JP3489992B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

Substrate processing equipment

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JP3489992B2
JP3489992B2 JP20166698A JP20166698A JP3489992B2 JP 3489992 B2 JP3489992 B2 JP 3489992B2 JP 20166698 A JP20166698 A JP 20166698A JP 20166698 A JP20166698 A JP 20166698A JP 3489992 B2 JP3489992 B2 JP 3489992B2
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processing
substrate
processing liquid
supply means
chamber
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慎 荻野
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示器用ガラ
ス基板、カラーフィルタ用ガラス基板、フォトマスク用
基板、サーマルヘッド用セラミック基板、プリント基
板、半導体ウエハなどの基板の処理を行う基板処理装
置、特に、内部に基板を収容して処理液によって基板に
処理を施す処理チャンバーを有する基板処理装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing substrates such as glass substrates for liquid crystal displays, glass substrates for color filters, substrates for photomasks, ceramic substrates for thermal heads, printed boards and semiconductor wafers. In particular, the present invention relates to a substrate processing apparatus having a processing chamber that accommodates a substrate therein and processes the substrate with a processing liquid.

【0002】[0002]

【従来の技術】エッチング液や現像液などの処理液によ
って基板に処理を施す装置として、基板を処理チャンバ
ー内に収容し、停止しているあるいは搬送されている基
板に対してスプレーノズルから処理液を噴射して基板を
処理する装置がある。この装置においては、基板を処理
チャンバー内に収容して所定の間基板に処理液を供給し
て基板処理を行った後、スプレーノズルからの処理液噴
射を停止させて処理チャンバーから処理済みの基板を搬
出し次の新たな基板を搬入する。スプレーノズルから処
理液が噴射されているときには、処理チャンバー内で処
理液のミストが散乱している状態となるため、処理チャ
ンバーの基板搬出入用開口が閉められた状態で基板処理
が行われる。
2. Description of the Related Art As a device for processing a substrate with a processing liquid such as an etching liquid or a developing liquid, the substrate is housed in a processing chamber, and a processing liquid is sprayed from a spray nozzle onto a stopped or transported substrate. There is an apparatus for processing a substrate by injecting. In this apparatus, after the substrate is stored in the processing chamber and the processing liquid is supplied to the substrate for a predetermined period of time to perform the substrate processing, the processing liquid injection from the spray nozzle is stopped and the processed substrate is processed from the processing chamber. The next new board is carried in. When the processing liquid is sprayed from the spray nozzle, the mist of the processing liquid is scattered in the processing chamber, so that the substrate processing is performed with the substrate loading / unloading opening of the processing chamber closed.

【0003】上記のような処理液による基板処理におい
ては、処理の開始のタイミングが極めて重要であり、こ
れが不均一となると基板表面に処理ムラが発生する。し
かしながら、上記のような装置では、バルブを閉めるこ
とでスプレーノズルからの処理液噴射を停止させて次の
新たな基板を搬入しているときに、スプレーノズルとバ
ルブとの間の配管内に残っている処理液が液滴となって
搬入中の基板に落下する。このようにスプレーノズルか
らの処理液噴射の前に基板上に処理液の液滴が落下する
と、処理後の基板に大きな処理ムラが発生する。
In the substrate treatment with the treatment liquid as described above, the timing of starting the treatment is extremely important, and if it becomes non-uniform, unevenness of treatment occurs on the substrate surface. However, in the above-mentioned device, when the valve is closed to stop the injection of the processing liquid from the spray nozzle and the next new substrate is being carried in, it remains in the pipe between the spray nozzle and the valve. The processing liquid in the form of droplets drops on the substrate being loaded. When the droplets of the processing liquid drop onto the substrate before the processing liquid is ejected from the spray nozzles in this manner, large processing unevenness occurs on the processed substrate.

【0004】この基板の処理ムラを抑えるために、処理
チャンバーへの基板搬入時において、スプレーノズルか
らの処理液の噴射の前に、基板搬送方向と直交する方向
に延びるスリットから予め基板に対して処理液を層状に
吹き出す入口液カーテンを設けている装置がある。この
ように、基板搬入時において予め均一に処理液を基板上
に盛っておけば、スプレーノズルから処理液の液滴が落
下しても基板に大きな処理ムラが発生しない。
In order to suppress the processing unevenness of the substrate, when the substrate is loaded into the processing chamber, before the injection of the processing liquid from the spray nozzle, the slit is extended in the direction orthogonal to the substrate transport direction, and the substrate is previously processed. There is an apparatus provided with an inlet liquid curtain that blows out the processing liquid in layers. In this way, if the processing liquid is uniformly deposited on the substrate when the substrate is carried in, even if a droplet of the processing liquid drops from the spray nozzle, a large processing unevenness does not occur on the substrate.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、入口液カーテ
ンによって予め基板上に処理液を盛った場合、スプレー
ノズルから処理液の液滴の落下による大きな処理ムラは
抑えることができるが、搬入完了までの長い時間基板上
に新鮮な処理液が供給されない状態で同じ処理液が滞る
ことになるため、これによる処理ムラが発生する。この
原因としては、基板の表面状態の不均一性や処理液の挙
動の不確実性が考えられるが、いずれにしても長い時間
基板上に同じ処理液が滞らせることは処理ムラにつなが
ってしまう。
However, when the processing liquid is preliminarily deposited on the substrate by the inlet liquid curtain, large processing unevenness due to the drop of the processing liquid droplets from the spray nozzle can be suppressed, but until the completion of loading. For a long time, the same processing liquid remains in a state where the fresh processing liquid is not supplied onto the substrate, resulting in uneven processing. This may be due to the non-uniformity of the surface condition of the substrate or the uncertainty of the behavior of the processing liquid, but in any case, the same processing liquid remaining on the substrate for a long time leads to uneven processing. .

【0006】これを解消する方法として、基板搬入時に
おいて入口液カーテンによる処理液の吹き出しに加えて
スプレーノズルから処理液を噴射させることが考えられ
るが、この場合には処理チャンバーの搬入用開口を開け
た状態でスプレーノズルから処理液を噴射させることに
なるため、処理液のミストが処理チャンバー外に飛散す
る恐れがある。処理液のミストが処理チャンバー外に飛
散すると、装置が設置されるクリーンルーム内が汚染さ
れたり、他の装置に悪影響を及ぼすことになる。
As a method of solving this, it is possible to inject the processing liquid from the spray nozzle in addition to blowing the processing liquid through the inlet liquid curtain at the time of loading the substrate. In this case, the loading opening of the processing chamber is set. Since the processing liquid is sprayed from the spray nozzle in the opened state, the mist of the processing liquid may be scattered outside the processing chamber. If the mist of the processing liquid is scattered outside the processing chamber, it may contaminate the inside of the clean room in which the device is installed or adversely affect other devices.

【0007】本発明の課題は、処理チャンバー内におい
て基板に処理液を供給して基板処理を行う基板処理装置
であって、処理した基板の処理ムラが少ない装置を提供
することにある。
An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus which supplies a processing liquid to a substrate in a processing chamber to process the substrate, and which has less unevenness in processing of the processed substrate.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る基板処理
装置は、処理チャンバーと、搬送手段と、第1処理液供
給手段と、第2処理液供給手段とを備えている。処理チ
ャンバーは、内部に基板を収容するチャンバーであっ
て、この中で処理液による基板の処理が行われる。搬送
手段は、処理チャンバーに基板を搬出入する。第1処理
液供給手段は、処理チャンバー内に設けられており、基
板搬送方向と交差する方向に延びている。第2処理液供
給手段は、処理チャンバー内に設けられており、基板搬
送方向に沿った方向に延びている。これらの第1及び第
2処理液供給手段は、ともに処理チャンバーに搬入され
てくる基板に対して処理液を供給する。そして、この基
板処理装置においては、第1処理液供給手段から供給さ
れる処理液の流れ(以下、第1処理液流という。)と第
2処理液供給手段から供給される処理液の流れ(以下、
第2処理液流という。)とが処理チャンバーに搬入され
てくる基板上において交わるようにされている。そして
さらに、第1及び第2処理液供給手段は、処理チャンバ
ーに搬入されてくる基板に対して、スリットから処理液
を斜め方向に流出する。
A substrate processing apparatus according to a first aspect includes a processing chamber, a transfer means, a first processing liquid supply means, and a second processing liquid supply means. The processing chamber is a chamber for accommodating a substrate therein, in which the substrate is processed with a processing liquid. The transfer means carries the substrate in and out of the processing chamber. The first processing liquid supply means is provided in the processing chamber and extends in a direction intersecting the substrate transport direction. The second processing liquid supply means is provided inside the processing chamber and extends in the direction along the substrate transport direction. Both of the first and second processing liquid supply means supply the processing liquid to the substrate carried into the processing chamber. Then, in this substrate processing apparatus, the flow of the processing liquid supplied from the first processing liquid supply unit (hereinafter referred to as the first processing liquid flow) and the flow of the processing liquid supplied from the second processing liquid supply unit ( Less than,
This is called the second processing liquid flow. And) on the substrate that is loaded into the processing chamber. And
Furthermore, the first and second processing liquid supply means are processing chambers.
For the substrate that is loaded into the board, the processing liquid is
Flow out diagonally.

【0009】ここでは、従来から設置されている第1処
理液供給手段に加えて第2処理液供給手段を設けて、搬
入されてくる基板の上面において第1処理液流と第2処
理液流とを交わらせている。したがって、搬入されてく
る基板上において、第1処理液流により基板上に盛られ
た処理液が第2処理液流によって流動し、基板上におい
て同じ処理液が滞る現象が少なくなる。これにより、処
理後の基板に処理ムラができることが抑えられる。
Here, a second processing liquid supply means is provided in addition to the conventionally installed first processing liquid supply means, and the first processing liquid flow and the second processing liquid flow are provided on the upper surface of the substrate being loaded. And exchange. Therefore, on the substrate that is carried in, the phenomenon that the processing liquid piled up on the substrate by the first processing liquid flow is caused to flow by the second processing liquid flow and the same processing liquid remains on the substrate is reduced. As a result, it is possible to prevent uneven processing from occurring on the processed substrate.

【0010】なお、第1及び第2処理液供給手段は、搬
入されてくる基板に対して予め処理液を供給するもので
あって、基板搬入中であっても、すなわち搬入口が開い
ている状態であっても処理チャンバー外に処理液が飛び
出さない程度に処理液を供給することが望ましい。
The first and second processing liquid supply means preliminarily supply the processing liquid to the loaded substrate, and the loading port is open even while the substrate is being loaded. Even in the state, it is desirable to supply the treatment liquid to the extent that the treatment liquid does not flow out of the treatment chamber.

【0011】また、両処理液供給手段が処理液を斜め方
向に流出するため、単に処理液を基板に流下させる場合
に較べて、基板上での処理液の流れが速くなる。これに
より、搬入されてくる基板上における処理液の流動が多
くなって、処理後の基板の処理ムラがより少なくなる。
さらに、第1処理液供給手段からの第1処理液流が基板
搬送方向上流側に流れて、処理液が処理チャンバー外に
流出するという不具合をより確実に抑えることができ
る。
Further , both processing liquid supply means slant the processing liquid.
When the processing solution simply flows down to the substrate as it flows out
Compared with the above, the flow of the processing liquid on the substrate becomes faster. to this
As a result, the flow of processing liquid on the substrate that is loaded is large.
As a result, the processing unevenness of the substrate after the processing becomes smaller.
Further, the first processing liquid flow from the first processing liquid supply means is the substrate.
The processing solution flows out of the processing chamber as it flows upstream in the transfer direction.
You can more reliably suppress the problem of spillage
It

【0012】なお、両処理液供給手段はスリットから処
理液を流出するので、処理液は層状に流出されて基板に
当たる。したがって、基板に概ね均一に処理液が供給さ
れるとともに、基板との衝突による処理液のミスト化が
抑えられる。
Both processing liquid supply means are processed through slits.
Since the processing liquid flows out, the processing liquid flows out in layers and is applied to the substrate.
Hit Therefore, the processing liquid is almost uniformly supplied to the substrate.
And the treatment liquid becomes a mist due to collision with the substrate.
It can be suppressed.

【0013】請求項2に係る基板処理装置は、処理チャ
ンバーと、搬送手段と、第1処理液供給手段と、第2処
理液供給手段とを備えている。処理チャンバーは、内部
に基板を収容し、処理液によって基板に処理を施す。搬
送手段は処理チャンバーに基板を搬出入する。第1処理
液供給手段は、処理チャンバー内に設けられ、基板搬送
方向と交差する方向に延び、処理チャンバーに搬入され
てくる基板に対して処理液を供給する。第2処理液供給
手段は、処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向に
沿った方向に延び、処理チャンバーに搬入されてくる基
板に対して処理液を供給する。そして、処理チャンバー
に搬入されてくる基板上において、第1処理液供給手段
から供給される処理液の流れと第2処理液供給手段から
供給される処理液の流れとが交わり、第1処理液供給手
段は、処理チャンバーに搬入されてくる基板に対して、
スリットから処理液を斜め方向に流出する。また、第2
処理液供給手段は、複数の孔が形成された筒状部材を有
しており、処理チャンバーに搬入されてくる基板に対し
て、孔から処理液を流出する。
A substrate processing apparatus according to a second aspect is a processing chamber.
Member, a transfer means, a first processing liquid supply means, and a second processing means.
And a fluid supply means. The processing chamber is inside
The substrate is housed in the substrate, and the substrate is treated with the treatment liquid. Carrying
The transfer means carries the substrate in and out of the processing chamber. First process
The liquid supply means is provided inside the processing chamber and transfers the substrate.
It extends in the direction intersecting the direction and is loaded into the processing chamber.
A processing liquid is supplied to the incoming substrate. Second treatment liquid supply
The means is provided in the processing chamber and is arranged in the substrate transfer direction.
A substrate extending in the direction along which it is introduced into the processing chamber.
Supply the processing liquid to the plate. And the processing chamber
On the substrate loaded into the first processing liquid supply means
Of the processing liquid supplied from the second processing liquid supply means
The flow of the processing liquid to be supplied intersects, and the first processing liquid supply
The steps are for the substrates loaded into the processing chamber,
The processing liquid flows out obliquely from the slit. Also, the second
The processing liquid supply means has a cylindrical member having a plurality of holes formed therein.
The substrate being loaded into the processing chamber.
Then, the processing liquid flows out from the hole.

【0014】ここでは、前記同様に、基板上において同
じ処理液が滞る現象が少なくなり、これにより、処理後
の基板に処理ムラができることが抑えられる。また、第
1処理液供給手段が処理液を斜め方向に流出するため、
単に処理液を基板に流下させる場合に較べて、基板上で
の処理液の流れが速くなる。これにより、搬入されてく
る基板上における処理液の流動が多くなって、処理後の
基板の処理ムラがより少なくなる。また、第1処理液供
給手段からの第1処理液流が基板搬送方向上流側に流れ
て、処理液が処理チャンバー外に流出するという不具合
をより確実に抑えることができる。さらに、第2処理液
供給手段は、スリットではなく複数の孔が形成された筒
状部材を構成要素としているため、スリットを有する構
造とする場合に較べて製作コストが安くなる。
Here, the same as above, on the substrate.
The phenomenon that the processing solution remains behind is reduced, which allows
It is possible to suppress unevenness in processing on the substrate. Also,
1 Since the processing liquid supply means flows the processing liquid in an oblique direction,
Compared to the case of simply letting the processing liquid flow down onto the substrate,
The flow of the processing liquid becomes faster. By this, it will be carried in.
Flow of the processing liquid on the substrate
Substrate unevenness is reduced. In addition, the first treatment liquid supply
The first processing liquid flow from the supply means flows upstream in the substrate transfer direction.
That the processing liquid flows out of the processing chamber.
Can be suppressed more reliably. Furthermore, the second treatment liquid
The supply means is not a slit but a cylinder with multiple holes formed.
The structure with slits is used because
The manufacturing cost is lower than that of manufacturing.

【0015】請求項3に係る基板処理装置は、請求項1
又は2に記載の装置であって、処理チャンバーに搬入さ
れて処理チャンバー内の所定位置に収容された基板に対
して、基板の上方から処理液を供給する第3処理液供給
手段をさらに備えている。
A substrate processing apparatus according to a third aspect of the present invention is the first aspect.
Or the apparatus according to 2, wherein the apparatus is loaded into the processing chamber.
The substrate stored in a predetermined position in the processing chamber.
And then supply the third processing liquid from above the substrate.
Means are further provided.

【0016】ここでは、搬入が完了して処理チャンバー
内の所定位置に収容された基板に対して、第3処理液供
給手段からの処理液供給により基板処理が行われる。こ
の第3処理液供給手段は基板の上方から処理液を供給す
る、すなわち基板上方に処理液の供給口を有しているた
め、処理液を供給していない基板搬入時においても基板
上面に処理液の液滴が落ちる恐れがあるが、このような
処理液の液滴の落下があった場合でも、第1及び第2処
理液供給手段により基板上に処理液が盛られているので
処理ムラが殆ど発生しない。
Here, the processing chamber after the loading is completed
The third treatment liquid is supplied to the substrate accommodated in a predetermined position inside the substrate.
Substrate processing is performed by supplying the processing liquid from the supply means. This
The third processing liquid supply means supplies the processing liquid from above the substrate.
That is, the processing liquid supply port is provided above the substrate.
Therefore, even when loading a substrate that has not been supplied with processing liquid,
Drops of the processing liquid may drop on the upper surface.
Even when the treatment liquid drops fall, the first and second treatments are performed.
Since the processing liquid is deposited on the substrate by the liquid supply means,
Almost no processing unevenness occurs.

【0017】請求項4に係る基板処理装置は、処理チャ
ンバーと、搬送手段と、第1処理液供給手段と、第2処
理液供給手段とを備えている。処理チャンバーは、内部
に基板を収容し、処理液によって基板に処理を施す。搬
送手段は処理チャンバーに基板を搬出入する。第1処理
液供給手段は、処理チャンバー内の搬入口付近に設けら
れ、基板搬送方向と交差する方向に延び、処理チャンバ
ーに搬入されてくる基板に対して処理液を供給する。第
2処理液供給手段は、処理チャンバー内に設けられ、基
板搬送方向に沿った方向に延び、処理チャンバーに搬入
されてくる基板に対して処理液を供給する。第3処理液
供給手段は、処理チャンバーに搬入されて処理チャンバ
ー内の所定位置に収容された基板に対して、基板の上方
から処理液を供給する。そして、処理チャンバーに搬入
されてくる基板上において、第1処理液供給手段から供
給される処理液の流れと第2処理液供給手段から供給さ
れる処理液の流れとが交わる。この場合も、前記同様
に、基板上において同じ処理液が滞る現象が少なくな
り、これにより、処理後の基板に処理ムラができること
が抑えられる。
A substrate processing apparatus according to a fourth aspect is a processing chamber.
Member, a transfer means, a first processing liquid supply means, and a second processing means.
And a fluid supply means. The processing chamber is inside
The substrate is housed in the substrate, and the substrate is treated with the treatment liquid. Carrying
The transfer means carries the substrate in and out of the processing chamber. First process
The liquid supply means is provided near the carry-in port in the processing chamber.
And extends in the direction intersecting the substrate transfer direction,
The processing liquid is supplied to the substrate carried into the substrate. First
2 The processing liquid supply means is provided in the processing chamber and
Extends along the plate transport direction and loads it into the processing chamber
The processing liquid is supplied to the substrate to be processed. Third treatment liquid
The supply means is carried into the processing chamber
-Above the board with respect to the board housed in the predetermined position
Supply processing liquid from. Then carry it into the processing chamber
On the substrate to be transferred, the first processing liquid supply means supplies it.
The flow of the processing liquid to be supplied and the supply from the second processing liquid supply means.
And the flow of the treatment liquid. In this case, the same as above
In addition, the phenomenon that the same processing liquid stays on the substrate is reduced.
As a result, unevenness in processing can occur on the processed substrate.
Can be suppressed.

【0018】請求項5に係る基板処理装置は、処理チャ
ンバーと、搬送手段と、第1処理液供給手段と、第2処
理液供給手段と、第3処理液供給手段とを備えている。
処理チャンバーは、内部に基板を収容し、処理液によっ
て基板に処理を施す。搬送手段は処理チャンバーに基板
を搬出入する。第1処理液供給手段は、処理チャンバー
内に設けられ、基板搬送方向と交差する方向に延び、処
理チャンバーに搬入されてくる基板に対して処理液を供
給する。第2処理液供給手段は、処理チャンバー内に設
けられ、基板搬送方向に沿った方向に延び、処理チャン
バーに搬入されてくる基板に対して処理液を供給する。
第3処理液供給手段は、処理チャンバーに搬入されて処
理チャンバー内の所定位置に収容された基板に対して、
基板の上方から処理液を供給する。そして、処理チャン
バーに搬入されてくる基板上において、第3処理液供給
手段で処理液を供給する前に第1及び第2処理液供給手
段から処理液が供給され、第1処理液供給手段から供給
される処理液の流れと第2処理液供給手段から供給され
る処理液の流れとが交わる。
A substrate processing apparatus according to a fifth aspect is a processing chamber.
Member, a transfer means, a first processing liquid supply means, and a second processing means.
It is provided with a physical liquid supply means and a third processing liquid supply means.
The processing chamber contains a substrate inside and is filled with processing liquid.
To process the substrate. The transfer means is the substrate in the processing chamber.
Carry in and out. The first processing liquid supply means is a processing chamber
Is provided inside, extends in the direction intersecting the substrate transfer direction, and
The processing liquid is supplied to the substrate that is loaded into the processing chamber.
To pay. The second processing liquid supply means is installed in the processing chamber.
And extends in the direction along the substrate transport direction,
The processing liquid is supplied to the substrate loaded into the bar.
The third processing liquid supply means is carried into the processing chamber and processed.
With respect to the substrate housed at a predetermined position in the processing chamber,
The processing liquid is supplied from above the substrate. And processing chan
Supplying the third processing liquid on the substrate loaded into the bar
First and second processing liquid supply hands before supplying the processing liquid by means
The processing liquid is supplied from the stage, and is supplied from the first processing liquid supply means.
Flow of the processing liquid to be generated and the second processing liquid supply means
And the flow of the processing liquid.

【0019】ここでは、前記同様に、基板上において同
じ処理液が滞る現象が少なくなり、これにより、処理後
の基板に処理ムラができることが抑えられる。また、搬
入が完了して処理チャンバー内の所定位置に収容された
基板に対して、第3処理液供給手段からの処理液供給に
より基板処理が行われる。この第3処理液供給手段は基
板の上方から処理液を供給する、すなわち基板上方に処
理液の供給口を有しているため、処理液を供給していな
い基板搬入時においても基板上面に処理液の液滴が落ち
る恐れがあるが、このような処理液の液滴の落下があっ
た場合でも、第1及び第2処理液供給手段により基板上
に処理液が盛られているので処理ムラが殆ど発生しな
い。
Here, the same as above, on the substrate.
The phenomenon that the processing solution remains behind is reduced, which allows
It is possible to suppress unevenness in processing on the substrate. Also, carry
Completed and placed in the processing chamber
For supplying the processing liquid from the third processing liquid supply means to the substrate
Substrate processing is performed. This third processing liquid supply means is
The processing liquid is supplied from above the plate, that is, the processing liquid is processed above the substrate.
It does not supply processing liquid because it has a supply port for processing liquid.
Droplets of the processing liquid drop onto the top surface of the substrate even when the substrate is loaded.
However, there is a possibility that such processing liquid droplets may drop.
Even when
Almost no processing unevenness occurs because the processing liquid is filled in
Yes.

【0020】請求項6に係る基板処理装置は、処理チャ
ンバーと、搬送手段と、第1処理液供給手段と、第2処
理液供給手段と、第3処理液供給手段とを備えている。
処理チャンバーは、内部に基板を収容し、処理液によっ
て基板に処理を施す。搬送手段は処理チャンバーに基板
を搬出入する。第1処理液供給手段は、処理チャンバー
内に設けられ、基板搬送方向と交差する方向に延び、処
理チャンバーに搬入されてくる基板に対して処理液を供
給する。第2処理液供給手段は、処理チャンバー内に設
けられ、基板搬送方向に沿った方向に延び、処理チャン
バーに搬入されてくる基板に対して処理液を供給する。
第3処理液供給手段は、処理チャンバーに搬入されて処
理チャンバー内の所定位置に収容された基板に対して、
基板の上方から処理液を供給する。そして、第1及び第
2処理液供給手段は、処理チャンバー内の第3処理液供
給手段で処理されているときの位置に収容された基板の
上方空間の外部に配置されており、処理チャンバーに搬
入されてくる基板上において、第1処理液供給手段から
供給される処理液の流れと第2処理液供給手段から供給
される処理液の流れとが交わる。
According to a sixth aspect of the substrate processing apparatus, there is provided a processing chamber.
Member, a transfer means, a first processing liquid supply means, and a second processing means.
It is provided with a physical liquid supply means and a third processing liquid supply means.
The processing chamber contains a substrate inside and is filled with processing liquid.
To process the substrate. The transfer means is the substrate in the processing chamber.
Carry in and out. The first processing liquid supply means is a processing chamber
Is provided inside, extends in the direction intersecting the substrate transfer direction, and
The processing liquid is supplied to the substrate that is loaded into the processing chamber.
To pay. The second processing liquid supply means is installed in the processing chamber.
And extends in the direction along the substrate transport direction,
The processing liquid is supplied to the substrate loaded into the bar.
The third processing liquid supply means is carried into the processing chamber and processed.
With respect to the substrate housed at a predetermined position in the processing chamber,
The processing liquid is supplied from above the substrate. And the first and the first
2 The processing liquid supply means supplies the third processing liquid in the processing chamber.
Of the substrate housed in the position when it is being processed by the feeding means
It is located outside the upper space and is carried into the processing chamber.
On the incoming substrate, from the first processing liquid supply means
Flow of processing liquid supplied and supply from second processing liquid supply means
And the flow of the treatment liquid to be processed intersects.

【0021】ここでは、前記同様に、基板上において同
じ処理液が滞る現象が少なくなり、これにより、処理後
の基板に処理ムラができることが抑えられる。また、第
3処理液供給手段による基板処理中に、第1及び第2処
理液供給手段から処理液の液滴が基板上に落下すること
が回避される。
Here, the same as above, on the substrate.
The phenomenon that the processing solution remains behind is reduced, which allows
It is possible to suppress unevenness in processing on the substrate. Also,
The first and second treatments are performed during the substrate treatment by the treatment liquid supply means.
Drop of processing liquid from the liquid supply means onto the substrate
Is avoided.

【0022】すなわち、搬入が完了すると第1及び第2
処理液供給手段からの処理液供給は必要なくなるが、処
理液供給を停止しても多少の液滴が落下することが考え
られる。この液滴が第3処理液供給手段による基板処理
中に基板上に落下するとその部分に処理ムラが生じるこ
とがあるが、ここでは第1及び第2処理液供給手段を基
板の上方空間の外部に配置しているため、これらからの
処理液の液滴が基板処理中に基板上に落下することはな
い。
That is, when the carry-in is completed, the first and second
It is not necessary to supply the processing liquid from the processing liquid supply means.
It is possible that some liquid droplets may drop even if the supply of physical fluid is stopped.
To be This droplet is used for substrate processing by the third processing liquid supply means.
If it falls on the substrate, uneven processing may occur in that part.
However, here, the first and second processing liquid supply means are used as a base.
Since it is placed outside the space above the board,
The processing liquid droplets do not fall onto the substrate during substrate processing.
Yes.

【0023】なお、所定の流速をつけて第2処理液供給
手段から処理液を斜めに流出させれば、搬入 される基板
の上方空間から第2処理液供給手段が外れていても搬入
中の基板に処理液を供給することができる。
The second processing liquid is supplied with a predetermined flow rate.
Substrates to be carried in if the processing liquid is made to flow out obliquely from the means.
Even if the second processing liquid supply means is removed from the space above the
The processing liquid can be supplied to the substrate inside.

【0024】請求項7に係る基板処理装置は、請求項1
から6のいずれかの装置において、搬送手段は、基板を
傾斜させた状態で、処理チャンバーに基板を搬入する。
この基板の傾斜は、基板搬送方向と直交する面と基板と
の交線が水平面に対して傾斜するような傾斜である。ま
た、第2処理液供給手段は、傾斜状態で搬入されてくる
基板の最上部から処理液を供給する。
A substrate processing apparatus according to a seventh aspect is the first aspect.
In any of the devices from 1 to 6, the transfer means transfers the substrate.
The substrate is loaded into the processing chamber in the tilted state.
This inclination of the substrate is such that the surface orthogonal to the substrate transport direction and the substrate
The line of intersection is inclined with respect to the horizontal plane. Well
Also, the second processing liquid supply means is loaded in an inclined state.
The processing liquid is supplied from the top of the substrate.

【0025】基板を上記のように傾斜させた状態で処理
チャンバーに搬入する場合、もし第1処理液供給手段だ
けから搬入中の基板に処理液を供給していると、一旦基
板上に盛られた処理液が搬入中の基板から流れ落ちてし
まう。これでは、基板搬入時において予め処理液を基板
上全体に盛って処理液の液滴の落下による大きな処理ム
ラの発生を防止するという目的が達成されない。
Processing with the substrate tilted as described above
When loading into the chamber, if it is the first processing liquid supply means
If the processing liquid is being supplied to the substrate being loaded from the
The processing liquid deposited on the plate may flow down from the substrate being loaded.
I will With this, the processing liquid is preliminarily added to the substrate when the substrate is loaded.
A large processing space due to the drop of processing liquid droplets all over the top.
The purpose of preventing the occurrence of la is not achieved.

【0026】ここでは、第1処理液供給手段に加えて、
傾斜状態で搬入されてくる基板の最上部から処理液を供
給する第2処理液供給手段を設けている。このため、搬
入されてくる基板上には常に処理液が存在することにな
り、処理液の液滴の落下による処理ムラを防ぐことがで
きる。また、搬入されてくる基板上において常に処理液
の流れが存在するため、基板上において同じ処理液が滞
る現象がより少なくなり、処理後の基板に処理ムラがで
きることを効果的に抑えることができる。
Here, in addition to the first processing liquid supply means,
The processing liquid is supplied from the top of the substrate that is loaded in an inclined state.
A second processing liquid supply means for supplying the second processing liquid is provided. For this reason
There is always processing liquid on the incoming substrate.
Therefore, it is possible to prevent uneven processing due to the drop of processing liquid droplets.
Wear. In addition, the processing liquid is always on the substrate that is loaded.
Flow, the same processing liquid remains on the substrate.
Is less likely to occur, resulting in uneven processing on the processed substrate.
It is possible to effectively suppress the interruption.

【0027】請求項8に係る基板処理装置は、処理チャ
ンバーと、搬送手段と、第1処理液供給手段と、第2処
理液供給手段と、第3処理液供給手段とを備えている。
処理チャンバーは、内部に基板を収容し、処理液によっ
て基板に処理を施す。搬送手段は処理チャンバーに基板
を搬出入する。第1処理液供給手段は、処理チャンバー
内に設けられ、基板搬送方向と交差する方向に延び、処
理チャンバーに搬入されてくる基板に対して処理液を供
給する。第2処理液供給手段は、処理チャンバー内に設
けられ、基板搬送方向に沿った方向に延び、処理チャン
バーに搬入されてくる基板に対して処理液を供給する。
第3処理液供給手段は、処理チャンバーに搬入されて処
理チャンバー内の所定位置に収容された基板に対して、
基板の上方から処理液を供給する。そして、処理チャン
バーに搬入されてくる基板上において、第1処理液供給
手段から供給される処理液の流れと第2処理液供給手段
から供給される処理液の流れとが交わる。また、第3処
理液供給手段は基板に対して処理液を噴射するスプレー
ノズルを有し、処理チャンバーは、基板を搬出入するた
めの開口と、前記開口を開閉する開閉手段とを有してい
る。そしてさらに、搬送手段、開閉手段、第1処理液供
給手段、第2処理液供給手段、及び第3処理液供給手段
を制御する制御手段であって、開閉手段によって基板を
搬入するための開口を開けた状態において第1及び第2
処理液供給手段から処理液を供給させながら処理チャン
バーに基板を搬入させ、基板が搬入され基板が処理チャ
ンバー内の所定位置に収容された後に第1及び第2処理
液供給手段からの処理液の供給を停止して開口を閉じた
状態で第3処理液供給手段から処理液を噴射させる制御
手段をさらに備えている。
The substrate processing apparatus according to claim 8 is a processing chamber.
Member, a transfer means, a first processing liquid supply means, and a second processing means.
It is provided with a physical liquid supply means and a third processing liquid supply means.
The processing chamber contains a substrate inside and is filled with processing liquid.
To process the substrate. The transfer means is the substrate in the processing chamber.
Carry in and out. The first processing liquid supply means is a processing chamber
Is provided inside, extends in the direction intersecting the substrate transfer direction, and
The processing liquid is supplied to the substrate that is loaded into the processing chamber.
To pay. The second processing liquid supply means is installed in the processing chamber.
And extends in the direction along the substrate transport direction,
The processing liquid is supplied to the substrate loaded into the bar.
The third processing liquid supply means is carried into the processing chamber and processed.
With respect to the substrate housed at a predetermined position in the processing chamber,
The processing liquid is supplied from above the substrate. And processing chan
Supplying the first processing liquid on the substrate loaded into the bar
Flow of processing liquid supplied from the means and second processing liquid supply means
Intersects with the flow of processing liquid supplied from. In addition, the third place
The liquid supply means is a spray that sprays the processing liquid onto the substrate.
It has a nozzle and a processing chamber for loading and unloading substrates.
And an opening / closing means for opening / closing the opening.
It Further, the transfer means, the opening / closing means, and the first processing liquid supply
Supplying means, second processing liquid supplying means, and third processing liquid supplying means
Which is a control means for controlling the
1st and 2nd in the state which opened the opening for carrying in
While supplying the processing liquid from the processing liquid supply means,
The substrate is loaded into the bar, the substrate is loaded and the substrate is processed.
First and second processing after being housed at a predetermined position in the chamber
The supply of the processing liquid from the liquid supply means was stopped and the opening was closed.
Control for injecting the treatment liquid from the third treatment liquid supply means in the state
Means are further provided.

【0028】ここでは、前記同様に、基板上において同
じ処理液が滞る現象が少なくなり、これにより、処理後
の基板に処理ムラができることが抑えられる。また、基
板を処理チャンバーに搬入するときには、第1及び第2
処理液供給手段により基板上に処理液を盛って、スプレ
ーノズルからの処理液の落下による処理ムラを抑える。
また、第3処理液供給手段による基板への処理液噴射時
には、開口を閉じた状態で処理液を噴射するため、処理
液がミスト状になって処理チャンバー外に漏れ出ること
が抑えられる。
Here, the same as above, on the substrate.
The phenomenon that the processing solution remains behind is reduced, which allows
It is possible to suppress unevenness in processing on the substrate. Also, the basis
When loading the plate into the processing chamber, the first and second
The processing liquid is placed on the substrate by the processing liquid supply means and sprayed.
-Suppresses processing unevenness caused by the dropping of processing liquid from the nozzle.
Also, when the processing liquid is jetted onto the substrate by the third processing liquid supply means.
The process liquid is sprayed with the opening closed.
The liquid becomes a mist and leaks out of the processing chamber.
Can be suppressed.

【0029】請求項9に係る基板処理装置は、請求項1
から8のいずれかに記載の装置において、第 1処理液供
給手段は、基板の搬送方向に直交する方向に沿った長さ
よりも長い範囲にわたって処理液を供給し、第2処理液
供給手段は、基板の搬送方向に沿った長さよりも長い範
囲にわたって処理液を供給する。
A substrate processing apparatus according to a ninth aspect is the first aspect.
In the device according to any one of 1 to 8,
The feeding means has a length along the direction orthogonal to the substrate transport direction.
Supply the processing liquid over a longer range than the second processing liquid
The supply means has a length longer than the length along the substrate transfer direction.
Supply processing liquid over the enclosure.

【0030】請求項10に係る基板処理装置は、請求項
1から9のいずれかに記載の装置において、第2処理液
供給手段は処理チャンバー内の側面付近に設けられてい
る。
A substrate processing apparatus according to claim 10 is the following:
The apparatus according to any one of 1 to 9, wherein the second treatment liquid
The supply means is provided near the side surface inside the processing chamber.
It

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】<装置の全体構成> 図1に本発明の一実施形態である基板処理装置1を示
す。基板処理装置1は、液晶表示器用のガラスの基板W
上に形成された薄膜にエッチング処理を施す装置であっ
て、主として、入口コンベアチャンバー2、エッチング
処理チャンバー(処理チャンバー)3、水洗処理チャン
バー4,及び乾燥搬出チャンバー5と、各チャンバー2
〜5に配備される搬送ローラ(搬送手段)6とから構成
されている。各チャンバー2〜5の下方の空間には、エ
ッチング処理チャンバー3に薬液を供給するための薬液
槽や配管、水洗処理チャンバー4に純水を供給するため
の純水槽や配管、高圧空気・排気・排液・排水等の各種
配管、制御装置や電気配線等が配置される。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS <Overall Configuration of Apparatus> FIG. 1 shows a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1 includes a glass substrate W for a liquid crystal display.
An apparatus for performing an etching process on a thin film formed above, which mainly includes an inlet conveyor chamber 2, an etching process chamber (processing chamber) 3, a water washing process chamber 4, and a dry carry-out chamber 5, and each chamber 2.
5 to 5, a transport roller (transport means) 6 is provided. In the space below each of the chambers 2 to 5, a chemical liquid tank or pipe for supplying a chemical liquid to the etching treatment chamber 3, a pure water tank or pipe for supplying pure water to the washing treatment chamber 4, a high pressure air / exhaust pipe, Various pipes for drainage and drainage, control devices, electrical wiring, etc. are arranged.

【0032】<装置の動作概略> 表面に薄膜が形成された基板Wが基板処理装置1に運ば
れてくると、まず基板Wは入口コンベアチャンバー2に
搬入される。その後、基板Wは搬送ローラ6によってエ
ッチング処理チャンバー3に移動する。エッチング処理
チャンバー3では、エッチング用の薬液(処理液)が基
板Wに噴射され、基板表面上の薄膜が所定の厚さだけ食
刻される。このようにエッチングされた基板Wは、次に
水洗処理チャンバー4に送られて、基板Wに付着した薬
液が洗い流される。そして、水洗処理を終えた基板W
は、乾燥搬出チャンバー5でエアー吹き付けによる乾燥
処理が行われた後に搬出される。
<Outline of Operation of Apparatus> When the substrate W having a thin film formed on its surface is carried to the substrate processing apparatus 1, the substrate W is first carried into the inlet conveyor chamber 2. After that, the substrate W is moved to the etching processing chamber 3 by the transport roller 6. In the etching processing chamber 3, a chemical solution (processing solution) for etching is sprayed onto the substrate W, and a thin film on the surface of the substrate is etched by a predetermined thickness. The substrate W thus etched is then sent to the water washing processing chamber 4 to wash away the chemical liquid adhering to the substrate W. Then, the substrate W that has been washed with water
Are carried out after the drying process by air blowing is performed in the dry carrying-out chamber 5.

【0033】なおここでは、基板Wは各チャンバー2〜
5において所定の傾斜状態とされて処理・搬送される
(図2参照)。この基板Wの傾斜は、基板搬送方向(図
1の左から右へ向かう方向)と直交する面と基板Wとの
交線が水平面Hに対して角度θ1だけ傾斜するような傾
斜である(図2及び図8の角度θ1参照)。角度θ1
は、エッチング処理の効率等を考慮して、ここでは5゜
〜10゜に設定されている。
In this case, the substrate W has each chamber 2 to 2.
In step 5, the sheet is processed into a predetermined inclined state and transported (see FIG. 2). The inclination of the substrate W is such that the line of intersection between the substrate W and the plane orthogonal to the substrate transport direction (the direction from left to right in FIG. 1) is inclined with respect to the horizontal plane H by an angle θ1 (FIG. 2 and the angle θ1 in FIG. 8). Angle θ1
Is set to 5 ° to 10 ° in consideration of the efficiency of the etching process.

【0034】<エッチング処理チャンバーの詳細> エッチング処理チャンバー3には、図1に示すように、
主として、基板搬入時に基板Wに薬液を層状に吹き付け
る入口液カーテン(第1処理液供給手段)31/スリッ
トカーテン(第2処理液供給手段)32、基板Wに薬液
を噴射する上部スプレーノズル(第3処理液供給手段)
33a/下部スプレーノズル33b、基板Wを搬送ロー
ラ6によって基板搬送方向に沿って揺動させるときに使
用する位置センサー34,35、及びエッチングの終点
を検出する光学反射式のEPS(エンド・ポイント・セ
ンサー)36が配置されている。また、エッチング処理
チャンバー3には、入口コンベアチャンバー2から基板
Wを搬入するための搬入口及びこの搬入口を開閉する搬
入シャッター3aと、水洗処理チャンバー4へと基板W
を搬出するための搬出口及びこの搬出口を開閉する搬出
シャッター3bとが設けられている。
<Details of Etching Treatment Chamber> In the etching treatment chamber 3, as shown in FIG.
Mainly, an inlet liquid curtain (first treatment liquid supply means) 31 / slit curtain (second treatment liquid supply means) 32 for spraying the chemical liquid onto the substrate W in a layered manner at the time of carrying in the substrate, an upper spray nozzle (first 3 treatment liquid supply means)
33a / lower spray nozzle 33b, position sensors 34 and 35 used when the substrate W is swung along the substrate transport direction by the transport roller 6, and an optical reflection type EPS (end point. Sensor) 36 is arranged. Further, the etching process chamber 3 is provided with a carry-in port for carrying in the substrate W from the entrance conveyor chamber 2, a carry-in shutter 3 a for opening and closing the carry-in port, and a substrate W for the washing process chamber 4.
There is provided a carry-out port for carrying out the paper and a carry-out shutter 3b for opening and closing the carry-out port.

【0035】入口液カーテン31は、エッチング処理チ
ャンバー3内の搬入口付近に設けられており、基板搬送
方向(図1の左から右へと向かう方向)と直交する方向
に延びている(図2参照)。但し、水平面に対しては、
搬送ローラ6や基板Wと同じく角度θ1だけ傾斜した状
態で固定されている。この入口液カーテン31は、搬入
されてくる基板Wに対して薬液をスリットから斜めに層
状に吹き出すが、その吹き出しの角度θ2(図7参照)
は基板Wの表面に対して約20゜に設定されている。な
お、この入口液カーテン31のスリットの長さは、基板
Wの搬送方向に直交する方向に沿った長さ(基板Wの
幅)よりも長い(図5参照)。
The inlet liquid curtain 31 is provided in the vicinity of the carry-in port in the etching processing chamber 3 and extends in the direction orthogonal to the substrate carrying direction (the direction from left to right in FIG. 1) (FIG. 2). reference). However, for a horizontal plane,
Like the transport roller 6 and the substrate W, they are fixed in a state inclined by an angle θ1. The inlet liquid curtain 31 blows the chemical liquid obliquely in layers on the substrate W which is carried in from the slits, and the angle θ2 of the blowing (see FIG. 7).
Is set to about 20 ° with respect to the surface of the substrate W. The length of the slit of the inlet liquid curtain 31 is longer than the length (width of the substrate W) along the direction orthogonal to the transport direction of the substrate W (see FIG. 5).

【0036】スリットカーテン32は、エッチング処理
チャンバー3内の側面付近に設けられており、基板搬送
方向と同じ方向に延びている。このスリットカーテン3
2は、傾斜状態で搬入されてくる基板Wの最上部(図2
の基板Wの向こう側の側端部)に対して、スリットから
薬液を斜めに層状に吹き出す。この吹き出しの角度も、
基板Wの表面に対して約20゜に設定されており、水平
面Hから見れば25〜30゜ぐらいの角度θ3に設定さ
れている。なお、このスリットカーテン32のスリット
の長さは、基板Wの搬送方向に沿った長さよりも長い
(図5参照)。
The slit curtain 32 is provided near the side surface inside the etching processing chamber 3 and extends in the same direction as the substrate transport direction. This slit curtain 3
2 is the uppermost portion of the substrate W that is loaded in an inclined state (see FIG.
The chemical solution is obliquely blown out in a layered manner from the slit to the side end portion on the other side of the substrate W). The angle of this balloon is also
It is set to about 20 ° with respect to the surface of the substrate W, and is set to an angle θ3 of about 25 to 30 ° when viewed from the horizontal plane H. The length of the slit of the slit curtain 32 is longer than the length along the transport direction of the substrate W (see FIG. 5).

【0037】そして、図5に示すように、入口液カーテ
ン31から供給される薬液の流れ(以下、第1薬液流F
1という。)とスリットカーテン32から供給される薬
液の流れ(以下、第2薬液流F2という。)とがエッチ
ング処理チャンバー3に搬入されてくる基板Wの表面に
おいて交わるように、入口液カーテン31とスリットカ
ーテン32とは隣接して設けられている。
Then, as shown in FIG. 5, the flow of the chemical liquid supplied from the inlet liquid curtain 31 (hereinafter referred to as the first chemical liquid flow F
1 ) And the flow of the chemical liquid supplied from the slit curtain 32 (hereinafter referred to as the second chemical liquid flow F2) intersect with each other on the surface of the substrate W loaded into the etching processing chamber 3, the inlet liquid curtain 31 and the slit curtain. It is provided adjacent to 32.

【0038】また、図6に示すように、入口液カーテン
31及びスリットカーテン32は、エッチング処理チャ
ンバー3内の所定位置Sに収容された基板Wの上方空間
から外れた位置に配置されている。
Further, as shown in FIG. 6, the inlet liquid curtain 31 and the slit curtain 32 are arranged at positions apart from the upper space of the substrate W accommodated at the predetermined position S in the etching processing chamber 3.

【0039】上部スプレーノズル33a及び下部スプレ
ーノズル33bは、図2に示すように、それぞれ基板W
の搬送方向に沿って延設され、基板Wの幅方向に等間隔
に複数のものが配置される。また、各スプレーノズル3
3a,33bは、基板Wが所定位置Sに搬入されてきた
後に、長手方向を軸として所定角度だけ往復回転運動し
ながら基板Wに概ね均一に薬液を噴射する。このエッチ
ング処理チャンバー3内ではEPS36によってエッチ
ングの終了が自動的に検出されるが、それまでの間、基
板Wは、所定位置Sにおいて両位置センサー34,35
の間を往復動することによって揺動しながら、両スプレ
ーノズル33a,33bから薬液の噴射を受ける。
The upper spray nozzle 33a and the lower spray nozzle 33b are, as shown in FIG.
A plurality of the substrates W are arranged at equal intervals in the width direction of the substrate W. Also, each spray nozzle 3
After the substrate W is loaded into the predetermined position S, the reference numerals 3a and 33b eject the chemical liquid substantially uniformly onto the substrate W while reciprocatingly rotating about the longitudinal direction by a predetermined angle. The end of etching is automatically detected by the EPS 36 in the etching processing chamber 3, but until then, the substrate W is at the predetermined position S at both position sensors 34, 35.
While swinging by reciprocating between them, the chemical liquid is injected from both spray nozzles 33a and 33b.

【0040】<エッチング処理チャンバーの薬液配管系
統> 図3にエッチング処理チャンバー3で使用する薬液の配
管図を示す。エッチング処理チャンバー3の下方に配置
される薬液タンク64には、図示しない薬液補充配管か
ら適宜薬液が補充され、また図示しないオーバーフロー
配管が設置されている。したがって、薬液タンク64の
液面は概ね一定に保たれている。
<Chemical Solution Piping System of Etching Processing Chamber> FIG. 3 shows a piping diagram of a chemical solution used in the etching processing chamber 3. A chemical liquid tank 64 arranged below the etching chamber 3 is appropriately supplemented with a chemical liquid from a chemical liquid replenishing pipe (not shown), and an overflow pipe (not shown) is installed. Therefore, the liquid level of the chemical liquid tank 64 is kept substantially constant.

【0041】この薬液タンク64からは、ポンプ65及
びフィルター66を介して入口液カーテン31、スリッ
トカーテン32、及びスプレーノズル33a,33bに
薬液供給配管が延びている。そして、これらの配管に
は、入口液カーテン31への薬液供給を断続する自動弁
である入口液カーテン用バルブ61、スリットカーテン
32への薬液供給を断続する自動弁であるスリットカー
テン用バルブ62、両スプレーノズル33a,33bへ
の薬液供給を断続する自動弁であるスプレーノズル用バ
ルブ63がそれぞれ設置されている。
A chemical liquid supply pipe extends from the chemical liquid tank 64 to the inlet liquid curtain 31, the slit curtain 32, and the spray nozzles 33a and 33b through a pump 65 and a filter 66. In these pipes, an inlet liquid curtain valve 61 which is an automatic valve for connecting and disconnecting the chemical liquid to the inlet liquid curtain 31, a slit curtain valve 62 which is an automatic valve for connecting and disconnecting the chemical liquid to the slit curtain 32, A spray nozzle valve 63, which is an automatic valve that connects and disconnects the chemical liquid supply to both spray nozzles 33a and 33b, is installed.

【0042】入口液カーテン31、スリットカーテン3
2、あるいはスプレーノズル33a,33bからエッチ
ング処理チャンバー3内に吹き出された薬液は、エッチ
ング処理チャンバー3の下部から戻り配管によって薬液
タンク64に戻され、薬液はポンプ65の作動によって
循環使用される。
Inlet liquid curtain 31, slit curtain 3
2, or the chemical liquid blown into the etching treatment chamber 3 from the spray nozzles 33a and 33b is returned from the lower portion of the etching treatment chamber 3 to the chemical liquid tank 64 through the return pipe, and the chemical liquid is circulated by the operation of the pump 65.

【0043】<他のチャンバーの詳細> 水洗処理チャンバー4には、主として、上部洗浄スプレ
ー41、下部洗浄スプレー42、位置センサー43,4
4が配置されている。上部及び下部洗浄スプレー41,
42は、基板Wに対して純水を噴射する。位置センサー
43,44は、水洗処理チャンバー4内における基板W
の基板搬送方向の位置を検出する光ファイバーのセンサ
ーである。エッチング処理チャンバー3において薬液に
よるエッチング処理が施され薬液が付着した状態の基板
Wが、搬送ローラ6によって水洗処理チャンバー4に送
られてくると、基板Wは所定の時間だけ両位置センサー
43,44の間を行ったり来たりの揺動を繰り返すが、
このときに上部及び下部洗浄スプレー41,42から基
板Wに対して純水が噴射される。この純水が基板Wに接
触衝突して、基板Wに付着している薬液を基板Wから洗
い流す。基板Wを洗浄し薬液と混じり合って汚染された
純水は、水洗処理チャンバー4の下部から排出される。
<Details of Other Chambers> The water washing chamber 4 mainly includes an upper washing spray 41, a lower washing spray 42, and position sensors 43, 4.
4 are arranged. Upper and lower cleaning spray 41,
42 sprays pure water onto the substrate W. The position sensors 43 and 44 are used for the substrate W in the washing processing chamber 4.
It is an optical fiber sensor that detects the position of the substrate in the substrate transport direction. When the substrate W, which has been subjected to the etching treatment with the chemical liquid in the etching treatment chamber 3 and the chemical liquid is adhered thereto, is sent to the water washing treatment chamber 4 by the transport roller 6, the substrate W is kept at both position sensors 43, 44 for a predetermined time. Repeated swinging back and forth between
At this time, pure water is sprayed onto the substrate W from the upper and lower cleaning sprays 41 and 42. The pure water comes into contact with and collides with the substrate W to wash away the chemical liquid adhering to the substrate W from the substrate W. Pure water contaminated by cleaning the substrate W and mixing with the chemical liquid is discharged from the lower portion of the water washing processing chamber 4.

【0044】乾燥搬出チャンバー5には、基板Wにドラ
イエアーを噴射する上下エアーナイフ51,52が設け
られている。この乾燥搬出チャンバー5内では、水洗処
理チャンバー4での水洗処理後に基板Wに残留した純水
を両エアーナイフ51,52から噴射されるドライエア
ーにより吹き飛ばし、基板Wを乾燥させる。
The dry carry-out chamber 5 is provided with upper and lower air knives 51 and 52 for injecting dry air onto the substrate W. In the dry carry-out chamber 5, the pure water remaining on the substrate W after the washing process in the washing process chamber 4 is blown off by the dry air jetted from both air knives 51 and 52 to dry the substrate W.

【0045】搬送ローラ6は、基板Wの搬送方向に直交
するように配置され、各チャンバー2〜5の側壁に回転
自在に支持されるローラ軸70を有している(図2参
照)。基板搬送方向において搬送ローラ6の間にはサイ
ドローラ90が設けられている。サイドローラ90は搬
送ローラ6のローラ軸70とは直交する方向に軸を有
し、基板Wの側面と接する支持部材91を有する。基板
Wは傾斜状態で搬送ローラ6に保持されて搬送されが、
このときに支持部材91は基板Wの基板搬送方向と交差
する方向への移動を抑える。
The carrying roller 6 is arranged so as to be orthogonal to the carrying direction of the substrate W, and has a roller shaft 70 rotatably supported on the side walls of the chambers 2 to 5 (see FIG. 2). Side rollers 90 are provided between the transport rollers 6 in the substrate transport direction. The side roller 90 has a shaft in a direction orthogonal to the roller shaft 70 of the transport roller 6, and has a support member 91 that is in contact with the side surface of the substrate W. The substrate W is conveyed while being held by the conveyance rollers 6 in an inclined state.
At this time, the support member 91 suppresses the movement of the substrate W in the direction intersecting the substrate transport direction.

【0046】<エッチング処理チャンバーの制御> 次に、エッチング処理チャンバー3における基板処理の
制御について説明する。図4にエッチング処理チャンバ
ー3の制御系統を示す。エッチング処理チャンバー3に
おける基板Wの処理を制御する制御部37には、位置セ
ンサ34,35やEPS36からの信号が入力される。
また、基板処理装置1全体を司るメイン制御部1aから
の信号も入力される。これらの入力信号を基に、制御部
37は、エッチング処理チャンバー3内の搬送ローラ
6、搬入シャッター3a、搬出シャッター3b、入口液
カーテン用バルブ61、スリットカーテン用バルブ6
2、スプレーノズル用バルブ63等に指令を発する。こ
の制御部37は、以下のように制御を行う。
<Control of Etching Processing Chamber> Next, control of substrate processing in the etching processing chamber 3 will be described. FIG. 4 shows a control system of the etching processing chamber 3. Signals from the position sensors 34 and 35 and the EPS 36 are input to the control unit 37 that controls the processing of the substrate W in the etching processing chamber 3.
In addition, a signal from the main controller 1a that controls the entire substrate processing apparatus 1 is also input. Based on these input signals, the controller 37 controls the transport roller 6 in the etching processing chamber 3, the carry-in shutter 3a, the carry-out shutter 3b, the inlet liquid curtain valve 61, and the slit curtain valve 6.
2. Issues a command to the spray nozzle valve 63 and the like. The control unit 37 controls as follows.

【0047】エッチング処理チャンバー3に基板Wを搬
入するときには、搬入シャッター3aを開けるとともに
搬送ローラ6を駆動して基板Wを搬入させる。このとき
には、同時に入口液カーテン用バルブ61及びスリット
カーテン用バルブ62が開けられ、入口液カーテン31
及びスリットカーテン32から搬入されてくる基板Wに
対して層状の薬液が吹き付けられる。
When loading the substrate W into the etching processing chamber 3, the loading shutter 3a is opened and the transport roller 6 is driven to load the substrate W. At this time, the inlet liquid curtain valve 61 and the slit curtain valve 62 are simultaneously opened, and the inlet liquid curtain 31 is opened.
Further, the layered chemical liquid is sprayed onto the substrate W carried in from the slit curtain 32.

【0048】エッチング処理チャンバー3の所定位置S
への基板Wの搬入が完了すると、搬入及び搬出シャッタ
ー3a,3bが閉められる。そして、このようにエッチ
ング処理チャンバー3から他のチャンバーに内部の雰囲
気が流出しないようにした上で、入口液カーテン用バル
ブ61及びスリットカーテン用バルブ62が閉められ、
スプレーノズル用バルブ63が開けられる。これによ
り、両スプレーノズル33a,33bから基板Wの両面
に薬液が噴射されて、基板Wのエッチング処理が開始さ
れる。このスプレーノズル33a,33bによるエッチ
ング処理中においては、上記のように、スプレーノズル
33a,33bが所定角度だけ往復回転運動するととも
に、基板Wが所定位置Sにおいて両位置センサー34,
35の間を往復動させられる。
A predetermined position S of the etching processing chamber 3
When the loading of the substrate W into the substrate is completed, the loading and unloading shutters 3a and 3b are closed. Then, after preventing the internal atmosphere from flowing out from the etching processing chamber 3 to the other chambers in this way, the inlet liquid curtain valve 61 and the slit curtain valve 62 are closed,
The spray nozzle valve 63 is opened. As a result, the chemical liquid is sprayed from both spray nozzles 33a and 33b onto both surfaces of the substrate W, and the etching process of the substrate W is started. During the etching process by the spray nozzles 33a and 33b, as described above, the spray nozzles 33a and 33b reciprocally rotate by a predetermined angle, and the substrate W moves at the predetermined position S at both position sensors 34 ,.
It can be reciprocated between 35.

【0049】EPS36によってエッチングの終了が検
出されると、その信号を受けてスプレーノズル用バルブ
63が閉められる。そして、処理を終えた基板Wは、搬
送ローラ6によって水洗処理チャンバー4へと搬出され
ていく。
When the end of etching is detected by the EPS 36, the spray nozzle valve 63 is closed in response to the signal. Then, the processed substrate W is carried out to the water washing processing chamber 4 by the carrying roller 6.

【0050】<装置の特徴> [1]本装置では、上記のように、基板Wをエッチング
処理チャンバー3に搬入するときに入口液カーテン31
及びスリットカーテン32により基板Wの上に薬液を盛
って、スプレーノズル33a,33bからの薬液の落下
による処理ムラを抑えている。また、スプレーノズル3
3a,33bによる基板Wへの薬液噴射時には、シャッ
ター3a,3bを閉じた状態で薬液を噴射するため、ミ
スト状になった薬液がエッチング処理チャンバー3外に
漏れ出ることが抑えられている。
<Characteristics of Apparatus> [1] In this apparatus, as described above, the inlet liquid curtain 31 is used when the substrate W is carried into the etching processing chamber 3.
Further, the slit curtain 32 fills the chemical liquid on the substrate W, and suppresses the processing unevenness due to the chemical liquid falling from the spray nozzles 33a and 33b. Also, spray nozzle 3
When the chemicals are sprayed onto the substrate W by the liquids 3a and 33b, the chemicals are sprayed with the shutters 3a and 3b closed, so that the chemicals in the form of mist are prevented from leaking out of the etching processing chamber 3.

【0051】[2]本装置では、従来から設置されてい
る入口液カーテン31に加えてスリットカーテン32を
設けて、搬入されてくる基板Wの上面において第1薬液
流F1と第2薬液流F2とを交わらせている。したがっ
て、搬入されてくる基板W上において、第1薬液流F1
により基板W上に盛られた薬液が第2薬液流F2によっ
て流動し(図5の基板W上の流れを表す矢印を参照)、
基板W上において同じ薬液が滞る現象が少なくなってい
る。これにより、処理後の基板Wに処理ムラができるこ
とが抑えられている。
[2] In this apparatus, the slit curtain 32 is provided in addition to the inlet liquid curtain 31 which has been conventionally installed, and the first chemical liquid flow F1 and the second chemical liquid flow F2 are provided on the upper surface of the substrate W which is carried in. And exchange. Therefore, on the substrate W which is carried in, the first chemical liquid flow F1
Causes the chemical liquid deposited on the substrate W to flow by the second chemical liquid flow F2 (see the arrow indicating the flow on the substrate W in FIG. 5).
The phenomenon that the same chemical solution remains on the substrate W is reduced. This suppresses the occurrence of processing unevenness on the processed substrate W.

【0052】[3]本装置では、基板Wを傾斜させた状
態でエッチング処理チャンバー3に搬入しているため、
もし入口液カーテン31だけから搬入中の基板Wに薬液
を吹き付けているとすると、一旦基板W上に盛られた薬
液が搬入中の基板Wから流れ落ちてしまう。これでは、
基板Wの搬入時において予め薬液を基板W上全体に盛っ
てスプレーノズル33aからの薬液の液滴の落下による
大きな処理ムラの発生を防止するという目的が達成され
ない。
[3] In this apparatus, since the substrate W is loaded into the etching processing chamber 3 in a tilted state,
If the chemical liquid is sprayed from the inlet liquid curtain 31 onto the substrate W being loaded, the chemical liquid once deposited on the substrate W will flow down from the substrate W being loaded. With this,
The purpose of preventing the occurrence of large processing unevenness due to the drop of the droplets of the chemical liquid from the spray nozzle 33a by preliminarily depositing the chemical liquid on the entire substrate W when the substrate W is carried in cannot be achieved.

【0053】しかし、本装置では、入口液カーテン31
に加えて、傾斜状態で搬入されてくる基板Wの最上部か
ら薬液を供給するスリットカーテン32を設けている。
このため、搬入されてくる基板W上には常に薬液が存在
することになり(図5参照)、スプレーノズル33aか
らの薬液の液滴の落下による処理ムラを防ぐことができ
る。また、搬入されてくる基板W上において常に図5に
示すような薬液の流れが存在するため、基板W上におい
て同じ薬液が滞る現象が少なくなり、処理後の基板Wに
処理ムラができ難くなっている
However, in this apparatus, the inlet liquid curtain 31
In addition to this, a slit curtain 32 for supplying a chemical solution from the uppermost part of the substrate W which is loaded in an inclined state is provided.
For this reason, the chemical liquid always exists on the substrate W that is carried in (see FIG. 5), and it is possible to prevent uneven processing due to the drop of the chemical liquid droplets from the spray nozzle 33 a. Further, since the flow of the chemical liquid as shown in FIG. 5 always exists on the substrate W which is carried in, the phenomenon that the same chemical liquid stays on the substrate W is lessened, and the processed substrate W is less likely to have uneven processing. to have.

【0054】[4]本装置では、入口液カーテン31及
びスリットカーテン32が薬液を斜め方向に吹き出して
おり(図7及び図8参照)、単に薬液を基板Wに流下さ
せる場合に較べて、基板W上での薬液の流れが速くな
る。これにより、搬入されてくる基板W上における薬液
の流動が多くなっており、処理後の基板Wの処理ムラが
より少なくなっている。また、入口液カーテン31の薬
液の吹き出しの角度が基板Wの表面に対して約20゜に
設定されていることから、通常の基板搬送速度であれ
ば、入口液カーテン31からの第1薬液流F1が基板搬
送方向上流側(図1の左側)に流れ、薬液がエッチング
処理チャンバー3から基板Wを伝って入口コンベアチャ
ンバー2に流出するという現象が起こらない。
[4] In the present apparatus, the inlet liquid curtain 31 and the slit curtain 32 blow the chemical liquid in an oblique direction (see FIGS. 7 and 8), and the substrate is more easily discharged than the substrate W. The flow of the chemical solution on W becomes faster. As a result, the flow rate of the chemical liquid on the substrate W that has been carried in is increased, and the unevenness in the processing of the processed substrate W is further reduced. Further, since the angle of the chemical liquid blown out from the inlet liquid curtain 31 is set to about 20 ° with respect to the surface of the substrate W, the first chemical liquid flow from the inlet liquid curtain 31 is set at a normal substrate transport speed. The phenomenon that F1 flows to the upstream side in the substrate transport direction (left side in FIG. 1) and the chemical solution flows from the etching processing chamber 3 to the entrance conveyor chamber 2 along the substrate W does not occur.

【0055】[5]本装置では、スプレーノズル33
a,33bによる基板Wの処理中に、入口液カーテン3
1及びスリットカーテン32から薬液の液滴が基板W上
に落下することがない。すなわち、図6に示すように入
口液カーテン31及びスリットカーテン32を基板Wが
位置する所定位置Sの上方空間の外部に配置しているた
め、これらのカーテン31,32からの薬液の液滴がス
プレーノズル33a,33bによる基板Wの処理中に基
板W上に落下することはない。
[5] In this apparatus, the spray nozzle 33
During the processing of the substrate W by a, 33b, the inlet liquid curtain 3
1 and the slit curtain 32 do not cause the liquid drops of the chemical solution to drop onto the substrate W. That is, as shown in FIG. 6, since the inlet liquid curtain 31 and the slit curtain 32 are arranged outside the space above the predetermined position S where the substrate W is located, liquid drops of the chemical liquid from these curtains 31 and 32 are generated. It does not fall onto the substrate W during the processing of the substrate W by the spray nozzles 33a and 33b.

【0056】<他の実施形態> [A]上記実施形態の層状に薬液を吹き出すスリットカ
ーテン32に代えて、図9に示すような複数の小孔13
2aが形成されたパイプ(第2処理液供給手段)132
を用いることもできる。
<Other Embodiments> [A] Instead of the slit curtain 32 which blows out the chemical solution in layers in the above embodiment, a plurality of small holes 13 as shown in FIG.
Pipe (second processing liquid supply means) 132 on which 2a is formed
Can also be used.

【0057】パイプ132は、円筒状の部材であり、長
手方向に複数の小孔132aが形成されている。小孔1
32aは、これらから吹き出される薬液が傾斜状態で搬
入されてくる基板Wの最上部にかかるように形成されて
いる。ここでは、パイプ132の断面において基板W側
の斜め下部に開けられている。ここでは、パイプ132
に小孔132aを形成したという簡易で安価な構造を採
用しているため、装置の製作コストを低く抑えることが
できる。
The pipe 132 is a cylindrical member and has a plurality of small holes 132a formed in the longitudinal direction. Small hole 1
The liquid 32a is formed so that the chemical liquids blown from the liquids 32a reach the uppermost portion of the substrate W which is carried in in an inclined state. Here, the pipe 132 is opened in an obliquely lower portion on the substrate W side in the cross section. Here, the pipe 132
Since the simple and inexpensive structure in which the small hole 132a is formed is adopted, the manufacturing cost of the device can be kept low.

【0058】[B]上記実施形態の層状に薬液を吹き出
すスリットカーテン32に代えて、図10に示すよう
に、スプレーノズル33aと同等なスプレーノズル(第
2処理液供給手段)232を用いることもできる。
[B] Instead of the layered slit curtain 32 for spraying the chemical solution in the above embodiment, as shown in FIG. 10, a spray nozzle (second processing liquid supply means) 232 equivalent to the spray nozzle 33a may be used. it can.

【0059】この場合には、スプレーノズル232のノ
ズル232aから噴射される薬液がミストとなるのを回
避するために、スプレーノズル33aよりも基板Wに近
い高さ位置にスプレーノズル232を配置したり、スプ
レーノズル232からの薬液を噴射速度を遅くしたりす
る工夫をするのが望ましい。
In this case, in order to prevent the chemical solution sprayed from the nozzle 232a of the spray nozzle 232 from becoming mist, the spray nozzle 232 is arranged at a height position closer to the substrate W than the spray nozzle 33a. It is desirable to devise to slow down the injection speed of the chemical liquid from the spray nozzle 232.

【0060】[C]上記実施形態のおいては、入口液カ
ーテン用バルブ61とスリットカーテン用バルブ62と
を別個に設けているが、1つの自動バルブによって入口
液カーテン31及びスリットカーテン32への薬液の供
給を断続させても良い。
[C] In the above embodiment, the inlet liquid curtain valve 61 and the slit curtain valve 62 are separately provided, but the inlet liquid curtain 31 and the slit curtain 32 are connected by one automatic valve. The chemical solution may be intermittently supplied.

【0061】[0061]

【発明の効果】本発明では、処理チャンバー内において
基板に処理液を供給して基板処理を行う基板処理装置に
おいて、処理した基板の処理ムラを少なくすることがで
きる。
According to the present invention, in the processing chamber
A substrate processing apparatus that supplies a processing liquid to a substrate to process the substrate.
In addition, it is possible to reduce uneven processing of the processed substrate.
Wear.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施形態における基板処理装置の概
略図。
FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】エッチング処理チャンバーの斜視図。FIG. 2 is a perspective view of an etching processing chamber.

【図3】エッチング処理チャンバーの薬液配管図。FIG. 3 is a chemical liquid piping diagram of an etching processing chamber.

【図4】エッチング処理チャンバーの制御系統図。FIG. 4 is a control system diagram of an etching processing chamber.

【図5】エッチング処理チャンバーへの基板搬入動作
図。
FIG. 5 is an operation diagram of substrate loading into an etching processing chamber.

【図6】エッチング処理チャンバーの所定位置配置図。FIG. 6 is a layout view of etching processing chambers at predetermined positions.

【図7】図5のVII-VII 矢視断面図。7 is a sectional view taken along the line VII-VII in FIG.

【図8】図5のVIII-VIII 矢視断面図。8 is a sectional view taken along the line VIII-VIII in FIG.

【図9】他の実施形態のエッチング処理チャンバーへの
基板搬入動作図。
FIG. 9 is a diagram illustrating a substrate loading operation into an etching processing chamber according to another embodiment.

【図10】他の実施形態のエッチング処理チャンバーへ
の基板搬入動作図。
FIG. 10 is an operation diagram of substrate loading into an etching processing chamber according to another embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板処理装置 3 エッチング処理チャンバー(処理チャンバー) 3a 搬入シャッター(開閉手段) 6 搬送ローラ(搬送手段) 31 入口液カーテン(第1処理液供給手段) 32 スリットカーテン(第2処理液供給手段) 33a スプレーノズル(第3処理液供給手段) 132 パイプ(筒状部材) 132a 小孔(孔) F1 第1薬液流 F2 第2薬液流 H 水平面 S 所定位置 W 基板 1 Substrate processing equipment 3 Etching processing chamber (processing chamber) 3a Carry-in shutter (opening / closing means) 6 Conveying rollers (conveying means) 31 Inlet liquid curtain (first processing liquid supply means) 32 slit curtain (second processing liquid supply means) 33a Spray nozzle (third processing liquid supply means) 132 pipe (cylindrical member) 132a Small hole (hole) F1 first chemical flow F2 Second chemical flow H horizontal plane S predetermined position W board

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平9−270408(JP,A) 特開 平9−267079(JP,A) 特開 平9−283477(JP,A) 特開 平9−276773(JP,A) 特開 平9−213668(JP,A) 特開 平9−171986(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304,21/306,21/308 B08B 3/02 C23F 1/00 - 1/46 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-9-270408 (JP, A) JP-A-9-267079 (JP, A) JP-A-9-283477 (JP, A) JP-A-9- 276773 (JP, A) JP 9-213668 (JP, A) JP 9-171986 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21 / 304,21 / 306,21 / 308 B08B 3/02 C23F 1/00-1/46

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】内部に基板を収容し、処理液によって基板
に処理を施す処理チャンバーと、 前記処理チャンバーに基板を搬出入する搬送手段と、 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向と交差
する方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくる
基板に対して処理液を供給する第1処理液供給手段と、 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向に沿っ
た方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくる基
板に対して処理液を供給する第2処理液供給手段と、を
備えた基板処理装置であって、 前記処理チャンバーに搬入されてくる基板上において、
前記第1処理液供給手段から供給される処理液の流れと
前記第2処理液供給手段から供給される処理液の流れと
が交わり、 前記第1及び第2処理液供給手段は、前記処理チャンバ
ーに搬入されてくる基板に対して、スリットから処理液
を斜め方向に流出する、 基板処理装置。
1. A processing chamber for accommodating a substrate therein and processing the substrate with a processing liquid; a transfer means for loading and unloading the substrate into and from the processing chamber; and a transfer chamber provided in the processing chamber and intersecting the substrate transfer direction. A first processing liquid supply unit that extends in a direction of a predetermined direction and supplies a processing liquid to the substrate that is loaded into the processing chamber; and a first processing liquid supply unit that is provided in the processing chamber and extends in a direction along the substrate transport direction. A substrate processing apparatus comprising: a second processing liquid supply means for supplying a processing liquid to a substrate carried into a chamber, the substrate being carried into the processing chamber;
Wherein the first processing liquid processing liquid flow and is fellowship supplied from the stream and the second processing liquid supply means of the treatment liquid supplied from the supply means, said first and second processing liquid supplying means, said processing Chamber
For the substrate that is loaded into the board, the processing liquid is
A substrate processing apparatus that obliquely flows out .
【請求項2】内部に基板を収容し、処理液によって基板2. A substrate is housed inside and is treated with a processing liquid.
に処理を施す処理チャンバーと、A processing chamber for processing 前記処理チャンバーに基板を搬出入する搬送手段と、Transfer means for transferring the substrate in and out of the processing chamber, 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向と交差It is installed in the processing chamber and intersects the substrate transfer direction.
する方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくるAnd is carried into the processing chamber.
基板に対して処理液を供給する第1処理液供給手段と、First processing liquid supply means for supplying the processing liquid to the substrate, 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向に沿っProvided inside the processing chamber, along the substrate transfer direction
た方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくる基The substrate that extends in the vertical direction and is loaded into the processing chamber.
板に対して処理液を供給する第2処理液供給手段と、をSecond processing liquid supply means for supplying the processing liquid to the plate,
備えた基板処理装置であって、A substrate processing apparatus having: 前記処理チャンバーに搬入されてくる基板上において、On the substrate loaded into the processing chamber,
前記第1処理液供給手段から供給される処理液の流れとA flow of the processing liquid supplied from the first processing liquid supply means,
前記第2処理液供給手段から供給される処理液の流れとA flow of the processing liquid supplied from the second processing liquid supply means,
が交わり、Intersect, 前記第1処理液供給手段は、前記処理チャンバーに搬入The first processing liquid supply means carries in the processing chamber.
されてくる基板に対して、スリットから処理液を斜め方The processing solution is slanted from the slit to the incoming substrate.
向に流出し、Outflow to 前記第2処理液供給手段は、複数の孔が形成された筒状The second processing liquid supply means has a cylindrical shape with a plurality of holes formed therein.
部材を有しており、前記処理チャンバーに搬入されてくIt has members and is carried into the processing chamber.
る基板に対して、前記孔から処理液を流出する、基板処Substrate processing, in which the processing liquid flows out from the holes to the substrate
理装置。Processing equipment.
【請求項3】前記処理チャンバーに搬入されて前記処理3. The processing carried into the processing chamber
チャンバー内の所定位置に収容された基板に対して、基For the substrate stored in the predetermined position in the chamber,
板の上方から処理液を供給する第3処理液供給手段をさA third processing liquid supply means for supplying the processing liquid from above the plate is provided.
らに備えた、請求項1又は2に記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising:
【請求項4】内部に基板を収容し、処理液によって基板4. A substrate is housed inside and treated with a processing liquid.
に処理を施す処理チャンバーと、A processing chamber for processing 前記処理チャンバーに基板を搬出入する搬送手段と、Transfer means for transferring the substrate in and out of the processing chamber, 前記処理チャンバー内の搬入口付近に設けられ、基板搬It is installed near the loading port in the processing chamber
送方向と交差する方向に延び、前記処理チャンバーに搬It extends in the direction intersecting the feeding direction and is carried into the processing chamber.
入されてくる基板に対して処理液を供給する第1処理液First processing liquid for supplying the processing liquid to the incoming substrate
供給手段と、Supply means, 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向に沿っProvided inside the processing chamber, along the substrate transfer direction
た方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくる基The substrate that extends in the vertical direction and is loaded into the processing chamber.
板に対して処理液を供給する第2処理液供給手段と、をSecond processing liquid supply means for supplying the processing liquid to the plate,
備えた基板処理装置であって、A substrate processing apparatus having: 前記処理チャンバーに搬入されてくる基板上において、On the substrate loaded into the processing chamber,
前記第1処理液供給手段から供給される処理液の流れとA flow of the processing liquid supplied from the first processing liquid supply means,
前記第2処理液供給手段から供給される処理液の流れとA flow of the processing liquid supplied from the second processing liquid supply means,
が交わる、基板処理装置。Substrate processing equipment that intersects.
【請求項5】内部に基板を収容し、処理液によって基板5. A substrate is housed inside and treated with a processing liquid.
に処理を施す処理チャンバーと、A processing chamber for processing 前記処理チャンバーに基板を搬出入する搬送手段と、Transfer means for transferring the substrate in and out of the processing chamber, 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向と交差It is installed in the processing chamber and intersects the substrate transfer direction.
する方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくるAnd is carried into the processing chamber.
基板に対して処理液を供給する第1処理液供給手段と、First processing liquid supply means for supplying the processing liquid to the substrate, 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向に沿っProvided inside the processing chamber, along the substrate transfer direction
た方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくる基The substrate that extends in the vertical direction and is loaded into the processing chamber.
板に対して処理液を供給する第2処理液供給手段と、Second processing liquid supply means for supplying the processing liquid to the plate, 前記処理チャンバーに搬入されて前記処理チャンバー内Inside the processing chamber after being loaded into the processing chamber
の所定位置に収容された基板に対して、基板の上方からFrom the top of the board to the board stored in the predetermined position
処理液を供給する第3処理液供給手段と、を備えた基板A substrate provided with a third processing liquid supply means for supplying a processing liquid
処理装置であって、A processing device, 前記処理チャンバーに搬入されてくる基板上において、On the substrate loaded into the processing chamber,
前記第3処理液供給手段で処理液を供給する前に前記第Before the processing liquid is supplied by the third processing liquid supply means,
1及び第2処理液供給手段から処理液が供給され、前記The treatment liquid is supplied from the first and second treatment liquid supply means,
第1処理液供給手段から供給される処理液の流れと前記The flow of the processing liquid supplied from the first processing liquid supply means and the above
第2処理液供給手段から供給される処理液の流れとが交The flow of the processing liquid supplied from the second processing liquid supply means intersects.
わる、基板処理装置。A substrate processing device.
【請求項6】内部に基板を収容し、処理液によって基板6. A substrate is housed inside and treated with a processing liquid.
に処理を施す処理チャンバーと、A processing chamber for processing 前記処理チャンバーに基板を搬出入する搬送手段と、Transfer means for transferring the substrate in and out of the processing chamber, 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向と交差It is installed in the processing chamber and intersects the substrate transfer direction.
する方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくるAnd is carried into the processing chamber.
基板に対して処理液を供給する第1処理液供給手段と、First processing liquid supply means for supplying the processing liquid to the substrate, 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向に沿っProvided inside the processing chamber, along the substrate transfer direction
た方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくる基The substrate that extends in the vertical direction and is loaded into the processing chamber.
板に対して処理液を供給する第2処理液供給手段と、Second processing liquid supply means for supplying the processing liquid to the plate, 前記処理チャンバーに搬入されて前記処理チャンバー内Inside the processing chamber after being loaded into the processing chamber
の所定位置に収容された基板に対して、基板の上方からFrom the top of the board to the board stored in the predetermined position
処理液を供給する第3処理液供給手段と、を備えた基板A substrate provided with a third processing liquid supply means for supplying a processing liquid
処理装置であって、A processing device, 前記第1及び第2処理液供給手段は、前記処理チャンバThe first and second processing liquid supply means are the processing chamber.
ー内の前記第3処理液供給手段で処理されているときのWhen the third treatment liquid supply means in the
位置に収容された基板の上方空間の外部に配置されておIs located outside the space above the substrate housed in
り、, 前記処理チャンバーに搬入されてくる基板上において、On the substrate loaded into the processing chamber,
前記第1処理液供給手段から供給される処理液の流れとA flow of the processing liquid supplied from the first processing liquid supply means,
前記第2処理液供給手段から供給される処理液の流れとA flow of the processing liquid supplied from the second processing liquid supply means,
が交わる、基板処理装置。Substrate processing equipment that intersects.
【請求項7】前記搬送手段は、基板搬送方向と直交する7. The transfer means is orthogonal to the substrate transfer direction.
面と基板との交線が水平面に対して傾斜するように基板Board so that the line of intersection between the plane and the board is inclined with respect to the horizontal plane
を傾斜させた状態で、前記処理チャンバーに基板を搬入Load the substrate into the processing chamber while tilting the
し、Then 前記第2処理液供給手段は、傾斜状態で搬入されてくるThe second processing liquid supply means is loaded in an inclined state.
基板の最上部から処理液を供給する、請求項1から6の7. The processing liquid is supplied from the top of the substrate, according to claim 1.
いずれかに記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to any one of claims.
【請求項8】内部に基板を収容し、処理液によって基板8. A substrate is housed inside and treated with a processing liquid.
に処理を施す処理チャンバーと、A processing chamber for processing 前記処理チャンバーに基板を搬出入する搬送手段と、Transfer means for transferring the substrate in and out of the processing chamber, 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向と交差It is installed in the processing chamber and intersects the substrate transfer direction.
する方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくるAnd is carried into the processing chamber.
基板に対して処理液を供給する第1処理液供給手段と、First processing liquid supply means for supplying the processing liquid to the substrate, 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向に沿っProvided inside the processing chamber, along the substrate transfer direction
た方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくる基The substrate that extends in the vertical direction and is loaded into the processing chamber.
板に対して処理液を供給する第2処理液供給手段と、Second processing liquid supply means for supplying the processing liquid to the plate, 前記処理チャンバーに搬入されて前記処理チャンバー内Inside the processing chamber after being loaded into the processing chamber
の所定位置に収容された基板に対して、基板の上方からFrom the top of the board to the board stored in the predetermined position
処理液を供給する第3処理液供給手段と、を備えた基板A substrate provided with a third processing liquid supply means for supplying a processing liquid
処理装置であって、A processing device, 前記処理チャンバーに搬入されてくる基板上において、On the substrate loaded into the processing chamber,
前記第1処理液供給手段から供給される処理液の流れとA flow of the processing liquid supplied from the first processing liquid supply means,
前記第2処理液供給手段から供給される処理液の流れとA flow of the processing liquid supplied from the second processing liquid supply means,
が交わり、Intersect, 前記第3処理液供給手段は、基板に対して処理液を噴射The third processing liquid supply means sprays the processing liquid onto the substrate.
するスプレーノズルを有し、Has a spray nozzle to 前記処理チャンバーは、基板を搬出入するための開口The processing chamber has an opening for loading and unloading a substrate.
と、前記開口を開閉する開閉手段とを有しており、And an opening and closing means for opening and closing the opening, 前記搬送手段、前記開閉手段、前記第1処理液供給手The transfer means, the opening / closing means, the first processing liquid supply hand
段、前記第2処理液供給手段、及び前記第3処理液供給Stage, the second processing liquid supply means, and the third processing liquid supply
手段を制御する制御手段であって、前記開閉手段によっControl means for controlling the means, the opening / closing means
て基板を搬入するための前記開口を開けた状態においてIn the state where the opening for loading the substrate is opened
前記第1及び第2処理液供給手段から処理液を供給させThe processing liquid is supplied from the first and second processing liquid supply means.
ながら前記処理チャンバーに基板を搬入させ、基板が搬While loading the substrate into the processing chamber,
入され基板が前記処理チャンバー内の所定位置に収容さThe loaded substrate is placed in a predetermined position in the processing chamber.
れた後に前記第1及び第2処理液供給手段からの処理液After being processed, the processing liquid from the first and second processing liquid supply means
の供給を停止して前記開口を閉じた状態で第3処理液供Of the third treatment liquid while the supply of water is stopped and the opening is closed.
給手段から処理液を噴射させる制御手段をさらに備えA control means for injecting the treatment liquid from the supply means is further provided.
た、基板処理装置。And substrate processing equipment.
【請求項9】前記第1処理液供給手段は、基板の搬送方9. The first processing liquid supply means is a substrate transfer method.
向に直交する方向に沿った長さよりも長い範囲にわたっOver a range longer than the length along the direction orthogonal to
て処理液を供給し、Supply the processing liquid, 前記第2処理液供給手段は、基板の搬送方向に沿った長The second processing liquid supply means has a length along the substrate transfer direction.
さよりも長い範囲にわたって処理液を供給する、請求項The process liquid is supplied over a range longer than
1から8のいずれかに記載の基板処理装置。9. The substrate processing apparatus according to any one of 1 to 8.
【請求項10】前記第2処理液供給手段は前記処理チャ10. The second processing liquid supply means is the processing chamber.
ンバー内の側面付近に設けられている、請求項1から91 to 9, which is provided in the vicinity of the side surface in the chamber.
のいずれかに記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to any one of 1.
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