JP2015007559A - モジュール、モジュールの製造方法、電子機器及び移動体 - Google Patents
モジュール、モジュールの製造方法、電子機器及び移動体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015007559A JP2015007559A JP2013132379A JP2013132379A JP2015007559A JP 2015007559 A JP2015007559 A JP 2015007559A JP 2013132379 A JP2013132379 A JP 2013132379A JP 2013132379 A JP2013132379 A JP 2013132379A JP 2015007559 A JP2015007559 A JP 2015007559A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- functional element
- lid
- module
- substrate
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Gyroscopes (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
【課題】信頼性に優れたセンサーの提供。【解決手段】加速度センサー1は、センサー素子20と、センサー素子20に積載されているICチップ30と、センサー素子20及びICチップ30を保護する封止樹脂50と、を備え、センサー素子20は、センサー基板21と、センサー基板21に接続されている蓋体23と、を備え、ICチップ30は、封止樹脂50より弾性率が低い接合樹脂60を介してセンサー素子20の蓋体23上に積載され、接合樹脂60は、センサー基板21と蓋体23との接合部24の少なくとも一部にまで延出している。【選択図】図2
Description
本発明は、モジュール、このモジュールの製造方法、このモジュールを備えている電子機器及び移動体に関する。
従来、モジュールの一例としての、角速度や加速度などの物理量を検出する物理量センサーとして、キャビティ部を有する実装基板と、キャビティ部に重複して配置されている支持基板と、支持基板を介して実装基板に電気的に接続されている物理量センサー素子と、物理量センサー素子及び支持基板を封止する封止材と、を有し、支持基板が封止材より弾性係数の高い接合部材により実装基板に支持されている構成の物理量センサーが知られている(例えば、特許文献1参照)。
この物理量センサーは、上記接合部材を用いることにより、支持基板(物理量センサー素子)と実装基板との接合強度を高めることができるとされている。
この物理量センサーは、上記接合部材を用いることにより、支持基板(物理量センサー素子)と実装基板との接合強度を高めることができるとされている。
特許文献1によれば、上記物理量センサーは、支持基板と実装基板とがワイヤーで接続され、このワイヤーや、物理量センサー素子及び支持基板を封止する封止材に、エポキシ系樹脂などからなる接合部材より弾性係数が低いシリコーン系樹脂が用いられている。
これにより、上記物理量センサーは、外部から衝撃が加わった際に、封止材であるシリコーン系樹脂が搖動(振動)し、シリコーン系樹脂に覆われているワイヤーに応力が生じて断線などの不具合が発生する虞がある。
この結果、上記物理量センサーは、信頼性が低下する虞がある。
これにより、上記物理量センサーは、外部から衝撃が加わった際に、封止材であるシリコーン系樹脂が搖動(振動)し、シリコーン系樹脂に覆われているワイヤーに応力が生じて断線などの不具合が発生する虞がある。
この結果、上記物理量センサーは、信頼性が低下する虞がある。
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]本適用例にかかるモジュールは、第1の機能素子と、前記第1の機能素子に積載されている第2の機能素子と、前記第1の機能素子及び前記第2の機能素子を保護する封止樹脂と、を備え、前記第1の機能素子は、第1基板と、前記第1基板に接続されている蓋体と、を備え、前記第2の機能素子は、前記封止樹脂より弾性率が低い接合樹脂を介して前記第1の機能素子の前記蓋体上に積載され、前記接合樹脂は、前記センサー基板と前記蓋体との接合部の少なくとも一部にまで延出していることを特徴とする。
これによれば、モジュールは、第2の機能素子が封止樹脂より弾性率が低い接合樹脂を介して第1の機能素子の蓋体に接合されている。そして、接合樹脂は、蓋体の側面に延在し、第1基板と蓋体との接合部の少なくとも一部を覆っている。
この結果、モジュールは、封止樹脂より弾性率が低い接合樹脂によって、封止樹脂による封止時(例えば、トランスファーモールド法によるモールド時)の第1基板と蓋体との接合部への圧力を緩和できることから、接合部の損傷を回避することができる。
これにより、モジュールは、信頼性を向上させることができる。
この結果、モジュールは、封止樹脂より弾性率が低い接合樹脂によって、封止樹脂による封止時(例えば、トランスファーモールド法によるモールド時)の第1基板と蓋体との接合部への圧力を緩和できることから、接合部の損傷を回避することができる。
これにより、モジュールは、信頼性を向上させることができる。
[適用例2]上記適用例にかかるモジュールにおいて、前記第1の機能素子と前記第2の機能素子とを電気的に接続する接続部材を備え、前記第1基板の主面には、前記蓋体が接続される蓋体接続領域と、前期蓋体接続領域の外側にあり前記接続部材を接続する配線接続領域が備えられ、前記蓋体接続領域と前記配線接続領域との間に、前記接合樹脂の流出防止部が設けられていることが好ましい。
これによれば、モジュールは、蓋体接続領域と配線接続領域との間に、接合樹脂の流出防止部が設けられていることから、蓋体との接合部を覆う接合樹脂が、配線接続領域まで流出し、接続部材との接続不良などの不具合が生じることを回避できる。
[適用例3]上記適用例にかかるモジュールにおいて、前記接合樹脂は、前記第2の機能素子と前記蓋体とを接合している部分の厚さが、前記第1基板と前記蓋体との接合部を覆っている部分の厚さより薄いことが好ましい。
これによれば、モジュールは、接合樹脂の第2の機能素子と蓋体とを接合している部分の厚さが、第1基板と蓋体との接合部を覆っている部分の厚さより薄いことから、第1基板と蓋体との接合部への封止樹脂による圧力の緩和を図りつつ、例えば、接続部材としてのワイヤーの、ワイヤーボンディング時に第2の機能素子へ加わる力(超音波)の減殺(減衰)を回避し、第2の機能素子へのワイヤーボンディング性を確保することができる。
[適用例4]上記適用例にかかるモジュールにおいて、前記第2の機能素子の平面積は、前記第1の機能素子の前記蓋体の平面積より大きいことが好ましい。
これによれば、モジュールは、第2の機能素子の平面積が蓋体の平面積より大きいことから、平面視で、第2の機能素子が蓋体からはみ出すことになる。これにより、モジュールは、第2の機能素子の蓋体への接合時に接合樹脂が広がりやすくなり、接合樹脂の蓋体の側面への延在が容易となる(換言すれば、接合樹脂が蓋体の側面へ垂れやすくなる)。
この結果、モジュールは、蓋体の側面へ延在している接合樹脂によって第1基板と蓋体との接合部を確実に覆うことができる。
この結果、モジュールは、蓋体の側面へ延在している接合樹脂によって第1基板と蓋体との接合部を確実に覆うことができる。
[適用例5]上記適用例にかかるモジュールにおいて、前記第1の機能素子は、物理量センサーであり、前記第1基板と前記蓋体を含む部材により構成される空間内に物理量検出部を備えることが好ましい。
これによれば、モジュールは、第1基板と蓋体を含む部材により構成される空間内に物理量検出部を備えた物理量センサーとして機能する。
[適用例6]上記適用例にかかるモジュールにおいて、前記第2の機能素子は、集積回路を備えた電子部品であることが好ましい。
これによれば、モジュールは、例えば、集積回路を備えた物理量センサーとして機能する。
[適用例7]本適用例にかかるモジュールの製造方法は、第1基板と、前記第1基板に接続されている蓋体と、を少なくとも備えた第1の機能素子を用意する工程と、前記第1の機能素子の前記蓋体上に接合樹脂を形成する工程と、前記接合樹脂上に第2の機能素子を載置し、前記第2の機能素子を押圧して前記蓋体の側面にまで前記接合樹脂を延在させる工程と、を含むことを特徴とする。
これによれば、モジュールの製造方法は、第2の機能素子を押圧することにより接合樹脂を押し広げ、接合樹脂を自重によって蓋体の側面に延在させることから、接合樹脂による第2の機能素子の蓋体への接合(固定)と、接合樹脂による第1基板と蓋体との接合部の被覆とを、一括して行うことができる。
この結果、モジュールの製造方法は、接合樹脂による第2の機能素子の蓋体への接合と、接合樹脂による第1基板と蓋体との接合部の被覆とを、別工程で行う場合より生産性を向上させることができる。
この結果、モジュールの製造方法は、接合樹脂による第2の機能素子の蓋体への接合と、接合樹脂による第1基板と蓋体との接合部の被覆とを、別工程で行う場合より生産性を向上させることができる。
[適用例8]上記適用例にかかるモジュールの製造方法において、前記接合樹脂を延在させる工程は、前記第2の機能素子を押圧することにより前記接合樹脂を押し広げ、前記接合樹脂を自重によって前記蓋体の側面に延在させることが好ましい。
これによれば、モジュールの製造方法は、接合樹脂を延在させる工程が、第2の機能素子を押圧することにより接合樹脂を押し広げ、接合樹脂を自重によって蓋体の側面に延在させることから、接合樹脂を自重によって蓋体の側面へ延在させることが容易となる。
この結果、モジュールの製造方法は、接合樹脂による第1基板と蓋体との接合部の被覆を確実に行うことができる。
この結果、モジュールの製造方法は、接合樹脂による第1基板と蓋体との接合部の被覆を確実に行うことができる。
[適用例9]上記適用例にかかるモジュールの製造方法において、前記接合樹脂を、前記第2の機能素子で押圧前または押圧時に加熱して柔らかくする工程を含むことが好ましい。
これによれば、モジュールの製造方法は、接合樹脂を、前記第2の機能素子で押圧前または押圧時に加熱して柔らかくする工程を含むことから、接合樹脂を自重によって蓋体の側面へ延在させることが容易となる。
この結果、モジュールの製造方法は、接合樹脂による第1基板と蓋体との接合部の被覆を確実に行うことができる。
この結果、モジュールの製造方法は、接合樹脂による第1基板と蓋体との接合部の被覆を確実に行うことができる。
[適用例10]本適用例にかかる電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載のモジュールを備えていることを特徴とする。
これによれば、本構成の電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載のモジュールを備えていることから、上記適用例に記載の効果が反映され、信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
[適用例11]本適用例にかかる移動体は、上記適用例のいずれか一例に記載のモジュールを備えていることを特徴とする。
これによれば、本構成の移動体は、上記適用例のいずれか一例に記載のモジュールを備えていることから、上記適用例に記載の効果が反映され、信頼性に優れた移動体を提供することができる。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。
(加速度センサー)
最初に、モジュールの一例としての加速度センサー(物理量センサー)について説明する。
図1は、加速度センサーの概略構成を示す模式斜視図である。図2は、図1の加速度センサーの模式平断面図であり、図2(a)は模式平面図、図2(b)は、図2(a)のA−A線での模式断面図である。なお、図2(a)では、説明の便宜上、一部の構成要素を省略してある。また、以降の図を含め各図において、分かり易くするために、各構成要素の寸法比率は実際と異なる。また、図中のX軸、Y軸、Z軸は、互いに直交する座標軸であり、矢印の方向が+(プラス)方向である。
最初に、モジュールの一例としての加速度センサー(物理量センサー)について説明する。
図1は、加速度センサーの概略構成を示す模式斜視図である。図2は、図1の加速度センサーの模式平断面図であり、図2(a)は模式平面図、図2(b)は、図2(a)のA−A線での模式断面図である。なお、図2(a)では、説明の便宜上、一部の構成要素を省略してある。また、以降の図を含め各図において、分かり易くするために、各構成要素の寸法比率は実際と異なる。また、図中のX軸、Y軸、Z軸は、互いに直交する座標軸であり、矢印の方向が+(プラス)方向である。
図1、図2に示すように、加速度センサー1は、実装基板10と、実装基板10に載置されている第1の機能素子としてのセンサー素子20と、センサー素子20に積載されている第2の機能素子としてのICチップ30と、センサー素子20及び実装基板10の少なくとも一方(ここでは両方)とICチップ30とを接続する接続部材としてのワイヤー40と、実装基板10に載置され、センサー素子20、ICチップ30、ワイヤー40を覆う封止樹脂50と、を備えている。
実装基板10は、矩形平板状であり、ガラスエポキシ樹脂基板、アルミナ基板、セラミック基板などが用いられている。なお、ガラスエポキシ樹脂基板を用いる場合には、耐熱温度が他のグレードよりも高いFR−5相当品を選択することが、ワイヤー40のワイヤーボンディング性の観点から好ましい。
実装基板10の一方の主面11(Z軸と直交する面の一方)の+X側の端部には、ICチップ30と電気的に接続される複数の接続電極12が設けられ、一方の主面11の反対側の他方の主面13(Z軸と直交する面の他方)には、電子機器などの外部部材と電気的に接続される複数の外部電極14が設けられている。なお、接続電極12と外部電極14とは、図示しない配線により電気的に接続されている。
実装基板10の主面11側の略中央部には、図示しないダイアタッチ用接着剤、ダイアタッチフィルム(DAF)などの接合部材によりセンサー素子20が接合(固定)されている。
実装基板10の一方の主面11(Z軸と直交する面の一方)の+X側の端部には、ICチップ30と電気的に接続される複数の接続電極12が設けられ、一方の主面11の反対側の他方の主面13(Z軸と直交する面の他方)には、電子機器などの外部部材と電気的に接続される複数の外部電極14が設けられている。なお、接続電極12と外部電極14とは、図示しない配線により電気的に接続されている。
実装基板10の主面11側の略中央部には、図示しないダイアタッチ用接着剤、ダイアタッチフィルム(DAF)などの接合部材によりセンサー素子20が接合(固定)されている。
センサー素子20は、略矩形平板状の第1基板としてのセンサー基板21と、センサー基板21の主面22(Z軸と直交する面の一方)側に配置されている検出部200と、検出部200を覆いセンサー基板21の主面22側に接合されている略矩形平板状の蓋体23と、を有している。
センサー基板21の主面22の−(マイナス)X側の端部には、ワイヤー40との接続部(配線接続領域)としての複数の端子電極(第1端子電極234、第2端子電極240、第3端子電極246)が設けられている。なお、センサー素子20の詳細は後述する。
センサー基板21の主面22の−(マイナス)X側の端部には、ワイヤー40との接続部(配線接続領域)としての複数の端子電極(第1端子電極234、第2端子電極240、第3端子電極246)が設けられている。なお、センサー素子20の詳細は後述する。
センサー素子20の蓋体23の上面(Z軸と直交する面のうち、+Z側の面)には、封止樹脂50より弾性率が低い接合樹脂60を介してICチップ30が接合(固定)されている。
接合樹脂60は、蓋体23の上面から側面に延在し(垂れ)、センサー基板21と蓋体23との接合部24の少なくとも一部(ここでは全部)を覆っている。
ここで、図2(b)に示すように、接合樹脂60は、ICチップ30と蓋体23とを接合している部分の厚さT1が、センサー基板21と蓋体23との接合部24を覆っている部分の厚さT2より薄いことが好ましい。
接合樹脂60は、蓋体23の上面から側面に延在し(垂れ)、センサー基板21と蓋体23との接合部24の少なくとも一部(ここでは全部)を覆っている。
ここで、図2(b)に示すように、接合樹脂60は、ICチップ30と蓋体23とを接合している部分の厚さT1が、センサー基板21と蓋体23との接合部24を覆っている部分の厚さT2より薄いことが好ましい。
また、センサー基板21の主面22側の第1端子電極234、第2端子電極240、第3端子電極246と、蓋体23との接合部(蓋体接続領域)24との間には、Y軸に沿って堤防状に延びる流出防止部25が設けられていることが好ましい。
なお、封止樹脂50には、例えば、エポキシ系樹脂(弾性率の一例:数GPa)などが用いられ、接合樹脂60には、エポキシ系樹脂より弾性率が低い、例えば、シリコーン系樹脂(弾性率の一例:数MPa〜数十MPa)などが用いられている。
なお、封止樹脂50には、例えば、エポキシ系樹脂(弾性率の一例:数GPa)などが用いられ、接合樹脂60には、エポキシ系樹脂より弾性率が低い、例えば、シリコーン系樹脂(弾性率の一例:数MPa〜数十MPa)などが用いられている。
ICチップ30は、集積回路を備えた電子部品であり、例えば、加速度検出回路を有し、センサー素子20の検出部200に生じた加速度検出信号を増幅し、所望の電気信号に変換して出力する機能を備えている。
ICチップ30の図示しない端子は、ワイヤーボンディング法を用いてAu、Alなどからなるワイヤー40により、センサー素子20の第1端子電極234、第2端子電極240、第3端子電極246及び実装基板10の接続電極12と電気的に接続されている。
なお、ICチップ30の平面積(Z軸方向から見た投影面積)は、蓋体23の平面積(Z軸方向から見た上面の投影面積)より大きいことが好ましい。換言すれば、ICチップ30は、平面視で外形が蓋体23の上面からはみ出すことが好ましい。
ICチップ30の図示しない端子は、ワイヤーボンディング法を用いてAu、Alなどからなるワイヤー40により、センサー素子20の第1端子電極234、第2端子電極240、第3端子電極246及び実装基板10の接続電極12と電気的に接続されている。
なお、ICチップ30の平面積(Z軸方向から見た投影面積)は、蓋体23の平面積(Z軸方向から見た上面の投影面積)より大きいことが好ましい。換言すれば、ICチップ30は、平面視で外形が蓋体23の上面からはみ出すことが好ましい。
封止樹脂50は、トランスファーモールド法などにより、実装基板10の主面11側に略直方体形状に成形(モールド)されている。これにより、封止樹脂50は、実装基板10の主面11側と、センサー基板21と蓋体23との接合部24が接合樹脂60に覆われているセンサー素子20と、接合樹脂60を介してセンサー素子20に接合されているICチップ30と、実装基板10及びセンサー素子20とICチップ30とを接続しているワイヤー40と、を覆っている(封止している)ことになる。
ここで、センサー素子20の構成について詳述する。
図3は、センサー素子の概略構成を示す模式平面図である。図4は、図3のセンサー素子の概略構成を示す模式斜視図である。図5は、図3のB−B線での模式断面図である。図6は、図3のC部の模式拡大図であり、図6(a)は模式平面図、図6(b)は、図6(a)のE−E線での模式断面図、図6(c)は、図6(a)のF−F線での模式断面図である。
図7は、図3のD部の模式拡大図であり、図7(a)は模式平面図、図7(b)は、図7(a)のG−G線での模式断面図である。図8は、図3のH−H線での模式拡大断面図である。
図3は、センサー素子の概略構成を示す模式平面図である。図4は、図3のセンサー素子の概略構成を示す模式斜視図である。図5は、図3のB−B線での模式断面図である。図6は、図3のC部の模式拡大図であり、図6(a)は模式平面図、図6(b)は、図6(a)のE−E線での模式断面図、図6(c)は、図6(a)のF−F線での模式断面図である。
図7は、図3のD部の模式拡大図であり、図7(a)は模式平面図、図7(b)は、図7(a)のG−G線での模式断面図である。図8は、図3のH−H線での模式拡大断面図である。
図3〜図5に示すように、センサー素子20は、センサー基板21と、センサー基板21の主面22側に配置されている物理量検出部としての検出部200と、検出部200を覆いセンサー基板21の主面22側に接合されている蓋体23と、を有している。
検出部200は、センサー基板21の主面22上に積層された図示しない半導体基板から、フォトリソグラフィー及びエッチングにより形成された、可動部268と、複数の第1固定電極指278と、複数の第2固定電極指280と、を備えている。
検出部200は、センサー基板21の主面22上に積層された図示しない半導体基板から、フォトリソグラフィー及びエッチングにより形成された、可動部268と、複数の第1固定電極指278と、複数の第2固定電極指280と、を備えている。
複数の第1固定電極指278及び第2固定電極指280は、センサー基板21の主面22に接合されている。センサー基板21の主面22は、−(マイナス)X方向の端部が、第1端子電極234、第2端子電極240、第3端子電極246を有する端子部220となっており、端子部220以外の領域は、主面22側に凹部23aを有する蓋体23により覆われている。
また、主面22の略中央部には、可動部268とセンサー基板21との干渉を回避するために平面形状が略矩形状の凹部222が設けられている。これにより、可動部268の可動領域(変位領域)は、平面視で凹部222内に収まることになる。
また、主面22の略中央部には、可動部268とセンサー基板21との干渉を回避するために平面形状が略矩形状の凹部222が設けられている。これにより、可動部268の可動領域(変位領域)は、平面視で凹部222内に収まることになる。
主面22には、凹部222の外周に沿って第1溝部224が設けられ、第1溝部224の外周に沿って第2溝部226が設けられている。また、主面22の端子部220側には、第1溝部224を挟んで第2溝部226の反対側に第3溝部228が設けられている。
図3に示すように、第1溝部224、第2溝部226は、凹部222の−Y側から反時計回りに凹部222を取り囲むように延在し、凹部222の−X側の端子部220まで設けられている。第3溝部228は、凹部222の−X側から第1溝部224、第2溝部226に沿って端子部220まで設けられている。
図3に示すように、第1溝部224、第2溝部226は、凹部222の−Y側から反時計回りに凹部222を取り囲むように延在し、凹部222の−X側の端子部220まで設けられている。第3溝部228は、凹部222の−X側から第1溝部224、第2溝部226に沿って端子部220まで設けられている。
センサー基板21の構成材料としては、ガラス、高抵抗シリコンなどの絶縁材料を用いるのが好ましい。特に、可動部268、第1固定電極指278、第2固定電極指280となる半導体基板が、シリコンなどの半導体材料を主材料として構成されている場合には、センサー基板21の構成材料として、アルカリ金属イオン(可動イオン)を含むガラス(例えば、パイレックス(登録商標)のような硼珪酸ガラス)を用いるのが好ましい。
これにより、センサー素子20は、センサー基板21と半導体基板とを陽極接合することができる。また、センサー素子20は、センサー基板21にアルカリ金属イオンを含むガラスを用いることにより、センサー基板21と半導体基板とを容易に絶縁分離することができる。
これにより、センサー素子20は、センサー基板21と半導体基板とを陽極接合することができる。また、センサー素子20は、センサー基板21にアルカリ金属イオンを含むガラスを用いることにより、センサー基板21と半導体基板とを容易に絶縁分離することができる。
なお、センサー基板21は、必ずしも絶縁性を有さなくてもよく、例えば低抵抗シリコンからなる導電性基板であってもよい。この場合は、センサー基板21と半導体基板との間に絶縁膜を挟んで双方を絶縁分離することになる。
また、センサー基板21の構成材料は、半導体基板の構成材料との熱膨張係数差ができるだけ小さいことが好ましく、具体的には、センサー基板21の構成材料と半導体基板の構成材料との熱膨張係数差が3ppm/℃以下であることが好ましい。これにより、センサー素子20は、センサー基板21と半導体基板との間の残留応力を低減することができる。
また、センサー基板21の構成材料は、半導体基板の構成材料との熱膨張係数差ができるだけ小さいことが好ましく、具体的には、センサー基板21の構成材料と半導体基板の構成材料との熱膨張係数差が3ppm/℃以下であることが好ましい。これにより、センサー素子20は、センサー基板21と半導体基板との間の残留応力を低減することができる。
第1溝部224の底面には、第1溝部224に沿って第1配線230が設けられ、第2溝部226の底面には、第2溝部226に沿って第2配線236が設けられ、第3溝部228の底面には、第3溝部228に沿って第3配線242が設けられている。
第1配線230は、第1固定電極指278と電気的に接続される配線であり、第2配線236は、第2固定電極指280と電気的に接続される配線であり、第3配線242は、後述する固定部276と電気的に接続される配線である。
なお、第1配線230、第2配線236、第3配線242の各端部(端子部220に配置される端部)は、それぞれ第1端子電極234、第2端子電極240、第3端子電極246となっている。
第1配線230は、第1固定電極指278と電気的に接続される配線であり、第2配線236は、第2固定電極指280と電気的に接続される配線であり、第3配線242は、後述する固定部276と電気的に接続される配線である。
なお、第1配線230、第2配線236、第3配線242の各端部(端子部220に配置される端部)は、それぞれ第1端子電極234、第2端子電極240、第3端子電極246となっている。
第1配線230、第2配線236、第3配線242の構成材料としては、それぞれ導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、ITO(Indim Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、In3O3、SnO2、Sb含有SnO2、Al含有ZnOなどの酸化物(透明電極材料)、Au、Pt、Ag、Cu、Al、またはこれらを含む合金などが挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、センサー素子20は、各配線の構成材料が透明電極材料(特にITO)であれば、センサー基板21が透明であった場合、第1固定電極指278、第2固定電極指280の面上に存在する異物などをセンサー基板21の主面22側とは反対側の面から容易に視認することができ、検査を効率的に行うことができる。
なお、センサー素子20は、各配線の構成材料が透明電極材料(特にITO)であれば、センサー基板21が透明であった場合、第1固定電極指278、第2固定電極指280の面上に存在する異物などをセンサー基板21の主面22側とは反対側の面から容易に視認することができ、検査を効率的に行うことができる。
可動部268は、アーム270、可動電極指272、可撓部274、固定部276により構成されている。このうち、アーム270、可動電極指272、可撓部274は、センサー基板21の凹部222に対向する位置、換言すればZ軸方向から見て凹部222内に収まる位置に配置されている。
図3に示すように、アーム270は、X軸に沿って梁状(柱状)に延在し、変位方向であるX軸方向の両端部に可撓部274が配置されている。複数の可動電極指272は、アーム270の延在方向に沿って一定の間隔で、アーム270の延在方向と直交する方向(Y軸方向)に櫛歯状に延設されている。
図3に示すように、アーム270は、X軸に沿って梁状(柱状)に延在し、変位方向であるX軸方向の両端部に可撓部274が配置されている。複数の可動電極指272は、アーム270の延在方向に沿って一定の間隔で、アーム270の延在方向と直交する方向(Y軸方向)に櫛歯状に延設されている。
可撓部274は、アーム270の+Y側と−Y側とに対になって設けられ、それぞれY軸方向へ折り返しながらX軸方向へ延在し固定部276に接続されている。可撓部274は、X軸方向から印加される外力によりX軸方向に撓む(変形する)ように形成されている。なお、可撓部274は、X軸方向以外の方向、例えば、Y軸方向及びZ軸方向から印加される外力に対しては変形しにくい構造となっている。
固定部276は、可撓部274の端部に接続されるとともにセンサー基板21に接合されている。また固定部276の一方(凹部222の−X側に位置する方)は、センサー基板21の第3溝部228を跨ぐ位置に配置されている。
上記の構成によりアーム270は、X軸方向から加わる加速度に対しては変位しやすく、Y軸方向及びZ軸方向から加わる加速度に対しては変位しにくい構成となっている。
固定部276は、可撓部274の端部に接続されるとともにセンサー基板21に接合されている。また固定部276の一方(凹部222の−X側に位置する方)は、センサー基板21の第3溝部228を跨ぐ位置に配置されている。
上記の構成によりアーム270は、X軸方向から加わる加速度に対しては変位しやすく、Y軸方向及びZ軸方向から加わる加速度に対しては変位しにくい構成となっている。
第1固定電極指278は、センサー基板21の第1溝部224及び第2溝部226を跨ぐ位置に配置されている。また、第1固定電極指278は、Z軸方向から見て(平面視で)凹部222と一部が重なるように配置されている。
第2固定電極指280は、第1固定電極指278と平行に配置され、センサー基板21の第1溝部224及び第2溝部226を跨ぐ位置に配置されている。また、第2固定電極指280は、第1固定電極指278と同様に、Z軸方向から見て凹部222と一部が重なるように配置されている。第1固定電極指278及び第2固定電極指280は、櫛歯状に配置された各可動電極指272間に挟まれるように配置されている。
第2固定電極指280は、第1固定電極指278と平行に配置され、センサー基板21の第1溝部224及び第2溝部226を跨ぐ位置に配置されている。また、第2固定電極指280は、第1固定電極指278と同様に、Z軸方向から見て凹部222と一部が重なるように配置されている。第1固定電極指278及び第2固定電極指280は、櫛歯状に配置された各可動電極指272間に挟まれるように配置されている。
図6に示すように、第1配線230の、平面視で第1固定電極指278と重なる位置には、導電性を有する突起部254が形成されている。
センサー素子20は、突起部254を介して第1配線230と第1固定電極指278とが電気的に接続されている。これにより、第1端子電極234は、第1配線230を介して第1固定電極指278と電気的に接続されていることになる。
センサー素子20は、突起部254を介して第1配線230と第1固定電極指278とが電気的に接続されている。これにより、第1端子電極234は、第1配線230を介して第1固定電極指278と電気的に接続されていることになる。
同様に、第2配線236の、平面視で第2固定電極指280と重なる位置には、導電性を有する突起部256が形成されている。
センサー素子20は、突起部256を介して第2配線236と第2固定電極指280とが電気的に接続されている。これにより、第2端子電極240は、第2配線236を介して第2固定電極指280と電気的に接続されていることになる。
センサー素子20は、突起部256を介して第2配線236と第2固定電極指280とが電気的に接続されている。これにより、第2端子電極240は、第2配線236を介して第2固定電極指280と電気的に接続されていることになる。
図7に示すように、第3配線242の、平面視で凹部222の−X側の固定部276と重なる位置には、導電性を有する突起部258が形成されている。
センサー素子20は、突起部258を介して第3配線242と固定部276とが電気的に接続されている。これにより、第3端子電極246は、第3配線242を介して固定部276と電気的に接続され、固定部276から可撓部274、アーム270を介して可動電極指272と電気的に接続されていることになる。
センサー素子20は、突起部258を介して第3配線242と固定部276とが電気的に接続されている。これにより、第3端子電極246は、第3配線242を介して固定部276と電気的に接続され、固定部276から可撓部274、アーム270を介して可動電極指272と電気的に接続されていることになる。
突起部254,256,258の構成材料は、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、Au、Pt、Ag、Cu、Alなどの金属単体またはこれらを含む合金などの金属が好適に用いられる。
なお、突起部254,256,258は、例えば、センサー基板21の各溝部の底面から突出した突起が各配線に覆われている構成としてもよい。
また、第1配線230、第2配線236、第3配線242の、第1端子電極234、第2端子電極240、第3端子電極246及び突起部254,256,258を除く領域は、他の構成要素との短絡を回避するために、例えば、SiO2を含む絶縁膜262で覆われていることが好ましい。
なお、突起部254,256,258は、例えば、センサー基板21の各溝部の底面から突出した突起が各配線に覆われている構成としてもよい。
また、第1配線230、第2配線236、第3配線242の、第1端子電極234、第2端子電極240、第3端子電極246及び突起部254,256,258を除く領域は、他の構成要素との短絡を回避するために、例えば、SiO2を含む絶縁膜262で覆われていることが好ましい。
蓋体23は、センサー基板21の主面22に、例えば、接着剤を用いた接合法、陽極接合法、直接接合法などを用いて接合(固定)されている。
蓋体23の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、シリコン材料、ガラス材料などを好適に用いることができる。
図8に示すように、蓋体23の接合に陽極接合法などを用いた場合、蓋体23とセンサー基板21の主面22の第1溝部224、第2溝部226、第3溝部228との間には、若干の隙間が生じることから、封止材26が各溝部を覆うように成膜されることにより、この隙間が気密に封止されている。
封止材26には、例えば、SiO2、SiNなどの絶縁材料が用いられている。
蓋体23の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、シリコン材料、ガラス材料などを好適に用いることができる。
図8に示すように、蓋体23の接合に陽極接合法などを用いた場合、蓋体23とセンサー基板21の主面22の第1溝部224、第2溝部226、第3溝部228との間には、若干の隙間が生じることから、封止材26が各溝部を覆うように成膜されることにより、この隙間が気密に封止されている。
封止材26には、例えば、SiO2、SiNなどの絶縁材料が用いられている。
図8に2点鎖線で示すように、センサー素子20は、例えば、スパッタ法、CVD法などを用いた封止材26の成膜の際に、封止材26が第1端子電極234、第2端子電極240、第3端子電極246に付着しないように、蓋体23の一部が第1端子電極234、第2端子電極240、第3端子電極246を覆うように延設されている。
これにより、製造工程中の蓋体23には、X軸に沿った断面がV字状で、Y軸に沿って伸びる溝部(長穴)が設けられていることになる。
センサー素子20は、封止材26の成膜後、延設されている蓋体23の一部を、研磨、研削などの方法を用いて+Z側から部分的に除去することにより、堤防状の流出防止部25が形成されることになる。これにより、流出防止部25は、蓋体23と別部材で形成する場合より生産性が向上する。なお、図8以外の図では、便宜上、封止材26を省略してある。
これにより、製造工程中の蓋体23には、X軸に沿った断面がV字状で、Y軸に沿って伸びる溝部(長穴)が設けられていることになる。
センサー素子20は、封止材26の成膜後、延設されている蓋体23の一部を、研磨、研削などの方法を用いて+Z側から部分的に除去することにより、堤防状の流出防止部25が形成されることになる。これにより、流出防止部25は、蓋体23と別部材で形成する場合より生産性が向上する。なお、図8以外の図では、便宜上、封止材26を省略してある。
蓋体23の接合及び封止材26の成膜により気密に封止されたセンサー素子20の内部空間Sは、減圧状態(真空度の高い状態)または窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが充填された状態となっている。
ここで、センサー素子20の動作について説明する。
図3に戻って、センサー素子20は、第1固定電極指278と、第1固定電極指278に−X側から対向する可動電極指272との間で第1コンデンサーが形成され、第2固定電極指280と、第2固定電極指280に+X側から対向する可動電極指272との間で第2コンデンサーが形成される。
この状態で、センサー素子20に、例えば、−X方向に加速度が印加されると、アーム270及び可動電極指272が慣性により+X方向に変位する。このとき、第1固定電極指278と可動電極指272との間隔は狭くなるので、第1コンデンサーの静電容量は増加する。また、第2固定電極指280と可動電極指272との間隔は広くなるので、第2コンデンサーの静電容量は減少する。
逆に、+X方向に加速度が印加され、アーム270及び可動電極指272が−X方向に変位すると、第1コンデンサーの静電容量は減少し、第2コンデンサーの静電容量は増加する。
図3に戻って、センサー素子20は、第1固定電極指278と、第1固定電極指278に−X側から対向する可動電極指272との間で第1コンデンサーが形成され、第2固定電極指280と、第2固定電極指280に+X側から対向する可動電極指272との間で第2コンデンサーが形成される。
この状態で、センサー素子20に、例えば、−X方向に加速度が印加されると、アーム270及び可動電極指272が慣性により+X方向に変位する。このとき、第1固定電極指278と可動電極指272との間隔は狭くなるので、第1コンデンサーの静電容量は増加する。また、第2固定電極指280と可動電極指272との間隔は広くなるので、第2コンデンサーの静電容量は減少する。
逆に、+X方向に加速度が印加され、アーム270及び可動電極指272が−X方向に変位すると、第1コンデンサーの静電容量は減少し、第2コンデンサーの静電容量は増加する。
したがって、センサー素子20は、第1端子電極234と第3端子電極246との間で検出される第1コンデンサーの静電容量の変化と、第2端子電極240と第3端子電極246との間で検出される第2コンデンサーの静電容量の変化との差分を検出することにより、センサー素子20に印加される加速度の大きさとその方向を加速度検出信号として検出することができる。そして、センサー素子20は、2つのコンデンサーの静電容量の変化の差分を検出するので、高い感度で加速度を検出することができる。
加速度センサー1は、上述したセンサー素子20の加速度検出信号を、ICチップ30の加速度検出回路で増幅し、所望の電気信号に変換して出力する。
加速度センサー1は、上述したセンサー素子20の加速度検出信号を、ICチップ30の加速度検出回路で増幅し、所望の電気信号に変換して出力する。
上述したように、加速度センサー1は、実装基板10と、実装基板10に載置されているセンサー素子20と、センサー素子20に積層されている機能素子としてのICチップ30と、センサー素子20及び実装基板10の少なくとも一方(ここでは両方)とICチップ30とを接続するワイヤー40と、実装基板10に載置され、センサー素子20、ICチップ30、ワイヤー40を覆う封止樹脂50と、を備えている。
そして、ICチップ30は、封止樹脂50より弾性率が低い接合樹脂60を介してセンサー素子20の蓋体23に接合されている。そして、接合樹脂60は、蓋体23の側面に延在し、センサー基板21と蓋体23との接合部24の少なくとも一部(ここでは全部)を覆っている。
そして、ICチップ30は、封止樹脂50より弾性率が低い接合樹脂60を介してセンサー素子20の蓋体23に接合されている。そして、接合樹脂60は、蓋体23の側面に延在し、センサー基板21と蓋体23との接合部24の少なくとも一部(ここでは全部)を覆っている。
この結果、加速度センサー1は、封止樹脂50より弾性率が低い接合樹脂60によって、封止樹脂50による封止時(例えば、トランスファーモールド法によるモールド時)のセンサー基板21と蓋体23との接合部24への圧力を緩和できることから、接合部24の損傷を回避することができる。
加えて、加速度センサー1は、ワイヤー40が接合樹脂60より弾性率が高い(換言すれば、揺動しにくい)封止樹脂50に覆われていることによって、外部から衝撃が加わった際の封止樹脂50の揺動(振動)に起因するワイヤー40の断線などの不具合を低減できる。
これらにより、加速度センサー1は、信頼性を向上させることができる。
加えて、加速度センサー1は、ワイヤー40が接合樹脂60より弾性率が高い(換言すれば、揺動しにくい)封止樹脂50に覆われていることによって、外部から衝撃が加わった際の封止樹脂50の揺動(振動)に起因するワイヤー40の断線などの不具合を低減できる。
これらにより、加速度センサー1は、信頼性を向上させることができる。
また、加速度センサー1は、センサー基板21の蓋体23との接合部24と、ワイヤー40との接続部としての第1端子電極234、第2端子電極240、第3端子電極246との間に、堤防状の流出防止部25が設けられている。
これにより、加速度センサー1は、接合樹脂60が蓋体23との接合部24から第1端子電極234、第2端子電極240、第3端子電極246まで流出し、ワイヤーボンディング時にワイヤー40との接続不良などの不具合が生じることを回避できる。
これにより、加速度センサー1は、接合樹脂60が蓋体23との接合部24から第1端子電極234、第2端子電極240、第3端子電極246まで流出し、ワイヤーボンディング時にワイヤー40との接続不良などの不具合が生じることを回避できる。
また、加速度センサー1は、接合樹脂60のICチップ30と蓋体23とを接合している部分の厚さT1が、センサー基板21と蓋体23との接合部24を覆っている部分の厚さT2より薄い。このことから、加速度センサー1は、センサー基板21と蓋体23との接合部24への、トランスファーモールド時の封止樹脂50による圧力の緩和を図りつつ、ワイヤーボンディング時にICチップ30へ加わる力(超音波)の減殺(減衰)を回避し、ワイヤー40のICチップ30へのワイヤーボンディング性を確保することができる。
また、加速度センサー1は、ICチップ30の平面積が蓋体23の平面積より大きいことから、平面視でICチップ30が蓋体23からはみ出すことになる。これにより、加速度センサー1は、ICチップ30の蓋体23への接合時に接合樹脂60が広がりやすくなり、接合樹脂60の蓋体23の側面への延在が容易となる(換言すれば、蓋体23の側面へ垂れやすくなる)。
この結果、加速度センサー1は、蓋体23の側面へ延在している接合樹脂60によってセンサー基板21と蓋体23との接合部24を確実に覆うことができる。
この結果、加速度センサー1は、蓋体23の側面へ延在している接合樹脂60によってセンサー基板21と蓋体23との接合部24を確実に覆うことができる。
なお、加速度センサー1は、流出防止部25が蓋体23と別部材で構成されていてもよく、製造工程の中で治具などにより接合樹脂60の第1端子電極234、第2端子電極240、第3端子電極246への流出を防止可能であれば、流出防止部25がなくてもよい。
また、加速度センサー1は、接合樹脂60の蓋体23の側面への延在に支障がなければ、ICチップ30の平面積は、蓋体23の平面積以下であってもよい。
また、加速度センサー1は、接合樹脂60の蓋体23の側面への延在に支障がなければ、ICチップ30の平面積は、蓋体23の平面積以下であってもよい。
ここで、加速度センサー1の製造方法について説明する。
図9は、加速度センサーの主要な製造工程を示すフローチャートである。図10(a)〜図10(d)、図11(e)〜図11(h)は、加速度センサーの主要な製造工程を説明する模式断面図である。なお、各図の断面位置は、図2(b)と同じである。
図9は、加速度センサーの主要な製造工程を示すフローチャートである。図10(a)〜図10(d)、図11(e)〜図11(h)は、加速度センサーの主要な製造工程を説明する模式断面図である。なお、各図の断面位置は、図2(b)と同じである。
図9に示すように、加速度センサーの製造方法は、実装基板準備工程と、センサー素子準備工程と、センサー素子固定工程と、接合樹脂塗布工程と、接合樹脂軟化工程と、ICチップ準備工程と、ICチップ固定工程と、ワイヤーボンディング工程と、封止工程と、分割工程と、を含んでいる。
[実装基板準備工程]
まず、図10(a)に示すように、複数個取りされ(2点鎖線で示す部分)大判状になっている実装基板10を用意する。
まず、図10(a)に示すように、複数個取りされ(2点鎖線で示す部分)大判状になっている実装基板10を用意する。
[センサー素子準備工程]
ついで、図3、図4に示すようなセンサー素子20を用意する。なお、センサー素子20の製造方法については省略する。
ついで、図3、図4に示すようなセンサー素子20を用意する。なお、センサー素子20の製造方法については省略する。
[センサー素子固定工程]
ついで、図10(b)に示すように、図示しないダイアタッチ用接着剤、ダイアタッチフィルム(DAF)などの接合部材を介して、センサー素子20を実装基板10の主面11側の略中央に載置して固定(接合)する。
ついで、図10(b)に示すように、図示しないダイアタッチ用接着剤、ダイアタッチフィルム(DAF)などの接合部材を介して、センサー素子20を実装基板10の主面11側の略中央に載置して固定(接合)する。
[接合樹脂塗布工程]
ついで、図10(c)に示すように、センサー素子20の蓋体23の上面に、図示しないディスペンサーなどの塗布装置を用いて接合樹脂60を塗布する。
ついで、図10(c)に示すように、センサー素子20の蓋体23の上面に、図示しないディスペンサーなどの塗布装置を用いて接合樹脂60を塗布する。
[接合樹脂軟化工程]
ついで、図10(d)に示すように、蓋体23の上面に塗布された接合樹脂60を、図示しない加熱炉、恒温槽、乾燥機などの加熱装置を用いて加熱し軟化させる。
ついで、図10(d)に示すように、蓋体23の上面に塗布された接合樹脂60を、図示しない加熱炉、恒温槽、乾燥機などの加熱装置を用いて加熱し軟化させる。
[ICチップ準備工程]
ついで、図1に示すようなICチップ30を用意する。
ついで、図1に示すようなICチップ30を用意する。
[ICチップ固定工程]
ついで、図11(e)に示すように、蓋体23の上面に塗布された接合樹脂60にICチップ30を載置し、図示しない押圧装置を用いて矢印の方向にICチップ30を押圧することにより接合樹脂60を押し広げ、ICチップ30を蓋体23に固定するとともに、接合樹脂60を自重によって蓋体23の側面に延在させ(垂れさせ)、センサー基板21と蓋体23との接合部24の少なくとも一部(ここでは全部)を覆う。
この際、流出防止部25により接合樹脂60の、第1端子電極234、第2端子電極240、第3端子電極246への流出を防止する。
ついで、図11(e)に示すように、蓋体23の上面に塗布された接合樹脂60にICチップ30を載置し、図示しない押圧装置を用いて矢印の方向にICチップ30を押圧することにより接合樹脂60を押し広げ、ICチップ30を蓋体23に固定するとともに、接合樹脂60を自重によって蓋体23の側面に延在させ(垂れさせ)、センサー基板21と蓋体23との接合部24の少なくとも一部(ここでは全部)を覆う。
この際、流出防止部25により接合樹脂60の、第1端子電極234、第2端子電極240、第3端子電極246への流出を防止する。
[ワイヤーボンディング工程]
ついで、図11(f)に示すように、ICチップ30の図示しない端子と、センサー基板21の第1端子電極234、第2端子電極240、第3端子電極246及び実装基板10の接続電極12とを、ワイヤーボンディング法を用いてワイヤー40で接続する。
ついで、図11(f)に示すように、ICチップ30の図示しない端子と、センサー基板21の第1端子電極234、第2端子電極240、第3端子電極246及び実装基板10の接続電極12とを、ワイヤーボンディング法を用いてワイヤー40で接続する。
[封止工程]
ついで、図11(g)に示すように、トランスファーモールド法などを用いて、センサー素子20、ICチップ30、ワイヤー40、実装基板10の主面11側を封止樹脂50で覆う。
ついで、図11(g)に示すように、トランスファーモールド法などを用いて、センサー素子20、ICチップ30、ワイヤー40、実装基板10の主面11側を封止樹脂50で覆う。
[分割工程]
ついで、図11(h)に示すように、図示しないダイシングソーなどの切断装置により、個別に分割する。
上記の工程などを経ることにより、図1、図2に示すような加速度センサー1を得ることができる。
ついで、図11(h)に示すように、図示しないダイシングソーなどの切断装置により、個別に分割する。
上記の工程などを経ることにより、図1、図2に示すような加速度センサー1を得ることができる。
上述したように、加速度センサー1の製造方法は、実装基板10を用意する工程(実装基板準備工程)と、センサー素子20を用意する工程(センサー素子準備工程)と、実装基板10にセンサー素子20を載置する工程(センサー素子固定工程)と、センサー素子20の蓋体23上に接合樹脂60を塗布する工程(接合樹脂塗布工程)と、ICチップ30を用意する工程(ICチップ準備工程)と、蓋体23上に塗布された接合樹脂60にICチップ30を載置し、ICチップ30を押圧することにより接合樹脂60を押し広げ、接合樹脂60を自重によって蓋体23の側面に延在させ、センサー基板21と蓋体23との接合部24の少なくとも一部を覆う工程(ICチップ固定工程)と、を含んでいる。
これによれば、加速度センサー1の製造方法は、ICチップ30を押圧することにより接合樹脂60を押し広げ、接合樹脂60を自重によって蓋体23の側面に延在させる(垂れさせる)ことから、接合樹脂60によるICチップ30の蓋体23への接合(固定)と、接合樹脂60によるセンサー基板21と蓋体23との接合部24の被覆とを、一括して行うことができる。
この結果、加速度センサー1の製造方法は、接合樹脂60によるICチップ30の蓋体23への接合(固定)と、接合樹脂60によるセンサー基板21と蓋体23との接合部24の被覆とを、別工程で行う場合より生産性を向上させることができる。
この結果、加速度センサー1の製造方法は、接合樹脂60によるICチップ30の蓋体23への接合(固定)と、接合樹脂60によるセンサー基板21と蓋体23との接合部24の被覆とを、別工程で行う場合より生産性を向上させることができる。
また、加速度センサー1の製造方法は、接合樹脂60を、ICチップ30で押圧する前に加熱して柔らかくする工程(接合樹脂軟化工程)を含むことから、接合樹脂60を自重によって蓋体23の側面へ延在させることが容易となる。
この結果、加速度センサー1の製造方法は、接合樹脂60によるセンサー基板21と蓋体23との接合部24の被覆を確実に行うことができる。
この結果、加速度センサー1の製造方法は、接合樹脂60によるセンサー基板21と蓋体23との接合部24の被覆を確実に行うことができる。
なお、加速度センサー1の製造方法は、必要に応じて各工程の順番を入れ替えてもよい。例えば、実装基板準備工程、センサー素子準備工程、ICチップ準備工程は、最初に一括して行ってもよい。
また、接合樹脂軟化工程は、ICチップ固定工程の中で、ICチップ30押圧時に行ってもよい。これにより、加速度センサー1の製造方法は、生産性を更に向上させることができる。
なお、接合樹脂軟化工程は、蓋体23に塗布された接合樹脂60が比較的柔らかく、軟化させる必要がなければ省いてもよい。
また、加速度センサー1の製造方法は、上述したような複数個取りの方法ではなく、最初から個別に製造してもよい。この場合には、分割工程は不要となる。
また、接合樹脂軟化工程は、ICチップ固定工程の中で、ICチップ30押圧時に行ってもよい。これにより、加速度センサー1の製造方法は、生産性を更に向上させることができる。
なお、接合樹脂軟化工程は、蓋体23に塗布された接合樹脂60が比較的柔らかく、軟化させる必要がなければ省いてもよい。
また、加速度センサー1の製造方法は、上述したような複数個取りの方法ではなく、最初から個別に製造してもよい。この場合には、分割工程は不要となる。
(電子機器)
次に、上述したモジュールを備えている電子機器について説明する。
図12は、モジュールを備えている電子機器としてのモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューターの構成を示す模式斜視図である。
図12に示すように、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部1101を有する表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピューター1100には、モジュールとしての加速度センサー1が内蔵されている。
次に、上述したモジュールを備えている電子機器について説明する。
図12は、モジュールを備えている電子機器としてのモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューターの構成を示す模式斜視図である。
図12に示すように、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部1101を有する表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピューター1100には、モジュールとしての加速度センサー1が内蔵されている。
図13は、モジュールを備えている電子機器としての携帯電話機(PHSも含む)の構成を示す模式斜視図である。
図13に示すように、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204及び送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部1201が配置されている。
このような携帯電話機1200には、モジュールとしての加速度センサー1が内蔵されている。
図13に示すように、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204及び送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部1201が配置されている。
このような携帯電話機1200には、モジュールとしての加速度センサー1が内蔵されている。
図14は、モジュールを備えている電子機器としてのデジタルスチルカメラの構成を示す模式斜視図である。なお、この図14には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。
デジタルスチルカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面(図中手前側)には、表示部1310が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部1310は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
また、ケース1302の正面側(図中奥側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。
デジタルスチルカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面(図中手前側)には、表示部1310が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部1310は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
また、ケース1302の正面側(図中奥側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。
撮影者が表示部1310に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送・格納される。
また、このデジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子1312には、テレビモニター1430が、データ通信用の入出力端子1314には、パーソナルコンピューター1440が、それぞれ必要に応じて接続される。更に、所定の操作により、メモリー1308に格納された撮像信号が、テレビモニター1430や、パーソナルコンピューター1440に出力される構成になっている。
このようなデジタルスチルカメラ1300には、モジュールとしての加速度センサー1が内蔵されている。
また、このデジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子1312には、テレビモニター1430が、データ通信用の入出力端子1314には、パーソナルコンピューター1440が、それぞれ必要に応じて接続される。更に、所定の操作により、メモリー1308に格納された撮像信号が、テレビモニター1430や、パーソナルコンピューター1440に出力される構成になっている。
このようなデジタルスチルカメラ1300には、モジュールとしての加速度センサー1が内蔵されている。
このような電子機器は、上述したモジュールを備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、信頼性に優れている。
なお、上述したモジュールを備えている電子機器としては、これら以外に、例えば、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンター)、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類、フライトシミュレーターなどが挙げられる。いずれの場合にも、これらの電子機器は、上述したセンサーを備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、信頼性に優れている。
なお、上述したモジュールを備えている電子機器としては、これら以外に、例えば、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンター)、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類、フライトシミュレーターなどが挙げられる。いずれの場合にも、これらの電子機器は、上述したセンサーを備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、信頼性に優れている。
(移動体)
次に、上述したモジュールを備えている移動体について説明する。
図15は、モジュールを備えている移動体の一例としての自動車を示す模式斜視図である。
自動車1500は、モジュールとしての加速度センサー1を、例えば、搭載されているナビゲーション装置、姿勢制御装置などの姿勢検出センサーとして用いている。
これによれば、自動車1500は、上述したモジュールを備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、信頼性に優れている。
次に、上述したモジュールを備えている移動体について説明する。
図15は、モジュールを備えている移動体の一例としての自動車を示す模式斜視図である。
自動車1500は、モジュールとしての加速度センサー1を、例えば、搭載されているナビゲーション装置、姿勢制御装置などの姿勢検出センサーとして用いている。
これによれば、自動車1500は、上述したモジュールを備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、信頼性に優れている。
上述したモジュールは、上記自動車1500に限らず、自走式ロボット、自走式搬送機器、列車、船舶、飛行機、人工衛星などを含む移動体の姿勢検出センサーなどとして好適に用いることができ、いずれの場合にも、上記実施形態で説明した効果が反映され、信頼性に優れた移動体を提供することができる。
なお、上述したモジュールは、加速度センサーに限定されるものではなく、第1の機能素子が角速度検出機能を備えている角速度センサー、第1の機能素子が圧力検出機能を備えている圧力センサー、第1の機能素子が重量検出機能を備えている重量センサーや、これらのセンサー(加速度センサーを含む)が複合した複合センサーなどであってもよい。
また、第2の機能素子は、ICチップに限定されるものではなく、振動子や上記の各種センサーなどであってもよい。
また、第2の機能素子は、ICチップに限定されるものではなく、振動子や上記の各種センサーなどであってもよい。
1…モジュールとしての加速度センサー、10…実装基板、11…一方の主面、12…接続電極、13…他方の主面、14…外部電極、20…第1の機能素子としてのセンサー素子、21…第1基板としてのセンサー基板、22…主面、23…蓋体、23a…凹部、24…接合部、25…流出防止部、30…第2の機能素子としてのICチップ、40…接合部材としてのワイヤー、50…封止樹脂、60…接合樹脂、200…検出部、220…端子部、222…凹部、224…第1溝部、226…第2溝部、228…第3溝部、230…第1配線、234…ワイヤーとの接続部としての第1端子電極、236…第2配線、240…ワイヤーとの接続部としての第2端子電極、242…第3配線、246…ワイヤーとの接続部としての第3端子電極、254,256,258…突起部、262…絶縁膜、268…可動部、270…アーム、272…可動電極指、274…可撓部、276…固定部、278…第1固定電極指、280…第2固定電極指、1100…電子機器としてのパーソナルコンピューター、1101…表示部、1102…キーボード、1104…本体部、1106…表示ユニット、1200…電子機器としての携帯電話機、1201…表示部、1202…操作ボタン、1204…受話口、1206…送話口、1300…電子機器としてのデジタルスチルカメラ、1302…ケース、1304…受光ユニット、1306…シャッターボタン、1308…メモリー、1310…表示部、1312…ビデオ信号出力端子、1314…入出力端子、1430…テレビモニター、1440…パーソナルコンピューター、1500…移動体としての自動車、S…内部空間。
Claims (11)
- 第1の機能素子と、
前記第1の機能素子に積載されている第2の機能素子と、
前記第1の機能素子及び前記第2の機能素子を保護する封止樹脂と、を備え、
前記第1の機能素子は、第1基板と、前記第1基板に接続されている蓋体と、を備え、
前記第2の機能素子は、前記封止樹脂より弾性率が低い接合樹脂を介して前記第1の機能素子の前記蓋体上に積載され、
前記接合樹脂は、前記センサー基板と前記蓋体との接合部の少なくとも一部にまで延出していることを特徴とするモジュール。 - 請求項1に記載のモジュールにおいて、
前記第1の機能素子と前記第2の機能素子とを電気的に接続する接続部材を備え、
前記第1基板の主面には、前記蓋体が接続される蓋体接続領域と、接合領域の外側にあり前記接続部材を接続する配線接続領域が備えられ、
前記蓋体接続領域と前記配線接続領域との間に、前記接合樹脂の流出防止部が設けられていることを特徴とするモジュール。 - 請求項1または請求項2に記載のモジュールにおいて、
前記接合樹脂は、前記第2の機能素子と前記蓋体とを接合している部分の厚さが、前記第1基板と前記蓋体との接合部を覆っている部分の厚さより薄いことを特徴とするモジュール。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載のモジュールにおいて、
前記第2の機能素子の平面積は、前記第1の機能素子の前記蓋体の平面積より大きいことを特徴とするモジュール。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載のモジュールにおいて、
前記第1の機能素子は、物理量センサーであり、前記第1基板と前記蓋体を含む部材により構成される空間内に物理量検出部を備えることを特徴とするモジュール。 - 請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載のモジュールにおいて、
前記第2の機能素子は、集積回路を備えた電子部品であることを特徴とするモジュール。 - 第1基板と、前記第1基板に接続されている蓋体と、を少なくとも備えた第1の機能素子を用意する工程と、
前記第1の機能素子の前記蓋体上に接合樹脂を形成する工程と、
前記接合樹脂上に第2の機能素子を載置し、前記第2の機能素子を押圧して前記蓋体の側面にまで前記接合樹脂を延在させる工程と、
を含むことを特徴とするモジュールの製造方法。 - 請求項7に記載のモジュールの製造方法において、
前記接合樹脂を延在させる工程は、前記第2の機能素子を押圧することにより前記接合樹脂を押し広げ、前記接合樹脂を自重によって前記蓋体の側面に延在させることを特徴とするモジュールの製造方法。 - 請求項7または請求項8に記載のモジュールの製造方法において、
前記接合樹脂を、前記第2の機能素子で押圧前または押圧時に加熱して柔らかくする工程を含むことを特徴とするモジュールの製造方法。 - 請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載のモジュールを備えていることを特徴とする電子機器。
- 請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載のモジュールを備えていることを特徴とする移動体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013132379A JP2015007559A (ja) | 2013-06-25 | 2013-06-25 | モジュール、モジュールの製造方法、電子機器及び移動体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013132379A JP2015007559A (ja) | 2013-06-25 | 2013-06-25 | モジュール、モジュールの製造方法、電子機器及び移動体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015007559A true JP2015007559A (ja) | 2015-01-15 |
Family
ID=52337930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013132379A Pending JP2015007559A (ja) | 2013-06-25 | 2013-06-25 | モジュール、モジュールの製造方法、電子機器及び移動体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015007559A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017002528A1 (ja) * | 2015-07-01 | 2017-01-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体装置 |
JP2017067540A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、センサーデバイス、電子機器および移動体 |
JP2017126627A (ja) * | 2016-01-13 | 2017-07-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器、および移動体 |
-
2013
- 2013-06-25 JP JP2013132379A patent/JP2015007559A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017002528A1 (ja) * | 2015-07-01 | 2017-01-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体装置 |
JPWO2017002528A1 (ja) * | 2015-07-01 | 2018-01-25 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体装置 |
JP2017067540A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、センサーデバイス、電子機器および移動体 |
JP2017126627A (ja) * | 2016-01-13 | 2017-07-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器、および移動体 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10352701B2 (en) | Physical quantity sensor, sensor device, electronic apparatus, and moving object | |
US10641789B2 (en) | Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, electronic equipment, and moving body | |
CN107010588B (zh) | 物理量传感器以及物理量传感器的制造方法 | |
CN106338619B (zh) | 物理量传感器、物理量传感器装置、电子设备以及移动体 | |
US9144159B2 (en) | Electronic device, method for manufacturing thereof, and electronic apparatus | |
US20170199217A1 (en) | Electronic device, method for manufacturing electronic device, and physical-quantity sensor | |
JP6575187B2 (ja) | 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体 | |
US9420691B2 (en) | Electronic device, method for manufacturing thereof, and electronic apparatus | |
JP2016099224A (ja) | 物理量センサー、電子機器および移動体 | |
US20160298964A1 (en) | Physical quantity sensor, electronic apparatus, and moving object | |
JP2017125753A (ja) | 電子デバイス、電子機器および移動体 | |
JP6252737B2 (ja) | 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器及び移動体 | |
JP6641878B2 (ja) | 物理量センサー、電子機器および移動体 | |
JP6544157B2 (ja) | 物理量センサー、センサーデバイス、電子機器および移動体 | |
JP2015007559A (ja) | モジュール、モジュールの製造方法、電子機器及び移動体 | |
JP2021021636A (ja) | 振動デバイス、電子機器および移動体 | |
US10073114B2 (en) | Physical quantity sensor, physical quantity sensor apparatus, electronic device, and mobile body | |
JP2015007561A (ja) | モジュール、電子機器及び移動体 | |
US10384931B2 (en) | Electronic device having a bonding wire connected to a terminal at an alloyed portion | |
JP6822200B2 (ja) | 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体 | |
JP6443058B2 (ja) | 物理量センサー、電子機器および移動体 | |
JP2015002314A (ja) | 電子デバイス、電子機器、および移動体 | |
JP2017126627A (ja) | 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器、および移動体 | |
JP6398730B2 (ja) | 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体 | |
JP2016169950A (ja) | 物理量センサー、電子機器および移動体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150113 |