JPH07273352A - 半導体センサ - Google Patents
半導体センサInfo
- Publication number
- JPH07273352A JPH07273352A JP8570094A JP8570094A JPH07273352A JP H07273352 A JPH07273352 A JP H07273352A JP 8570094 A JP8570094 A JP 8570094A JP 8570094 A JP8570094 A JP 8570094A JP H07273352 A JPH07273352 A JP H07273352A
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- Japan
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- silicon substrate
- semiconductor sensor
- conductive film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 段差部を複数の段差に分けて形成したことに
より、あるいは、段差部を傾斜面で形成することによ
り、深い凹部に導電性膜を形成する時に、導電性膜が断
線することを防止できる半導体センサを提供する。 【構成】 重り部５を備えたシリコン基板１と、シリコ
ン基板１の上，下側に固定される接合部材７，８とから
なり、重り部５の変位により外力を検知する半導体セン
サ18である。接合部材７，８のシリコン基板１と対向す
る内面に段差部22と半導体センサ18の外部に電気的に接
続される導電性膜19とを備え、この段差部22を複数の段
差24にて形成した。
より、あるいは、段差部を傾斜面で形成することによ
り、深い凹部に導電性膜を形成する時に、導電性膜が断
線することを防止できる半導体センサを提供する。 【構成】 重り部５を備えたシリコン基板１と、シリコ
ン基板１の上，下側に固定される接合部材７，８とから
なり、重り部５の変位により外力を検知する半導体セン
サ18である。接合部材７，８のシリコン基板１と対向す
る内面に段差部22と半導体センサ18の外部に電気的に接
続される導電性膜19とを備え、この段差部22を複数の段
差24にて形成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車等の車両の加速
度等をシリコン基板に設けた重り部の変位により検出す
る半導体センサに関するものである。
度等をシリコン基板に設けた重り部の変位により検出す
る半導体センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】かかる半導体センサを、例えばピエゾ抵
抗の変化により検出する加速度センサとして利用した従
来の技術として、例えばIEEE TRANS. Vol. ED-26 DEC.
1979."A Batch-Fabricated Silicon Accelerometer"に
開示され、図５〜７に示すものがある。図５は断面図
で、１は固定部２を有するＰ型シリコン基板であり、シ
リコン基板１は選択的なエッチングにより溝３の部分が
取り除かれ、固定部２の所定位置には薄肉の梁部４が固
定され、その自由端部には略正方形の重り部５が設けら
れている。また、梁部４の上面には複数のピエゾ抵抗６
がブリッジ回路を構成するように形成されていて、重り
部５に加わる加速度により梁部４が撓んだ時、その応力
によってピエゾ抵抗６の抵抗値が変化するようになって
いる。また、シリコン基板１の上，下側には絶縁材料か
らなる接合部材７，８が固定され、重り部５の上下方向
への変位を規制することにより、過大な加速度に対する
梁部４の応力破壊を防止するストッパの役割を果してい
る。そして、前記ブリッジ回路にはリード線９が接続さ
れ、ピエゾ抵抗６の抵抗値の変化を外部へ出力するよう
になっている。
抗の変化により検出する加速度センサとして利用した従
来の技術として、例えばIEEE TRANS. Vol. ED-26 DEC.
1979."A Batch-Fabricated Silicon Accelerometer"に
開示され、図５〜７に示すものがある。図５は断面図
で、１は固定部２を有するＰ型シリコン基板であり、シ
リコン基板１は選択的なエッチングにより溝３の部分が
取り除かれ、固定部２の所定位置には薄肉の梁部４が固
定され、その自由端部には略正方形の重り部５が設けら
れている。また、梁部４の上面には複数のピエゾ抵抗６
がブリッジ回路を構成するように形成されていて、重り
部５に加わる加速度により梁部４が撓んだ時、その応力
によってピエゾ抵抗６の抵抗値が変化するようになって
いる。また、シリコン基板１の上，下側には絶縁材料か
らなる接合部材７，８が固定され、重り部５の上下方向
への変位を規制することにより、過大な加速度に対する
梁部４の応力破壊を防止するストッパの役割を果してい
る。そして、前記ブリッジ回路にはリード線９が接続さ
れ、ピエゾ抵抗６の抵抗値の変化を外部へ出力するよう
になっている。
【０００３】図６は、図５の梁部４付近のピエゾ抵抗６
の配置例を示す平面図で、10は端部にリード線９接続用
の電極端子10ａを有する配線電極、11は配線電極10とピ
エゾ抵抗６とを接続するリード、12は配線電極10とリー
ド11とを接続するためのコンタクトホールであり、ピエ
ゾ抵抗６とリード11とは直に接続されている。そして、
配線電極10及び電極端子10ａを除いて他の上面には、外
部からの影響を阻止するための後述する各種絶縁層（図
示しない）が設けられている（このような配置例とし
て、例えば特開平4- 13975号公報参照）。
の配置例を示す平面図で、10は端部にリード線９接続用
の電極端子10ａを有する配線電極、11は配線電極10とピ
エゾ抵抗６とを接続するリード、12は配線電極10とリー
ド11とを接続するためのコンタクトホールであり、ピエ
ゾ抵抗６とリード11とは直に接続されている。そして、
配線電極10及び電極端子10ａを除いて他の上面には、外
部からの影響を阻止するための後述する各種絶縁層（図
示しない）が設けられている（このような配置例とし
て、例えば特開平4- 13975号公報参照）。
【０００４】このような加速度センサの製造方法の一例
を図７を用いて説明すると、Ｐ型（１００）シリコン基
板１の表面にＮ型エピタキシャル層１ａを成長形成し、
この層１ａの表面の一部から重り部５を囲むようにＰ型
素子分離拡散領域１ｂをシリコン基板１へ達するように
形成する（図７（ａ））。
を図７を用いて説明すると、Ｐ型（１００）シリコン基
板１の表面にＮ型エピタキシャル層１ａを成長形成し、
この層１ａの表面の一部から重り部５を囲むようにＰ型
素子分離拡散領域１ｂをシリコン基板１へ達するように
形成する（図７（ａ））。
【０００５】次に、エピタキシャル層１ａの所定個所
に、リンの拡散等によりウエハコンタクト１ｃ、ボロン
の拡散等によりリード11、ボロンのイオン注入等により
ピエゾ抵抗６を夫々＜１１０＞方向に設け、その上面に
ＳｉＯ2 からなる安定化膜（絶縁層）13及びＳｉ3Ｎ4か
らなる保護膜（絶縁層）14を形成する（図７（ｂ））。
に、リンの拡散等によりウエハコンタクト１ｃ、ボロン
の拡散等によりリード11、ボロンのイオン注入等により
ピエゾ抵抗６を夫々＜１１０＞方向に設け、その上面に
ＳｉＯ2 からなる安定化膜（絶縁層）13及びＳｉ3Ｎ4か
らなる保護膜（絶縁層）14を形成する（図７（ｂ））。
【０００６】次に、ウエハコンタクト１ｃ及びリード11
の所定個所に対応する安定化膜13及び保護膜14にコンタ
クトホール12を形成し、保護膜14の上面にアルミの印刷
等によりコンタクトホール12に合わせて配線電極10及び
電極端子10ａを形成する。また、シリコン基板１の下面
には、Ｓｉ3Ｎ4からなる耐エッチング膜15をパターン形
成する（図７（ｃ））。
の所定個所に対応する安定化膜13及び保護膜14にコンタ
クトホール12を形成し、保護膜14の上面にアルミの印刷
等によりコンタクトホール12に合わせて配線電極10及び
電極端子10ａを形成する。また、シリコン基板１の下面
には、Ｓｉ3Ｎ4からなる耐エッチング膜15をパターン形
成する（図７（ｃ））。
【０００７】そして、Ｎ型エピタキシャル層１ａを正電
位にバイアスしながらシリコン基板１をＫＯＨ等のアル
カリエッチング液により異方性エッチングする。これに
より、Ｐ型シリコン基板１は、（１１１）面を残すよう
にエッチングが進行し、同時にＰ型素子分離拡散領域１
ｂまでエッチングが行われ、梁部４はＮ型エピタキシャ
ル層１ａが残り、耐エッチング膜15を除去すると、梁部
４や重り部５を有するウエハ構造が得られる（図７
（ｄ））。
位にバイアスしながらシリコン基板１をＫＯＨ等のアル
カリエッチング液により異方性エッチングする。これに
より、Ｐ型シリコン基板１は、（１１１）面を残すよう
にエッチングが進行し、同時にＰ型素子分離拡散領域１
ｂまでエッチングが行われ、梁部４はＮ型エピタキシャ
ル層１ａが残り、耐エッチング膜15を除去すると、梁部
４や重り部５を有するウエハ構造が得られる（図７
（ｄ））。
【０００８】このようなシリコンウエハは、パイレック
スガラス等の絶縁部材からなる接合部材７，８を陽極接
合等により固定した後、個々のチップにダイシングさ
れ、電極端子10ａにリード線９をワイヤボンディング等
により接続することにより、図５で示した加速度センサ
が完成する。
スガラス等の絶縁部材からなる接合部材７，８を陽極接
合等により固定した後、個々のチップにダイシングさ
れ、電極端子10ａにリード線９をワイヤボンディング等
により接続することにより、図５で示した加速度センサ
が完成する。
【０００９】前述した加速度センサにおいて、シリコン
基板と接合部材７，８とを陽極接合により固定する際、
シリコン基板１の重り部５が静電引力により接合部材
７，８の何れかの方向へ引き付けられて固着する（マス
スタック現象）という問題があった。
基板と接合部材７，８とを陽極接合により固定する際、
シリコン基板１の重り部５が静電引力により接合部材
７，８の何れかの方向へ引き付けられて固着する（マス
スタック現象）という問題があった。
【００１０】前記問題を解決する手段として、図８，９
で示すように、重り部５を支持する梁部４にピエゾ抵抗
６を形成して絶縁層13，14を上面に形成したシリコン基
板１と、シリコン基板１の重り部５に対向した位置に複
数個からなる突出部16，17を有し、シリコン基板１の
上，下側に陽極接合で固定した接合部材７，８とからな
りピエゾ抵抗６の抵抗値変化により外力を検出する半導
体センサ18に接合部材７、８の内面でシリコン基板１と
対向する少なくとも一部にアルミ等の導電部材からなる
導電性膜19を形成したものである。
で示すように、重り部５を支持する梁部４にピエゾ抵抗
６を形成して絶縁層13，14を上面に形成したシリコン基
板１と、シリコン基板１の重り部５に対向した位置に複
数個からなる突出部16，17を有し、シリコン基板１の
上，下側に陽極接合で固定した接合部材７，８とからな
りピエゾ抵抗６の抵抗値変化により外力を検出する半導
体センサ18に接合部材７、８の内面でシリコン基板１と
対向する少なくとも一部にアルミ等の導電部材からなる
導電性膜19を形成したものである。
【００１１】前記従来例の半導体センサ18において、接
合部材７，８に導電性膜19を形成する工程を、シリコン
基板１の上側に接合する接合部材７を用いて説明する。
合部材７，８に導電性膜19を形成する工程を、シリコン
基板１の上側に接合する接合部材７を用いて説明する。
【００１２】まず、重り部５の過度の変位量を規制する
突出部16を備えた凹部20を接合部材７に設け、この接合
部材７にアルミからなる導電性膜19を一面に形成する
（図10（ａ））。次に、図９に示すように所望の形状に
導電性膜19を形作るためにレジスト21を導電性膜19の上
に形成する（図10（ｂ））。
突出部16を備えた凹部20を接合部材７に設け、この接合
部材７にアルミからなる導電性膜19を一面に形成する
（図10（ａ））。次に、図９に示すように所望の形状に
導電性膜19を形作るためにレジスト21を導電性膜19の上
に形成する（図10（ｂ））。
【００１３】次に、導電性膜19の不要部分をエッチング
により除去する（図10（ｃ））。そして、レジスト21を
除去し、接合部材７に導電性膜19が所望の形状に形成さ
れる（図10（ｄ））。
により除去する（図10（ｃ））。そして、レジスト21を
除去し、接合部材７に導電性膜19が所望の形状に形成さ
れる（図10（ｄ））。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】前記導電性膜19の形成
工程中、図10（ｃ）に示す導電性膜19の不要部分を除去
する工程において、接合部材７の凹部20が深い場合（深
さが６μｍ以上）、導電性膜19を覆うレジスト21が段差
部22や突出部16の角部23でとぎれてしまい、導電性膜19
の不要部分をエッチングで除去する時に必要部分まで除
去されてしまい導電性膜19の形成がうまくいかず、断線
等の不具合を生じるという問題を有していた（図11）。
工程中、図10（ｃ）に示す導電性膜19の不要部分を除去
する工程において、接合部材７の凹部20が深い場合（深
さが６μｍ以上）、導電性膜19を覆うレジスト21が段差
部22や突出部16の角部23でとぎれてしまい、導電性膜19
の不要部分をエッチングで除去する時に必要部分まで除
去されてしまい導電性膜19の形成がうまくいかず、断線
等の不具合を生じるという問題を有していた（図11）。
【００１５】この問題を解決する方法として、粘性の高
いレジスト21を用いた場合、導電性膜19の上に形成する
ときに、均一な厚さでレジスト21を形成することが難し
くなったり、また、レジスト21の除去時にレジスト21が
残ってしまい、生産性が向上しない等の問題があった。
いレジスト21を用いた場合、導電性膜19の上に形成する
ときに、均一な厚さでレジスト21を形成することが難し
くなったり、また、レジスト21の除去時にレジスト21が
残ってしまい、生産性が向上しない等の問題があった。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記諸問題を解決するた
めに、本発明は、重り部を備えたシリコン基板と、前記
シリコン基板の上，下側の少なくとも一方に固定される
接合部材からなり、前記重り部の変位により外力を検知
する半導体センサにおいて、前記接合部材の前記シリコ
ン基板と対向する内面に、段差部と前記半導体センサの
外部に電気的に接続される導電性膜とを備え、前記段差
部を複数の段差にて形成したものである。
めに、本発明は、重り部を備えたシリコン基板と、前記
シリコン基板の上，下側の少なくとも一方に固定される
接合部材からなり、前記重り部の変位により外力を検知
する半導体センサにおいて、前記接合部材の前記シリコ
ン基板と対向する内面に、段差部と前記半導体センサの
外部に電気的に接続される導電性膜とを備え、前記段差
部を複数の段差にて形成したものである。
【００１７】また、重り部を備えたシリコン基板と、前
記シリコン基板の上，下側の少なくとも一方に固定され
る接合部材からなり、前記重り部の変位により外力を検
知する半導体センサにおいて、前記接合部材の前記シリ
コン基板と対向する内面に、段差部と前記半導体センサ
の外部に電気的に接続される導電性膜とを備え、前記段
差部を傾斜面にて形成したものである。
記シリコン基板の上，下側の少なくとも一方に固定され
る接合部材からなり、前記重り部の変位により外力を検
知する半導体センサにおいて、前記接合部材の前記シリ
コン基板と対向する内面に、段差部と前記半導体センサ
の外部に電気的に接続される導電性膜とを備え、前記段
差部を傾斜面にて形成したものである。
【００１８】また、ピエゾ抵抗を形成したシリコン基板
と、このシリコン基板の上，下側に陽極接合で固定した
ガラスからなる上，下ストッパとからなり、前記ピエゾ
抵抗の抵抗値変化により外力を検出する半導体センサに
おいて、前記ストッパの前記シリコン基板と対向する内
面に、段差部と前記半導体センサの外部に電気的に接続
される導電性膜とを備え、前記段差部を複数の段差又は
傾斜面にて形成したものである。
と、このシリコン基板の上，下側に陽極接合で固定した
ガラスからなる上，下ストッパとからなり、前記ピエゾ
抵抗の抵抗値変化により外力を検出する半導体センサに
おいて、前記ストッパの前記シリコン基板と対向する内
面に、段差部と前記半導体センサの外部に電気的に接続
される導電性膜とを備え、前記段差部を複数の段差又は
傾斜面にて形成したものである。
【００１９】
【作用】段差部を複数の段差に分けて形成したことによ
り、あるいは、段差部を傾斜面で形成することにより、
深い凹部に導電性膜を形成する時に断線することを防止
できる。
り、あるいは、段差部を傾斜面で形成することにより、
深い凹部に導電性膜を形成する時に断線することを防止
できる。
【００２０】
【実施例】本発明の実施例を図１〜４に基づき説明する
が、前記従来例において同一もしくは相当個所には同一
符号を付してその詳細な説明は省く。
が、前記従来例において同一もしくは相当個所には同一
符号を付してその詳細な説明は省く。
【００２１】本発明の第１実施例は、図１，２で示すよ
うに、絶縁材料であるガラスからなる接合部材７，８に
凹部20を形成する段差部22が２段の段差24により形成さ
れている。この接合部材７，８の２段の段差24からなる
段差部22は、従来のガラスのエッチングを行うことによ
り形成する。
うに、絶縁材料であるガラスからなる接合部材７，８に
凹部20を形成する段差部22が２段の段差24により形成さ
れている。この接合部材７，８の２段の段差24からなる
段差部22は、従来のガラスのエッチングを行うことによ
り形成する。
【００２２】段差部22を複数段の段差24で形成すること
により、接合部材７の段差部22にかかる導電性膜19を所
望の形状に形成する時に、導電性膜19の上にレジスト21
が段差部22でとぎれることなく形成でき、導電性膜19の
断線を防止することができる。
により、接合部材７の段差部22にかかる導電性膜19を所
望の形状に形成する時に、導電性膜19の上にレジスト21
が段差部22でとぎれることなく形成でき、導電性膜19の
断線を防止することができる。
【００２３】なお、図示していないが、突出部16，17の
高さが高く、導電性膜19が突出部16，17にかかる場合に
は、突出部16，17にも複数の段差24を設けることによ
り、導電性膜19の断線を防止することができる。
高さが高く、導電性膜19が突出部16，17にかかる場合に
は、突出部16，17にも複数の段差24を設けることによ
り、導電性膜19の断線を防止することができる。
【００２４】本発明の第２実施例は、図３，４で示すよ
うに、凹部20を形成する段差部22にゆるやかな傾斜面25
が形成されている。このことにより、接合部材７，８に
導電性膜19を形成する時に導電性膜19の上にレジスト21
がとぎれることなく形成でき、前記第１実施例と同様に
導電性膜19の断線を防止することができる。
うに、凹部20を形成する段差部22にゆるやかな傾斜面25
が形成されている。このことにより、接合部材７，８に
導電性膜19を形成する時に導電性膜19の上にレジスト21
がとぎれることなく形成でき、前記第１実施例と同様に
導電性膜19の断線を防止することができる。
【００２５】前記第２実施例において、接合部材７，８
に傾斜面25を形成するには、フッ酸（ＨＦ）を水あるい
はフッ化アンモン（ＮＨ4Ｆ ）で希釈し、接合部材７，
８をエッチングすることにより段差部22にゆるやかな傾
斜を保ち凹部20を形成する。
に傾斜面25を形成するには、フッ酸（ＨＦ）を水あるい
はフッ化アンモン（ＮＨ4Ｆ ）で希釈し、接合部材７，
８をエッチングすることにより段差部22にゆるやかな傾
斜を保ち凹部20を形成する。
【００２６】なお、導電性膜19が突出部16，17にかかる
場合には、突出部16，17にもゆるやかな傾斜面25を設け
ることにより、導電性膜19の断線を防止することができ
る。
場合には、突出部16，17にもゆるやかな傾斜面25を設け
ることにより、導電性膜19の断線を防止することができ
る。
【００２７】なお、前記第１，２実施例において、梁部
４にピエゾ抵抗６を形成した半導体センサ18であった
が、静電容量型の半導体センサ等の接合部材に段差部22
を備えた凹部20を形成し、段差部22に電極等の導電性膜
19を形成する半導体センサ18においても同様に適用する
ことができ、有効なものである。
４にピエゾ抵抗６を形成した半導体センサ18であった
が、静電容量型の半導体センサ等の接合部材に段差部22
を備えた凹部20を形成し、段差部22に電極等の導電性膜
19を形成する半導体センサ18においても同様に適用する
ことができ、有効なものである。
【００２８】また、本発明は、前記第１，２実施例を組
合わせて適用すること、すなわち段差部22を複数の段差
24とゆるい傾斜面25との組合せにより形成することも可
能である。
合わせて適用すること、すなわち段差部22を複数の段差
24とゆるい傾斜面25との組合せにより形成することも可
能である。
【００２９】
【発明の効果】接合部材の段差が深い凹部に導電性膜を
形成する時に、段差部を複数の段差に形成するか、ある
いは段差部を傾斜面により形成することにより、段差が
深い凹部に導電性膜を断線することなく形成することが
できる。また、断線していない導電性膜を得ることがで
きるので、半導体センサの生産性が向上する。
形成する時に、段差部を複数の段差に形成するか、ある
いは段差部を傾斜面により形成することにより、段差が
深い凹部に導電性膜を断線することなく形成することが
できる。また、断線していない導電性膜を得ることがで
きるので、半導体センサの生産性が向上する。
【００３０】特に、シリコン基板にピエゾ抵抗を形成
し、このシリコン基板の上，下側に陽極接合でガラスか
らなる上，下ストッパを接合部材として固定し、前記ピ
エゾ抵抗の抵抗値変化により外力を検出する半導体セン
サにおいて、前記ストッパの前記シリコン基板と対向す
る内面に、段差部と前記半導体センサの外部に電気的に
接続される導電性膜とを備え、前記段差部を複数の段差
又は傾斜面にて形成することにより、前記の効果に加え
て、段差が深い凹部を加工することが難しいストッパを
従来に比べて容易に製造することができるので、半導体
センサの生産性が向上する。
し、このシリコン基板の上，下側に陽極接合でガラスか
らなる上，下ストッパを接合部材として固定し、前記ピ
エゾ抵抗の抵抗値変化により外力を検出する半導体セン
サにおいて、前記ストッパの前記シリコン基板と対向す
る内面に、段差部と前記半導体センサの外部に電気的に
接続される導電性膜とを備え、前記段差部を複数の段差
又は傾斜面にて形成することにより、前記の効果に加え
て、段差が深い凹部を加工することが難しいストッパを
従来に比べて容易に製造することができるので、半導体
センサの生産性が向上する。
【図１】本発明の第１実施例の断面図。
【図２】同上実施例の要部断面図。
【図３】本発明の第２実施例の断面図。
【図４】同上実施例の要部断面図。
【図５】従来例の加速度センサの断面図。
【図６】同上従来例の要部平面図。
【図７】同上従来例の製造方法を説明する工程図。
【図８】他の従来例の断面図。
【図９】同上従来例の分解斜視図。
【図１０】同上従来例の導電性膜の製造方法を説明する
工程図。
工程図。
【図１１】同上従来例の要部断面図。
１ シリコン基板 ４ 梁部 ５ 重り部 ６ ピエゾ抵抗 ７，８ 接合部材（ストッパ） 18 半導体センサ 19 導電性膜 20 凹部 22 段差部 24 段差 25 傾斜面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 五十嵐 和夫 新潟県長岡市藤橋１丁目190番地１ 日本 精機株式会社アールアンドデイセンター内 (72)発明者 内藤 和哉 新潟県長岡市藤橋１丁目190番地１ 日本 精機株式会社アールアンドデイセンター内
Claims (3)
- 【請求項１】 重り部を備えたシリコン基板と、前記シ
リコン基板の上，下側の少なくとも一方に固定される接
合部材とからなり、前記重り部の変位により外力を検知
する半導体センサにおいて、前記接合部材の前記シリコ
ン基板と対向する内面に、段差部と前記半導体センサの
外部に電気的に接続される導電性膜とを備え、前記段差
部を複数の段差にて形成したことを特徴とする半導体セ
ンサ。 - 【請求項２】 重り部を備えたシリコン基板と、前記シ
リコン基板の上，下側の少なくとも一方に固定される接
合部材からなり、前記重り部の変位により外力を検知す
る半導体センサにおいて、前記接合部材の前記シリコン
基板と対向する内面に、段差部と前記半導体センサの外
部に電気的に接続される導電性膜とを備え、前記段差部
を傾斜面にて形成したことを特徴とする半導体センサ。 - 【請求項３】 ピエゾ抵抗を形成したシリコン基板と、
このシリコン基板の上，下側に陽極接合で固定したガラ
スからなる上，下ストッパとからなり、前記ピエゾ抵抗
の抵抗値変化により外力を検出する半導体センサにおい
て、前記ストッパの前記シリコン基板と対向する内面
に、段差部と前記半導体センサの外部に電気的に接続さ
れる導電性膜とを備え、前記段差部を複数の段差又は傾
斜面にて形成したことを特徴とする半導体センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8570094A JPH07273352A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 半導体センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8570094A JPH07273352A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 半導体センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273352A true JPH07273352A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13866107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8570094A Pending JPH07273352A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 半導体センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07273352A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014185882A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Seiko Epson Corp | 機能素子、センサー素子、電子機器及び移動体 |
| JP2017092115A (ja) * | 2015-11-04 | 2017-05-25 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体 |
-
1994
- 1994-03-30 JP JP8570094A patent/JPH07273352A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014185882A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Seiko Epson Corp | 機能素子、センサー素子、電子機器及び移動体 |
| JP2017092115A (ja) * | 2015-11-04 | 2017-05-25 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体 |
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