JP6622108B2 - 記憶装置 - Google Patents
記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6622108B2 JP6622108B2 JP2016026288A JP2016026288A JP6622108B2 JP 6622108 B2 JP6622108 B2 JP 6622108B2 JP 2016026288 A JP2016026288 A JP 2016026288A JP 2016026288 A JP2016026288 A JP 2016026288A JP 6622108 B2 JP6622108 B2 JP 6622108B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- wiring
- node
- oxide
- memory cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
- G11C11/565—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using capacitive charge storage elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/06—Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
- G11C5/10—Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring for interconnecting capacitors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/403—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/408—Address circuits
- G11C11/4085—Word line control circuits, e.g. word line drivers, - boosters, - pull-up, - pull-down, - precharge
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4097—Bit-line organisation, e.g. bit-line layout, folded bit lines
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/14—Word line organisation; Word line lay-out
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/10—Aspects relating to interfaces of memory device to external buses
- G11C2207/101—Analog or multilevel bus
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/10—Aspects relating to interfaces of memory device to external buses
- G11C2207/108—Wide data ports
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/70—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates the floating gate being an electrode shared by two or more components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dram (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
本実施の形態では、本発明の一態様であるメモリセルの構成例について、図1乃至図11を用いて説明を行う。
図1は、複数の2値又は多値データの書き込みと読み出しが可能なメモリセル100aの構成例を示す回路図である。
図2(A)に示すメモリセル100bは、図1のメモリセル100aにおいて、ノードFN4、トランジスタM4、容量素子C4及び配線WL5を省き、トランジスタM3のゲートを配線WL4に電気的に接続した場合の構成例である。
図2(B)に示すメモリセル100cは、図2(A)のメモリセル100bにおいて、ノードFN3、トランジスタM3、容量素子C3及び配線WL4を省き、トランジスタM2のゲートを配線WL3に電気的に接続した場合の構成例である。
図3に示すメモリセル100dは、上述のメモリセル100a乃至100cにおいて、n(nは2以上の整数)の数の保持ノードを有する場合に一般化した場合の構成例である。メモリセル100dは、図1のメモリセル100a、図2(A)のメモリセル100b及び図2(B)のメモリセル100cを含む。図3において、n=4の場合は、メモリセル100aに該当し、n=3の場合はメモリセル100bに該当し、n=2の場合は、メモリセル100cに該当する。
次に、図2(A)のメモリセル100bの動作の一例について、図4及び図5を用いて説明を行う。なお、メモリセル100a、100c、100dの動作についても、以下の説明を適用することで、理解が可能である。
まず、メモリセル100bの書き込み動作の一例について、図4を用いて説明を行う。
次に、図4で書き込まれたデータを、読み出す動作の一例について、図5を用いて説明を行う。
図3に示すメモリセル100dは、配線BLを配線BL0乃至BLnに分割し、トランジスタM0のソース及びドレインの一方を配線BL0に接続し、トランジスタM1のソース及びドレインの一方を配線BL1に接続し、トランジスタMnのソース及びドレインの一方を配線BLnに接続してもよい(図6、メモリセル100e)。
図3に示すメモリセル100dは、配線BLを配線BL1乃至BLnに分割し、トランジスタM0のソース及びドレインの一方と、トランジスタM1のソース及びドレインの一方を配線BL1に接続し、トランジスタMnのソース及びドレインの一方を配線BLnに接続してもよい(図7、メモリセル100f)。
図3に示すメモリセル100dは、配線BLを配線BL1及び配線BL2に分割し、トランジスタM0のソース及びドレインの一方を配線BL1に接続し、トランジスタM1乃至Mnのソース及びドレインの一方を配線BL2に接続してもよい(図8、メモリセル100g)。
図3に示すメモリセル100dは、トランジスタM1乃至Mnに第2のゲート電極を設けてもよい。第2のゲート電極は、半導体層(チャネル形成領域)を間に介して、第1のゲート電極と重なる領域を有することが好ましい。なお、トランジスタM1乃至Mnの第2のゲート電極には共通の電位VBGを与えてもよい(図9、メモリセル100h)。こうすることで、トランジスタM1乃至Mnのしきい値を制御することが可能になる。
また、図9に示すトランジスタM1乃至Mnの第2のゲート電極は、それぞれのトランジスタの第1のゲート電極に電気的に接続されてもよい(図10、メモリセル100i)。こうすることで、トランジスタM1乃至Mnのオン電流を増大させることが可能になる。
図3に示すメモリセル100dは、トランジスタM0にpチャネル型トランジスタを用いてもよい(図11、メモリセル100k)。
本実施の形態では、本発明の一態様である記憶装置の構成例について、図12乃至図18を用いて説明を行う。
図12は、メモリセル100aに、記憶回路B1、記憶回路B2、記憶回路B3及び記憶回路B4が接続された例を示している。記憶回路B1乃至B4は、配線SL及び配線BLを介して、メモリセル100aに接続されている。
図13は、メモリセル100bに、記憶回路B1乃至B3が接続された例を示している。記憶回路B1乃至B3は、配線SL及び配線BLを介して、メモリセル100bに接続されている。
図14は、メモリセル100cに、記憶回路B1、B2が接続された例を示している。記憶回路B1、B2は、配線SL及び配線BLを介して、メモリセル100cに接続されている。
図15は、メモリセル100dに、記憶回路B1乃至Bnが接続された例を示している。記憶回路B1乃至Bnは、配線SL及び配線BLを介して、メモリセル100dに接続されている。
図16は、記憶回路B1乃至Bnに適用可能な、メモリセル110の構成例を示す回路図である。メモリセル110は、トランジスタ51と、トランジスタ52と、容量素子53と、ノードFNとを有している。
図17にメモリセルアレイ10の構成例を示す。メモリセルアレイ10は、メインメモリセルアレイ20と、一時保管用のサブメモリセルアレイ30を有する。メインメモリセルアレイ20は、実施の形態1に示すメモリセルがマトリクス状に設けられている。図17は、一例として、図2(A)のメモリセル100bがk行m列(k、mは2以上の整数)マトリックス状に配置されている例を示す。サブメモリセルアレイ30は、図16に示すメモリセル110が3行m列のマトリックス状に設けられている例を示す。
次に、サブメモリセルアレイ30の動作の一例について、図18を用いて説明を行う。図18は、一例として、メインメモリセルアレイ20に配置されたメモリセル100b[1、1]と、サブメモリセルアレイ30に配置されたメモリセル110[1、1]、110[2、1]、110[3、1]の動作について考える。
図19は、記憶装置の構成例を示すブロック図である。図19に示す記憶装置60は、図17で説明したメモリセルアレイ10、行選択ドライバ61、列選択ドライバ62、およびA/Dコンバータ63を有する。
本実施の形態では、上記実施の形態に示すトランジスタM0乃至Mnに適用可能なOSトランジスタの構造について説明する。
図20(A)乃至(C)は、トランジスタ400aの上面図および断面図である。図20(A)は上面図である。図20(B)は、図20(A)に示す一点鎖線A1−A2に対応する断面図であり、図20(C)は、図20(A)に示す一点鎖線A3−A4に対応する断面図である。なお、図20(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。なお、一点鎖線A1−A2をトランジスタ400aのチャネル長方向、一点鎖線A3−A4をトランジスタ400aのチャネル幅方向と呼ぶ場合がある。
まず、金属酸化物431乃至433に適用可能な金属酸化物について説明を行う。
基板450としては、例えば、絶縁体基板、半導体基板または導電体基板を用いればよい。絶縁体基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、安定化ジルコニア基板(イットリア安定化ジルコニア基板など)、樹脂基板などがある。また、半導体基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウムなどの単体半導体基板、または炭化シリコン、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウムからなる化合物半導体基板などがある。さらには、前述の半導体基板内部に絶縁体領域を有する半導体基板、例えばSOI(Silicon On Insulator)基板などがある。導電体基板としては、黒鉛基板、金属基板、合金基板、導電性樹脂基板などがある。または、金属の窒化物を有する基板、金属の酸化物を有する基板などがある。さらには、絶縁体基板に導電体または半導体が設けられた基板、半導体基板に導電体または絶縁体が設けられた基板、導電体基板に半導体または絶縁体が設けられた基板などがある。または、これらの基板に素子が設けられたものを用いてもよい。基板に設けられる素子としては、容量素子、抵抗素子、スイッチ素子、発光素子、記憶素子などがある。
絶縁膜401は、基板450と導電膜414を電気的に分離させる機能を有する。
導電膜411乃至414として、銅(Cu)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、金(Au)、アルミニウム(Al)、マンガン(Mn)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、鉛(Pb)、錫(Sn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ルテニウム(Ru)、白金(Pt)、イリジウム(Ir)、ストロンチウム(Sr)の低抵抗材料からなる単体、合金、またはこれらを主成分とする化合物を含む導電膜の単層または積層とすることが好ましい。特に、耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンなどの高融点材料を用いることが好ましい。また、アルミニウムや銅などの低抵抗導電性材料で形成することが好ましい。さらに、Cu−Mn合金を用いると、酸素を含む絶縁体との界面に酸化マンガンを形成し、酸化マンガンがCuの拡散を抑制する機能を持つので好ましい。
導電膜421乃至424として、銅(Cu)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、金(Au)、アルミニウム(Al)、マンガン(Mn)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、鉛(Pb)、錫(Sn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ルテニウム(Ru)、白金(Pt)、イリジウム(Ir)、ストロンチウム(Sr)の低抵抗材料からなる単体、合金、またはこれらを主成分とする化合物を含む導電膜の単層または積層とすることが好ましい。特に、耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンなどの高融点材料を用いることが好ましい。また、アルミニウムや銅などの低抵抗導電性材料で形成することが好ましい。さらに、Cu−Mn合金を用いると、酸素を含む絶縁体との界面に酸化マンガンを形成し、酸化マンガンがCuの拡散を抑制する機能を持つので好ましい。
領域441、442は、例えば、導電膜421、423が、金属酸化物431、432の酸素を引き抜くことで形成される。酸素の引き抜きは、高い温度で加熱するほど起こりやすい。トランジスタの作製工程には、いくつかの加熱工程があることから、領域441、442には酸素欠損が形成される。また、加熱により該酸素欠損のサイトに水素が入りこみ、領域441、442に含まれるキャリア濃度が増加する。その結果、領域441、442が低抵抗化する。
絶縁膜406は、比誘電率の高い絶縁体を有することが好ましい。例えば、絶縁膜406は、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを有する酸化物、アルミニウムおよびハフニウムを有する酸化窒化物、シリコンおよびハフニウムを有する酸化物、またはシリコンおよびハフニウムを有する酸化窒化物などを有することが好ましい。
絶縁膜405は、比誘電率の低い絶縁体を有することが好ましい。例えば、絶縁膜405は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコンまたは樹脂などを有することが好ましい。または、絶縁膜405は、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンと、樹脂と、の積層構造を有することが好ましい。酸化シリコンおよび酸化窒化シリコンは、熱的に安定であるため、樹脂と組み合わせることで、熱的に安定かつ比誘電率の低い積層構造とすることができる。樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド(ナイロン、アラミドなど)、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリルなどがある。
図20に示すトランジスタ400aは、導電膜414及び絶縁膜402、403を省略してもよい。その場合の例を図23に示す。
図20に示すトランジスタ400aにおいて、導電膜421、423は、ゲート電極(導電膜411乃至413)と重なる部分の膜厚を薄くしてもよい。その場合の例を図24に示す。
図24に示すトランジスタ400cにおいて、A3−A4方向に、金属酸化物431、432の幅を広げてもよい。その場合の例を図25に示す。
図24に示すトランジスタ400cにおいて、A3−A4方向に、金属酸化物431、432から成る領域(以下、フィンと呼ぶ)を複数設けてもよい。その場合の例を図26に示す。
図27(A)及び図27(B)は、トランジスタ680の上面図および断面図である。図27(A)は上面図であり、図27(A)に示す一点鎖線A−B方向の断面が図27(B)に相当する。なお、図27(A)及び図27(B)では、図の明瞭化のために一部の要素を拡大、縮小、または省略して図示している。また、一点鎖線A−B方向をチャネル長方向と呼称する場合がある。
本実施の形態では、上記実施の形態に示すメモリセル100a乃至100k(以下、まとめてメモリセル100と呼称する)に適用可能なデバイスの構成例について、図28乃至図31を用いて説明を行う。
図28(A)、(B)に示す断面図はメモリセル100が1つのチップに形成された例を示している。図28(A)は、メモリセル100を構成するトランジスタのチャネル長方向の断面図を表している。また、図28(B)は、メモリセル100を構成するトランジスタのチャネル幅方向の断面図を表している。
メモリセル100は、メモリセル100が有する全てのOSトランジスタを、同一の層に形成してもよい。その場合の例を、図29(A)、(B)に示す。図28と同様に、図29(A)はメモリセル100を構成するトランジスタのチャネル長方向の断面図を表し、図29(B)はメモリセル100を構成するトランジスタのチャネル幅方向の断面図を表している。
本実施の形態では、上記実施の形態に示したメモリセル及び記憶装置を用いることが可能なCPUについて説明する。
本発明の一態様に係る記憶装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置(代表的にはDVD:Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置)に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る記憶装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯データ端末、電子書籍端末、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図33に示す。
本実施の形態では、本発明の一態様の記憶装置を備えることができるRFタグの使用例について図34を用いながら説明する。RFタグの用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類(運転免許証や住民票等、図34(A)参照)、記録媒体(DVDやビデオテープ等、図34(B)参照)、包装用容器類(包装紙やボトル等、図34(C)参照)、乗り物類(自転車等、図34(D)参照)、身の回り品(鞄や眼鏡等)、食品類、植物類、動物類、人体、衣類、生活用品類、薬品や薬剤を含む医療品、または電子機器(液晶表示装置、EL表示装置、テレビジョン装置、または携帯電話)等の物品、若しくは各物品に取り付ける荷札(図34(E)、図34(F)参照)等に設けて使用することができる。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明したOSトランジスタに適用可能な酸化物半導体膜の構造について説明する。
以下では、酸化物半導体の構造について説明する。
まずは、CAAC−OSについて説明する。
次に、nc−OSについて説明する。
a−like OSは、nc−OSと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。
BL 配線
BL0‐BL2 配線
BLn 配線
Bn 記憶回路
C1‐C4 容量素子
Cn 容量素子
FN ノード
FN1‐FN4 ノード
FNn ノード
L1‐L12 層
M0‐M4 トランジスタ
Mn トランジスタ
SL 配線
T10‐T36 期間
Tr0‐Tr2 トランジスタ
V0 電位
VM1‐VM3 電位
VP1 電位
VP2 電位
WL1‐WL5 配線
WRC 配線
WWC 配線
10 メモリセルアレイ
20 メインメモリセルアレイ
30 サブメモリセルアレイ
51 トランジスタ
52 トランジスタ
53 容量素子
60 記憶装置
61 行選択ドライバ
62 列選択ドライバ
63 A/Dコンバータ
100 メモリセル
100a‐100k メモリセル
110 メモリセル
400a‐400e トランジスタ
401‐408 絶縁膜
411‐414 導電膜
421‐424 導電膜
430 金属酸化物
431 金属酸化物
431a‐431c 金属酸化物
432 金属酸化物
432a‐432c 金属酸化物
433 金属酸化物
441 領域
442 領域
450 基板
461‐463 領域
680 トランジスタ
681 絶縁膜
682 半導体
683‐689 導電膜
700 基板
701 素子分離層
702‐706 絶縁膜
710‐719 プラグ
730‐737 配線
751 電極
752 電極
753 絶縁膜
790 ゲート電極
792 ウェル
793 チャネル形成領域
794 低濃度不純物領域
795 高濃度不純物領域
796 導電性領域
797 ゲート絶縁膜
798 側壁絶縁層
799 側壁絶縁層
901 筐体
902 筐体
903 表示部
904 表示部
905 マイクロフォン
906 スピーカ
907 操作キー
908 スタイラス
911 筐体
912 マイク
913 外部接続ポート
914 操作ボタン
916 表示部
917 スピーカ
921 筐体
922 表示部
923 キーボード
924 ポインティングデバイス
931 筐体
932 冷蔵室用扉
933 冷凍室用扉
941 筐体
942 筐体
943 表示部
944 操作キー
945 レンズ
946 接続部
951 車体
952 車輪
953 ダッシュボード
954 ライト
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
4000 RFタグ
5100 ペレット
5120 基板
5161 領域
Claims (3)
- 第1乃至第(n+1)(nは2以上の整数)のトランジスタと、
第1乃至第nの容量素子と、
第1乃至第nのノードと、
第1及び第2の配線と、を有し、
前記第iのノード(iは整数且つ1≦i≦n)は、前記第iの容量素子の第1の端子及び前記第iのトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第1のトランジスタは、前記第1の配線と前記第2の配線との間の、導通又は非導通を制御する機能を有し、
前記第(i+1)のトランジスタは、前記第iのノードと前記第2の配線との間の、導通又は非導通を制御する機能を有し、
前記第1乃至前記第nのノードは、それぞれ、Jビット(Jは1以上の整数)のデータを保持する機能を有し、
前記第2乃至第(n+1)のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むことを特徴とする記憶装置。 - メモリセルと、
第1乃至第nの記憶回路と、
第1及び第2の配線と、を有し、
前記メモリセルは、第1乃至第(n+1)(nは2以上の整数)のトランジスタと、第1乃至第nの容量素子と、第1乃至第nのノードと、を有し、
前記第iのノード(iは整数且つ1≦i≦n)は、前記第iの容量素子の第1の端子及び前記第iのトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第1のトランジスタは、前記第1の配線と前記第2の配線との間の、導通又は非導通を制御する機能を有し、
前記第(i+1)のトランジスタは、前記第iのノードと前記第2の配線との間の、導通又は非導通を制御する機能を有し、
前記第1乃至前記第nのノードは、それぞれ、Jビット(Jは1以上の整数)のデータを保持する機能を有し、
前記第2乃至第(n+1)のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、
前記第1乃至第nの記憶回路は、それぞれ、前記第1の配線に電気的に接続され、
前記第1乃至第nの記憶回路は、それぞれ、前記第2の配線に電気的に接続され、
前記第iの記憶回路は、前記第iのノードに保持されたデータを記憶する機能を有することを特徴とする記憶装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記第1のトランジスタ上に、前記第2乃至前記第(n+1)のトランジスタが設けられ、
前記第2乃至前記第(n+1)のトランジスタ上に、前記第1乃至前記第nの容量素子が設けられ、
前記第1のトランジスタはチャネル形成領域にシリコンを含むことを特徴とする記憶装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015031747 | 2015-02-20 | ||
JP2015031747 | 2015-02-20 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016157506A JP2016157506A (ja) | 2016-09-01 |
JP2016157506A5 JP2016157506A5 (ja) | 2019-03-22 |
JP6622108B2 true JP6622108B2 (ja) | 2019-12-18 |
Family
ID=56690529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016026288A Expired - Fee Related JP6622108B2 (ja) | 2015-02-20 | 2016-02-15 | 記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9489988B2 (ja) |
JP (1) | JP6622108B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111668315B (zh) | 2013-08-19 | 2023-09-12 | 出光兴产株式会社 | 氧化物半导体基板及肖特基势垒二极管元件 |
WO2018069785A1 (en) | 2016-10-12 | 2018-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and system using the same |
JP6963463B2 (ja) | 2016-11-10 | 2021-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子部品、及び電子機器 |
Family Cites Families (114)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
EP1443130B1 (en) | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
EP2246894B2 (en) | 2004-03-12 | 2018-10-10 | Japan Science and Technology Agency | Method for fabricating a thin film transistor having an amorphous oxide as a channel layer |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
KR100998527B1 (ko) | 2004-11-10 | 2010-12-07 | 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 | 비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터 |
RU2358354C2 (ru) | 2004-11-10 | 2009-06-10 | Кэнон Кабусики Кайся | Светоизлучающее устройство |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
JP5118812B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI562380B (en) | 2005-01-28 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
EP1998375A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101358954B1 (ko) | 2005-11-15 | 2014-02-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 다이오드 및 액티브 매트릭스 표시장치 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
TWI555128B (zh) | 2010-08-06 | 2016-10-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法 |
KR101928897B1 (ko) * | 2010-08-27 | 2018-12-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 장치, 반도체 장치 |
TWI596769B (zh) * | 2011-01-13 | 2017-08-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體儲存裝置 |
US8913419B2 (en) * | 2011-10-24 | 2014-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device and driving method thereof |
JP6139187B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2017-05-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102112364B1 (ko) * | 2012-12-06 | 2020-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20150128820A (ko) | 2013-03-14 | 2015-11-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 구동 방법 및 반도체 장치 |
US9716100B2 (en) | 2014-03-14 | 2017-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and electronic device |
US9887212B2 (en) * | 2014-03-14 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
KR102330412B1 (ko) | 2014-04-25 | 2021-11-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기 |
JP6653129B2 (ja) | 2014-05-29 | 2020-02-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
JP6525722B2 (ja) | 2014-05-29 | 2019-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置、電子部品、及び電子機器 |
JP6538426B2 (ja) | 2014-05-30 | 2019-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
JP6690935B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2020-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
2016
- 2016-02-11 US US15/041,435 patent/US9489988B2/en active Active
- 2016-02-15 JP JP2016026288A patent/JP6622108B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160247548A1 (en) | 2016-08-25 |
JP2016157506A (ja) | 2016-09-01 |
US9489988B2 (en) | 2016-11-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6644523B2 (ja) | トランジスタ、メモリ、及び電子機器 | |
JP6875793B2 (ja) | 半導体装置、及び電子部品 | |
KR20220016262A (ko) | 반도체 장치 및 그 제작 방법 | |
US9990997B2 (en) | Semiconductor device including transistor with back gate, and memory device including the semiconductor device | |
JP6498063B2 (ja) | 半導体装置、記憶装置、レジスタ回路、表示装置及び電子機器 | |
JP2019216278A (ja) | 半導体装置 | |
JP2017108397A (ja) | 信号処理回路、及び該信号処理回路を有する半導体装置 | |
JP2020123734A (ja) | 半導体装置 | |
JP2017091599A (ja) | 半導体装置、記憶装置、電子機器、又は該半導体装置の駆動方法 | |
JP2020129427A (ja) | 半導体装置 | |
JP2016174352A (ja) | 半導体装置及び記憶装置 | |
JP6622108B2 (ja) | 記憶装置 | |
US10109371B2 (en) | Test method of semiconductor device | |
JP2016127117A (ja) | 記憶装置及びその駆動方法 | |
JP2016092084A (ja) | 半導体装置、半導体装置の作製方法、モジュールおよび電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190205 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191029 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6622108 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |