JP6612206B2 - Cutting device - Google Patents

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Description

本発明は、切断機構により切断された切断物を洗浄して乾燥する切断装置に関するものである。   The present invention relates to a cutting apparatus for cleaning and drying a cut product cut by a cutting mechanism.

従来から、切断装置を使用してウェーハや封止済基板などの切断対象物を切断機構により切断している。切断対象物を切断することによって発生する切断屑や汚染物などを除去するために切断された切断物を洗浄して乾燥する。例えば、洗浄機構を使用して加工済みの被加工物を洗浄する切削装置が開示されている(特許文献1参照)。   Conventionally, a cutting object such as a wafer or a sealed substrate is cut by a cutting mechanism using a cutting device. In order to remove cutting debris and contaminants generated by cutting the object to be cut, the cut piece is washed and dried. For example, a cutting device that cleans a processed workpiece using a cleaning mechanism is disclosed (see Patent Document 1).

特開2013−80811号公報JP2013-80811A

しかしながら、特許文献1に開示された切削装置1では、次のような課題が発生する。特許文献1の図3に示されるように、洗浄乾燥ノズル89は下面を開放した直方体状のケーシング82内に設けられ、洗浄水及び乾燥エアーを被加工物Wに噴射する。洗浄乾燥ノズル89は、洗浄水供給源94及び乾燥エアー供給源95に切替バルブ96を介して接続されている。切替バルブ96の切替によって、洗浄乾燥ノズル89に洗浄水及び乾燥エアーを選択的に供給する。ケーシング82内において洗浄乾燥ノズル89を往復移動させることにより、被加工物Wを洗浄及び乾燥する。   However, the cutting device 1 disclosed in Patent Document 1 has the following problems. As shown in FIG. 3 of Patent Document 1, the cleaning / drying nozzle 89 is provided in a rectangular parallelepiped casing 82 whose lower surface is opened, and injects cleaning water and dry air onto the workpiece W. The cleaning / drying nozzle 89 is connected to a cleaning water supply source 94 and a drying air supply source 95 via a switching valve 96. By switching the switching valve 96, cleaning water and dry air are selectively supplied to the cleaning / drying nozzle 89. The workpiece W is cleaned and dried by reciprocating the cleaning / drying nozzle 89 in the casing 82.

このように、洗浄水及び乾燥エアーを選択的に切り替えて洗浄乾燥ノズル89から噴射するので、被加工物Wを乾燥中にノズル内及び配管内に残っていた洗浄水を再び被加工物Wに噴射するおそれがある。また、洗浄中に被加工物Wから飛び跳ねた洗浄水及び霧状となった洗浄水がケーシング82内の天井や内壁などに付着し、乾燥中に水滴となって被加工物Wの上に落下するおそれがある。したがって、被加工物Wの表面に水滴の跡(ウォーターマーク)が形成され、染みとなって残るおそれがある。また、水滴が落下することによる乾燥不良が発生するおそれがある。   As described above, since the cleaning water and the dry air are selectively switched and sprayed from the cleaning / drying nozzle 89, the cleaning water remaining in the nozzle and the pipe during the drying of the workpiece W is returned to the workpiece W again. There is a risk of spraying. Further, the cleaning water jumping from the workpiece W during cleaning and the cleaning water in the form of mist adhere to the ceiling or inner wall of the casing 82 and drop onto the workpiece W as water droplets during drying. There is a risk. Therefore, waterdrop marks (watermarks) may be formed on the surface of the workpiece W and remain as stains. In addition, there is a risk of poor drying due to water drops falling.

本発明は上記の課題を解決するもので、切断装置において、洗浄部と乾燥部との間に中間室を設けることにより、切断物に水滴が落下することを抑制する切断装置を提供することを目的とする。   The present invention solves the above-mentioned problems, and provides a cutting device that suppresses water droplets from dropping on a cut object by providing an intermediate chamber between a cleaning unit and a drying unit. Objective.

上記の課題を解決するために、本発明に係る切断装置は、切断対象物を切断する切断機構と、切断機構により切断対象物が切断された切断物が載置されるテーブルと、テーブル上の切断物を洗浄する洗浄部と、洗浄部から移動されたテーブル上の切断物を乾燥する乾燥部と、洗浄部と乾燥部との間に設けられた中間室とを備える。   In order to solve the above problems, a cutting apparatus according to the present invention includes a cutting mechanism for cutting a cutting object, a table on which a cutting object cut by the cutting mechanism is placed, and a table on the table A cleaning unit for cleaning the cut material, a drying unit for drying the cut material on the table moved from the cleaning unit, and an intermediate chamber provided between the cleaning unit and the drying unit.

本発明によれば、切断装置において、洗浄部と乾燥部との間に中間室を設けることにより、切断物に水滴が落下することを抑制する。   According to the present invention, in the cutting device, by providing the intermediate chamber between the cleaning unit and the drying unit, it is possible to prevent water droplets from falling on the cut product.

本発明に係る切断装置において、装置の概要を示す平面図である。In the cutting device which concerns on this invention, it is a top view which shows the outline | summary of an apparatus. 実施形態1において使用される洗浄乾燥機構を示す概観図であり、(a)は平面図、(b)はA−A線断面図、(c)はB−B線断面図である。It is a general-view figure which shows the washing-drying mechanism used in Embodiment 1, (a) is a top view, (b) is an AA sectional view, (c) is a BB sectional drawing. (a)〜(b)は、実施形態1の洗浄乾燥機構を使用して切断物を洗浄する動作を示す概略断面図である。(A)-(b) is a schematic sectional drawing which shows the operation | movement which wash | cleans a cut material using the washing-drying mechanism of Embodiment 1. FIG. (a)〜(b)は、実施形態1の洗浄乾燥機構を使用して切断物を乾燥する動作を示す概略断面図である。(A)-(b) is a schematic sectional drawing which shows the operation | movement which dries a cut material using the washing-drying mechanism of Embodiment 1. FIG. 実施形態2において使用される洗浄乾燥機構を示す概観図であり、(a)は平面図、(b)はC−C線断面図、(c)はD−D線断面図である。It is a general-view figure which shows the washing-drying mechanism used in Embodiment 2, (a) is a top view, (b) is CC sectional view taken on the line, (c) is DD sectional view. (a)〜(b)は、実施形態2の洗浄乾燥機構を使用して切断物を洗浄する動作を示す概略断面図である。(A)-(b) is a schematic sectional drawing which shows the operation | movement which wash | cleans a cut material using the washing-drying mechanism of Embodiment 2. FIG. (a)〜(b)は、実施形態2の洗浄乾燥機構を使用して切断物を乾燥する動作を示す概略断面図である。(A)-(b) is a schematic sectional drawing which shows the operation | movement which dries a cut material using the washing-drying mechanism of Embodiment 2. FIG.

以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照して説明する。本出願書類におけるいずれの図についても、わかりやすくするために、適宜省略し又は誇張して模式的に描かれている。同一の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。なお、本出願書類において、「支持部材」とは、チップ、絶縁性膜、導電性膜、半導体膜等の支持体対象物を支持する部材であって、ガラスエポキシ基板、セラミック基板、樹脂基板、金属基板などの一般的な基板、及び、リードフレーム、半導体ウェーハなどが挙げられる。
〔実施形態1〕
Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings. Any figure in the present application document is schematically omitted or exaggerated as appropriate for easy understanding. About the same component, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted suitably. In this application document, the “support member” is a member that supports a support object such as a chip, an insulating film, a conductive film, or a semiconductor film, and includes a glass epoxy substrate, a ceramic substrate, a resin substrate, Examples include general substrates such as metal substrates, lead frames, and semiconductor wafers.
Embodiment 1

(切断装置の構成)
本発明に係る切断装置の構成について、図1を参照して説明する。図1に示されるように、切断装置1は、例えば、大面積を有する切断対象物を切断して複数の領域に個片化する装置である。切断装置1は、切断対象物を供給する供給モジュールAと切断対象物を切断する切断モジュールBと切断された切断物を検査する検査モジュールCとを、それぞれ構成要素として備える。各構成要素(各モジュールA〜C)は、それぞれ他の構成要素に対して着脱可能かつ交換可能である。なお、ここで、「大面積を有する切断対象物」とは、例えば、四辺が200mm以上、250mm以上若しくは300mm以上の四角形又は直径が200mm以上、250mm以上若しくは300mm以上の円形の切断対象物である。
(Configuration of cutting device)
The configuration of the cutting device according to the present invention will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 1, the cutting device 1 is a device that cuts a cutting object having a large area into pieces into a plurality of regions, for example. The cutting device 1 includes a supply module A that supplies a cutting object, a cutting module B that cuts the cutting object, and an inspection module C that inspects the cut object as components. Each component (each module A to C) is detachable and replaceable with respect to other components. Here, the “cutting object having a large area” is, for example, a square cutting object having four sides of 200 mm or more, 250 mm or more, or 300 mm or more, or a circular cutting object having a diameter of 200 mm or more, 250 mm or more, or 300 mm or more. .

切断対象物として、樹脂部を有する支持部材や半導体前工程(拡散工程及び配線工程)が完了した半導体ウェーハなどが、切断装置1によって切断されて個片化される。樹脂部を有する支持部材としては、例えば、基板に装着されたチップを樹脂封止した封止済基板や半導体ウェーハに装着されたチップを樹脂封止した封止済ウェーハなどが挙げられる。樹脂部を成形する前の支持部材そのものを切断することもできる。実施形態1においては、切断対象物として封止済基板を切断して個片化する場合について説明する。なお、切断対処物は、素子形成された半導体ウェーハであってもよい。   As a cutting object, a supporting member having a resin portion, a semiconductor wafer in which a semiconductor pre-process (diffusion process and wiring process) has been completed, and the like are cut by the cutting device 1 into individual pieces. Examples of the support member having a resin portion include a sealed substrate in which a chip mounted on a substrate is sealed with a resin, a sealed wafer in which a chip mounted on a semiconductor wafer is sealed with resin, and the like. The support member itself before molding the resin portion can also be cut. In the first embodiment, a case will be described in which a sealed substrate is cut into pieces as a cutting object. Note that the cutting object may be a semiconductor wafer on which elements are formed.

封止済基板は、基板と、基板が有する複数の領域に装着された複数のチップと、複数の領域が一括して覆われるようにして成形された封止樹脂とを有する。封止済基板を切断して個片化された各領域がそれぞれ製品に相当する。   The sealed substrate includes a substrate, a plurality of chips mounted in a plurality of regions included in the substrate, and a sealing resin that is molded so that the plurality of regions are collectively covered. Each region obtained by cutting the sealed substrate into individual pieces corresponds to a product.

供給モジュールAには、切断対象物に相当する封止済基板2を供給する切断対象物供給機構3と、封止済基板2を受け渡しする切断対象物載置部4と、封止済基板2を搬送する搬送機構5とが設けられる。搬送機構5は、X方向、Y方向及びZ方向に移動可能である。封止済基板2は、切断対象物載置部4において位置決めされた後、搬送機構5によって切断モジュールBに搬送される。   The supply module A includes a cutting object supply mechanism 3 that supplies a sealed substrate 2 corresponding to a cutting object, a cutting object placement unit 4 that delivers the sealed substrate 2, and a sealed substrate 2 And a transport mechanism 5 for transporting. The transport mechanism 5 is movable in the X direction, the Y direction, and the Z direction. The sealed substrate 2 is positioned in the cutting object mounting unit 4 and then transferred to the cutting module B by the transfer mechanism 5.

切断モジュールBには、封止済基板2に仮想的な切断線を設定するアライメント領域6と、封止済基板2を切断して個片化する切断領域7と、個片化された切断物を洗浄して乾燥する洗浄乾燥領域8とが設けられる。   The cutting module B includes an alignment region 6 for setting a virtual cutting line on the sealed substrate 2, a cutting region 7 for cutting and cutting the sealed substrate 2 into pieces, and an individual cut piece And a cleaning / drying region 8 for cleaning and drying the substrate.

切断モジュールBにおいて、アライメント領域6には、封止済基板2を載置する切断用テーブル9が設けられる。切断用テーブル9は、移動機構(図示なし)によって図のY方向に移動可能である。切断用テーブル9は、アライメント領域6、洗浄乾燥領域8及び切断領域7の間を移動することができる。かつ、切断用テーブル9は、回転機構(図示なし)によってθ方向に回動可能である。切断用テーブル9の上に、例えば、切断用治具(図示なし)を取り付け、切断用治具の上に封止済基板2を載置するようにしてもよい。   In the cutting module B, the alignment region 6 is provided with a cutting table 9 on which the sealed substrate 2 is placed. The cutting table 9 can be moved in the Y direction in the figure by a moving mechanism (not shown). The cutting table 9 can move between the alignment region 6, the cleaning / drying region 8, and the cutting region 7. The cutting table 9 can be rotated in the θ direction by a rotation mechanism (not shown). For example, a cutting jig (not shown) may be attached on the cutting table 9 and the sealed substrate 2 may be placed on the cutting jig.

アライメント領域6には、アライメント用のカメラ10が設けられる。アライメント用のカメラ10は、独立してX方向に移動可能である。カメラ10がX方向に移動し、かつ、切断用テーブル9がY方向に移動することによって、封止済基板2に形成されたアライメントマークの座標位置が測定される。このことによって、封止済基板2の切断線がX方向及びY方向に沿って仮想的に設定される。   The alignment region 6 is provided with an alignment camera 10. The alignment camera 10 can move independently in the X direction. As the camera 10 moves in the X direction and the cutting table 9 moves in the Y direction, the coordinate position of the alignment mark formed on the sealed substrate 2 is measured. Thereby, the cutting line of the sealed substrate 2 is virtually set along the X direction and the Y direction.

切断領域7には、切断機構として2個のスピンドル11a、11bが設けられる。切断装置1は、2個のスピンドル11a、11bが設けられるツインスピンドル構成の切断装置である。スピンドル11a、11bは、独立してX方向とZ方向とに移動可能である。スピンドル11a、11bには回転刃12a、12bがそれぞれ装着される。スピンドル11a、11bには、高速回転する回転刃12a、12bによって発生する摩擦熱を抑えるために切削水を噴射する切削水用ノズル、冷却水を噴射する冷却水用ノズル(図示なし)などがそれぞれ設けられる。切断用テーブル9とスピンドル11a、11bとを相対的に移動させることによって封止済基板2が切断される。回転刃12a、12bは、X軸に直交する平面の面内において回転することによって封止済基板2を切断する。   The cutting area 7 is provided with two spindles 11a and 11b as a cutting mechanism. The cutting device 1 is a twin spindle cutting device provided with two spindles 11a and 11b. The spindles 11a and 11b are independently movable in the X direction and the Z direction. The rotary blades 12a and 12b are mounted on the spindles 11a and 11b, respectively. The spindles 11a and 11b are respectively provided with cutting water nozzles for injecting cutting water and cooling water nozzles (not shown) for injecting cooling water to suppress frictional heat generated by the rotating blades 12a and 12b rotating at high speed. Provided. The sealed substrate 2 is cut by relatively moving the cutting table 9 and the spindles 11a and 11b. The rotary blades 12a and 12b cut the sealed substrate 2 by rotating in a plane plane orthogonal to the X axis.

切断領域7に1個のスピンドルが設けられるシングルスピンドル構成の切断装置にすることも可能である。大面積の切断対象物を切断する場合には、回転刃が切断する切断対象物の総距離が非常に長くなるので、2個のスピンドルを設けて効率的に切断対象物を切断することが好ましい。   It is also possible to make a cutting device having a single spindle configuration in which one spindle is provided in the cutting region 7. When cutting a large area cutting object, the total distance of the cutting object cut by the rotary blade becomes very long. Therefore, it is preferable to efficiently cut the cutting object by providing two spindles. .

洗浄乾燥領域8には、スピンドル11a、11bによって切断された切断物である切断済基板13を洗浄して乾燥する洗浄乾燥機構14が設けられる。洗浄乾燥機構14は、切断された切断済基板13を洗浄する洗浄部15と、洗浄した切断済基板13を乾燥する乾燥部16とを備える。洗浄部15と乾燥部16との間には、洗浄部15及び乾燥部16のそれぞれの仕切り壁によって区切られる空間を構成する中間室17が設けられる。洗浄乾燥機構14の下方において、切断用テーブル9がY方向に往復移動することにより切断済基板13は洗浄されて乾燥される。洗浄乾燥機構14については、後述の図2〜4を参照する部分において詳しく説明する。   The cleaning / drying area 8 is provided with a cleaning / drying mechanism 14 that cleans and dries the cut substrate 13 that is a cut product cut by the spindles 11a and 11b. The cleaning / drying mechanism 14 includes a cleaning unit 15 that cleans the cut substrate 13 and a drying unit 16 that dries the cleaned substrate 13. Between the washing | cleaning part 15 and the drying part 16, the intermediate | middle chamber 17 which comprises the space divided | segmented by each partition wall of the washing | cleaning part 15 and the drying part 16 is provided. Below the cleaning / drying mechanism 14, the cutting substrate 9 reciprocates in the Y direction, whereby the cut substrate 13 is cleaned and dried. The cleaning / drying mechanism 14 will be described in detail with reference to FIGS.

検査モジュールCには検査用テーブル18が設けられる。検査用テーブル18には、封止済基板2を切断して個片化された製品Pの集合体である切断済基板13が移載される。切断済基板13は、搬送機構19によって、切断用テーブル9から検査用テーブル18の上に移載される。搬送機構19は、X方向、Y方向及びZ方向に移動可能である。   The inspection module C is provided with an inspection table 18. On the inspection table 18, the cut substrate 13 that is an aggregate of the products P cut into pieces by cutting the sealed substrate 2 is transferred. The cut substrate 13 is transferred from the cutting table 9 onto the inspection table 18 by the transport mechanism 19. The transport mechanism 19 is movable in the X direction, the Y direction, and the Z direction.

検査モジュールCにおいて、複数の製品Pは、例えば、検査用のカメラ20によって検査される。検査用のカメラ20は、X方向及びY方向に移動可能である。検査された製品Pは、良品と不良品とに選別される。良品は良品トレイ21に収容される。不良品は不良品トレイ22に収容される。   In the inspection module C, the plurality of products P are inspected by, for example, an inspection camera 20. The inspection camera 20 is movable in the X direction and the Y direction. The inspected product P is sorted into a non-defective product and a defective product. The non-defective product is stored in the non-defective product tray 21. Defective products are stored in a defective product tray 22.

供給モジュールAには制御部CTLが設けられる。制御部CTLは、切断装置1の動作、封止済基板2の搬送、封止済基板2の位置合わせ、封止済基板2の切断、切断済基板13の洗浄及び乾燥、切断済基板13の搬送、切断済基板13の検査などを制御する。本実施形態においては、制御部CTLを供給モジュールAに設けた。これに限らず、制御部CTLを他のモジュールに設けてもよい。また、制御部CTLは、複数に分割して、供給モジュールA、切断モジュールB及び検査モジュールCのうちの少なくとも二つのモジュールに設けてもよい。   The supply module A is provided with a control unit CTL. The controller CTL operates the cutting device 1, transports the sealed substrate 2, aligns the sealed substrate 2, cuts the sealed substrate 2, cleans and dries the cut substrate 13, and cleans the cut substrate 13. Control of conveyance and inspection of the cut substrate 13 is performed. In the present embodiment, the control unit CTL is provided in the supply module A. Not only this but control part CTL may be provided in other modules. Further, the control unit CTL may be divided into a plurality and provided in at least two of the supply module A, the cutting module B, and the inspection module C.

なお、図1においては、切断対象物として封止済基板2を切断する例を示したので、切断対象物載置部4、切断用テーブル9及び検査用テーブル18を矩形状(正方形)の形状とした。これに限らず、切断対象物として、例えば、半導体ウェーハを扱う場合であれば、切断対象物載置部4、切断用テーブル9及び検査用テーブル18を円形状の形状にしてもよい。   In addition, in FIG. 1, since the example which cut | disconnects the sealed board | substrate 2 as a cutting target was shown, the cutting target mounting part 4, the cutting table 9, and the inspection table 18 are rectangular (square) shapes. It was. For example, when a semiconductor wafer is handled as a cutting target, the cutting target mounting unit 4, the cutting table 9, and the inspection table 18 may be formed in a circular shape.

(洗浄乾燥機構の構成)
図2を参照して、図1に示した切断装置1において使用される実施形態1の洗浄乾燥機構14の構成について説明する。
(Structure of washing and drying mechanism)
With reference to FIG. 2, the structure of the washing-drying mechanism 14 of Embodiment 1 used in the cutting device 1 shown in FIG. 1 will be described.

図2(a)に示されるように、洗浄乾燥機構14は、切断された切断済基板13を洗浄する洗浄部15と、洗浄した切断済基板13を乾燥する乾燥部16と、洗浄部15と乾燥部16との間に設けられた中間室17とを備える。洗浄乾燥機構14は、平面視して長さL1及び幅Wの大きさを有する。洗浄乾燥機構14の幅Wは、切断用テーブル9の幅よりも大きく設定される。切断用テーブル9は、洗浄乾燥機構14の下方において、Y方向に往復移動する。   As shown in FIG. 2A, the cleaning / drying mechanism 14 includes a cleaning unit 15 that cleans the cut substrate 13 that has been cut, a drying unit 16 that drys the cleaned substrate 13 that has been cleaned, and a cleaning unit 15. An intermediate chamber 17 provided between the drying unit 16 and the drying unit 16. The cleaning / drying mechanism 14 has a length L1 and a width W in plan view. The width W of the cleaning / drying mechanism 14 is set to be larger than the width of the cutting table 9. The cutting table 9 reciprocates in the Y direction below the cleaning / drying mechanism 14.

図2(b)、(c)に示されるように、洗浄乾燥機構14の下方には、切断用テーブル9及び切断用テーブル9の上に載置された切断済基板13が移動する移動空間23が形成される。切断用テーブル9は、例えば、ボールねじ機構などの移動機構(図示なし)を使用して、移動空間23の中をY方向に往復移動する。   As shown in FIGS. 2B and 2C, below the cleaning / drying mechanism 14, a cutting table 9 and a moving space 23 in which the cut substrate 13 placed on the cutting table 9 moves. Is formed. The cutting table 9 reciprocates in the Y direction in the moving space 23 using, for example, a moving mechanism (not shown) such as a ball screw mechanism.

移動空間23は、洗浄部15、乾燥部16及び中間室17を構成するそれぞれの外周の側壁板によって少なくとも一部を囲まれ、洗浄乾燥機構14の下端を基準面として高さh1を有する空間である。移動空間23は、洗浄部15、乾燥部16及び中間室17のそれぞれの壁の厚さも含めると、長さL1×幅W×高さh1を有する直方体状の空間である。なお、洗浄乾燥機構14の下端を基準面として、中間室17はh2の高さ、乾燥部16はh3の高さ、洗浄部15はh4の高さを有する。これらの高さの関係は、h4>h3>h2>h1となっている。   The moving space 23 is a space having at least a part surrounded by the outer peripheral side wall plates constituting the cleaning unit 15, the drying unit 16 and the intermediate chamber 17, and having a height h 1 with the lower end of the cleaning / drying mechanism 14 as a reference plane. is there. The moving space 23 is a rectangular parallelepiped space having a length L1 × width W × height h1, including the thickness of each wall of the cleaning unit 15, the drying unit 16, and the intermediate chamber 17. The intermediate chamber 17 has a height of h2, the drying section 16 has a height of h3, and the cleaning section 15 has a height of h4 with the lower end of the cleaning / drying mechanism 14 as a reference plane. The relationship between these heights is h4> h3> h2> h1.

洗浄部15は、下方に開口部を有する洗浄室24と洗浄室24内に収容された洗浄機構25とを備える。洗浄室24と中間室17とは、洗浄部15を構成する中間室側仕切壁26によって仕切られる。切断済基板13が洗浄室24及び中間室17の下方の移動空間23内を往復移動することにより、切断済基板13の全面が洗浄機構25によって洗浄される。   The cleaning unit 15 includes a cleaning chamber 24 having an opening below and a cleaning mechanism 25 accommodated in the cleaning chamber 24. The cleaning chamber 24 and the intermediate chamber 17 are partitioned by an intermediate chamber-side partition wall 26 that constitutes the cleaning unit 15. As the cut substrate 13 reciprocates in the moving space 23 below the cleaning chamber 24 and the intermediate chamber 17, the entire surface of the cut substrate 13 is cleaned by the cleaning mechanism 25.

洗浄機構25として、例えば、洗浄液27を噴射する噴射洗浄機構(スプレー洗浄)が使用される。スプレー洗浄は、一流体又は二流体からなるノズルを使用した洗浄である。一流体ノズルの場合には、ノズルの先端から洗浄液27が切断済基板13に向かって噴射される。洗浄液27としては、純水、炭酸水、オゾン水などを使用することが好ましい。二流体ノズルの場合には、洗浄液27の中に圧縮空気や窒素ガスなどの気体が供給される。気体が混合された洗浄液27は、微細な霧状の粒子となって切断済基板13に向かって噴射される。また、洗浄機構25から噴射される洗浄液27に超音波を印加して噴射することもできる。洗浄液27を噴射する方向、角度などは任意に設定することができる。   As the cleaning mechanism 25, for example, an injection cleaning mechanism (spray cleaning) for injecting the cleaning liquid 27 is used. Spray cleaning is cleaning using a nozzle composed of one or two fluids. In the case of a one-fluid nozzle, the cleaning liquid 27 is sprayed toward the cut substrate 13 from the tip of the nozzle. As the cleaning liquid 27, it is preferable to use pure water, carbonated water, ozone water, or the like. In the case of a two-fluid nozzle, a gas such as compressed air or nitrogen gas is supplied into the cleaning liquid 27. The cleaning liquid 27 mixed with gas is sprayed toward the cut substrate 13 as fine mist particles. Moreover, it is also possible to apply ultrasonic waves to the cleaning liquid 27 sprayed from the cleaning mechanism 25 and spray it. The direction, angle, and the like for injecting the cleaning liquid 27 can be arbitrarily set.

大面積を有する切断済基板13を洗浄する場合には、切断済基板13の全面を一括して洗浄するために、複数の洗浄機構25又は切断済基板13の幅よりも広くスリット状のノズルや多孔式のノズルを備えた洗浄機構25を使用することが好ましい。更に、ノズルの向きを、切断済基板13に向かって左右又は上下方向に自動的に可変するような構成にしてもよい。図2(b)に示されるように、洗浄液27は、洗浄室24から中間室17とは反対側の方向に向かって噴射することが好ましい。洗浄機構25から噴射された洗浄液27、洗浄室24の内壁に付着した水滴、及び洗浄室24内で発生したミストが中間室17に侵入しないようにすることが好ましい。   When cleaning the cut substrate 13 having a large area, a plurality of cleaning mechanisms 25 or slit-like nozzles wider than the width of the cut substrate 13 are used to clean the entire surface of the cut substrate 13 at once. It is preferable to use a cleaning mechanism 25 having a porous nozzle. Further, the nozzle may be configured to automatically change the direction of the nozzle in the left-right or up-down direction toward the cut substrate 13. As shown in FIG. 2B, the cleaning liquid 27 is preferably sprayed from the cleaning chamber 24 in a direction opposite to the intermediate chamber 17. It is preferable to prevent the cleaning liquid 27 sprayed from the cleaning mechanism 25, water droplets adhering to the inner wall of the cleaning chamber 24, and mist generated in the cleaning chamber 24 from entering the intermediate chamber 17.

乾燥部16は、下方に開口部を有する乾燥室28と乾燥室28内に収容された乾燥機構29とを備える。乾燥室28と中間室17とは、乾燥部16を構成する中間室側仕切壁30によって仕切られる。切断済基板13が乾燥室28及び中間室17の下方の移動空間23内を往復移動することにより、切断済基板13の全面が乾燥機構29によって乾燥される。   The drying unit 16 includes a drying chamber 28 having an opening below and a drying mechanism 29 accommodated in the drying chamber 28. The drying chamber 28 and the intermediate chamber 17 are partitioned by an intermediate chamber-side partition wall 30 constituting the drying unit 16. As the cut substrate 13 reciprocates in the moving space 23 below the drying chamber 28 and the intermediate chamber 17, the entire surface of the cut substrate 13 is dried by the drying mechanism 29.

乾燥機構29として、例えば、切断済基板13に向かって圧縮空気や窒素ガスなどの気体31を吹き付けて切断済基板13の表面から洗浄液27を吹き飛ばすエアナイフ水切り乾燥が使用される。エアナイフ水切り乾燥は、幅が広くかつ狭い空気の流れを作り出し、強い噴出力で洗浄液27を吹き飛ばすことができる。気体31を吹き付ける方向、角度などは任意に設定することができる。   As the drying mechanism 29, for example, air knife draining drying in which a gas 31 such as compressed air or nitrogen gas is blown toward the cut substrate 13 to blow the cleaning liquid 27 from the surface of the cut substrate 13 is used. The air knife draining and drying generates a wide and narrow air flow, and can blow off the cleaning liquid 27 with a strong jet power. The direction and angle of blowing the gas 31 can be arbitrarily set.

エアナイフを用いた場合にその幅は、切断済基板13の全面を一括して乾燥するために切断済基板13の幅よりも大きくすることが好ましい。更に、エアナイフの噴射口の向きを、左右又は上下方向に自動的に可変するような構成にしてもよい。乾燥機構29から噴射される気体31は、乾燥室28から中間室17とは反対側の方向に向かって噴射してもよいし、乾燥室28から中間室17の方向に向かって噴射してもよい。又は、真下に噴射してもよい。切断済基板13上の洗浄液27を乾燥室28から下方に向かって吹き飛ばすような構成であればよい。   When an air knife is used, the width is preferably larger than the width of the cut substrate 13 in order to dry the entire surface of the cut substrate 13 all together. Further, the direction of the air knife injection port may be automatically changed in the left-right or up-down direction. The gas 31 ejected from the drying mechanism 29 may be ejected from the drying chamber 28 in the direction opposite to the intermediate chamber 17 or may be ejected from the drying chamber 28 toward the intermediate chamber 17. Good. Or you may inject directly below. The cleaning liquid 27 on the cut substrate 13 may be configured to be blown downward from the drying chamber 28.

洗浄乾燥機構14において、洗浄機構25及び乾燥機構29のそれぞれは、切断済基板13の幅方向に沿って配列された複数の製品Pからなる集合体を一括して洗浄及び乾燥する形態であればよい。かつ、洗浄乾燥機構14は、切断済基板13を乾燥中又は乾燥後に、洗浄乾燥機構14(具体的には洗浄室24及び中間室17)の内壁などに付着した水滴が切断済基板13の上に落下することを抑制するような構成にすることが好ましい。   In the cleaning / drying mechanism 14, each of the cleaning mechanism 25 and the drying mechanism 29 is configured to collectively clean and dry an assembly of a plurality of products P arranged along the width direction of the cut substrate 13. Good. In addition, the cleaning / drying mechanism 14 is configured so that water droplets adhering to the inner walls of the cleaning / drying mechanism 14 (specifically, the cleaning chamber 24 and the intermediate chamber 17) are dried on or after the cut substrate 13 is dried. It is preferable to adopt a configuration that suppresses falling.

(洗浄乾燥機構の動作)
図3〜4を参照して、洗浄乾燥機構14によって切断済基板13を洗浄して乾燥する動作について説明する。
(Operation of washing and drying mechanism)
With reference to FIGS. 3-4, the operation | movement which wash | cleans and dries the cut | disconnected board | substrate 13 with the washing | cleaning drying mechanism 14 is demonstrated.

図3(a)、(b)に示されるように、切断済基板13を洗浄するために、移動機構(図示なし)を使用して切断用テーブル9を洗浄室24の下方においてY方向に往復移動させる。切断用テーブル9の上に載置された切断済基板13が洗浄室24の下方を通過する際に、複数の洗浄機構25から洗浄液27を切断済基板13に噴射して切断済基板13を洗浄する。例えば、切断用テーブル9をS1の位置からS2の位置まで一定の距離DだけY方向に往復移動させることによって、切断済基板13の全面を複数の洗浄機構25によって洗浄することができる。複数の洗浄機構25によって、切断済基板13上に残っている切断屑や汚染物などを除去する。   As shown in FIGS. 3A and 3B, in order to clean the cut substrate 13, the cutting table 9 is reciprocated in the Y direction below the cleaning chamber 24 using a moving mechanism (not shown). Move. When the cut substrate 13 placed on the cutting table 9 passes below the cleaning chamber 24, the cleaning solution 27 is sprayed onto the cut substrate 13 from the plurality of cleaning mechanisms 25 to clean the cut substrate 13. To do. For example, the entire surface of the cut substrate 13 can be cleaned by the plurality of cleaning mechanisms 25 by reciprocating the cutting table 9 in the Y direction by a certain distance D from the position S1 to the position S2. A plurality of cleaning mechanisms 25 removes cutting waste and contaminants remaining on the cut substrate 13.

洗浄機構25として、一流体又は二流体からなるノズルを使用したスプレー洗浄を使用する。一流体ノズルの場合には、ノズルの先端から噴射された洗浄液27の一部が切断済基板13から飛び跳ねて、洗浄室24の内壁や洗浄機構25に付着して水滴となることがある。洗浄室24の内壁や洗浄機構25に付着した水滴は、時間の経過と共に下方に落下するおそれがある。   As the cleaning mechanism 25, spray cleaning using a nozzle made of one fluid or two fluids is used. In the case of a one-fluid nozzle, a part of the cleaning liquid 27 ejected from the tip of the nozzle may jump from the cut substrate 13 and adhere to the inner wall of the cleaning chamber 24 or the cleaning mechanism 25 to form water droplets. There is a risk that water droplets adhering to the inner wall of the cleaning chamber 24 or the cleaning mechanism 25 will fall downward as time passes.

二流体ノズルの場合には、洗浄液27の中に圧縮空気や窒素ガスなどの気体を供給する。気体が混合された洗浄液27は、微細な霧状の粒子(ミスト)となって切断済基板13に噴射される。ミストは、洗浄室24内の壁や天井に付着し凝集して水滴となるおそれがある。洗浄室24内の壁や天井に付着し水滴は、時間の経過と共に下方に落下するおそれがある。なお、二流体ノズルの方がミストは発生しやすいが、一流体ノズルであってもミストが発生する場合もある。   In the case of a two-fluid nozzle, a gas such as compressed air or nitrogen gas is supplied into the cleaning liquid 27. The cleaning liquid 27 mixed with gas is sprayed onto the cut substrate 13 in the form of fine mist particles (mist). Mist may adhere to the walls and ceiling in the cleaning chamber 24 and aggregate to form water droplets. There is a risk that the water droplets adhering to the walls and ceiling in the cleaning chamber 24 will fall downward with the passage of time. Note that mist is more likely to occur with the two-fluid nozzle, but mist may also occur with the one-fluid nozzle.

このように、スプレー洗浄を使用する場合には、洗浄室24内の壁や天井及び洗浄機構25に付着した水滴が、時間の経過と共に下方に落下するおそれがある。したがって、洗浄乾燥機構14において、切断済基板13を乾燥する際又は乾燥後に、切断済基板13の上に水滴が落下することを抑制するような構成にすることが好ましい。   As described above, when spray cleaning is used, water droplets attached to the walls and ceiling in the cleaning chamber 24 and the cleaning mechanism 25 may fall downward over time. Therefore, it is preferable that the cleaning / drying mechanism 14 is configured to prevent water droplets from falling on the cut substrate 13 when or after the cut substrate 13 is dried.

図4(a)、(b)に示されるように、洗浄された切断済基板13を乾燥するために、移動機構(図示なし)を使用して切断用テーブル9を乾燥室28の下方においてY方向に往復移動させる。切断用テーブル9の上に載置された切断済基板13が乾燥室28の下方を通過する際に、乾燥機構29から圧縮空気や窒素ガスなどの気体31を切断済基板13に吹き付けて切断済基板13の表面から洗浄液27を吹き飛ばす。例えば、切断用テーブル9をS3の位置からS4の位置まで一定の距離DだけY方向に往復移動させることによって、切断済基板13の全面を乾燥機構29によって乾燥する。   As shown in FIGS. 4A and 4B, in order to dry the cleaned cut substrate 13, the cutting table 9 is moved under the drying chamber 28 using a moving mechanism (not shown). Move back and forth in the direction. When the cut substrate 13 placed on the cutting table 9 passes under the drying chamber 28, a gas 31 such as compressed air or nitrogen gas is blown onto the cut substrate 13 from the drying mechanism 29 and cut. The cleaning liquid 27 is blown off from the surface of the substrate 13. For example, the entire surface of the cut substrate 13 is dried by the drying mechanism 29 by reciprocating the cutting table 9 in the Y direction by a certain distance D from the position S3 to the position S4.

切断済基板13の全面を洗浄するために、切断用テーブル9をS1の位置からS2の位置まで一定の距離DだけY方向に移動させて切断済基板13を洗浄する。同様に、切断済基板13の全面を乾燥するために、切断用テーブル9をS3の位置からS4の位置まで一定の距離DだけY方向に移動させて切断済基板13を乾燥する。切断済基板13を洗浄する場合及び切断済基板13を乾燥する場合いずれの場合においても、切断用テーブル9を一定の距離DだけY方向に移動させることによって切断済基板13の全面を洗浄及び乾燥することができる。   In order to clean the entire surface of the cut substrate 13, the cutting table 9 is moved in the Y direction by a certain distance D from the position S1 to the position S2, and the cut substrate 13 is cleaned. Similarly, in order to dry the entire surface of the cut substrate 13, the cutting table 9 is moved in the Y direction by a fixed distance D from the position of S3 to the position of S4 to dry the cut substrate 13. In both cases of cleaning the cut substrate 13 and drying the cut substrate 13, the entire surface of the cut substrate 13 is cleaned and dried by moving the cutting table 9 in the Y direction by a fixed distance D. can do.

洗浄乾燥機構14において、洗浄部15と乾燥部16との間に中間室17を設けている。図4(a)に示されるように、Y方向において、中間室17はd1の長さを有する。このことにより、切断済基板13を乾燥中に切断済基板13が洗浄室24の下方を通過することがないような構成にすることができる。したがって、切断済基板13を乾燥中又は乾燥後に、洗浄室24内の壁や天井及び洗浄機構25に付着した水滴が切断済基板13の上に落下することを抑制することができる。   In the cleaning / drying mechanism 14, an intermediate chamber 17 is provided between the cleaning unit 15 and the drying unit 16. As shown in FIG. 4A, in the Y direction, the intermediate chamber 17 has a length of d1. Accordingly, it is possible to make a configuration in which the cut substrate 13 does not pass below the cleaning chamber 24 while the cut substrate 13 is being dried. Accordingly, it is possible to prevent water droplets attached to the walls and ceiling in the cleaning chamber 24 and the cleaning mechanism 25 from falling on the cut substrate 13 during or after the cut substrate 13 is dried.

(作用効果)
本実施形態では、切断装置1は、切断対象物である封止済基板2を切断する切断機構であるスピンドル11a、11bと、スピンドル11a、11bにより封止済基板2が切断された切断物である切断済基板13が載置されるテーブルである切断用テーブル9と、切断用テーブル9上の切断済基板13を洗浄する洗浄部15と、洗浄部15から移動された切断用テーブル9上の切断済基板13を乾燥する乾燥部16と、洗浄部15と乾燥部16との間に設けられた中間室17とを備える構成としている。
(Function and effect)
In the present embodiment, the cutting device 1 is a spindle 11a, 11b that is a cutting mechanism that cuts the sealed substrate 2 that is the object to be cut, and a cut product in which the sealed substrate 2 is cut by the spindles 11a, 11b. A cutting table 9 which is a table on which a certain cut substrate 13 is placed, a cleaning unit 15 for cleaning the cut substrate 13 on the cutting table 9, and a cutting table 9 moved from the cleaning unit 15 A drying unit 16 that dries the cut substrate 13 and an intermediate chamber 17 provided between the cleaning unit 15 and the drying unit 16 are provided.

この構成によれば、切断装置1は、切断済基板13を洗浄する洗浄部15と、切断済基板13を乾燥する乾燥部16と、洗浄部15と乾燥部16との間に設けられた中間室17とを備える。中間室17を設けることによって、切断済基板13を乾燥中に切断用テーブル9が洗浄室24の下方を通過しない構成としている。したがって、洗浄室24内の壁や天井及び洗浄機構25に付着した水滴が切断済基板13の上に落下することを抑制することができる。   According to this configuration, the cutting apparatus 1 includes a cleaning unit 15 that cleans the cut substrate 13, a drying unit 16 that dries the cut substrate 13, and an intermediate provided between the cleaning unit 15 and the drying unit 16. And a chamber 17. By providing the intermediate chamber 17, the cutting table 9 does not pass below the cleaning chamber 24 while drying the cut substrate 13. Therefore, it is possible to prevent water droplets adhering to the walls and ceiling in the cleaning chamber 24 and the cleaning mechanism 25 from falling on the cut substrate 13.

本実施形態によれば、切断装置1は、封止済基板2を切断するスピンドル11a、11bと、封止済基板2が切断された切断物である切断済基板13を載置する切断用テーブル9と、切断用テーブル9を移動させて切断済基板13を洗浄して乾燥する洗浄乾燥機構14とを備える。洗浄乾燥機構14は、切断済基板13を洗浄する洗浄部15と、切断済基板13を乾燥する乾燥部16と、洗浄部15と乾燥部16との間に設けられた中間室17とを備える。洗浄部15と乾燥部16との間に中間室17を設けることにより、乾燥機構29によって切断済基板13を乾燥する際に、洗浄室24の下方を切断済基板13が通過しない構成としている。このことにより、洗浄室24内の壁や天井及び洗浄機構25に付着した水滴が、切断済基板13の上に落下することを抑制することができる。したがって、水滴の落下による染みの発生や乾燥不良を抑制することができる。   According to the present embodiment, the cutting apparatus 1 includes spindles 11a and 11b for cutting the sealed substrate 2, and a cutting table on which the cut substrate 13 that is a cut product obtained by cutting the sealed substrate 2 is placed. 9 and a cleaning / drying mechanism 14 that moves the cutting table 9 to clean and dry the cut substrate 13. The cleaning / drying mechanism 14 includes a cleaning unit 15 for cleaning the cut substrate 13, a drying unit 16 for drying the cut substrate 13, and an intermediate chamber 17 provided between the cleaning unit 15 and the drying unit 16. . By providing the intermediate chamber 17 between the cleaning unit 15 and the drying unit 16, when the cut substrate 13 is dried by the drying mechanism 29, the cut substrate 13 does not pass below the cleaning chamber 24. As a result, it is possible to prevent water droplets adhering to the walls and ceiling in the cleaning chamber 24 and the cleaning mechanism 25 from falling on the cut substrate 13. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of stains and poor drying due to drops of water drops.

本実施形態によれば、洗浄部15と乾燥部16との間に中間室17を設けているので、中間室を設けない構成と比較して、洗浄機構25から噴射された洗浄液27、洗浄室24の内壁に付着した水滴、及び洗浄室24内で発生したミストの乾燥部16への侵入を抑制でき、切断物への水滴落下を抑制できる。
〔実施形態2〕
According to the present embodiment, since the intermediate chamber 17 is provided between the cleaning unit 15 and the drying unit 16, the cleaning liquid 27 ejected from the cleaning mechanism 25, the cleaning chamber is compared with a configuration in which no intermediate chamber is provided. The water droplets adhering to the inner wall of 24 and the mist generated in the cleaning chamber 24 can be prevented from entering the drying section 16, and the water droplets falling onto the cut product can be suppressed.
[Embodiment 2]

(洗浄乾燥機構の構成)
図5を参照して、切断装置1において使用される実施形態2の洗浄乾燥機構の構成について説明する。実施形態1との違いは、洗浄部及び中間室の構成を変更したことである。それ以外の構成については実施形態1と同じであるので、説明を省略する。
(Structure of washing and drying mechanism)
With reference to FIG. 5, the structure of the washing-drying mechanism of Embodiment 2 used in the cutting device 1 will be described. The difference from the first embodiment is that the configurations of the cleaning unit and the intermediate chamber are changed. Since the other configuration is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted.

図5(a)に示されるように、洗浄乾燥機構32は、切断された切断済基板13を洗浄する洗浄部33と、洗浄した切断済基板13を乾燥する乾燥部16と、洗浄部33と乾燥部16との間に設けられた中間室34とを備える。乾燥部16は、実施形態1に示した乾燥部と同じである。洗浄乾燥機構32は、平面視して長さL2及び幅Wの大きさを有する。洗浄乾燥機構32の幅Wは、実施形態1に示した洗浄乾燥機構14の幅と同じである。洗浄乾燥機構32の長さL2は、実施形態1に示した洗浄乾燥機構14の長さL1よりも小さい(図2(a)参照)。切断用テーブル9は、洗浄乾燥機構32の下方において、Y方向に往復移動する。   As shown in FIG. 5A, the cleaning / drying mechanism 32 includes a cleaning unit 33 that cleans the cut substrate 13 that has been cut, a drying unit 16 that drys the cleaned substrate 13 that has been cleaned, and a cleaning unit 33. An intermediate chamber 34 provided between the drying unit 16 and the drying unit 16. The drying unit 16 is the same as the drying unit shown in the first embodiment. The cleaning / drying mechanism 32 has a length L2 and a width W in plan view. The width W of the cleaning / drying mechanism 32 is the same as the width of the cleaning / drying mechanism 14 shown in the first embodiment. The length L2 of the cleaning / drying mechanism 32 is smaller than the length L1 of the cleaning / drying mechanism 14 shown in the first embodiment (see FIG. 2A). The cutting table 9 reciprocates in the Y direction below the cleaning / drying mechanism 32.

図5(b)に示されるように、洗浄部33は、洗浄部33の中間室34側に設けられた中間室側仕切壁35と中間室側仕切壁35から洗浄部33側に傾斜した仕切板36とを備える。仕切板36は、例えば、中間室側仕切壁35において、中間室34の天板頂上部に対応する位置(洗浄乾燥機構32の下端を基準面としてh2の高さ位置)から洗浄部33側の下方(洗浄乾燥機構32の下端を基準面としてh1の高さ位置)に向かって設けられる。洗浄部33の中間室側仕切壁35において、仕切板36の取り付け位置、傾斜角度及び長さは任意に設定することができる。洗浄室24と中間室34とは、洗浄部33を構成する中間室側仕切壁35と仕切板36とによって仕切られる。仕切板36を設けることによって、洗浄機構25から噴射された洗浄液27、洗浄室24の内壁に付着した水滴、及び洗浄室24内で発生したミストが中間室34に侵入することを抑制することができる。   As shown in FIG. 5B, the cleaning unit 33 includes an intermediate chamber side partition wall 35 provided on the intermediate chamber 34 side of the cleaning unit 33 and a partition inclined from the intermediate chamber side partition wall 35 toward the cleaning unit 33 side. A plate 36. For example, the partition plate 36 is located on the intermediate chamber side partition wall 35 from the position corresponding to the top of the top plate of the intermediate chamber 34 (the height position of h2 with the lower end of the cleaning / drying mechanism 32 as a reference plane) on the cleaning unit 33 side. It is provided toward the lower side (the height position of h1 with the lower end of the cleaning / drying mechanism 32 as a reference plane). In the intermediate chamber side partition wall 35 of the cleaning unit 33, the attachment position, the inclination angle, and the length of the partition plate 36 can be arbitrarily set. The cleaning chamber 24 and the intermediate chamber 34 are partitioned by an intermediate chamber-side partition wall 35 and a partition plate 36 that constitute the cleaning unit 33. By providing the partition plate 36, it is possible to prevent the cleaning liquid 27 ejected from the cleaning mechanism 25, water droplets attached to the inner wall of the cleaning chamber 24, and mist generated in the cleaning chamber 24 from entering the intermediate chamber 34. it can.

図5(c)に示されるように、中間室34を構成する天板37は、中央部から両側に傾斜する切妻屋根形状を有する。言い換えれば、中間室34の天板37の下面38である天井内面は、中央部から両側に下向きに傾斜する形状を有する。中間室34の中央部は洗浄乾燥機構32の下端を基準面としてh2の高さを有し、中間室34の側壁板は洗浄乾燥機構32の下端を基準面としてh1の高さを有する。したがって、中間室34は、切妻屋根形状を有する天板37と洗浄部33に設けられた仕切板36と中間室34及び洗浄部33をそれぞれ構成する側壁板とによって囲まれる空間から構成される。   As shown in FIG. 5 (c), the top plate 37 constituting the intermediate chamber 34 has a gable roof shape that inclines to both sides from the central portion. In other words, the ceiling inner surface, which is the lower surface 38 of the top plate 37 of the intermediate chamber 34, has a shape that is inclined downward from the center to both sides. The central portion of the intermediate chamber 34 has a height h2 with the lower end of the cleaning / drying mechanism 32 as a reference plane, and the side wall plate of the intermediate chamber 34 has a height h1 with the lower end of the cleaning / drying mechanism 32 as a reference plane. Therefore, the intermediate chamber 34 is configured by a space surrounded by a top plate 37 having a gable roof shape, a partition plate 36 provided in the cleaning unit 33, and side wall plates that respectively constitute the intermediate chamber 34 and the cleaning unit 33.

図5(b)、図7(a)に示されるように、中間室34の天板37の下方の空間と洗浄部33に設けられた仕切板36の下方の空間とによって、中間室34は構成される。中間室34の天板37の下方の空間だけでなく、洗浄部33に設けられた仕切板36の下方の空間も中間室34を構成する空間となる。したがって、洗浄乾燥機構32のY方向において、天板37の下方の空間の長さd2(図7(a)参照)と仕切板36の下方の空間の長さd3(図7(a)参照)とを合計した長さ(d2+d3)が実効的な中間室34の長さとなる。このことにより、切断済基板13を乾燥する際に、切断用テーブル9を仕切板36の下方に形成された空間まで往復移動させることが可能となる。仕切板36の下方に形成された空間のY方向における長さd3(図7(a)参照)だけ切断用テーブル9+Y方向に移動させる距離を長くすることができる。したがって、洗浄乾燥機構32の長さL2(図5(a)参照)を、洗浄乾燥機構14の長さL1(図2(a)参照)より小さくしても、切断済基板13の全面を乾燥するために切断用テーブル9を往復移動させる距離D(図7(a)参照)を中間室34の下方において確保することができる。   As shown in FIGS. 5B and 7A, the intermediate chamber 34 is formed by a space below the top plate 37 of the intermediate chamber 34 and a space below the partition plate 36 provided in the cleaning unit 33. Composed. Not only the space below the top plate 37 of the intermediate chamber 34, but also the space below the partition plate 36 provided in the cleaning unit 33 is a space constituting the intermediate chamber 34. Accordingly, in the Y direction of the cleaning / drying mechanism 32, the length d2 of the space below the top plate 37 (see FIG. 7A) and the length d3 of the space below the partition plate 36 (see FIG. 7A). The total length (d2 + d3) is the effective length of the intermediate chamber 34. Accordingly, when the cut substrate 13 is dried, the cutting table 9 can be reciprocated to a space formed below the partition plate 36. The distance moved in the cutting table 9 + Y direction by the length d3 in the Y direction (see FIG. 7A) of the space formed below the partition plate 36 can be increased. Therefore, even if the length L2 of the cleaning / drying mechanism 32 (see FIG. 5A) is smaller than the length L1 of the cleaning / drying mechanism 14 (see FIG. 2A), the entire surface of the cut substrate 13 is dried. Therefore, a distance D (see FIG. 7A) for reciprocating the cutting table 9 can be secured below the intermediate chamber 34.

洗浄乾燥機構32は、洗浄部33に仕切板36を設けることによって、洗浄機構25から噴射された洗浄液27が中間室34に侵入すること、洗浄室24の内壁に付着した水滴が中間室34に侵入すること、及び洗浄室24内で発生したミストが中間室34に侵入することを抑制する構成としている。しかし、洗浄部33に仕切板36を設けた場合であっても、まだ洗浄室24内で発生したミストが中間室34に侵入するおそれがある。   The cleaning / drying mechanism 32 is provided with a partition plate 36 in the cleaning unit 33, so that the cleaning liquid 27 ejected from the cleaning mechanism 25 enters the intermediate chamber 34, and water droplets adhering to the inner wall of the cleaning chamber 24 enter the intermediate chamber 34. Intrusion and mist generated in the cleaning chamber 24 are prevented from entering the intermediate chamber 34. However, even when the cleaning plate 33 is provided with the partition plate 36, the mist generated in the cleaning chamber 24 may still enter the intermediate chamber 34.

そこで、中間室34に侵入したミストが中間室34の内壁に付着し凝集して水滴になることを抑制するために、中間室34の内壁を親水性にしてもよい。中間室34を構成する天板37の下面38即ち天井内面及び洗浄部33に設けられた仕切板36の下面39を、例えば、ブラスト処理することにより表面に細かい凹凸を形成することができる。天板37の下面38と仕切板36の下面39とをブラスト処理により粗面化して親水性にすることができる。このことにより、天板37の下面38や仕切板36の下面39に付着したミストが凝集しても、下方に落下する程度の大きな水滴になることを抑制することができる。なお、天板37の下面38の方が、仕切板36の下面39よりも、切断物への水滴落下の可能性があるので、天板37の下面38のみを粗面化の加工を施しても良い。   Therefore, in order to prevent mist that has entered the intermediate chamber 34 from adhering to the inner wall of the intermediate chamber 34 and aggregating into water droplets, the inner wall of the intermediate chamber 34 may be made hydrophilic. Fine irregularities can be formed on the surface by, for example, blasting the lower surface 38 of the top plate 37 constituting the intermediate chamber 34, that is, the inner surface of the ceiling and the lower surface 39 of the partition plate 36 provided in the cleaning unit 33. The lower surface 38 of the top plate 37 and the lower surface 39 of the partition plate 36 can be roughened by blasting to make them hydrophilic. As a result, even if the mist adhering to the lower surface 38 of the top plate 37 and the lower surface 39 of the partition plate 36 is aggregated, it is possible to suppress the formation of large water droplets that fall downward. Since the lower surface 38 of the top plate 37 is more likely to drop water on the cut than the lower surface 39 of the partition plate 36, only the lower surface 38 of the top plate 37 is roughened. Also good.

加えて、中間室34を構成する天板37を、中央部から両側に傾斜する切妻屋根形状にしている。洗浄部33に設けられた仕切板36も下方に傾斜している。そのため、中間室34の内壁に付着したミストが凝集して水滴となっても下方に落下する程度の大きな水滴とならず、天板37及び仕切板36の傾斜に沿って水滴が下方に流れやすくなっている。したがって、切断済基板13の上に水滴が落下することを抑制することができる。   In addition, the top plate 37 constituting the intermediate chamber 34 has a gable roof shape that is inclined from the center to both sides. The partition plate 36 provided in the cleaning unit 33 is also inclined downward. Therefore, even if the mist adhering to the inner wall of the intermediate chamber 34 aggregates and forms water droplets, the water droplets do not become large enough to fall downward, and the water droplets easily flow downward along the inclination of the top plate 37 and the partition plate 36. It has become. Therefore, it is possible to prevent water droplets from falling on the cut substrate 13.

さらに、洗浄部33に設けられた仕切板36の上面に空気や窒素を噴射する気体噴射機構40を設けることができる。気体を噴射する方向、角度などは任意に設定することができる。更に、気体を噴射する方向を左右又は上下方向に自動的に可変するような構成にしてもよい。気体噴射機構40を設けることによって、洗浄機構25から噴射された洗浄液27、洗浄室24の内壁に付着した水滴、及び洗浄室24内で発生したミストが中間室34に侵入することを更に抑制することができる。したがって、中間室34の内壁に水滴が付着することを更に抑制することができる。   Furthermore, the gas injection mechanism 40 which injects air and nitrogen can be provided on the upper surface of the partition plate 36 provided in the cleaning unit 33. The direction, angle, etc. which inject gas can be set arbitrarily. Furthermore, a configuration may be adopted in which the direction in which the gas is ejected is automatically changed in the left-right or up-down direction. By providing the gas ejection mechanism 40, the cleaning liquid 27 ejected from the cleaning mechanism 25, water droplets adhering to the inner wall of the cleaning chamber 24, and mist generated in the cleaning chamber 24 are further suppressed from entering the intermediate chamber 34. be able to. Therefore, it is possible to further suppress water droplets from adhering to the inner wall of the intermediate chamber 34.

実施形態2に示した洗浄乾燥機構32においては、次の4つの対応を行った。(1)洗浄部33に傾斜した仕切板36を設ける、(2)中間室34の天板37を切妻屋根形状にする、(3)中間室34の天板37の下面38及び洗浄部33に設けた仕切板36の下面39を粗面化する、(4)仕切板36の上面に気体噴射機構40を設ける。これらの対応をすることにより、切断済基板13の上に水滴が落下することをより一層抑制することができる。   In the cleaning / drying mechanism 32 shown in the second embodiment, the following four measures were taken. (1) An inclined partition plate 36 is provided in the cleaning unit 33, (2) the top plate 37 of the intermediate chamber 34 is formed into a gable roof shape, (3) the lower surface 38 of the top plate 37 of the intermediate chamber 34 and the cleaning unit 33 The lower surface 39 of the provided partition plate 36 is roughened. (4) The gas injection mechanism 40 is provided on the upper surface of the partition plate 36. By taking these measures, it is possible to further suppress the drop of water on the cut substrate 13.

(洗浄乾燥機構の動作)
図6〜7を参照して、洗浄乾燥機構32によって切断済基板13を洗浄して乾燥する動作について説明する。
(Operation of washing and drying mechanism)
With reference to FIGS. 6-7, the operation | movement which wash | cleans and dries the cut | disconnected board | substrate 13 by the washing | cleaning drying mechanism 32 is demonstrated.

図6(a)、(b)に示されるように、切断済基板13を洗浄するために、移動機構(図示なし)を使用して切断用テーブル9を洗浄室24の下方においてY方向に往復移動させる。洗浄部33に設けられた仕切板36によって仕切られ洗浄室24の下方に開口された開口部を切断用テーブル9が通過する際に、複数の洗浄機構25から洗浄液27を切断済基板13に噴射して切断済基板13を洗浄する。実施形態1と同様に、切断済基板13の全面を洗浄するために切断用テーブル9をS1の位置からS2の位置まで一定の距離DだけY方向に往復移動させる。複数の洗浄機構25によって切断済基板13の全面を洗浄する。   As shown in FIGS. 6A and 6B, in order to clean the cut substrate 13, the cutting table 9 is reciprocated in the Y direction below the cleaning chamber 24 using a moving mechanism (not shown). Move. When the cutting table 9 passes through an opening that is partitioned by a partition plate 36 provided in the cleaning section 33 and opens below the cleaning chamber 24, the cleaning liquid 27 is sprayed from the plurality of cleaning mechanisms 25 onto the cut substrate 13. Then, the cut substrate 13 is cleaned. As in the first embodiment, in order to clean the entire surface of the cut substrate 13, the cutting table 9 is reciprocated in the Y direction by a fixed distance D from the position S1 to the position S2. The entire surface of the cut substrate 13 is cleaned by the plurality of cleaning mechanisms 25.

洗浄室24と中間室34とは、洗浄部33を構成する中間室側仕切壁35及び仕切板36によって仕切られる。仕切板36を設けることによって、洗浄機構25から噴射された洗浄液27が中間室34に侵入すること、洗浄室24の内壁に付着した水滴が中間室34に侵入すること、及び洗浄室24内で発生したミストが中間室34に侵入することを抑制することができる。   The cleaning chamber 24 and the intermediate chamber 34 are partitioned by an intermediate chamber-side partition wall 35 and a partition plate 36 that constitute the cleaning unit 33. By providing the partition plate 36, the cleaning liquid 27 ejected from the cleaning mechanism 25 enters the intermediate chamber 34, the water droplets attached to the inner wall of the cleaning chamber 24 enter the intermediate chamber 34, and the cleaning chamber 24 It is possible to suppress the generated mist from entering the intermediate chamber 34.

図7(a)、(b)に示されるように、切断済基板13を乾燥するために、移動機構(図示なし)を使用して切断用テーブル9を乾燥室28の下方においてY方向に往復移動させる。実施形態1と同様に、切断済基板13の全面を乾燥するために切断用テーブル9をS3の位置からS4の位置まで一定の距離DだけY方向に往復移動させる。   As shown in FIGS. 7A and 7B, in order to dry the cut substrate 13, the cutting table 9 is reciprocated in the Y direction below the drying chamber 28 using a moving mechanism (not shown). Move. Similarly to the first embodiment, the cutting table 9 is reciprocated in the Y direction by a fixed distance D from the position S3 to the position S4 in order to dry the entire surface of the cut substrate 13.

中間室34は、中間室34の天板37の下方の空間と洗浄部33に設けられた仕切板36の下方の空間とによって構成される。切断済基板13を乾燥する際に、切断用テーブル9を仕切板36の下方の空間まで往復移動させることができる。すなわち、洗浄乾燥機構32のY方向において、天板37の下方の空間の長さd2と仕切板36の下方の空間の長さd3とを合計した長さ(d2+d3)の範囲まで、切断用テーブル9を+Y方向に往復移動させることができる。洗浄部33に仕切板36を設けることによって、Y方向における実効的な中間室34の長さを大きくすることができる。したがって、中間室34の下方において、切断用テーブル9を往復移動させる距離を長くすることができる。このことにより、洗浄乾燥機構32の長さを小さくしても、切断済基板13の全面を乾燥するために切断用テーブル9を往復移動させる距離Dを確保することができる。したがって、切断済基板13の上に水滴が落下することを抑制することができる。   The intermediate chamber 34 is configured by a space below the top plate 37 of the intermediate chamber 34 and a space below the partition plate 36 provided in the cleaning unit 33. When the cut substrate 13 is dried, the cutting table 9 can be reciprocated to the space below the partition plate 36. That is, in the Y direction of the cleaning / drying mechanism 32, the cutting table up to the range of the total length (d2 + d3) of the length d2 of the space below the top plate 37 and the length d3 of the space below the partition plate 36. 9 can be reciprocated in the + Y direction. By providing the partition plate 36 in the cleaning unit 33, the effective length of the intermediate chamber 34 in the Y direction can be increased. Therefore, the distance for reciprocating the cutting table 9 under the intermediate chamber 34 can be increased. Thereby, even if the length of the cleaning / drying mechanism 32 is reduced, the distance D for reciprocating the cutting table 9 in order to dry the entire surface of the cut substrate 13 can be secured. Therefore, it is possible to prevent water droplets from falling on the cut substrate 13.

(作用効果)
本実施形態よれば、洗浄乾燥機構32において、洗浄部33の中間室側仕切壁35から洗浄部33側に傾斜した仕切板36を設ける。洗浄室24と中間室34とを、洗浄部33を構成する中間室側仕切壁35と仕切板36とによって仕切る。このことにより、洗浄室24の下方の開口部を小さくして、中間室34を構成する実効的な空間を大きくすることができる。そのため、切断済基板13を乾燥する際に、中間室34において切断用テーブル9を往復移動させる距離を長くすることができる。したがって、切断済基板13の上に水滴が落下することを抑制することができる。かつ、洗浄乾燥機構32の長さを小さくすることができる。
(Function and effect)
According to the present embodiment, the cleaning / drying mechanism 32 is provided with the partition plate 36 inclined from the intermediate chamber side partition wall 35 of the cleaning unit 33 toward the cleaning unit 33. The cleaning chamber 24 and the intermediate chamber 34 are partitioned by an intermediate chamber-side partition wall 35 and a partition plate 36 that constitute the cleaning unit 33. As a result, the opening below the cleaning chamber 24 can be reduced and the effective space constituting the intermediate chamber 34 can be increased. Therefore, when the cut substrate 13 is dried, the distance for reciprocating the cutting table 9 in the intermediate chamber 34 can be increased. Therefore, it is possible to prevent water droplets from falling on the cut substrate 13. In addition, the length of the cleaning / drying mechanism 32 can be reduced.

本実施形態よれば、洗浄乾燥機構32において、洗浄部33の中間室側仕切壁35から洗浄部33側に傾斜した仕切板36を設ける。このことにより、洗浄機構25から噴射された洗浄液27、洗浄室24の内壁に付着した水滴、及び洗浄室24内で発生したミストが中間室34に侵入することを抑制することができる。したがって、中間室34の内壁に水滴が付着することを抑制することができる。そのため、中間室34において、切断済基板13の上に水滴が落下することを抑制することができる。   According to the present embodiment, the cleaning / drying mechanism 32 is provided with the partition plate 36 inclined from the intermediate chamber side partition wall 35 of the cleaning unit 33 toward the cleaning unit 33. As a result, it is possible to prevent the cleaning liquid 27 ejected from the cleaning mechanism 25, water droplets attached to the inner wall of the cleaning chamber 24, and mist generated in the cleaning chamber 24 from entering the intermediate chamber 34. Therefore, it is possible to suppress water droplets from adhering to the inner wall of the intermediate chamber 34. Therefore, it is possible to prevent water droplets from falling on the cut substrate 13 in the intermediate chamber 34.

本実施形態よれば、中間室34を構成する天板37を、中央部から両側に傾斜する切妻屋根形状にする。言い換えれば、中間室34の天井内面を中央部から両側に下向きに傾斜する形状にする。中間室34に侵入したミストが凝集して水滴になったとしても、天井内面即ち天板37の傾斜に沿って水滴が両側に流れやすくすることができる。したがって、中間室34において、切断済基板13の上に水滴が落下することを抑制することができる。   According to this embodiment, the top plate 37 constituting the intermediate chamber 34 is formed into a gable roof shape that inclines from the center to both sides. In other words, the inner surface of the ceiling of the intermediate chamber 34 is inclined downward from the center to both sides. Even if the mist that has entered the intermediate chamber 34 aggregates into water droplets, the water droplets can easily flow along both sides of the ceiling inner surface, that is, the top plate 37. Therefore, it is possible to prevent water droplets from falling on the cut substrate 13 in the intermediate chamber 34.

本実施形態よれば、中間室34の内壁において、少なくとも天井内面を粗面化して親水性にする。中間室34を構成する天板37の下面38及び洗浄部33に設けられた仕切板36の下面39を、ブラスト処理することにより表面に細かい凹凸を形成する。このことにより、中間室34の内壁に付着したミストが大きな水滴となることを抑制できる。したがって、中間室34において、切断済基板13の上に水滴が落下することを抑制することができる。   According to the present embodiment, at least the ceiling inner surface is roughened on the inner wall of the intermediate chamber 34 to make it hydrophilic. Fine irregularities are formed on the surface by blasting the lower surface 38 of the top plate 37 constituting the intermediate chamber 34 and the lower surface 39 of the partition plate 36 provided in the cleaning unit 33. As a result, it is possible to suppress the mist adhering to the inner wall of the intermediate chamber 34 from becoming large water droplets. Therefore, it is possible to prevent water droplets from falling on the cut substrate 13 in the intermediate chamber 34.

本実施形態よれば、洗浄部33に設けられた仕切板36の上面に気体噴射機構40を設ける。このことによって、洗浄機構25から噴射された洗浄液27、洗浄室24の内壁に付着した水滴、及び洗浄室24内で発生したミストが中間室34に侵入することをより抑制することができる。したがって、中間室34の内壁に水滴が付着することをより抑制することができる。そのため、切断済基板13の上に水滴が落下することを一層抑制することができる。   According to the present embodiment, the gas injection mechanism 40 is provided on the upper surface of the partition plate 36 provided in the cleaning unit 33. Accordingly, it is possible to further suppress the cleaning liquid 27 ejected from the cleaning mechanism 25, water droplets attached to the inner wall of the cleaning chamber 24, and the mist generated in the cleaning chamber 24 from entering the intermediate chamber 34. Therefore, it is possible to further suppress water droplets from adhering to the inner wall of the intermediate chamber 34. Therefore, it is possible to further suppress water drops from falling on the cut substrate 13.

各実施形態においては、切断対象物として、矩形(正方形)の形状を有する切断対象物を切断する場合を示した。これに限らず、半導体ウェーハのような実質的に円形の形状を有する切断対象物を切断する場合においても、ここまで説明した内容を適用できる。   In each embodiment, the case where a cutting object having a rectangular (square) shape is cut as the cutting object is shown. The present invention is not limited to this, and the contents described so far can also be applied to the case of cutting a cutting object having a substantially circular shape such as a semiconductor wafer.

各実施形態においては、切断対象物としてチップが装着された封止済基板を切断する場合を示した。これに限らず、封止済基板以外の切断対象物として次の切断対象物を切断して個片化する場合に本発明を適用できる。第1に、シリコン、化合物半導体からなり回路素子、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)などの機能素子が作り込まれた半導体ウェーハ(semiconductor wafer )を個片化する場合である。第2に、抵抗体、コンデンサ、センサ、表面弾性波デバイスなどの機能素子が作り込まれたセラミック基板、ガラス基板などを個片化してチップ抵抗、チップコンデンサ、チップ型のセンサ、表面弾性波デバイスなどの製品を製造する場合である。これらの2つの場合には、半導体ウェーハ、セラミック基板、ガラス基板などが、複数の領域にそれぞれ対応する機能素子が作りこまれた支持部材に該当する。   In each embodiment, the case where the sealed board | substrate with which the chip | tip was mounted | worn as a cutting target was cut | disconnected was shown. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to a case where the next cutting object is cut into pieces as a cutting object other than the sealed substrate. First, a semiconductor wafer made of silicon and a compound semiconductor and having functional elements such as circuit elements and MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) is separated. Secondly, a chip resistor, a chip capacitor, a chip-type sensor, a surface acoustic wave device are obtained by dividing a ceramic substrate, a glass substrate, etc., in which functional elements such as resistors, capacitors, sensors, and surface acoustic wave devices are incorporated. This is the case of manufacturing such products. In these two cases, a semiconductor wafer, a ceramic substrate, a glass substrate, or the like corresponds to a support member in which functional elements corresponding to a plurality of regions are formed.

以上のように、上記実施形態の切断装置は、切断対象物を切断する切断機構と、切断機構により切断対象物が切断された切断物が載置されるテーブルと、テーブル上の切断物を洗浄する洗浄部と、洗浄部から移動されたテーブル上の切断物を乾燥する乾燥部と、洗浄部と乾燥部との間に設けられた中間室とを備える構成としている。   As described above, the cutting device of the above embodiment cleans the cutting mechanism that cuts the cutting object, the table on which the cutting object cut by the cutting mechanism is placed, and the cutting object on the table. A cleaning unit for drying, a drying unit for drying the cut material on the table moved from the cleaning unit, and an intermediate chamber provided between the cleaning unit and the drying unit.

この構成によれば、洗浄部と乾燥部との間に中間室を設ける。このことにより、切断物を乾燥する際に切断物が洗浄部の下方を通過しないようにすることができる。したがって、洗浄部から水滴が切断物の上に落下することを抑制することができる。   According to this configuration, the intermediate chamber is provided between the cleaning unit and the drying unit. This can prevent the cut product from passing under the cleaning part when the cut product is dried. Therefore, it can suppress that a water drop falls on a cut material from a washing part.

さらに、上記実施形態の切断装置は、洗浄部の中間室側仕切壁の下方に洗浄部側に傾斜した仕切板を有する構成としている。   Furthermore, the cutting device of the said embodiment is set as the structure which has the partition plate inclined toward the washing | cleaning part side under the intermediate chamber side partition wall of the washing | cleaning part.

この構成によれば、洗浄部に仕切板を設けることで、中間室の実効的な空間を大きくしている。このことにより、切断物を乾燥する際にテーブルを移動させる距離を長くすることができる。したがって、切断物の上に水滴が落下することを抑制することができる。   According to this structure, the effective space of an intermediate chamber is enlarged by providing a partition plate in a washing | cleaning part. Thereby, the distance to which the table is moved when the cut product is dried can be increased. Therefore, it can suppress that a water drop falls on a cut material.

さらに、上記実施形態の切断装置は、仕切板の上面に気体を噴射する気体噴射機構を有する構成としている。   Furthermore, the cutting device of the said embodiment is set as the structure which has a gas injection mechanism which injects gas on the upper surface of a partition plate.

この構成によれば、気体噴射機構によって洗浄液、水滴、ミストが中間室に侵入することを抑制する。したがって、中間室の天板から切断物の上に水滴が落下することを抑制することができる。   According to this configuration, the gas jetting mechanism prevents the cleaning liquid, water droplets, and mist from entering the intermediate chamber. Therefore, it can suppress that a water drop falls on a cut material from the top plate of an intermediate chamber.

さらに、上記実施形態の切断装置は、中間室の天井内面が中央部から両側に下向きに傾斜する形状を有する構成としている。   Furthermore, the cutting device of the above embodiment has a configuration in which the ceiling inner surface of the intermediate chamber is inclined downward from the center to both sides.

この構成によれば、中間室の天井内面が中央部から両側に下向きに傾斜を有する。天井内面に水滴が付着しても天井内面の傾斜に沿って水滴を両側に流れやすくする。したがって、中間室の天井内面から切断物の上に水滴が落下することを抑制することができる。   According to this structure, the ceiling inner surface of the intermediate chamber is inclined downward from the center to both sides. Even if water droplets adhere to the ceiling inner surface, the water droplets easily flow on both sides along the inclination of the ceiling inner surface. Therefore, it can suppress that a water drop falls on a cut material from the ceiling inner surface of an intermediate chamber.

さらに、上記実施形態の切断装置は、少なくとも中間室の天井内面が粗面化されている構成としている。   Furthermore, the cutting device of the above embodiment is configured such that at least the inner surface of the ceiling of the intermediate chamber is roughened.

この構成によれば、中間室の天井内面に細かい凹凸を形成する。このことにより、中間室の天井内面に付着したミストが大きな水滴となることを抑制する。したがって、中間室の天井内面から切断物の上に水滴が落下することを抑制することができる。   According to this configuration, fine irregularities are formed on the inner surface of the ceiling of the intermediate chamber. This suppresses that the mist adhering to the ceiling inner surface of the intermediate chamber becomes a large water droplet. Therefore, it can suppress that a water drop falls on a cut material from the ceiling inner surface of an intermediate chamber.

さらに、上記実施形態の切断装置は、洗浄部は切断物を洗浄する洗浄機構を有し、乾燥部は切断物を乾燥する乾燥機構を有する構成としている。   Further, in the cutting device of the above embodiment, the cleaning unit has a cleaning mechanism for cleaning the cut product, and the drying unit has a drying mechanism for drying the cut product.

この構成によれば、洗浄機構によって切断物を洗浄し、乾燥機構によって切断物を乾燥することができる。   According to this configuration, the cut product can be washed by the cleaning mechanism, and the cut product can be dried by the drying mechanism.

さらに、上記実施形態の切断装置において、切断対象物は樹脂部を有する支持部材である。   Furthermore, in the cutting device of the above-described embodiment, the object to be cut is a support member having a resin portion.

この構成によれば、上記の切断装置を使用して支持部材に対して樹脂成形された切断対象物を切断することができる。   According to this structure, the cutting target object resin-molded with respect to the supporting member can be cut | disconnected using said cutting device.

さらに、上記実施形態の切断装置では、乾燥機構は、テーブルが少なくとも乾燥部及び中間室の下方を移動する際に切断物を乾燥する構成としている。   Furthermore, in the cutting apparatus of the above embodiment, the drying mechanism is configured to dry the cut product when the table moves at least below the drying unit and the intermediate chamber.

この構成によれば、テーブルが乾燥部及び中間室の下方を移動する際に、乾燥機構によって切断物を乾燥する。したがって、洗浄部から切断物の上に水滴が落下することを抑制することができる。   According to this configuration, when the table moves below the drying unit and the intermediate chamber, the cut material is dried by the drying mechanism. Therefore, it can suppress that a water drop falls on a cut material from a washing part.

本発明は、上述した各実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意にかつ適宜に組み合わせ、変更し、又は選択して採用できるものである。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be arbitrarily combined, modified, or selected and adopted as necessary within the scope not departing from the gist of the present invention. It is.

1 切断装置
2 封止済基板(切断対象物)
3 切断対象物供給機構
4 切断対象物載置部
5 搬送機構
6 アライメント領域
7 切断領域
8 洗浄乾燥機構
9 切断用テーブル(テーブル)
10 アライメント用のカメラ
11a、11b スピンドル(切断機構)
12a、12b 回転刃
13 切断済基板(切断物)
14、32 洗浄乾燥機構
15、33 洗浄部
16 乾燥部
17、34 中間室
18 検査用テーブル
19 搬送機構
20 検査用のカメラ
21 良品トレイ
22 不良品トレイ
23 移動空間
24 洗浄室
25 洗浄機構
26 中間室側仕切壁
27 洗浄液
28 乾燥室
29 乾燥機構
30 中間室側仕切壁
31 気体
35 中間室側仕切壁
36 仕切板
37 天板
38 天板の下面(天井内面)
39 仕切板の下面
40 気体噴射機構
A 供給モジュール
B 切断モジュール
C 検査モジュール
P 製品
CTL 制御部
L1、L2 長さ
W 幅
h1、h2、h3、h4 高さ
S1、S2、S3、S4 位置
D 距離
d1、d2、d3 長さ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cutting device 2 Sealed substrate (cutting object)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 Cutting object supply mechanism 4 Cutting object mounting part 5 Conveyance mechanism 6 Alignment area 7 Cutting area 8 Washing and drying mechanism 9 Cutting table (table)
10 Cameras for alignment 11a, 11b Spindle (cutting mechanism)
12a, 12b Rotary blade 13 Cut substrate (cut)
14, 32 Cleaning and drying mechanism 15, 33 Cleaning unit 16 Drying unit 17, 34 Intermediate chamber 18 Inspection table 19 Transport mechanism 20 Inspection camera 21 Non-defective tray 22 Defective tray 23 Moving space 24 Cleaning chamber 25 Cleaning mechanism 26 Intermediate chamber Side partition wall 27 Cleaning liquid 28 Drying chamber 29 Drying mechanism 30 Intermediate chamber side partition wall 31 Gas 35 Middle chamber side partition wall 36 Partition plate 37 Top plate 38 Top plate bottom surface (ceiling inner surface)
39 Bottom surface of partition plate 40 Gas injection mechanism A Supply module B Cutting module C Inspection module P Product CTL control unit L1, L2 Length W Width h1, h2, h3, h4 Height S1, S2, S3, S4 Position D Distance d1 , D2, d3 length

Claims (8)

切断対象物を切断する切断機構と、
前記切断機構により前記切断対象物が切断された切断物が載置されるテーブルと、
前記テーブル上の前記切断物を洗浄する洗浄部と、
前記洗浄部から移動された前記テーブル上の前記切断物を乾燥する乾燥部と、
前記洗浄部と前記乾燥部との間に設けられた中間室とを備える、切断装置。
A cutting mechanism for cutting an object to be cut;
A table on which a cut object obtained by cutting the cutting object by the cutting mechanism is placed;
A cleaning section for cleaning the cut object on the table;
A drying unit for drying the cut product on the table moved from the cleaning unit;
A cutting apparatus comprising an intermediate chamber provided between the cleaning unit and the drying unit.
請求項1に記載の切断装置において、
前記洗浄部の中間室側仕切壁の下方に前記洗浄部側に傾斜した仕切板を有する、切断装置。
The cutting device according to claim 1, wherein
A cutting device having a partition plate inclined toward the cleaning unit side below the intermediate chamber side partition wall of the cleaning unit.
請求項2に記載の切断装置において、
前記仕切板の上面に気体を噴射する気体噴射機構を有する、切断装置。
The cutting device according to claim 2, wherein
A cutting device having a gas injection mechanism for injecting gas onto the upper surface of the partition plate.
請求項1〜3のいずれか1項に記載の切断装置において、
前記中間室の天井内面が中央部から両側に下向きに傾斜する形状を有する、切断装置。
In the cutting device according to any one of claims 1 to 3,
The cutting device having a shape in which the ceiling inner surface of the intermediate chamber is inclined downward from the central portion to both sides.
請求項1〜4のいずれか1項に記載の切断装置において、
少なくとも前記中間室の天井内面が粗面化されている、切断装置。
In the cutting device according to any one of claims 1 to 4,
A cutting device in which at least the ceiling inner surface of the intermediate chamber is roughened.
請求項1〜5のいずれか1項に記載の切断装置において、
前記洗浄部は前記切断物を洗浄する洗浄機構を有し、
前記乾燥部は前記切断物を乾燥する乾燥機構を有する、切断装置。
In the cutting device according to any one of claims 1 to 5,
The cleaning unit has a cleaning mechanism for cleaning the cut object,
The drying unit has a drying mechanism for drying the cut product.
請求項1〜6のいずれか1項に記載の切断装置において、
前記切断対象物は樹脂部を有する支持部材である、切断装置。
In the cutting device according to any one of claims 1 to 6,
The cutting apparatus, wherein the cutting object is a support member having a resin portion.
請求項6に記載の切断装置において、
前記乾燥機構は、前記テーブルが少なくとも前記乾燥部及び前記中間室の下方を移動する際に前記切断物を乾燥する、切断装置。
The cutting device according to claim 6, wherein
The drying mechanism is a cutting device that dries the cut material when the table moves at least below the drying unit and the intermediate chamber.
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