JPH1197407A - Wafer drying equipment - Google Patents

Wafer drying equipment

Info

Publication number
JPH1197407A
JPH1197407A JP25047597A JP25047597A JPH1197407A JP H1197407 A JPH1197407 A JP H1197407A JP 25047597 A JP25047597 A JP 25047597A JP 25047597 A JP25047597 A JP 25047597A JP H1197407 A JPH1197407 A JP H1197407A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
gas
drying
unit
shielding member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25047597A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Kamiyama
勉 上山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP25047597A priority Critical patent/JPH1197407A/en
Publication of JPH1197407A publication Critical patent/JPH1197407A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/227Drying of printed circuits

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To completely dry a wafer, by jetting a gas to the surface of the wafer while it is being transferred by the gas jetting means of a first drying part, and supplying the gas by the gas supply means of a second drying part over a prescribed transfer area. SOLUTION: In a first drying part 8, a gas is jetted to the upper and lower planes of a wafer, which is being transferred by a transfer mechanism 6, through gas jetting ports 20a and 21a of a first and a second air knives 20 and 21, and a cleaning solution is removed by being blown away. The drying by the first drying part 8 is the preliminary drying and there is no need for specially increasing the jetting quantity of the gas nor reducing the transfer speed of the wafer. In a second drying part 9, while the gas is supplied from a punched hole 37 at bottom parts 30a and 31a of a first and a second gas supply parts 30 and 31, the wafer is passed through the second drying part 9 at a fixed transfer speed so as to remove the remaining cleaning solution at the molecular level and completely dry the wafer W.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、湿式処理が施され
た液晶表示器用のガラス基板、フォトマスク用のガラス
基板、プリント配線基板、半導体ウエハなどの基板を乾
燥させる基板乾燥装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate drying apparatus for drying a substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, a printed wiring board, and a semiconductor wafer which has been subjected to wet processing.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示器やフォトマスクなどのガラス
基板の製造工程では、基板に所定の処理液が供給され
て、基板に各種の湿式処理が施される。この湿式処理と
しては、例えば、洗浄装置により純水などの洗浄液を基
板に供給して、基板を洗浄する洗浄処理がある。洗浄処
理を終えた基板は、洗浄処理で基板に付着した洗浄液を
除去して基板を乾燥させる乾燥処理が施される。この乾
燥処理を施す基板乾燥装置の一つとして、従来、エアー
ナイフを用いた装置が知られている。
2. Description of the Related Art In a process of manufacturing a glass substrate such as a liquid crystal display or a photomask, a predetermined processing liquid is supplied to the substrate, and the substrate is subjected to various wet processes. As the wet processing, for example, there is a cleaning processing in which a cleaning liquid such as pure water is supplied to a substrate by a cleaning apparatus to clean the substrate. The substrate after the cleaning process is subjected to a drying process of removing the cleaning liquid attached to the substrate in the cleaning process and drying the substrate. As one of the substrate drying apparatuses for performing the drying process, an apparatus using an air knife is conventionally known.

【0003】このエアーナイフを用いた従来装置は、図
5に示すように、基板Wを水平姿勢に保持しつつ、その
表面に沿った搬送方向HYに搬送する複数個の搬送ロー
ラなどで構成される搬送機構(図示せず)と、その搬送
機構によって搬送される基板Wの両面に向けて気体を噴
射するスリット状の気体噴射口101a、102aをそ
れぞれ有するエアーナイフ101、102とを備えて構
成されている。
A conventional apparatus using this air knife, as shown in FIG. 5, comprises a plurality of transport rollers for transporting a substrate W in a transport direction HY along a surface thereof while holding the substrate W in a horizontal posture. Transport mechanism (not shown), and air knives 101 and 102 having slit-shaped gas injection ports 101a and 102a for injecting gas toward both surfaces of the substrate W transported by the transport mechanism. Have been.

【0004】この従来装置では、搬送機構で搬送される
基板Wの上下両面に気体噴射口101a、102aから
気体を噴射して、この噴射気体で基板Wの上下両面に付
着する洗浄液CQを押し流しながら吹き飛ばして除去し
基板Wを乾燥させている。
In this conventional apparatus, gas is ejected from upper and lower surfaces of a substrate W conveyed by a carrier mechanism from gas injection ports 101a and 102a, and the cleaning gas CQ adhering to the upper and lower surfaces of the substrate W is flushed by the ejected gas. The substrate W is blown off and removed, and the substrate W is dried.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エアー
ナイフ101、102の気体噴射口101a、102a
から噴射される気体により基板Wの上下両面に付着する
洗浄液CQを押し流しながら吹き飛ばして除去するだけ
では、分子レベルで基板Wに洗浄液CQが残留して基板
Wの乾燥が不完全になりがちであった。
However, the gas injection ports 101a, 102a of the air knives 101, 102
If the cleaning liquid CQ adhering to the upper and lower surfaces of the substrate W is simply blown off and removed by the gas ejected from the substrate W, the cleaning liquid CQ remains on the substrate W at the molecular level and the drying of the substrate W tends to be incomplete. Was.

【0006】エアーナイフ101、102の気体噴射口
101a、102aからの気体の噴出量を十分に多くし
たり、基板Wの搬送速度を十分に遅くしてやれば、エア
ーナイフ101、102だけでも基板Wを完全に乾燥さ
せることは可能であると考えられる。しかしながら、基
板Wを完全に乾燥させるほどにエアーナイフ101、1
02の気体噴射口101a、102aからの気体の噴出
量を多くすると、気体の消費量が極めて多くなり、大幅
なランニングコスト高を招くことになる。一方で、基板
Wを完全に乾燥させるほどに基板Wの搬送速度を遅くす
ると、処理のスリープットが極めて低下し、大幅な生産
性の低下を招くことになる。
If the amount of gas ejected from the gas ejection ports 101a and 102a of the air knives 101 and 102 is sufficiently increased or if the transfer speed of the substrate W is sufficiently reduced, the substrate W can be dispensed with the air knives 101 and 102 alone. It is believed that complete drying is possible. However, the air knives 101, 1 and 1 are so dried that the substrate W is completely dried.
When the amount of gas ejected from the gas injection ports 101a and 102a of 02 is increased, the amount of consumed gas becomes extremely large, resulting in a significant increase in running cost. On the other hand, if the transport speed of the substrate W is reduced to such an extent that the substrate W is completely dried, the sleep of the process is extremely reduced, and the productivity is significantly reduced.

【0007】また、従来装置の構成では、エアーナイフ
101、102により吹き付けられる気体の圧力により
洗浄液CQが飛散し、霧状のミストとなって、基板Wの
周囲に浮遊する。そして、図5の点線で示すように、こ
の洗浄液CQのミストが乾燥処理を終えた基板Wに再付
着し、局所的な薄膜のシミとなって基板Wに残ることに
なる。このようなシミは、その後の製造工程で剥離して
処理室中にパーティクルを発生させたり、基板上に素子
を形成する上で弊害になるという問題があり、これら問
題にために、液晶表示器やフォトマスクなどの製品の歩
留りの低下を招いていた。
In the structure of the conventional apparatus, the cleaning liquid CQ is scattered by the pressure of the gas blown by the air knives 101 and 102, and forms a mist and floats around the substrate W. Then, as shown by the dotted line in FIG. 5, the mist of the cleaning liquid CQ adheres again to the substrate W after the drying process, and remains on the substrate W as a local thin film stain. Such spots have a problem that they are peeled off in a subsequent manufacturing process to generate particles in a processing chamber and that they have a bad effect in forming an element on a substrate. And the yield of products such as photomasks has been reduced.

【0008】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、大幅なランニングコスト高を招かず、
大幅な生産性の低下を招かずに、湿式処理を終えた基板
を完全に乾燥させることができる基板乾燥装置を提供す
ることを主目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and does not cause a significant increase in running cost.
It is a main object of the present invention to provide a substrate drying apparatus that can completely dry a substrate that has been subjected to a wet process without causing a significant decrease in productivity.

【0009】また、本発明の別の目的は、製品の歩留り
の低下を招かずに、効率良く上記主目的を達成すること
にある。
Another object of the present invention is to achieve the above-mentioned main object efficiently without lowering the yield of products.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の発明は、湿式処理が施された基板
を乾燥させる基板乾燥装置であって、基板の表面に沿っ
た所定の搬送方向に基板を搬送する搬送手段と、前記搬
送手段によって搬送される基板の所定面に向けて気体を
噴射するスリット状の気体噴射口を有する気体噴射手段
を備えた第1乾燥部と、前記第1乾燥部の下流側に設け
られ、前記搬送手段によって搬送される基板の所定面に
向け、所定の搬送区間にわたって気体を供給する気体供
給手段を備えた第2乾燥部と、を備えたことを特徴とす
るものである。
The present invention has the following configuration in order to achieve the above object. That is, the invention according to claim 1 is a substrate drying apparatus for drying a substrate that has been subjected to a wet process, a transport unit that transports the substrate in a predetermined transport direction along a surface of the substrate, and the transport unit. A first drying unit provided with a gas injection unit having a slit-shaped gas injection port for injecting a gas toward a predetermined surface of the substrate conveyed by the first drying unit; A second drying unit provided with gas supply means for supplying gas over a predetermined transfer section toward a predetermined surface of the substrate transferred by the second drying unit.

【0011】なお、本発明における「気体」としては、
空気であってもよいし、窒素ガスなどの不活性気体など
であってもよい。
The "gas" in the present invention includes:
It may be air or an inert gas such as nitrogen gas.

【0012】請求項2に記載の発明は、上記請求項1に
記載の基板乾燥装置において、前記第1乾燥部には、前
記気体噴射手段の気体噴射口より上流側に、少なくとも
前記搬送手段によって搬送される基板の所定面に対向し
て基板の所定面を覆う遮蔽部材を設けたことを特徴とす
るものである。
According to a second aspect of the present invention, in the substrate drying apparatus according to the first aspect, the first drying section is provided at least by the transport means on the upstream side of the gas injection port of the gas injection means. A shielding member is provided to cover a predetermined surface of the substrate to be opposed to the predetermined surface of the substrate to be conveyed.

【0013】請求項3に記載の発明は、上記請求項2に
記載の基板乾燥装置において、前記遮蔽部材は、前記搬
送手段によって搬送される基板の周囲を覆うように設け
られていることを特徴とするものである。
According to a third aspect of the present invention, in the substrate drying apparatus according to the second aspect, the shielding member is provided so as to cover a periphery of the substrate conveyed by the conveying means. It is assumed that.

【0014】請求項4に記載の発明は、上記請求項1に
記載の基板乾燥装置において、前記第2乾燥部には、少
なくとも前記搬送手段によって搬送される基板の所定面
に対向して基板の所定面を覆う遮蔽部材を設け、前記気
体供給手段からの気体が、前記搬送手段によって搬送さ
れる基板の所定面と前記遮蔽部材との間の空間に供給さ
れるように構成したことを特徴とするものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate drying apparatus according to the first aspect, the second drying section includes at least a predetermined surface of the substrate conveyed by the conveying means. A shielding member that covers a predetermined surface is provided, and the gas from the gas supply unit is configured to be supplied to a space between the predetermined surface of the substrate conveyed by the conveyance unit and the shielding member. Is what you do.

【0015】請求項5に記載の発明は、上記請求項4に
記載の基板乾燥装置において、前記遮蔽部材は、前記搬
送手段によって搬送される基板の周囲を覆うように設け
られていることを特徴とするものである。
According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate drying apparatus of the fourth aspect, the shielding member is provided so as to cover a periphery of the substrate conveyed by the conveying means. It is assumed that.

【0016】[0016]

【作用】請求項1に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。湿式処理を終えて処理液が付着した基板は、本発明
に係る基板乾燥装置に受け入れられ、搬送手段によって
その表面に沿った所定の搬送方向に搬送され、第1乾燥
部、第2乾燥部の順に、それぞれの乾燥部で乾燥処理が
施される。
The operation of the first aspect of the invention is as follows. The substrate to which the processing liquid has been applied after the wet processing is received by the substrate drying apparatus according to the present invention, and is transported in a predetermined transport direction along the surface by the transport unit. A drying process is performed in each drying section in order.

【0017】第1乾燥部では、搬送手段によって搬送さ
れる基板の所定面に向けて、気体噴射手段の気体噴射口
から気体を噴射して、その噴射気体で基板の所定面に付
着する処理液を押し流しながら吹き飛ばして除去する。
この第1乾燥部での乾燥は、予備的な乾燥であって、乾
燥後のウォーターマークの原因となる水滴などが基板の
所定面に残らないように基板の所定面に付着する処理液
を除去すればよく、この段階では、基板に分子レベルで
処理液が残留していてもよい。従って、気体噴射手段の
気体噴射口から噴射する気体の噴射量を特別に多くする
必要はなく、また、基板の搬送速度を特別に遅くする必
要もない。
In the first drying section, a gas is injected from a gas injection port of the gas injection means toward a predetermined surface of the substrate conveyed by the conveyance means, and the processing liquid adhered to the predetermined surface of the substrate by the injected gas. To remove while blowing off.
The drying in the first drying unit is a preliminary drying, and removes a processing liquid adhering to a predetermined surface of the substrate so that water droplets or the like that cause a watermark after drying do not remain on the predetermined surface of the substrate. At this stage, the processing solution may remain on the substrate at the molecular level. Therefore, it is not necessary to particularly increase the amount of gas injected from the gas injection port of the gas injection means, and it is not necessary to particularly reduce the transfer speed of the substrate.

【0018】第1乾燥部で処理液がおおよそ除去された
基板は、次に、第2乾燥部での乾燥処理を受ける。この
第2乾燥部では、搬送手段によって搬送される基板の所
定面に向け、所定の搬送区間にわたって、気体供給手段
から気体が供給され、この基板の所定面に面状に供給さ
れる気体によって、第1乾燥部で基板に残留した分子レ
ベルの処理液を除去して仕上げの乾燥を行う。
The substrate from which the processing liquid has been roughly removed in the first drying section is then subjected to a drying process in the second drying section. In the second drying section, a gas is supplied from the gas supply unit to a predetermined surface of the substrate conveyed by the conveyance unit, over a predetermined conveyance section, and the gas supplied to the predetermined surface of the substrate in a planar manner. In the first drying unit, the treatment liquid at the molecular level remaining on the substrate is removed, and finish drying is performed.

【0019】なお、基板の所定面は、通常は基板の表面
とし、基板の表裏両面を完全に乾燥する場合には、基板
の所定面を基板の表裏両面としてもよい。基板の表裏両
面を所定面とする場合は、第1乾燥部には、搬送手段に
よって搬送される基板の表裏両面に向けて気体を噴射す
るスリット状の気体噴射口をそれぞれ有する気体噴射手
段を備え、第2乾燥部には、搬送手段によって搬送され
る基板の表裏両面に向け、所定の搬送区間にわたって気
体をそれぞれ供給する気体供給手段を備える。また、湿
式処理が基板の裏面に対するものであり、本発明に係る
基板乾燥装置で基板の裏面のみを乾燥させるだけでよい
場合には、基板の所定面を基板の裏面とすればよい。
The predetermined surface of the substrate is usually the front surface of the substrate, and when the front and rear surfaces of the substrate are completely dried, the predetermined surface of the substrate may be the front and rear surfaces of the substrate. When the front and back surfaces of the substrate are the predetermined surfaces, the first drying unit includes gas injection means each having a slit-shaped gas injection port for jetting gas toward the front and back surfaces of the substrate conveyed by the conveyance means. The second drying section includes gas supply means for supplying gas over a predetermined conveyance section toward both the front and back surfaces of the substrate conveyed by the conveyance means. When the wet processing is performed on the back surface of the substrate and only the back surface of the substrate needs to be dried by the substrate drying apparatus according to the present invention, the predetermined surface of the substrate may be used as the back surface of the substrate.

【0020】請求項2に記載の発明によれば、第1乾燥
部には、気体噴射手段の気体噴射口より上流側に、少な
くとも搬送手段によって搬送される基板の所定面に対向
して基板の所定面を覆う遮蔽部材を設けたので、この遮
蔽部材によって、気体噴射手段の気体噴射口から噴射さ
れた気体によって吹き飛ばされた処理液が、気体噴射手
段の気体噴射口より下流側に飛来するのをある程度抑制
することができ、気体噴射手段の気体噴射口より下流側
で搬送される基板に処理液のミストが再付着するのをあ
る程度抑制することができる。
According to the second aspect of the present invention, the first drying unit is provided with a substrate upstream of the gas injection port of the gas injection unit at least facing a predetermined surface of the substrate conveyed by the conveyance unit. Since the shielding member that covers the predetermined surface is provided, the processing liquid blown off by the gas injected from the gas injection port of the gas injection unit by the shielding member flies downstream from the gas injection port of the gas injection unit. Can be suppressed to some extent, and the mist of the processing liquid can be prevented from re-adhering to the substrate conveyed downstream of the gas injection port of the gas injection means to some extent.

【0021】請求項3に記載の発明では、第1乾燥部の
気体噴射手段の気体噴射口より上流側に、搬送手段によ
って搬送される基板の周囲を覆うように遮蔽部材を設け
ている。すなわち、気体噴射手段の気体噴射口より上流
側では、遮蔽部材によって形成される筒状のトンネル内
で基板が搬送されることになるので、このトンネルを形
成する遮蔽部材によって、気体噴射手段の気体噴射口か
ら噴射された気体によって吹き飛ばされた処理液が、気
体噴射手段の気体噴射口より下流側に飛来するのをより
確実に抑制することができ、気体噴射手段の気体噴射口
より下流側で搬送される基板に処理液のミストが再付着
するのをより確実に抑制することができる。
According to the third aspect of the present invention, the shielding member is provided on the upstream side of the gas injection port of the gas injection means of the first drying section so as to cover the periphery of the substrate transferred by the transfer means. That is, on the upstream side of the gas injection port of the gas injection unit, the substrate is transported in the cylindrical tunnel formed by the shielding member. The processing liquid blown off by the gas injected from the injection port can more reliably suppress the processing liquid from flowing downstream from the gas injection port of the gas injection means, and the processing liquid can be prevented from flowing downstream from the gas injection port of the gas injection means. It is possible to more reliably suppress the mist of the processing liquid from re-adhering to the transferred substrate.

【0022】また、遮蔽部材によって形成されるトンネ
ル内の気体の流れを制御し易くなるので、気体噴射手段
の気体噴射口から噴射された気体によってトンネル内の
気体の流れを、気体噴射手段の気体噴射口からその上流
に向かう方向にすることも可能となり、その気体の流れ
によって、気体噴射手段の気体噴射口から噴射された気
体によって吹き飛ばされた処理液の飛沫やミストを第1
乾燥部の上流へと押し流すことができ、処理液の飛沫や
ミストを第1乾燥部の上流で排水することも可能とな
る。
Further, since the flow of gas in the tunnel formed by the shielding member can be easily controlled, the flow of gas in the tunnel can be controlled by the gas injected from the gas injection port of the gas injection means. It is also possible to make the direction from the injection port to the upstream thereof, and the flow of the gas causes the spray or mist of the processing liquid blown off by the gas injected from the gas injection port of the gas injection means to the first position.
It can be flushed upstream of the drying section, and it becomes possible to drain splashes and mist of the processing liquid upstream of the first drying section.

【0023】請求項4に記載の発明によれば、第2乾燥
部には、少なくとも搬送手段によって搬送される基板の
所定面に対向して基板の所定面を覆う遮蔽部材を設け、
気体供給手段からの気体が、搬送手段によって搬送され
る基板の所定面と遮蔽部材との間の空間に供給されるよ
うに構成したので、搬送手段によって搬送される基板の
所定面と遮蔽部材とで挟まれる局所空間に気体を供給す
ることで、気体を搬送手段によって搬送される基板の所
定面にムラなく供給することができ、第2乾燥部での仕
上げの乾燥を効率よく、かつ、均一に行うことができ
る。
According to the fourth aspect of the present invention, the second drying section is provided with a shielding member that covers at least a predetermined surface of the substrate that is opposed to at least a predetermined surface of the substrate conveyed by the conveying means,
Since the gas from the gas supply means is configured to be supplied to the space between the predetermined surface of the substrate conveyed by the conveyance means and the shielding member, the predetermined surface of the substrate conveyed by the conveyance means and the shielding member By supplying the gas to the local space sandwiched between the substrates, the gas can be uniformly supplied to the predetermined surface of the substrate conveyed by the conveying means, and the final drying in the second drying unit can be efficiently and uniformly performed. Can be done.

【0024】請求項5に記載の発明によれば、第2乾燥
部は、搬送手段によって搬送される基板の周囲を覆うよ
うに遮蔽部材を設けたので、遮蔽部材によって形成され
る筒状のトンネル内で基板が搬送されながら、供給気体
による仕上げの乾燥を行うことができる。この遮蔽部材
によって外部雰囲気がトンネル内に入り込み難くなり、
トンネル内という局所空間が形成されることで、この局
所空間内を供給気体の雰囲気に短時間で置換できるとと
もに、その雰囲気の維持が行い易くなる。従って、基板
は供給気体の雰囲気内で搬送されながら、供給気体によ
る仕上げの乾燥が行われ、基板全体に気体がまんべんな
く供給され、第2乾燥部での仕上げの乾燥をより一層効
率よく、かつ、均一に行うことができる。
According to the fifth aspect of the present invention, since the second drying section is provided with the shielding member so as to cover the periphery of the substrate transported by the transporting means, the cylindrical tunnel formed by the shielding member is provided. While the substrate is being conveyed inside, the finish drying by the supply gas can be performed. This shielding member makes it difficult for the outside atmosphere to enter the tunnel,
By forming a local space in the tunnel, the local space can be replaced with the supply gas atmosphere in a short time, and the atmosphere can be easily maintained. Therefore, while the substrate is transported in the atmosphere of the supply gas, the finish drying by the supply gas is performed, the gas is uniformly supplied to the entire substrate, and the finish drying in the second drying unit is more efficiently performed, and It can be performed uniformly.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図1は本発明の一実施形態に係る
基板乾燥装置及びその前工程の洗浄装置の概略構成を示
す縦断面図であり、図2は図1のA−A矢視断面図、図
3は図1のB−B矢視断面図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a substrate drying apparatus according to an embodiment of the present invention and a cleaning apparatus in a pre-process thereof, FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG. 1, and FIG. 1 is a sectional view taken along the line BB of FIG.

【0026】本発明に係る基板乾燥装置1は洗浄装置2
に隣接配置されている。洗浄装置2には、基板Wを水平
姿勢に保持しつつ、その表面に沿って搬送するための複
数個の搬送ローラ3aやピンチローラ3bなどで構成さ
れる搬送機構3や、搬送機構3によって水平搬送される
基板Wの上下両面に純水などの洗浄液を吹き付ける洗浄
ノズル4などが配備されている。また、洗浄装置2の一
側面には、基板Wを洗浄装置2内に搬入するための搬入
口2aが設けられ、洗浄装置2と基板乾燥装置1との間
の隔壁には、洗浄処理を終えた基板Wを洗浄装置2から
基板乾燥装置1へ導くための導入口5が設けられてい
る。さらに、洗浄装置2の下部には、洗浄液とともに基
板Wから除去された不要物を排出するための排出口2b
が設けられている。搬入口2aから搬入された基板W
は、搬送機構3によって搬送されながら洗浄ノズル4か
ら吹き付けられる洗浄液によって不要物が洗い流され
る。そして、この洗浄処理を終えた基板Wは、導入口5
から基板乾燥装置1へ導入される。
The substrate drying apparatus 1 according to the present invention comprises a cleaning apparatus 2
Are disposed adjacent to each other. The cleaning device 2 includes a transport mechanism 3 including a plurality of transport rollers 3a and a pinch roller 3b for transporting the substrate W along a surface thereof while holding the substrate W in a horizontal posture, and a horizontal mechanism by the transport mechanism 3. A cleaning nozzle 4 for spraying a cleaning liquid such as pure water on both upper and lower surfaces of the substrate W to be conveyed is provided. Further, on one side surface of the cleaning device 2, a carry-in port 2 a for carrying the substrate W into the cleaning device 2 is provided, and a partition wall between the cleaning device 2 and the substrate drying device 1 is provided with a cleaning process. An introduction port 5 for guiding the substrate W from the cleaning device 2 to the substrate drying device 1 is provided. Further, a discharge port 2b for discharging unnecessary substances removed from the substrate W together with the cleaning liquid is provided at a lower portion of the cleaning device 2.
Is provided. Substrate W loaded from loading port 2a
The unnecessary matter is washed away by the cleaning liquid sprayed from the cleaning nozzle 4 while being transported by the transport mechanism 3. Then, the substrate W having been subjected to the cleaning process is supplied to the inlet 5
From the substrate drying apparatus 1.

【0027】基板乾燥装置1は、導入口5から導入され
た基板Wを水平姿勢に保持しつつ、その表面に沿って搬
送するための複数個の搬送ローラ6aやピンチローラ6
bなどで構成される搬送機構6を備えており、この搬送
機構6による基板Wの搬送路の上流側から順に、排出部
7、第1乾燥部8、第2乾燥部9が設けられている。
The substrate drying apparatus 1 includes a plurality of transport rollers 6a and a pinch roller 6 for transporting the substrate W introduced from the introduction port 5 along the surface thereof while maintaining the substrate W in a horizontal posture.
b, etc., and a discharge unit 7, a first drying unit 8, and a second drying unit 9 are provided in this order from the upstream side of the transfer path of the substrate W by the transfer mechanism 6. .

【0028】図に示す複数個の搬送ローラ6aは、基板
Wの搬送方向(図1の右から左に向かう方向)に並列軸
支され、図示しないチェーンなどを介してモーターなど
の駆動源(図示せず)に連動連結されて回転駆動される
ようになっている。
A plurality of transport rollers 6a shown in the figure are supported in parallel in the direction of transporting the substrate W (the direction from right to left in FIG. 1), and are driven by a drive source such as a motor (not shown) via a chain (not shown). (Not shown).

【0029】排出部7は、遮蔽部材10で周囲が覆わ
れ、その上部には清浄気体導入口7aが設けられてい
る。清浄気体導入口7aの上部には、例えば、図示しな
いファンやULPAフィルターなどの粉塵除去フィルタ
ーなどが積層されている。そして、ファンで外気が取り
込まれ、粉塵除去フィルターで粉塵が除去された後の清
浄気体が、清浄気体導入口7aから排出部7内部の排出
空間7b内に供給され、排出空間7b内にダウンフロー
の気体の流れが形成されるようになっている。また、排
出部7の下部には排出口7cが設けられいて、この排出
口7cから排出空間7b内の気体の排気と洗浄液の排水
とが行われる。
The discharge part 7 is covered with a shielding member 10 and has a clean gas inlet 7a at the upper part. Above the clean gas inlet 7a, for example, a fan (not shown) and a dust removal filter such as an ULPA filter are stacked. Then, the clean gas after the outside air is taken in by the fan and the dust is removed by the dust removal filter is supplied from the clean gas inlet 7a into the discharge space 7b inside the discharge unit 7, and flows down into the discharge space 7b. Gas flow is formed. Further, a discharge port 7c is provided at a lower portion of the discharge section 7, and the gas in the discharge space 7b and the cleaning liquid are discharged from the discharge port 7c.

【0030】第1乾燥部8には、搬送機構6によって搬
送される基板Wの上面(通常は表面)と下面(通常は裏
面)とに向けてそれぞれ気体を噴出する第1のエアーナ
イフ20と第2のエアーナイフ21とを備えている。各
エアーナイフ20、21は、その先端が先細り状に形成
された板部材を互いに向かい合うように重ね合わせて一
体に構成されたものであり、その先端にスリット状に形
成された気体噴射口20a、21aを備え、図示しない
気体供給源から供給された高圧気体を帯状にして噴き出
すものである。各エアーナイフ20、21の気体噴出口
20a、21aは、搬送方向と直交する方向に、基板W
の幅(図1の紙面に垂直な方向の寸法)よりも長めに形
成され、基板Wの全面にわたって気体を均一に噴き出せ
るようになっている(図2参照)。
The first drying unit 8 includes a first air knife 20 for jetting gas toward the upper surface (usually the front surface) and the lower surface (usually the back surface) of the substrate W transferred by the transfer mechanism 6. And a second air knife 21. The air knives 20 and 21 are integrally formed by stacking plate members each having a tapered tip so as to face each other, and have a gas injection port 20a formed in a slit shape at the tip. A high pressure gas supplied from a gas supply source (not shown) is ejected in a band shape. The gas outlets 20a and 21a of the air knives 20 and 21 move the substrate W in a direction orthogonal to the transport direction.
(Dimension in the direction perpendicular to the plane of FIG. 1) so that gas can be uniformly blown out over the entire surface of the substrate W (see FIG. 2).

【0031】また、各エアーナイフ20、21は、搬送
機構6によって搬送される基板Wに対してそれぞれ傾斜
して配備されている。具体的には、各エアーナイフ2
0、21は、各気体噴出口20a、21aからの気体の
噴出方向が、基板Wの搬送方向と逆向きに向かうよう
に、すなわち、基板Wの搬送方向に対して、θ=約60
°の角度をなすように配備されている。従って、各気体
噴射口20a、21aから噴射される高圧気体によっ
て、搬送機構6で搬送される基板Wの上下両面に付着し
た洗浄液が、基板Wの搬送方向とは逆向きに、すなわ
ち、排出部7方向に吹き飛ばされるようになっている。
なお、各気体噴出口20a、21aから噴出される気体
の湿度は約20%に設定されている。
Each of the air knives 20 and 21 is provided to be inclined with respect to the substrate W transferred by the transfer mechanism 6. Specifically, each air knife 2
0 and 21 are set so that the direction in which the gas is ejected from each of the gas ejection ports 20a and 21a is opposite to the direction in which the substrate W is transported, that is, θ = about 60 with respect to the transport direction of the substrate W.
° are deployed at an angle. Therefore, the cleaning liquid attached to the upper and lower surfaces of the substrate W transported by the transport mechanism 6 by the high-pressure gas injected from each of the gas injection ports 20a and 21a causes the cleaning liquid to flow in the opposite direction to the transport direction of the substrate W, that is, the discharge unit They are blown off in seven directions.
The humidity of the gas ejected from each of the gas ejection ports 20a and 21a is set to about 20%.

【0032】図1、図2に示すように、第1乾燥部8の
各エアーナイフ20、21の各気体噴射口20a、21
aより上流側には、搬送機構6によって搬送される基板
Wの周囲を覆うように遮蔽部材22が設けられている。
すなわち、各エアーナイフ20、21の各気体噴射口2
0a、21aより上流側では、遮蔽部材22によって形
成される筒状のトンネル内で基板Wが搬送されるように
なっている。
As shown in FIGS. 1 and 2, each of the gas injection ports 20a and 21 of each of the air knives 20 and 21 of the first drying section 8 is used.
A shielding member 22 is provided on the upstream side of “a” so as to cover the periphery of the substrate W transferred by the transfer mechanism 6.
That is, each gas injection port 2 of each air knife 20, 21
On the upstream side from 0a and 21a, the substrate W is transported in a cylindrical tunnel formed by the shielding member 22.

【0033】第1乾燥部8の下流側に設けられた第2乾
燥部9は、搬送機構6によって搬送される基板Wの上下
両面に向け、所定の搬送区間HLにわたって、それぞれ
乾燥している気体を供給する箱状の第1、第2の気体供
給部30、31を備えている。各気体供給部30、31
には、工場のユーティリティなどの気体供給源32から
配管33、34を介して気体が供給されるようになって
いる。各配管33、34には、開閉バルブ35、36が
介装されていて、これら開閉バルブ35、36の開閉に
よって、各気体供給部30、31に対する気体の供給と
その停止が切り換えられる。なお、気体供給部30、3
1から供給される気体の湿度は約20%〜45%に設定
されている。
The second drying section 9 provided on the downstream side of the first drying section 8 is provided with a gas that is dried over a predetermined transport section HL toward both upper and lower surfaces of the substrate W transported by the transport mechanism 6. The first and second gas supply units 30 and 31 are provided. Each gas supply unit 30, 31
Is supplied with gas from a gas supply source 32 such as a utility of a factory through pipes 33 and 34. Opening / closing valves 35, 36 are interposed in the respective pipes 33, 34, and the supply and stop of gas to the gas supply units 30, 31 are switched by opening / closing of the opening / closing valves 35, 36. The gas supply units 30, 3
The humidity of the gas supplied from 1 is set at about 20% to 45%.

【0034】各気体供給部30、31の底部30a、3
1aは、搬送機構6によって搬送される基板Wの上面お
よび下面に対向配置されている。そして、これら気体供
給部30、31の底部30a、31aには、多数のパン
チング孔37が穿設されていて、搬送機構6によって搬
送される基板Wの上下両面に、面状に気体を供給できる
ようになっている。なお、各気体供給部30、31の底
部30a、31aには、パンチング孔37に代えて、基
板Wの搬送方向に併設した多数のスリットを形成するよ
うにしてもよい。また、各気体供給部30、31の底部
30a、31aのパンチング孔37は、搬送方向と直交
する方向に、基板Wの幅(図1の紙面に垂直な方向の寸
法)よりも広い範囲に形成され、基板Wの全面にわたっ
て気体を均一に噴き出せるようになっている(図3参
照)。
The bottoms 30a, 3a of the gas supply units 30, 31
1a is disposed to face the upper and lower surfaces of the substrate W transported by the transport mechanism 6. A large number of punching holes 37 are formed in the bottom portions 30a and 31a of the gas supply units 30 and 31, so that gas can be supplied in a planar manner to both the upper and lower surfaces of the substrate W transported by the transport mechanism 6. It has become. Instead of the punching holes 37, a number of slits may be formed in the bottoms 30a and 31a of the gas supply units 30 and 31 in parallel with the transport direction of the substrate W. Further, the punching holes 37 of the bottom portions 30a and 31a of the gas supply units 30 and 31 are formed in a range wider than the width of the substrate W (dimension in a direction perpendicular to the plane of FIG. 1) in a direction perpendicular to the transport direction. Thus, gas can be uniformly blown out over the entire surface of the substrate W (see FIG. 3).

【0035】図1、図3に示すように、第2乾燥部9に
は、各気体供給部30、31の底部30a、31aとと
もに、搬送機構6によって搬送される基板Wの周囲を覆
うための遮蔽部材38が設けられている。すなわち、第
2乾燥部9では、各気体供給部30、31の底部30
a、31aと遮蔽部材38とによって形成される筒状の
トンネル内で基板Wが搬送されるようになっている。ま
た、第1乾燥部8側とは反対側のトンネルの端部には、
乾燥処理を終えた基板Wを搬出する搬出口40が設けら
れている。
As shown in FIGS. 1 and 3, the second drying section 9 is provided with a bottom 30a, 31a of each of the gas supply sections 30, 31 for covering the periphery of the substrate W transported by the transport mechanism 6. A shielding member 38 is provided. That is, in the second drying unit 9, the bottom 30 of each of the gas supply units 30 and 31
The substrate W is transported in a cylindrical tunnel formed by the a and 31a and the shielding member 38. Also, at the end of the tunnel opposite to the first drying unit 8 side,
An outlet 40 for unloading the substrate W after the drying process is provided.

【0036】なお、この基板乾燥装置1内に外部雰囲気
が流入しないように、排出部7の遮蔽部材10と第1乾
燥部8の遮蔽部材22、および、第1乾燥部8の遮蔽部
材22と第2乾燥部9の遮蔽部材38とは溶接などによ
って隙間無く連結されている。
The shielding member 10 of the discharge unit 7 and the shielding member 22 of the first drying unit 8 and the shielding member 22 of the first drying unit 8 are connected to each other so that the outside atmosphere does not flow into the substrate drying apparatus 1. The shielding member 38 of the second drying unit 9 is connected without any gap by welding or the like.

【0037】次に、上記構成の基板乾燥装置の動作を説
明する。洗浄装置2で洗浄処理を終えた基板Wは、導入
口5から基板乾燥装置1に導入され、搬送機構6によっ
て排出部7を経て第1乾燥部8へ搬送されていく。
Next, the operation of the substrate drying apparatus having the above configuration will be described. The substrate W that has been subjected to the cleaning processing by the cleaning device 2 is introduced into the substrate drying device 1 through the introduction port 5, and is transported by the transport mechanism 6 to the first drying unit 8 via the discharge unit 7.

【0038】第1乾燥部8では、搬送機構6によって搬
送される基板Wの上下両面に向けて、第1、第2のエア
ーナイフ20、21の各気体噴射口20a、21aから
気体を噴射して、その噴射気体で基板Wの上下両面に付
着する洗浄液を押し流しながら吹き飛ばして除去する。
この第1乾燥部8での乾燥は、予備的な乾燥であって、
乾燥後のウォーターマークの原因となる水滴などが基板
Wの上下両面に残らないように基板Wの上下両面に付着
する洗浄液を除去すればよく、この段階では、基板Wに
分子レベルで洗浄液が残留していてもよい。従って、第
1、第2のエアーナイフ20、21の各気体噴射口20
a、21aから噴射する気体の噴射量を特別に多くする
必要はなく、また、基板Wの搬送速度を特別に遅くする
必要もない。
In the first drying section 8, gas is injected from the gas injection ports 20 a, 21 a of the first and second air knives 20, 21 toward the upper and lower surfaces of the substrate W transferred by the transfer mechanism 6. Then, the cleaning liquid adhering to the upper and lower surfaces of the substrate W is blown off and removed while being flushed by the spray gas.
The drying in the first drying unit 8 is preliminary drying,
The cleaning liquid adhering to the upper and lower surfaces of the substrate W may be removed so that water droplets and the like that cause watermarks after drying do not remain on the upper and lower surfaces of the substrate W. At this stage, the cleaning liquid remains on the substrate W at the molecular level. It may be. Therefore, each of the gas injection ports 20 of the first and second air knives 20 and 21
It is not necessary to particularly increase the injection amount of the gas injected from the nozzles 21a and 21a, and it is not necessary to particularly reduce the transfer speed of the substrate W.

【0039】第1乾燥部8で洗浄液がおおよそ除去され
た基板Wは、次に、第2乾燥部9での乾燥処理を受け
る。この第2乾燥部9では、第1、第2の気体供給部3
0、31の底部30a、31aのパンチング孔37から
気体が供給されている状態で、搬送機構6によって基板
Wが第2乾燥部9内を一定の搬送速度で通過することに
より、この基板Wの上下両面に面状に供給される気体に
よって、第1乾燥部8で基板Wに残留した分子レベルの
洗浄液が除去され基板Wが完全に乾燥される。そして、
乾燥処理を終えた基板Wは搬出口40から搬出されてい
く。
The substrate W from which the cleaning liquid has been substantially removed in the first drying unit 8 is subjected to a drying process in the second drying unit 9. In the second drying section 9, the first and second gas supply sections 3 are provided.
When the substrate W passes through the second drying unit 9 at a constant transport speed by the transport mechanism 6 in a state where gas is supplied from the punching holes 37 in the bottom portions 30a and 31a of the substrates 0 and 31, the substrate W The gas supplied to the upper and lower surfaces in a planar manner removes the cleaning liquid of the molecular level remaining on the substrate W in the first drying unit 8 and the substrate W is completely dried. And
The substrate W after the drying processing is carried out from the carry-out port 40.

【0040】なお、本実施形態では、従来装置に比べて
第2乾燥部9で気体を余分に使用しているが、各気体供
給部30、31はエアーナイフのように気体を高圧で噴
射するものではないので、その使用量の増加は、エアー
ナイフのみで基板Wを完全に乾燥させるほどにエアーナ
イフからの気体の噴出量を増加した場合に比べて極めて
少なくて済む。また、第2乾燥部9を設けたことで基板
Wの搬送距離が長くなり、それに伴って処理時間が長く
なるが、その処理時間の増加は、エアーナイフのみで基
板Wを完全に乾燥させるほどに基板Wの搬送速度を遅く
した場合の処理時間の増加に比べて極めて短くて済む。
In this embodiment, the gas is used in the second drying unit 9 in excess compared with the conventional apparatus, but the gas supply units 30 and 31 inject the gas at a high pressure like an air knife. Therefore, the increase in the amount of use is extremely small as compared with the case where the amount of gas ejected from the air knife is increased so that the substrate W is completely dried only with the air knife. In addition, the provision of the second drying unit 9 increases the transport distance of the substrate W, thereby increasing the processing time. However, the processing time increases as the substrate W is completely dried using only the air knife. The processing time is extremely short compared to the increase in processing time when the transport speed of the substrate W is reduced.

【0041】このように、この実施形態によれば、気体
の消費量の大幅な増大を招かず、また、処理時間が極端
に長くなることなく、基板Wを完全に乾燥することがで
きる。
As described above, according to this embodiment, the substrate W can be completely dried without causing a large increase in gas consumption and without extremely increasing the processing time.

【0042】また、本実施形態では、第1乾燥部8の各
エアーナイフ20、21の各気体噴射口20a、21a
より上流側に、搬送機構6によって搬送される基板Wの
周囲を覆うように遮蔽部材22を設けたことにより以下
のような効果も得られる。
In the present embodiment, each of the gas injection ports 20a, 21a of each of the air knives 20, 21 of the first drying section 8 is used.
By providing the shielding member 22 on the upstream side so as to cover the periphery of the substrate W transferred by the transfer mechanism 6, the following effects can be obtained.

【0043】すなわち、第1のエアーナイフ20の気体
噴出口20aから噴出された気体によって、搬送機構6
で搬送される基板Wの上面から吹き飛ばされた洗浄液の
殆どは、遮蔽部材22によって形成されるトンネルの天
井部分22a、すなわち、搬送機構6によって搬送され
る基板Wの上面に対向して基板Wの上面を覆うように配
置された遮蔽部材22によって受け止められ、また、ト
ンネルの天井部分22aと基板Wとの間の空間の側方へ
吹き飛ばされた一部の洗浄液も、トンネルの両側面部分
22b、22cおよび底部分22dによって受け止めら
れるので、洗浄液の飛沫やミストが周囲に飛散されるの
が防止される。また、第2のエアーナイフ21の気体噴
出口21aから噴出された気体によって、搬送機構6で
搬送される基板Wの下面から吹き飛ばされた洗浄液の殆
どは、トンネルの底部分22d、すなわち、搬送機構6
によって搬送される基板Wの下面に対向して基板Wの下
面を覆うように配置された遮蔽部材22によって受け止
められ、また、トンネルの底部分22dと基板Wとの間
の空間の側方へ吹き飛ばされた一部の洗浄液も、トンネ
ルの両側面部分22b、22cおよび天井部分22aに
よって受け止められるので、洗浄液の飛沫やミストが周
囲に飛散されるのが防止される。従って、各エアーナイ
フ20、21の各気体噴射口20a、21aから噴射さ
れた気体によって吹き飛ばされた洗浄液が、各エアーナ
イフ20、21の各気体噴射口20a、21aより下流
側に飛来するのを防止でき、各エアーナイフ20、21
の各気体噴射口20a、21aより下流側で搬送される
基板Wに洗浄液のミストが再付着するのを防止すること
ができる。
That is, the gas ejected from the gas ejection port 20a of the first air knife 20 causes the transfer mechanism 6
Most of the cleaning liquid blown off from the upper surface of the substrate W transported by the substrate W is opposed to the ceiling portion 22 a of the tunnel formed by the shielding member 22, that is, the upper surface of the substrate W transported by the transport mechanism 6. Some of the cleaning liquid received by the shielding member 22 disposed to cover the upper surface and blown to the side of the space between the ceiling portion 22a of the tunnel and the substrate W is also provided on both side surface portions 22b of the tunnel, Since the cleaning liquid is received by the bottom portion 22c and the bottom portion 22d, splashing and mist of the cleaning liquid are prevented from being scattered around. Further, most of the cleaning liquid blown off from the lower surface of the substrate W conveyed by the transfer mechanism 6 by the gas ejected from the gas outlet 21a of the second air knife 21, the bottom portion 22d of the tunnel, that is, the transfer mechanism 6
Is received by the shielding member 22 disposed so as to cover the lower surface of the substrate W opposed to the lower surface of the substrate W conveyed by the substrate W, and is blown to the side of the space between the bottom portion 22d of the tunnel and the substrate W. Part of the cleaning liquid thus collected is also received by the side portions 22b and 22c and the ceiling portion 22a of the tunnel, so that splashes and mist of the cleaning liquid are prevented from being scattered around. Therefore, the cleaning liquid blown off by the gas injected from the gas injection ports 20a and 21a of the air knives 20 and 21 flows downstream from the gas injection ports 20a and 21a of the air knives 20 and 21. Each air knife 20, 21
The mist of the cleaning liquid can be prevented from re-adhering to the substrate W conveyed downstream from each of the gas injection ports 20a and 21a.

【0044】また、各エアーナイフ20、21の各気体
噴射口20a、21aから噴射された気体によって遮蔽
部材22で形成されるトンネル内の気体の流れは、各エ
アーナイフ20、21の各気体噴射口20a、21aか
らその上流に向かう方向となる。従って、各エアーナイ
フ20、21の各気体噴射口20a、21aから噴射さ
れた気体によって、搬送機構6で搬送される基板Wの上
下両面から吹き飛ばされた洗浄液の飛沫やミストは、ト
ンネル内の気流によって第1乾燥部8の上流の排出部7
へと押し流され、排出空間7b内のダウンフローの気流
によって排出口7cから排出することができる。
The gas flow in the tunnel formed by the shielding member 22 by the gas injected from each of the gas injection ports 20a and 21a of each of the air knives 20 and 21 corresponds to the gas injection of each of the air knives 20 and 21. The direction is from the ports 20a and 21a to the upstream. Therefore, the spray and the mist of the cleaning liquid blown off from the upper and lower surfaces of the substrate W conveyed by the conveyance mechanism 6 by the gas jetted from the gas jet ports 20a and 21a of the air knives 20 and 21 cause the air current in the tunnel. Discharge section 7 upstream of the first drying section 8
And can be discharged from the discharge port 7c by the downflow airflow in the discharge space 7b.

【0045】また、この実施形態では、第2乾燥部9の
各気体供給部30、31の底部30a、31aのパンチ
ング孔37から供給される気体は、搬送機構6によって
搬送される基板Wの上面および下面に向けて、基板Wの
上面と気体供給部30の底部30aとで挟まれる局所空
間および基板Wの下面と気体供給部31の底部31aと
で挟まれる局所空間に供給されることになるので、気体
を、搬送機構6によって搬送される基板Wの上下両面に
ムラなく供給することができる。
In this embodiment, the gas supplied from the punching holes 37 of the bottom portions 30a and 31a of the gas supply units 30 and 31 of the second drying unit 9 is supplied to the upper surface of the substrate W transported by the transport mechanism 6. Toward the lower surface, the gas is supplied to a local space sandwiched between the upper surface of the substrate W and the bottom 30a of the gas supply unit 30 and a local space sandwiched between the lower surface of the substrate W and the bottom 31a of the gas supply unit 31. Therefore, the gas can be uniformly supplied to the upper and lower surfaces of the substrate W transferred by the transfer mechanism 6.

【0046】また、第2乾燥部9の周囲が、各気体供給
部30、31の底部30a、31aと遮蔽部材38とに
よって覆われて局所空間が形成されているので、外部雰
囲気の進入を抑制して第2乾燥部9の内部空間内の雰囲
気制御が行い易くなる。すなわち、各気体供給部30、
31の底部30a、31aのパンチング孔37から供給
される気体によって第2乾燥部9の内部空間内を供給気
体の雰囲気に置換するのに要する時間が短くなり、その
雰囲気に維持するのが容易になる。従って、基板Wは供
給気体の雰囲気内で搬送されながら、供給気体による仕
上げの乾燥が行われ、基板W全体に気体がまんべんなく
供給され、第2乾燥部9での仕上げの乾燥をより一層効
率よく、かつ、均一に行うことができる。
Further, since the periphery of the second drying section 9 is covered by the bottoms 30a and 31a of the gas supply sections 30 and 31 and the shielding member 38 to form a local space, entry of the external atmosphere is suppressed. This makes it easier to control the atmosphere in the internal space of the second drying section 9. That is, each gas supply unit 30,
The time required to replace the inside space of the second drying unit 9 with the atmosphere of the supply gas by the gas supplied from the punching holes 37 of the bottom portions 30a and 31a of the 31 decreases, and it is easy to maintain the atmosphere. Become. Therefore, while the substrate W is transported in the atmosphere of the supply gas, the finish drying by the supply gas is performed, the gas is uniformly supplied to the entire substrate W, and the finish drying in the second drying unit 9 is more efficiently performed. , And can be performed uniformly.

【0047】また、第2乾燥部9の内部空間内に気体が
供給されることにより、第2乾燥部9の内部空間内の供
給気体が搬出口40から外部に噴き出すとともに、第1
乾燥部8に流れ出すことになる。従って、搬出口40か
ら第2乾燥部9の内部空間内に外部雰囲気が進入するの
を抑制できる。また、第2乾燥部9の内部空間から第1
乾燥部8に流れ出す気体によって、第1乾燥部8内の洗
浄液の飛沫やミストが第2乾燥部9に進入するのを一層
確実に防止できる。
Further, by supplying the gas into the internal space of the second drying section 9, the gas supplied in the internal space of the second drying section 9 is blown out from the carry-out port 40 to the outside, and
It will flow out to the drying unit 8. Accordingly, it is possible to prevent the external atmosphere from entering the internal space of the second drying unit 9 from the carry-out port 40. In addition, the first drying is performed from the internal space of the second drying section 9.
The gas flowing out to the drying unit 8 can more reliably prevent the splash and mist of the cleaning liquid in the first drying unit 8 from entering the second drying unit 9.

【0048】なお、基板Wを搬出するときだけ開かれる
開閉自在のシャッターを搬出口40に設けてもよい。こ
のように搬出口40にシャッターを設けることで、搬出
口40から第2乾燥部9の内部空間内に外部雰囲気が進
入するのを一層確実に抑制できる。また、シャッターが
閉じられている間、第2乾燥部9の内部空間内の供給気
体は第1乾燥部8にのみ流れ出すことになり、第1乾燥
部8内の洗浄液の飛沫やミストが第2乾燥部9に進入す
るのをより一層確実に防止できる。
Incidentally, an openable / closable shutter which is opened only when the substrate W is carried out may be provided at the carry-out port 40. By providing the shutter at the carry-out port 40 in this manner, the entry of the external atmosphere from the carry-out port 40 into the internal space of the second drying unit 9 can be more reliably suppressed. In addition, while the shutter is closed, the supply gas in the internal space of the second drying unit 9 flows out only to the first drying unit 8, and the spray and mist of the cleaning liquid in the first drying unit 8 generate the second gas. It is possible to more reliably prevent entry into the drying section 9.

【0049】なお、搬送機構6によって搬送される基板
Wの上面(下面)と気体供給部30(31)の底部30
a(31a)との間の間隔B(図3参照)は、30mm〜
100mmの範囲にするのが好ましい。基板Wに反りがあ
る場合、この間隔Bが30mm未満では基板Wの搬送が行
えない場合が生じ、また、この間隔Bが100mmを越え
ると、第2乾燥部9の内部空間が大きくなり過ぎてその
内部空間の雰囲気制御などが行い難くなるからである。
The upper surface (lower surface) of the substrate W transferred by the transfer mechanism 6 and the bottom 30 of the gas supply unit 30 (31).
a (31a) is between 30 mm and 30 mm (see FIG. 3).
Preferably, it is in the range of 100 mm. When the substrate W is warped, if the interval B is less than 30 mm, the substrate W may not be able to be transported. If the interval B exceeds 100 mm, the internal space of the second drying unit 9 becomes too large. This is because it becomes difficult to control the atmosphere of the internal space.

【0050】このように本実施形態の第2乾燥部9は局
所空間内で基板Wを搬送しながら基板Wの上下両面に向
けて気体を供給して、その気体による乾燥処理を行うの
で、第2乾燥部9での乾燥処理を効率よく、かつ、均一
に行うことができる。
As described above, the second drying unit 9 of the present embodiment supplies the gas to the upper and lower surfaces of the substrate W while transporting the substrate W in the local space, and performs the drying process using the gas. 2 The drying process in the drying section 9 can be performed efficiently and uniformly.

【0051】次に、従来装置により基板Wを完全に乾燥
する場合と、本実施形態で基板Wを完全に乾燥する場合
との比較結果を示す。なお、以下の比較実験は、550
×650(mm)のサイズの基板Wを用いて行ったもので
ある。
Next, a comparison result between the case where the substrate W is completely dried by the conventional apparatus and the case where the substrate W is completely dried in the present embodiment will be described. In addition, the following comparative experiment is 550
This was performed using a substrate W having a size of × 650 (mm).

【0052】〔1〕従来装置でエアーナイフの気体噴射
口からの気体の噴射量を増やして基板Wを完全に乾燥さ
せた場合、エアーナイフ101、102での気体使用量
は、2.1m3/基板1枚であった。
[1] When the substrate W is completely dried by increasing the gas injection amount from the gas injection port of the air knife in the conventional apparatus, the gas usage amount in the air knives 101 and 102 is 2.1 m 3. / One substrate.

【0053】〔2〕本実施形態で基板Wを完全に乾燥さ
せた場合、エアーナイフ20、21(第1乾燥部8)で
の気体使用量は1.1m3/基板1枚、気体供給部30、
31(第2乾燥部9)での気体使用量は0.5m3/基板
1枚であった。なお、この実験では搬送区間HLの長さ
を200mmとした。
[2] When the substrate W is completely dried in this embodiment, the amount of gas used in the air knives 20 and 21 (the first drying unit 8) is 1.1 m 3 / substrate, and the gas supply unit 30,
The amount of gas used in 31 (second drying section 9) was 0.5 m 3 / substrate. In this experiment, the length of the transport section HL was set to 200 mm.

【0054】なお、図4に示すように、基板Wが通過で
きる開口50が形成された仕切り部材51を第1乾燥部
8と第2乾燥部9との間に設けてもよい。このように構
成すれば、第1乾燥部8内の洗浄液の飛沫やミストが第
2乾燥部9に進入するのをより一層確実に防止できる。
As shown in FIG. 4, a partition member 51 having an opening 50 through which the substrate W can pass may be provided between the first drying section 8 and the second drying section 9. With this configuration, it is possible to more reliably prevent splashes and mist of the cleaning liquid in the first drying unit 8 from entering the second drying unit 9.

【0055】また、上記実施形態では、搬送機構6の全
搬送ローラ6aの駆動源を1個にして、基板乾燥装置内
での基板Wの搬送速度を一定にしているが、例えば、排
出部7と第1乾燥部8に設けられた搬送ローラ6aの駆
動源と、第2乾燥部9に設けられた搬送ローラ6aの駆
動源とを別々にするなど、排出部7から第1乾燥部8ま
での基板Wの搬送を行う搬送機構と、第2乾燥部9内の
搬送を行う搬送機構とを別々に設けて、排出部7から第
1乾燥部8までの基板Wの搬送速度と、第2乾燥部9内
の搬送速度とを個別に変えられるように構成し、各乾燥
部8、9での乾燥に適した搬送速度で基板Wを搬送する
ようにしてもよい。この場合には、排出部7から第1乾
燥部8までの基板Wの搬送を行う搬送機構と、第2乾燥
部9内の搬送を行う搬送機構とが本発明における搬送手
段を構成することになる。
Further, in the above embodiment, the driving speed of the substrate W in the substrate drying apparatus is made constant by using one drive source for all the conveying rollers 6 a of the conveying mechanism 6. From the discharge unit 7 to the first drying unit 8, for example, the drive source of the transport roller 6 a provided in the first drying unit 8 and the drive source of the transport roller 6 a provided in the second drying unit 9 are separated. A transport mechanism for transporting the substrate W and a transport mechanism for transporting in the second drying unit 9 are separately provided, and the transport speed of the substrate W from the discharge unit 7 to the first drying unit 8 is increased. The transport speed in the drying unit 9 may be individually changed, and the substrate W may be transported at a transport speed suitable for drying in each of the drying units 8 and 9. In this case, the transport mechanism that transports the substrate W from the discharge unit 7 to the first drying unit 8 and the transport mechanism that transports the substrate W in the second drying unit 9 constitute a transport unit in the present invention. Become.

【0056】また、エアーナイフと気体供給部は、搬送
機構6によって搬送される基板Wの上面側または下面側
のいずれか一方側だけに設けるように構成してもよい。
The air knife and the gas supply unit may be provided on only one of the upper surface and the lower surface of the substrate W transferred by the transfer mechanism 6.

【0057】さらに、基板Wの搬送は、搬送方向が上方
向となるように基板Wを垂直姿勢に保持して行うように
構成してもよいし、搬送方向が斜め上方を向くように基
板Wを傾斜姿勢に保持して行うように構成してもよい。
このように搬送すれば、基板Wに付着している洗浄液が
自然に流下するので、基板Wからの洗浄液の除去がより
効率良く行える。
Further, the transfer of the substrate W may be performed by holding the substrate W in a vertical position so that the transfer direction is upward, or may be performed such that the transfer direction is obliquely upward. May be configured to be performed while maintaining the tilted posture.
With such a transfer, the cleaning liquid attached to the substrate W naturally flows down, so that the cleaning liquid can be more efficiently removed from the substrate W.

【0058】また、本発明に係る基板乾燥装置は、洗浄
処理後に洗浄液を除去して乾燥させる以外にも、各種の
処理液を用いた湿式処理後の乾燥処理にも好適に適用す
ることができる。
Further, the substrate drying apparatus according to the present invention can be suitably applied to a drying process after a wet process using various processing solutions, in addition to removing and drying a cleaning solution after the cleaning process. .

【0059】[0059]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の発明によれば、第1乾燥部で、気体噴射手段
の気体噴射口から噴射された気体により基板の所定面に
付着する処理液を押し流しながら吹き飛ばして除去する
予備乾燥を行い、次に、第2乾燥部で、気体による仕上
げの乾燥を行うように構成したので、気体の消費量の大
幅な増大を招かず、また、搬送速度を極端に遅くするこ
となく、基板を完全に乾燥することができる。従って、
大幅なランニングコスト高を招かず、大幅な生産性の低
下を招かずに、基板を完全に乾燥させることができる基
板乾燥装置を実現することができる。
As is apparent from the above description, according to the first aspect of the present invention, the first drying unit adheres to the predetermined surface of the substrate by the gas injected from the gas injection port of the gas injection means. Preliminary drying is performed to remove the processing liquid by blowing it away while flushing it out, and then the second drying unit is configured to perform finish drying with gas, so that the gas consumption is not significantly increased, and In addition, the substrate can be completely dried without extremely reducing the transport speed. Therefore,
It is possible to realize a substrate drying apparatus capable of completely drying a substrate without causing a significant increase in running cost and a significant decrease in productivity.

【0060】請求項2に記載の発明によれば、第1乾燥
部には、気体噴射手段の気体噴射口より上流側に、少な
くとも搬送手段によって搬送される基板の所定面に対向
して基板の所定面を覆う遮蔽部材を設けたので、気体噴
射手段の気体噴射口より下流側で搬送される基板に処理
液のミストが再付着するのをある程度抑制することがで
き、基板に処理液のミストが再付着することに起因する
製品の歩留りの低下をある程度抑制することができる。
According to the second aspect of the present invention, the first drying unit is provided with the substrate on the upstream side of the gas injection port of the gas injection unit at least facing the predetermined surface of the substrate conveyed by the conveyance unit. Since the shielding member that covers the predetermined surface is provided, it is possible to suppress to some extent the mist of the processing liquid from re-adhering to the substrate transported downstream from the gas injection port of the gas injection unit, and the mist of the processing liquid is applied to the substrate. It is possible to suppress a decrease in the yield of the product due to the re-adhesion to some extent.

【0061】請求項3に記載の発明では、第1乾燥部の
気体噴射手段の気体噴射口より上流側に、搬送手段によ
って搬送される基板の周囲を覆うように遮蔽部材を設け
たので、気体噴射手段の気体噴射口より下流側で搬送さ
れる基板に処理液のミストが再付着するのをより確実に
抑制することができ、製品の歩留りを一層向上させるこ
とができる。また、遮蔽部材によって形成されるトンネ
ル内の気体の流れを制御し易くなるので、気体噴射手段
の気体噴射口から噴射された気体によって吹き飛ばされ
た処理液の飛沫やミストを第1乾燥部の上流で排出する
ことも可能となる。
According to the third aspect of the present invention, since the shielding member is provided on the upstream side of the gas injection port of the gas injection means of the first drying unit so as to cover the periphery of the substrate conveyed by the conveyance means, It is possible to more reliably suppress the mist of the processing liquid from re-adhering to the substrate transported downstream of the gas injection port of the injection unit, and to further improve the product yield. Further, since it becomes easy to control the flow of gas in the tunnel formed by the shielding member, the droplets and mist of the processing liquid blown off by the gas injected from the gas injection port of the gas injection means are removed upstream of the first drying unit. Can also be discharged.

【0062】請求項4に記載の発明によれば、第2乾燥
部には、少なくとも搬送手段によって搬送される基板の
所定面に対向して基板の所定面を覆う遮蔽部材を設け、
気体供給手段からの気体が、搬送手段によって搬送され
る基板の所定面と遮蔽部材との間の空間に供給されるよ
うに構成したので、気体を搬送手段によって搬送される
基板の所定面にムラなく供給することができ、第2乾燥
部での仕上げの乾燥を効率よく、かつ、均一に行うこと
ができる。
According to the fourth aspect of the present invention, the second drying section is provided with a shielding member for covering at least a predetermined surface of the substrate conveyed by the conveying means and covering the predetermined surface of the substrate,
Since the gas from the gas supply unit is configured to be supplied to the space between the predetermined surface of the substrate conveyed by the conveyance unit and the shielding member, the gas is unevenly formed on the predetermined surface of the substrate conveyed by the conveyance unit. And the final drying in the second drying section can be performed efficiently and uniformly.

【0063】請求項5に記載の発明によれば、第2乾燥
部は、搬送手段によって搬送される基板の周囲を覆うよ
うに遮蔽部材を設けたので、遮蔽部材によって形成され
る筒状のトンネル内で基板が搬送されながら、気体によ
る仕上げの乾燥を行うことができ、第2乾燥部での仕上
げの乾燥をより一層効率よく、かつ、均一に行うことが
できる。
According to the fifth aspect of the present invention, since the second drying section is provided with the shielding member so as to cover the periphery of the substrate transported by the transporting means, the cylindrical tunnel formed by the shielding member is provided. While the substrate is being conveyed inside, the finish drying by gas can be performed, and the finish drying in the second drying unit can be performed more efficiently and uniformly.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る基板乾燥装置及びそ
の前工程の洗浄装置の概略構成を示す縦断面図である。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a substrate drying apparatus and a cleaning apparatus in a pre-process thereof according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のA−A矢視断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA of FIG.

【図3】図1のB−B矢視断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along the line BB of FIG. 1;

【図4】第1乾燥部と第2乾燥部との間に仕切り部材を
設けた変形例の要部構成を示す縦断面図である。
FIG. 4 is a vertical cross-sectional view illustrating a main configuration of a modified example in which a partition member is provided between a first drying unit and a second drying unit.

【図5】従来装置の概略構成とその問題点を示す正面図
である。
FIG. 5 is a front view showing a schematic configuration of a conventional device and its problems.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:基板乾燥装置 2:洗浄装置 6:搬送機構 8:第1乾燥部 9:第2乾燥部 20、21:エアーナイフ 20a、21a:気体噴射口 22、38:遮蔽部材 30、31:気体供給部 W:基板 1: substrate drying device 2: cleaning device 6: transport mechanism 8: first drying unit 9: second drying unit 20, 21: air knife 20a, 21a: gas injection port 22, 38: shielding member 30, 31: gas supply Part W: Substrate

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 湿式処理が施された基板を乾燥させる基
板乾燥装置であって、 基板の表面に沿った所定の搬送方向に基板を搬送する搬
送手段と、 前記搬送手段によって搬送される基板の所定面に向けて
気体を噴射するスリット状の気体噴射口を有する気体噴
射手段を備えた第1乾燥部と、 前記第1乾燥部の下流側に設けられ、前記搬送手段によ
って搬送される基板の所定面に向け、所定の搬送区間に
わたって気体を供給する気体供給手段を備えた第2乾燥
部と、 を備えたことを特徴とする基板乾燥装置。
1. A substrate drying apparatus for drying a substrate that has been subjected to wet processing, comprising: transport means for transporting the substrate in a predetermined transport direction along a surface of the substrate; A first drying unit including a gas injection unit having a slit-shaped gas injection port for injecting gas toward a predetermined surface; and a substrate provided downstream of the first drying unit and transported by the transportation unit. A second drying unit provided with a gas supply unit for supplying gas over a predetermined transport section toward a predetermined surface.
【請求項2】 請求項1に記載の基板乾燥装置におい
て、 前記第1乾燥部には、前記気体噴射手段の気体噴射口よ
り上流側に、少なくとも前記搬送手段によって搬送され
る基板の所定面に対向して基板の所定面を覆う遮蔽部材
を設けたことを特徴とする基板乾燥装置。
2. The substrate drying apparatus according to claim 1, wherein the first drying unit includes at least a predetermined surface of the substrate conveyed by the conveyance unit, at a position upstream of a gas ejection port of the gas ejection unit. A substrate drying apparatus, comprising: a shielding member that covers a predetermined surface of a substrate facing the substrate.
【請求項3】 請求項2に記載の基板乾燥装置におい
て、 前記遮蔽部材は、前記搬送手段によって搬送される基板
の周囲を覆うように設けられていることを特徴とする基
板乾燥装置。
3. The substrate drying apparatus according to claim 2, wherein the shielding member is provided so as to cover a periphery of the substrate transferred by the transfer unit.
【請求項4】 請求項1に記載の基板乾燥装置におい
て、 前記第2乾燥部には、少なくとも前記搬送手段によって
搬送される基板の所定面に対向して基板の所定面を覆う
遮蔽部材を設け、前記気体供給手段からの気体が、前記
搬送手段によって搬送される基板の所定面と前記遮蔽部
材との間の空間に供給されるように構成したことを特徴
とする基板乾燥装置。
4. The substrate drying apparatus according to claim 1, wherein the second drying unit is provided with a shielding member that covers at least a predetermined surface of the substrate that is opposed to a predetermined surface of the substrate conveyed by the conveyance unit. A substrate drying apparatus, wherein gas from the gas supply unit is supplied to a space between a predetermined surface of the substrate conveyed by the conveyance unit and the shielding member.
【請求項5】 請求項4に記載の基板乾燥装置におい
て、 前記遮蔽部材は、前記搬送手段によって搬送される基板
の周囲を覆うように設けられていることを特徴とする基
板乾燥装置。
5. The substrate drying apparatus according to claim 4, wherein the shielding member is provided so as to cover a periphery of the substrate transferred by the transfer unit.
JP25047597A 1997-09-16 1997-09-16 Wafer drying equipment Pending JPH1197407A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25047597A JPH1197407A (en) 1997-09-16 1997-09-16 Wafer drying equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25047597A JPH1197407A (en) 1997-09-16 1997-09-16 Wafer drying equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1197407A true JPH1197407A (en) 1999-04-09

Family

ID=17208413

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25047597A Pending JPH1197407A (en) 1997-09-16 1997-09-16 Wafer drying equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1197407A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010035506A (en) * 2001-02-22 2001-05-07 신원호 Device for dry of LCD panel
CN108206147A (en) * 2016-12-19 2018-06-26 东和株式会社 Disconnecting device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010035506A (en) * 2001-02-22 2001-05-07 신원호 Device for dry of LCD panel
CN108206147A (en) * 2016-12-19 2018-06-26 东和株式会社 Disconnecting device
KR20180071157A (en) * 2016-12-19 2018-06-27 토와 가부시기가이샤 Cutting apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100212074B1 (en) Apparatus for removing liquid from substrate
JP3070511B2 (en) Substrate drying equipment
JP3918401B2 (en) Substrate drying apparatus, drying method, and substrate manufacturing method
JP2003017457A (en) Method and apparatus for cleaning substrate
JP2581396B2 (en) Substrate drying equipment
JP4352194B2 (en) Substrate drying apparatus and substrate drying method
TWI227035B (en) Substrate processing device of transporting type
JP2003083675A (en) Substrate drying equipment
JP3550277B2 (en) Substrate processing equipment
JP3526692B2 (en) Substrate drainer
WO2002073672A1 (en) Substrate treating device
JPH1197407A (en) Wafer drying equipment
JP3881169B2 (en) Substrate processing equipment
JP2004095926A (en) Substrate treatment equipment
JPH11204489A (en) Substrate drying device and drying of substrate
JP2001035778A (en) Substrate treatment apparatus
JP4663919B2 (en) Substrate dryer
JP2988828B2 (en) Substrate drainer / dryer
JP2001255503A (en) Device for drying substrate for liquid crystal display device
JP2003282525A (en) Substrate treatment device
JPH08338686A (en) Board drying method and device thereof
JP2000252254A (en) Substrate processing equipment
JP3489992B2 (en) Substrate processing equipment
JP3843252B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JPH083001Y2 (en) Substrate drainer

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040302

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040309

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040507

A02 Decision of refusal

Effective date: 20050118

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02