、外部接続端子の数としては、3つに限定されず、回路28の構成に応じて加減してもよい。
また、図6および図7に示すように、ベース基板2は、P型とは異なる第2導電型であるN型のウェル241、242を有する。そして、図6に示すように、ウェル241には、上面22に位置する第1コンタクト面251aを備えるP型の不純物が高濃度にドープされた第1コンタクト領域251が形成され、図7に示すように、ウェル242には、上面22に位置する第1コンタクト面252aを備えるP型の第1コンタクト領域252が形成されている。そして、第1コンタクト面251a、252aには、それぞれ、配線292aが接触している。そのため、ベース基板2と配線292aとがオーミック接触し、これらの間の抵抗をより低く抑えることができる。なお、第1コンタクト面251a、252aは、その一部が積層体29から露出している。
振動デバイス1は、さらに、図6および図7に示すように、ベース基板2と中間基板4との間に位置する一対の第1接続部材であるバンプB1、B2を有する。そして、バンプB1は、その下端部が第1コンタクト面251aと接触し、上端部が振動素子5の端子523と接触することにより、これらを電気的に接続している。そのため、ベース基板2とバンプB1とがオーミック接触し、これらの間の抵抗をより低く抑えることができる。同様に、バンプB2は、その下端部が第1コンタクト面252aと接触し、上端部が振動素子5の端子524と接触することにより、これらを電気的に接続している。そのため、ベース基板2とバンプB2とがオーミック接触し、これらの間の抵抗をより低く抑えることができる。
つまり、バンプB1は、第1コンタクト領域251を介して配線292aと電気的に接続され、バンプB2は、第1コンタクト領域252を介して配線292aと電気的に接続されている。これにより、振動素子5の励振電極521、522が回路28と電気的に接続される。このように、バンプB1、B2を介して振動素子5と回路28とを電気的に接続することにより、従来技術のように、第1、第2接合部材61、62を引き出し配線として用いる必要がない。そのため、他の配線との間に寄生容量が形成され難く、振動素子5の特性の低下を効果的に抑制することができる。
バンプB1、B2としては、導電性および接合性を有していれば、特に限定されないが、第1接合部材61の金属膜611を形成する工程と同時に、第1接合部材61と同じ材料により形成するのが望ましい。これにより、バンプB1、B2を形成する工程を、第1接合部材61を形成する工程と別に行うことが不要になる。また、第1接合部材61と同じ厚さのバンプB1、B2を容易に形成することができる。
なお、本実施形態では、ベース基板2の平面視で、振動素子5と重なる位置にバンプB1、B2が配置されているが、これに限定されず、例えば、連結部44と重なる位置にバンプB1、B2が配置されていてもよい。この場合、振動素子5の端子523、524がそれぞれ連結部44まで引き出されており、当該部分において、バンプB1、B2と接続されていればよい。
また、図6から図8に示すように、ベース基板2は、他の部分に対してP型不純物が高濃度でドープされた高濃度ドープ領域である第2コンタクト領域26を有する。また、第2コンタクト領域26は、ベース基板2の上面22に位置する第2コンタクト面261を備え、第2コンタクト面261は、積層体29から露出している。言い換えると、第2コンタクト面261上には、積層体29が形成されていない。また、第2コンタクト面261は、ベース基板2の厚さ方向からの平面視で、枠部43と重なる枠状となっている。そして、ベース基板2は、この第2コンタクト面261において第1接合部材61と接触している。そのため、ベース基板2と第1接合部材61とがオーミック接触し、これらの間の抵抗をより低く抑えることができる。なお、本実施形態では、ベース基板2の第1接合部材61との接触面の全域が第2コンタクト面261で構成されているが、これに限定されず、ベース基板2の第1接合部材61との接触面の少なくとも一部が第2コンタクト面261で構成されていればよい。
同様に、図6から図8に示すように、リッド基板3は、他の部分に対してP型不純物が高濃度でドープされた高濃度ドープ領域である第3コンタクト領域33を有する。また、第3コンタクト領域33は、リッド基板3の下面31に位置する第3コンタクト面331を備えている。第3コンタクト面331は、リッド基板3の厚さ方向からの平面視で、枠部43と重なる枠状となっている。そして、リッド基板3は、この第3コンタクト面331において第2接合部材62と接触している。そのため、リッド基板3と第2接合部材62とがオーミック接触し、これらの間の抵抗をより低く抑えることができる。なお、本実施形態では、リッド基板3の第2接合部材62との接触面の全域が第3コンタクト面331で構成されているが、これに限定されず、リッド基板3の第2接合部材62との接触面の少なくとも一部が第3コンタクト面331で構成されていればよい。
本実施形態の場合、ベース基板2がP型シリコン基板であり、外部接続端子652と接続されてグランド電位となることから、ベース基板2と第1、第2接合部材61、62を介して電気的に接続されたリッド基板3もグランド電位となる。これにより、パッケージ10がシールド層として機能し、振動素子5を外乱から保護することができる。また、パッケージ10によって、振動デバイス1の内部から発生するノイズの放出を遮断でき、周囲の電子部品に与える影響を低減することができる。なお、パッケージ10は、グランド以外の定電位となっていてもよい。
以上のような振動デバイス1では、図4に示すように、ベース基板2の第1接合部材61との接続面である第2コンタクト面261および枠部43の第1接合部材61との接続面41aは、それぞれ、平坦面である。これにより、第2コンタクト面261に金属膜611を形成し易くなり、接続面41aに金属膜612を形成し易くなる。なお、平坦面とは、例えば、表面粗さRaが、200(nm)以下であることを意味する。ただし、これに限定されず、例えば、第2コンタクト面261および接続面41aの少なくとも一方が平坦面でなく、前述した表面粗さRaを超えるような比較的大きい凹凸を有する面であってもよい。
同様に、リッド基板3の第2接合部材62との接続面である第3コンタクト面331および枠部43の第2接合部材62との接続面42aは、それぞれ、平坦面である。これにより、第3コンタクト面331に金属膜621を形成し易くなり、接続面42aに金属膜622を形成し易くなる。なお、平坦面とは、例えば、表面粗さRaが、200(nm)以下であることを意味する。ただし、これに限定されず、例えば、第3コンタクト面331および接続面42aの少なくとも一方が平坦面でなく、前述した表面粗さRaを超えるような比較的大きい凹凸を有する面であってもよい。
また、図6および図7に示すように、ベース基板2では、バンプB1、B2との接続面である第1コンタクト面251a、252aと、第1接合部材61との接続面である第2コンタクト面261と、が面一である。すなわち、第1コンタクト面251a、252aと第2コンタクト面261とは、同一X−Y平面上に位置している。また、中間基板4では、バンプB1、B2との接続面41bと、上述した第1接合部材61との接続面41aと、が面一である。すなわち、接続面41a、41bは、同一X−Y平面上に位置している。このような構成とすることにより、例えば、バンプB1、B2を第1接合部材61の厚さと同等の厚さとすることにより、第1接合部材61を介してベース基板2と中間基板4とを接合すると同時にバンプB1、B2を介して第1コンタクト面251a、252aと振動素子5との電気的な接続を容易にかつ確実に行うことができる。したがって、バンプB1、B2の厚さの制御が容易となる。
なお「面一」とは、上述したように、2つの面が同一X−Y平面上に位置していることの他、例えば、製造上生じ得る誤差等、2つの面が若干ずれている場合も含む意味である。ただし、これに限定されず、第1コンタクト面251a、252aと第2コンタクト面261が面一でなくてもよく、接続面41a、41bが面一でなくてもよい。
以上、振動デバイス1について説明した。このような振動デバイス1は、前述したように、第1導電型であるP型の半導体基板であるベース基板2と、リッド基板3と、ベース基板2とリッド基板3との間に配置されている振動素子5と、ベース基板2のリッド基板3側の面である上面22上に配置されている配線292aと、配線292aと振動素子5とを電気的に接続する接続部材としてのバンプB1、B2と、を有する。また、ベース基板2は、P型とは異なる第2導電型であるN型のウェル241、242と、ウェル241、241に設けられ、上面22に位置する第1コンタクト面251a、252aを備えるP型の第1コンタクト領域251、252と、を有する。そして、配線292aおよびバンプB1、B2は、それぞれ、第1コンタクト面251a、252aと接触し、第1コンタクト領域251、252を介して電気的に接続されている。
このような構成の振動デバイス1によれば、バンプB1、B2を介して中間基板4から配線を引き出している。そのため、第1、第2接合部材61、62を引き出し配線として用いる必要がないため、他の配線との間に寄生容量が形成され難く、振動素子5の特性の低下を効果的に抑制することができる。なお、本実施形態では、第1導電型をP型、第2導電型をN型としているが、これに限定されず、第1導電型をN型、第2導電型をP型としてもよい。
また、前述したように、振動デバイス1は、ベース基板2とリッド基板3との間に配置され、振動素子5と、振動素子5を囲む枠状をなす枠部43と、振動素子5と枠部43とを連結する連結部44と、を備える中間基板4と、枠部43とベース基板2との間に位置し、枠部43とベース基板2とを接合する導電性の第1接合部材61と、枠部43とリッド基板3との間に位置し、枠部43とリッド基板3とを接合する導電性の第2接合部材62と、を有する。このような構成によれば、ベース基板2、リッド基板3および枠部43によって、振動素子5を収納するパッケージ10が形成される。そのため、振動素子5を保護することができる。
また、前述したように、リッド基板3は、P型の半導体基板である。また、第1接合部材61および第2接合部材62は、電気的に接続されている。そして、ベース基板2とリッド基板3とは、第1接合部材61および第2接合部材62を介して電気的に接続されている。これにより、例えば、ベース基板2をグランド電位(定電位)とすることにより、パッケージ10をシールド層として機能させることができ、振動素子5を外乱から保護することができる。
また、前述したように、ベース基板2は、周囲に対してP型の不純物が高濃度にドープされ、上面22に位置する第2コンタクト面261を備えるP型の第2コンタクト領域26を有する。そして、第1接合部材61は、第2コンタクト面261に接触している。このような構成によれば、ベース基板2と第1接合部材61とがオーミック接触し、これらの間の抵抗値をより低く抑えることができる。
また、前述したように、リッド基板3は、周囲に対してP型の不純物が高濃度にドープされ、下面31に位置する第3コンタクト面331を備えるP型の第3コンタクト領域33を有する。そして、第2接合部材62は、第3コンタクト面331に接触している。このような構成によれば、リッド基板3と第2接合部材62とがオーミック接触し、これらの間の抵抗値をより低く抑えることができる。
また、前述したように、ベース基板2は、バンプB1、B2との接続面である第1コンタクト面251a、252aおよび第1接合部材61との接続面である第2コンタクト面261が面一である。また、中間基板4は、バンプB1、B2との接続面41aおよび第1接合部材61との接続面41bが面一である。したがって、第1接合部材61を介してベース基板2と中間基板4とを接合すると同時にバンプB1、B2を介して第1コンタクト面251a、252aと振動素子5との電気的な接続を容易にかつ確実に行うことができる。
また、前述したように、振動デバイス1は、ベース基板2に形成され、配線292aを含む発振回路としての回路28を有する。このように、ベース基板2に回路28を形成することにより、ベース基板2を有効利用することができる。
<第2実施形態>
図9は、本発明の第2実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。図10は、図9に示す構成の変形例を示す断面図である。
図9は、本発明の第2実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。図10は、図9に示す構成の変形例を示す断面図である。
本実施形態に係る振動デバイス1は、主に、積層体29の構成が異なること以外は、前述した第1実施形態の振動デバイス1と同様である。なお、以下の説明では、第2実施形態の振動デバイス1に関し、前述した第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図9および図10では、前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
図9に示すように、本実施形態の振動デバイス1では、積層体29は、第1絶縁層291と、第1配線層292と、第2絶縁層293と、第2配線層294と、保護層295と、が積層した構成となっている。第2配線層294は、内部接続端子294a、294bを有し、内部接続端子294a、294bは、それぞれ、第1配線層292と電気的に接続されている。保護層295は、積層体29を水分等から保護する絶縁性のパッシベーション膜であり、内部接続端子294a、294bは、保護層295から露出している。
このような構成では、例えば、図9に示すように、第1コンタクト面251a、252aと接触させてバンプB1、B2を配置するか、または、図10に示すように、内部接続端子294a、294bと接触させてバンプB1、B2を配置するかを、例えば、振動素子5の形状や大きさによって、選択することができる。そのため、汎用性に優れ、利便性の高いベース基板2が得られる。
このような第2実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。
<第3実施形態>
図11は、本発明の第3実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。
図11は、本発明の第3実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。
本実施形態に係る振動デバイス1は、主に、中間基板4を省略して、リッド基板3とベース基板2とを直接接合していること以外は、前述した第1実施形態の振動デバイス1と同様である。なお、以下の説明では、第3実施形態の振動デバイス1に関し、前述した第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図11では、前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
本実施形態の振動デバイス1では、中間基板4が省略されている。そして、図11に示すように、振動デバイス1は、ベース基板2と、振動素子5と、リッド基板3と、を有する。また、リッド基板3は、下面31に開放する凹部39を有し、この凹部39内に振動素子5が収納されている。また、リッド基板3の下面31は、ベース基板2の上面22と表面活性化接合法により直接接合されている。つまり、本実施形態では、ベース基板2とリッド基板3とで、振動素子5を収納するパッケージ10が形成されている。このような構成によれば、例えば、前述した第1実施形態と比べて、部品点数を削減することができるため、低コストで、かつ、製造がより容易な振動デバイス1となる。また、表面活性化接合法によれば、リッド基板3およびベース基板2を常温で接合することができ、パッケージ10に応力が残留し難くなる。また、接着剤、金属膜等の接合部材を介さずにベース基板2とリッド基板3とを接合することができるため、パッケージ10の低背下を図ることができる。
以上のように、本実施形態の振動デバイス1では、リッド基板3は、ベース基板2側の下面31に開放し、振動素子5を収納する凹部39を有し、ベース基板2と直接接合されている。これにより、低コストで、かつ、製造がより容易な振動デバイス1となる。また、表面活性化接合法によれば、リッド基板3およびベース基板2を常温で接合することができるため、パッケージ10に応力が残留し難くなる。また、接着剤、金属膜等の接合部材を介さずにベース基板2とリッド基板3とを接合することができるため、パッケージ10の低背下を図ることができる。
このような第3実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。
<第4実施形態>
図12は、本発明の第4実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
図12は、本発明の第4実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
図12に示すラップトップ型のパーソナルコンピューター1100は、本発明の振動デバイスを備える電子機器を適用したものである。この図において、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部1108を備えた表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター1100には、例えば、発振器として用いられる振動デバイス1が内蔵されている。
また、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102や表示部1108などの制御に関する演算処理を行う演算処理回路を備えている。演算処理回路は、振動デバイス1の発振回路から出力される発振信号に基づいて動作する。
このように、電子機器としてのパーソナルコンピューター1100は、振動デバイス1と、振動デバイス1の発振回路から出力される発振信号に基づいて動作する演算処理回路と、を備える。そのため、前述した振動デバイス1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
<第5実施形態>
図13は、本発明の第5実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
図13は、本発明の第5実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
図13に示す携帯電話機1200は、本発明の振動デバイスを備える電子機器を適用したものである。携帯電話機1200は、アンテナ、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には表示部1208が配置されている。このような携帯電話機1200には、例えば、発振器として用いられる振動デバイス1が内蔵されている。
また、携帯電話機1200は、操作ボタン1202などの制御に関する演算処理を行う演算処理回路を備えている。演算処理回路は、振動デバイス1の発振回路から出力される発振信号に基づいて動作する。
このように、電子機器としての携帯電話機1200は、振動デバイス1と、振動デバイス1の発振回路から出力される発振信号に基づいて動作する演算処理回路と、を備える。そのため、前述した振動デバイス1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
<第6実施形態>
図14は、本発明の第6実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
図14は、本発明の第6実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
図14に示すデジタルスチールカメラ1300は、本発明の振動デバイスを備える電子機器を適用したものである。ボディ1302の背面には表示部1310が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部1310は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ボディ1302の正面側(図中裏面側)には、光学レンズやCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。そして、撮影者が表示部1310に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン1306を押すと、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送・格納される。このようなデジタルスチールカメラ1300には、例えば、発振器として用いられる振動デバイス1が内蔵されている。
また、デジタルスチールカメラ1300は、表示部13100や受光ユニット1304などの制御に関する演算処理を行う演算処理回路を備えている。演算処理回路は、振動デバイス1の発振回路から出力される発振信号に基づいて動作する。
このように、電子機器としてのデジタルスチールカメラ1300は、振動デバイス1と、振動デバイス1の発振回路から出力される発振信号に基づいて動作する演算処理回路と、を備える。そのため、前述した振動デバイス1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
なお、本発明の電子機器は、前述したパーソナルコンピューター、携帯電話機およびデジタルスチールカメラの他にも、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計(スマートウォッチを含む)、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンタ)、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、HMD(ヘッドマウントディスプレイ)等のウェアラブル端末、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、移動体端末基地局用機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーター、ネットワークサーバー等に適用することができる。
<第7実施形態>
図15は、本発明の第7実施形態に係る移動体を示す斜視図である。
図15は、本発明の第7実施形態に係る移動体を示す斜視図である。
図15に示す自動車1500は、本発明の振動デバイスを備える移動体を適用した自動車である。自動車1500には、例えば、発振器として用いられる振動デバイス1と、振動デバイス1の発振回路から出力される発振信号に基づいて動作する演算処理回路が内蔵されている。そのような振動デバイス1と演算処理回路は、例えば、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム(ABS)、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム(TPMS:Tire Pressure Monitoring System)、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム等の電子制御ユニット(ECU:electronic control unit)に広く適用できる。
このように、移動体としての自動車1500は、振動デバイス1と、振動デバイス1の発振回路から出力される発振信号に基づいて動作する演算処理回路と、を備える。そのため、前述した振動デバイス1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
なお、移動体としては、自動車1500に限定されず、例えば、飛行機、船舶、AGV(無人搬送車)、二足歩行ロボット、ドローン等の無人飛行機等にも適用することができる。
以上、本発明の振動デバイス、電子機器および移動体を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の2以上の構成を組み合わせたものであってもよい。
1…振動デバイス、10…パッケージ、2…ベース基板、21…下面、22…上面、241…ウェル、242…ウェル、251、252…第1コンタクト領域、251a、252a…第1コンタクト面、26…第2コンタクト領域、261…第2コンタクト面、28…回路、29…積層体、291…第1絶縁層、292…第1配線層、292a…配線、293…第2絶縁層、294…第2配線層、294a、294b…内部接続端子、295…保護層、3…リッド基板、31…下面、32…上面、33…第3コンタクト領域、331…第3コンタクト面、39…凹部、4…中間基板、41…下面、41a…接続面、41b…接続面、42…上面、42a…接続面、43…枠部、44…連結部、5…振動素子、51…振動基板、52…電極、521、522…励振電極、523、524…端子、525、526…配線、61…第1接合部材、611…金属膜、611a…基部、611b…めっき層、612…金属膜、612a…基部、612b…めっき層、62…第2接合部材、621…金属膜、621a…基部、621b…めっき層、622…金属膜、622a…基部、622b…めっき層、651、652、653…外部接続端子、67…貫通電極、1100…パーソナルコンピューター、1102…キーボード、1104…本体部、1106…表示ユニット、1108…表示部、1200…携帯電話機、1202…操作ボタン、1204…受話口、1206…送話口、1208…表示部、1300…デジタルスチールカメラ、1302…ボディ、1304…受光ユニット、1306…シャッターボタン、1308…メモリー、1310…表示部、1500…自動車、B1、B2…バンプ、G1、G2…隙間、S…収納空間
Claims (10)
- 第1導電型の半導体基板であるベース基板と、
リッド基板と、
前記ベース基板と前記リッド基板との間に配置されている振動素子と、
前記ベース基板の前記リッド基板側の面上に配置されている配線と、
前記配線と前記振動素子とを電気的に接続する接続部材と、を有し、
前記ベース基板は、
前記第1導電型とは異なる第2導電型のウェルと、
前記ウェルに設けられ、前記リッド基板側の面に位置する第1コンタクト面を備える前記第1導電型の第1コンタクト領域と、を有し、
前記配線および前記接続部材は、それぞれ、前記第1コンタクト面と接触し、前記第1コンタクト領域を介して電気的に接続されていることを特徴とする振動デバイス。 - 前記ベース基板と前記リッド基板との間に配置され、前記振動素子と、前記振動素子を囲む枠状をなす枠部と、前記振動素子と前記枠部とを連結する連結部と、を備える中間基板と、
前記枠部と前記ベース基板との間に位置し、前記枠部と前記ベース基板とを接合する導電性の第1接合部材と、
前記枠部と前記リッド基板との間に位置し、前記枠部と前記リッド基板とを接合する導電性の第2接合部材と、を有する請求項1に記載の振動デバイス。 - 前記リッド基板は、第1導電型の半導体基板であり、
前記第1接合部材および前記第2接合部材は、電気的に接続され、
前記ベース基板と前記リッド基板とは、前記第1接合部材および前記第2接合部材を介して電気的に接続されている請求項2に記載の振動デバイス。 - 前記ベース基板は、
周囲に対して前記第1導電型の不純物が高濃度にドープされ、前記リッド基板側の面に位置する第2コンタクト面を備える前記第1導電型の第2コンタクト領域を有し、
前記第1接合部材は、前記第2コンタクト面に接触している請求項3に記載の振動デバイス。 - 前記リッド基板は、
周囲に対して前記第1導電型の不純物が高濃度にドープされ、前記ベース基板側の面に位置する第3コンタクト面を備える前記第1導電型の第3コンタクト領域を有し、
前記第2接合部材は、前記第3コンタクト面に接触している請求項3または4に記載の振動デバイス。 - 前記ベース基板は、前記接続部材との接続面および前記第1接合部材との接続面が面一であり、
前記中間基板は、前記接続部材との接続面および前記第1接合部材との接続面が面一である請求項2ないし5のいずれか1項に記載の振動デバイス。 - 前記リッド基板は、前記ベース基板側の面に開放し、前記振動素子を収納する凹部を有し、前記ベース基板と直接接合されている請求項1に記載の振動デバイス。
- 前記ベース基板に形成され、前記配線を含む発振回路を有する請求項1ないし7のいずれか1項に記載の振動デバイス。
- 請求項1ないし8のいずれか1項に記載の振動デバイスと、
前記振動デバイスの前記発振回路から出力される発振信号に基づいて動作する演算処理装置と、を備えることを特徴とする電子機器。 - 請求項1ないし8のいずれか1項に記載の振動デバイスと、
前記振動デバイスの前記発振回路から出力される発振信号に基づいて動作する演算処理装置と、を備えることを特徴とする移動体。
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