JP6613329B2 - コンピュータ実装方法、コンピュータシステム及びコンピュータ装置 - Google Patents
コンピュータ実装方法、コンピュータシステム及びコンピュータ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6613329B2 JP6613329B2 JP2018029939A JP2018029939A JP6613329B2 JP 6613329 B2 JP6613329 B2 JP 6613329B2 JP 2018029939 A JP2018029939 A JP 2018029939A JP 2018029939 A JP2018029939 A JP 2018029939A JP 6613329 B2 JP6613329 B2 JP 6613329B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data set
- bias
- target data
- model
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 108
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 48
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 45
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 38
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 24
- 238000005457 optimization Methods 0.000 claims description 17
- 238000013178 mathematical model Methods 0.000 claims description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 5
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 33
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 16
- 238000011161 development Methods 0.000 description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 description 14
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 11
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 11
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000005431 greenhouse gas Substances 0.000 description 7
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011158 quantitative evaluation Methods 0.000 description 4
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000012804 iterative process Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000012417 linear regression Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000012855 volatile organic compound Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003646 Spearman's rank correlation coefficient Methods 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005206 flow analysis Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012821 model calculation Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000000611 regression analysis Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012731 temporal analysis Methods 0.000 description 1
- 238000000700 time series analysis Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32889—Connection or combination with other apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F17/00—Digital computing or data processing equipment or methods, specially adapted for specific functions
- G06F17/10—Complex mathematical operations
- G06F17/18—Complex mathematical operations for evaluating statistical data, e.g. average values, frequency distributions, probability functions, regression analysis
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F18/00—Pattern recognition
- G06F18/20—Analysing
- G06F18/24—Classification techniques
- G06F18/243—Classification techniques relating to the number of classes
- G06F18/2433—Single-class perspective, e.g. one-against-all classification; Novelty detection; Outlier detection
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06Q—INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES; SYSTEMS OR METHODS SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G06Q30/00—Commerce
- G06Q30/018—Certifying business or products
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/30—Computing systems specially adapted for manufacturing
Description
本一部継続特許出願は、2011年8月19日に出願された「Dynamic Outlier Bias Reduction System and Method」という名称の米国仮特許出願第13/213,780号の優先権を主張する。これは、その全体が参照として本明細書に組み入れられる。
相対誤差m=((予測値m−実際値m)/実際値m)2 (1)
絶対誤差m=(予測値m−実際値m)2 (2)
となる。
Claims (18)
- コンピュータ実装方法であって、
少なくとも一つのプロセッサに複数のソフトウェア命令を実行するように命令するステップを含み、
前記少なくとも一つのプロセッサは、少なくとも以下のコンピュータ操作、すなわち、
特定の時間中に少なくとも一つの操作目標変数に対して収集されたすべての現行の実際データ値を含む現行の操作関連目標データセットを電子的に受信するコンピュータ操作と、
前記現行の操作関連目標データセットに基づいて操作関連ランダムデータセットを生成するランダム値生成器の機能を果たすコンピュータ操作と、
一以上の操作関連外れ値を決定するべく使用される複数の偏り基準値を電子的に受信するコンピュータ操作と、
前記現行の操作関連目標データセットと前記少なくとも一つの操作目標変数に関連するモデルとを使用して各偏り基準値に対し、複数の外れ値偏り低減済み操作関連目標データセットを生成するコンピュータ操作と、
前記操作関連ランダムデータセットと前記モデルとを使用して各偏り基準値に対し、複数の外れ値偏り低減済み操作関連ランダムデータセットを生成するコンピュータ操作と、
各外れ値偏り低減済み操作関連目標データセットに対する少なくとも一つの目標誤差値と各外れ値偏り低減済み操作関連ランダムデータセットに対する少なくとも一つのランダム誤差値とを計算するコンピュータ操作と、
各外れ値偏り低減済み操作関連目標データセットに対する少なくとも一つの目標相関値と各外れ値偏り低減済み操作関連ランダムデータセットに対する少なくとも一つのランダム相関値とを計算するコンピュータ操作と、
各外れ値偏り低減済み操作関連目標データセットに対する前記少なくとも一つの目標誤差値と前記少なくとも一つの目標相関値とに基づいて、前記現行の操作関連目標データセットに対する第1偏り基準曲線を構築するコンピュータ操作と、
各外れ値偏り低減済み操作関連ランダムデータセットに対する前記少なくとも一つのランダム誤差値と前記少なくとも一つのランダム相関値とに基づいて、前記操作関連ランダムデータセットに対する第2偏り基準曲線を構築するコンピュータ操作と、
前記第1偏り基準曲線と前記第2偏り基準曲線とに基づいて、前記モデルを展開するべく使用される前記現行の操作関連目標データセットの非偏り実現性を動的に決定するコンピュータ操作であって、前記非偏り実現性は、前記現行の操作関連目標データセットのデータ値がどの程度、前記モデルによりモデル化された少なくとも一つの操作プロセスを代表するかを識別する表示であるコンピュータ操作と、
ユーザに出力される自動アドバイスメッセージを動的に生成するコンピュータ操作であって、前記自動アドバイスメッセージは、
i)前記現行の操作関連目標データセットが、前記少なくとも一つの操作プロセスそれぞれに対し前記モデルが少なくとも一つの操作基準を生成するべく使用されるように前記モデルによりモデル化されている前記少なくとも一つの操作プロセスを代表することを確認すること、又は
ii)前記現行の操作関連目標データセットに基づいて前記少なくとも一つの操作プロセスそれぞれに対し、前記少なくとも一つの操作基準に基づいて前記モデルの使用を回避し、前記少なくともさらに一つの操作関連外れ値を前記現行の操作関連目標データセットから除去することを推薦して、前記少なくとも一つの操作プロセスに対して前記少なくとも一つの操作基準を生成するべく使用される更新済みモデルを生成するための修正済み操作関連目標データを取得すること
の一方を行うように構成されるコンピュータ操作と、
複数の操作にわたる前記少なくとも一つの操作プロセスのパフォーマンス一貫性をモニタリングするときに、前記少なくとも一つの操作基準が利用されるようにするコンピュータ操作と
を行うように構成されるコンピュータ実装方法。 - 前記操作関連ランダムデータセットは、前記モデルの一定範囲の複数の予測値ないで生成された複数のランダムデータ値を含む請求項1のコンピュータ実装方法。
- 前記少なくとも一つの目標誤差値は標準誤差であり、前記少なくとも一つの目標相関値は決定係数値である請求項1のコンピュータ実装方法。
- 前記現行の操作関連目標データセットと前記モデルとを使用して各偏り基準値に対し前記複数の外れ値偏り低減済み操作関連目標データセットを生成するコンピュータ操作は、各偏り基準値に対し、
前記現行の操作関連目標データセットに対して複数のモデル予測値を生成するべく前記モデルを前記現行の操作関連目標データセットに適用することと、
前記現行の操作関連目標データセットと前記モデル予測値とを使用して複数の誤差値を計算することと、
前記誤差値及び対応偏り基準値に基づいて前記修正済み操作関連目標データセットを形成するべく、前記現行の操作関連目標データセットの中の前記一以上の操作関連外れ値を決定することと
を含む請求項1のコンピュータ実装方法。 - 前記誤差値は、複数の相対誤差値と複数の絶対誤差値とを含む請求項4のコンピュータ実装方法。
- 前記現行の操作関連目標データセットを使用して各偏り基準値に対し前記複数の外れ値偏り低減済み操作関連目標データセットを生成するコンピュータ操作はさらに、各偏り基準値に対し、
前記誤差値と所定の終了基準とに基づいて前記モデルの最適化の終了を決定することと、
前記決定が前記モデルの最適化の終了とならない場合、前記更新済みモデルを前記現行の操作関連目標データセットに適用することにより、現行の操作関連目標データセットに対する複数の第2モデル予測値を生成することと
を含む請求項4のコンピュータ実装方法。 - 前記非偏り実現性を動的に決定するコンピュータ操作は、
前記少なくとも一つの目標誤差値に基づいて前記第1偏り基準曲線において第1偏り基準値を決定することと、
前記少なくとも一つのランダム誤差値に基づいて前記第2偏り基準曲線において第2偏り基準値を決定することと、
前記第1偏り基準値と前記第2偏り基準値とに基づいて前記非偏り実現性を決定することと
を含み、
前記少なくとも一つの目標誤差値と前記少なくとも一つのランダム誤差値とは同一である請求項1のコンピュータ実装方法。 - 各偏り基準値に対して前記更新済みモデルを最適化するための一定数の反復に基づいて、各偏り基準値に対する前記一以上の操作関連外れ値を前記現行の操作関連目標データセットから除去することの影響を決定することと、
各偏り基準値に対する前記少なくとも一つの目標相関値の差異を決定することと
をさらに含む請求項1のコンピュータ実装方法。 - 前記操作関連ランダムデータセットは、前記現行の操作関連目標データセットに基づくすべてのランダムデータ値を含み、
前記操作関連ランダムデータセットと前記モデルとを使用して各偏り基準値に対する前記複数の外れ値偏り低減済み操作関連ランダムデータセットを生成することは、各偏り基準値に対し、
前記操作関連ランダムデータセットに対して複数のモデル予測値を生成するべく前記モデルを前記操作関連ランダムデータセットに適用することと、
前記操作関連ランダムデータセットと前記モデル予測値とを使用して複数の誤差値を計算することと、
前記誤差値と対応偏り基準値とに基づいて決定される対応外れ値偏り低減済み操作関連ランダムデータセットを形成するべく、前記操作関連ランダムデータセットの中の前記一以上の操作関連外れ値を決定することと
を含む請求項1のコンピュータ実装方法。 - コンピュータシステムであって、
少なくとも一つのプロセッサ、及び一の非過渡的格納サブシステムを含む少なくとも一つのサーバと、
前記非過渡的格納サブシステムにより格納された少なくとも一つのデータベースであって、特定の時間中に少なくとも一つの操作目標変数に対して収集されたすべての実際データ値を含む現行の操作関連目標データセットを含むデータベースと、
前記非過渡的格納サブシステムにより格納されたコンピュータプログラムと
を含み、
前記コンピュータプログラムは、前記プロセッサにより実行されると少なくとも以下のこと、すなわち、
前記現行の操作関連目標データセットからランダムデータセットを生成するランダム値生成器の機能を果たすことと、
一以上の操作関連外れ値を決定するべく使用される一セットの偏り基準値を取得することと、
一以上の外れ値偏り低減済み操作関連目標データセットを生成するべく、前記一セットの偏り基準値の一以上の偏り基準値に対し、前記現行の操作関連目標データセットにおける動的外れ値偏り低減を行うことと、
一以上の外れ値偏り低減済み操作関連ランダムデータセットを生成するべく、前記一セットの偏り基準値の前記一以上の偏り基準値に対し、前記ランダムデータセットにおける前記動的外れ値偏り低減を行うことと、
前記一以上の外れ値偏り低減目標データセットに対する一セットの目標誤差値と前記一以上の外れ値偏り低減済み操作関連ランダムデータセットに対する一セットのランダム誤差値とを計算することと、
前記一以上の外れ値偏り低減済み操作関連目標データセットに対する一セットの目標相関係数と前記外れ値偏り低減済み操作関連ランダムデータセットに対する一セットのランダム相関係数とを計算することと、
前記現行の操作関連目標データセットに対する第1偏り基準曲線と前記操作関連ランダムデータセットに対する第2偏り基準曲線とを、前記一以上の偏り基準値、前記一セットの目標誤差値、前記一セットのランダム誤差値、前記一セットの目標相関係数、及び前記一セットのランダム相関係数から計算することと、
前記第1偏り基準曲線と前記第2偏り基準曲線とに基づいて、前記少なくとも一つの操作目標変数に関連するモデルを展開するべく使用される前記現行の操作関連目標データセットの非偏り実現性を動的に決定することであって、前記非偏り実現性は、前記現行の操作関連目標データセットのデータ値がどの程度、前記モデルによりモデル化された少なくとも一つの操作プロセスを代表するかを識別する表示であることと、
ユーザに出力される自動アドバイスメッセージを動的に生成することであって、前記自動アドバイスメッセージは、
i)前記現行の操作関連目標データセットが、前記少なくとも一つの操作プロセスそれぞれに対し前記モデルが少なくとも一つの操作基準を生成するべく使用されるように前記モデルによりモデル化されている前記少なくとも一つの操作プロセスを代表することを確認すること、又は
ii)前記現行の操作関連目標データセットに基づいて前記少なくとも一つの操作プロセスそれぞれに対し、前記少なくとも一つの操作基準に基づいて前記モデルの使用を回避し、前記少なくともさらに一つの操作関連外れ値を前記現行の操作関連目標データセットから除去することを推薦して、前記少なくとも一つの操作プロセスに対して前記少なくとも一つの操作基準を生成するべく使用される更新済みモデルを生成するための修正済み操作関連目標データセットを取得すること
の一方を行うように構成されることと、
複数の操作にわたる前記少なくとも一つの操作プロセスのパフォーマンス一貫性をモニタリングするときに、前記少なくとも一つの操作基準が利用されるようにすることと
を前記コンピュータシステムに行わせる命令を含むコンピュータシステム。 - 前記命令は、前記少なくとも一つのプロセッサにより実行されると、前記モデルを展開するための前記現行の操作関連目標データセットの非偏り実現性を評価するべく特化されたコンピュータシステムに、一以上の外れ値偏り低減済み操作関連目標データセットを生成するべく少なくとも以下のこと、すなわち、
前記一以上の偏り基準値それぞれに対し、
前記現行の操作関連目標データセットに対して複数のモデル予測値を生成するべく前記モデルを前記現行の操作関連目標データセットに適用することと、
前記現行の操作関連目標データセットと前記モデル予測値とから決定される複数の誤差値を計算することと、
前記誤差値と対応偏り基準値とに基づいて前記修正済み操作関連目標データセットを形成するべく、前記現行の操作関連目標データセットの中の一以上の操作関連外れ値を決定することと
を行わせることにより、
前記一セットの偏り基準値の一以上の偏り基準値に対し、前記現行の操作関連目標データセットにおいて動的外れ値偏り低減を行わせる請求項10のコンピュータシステム。 - 前記命令は、前記プロセッサにより実行されると、一以上の外れ値偏り低減済み操作関連目標データセットを生成するべく前記一セットの偏り基準値の一以上の偏り基準値に対し、前記コンピュータシステムに、少なくとも以下のこと、すなわち、
前記一以上の偏り基準値それぞれに対し、
前記誤差値と所定の終了基準とに基づいて前記モデルの最適化の終了を決定することと、
前記決定が前記モデルの最適化の終了とならない場合、前記更新済みモデルを前記現行の操作関連目標データセットに適用することにより、前記現行の操作関連目標データセットに対する複数の第2モデル予測値を生成することと
を行わせることにより、
前記現行の操作関連目標データセットにおいて前記動的外れ値偏り低減を行わせる請求項11のコンピュータシステム。 - 前記命令は、前記少なくとも一つのプロセッサにより実行されると、少なくとも以下のこと、すなわち、
前記第1偏り基準曲線において、前記一セットの目標誤差値の第1目標誤差値に対応する第1偏り基準値を決定することと、
前記第2偏り基準曲線において、前記一セットのランダム誤差値の第1ランダム誤差値に対応する第2偏り基準値を決定することと、
前記第1偏り基準値と前記第2偏り基準値とに基づいて前記非偏り実現性を決定することであって、前記第1目標誤差値と前記第1ランダム誤差値とは同一であることと
を行わせることにより、
前記コンピュータシステムに前記非偏り実現性を動的に決定させる請求項10のコンピュータシステム。 - 前記命令は、前記少なくとも一つのプロセッサにより実行されると、前記コンピュータシステムに、各偏り基準値に対して前記モデルを最適化して前記一セットの目標相関係数における差異を決定するための一定数の反復に基づいて、各偏り基準値に対して前記現行の操作関連目標データセットから前記一以上の操作関連外れ値の除去の影響を決定させる請求項10のコンピュータシステム。
- 前記命令は、前記少なくとも一つのプロセッサにより実行されると、前記コンピュータシステムに、前記一以上の外れ値偏り低減済み操作関連目標データセットを生成するべく少なくとも以下のこと、すなわち、
前記一以上の偏り基準値それぞれに対し、
前記現行の操作関連目標データセットに対して複数のモデル予測値を生成するべく前記モデルを前記現行の操作関連目標データセットに適用することと、
前記現行の操作関連目標データセットと前記モデル予測値とから決定される複数の誤差値を計算することと、
前記誤差値と対応偏り基準値とに基づいて決定される対応外れ値偏り低減済み操作関連目標データセットを形成するべく、前記現行の操作関連目標データセットの中の一以上の操作関連外れ値を決定することと
を行わせることにより、
前記一セットの偏り基準値の一以上の偏り基準値に対し、前記現行の操作関連目標データセットにおいて動的外れ値偏り低減を行わせる請求項10のコンピュータシステム。 - モデルを展開するためのデータセットの実現性を評価するべく特化されたコンピュータ装置であって、
非過渡的コンピュータ可読媒体に結合された少なくとも一つのプロセッサを含み、
前記非過渡的コンピュータ可読媒体は、前記少なくとも一つのプロセッサにより実行されると少なくとも以下のこと、すなわち、
特定の時間中に少なくとも一つの操作目標変数に対して収集されたすべての現行の実際データ値を含む現行の操作関連目標データセットを受信することと、
前記現行の操作関連目標データセットに基づいて操作関連ランダムデータセットを生成するランダム値生成器の機能を果たすことと、
一以上の操作関連外れ値を決定するべく使用される複数の偏り基準値を受信することと、
前記偏り基準値に関連付けられた複数の外れ値偏り低減済み操作関連目標データセットを生成するべく、数学モデル及び動的外れ値偏り低減を前記現行の操作関連目標データセットに適用することと、
前記偏り基準値に関連付けられた複数の外れ値偏り低減済み操作関連ランダムデータセットを生成するべく、前記数学モデル及び前記動的外れ値偏り低減を前記操作関連ランダムデータセットに適用することと、
各外れ値偏り低減済み操作関連目標データセットに対する少なくとも一つの目標誤差値と各外れ値偏り低減済み操作関連ランダムデータセットに対する少なくとも一つのランダム誤差値とを計算することと、
各外れ値偏り低減済み操作関連目標データセットに対する少なくとも一つの目標相関値と各外れ値偏り低減済み操作関連ランダムデータセットに対する少なくとも一つのランダム相関値とを計算することと、
各外れ値偏り低減済み操作関連目標データセットに対する前記少なくとも一つの目標誤差値と前記少なくとも一つの目標相関値とに基づいて、前記現行の操作関連目標データセットに対する第1偏り基準曲線を構築することと、
各外れ値偏り低減済み操作関連ランダムデータセットに対する前記少なくとも一つのランダム誤差値と前記少なくとも一つのランダム相関値とに基づいて、前記操作関連ランダムデータセットに対する第2偏り基準曲線を構築することと、
前記第1偏り基準曲線と前記第2偏り基準曲線とに基づいて、前記数学モデルに対して使用される前記現行の操作関連目標データセットの非偏り実現性を動的に決定することであって、前記非偏り実現性は、前記現行の操作関連目標データセットのデータ値がどの程度、前記モデルによりモデル化された少なくとも一つの操作プロセスを代表するかを識別する表示であることと、
ユーザに出力される自動アドバイスメッセージを動的に生成することであって、前記自動アドバイスメッセージは、
i)前記現行の操作関連目標データセットが、前記少なくとも一つの操作プロセスそれぞれに対し前記モデルが少なくとも一つの操作基準を生成するべく使用されるように前記モデルによりモデル化されている前記少なくとも一つの操作プロセスを代表することを確認すること、又は
ii)前記現行の操作関連目標データセットに基づいて前記少なくとも一つの操作プロセスそれぞれに対し、前記少なくとも一つの操作基準に基づいて前記モデルの使用を回避し、前記少なくともさらに一つの操作関連外れ値を前記現行の操作関連目標データセットから除去することを推薦して、前記少なくとも一つの操作プロセスに対して前記少なくとも一つの操作基準を生成するべく使用される更新済みモデルを生成するための修正済み操作関連目標データを取得すること
の一方を行うように構成されることと、
複数の操作にわたる前記少なくとも一つの操作プロセスのパフォーマンス一貫性をモニタリングするときに、前記少なくとも一つの操作基準が利用されるようにすることと
を前記コンピュータ装置に行わせる命令を含むコンピュータ装置。 - 前記命令は、前記少なくとも一つのプロセッサにより実行されると、前記コンピュータ装置に、少なくとも以下のこと、すなわち、
前記一以上の偏り基準値それぞれに対し、
前記現行の操作関連目標データセットに対して複数のモデル予測値を生成するべく、前記数学モデルを前記現行の操作関連目標データセットに適用することと、
前記現行の操作関連目標データセットと前記モデル予測値とから決定される複数の誤差値を計算することと、
前記誤差値と対応偏り基準値とに基づいて修正済み現行の操作関連目標データセットを形成するべく、前記現行の操作関連目標データセットの中の前記一以上の操作関連外れ値を決定することと
を行わせることにより、
前記偏り基準値に関連付けられた前記複数の外れ値偏り低減済み操作関連目標データセットを生成させる請求項16のコンピュータ装置。 - 前記命令は、前記少なくとも一つのプロセッサにより実行されると、少なくとも以下のこと、すなわち、
前記第1偏り基準曲線において、前記少なくとも一つの目標誤差値に対応する第1偏り基準値を決定することと、前記第2偏り基準曲線において、前記少なくとも一つのランダム誤差値に対応する第2偏り基準値を決定することと、
前記第1偏り基準値と前記第2偏り基準値とに基づいて前記非偏り実現性を決定することと
を行わせることにより、
前記コンピュータ装置に前記非偏り実現性を動的に決定させ、
前記少なくとも一つの目標誤差値と前記少なくとも一つのランダム誤差値とは同一である請求項16のコンピュータ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/772,212 US9111212B2 (en) | 2011-08-19 | 2013-02-20 | Dynamic outlier bias reduction system and method |
US13/772,212 | 2013-02-20 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014030259A Division JP6297855B2 (ja) | 2013-02-20 | 2014-02-20 | 動的外れ値偏り低減システム及び方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018116712A JP2018116712A (ja) | 2018-07-26 |
JP6613329B2 true JP6613329B2 (ja) | 2019-11-27 |
Family
ID=62912351
Family Applications (10)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014030259A Active JP6297855B2 (ja) | 2013-02-20 | 2014-02-20 | 動的外れ値偏り低減システム及び方法 |
JP2018029943A Active JP6636071B2 (ja) | 2013-02-20 | 2018-02-22 | コンピュータ実装方法、コンピュータシステム及びコンピュータ装置 |
JP2018029942A Active JP6686056B2 (ja) | 2013-02-20 | 2018-02-22 | コンピュータ実装方法、コンピュータシステム及びコンピュータ装置 |
JP2018029940A Active JP6626910B2 (ja) | 2013-02-20 | 2018-02-22 | コンピュータ実装方法、コンピュータシステム及びコンピュータ装置 |
JP2018029938A Active JP6527976B2 (ja) | 2013-02-20 | 2018-02-22 | 外れ値偏りを低減するシステム及び方法 |
JP2018029941A Active JP6626911B2 (ja) | 2013-02-20 | 2018-02-22 | コンピュータシステム |
JP2018029939A Active JP6613329B2 (ja) | 2013-02-20 | 2018-02-22 | コンピュータ実装方法、コンピュータシステム及びコンピュータ装置 |
JP2020065773A Active JP6978541B2 (ja) | 2013-02-20 | 2020-04-01 | 動的外れ値偏り低減のコンピュータ実装方法、コンピュータシステム及びコンピュータ装置 |
JP2021183813A Active JP7244610B2 (ja) | 2013-02-20 | 2021-11-11 | 工業プロセス施設に対する工業プロセスパフォーマンスを測定するシステム及びコンピュータ実装方法、並びに金融商品に対して測定された目標変数における外れ値偏りを低減するコンピュータ実装方法 |
JP2023036170A Pending JP2023113140A (ja) | 2013-02-20 | 2023-03-09 | 工業プロセス施設に対する工業プロセスパフォーマンスを測定するシステム |
Family Applications Before (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014030259A Active JP6297855B2 (ja) | 2013-02-20 | 2014-02-20 | 動的外れ値偏り低減システム及び方法 |
JP2018029943A Active JP6636071B2 (ja) | 2013-02-20 | 2018-02-22 | コンピュータ実装方法、コンピュータシステム及びコンピュータ装置 |
JP2018029942A Active JP6686056B2 (ja) | 2013-02-20 | 2018-02-22 | コンピュータ実装方法、コンピュータシステム及びコンピュータ装置 |
JP2018029940A Active JP6626910B2 (ja) | 2013-02-20 | 2018-02-22 | コンピュータ実装方法、コンピュータシステム及びコンピュータ装置 |
JP2018029938A Active JP6527976B2 (ja) | 2013-02-20 | 2018-02-22 | 外れ値偏りを低減するシステム及び方法 |
JP2018029941A Active JP6626911B2 (ja) | 2013-02-20 | 2018-02-22 | コンピュータシステム |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020065773A Active JP6978541B2 (ja) | 2013-02-20 | 2020-04-01 | 動的外れ値偏り低減のコンピュータ実装方法、コンピュータシステム及びコンピュータ装置 |
JP2021183813A Active JP7244610B2 (ja) | 2013-02-20 | 2021-11-11 | 工業プロセス施設に対する工業プロセスパフォーマンスを測定するシステム及びコンピュータ実装方法、並びに金融商品に対して測定された目標変数における外れ値偏りを低減するコンピュータ実装方法 |
JP2023036170A Pending JP2023113140A (ja) | 2013-02-20 | 2023-03-09 | 工業プロセス施設に対する工業プロセスパフォーマンスを測定するシステム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10113233B2 (ja) |
EP (2) | EP3514700A1 (ja) |
JP (10) | JP6297855B2 (ja) |
KR (2) | KR102052217B1 (ja) |
CN (1) | CN104090861B (ja) |
CA (1) | CA2843276A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11288602B2 (en) | 2019-09-18 | 2022-03-29 | Hartford Steam Boiler Inspection And Insurance Company | Computer-based systems, computing components and computing objects configured to implement dynamic outlier bias reduction in machine learning models |
US11328177B2 (en) | 2019-09-18 | 2022-05-10 | Hartford Steam Boiler Inspection And Insurance Company | Computer-based systems, computing components and computing objects configured to implement dynamic outlier bias reduction in machine learning models |
US11615348B2 (en) | 2019-09-18 | 2023-03-28 | Hartford Steam Boiler Inspection And Insurance Company | Computer-based systems, computing components and computing objects configured to implement dynamic outlier bias reduction in machine learning models |
US11803612B2 (en) | 2018-09-28 | 2023-10-31 | Hartford Steam Boiler Inspection And Insurance Company | Systems and methods of dynamic outlier bias reduction in facility operating data |
US11868425B2 (en) | 2011-08-19 | 2024-01-09 | Hartford Steam Boiler Inspection And Insurance Company | Dynamic outlier bias reduction system and method |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2099612B1 (en) * | 2006-12-26 | 2012-06-06 | Fujifilm Dimatix, Inc. | Printing system with conductive element |
US10557840B2 (en) | 2011-08-19 | 2020-02-11 | Hartford Steam Boiler Inspection And Insurance Company | System and method for performing industrial processes across facilities |
EP3514700A1 (en) * | 2013-02-20 | 2019-07-24 | Hartford Steam Boiler Inspection and Insurance Company | Dynamic outlier bias reduction system and method |
US9681497B2 (en) * | 2013-03-12 | 2017-06-13 | Applied Materials, Inc. | Multi zone heating and cooling ESC for plasma process chamber |
CA3116974A1 (en) | 2014-04-11 | 2015-10-15 | Hartford Steam Boiler Inspection And Insurance Company | Improving future reliability prediction based on system operational and performance data modelling |
WO2015179387A1 (en) * | 2014-05-21 | 2015-11-26 | Brewer Science Inc. | Multi-size adaptable spin chuck system |
JP6272138B2 (ja) * | 2014-05-22 | 2018-01-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理装置 |
JP6398761B2 (ja) * | 2015-02-04 | 2018-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
CN105005822A (zh) * | 2015-06-26 | 2015-10-28 | 华能澜沧江水电股份有限公司 | 基于最优步长与模型动态选择的特高拱坝响应预测方法 |
JP6512089B2 (ja) * | 2015-12-15 | 2019-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理装置の調整方法 |
US20170199511A1 (en) * | 2016-01-12 | 2017-07-13 | Globalfoundries Inc. | Signal detection metholodogy for fabrication control |
KR102329513B1 (ko) * | 2016-05-10 | 2021-11-23 | 램 리써치 코포레이션 | 적층된 히터와 히터 전압 입력부들 사이의 연결부들 |
JP6792368B2 (ja) * | 2016-07-25 | 2020-11-25 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置、基板処理装置および熱処理方法 |
CN109643671B (zh) * | 2016-08-26 | 2023-06-06 | 应用材料公司 | 自我修复式半导体晶片处理 |
CN109560006B (zh) * | 2017-09-26 | 2023-10-20 | 天津环鑫科技发展有限公司 | 一种硅片自动涂源生产线 |
CN107704714B (zh) * | 2017-11-06 | 2020-11-27 | 中车株洲电力机车有限公司 | 有限元仿真应力值和试验应力值的处理方法及系统 |
TWI798314B (zh) | 2017-12-28 | 2023-04-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 資料處理裝置、資料處理方法及資料處理程式 |
US11860971B2 (en) * | 2018-05-24 | 2024-01-02 | International Business Machines Corporation | Anomaly detection |
US11581547B2 (en) * | 2019-05-29 | 2023-02-14 | Uchicago Argonne, Llc | Electrode ink deposition system for high-throughput polymer electrolyte fuel cell |
JP6890632B2 (ja) | 2019-06-27 | 2021-06-18 | 東京エレクトロン株式会社 | データ処理装置、データ処理方法及びプログラム |
CN110403582B (zh) * | 2019-07-23 | 2021-12-03 | 宏人仁医医疗器械设备(东莞)有限公司 | 一种用于分析脉波波形品质的方法 |
US11450552B2 (en) | 2019-08-01 | 2022-09-20 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for adjusting surface topography of a substrate support apparatus |
KR102634916B1 (ko) | 2019-08-29 | 2024-02-06 | 주식회사 엘지에너지솔루션 | 온도 추정 모델 결정 방법 및 장치, 온도 추정 모델이 적용된 배터리 관리 시스템 |
US11742231B2 (en) * | 2019-10-18 | 2023-08-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Movable wafer holder for film deposition chamber having six degrees of freedom |
TWI711717B (zh) * | 2019-11-06 | 2020-12-01 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 加熱裝置及化學氣相沉積系統 |
CN111162004B (zh) * | 2019-12-27 | 2022-08-19 | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) | 半导体设备内部环境的调整方法、装置和电子设备 |
CN111446198B (zh) * | 2020-03-23 | 2023-05-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 静电卡盘及其控制方法 |
CN111696897B (zh) * | 2020-06-12 | 2023-10-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备 |
US11243986B1 (en) | 2020-07-21 | 2022-02-08 | International Business Machines Corporation | Method for proactive trouble-shooting of provisioning workflows for efficient cloud operations |
CN112663026B (zh) * | 2020-11-25 | 2022-10-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 工艺腔室、半导体工艺设备及加热控制方法 |
KR102321735B1 (ko) * | 2020-11-27 | 2021-11-04 | 부산대학교 산학협력단 | 다차원의 부분집합 연관 분석에 기반한 인공지능 학습 데이터셋 공정성을 보장하는 장치 및 이를 이용한 인공지능 학습 데이터셋 공정성을 보장하는 방법 |
CN112680724A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-04-20 | 苏州雨竹机电有限公司 | 化学气相沉积装置及其温度控制方法 |
KR20220147932A (ko) * | 2021-04-28 | 2022-11-04 | 에스케이가스 주식회사 | 상업 화학 공정에서의 공정 핵심 인자 선별을 위한 시스템 및 방법 |
KR20220147936A (ko) * | 2021-04-28 | 2022-11-04 | 에스케이가스 주식회사 | 상업 화학 공정에서 핵심인자를 반영한 공정 변화 예측을 위한 시스템 및 방법 |
US20220389566A1 (en) * | 2021-06-03 | 2022-12-08 | Applied Materials, Inc. | Automated temperature controlled substrate support |
CN113399784B (zh) * | 2021-07-09 | 2022-08-12 | 武汉武重机床有限公司 | 工件加工控制方法、装置、设备及存储介质 |
CN113791578B (zh) * | 2021-08-23 | 2023-05-02 | 五邑大学 | 基于数控加工系统的轨迹滤波方法、装置和电子设备 |
Family Cites Families (74)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4371246A (en) * | 1981-02-13 | 1983-02-01 | Rca Corporation | Thermal processor |
US4589286A (en) * | 1984-03-30 | 1986-05-20 | The Babcock & Wilcox Company | Fused silica diaphragm module for high temperature pressure transducers |
US5155337A (en) | 1989-12-21 | 1992-10-13 | North Carolina State University | Method and apparatus for controlling rapid thermal processing systems |
US5294778A (en) * | 1991-09-11 | 1994-03-15 | Lam Research Corporation | CVD platen heater system utilizing concentric electric heating elements |
US5296385A (en) | 1991-12-31 | 1994-03-22 | Texas Instruments Incorporated | Conditioning of semiconductor wafers for uniform and repeatable rapid thermal processing |
JPH0828333B2 (ja) * | 1992-11-30 | 1996-03-21 | 株式会社半導体プロセス研究所 | 半導体装置の製造装置 |
US5444217A (en) * | 1993-01-21 | 1995-08-22 | Moore Epitaxial Inc. | Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers |
GB9412918D0 (en) * | 1994-06-28 | 1994-08-17 | Baxendine Alar R | Apparatus for uniformly heating a substrate |
US5618461A (en) | 1994-11-30 | 1997-04-08 | Micron Technology, Inc. | Reflectance method for accurate process calibration in semiconductor wafer heat treatment |
US5609720A (en) | 1995-09-29 | 1997-03-11 | Lam Research Corporation | Thermal control of semiconductor wafer during reactive ion etching |
US5861609A (en) | 1995-10-02 | 1999-01-19 | Kaltenbrunner; Guenter | Method and apparatus for rapid thermal processing |
EP0855581B1 (en) * | 1995-10-12 | 2003-07-09 | Yazaki Corporation | Device for calculating maldistribution of load on vehicle and device for calculating load on vehicle |
JP3166065B2 (ja) * | 1996-02-08 | 2001-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
US6198074B1 (en) * | 1996-09-06 | 2001-03-06 | Mattson Technology, Inc. | System and method for rapid thermal processing with transitional heater |
US5846375A (en) | 1996-09-26 | 1998-12-08 | Micron Technology, Inc. | Area specific temperature control for electrode plates and chucks used in semiconductor processing equipment |
US5968587A (en) * | 1996-11-13 | 1999-10-19 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for controlling the temperature of a vapor deposition apparatus |
US5911896A (en) * | 1997-06-25 | 1999-06-15 | Brooks Automation, Inc. | Substrate heating apparatus with glass-ceramic panels and thin film ribbon heater element |
US6108937A (en) * | 1998-09-10 | 2000-08-29 | Asm America, Inc. | Method of cooling wafers |
US6617553B2 (en) | 1999-05-19 | 2003-09-09 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone resistive heater |
US6740853B1 (en) | 1999-09-29 | 2004-05-25 | Tokyo Electron Limited | Multi-zone resistance heater |
US6500266B1 (en) * | 2000-01-18 | 2002-12-31 | Applied Materials, Inc. | Heater temperature uniformity qualification tool |
JP2001318745A (ja) * | 2000-05-11 | 2001-11-16 | Sony Corp | データ処理装置およびデータ処理方法、並びに記録媒体 |
FR2815395B1 (fr) | 2000-10-13 | 2004-06-18 | Joint Industrial Processors For Electronics | Dispositif de chauffage rapide et uniforme d'un substrat par rayonnement infrarouge |
JP4948701B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2012-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、当該加熱装置を有する熱処理装置、及び、熱処理制御方法 |
US7043461B2 (en) * | 2001-01-19 | 2006-05-09 | Genalytics, Inc. | Process and system for developing a predictive model |
KR100839678B1 (ko) | 2001-02-16 | 2008-06-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 열 처리 방법 및 열 처리 장치 |
TW559905B (en) * | 2001-08-10 | 2003-11-01 | Toshiba Corp | Vertical chemical vapor deposition system cross-reference to related applications |
US7195693B2 (en) | 2002-06-05 | 2007-03-27 | Advanced Thermal Sciences | Lateral temperature equalizing system for large area surfaces during processing |
JP4042492B2 (ja) * | 2002-08-07 | 2008-02-06 | トヨタ自動車株式会社 | エンジン制御パラメータの適合方法及び適合システム |
US6768084B2 (en) * | 2002-09-30 | 2004-07-27 | Axcelis Technologies, Inc. | Advanced rapid thermal processing (RTP) using a linearly-moving heating assembly with an axisymmetric and radially-tunable thermal radiation profile |
US7347901B2 (en) | 2002-11-29 | 2008-03-25 | Tokyo Electron Limited | Thermally zoned substrate holder assembly |
JP2004259964A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Renesas Technology Corp | 成膜装置およびその成膜装置を用いた半導体装置の製造方法 |
US8478534B2 (en) * | 2003-06-11 | 2013-07-02 | The Research Foundation For The State University Of New York | Method for detecting discriminatory data patterns in multiple sets of data and diagnosing disease |
US20050125322A1 (en) * | 2003-11-21 | 2005-06-09 | General Electric Company | System, method and computer product to detect behavioral patterns related to the financial health of a business entity |
US20050131794A1 (en) * | 2003-12-15 | 2005-06-16 | Lifson Kalman A. | Stock portfolio and method |
SG149899A1 (en) * | 2004-02-06 | 2009-02-27 | Test Advantage Inc | Methods and apparatus for data analysis |
WO2005079261A2 (en) * | 2004-02-13 | 2005-09-01 | Waters Investments Limited | System and method for tracking and quatitating chemical entites |
CA2501003C (en) * | 2004-04-23 | 2009-05-19 | F. Hoffmann-La Roche Ag | Sample analysis to provide characterization data |
WO2005122881A1 (en) * | 2004-06-21 | 2005-12-29 | Aorora Technologies Pty Ltd | Cardiac monitoring system |
DE102004032822A1 (de) * | 2004-07-06 | 2006-03-23 | Micro-Epsilon Messtechnik Gmbh & Co Kg | Verfahren zur Verarbeitung von Messwerten |
US20060069667A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Microsoft Corporation | Content evaluation |
WO2006060134A2 (en) * | 2004-11-15 | 2006-06-08 | Cree, Inc. | Restricted radiated heating assembly for high temperature processing |
DE102004055449B4 (de) * | 2004-11-17 | 2008-10-23 | Steag Hamatech Ag | Verfahren und Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten |
US20070125303A1 (en) * | 2005-12-02 | 2007-06-07 | Ward Ruby | High-throughput deposition system for oxide thin film growth by reactive coevaportation |
WO2007117233A1 (en) * | 2006-04-07 | 2007-10-18 | Hsb Solomon Associates, Llc | Emission trading product and method |
US9275887B2 (en) | 2006-07-20 | 2016-03-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing with rapid temperature gradient control |
JP5183058B2 (ja) | 2006-07-20 | 2013-04-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 急速温度勾配コントロールによる基板処理 |
US7534627B2 (en) * | 2006-08-07 | 2009-05-19 | Sokudo Co., Ltd. | Methods and systems for controlling critical dimensions in track lithography tools |
CA2662048A1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Non-Linear Medicine, Inc. | Automated noise reduction system for predicting arrhythmic deaths |
WO2008081723A1 (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Tokyo Electron Limited | 絶縁膜の形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP5116307B2 (ja) * | 2007-01-04 | 2013-01-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 集積回路装置異常検出装置、方法およびプログラム |
US8346691B1 (en) * | 2007-02-20 | 2013-01-01 | Sas Institute Inc. | Computer-implemented semi-supervised learning systems and methods |
WO2008126209A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-23 | Fujitsu Limited | 重回帰分析による予測モデルの作成方法、作成装置、作成プログラム |
JP4870604B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2012-02-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
US20090017229A1 (en) | 2007-07-10 | 2009-01-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Processing System Platen having a Variable Thermal Conductivity Profile |
US7939450B2 (en) | 2007-09-21 | 2011-05-10 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for spacer-optimization (S-O) |
US8052419B1 (en) * | 2007-11-08 | 2011-11-08 | Novellus Systems, Inc. | Closed loop temperature heat up and control utilizing wafer-to-heater pedestal gap modulation |
US8040246B2 (en) * | 2007-12-04 | 2011-10-18 | Avaya Inc. | Systems and methods for facilitating a first response mission at an incident scene |
JP5003566B2 (ja) * | 2008-04-01 | 2012-08-15 | 三菱電機株式会社 | ネットワーク性能予測システム、ネットワーク性能予測方法およびプログラム |
US20110070370A1 (en) * | 2008-05-28 | 2011-03-24 | Aixtron Ag | Thermal gradient enhanced chemical vapour deposition (tge-cvd) |
US20100181501A1 (en) | 2009-01-21 | 2010-07-22 | Pollock John D | Apparatus for sub-zero degree c ion implantation |
KR101691044B1 (ko) * | 2009-02-04 | 2016-12-29 | 맷슨 테크놀로지, 인크. | 기판의 표면에 걸친 온도 프로파일을 방사상으로 튜닝하는 정전 척 시스템 및 방법 |
US8404572B2 (en) * | 2009-02-13 | 2013-03-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Multi-zone temperature control for semiconductor wafer |
JP2010250674A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Nec Corp | 作業時間予測装置、方法、およびプログラム |
US20110185969A1 (en) * | 2009-08-21 | 2011-08-04 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Dual heating for precise wafer temperature control |
US8311772B2 (en) * | 2009-12-21 | 2012-11-13 | Teradata Us, Inc. | Outlier processing |
US8852347B2 (en) * | 2010-06-11 | 2014-10-07 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for chemical vapor deposition control |
US8354618B1 (en) * | 2010-06-30 | 2013-01-15 | Wd Media, Inc. | Load chamber with dual heaters |
JP5592813B2 (ja) * | 2011-01-28 | 2014-09-17 | 株式会社日立ソリューションズ東日本 | 生涯需要予測方法、プログラムおよび生涯需要予測装置 |
KR101810046B1 (ko) * | 2012-01-19 | 2017-12-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기상 증착 장치 및 기상 증착 방법 |
EP3514700A1 (en) * | 2013-02-20 | 2019-07-24 | Hartford Steam Boiler Inspection and Insurance Company | Dynamic outlier bias reduction system and method |
US9239192B2 (en) * | 2013-02-20 | 2016-01-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Substrate rapid thermal heating system and methods |
US9349623B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-05-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fine temperature controllable wafer heating system |
US20160237569A1 (en) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor manufacturing apparatus |
-
2014
- 2014-02-19 EP EP19153036.9A patent/EP3514700A1/en active Pending
- 2014-02-19 EP EP20140155792 patent/EP2770442A3/en not_active Ceased
- 2014-02-19 CA CA2843276A patent/CA2843276A1/en active Pending
- 2014-02-20 KR KR1020140019597A patent/KR102052217B1/ko active IP Right Grant
- 2014-02-20 JP JP2014030259A patent/JP6297855B2/ja active Active
- 2014-02-20 CN CN201410058245.XA patent/CN104090861B/zh active Active
-
2015
- 2015-04-07 US US14/680,105 patent/US10113233B2/en active Active
-
2018
- 2018-02-22 JP JP2018029943A patent/JP6636071B2/ja active Active
- 2018-02-22 JP JP2018029942A patent/JP6686056B2/ja active Active
- 2018-02-22 JP JP2018029940A patent/JP6626910B2/ja active Active
- 2018-02-22 JP JP2018029938A patent/JP6527976B2/ja active Active
- 2018-02-22 JP JP2018029941A patent/JP6626911B2/ja active Active
- 2018-02-22 JP JP2018029939A patent/JP6613329B2/ja active Active
-
2019
- 2019-11-27 KR KR1020190154058A patent/KR102208210B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-04-01 JP JP2020065773A patent/JP6978541B2/ja active Active
-
2021
- 2021-11-11 JP JP2021183813A patent/JP7244610B2/ja active Active
-
2023
- 2023-03-09 JP JP2023036170A patent/JP2023113140A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11868425B2 (en) | 2011-08-19 | 2024-01-09 | Hartford Steam Boiler Inspection And Insurance Company | Dynamic outlier bias reduction system and method |
US11803612B2 (en) | 2018-09-28 | 2023-10-31 | Hartford Steam Boiler Inspection And Insurance Company | Systems and methods of dynamic outlier bias reduction in facility operating data |
US11288602B2 (en) | 2019-09-18 | 2022-03-29 | Hartford Steam Boiler Inspection And Insurance Company | Computer-based systems, computing components and computing objects configured to implement dynamic outlier bias reduction in machine learning models |
US11328177B2 (en) | 2019-09-18 | 2022-05-10 | Hartford Steam Boiler Inspection And Insurance Company | Computer-based systems, computing components and computing objects configured to implement dynamic outlier bias reduction in machine learning models |
US11615348B2 (en) | 2019-09-18 | 2023-03-28 | Hartford Steam Boiler Inspection And Insurance Company | Computer-based systems, computing components and computing objects configured to implement dynamic outlier bias reduction in machine learning models |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018116713A (ja) | 2018-07-26 |
JP6686056B2 (ja) | 2020-04-22 |
JP2018113048A (ja) | 2018-07-19 |
US20170022611A9 (en) | 2017-01-26 |
JP2018136945A (ja) | 2018-08-30 |
JP6636071B2 (ja) | 2020-01-29 |
US20150211122A1 (en) | 2015-07-30 |
CA2843276A1 (en) | 2014-08-20 |
KR20140104386A (ko) | 2014-08-28 |
JP2014170532A (ja) | 2014-09-18 |
JP6626910B2 (ja) | 2019-12-25 |
CN104090861B (zh) | 2019-06-25 |
KR20190135445A (ko) | 2019-12-06 |
JP7244610B2 (ja) | 2023-03-22 |
KR102208210B1 (ko) | 2021-01-28 |
KR102052217B1 (ko) | 2019-12-04 |
US10113233B2 (en) | 2018-10-30 |
JP2020123365A (ja) | 2020-08-13 |
EP2770442A2 (en) | 2014-08-27 |
JP6527976B2 (ja) | 2019-06-12 |
EP3514700A1 (en) | 2019-07-24 |
JP2018116714A (ja) | 2018-07-26 |
JP2022031709A (ja) | 2022-02-22 |
JP2018116712A (ja) | 2018-07-26 |
JP6297855B2 (ja) | 2018-03-20 |
CN104090861A (zh) | 2014-10-08 |
JP6978541B2 (ja) | 2021-12-08 |
JP6626911B2 (ja) | 2019-12-25 |
JP2018139109A (ja) | 2018-09-06 |
JP2023113140A (ja) | 2023-08-15 |
EP2770442A3 (en) | 2014-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6613329B2 (ja) | コンピュータ実装方法、コンピュータシステム及びコンピュータ装置 | |
JP5982489B2 (ja) | 動的外れ値偏り低減システム及び方法 | |
US9111212B2 (en) | Dynamic outlier bias reduction system and method | |
US10557840B2 (en) | System and method for performing industrial processes across facilities | |
US11803612B2 (en) | Systems and methods of dynamic outlier bias reduction in facility operating data |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180316 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190417 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190604 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191008 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191101 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6613329 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |