JP2003077883A - Substrate-drying method and substrate-drying equipment - Google Patents

Substrate-drying method and substrate-drying equipment

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JP2003077883A
JP2003077883A JP2001268424A JP2001268424A JP2003077883A JP 2003077883 A JP2003077883 A JP 2003077883A JP 2001268424 A JP2001268424 A JP 2001268424A JP 2001268424 A JP2001268424 A JP 2001268424A JP 2003077883 A JP2003077883 A JP 2003077883A
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substrate
air
drying
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speed
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賢哉 篠崎
Tetsuya Sada
徹也 佐田
Takashi Nakamitsu
孝志 中満
Shigeto Tsuruta
茂登 鶴田
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Tokyo Electron Ltd
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate-drying method and substrate-drying equipment where the consumption of air can be reduced and irregularities of drying can be restrained. SOLUTION: The quantity of air spouted from air knives 53a, 53b is made greater than that of the time of waiting, and treatment liquid stuck on a region Ga in the vicinity of a front end of a substrate G is removed. After a prescribed time has passed starting from when a sensor S detects the front end of the substrate, at a region Gc except the regions in the vicinities of the front end and a rear end of the substrate, air is spouted whose spouting quantity is smaller than that of the region Ga, and the treatment liquid is removed. After a prescribed time has passed again from when the sensor S detects the front end of the substrate, the treatment liquid stuck on a region Gb in the vicinity of the rear end of the substrate G is removed. As a result, the removal is enabled completely all over the whole surface of the substrate without generating irregularities, and the generation of drying nonuniformity can be prevented. Further, the spouting quantity of air in the region Gc can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶デバイスの製
造工程において、液晶ディスプレイ(Liquid Crystal D
isplay:LCD)等に使用されるガラス基板に対し所定
の液処理を行った後に、ガラス基板を乾燥させる基板乾
燥方法及び基板乾燥装置に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a liquid crystal display (Liquid Crystal D) in a manufacturing process of a liquid crystal device.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate drying method and a substrate drying apparatus for drying a glass substrate after performing a predetermined liquid treatment on a glass substrate used for isplay (LCD) or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】LCDの製造工程において、LCD用の
ガラス基板上にITO(Indium Tin Oxide)の薄膜や電
極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に
用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用
される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジスト
をガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像す
る。
2. Description of the Related Art In the process of manufacturing an LCD, in order to form a thin film of ITO (Indium Tin Oxide) or an electrode pattern on a glass substrate for LCD, a photolithography technique similar to that used for manufacturing a semiconductor device is used. Used. In the photolithography technique, a photoresist is applied to a glass substrate, which is exposed and further developed.

【0003】これらレジスト塗布、露光及び現像の一連
の処理は、従来から、塗布、現像あるいはベーキングや
洗浄等の各処理を行う塗布現像処理システムによって行
われている。
A series of these resist coating, exposing and developing processes have been conventionally carried out by a coating and developing system which carries out various processes such as coating, developing, baking and washing.

【0004】この塗布現像処理システムにおける現像処
理及び洗浄処理では、例えば、基板をコロ式の搬送ロー
ラによりほぼ水平に搬送させながら、現像液や洗浄液等
の処理液を基板に供給して現像処理、洗浄処理を行って
いる。そしてその後、例えば搬送下流側に配置されたエ
アナイフノズルにより、基板に対し高圧のエアを噴出さ
せて基板上の処理液を除去(液切り)し乾燥処理を行っ
ている。
In the developing process and the cleaning process in this coating and developing system, for example, while the substrate is being conveyed substantially horizontally by a roller-type conveying roller, a developing solution, a cleaning liquid or the like is supplied to the substrate to perform the developing process. Cleaning process is being performed. Then, after that, for example, an air knife nozzle arranged on the downstream side of the transfer ejects high-pressure air onto the substrate to remove (drain) the processing liquid on the substrate and perform a drying process.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
乾燥処理においては、一定の風量をエアナイフから噴出
させていたため、例えばガラス基板の中央付近において
は液切りを十分に行うことができても、基板の端部付近
においては、当該一定の風量では的確に液切りを行うこ
とができず、当該端部付近に処理液が残存してしまうと
いう問題が生じていた。
However, in the conventional drying process, since a constant air flow is ejected from the air knife, even if the liquid can be sufficiently drained near the center of the glass substrate, for example, the substrate In the vicinity of the end portion, there was a problem that the liquid could not be drained accurately with the constant air volume, and the treatment liquid remained near the end portion.

【0006】従って、一定の風量で1枚の基板をムラな
く乾燥させるためには、基板の中央付近又は端部付近に
処理液が残らない程度のエア風量を、基板1枚全面にわ
たって噴出しなければならず、消費エア量が増大しつつ
あった。また、最近のガラス基板の大型化の観点から
も、益々消費エア量が増大の傾向にある。
Therefore, in order to uniformly dry one substrate with a constant air flow, the air flow should be blown over the entire surface of the substrate so that the processing liquid does not remain near the center or the edge of the substrate. Inevitably, the amount of air consumed was increasing. In addition, the amount of air consumed tends to increase more and more from the viewpoint of recent enlargement of glass substrates.

【0007】以上のような事情に鑑み、本発明の目的
は、エアの消費量を削減することができ、かつ乾燥ムラ
を抑えることができる基板乾燥方法及び基板乾燥装置を
提供することにある。
In view of the above circumstances, it is an object of the present invention to provide a substrate drying method and a substrate drying apparatus capable of reducing air consumption and suppressing drying unevenness.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第1の観点に係る基板乾燥方法は、基板を
搬送させながら乾燥させる基板乾燥方法において、
(a)前記搬送される基板の前端付近及び後端付近の領
域に、第1の風量でエアを噴出する工程と、(b)前記
基板の前端付近及び後端付近以外の領域に、前記第1の
風量と異なる第2の風量でエアを噴出する工程とを具備
する。
In order to achieve the above object, a substrate drying method according to a first aspect of the present invention is a substrate drying method in which a substrate is dried while being transported.
(A) a step of ejecting air with a first air volume to a region near the front end and the rear end of the conveyed substrate; and (b) the region other than near the front end and the rear end of the substrate, And a step of ejecting air at a second air volume different from the first air volume.

【0009】このような構成によれば、従来において一
定のエア風量では除去しきれなかった処理液を、本発明
によれば基板全面にわたってばらつきなく完全に除去す
ることができ、乾燥ムラの発生を防止することができ
る。例えば第1の風量を第2の風量よりも多くすること
により、基板の前端付近及び後端付近で残存することが
あった処理液を除去することができる。
With such a structure, according to the present invention, it is possible to completely remove the processing liquid which could not be completely removed by a constant air volume in the prior art, without variation and to prevent the occurrence of uneven drying. Can be prevented. For example, by setting the first air volume to be larger than the second air volume, it is possible to remove the processing liquid that may remain near the front end and the rear end of the substrate.

【0010】また、従来において処理液を完全に除去す
るために、基板全面にわたり風量を多くして一定の風量
でエアを噴出していたのに比べ、本発明では基板前端付
近及び後端付近以外の領域においては噴出するエアの風
量を少なくしている。従って、例えば、エアの供給源の
電力消費を削減することができ、またエア消費をも削減
することができて省エネルギー化に寄与する。
Further, in the prior art, in order to completely remove the processing liquid, the air volume was increased over the entire surface of the substrate and the air was ejected at a constant air volume, but in the present invention, except for the vicinity of the front end and the rear end of the substrate. In this region, the amount of air blown out is reduced. Therefore, for example, it is possible to reduce the power consumption of the air supply source and also reduce the air consumption, which contributes to energy saving.

【0011】更に、基板前端付近及び後端付近以外の領
域においてエア風量を少なくしていることにより、一定
多風量の場合に比べ、例えば乾燥処理チャンバ内の乱気
流を抑制でき飛散するミスト状の処理液の量を減らすこ
とができる。これにより、ミストが再び基板に付着する
ことはなく乾燥性能が向上する。
Further, by reducing the air flow rate in a region other than the vicinity of the front end and the rear end of the substrate, compared with the case of a constant high air flow, for example, turbulent air flow in the drying processing chamber can be suppressed and scattered mist-like processing The amount of liquid can be reduced. As a result, the mist does not adhere to the substrate again and the drying performance is improved.

【0012】本発明の一の形態によれば、前記工程
(a)は、(c)前記搬送される基板の前端を検知し、
この検知に基づいて前記前端付近の領域に第1の風量で
エアを噴出する工程と、(d)前記前端を検知した後、
所定時間経過後に前記後端付近の領域に第1の風量でエ
アを噴出する工程とを具備する。例えば、工程(c)の
検知を光センサにより行うことも可能である。また一
方、工程(c)の検知を、基板に対し第1の風量による
エアが当るときの「音」の変動に基づいて行うことも可
能である。例えばこの「音」の強さ、周波数、音色等の
変化に基づいて、基板の搬送速度を変化させることによ
り、基板全面にわたってばらつきなく処理液を完全に除
去することができ乾燥ムラの発生を防止することができ
る。
According to one aspect of the present invention, the step (a) includes: (c) detecting a front end of the substrate to be conveyed,
Based on this detection, a step of ejecting air in a region near the front end with a first air volume, and (d) after detecting the front end,
And ejecting air with a first air volume to the region near the rear end after a predetermined time has elapsed. For example, it is possible to detect the step (c) by an optical sensor. On the other hand, it is also possible to detect the step (c) based on the fluctuation of the “sound” when the air is applied to the substrate by the first air volume. For example, by changing the substrate transfer speed based on changes in the "sound" intensity, frequency, timbre, etc., it is possible to completely remove the processing liquid over the entire surface of the substrate and prevent uneven drying. can do.

【0013】本発明の第2の観点に係る基板乾燥方法
は、基板を搬送させながら、所定の位置で基板に対しエ
アを噴出して乾燥させる基板乾燥方法において、(a)
前記搬送される基板の前端付近及び後端付近が前記所定
の位置に到達したときに、基板の搬送速度を第1の速度
にする工程と、(b)前記前端付近及び後端付近が前記
所定の位置を通過した後に、基板の搬送速度を前記第1
の速度と異なる第2の速度にする工程とを具備する。
A substrate drying method according to a second aspect of the present invention is a substrate drying method in which air is blown onto a substrate at a predetermined position to dry the substrate while the substrate is being conveyed.
And (b) the vicinity of the front end and the vicinity of the rear end of the substrate are set to the predetermined speed when the vicinity of the front end and the rear end of the conveyed substrate reach the predetermined position. After passing through the position of
And a second speed different from the above speed.

【0014】このような構成によれば、例えば第1の搬
送速度を第2の搬送速度よりも遅くすることにより、基
板全面にわたってばらつきなく処理液を完全に除去する
ことができ、乾燥ムラの発生を防止することができる。
特に基板の前端付近及び後端付近で残存することがあっ
た処理液を除去することができる。
According to this structure, the processing liquid can be completely removed without variation over the entire surface of the substrate by setting the first transfer speed to be slower than the second transfer speed, and uneven drying occurs. Can be prevented.
In particular, it is possible to remove the processing liquid that may remain near the front end and the rear end of the substrate.

【0015】本発明の一の形態によれば、前記工程
(a)は、(c)前記搬送される基板の前端を検知し、
この検知に基づいて基板の搬送速度を第1の速度にする
工程と、(d)前記前端を検知した後、所定時間経過後
に基板の搬送速度を第1の速度にする工程とを具備す
る。例えば、工程(c)を光センサにより行うことも可
能であるし、基板に対し第1の風量によるエアが当ると
きの音の変動に基づいて行うことも可能である。
According to an aspect of the present invention, the step (a) includes (c) detecting a front end of the substrate to be transferred,
The method further includes the steps of setting the substrate transfer speed to a first speed based on the detection, and (d) setting the substrate transfer speed to the first speed after a predetermined time has elapsed after detecting the front end. For example, the step (c) can be performed by an optical sensor, or can be performed based on a change in sound when the substrate is hit with air by the first air volume.

【0016】本発明の一の形態によれば、前記エアを噴
出し、前記基板の前端又は後端の一辺に対して所定の角
度を有する長尺状のノズルを備え、前記長尺状のノズル
における、前記基板の前端に近い方の部位から噴出され
るエアの風量を、前記基板の後端に近い方の部位から噴
出されるエアの風量と異なるようにする。例えば、基板
後端に近い方の部位から噴出されるエア風量を、前端に
近い方の部位から噴出されるエア風量よりも多くするこ
とにより、前記後端に近い側からの噴出エアにより飛散
する処理液を、前記後端に近い側からの噴出エアにより
飛散する処理液よりも遠方とすることができ、効率良く
乾燥処理を行うことができる。
According to an aspect of the present invention, there is provided an elongated nozzle which ejects the air and has a predetermined angle with respect to one side of the front end or the rear end of the substrate. In the above, the air volume of the air ejected from the portion closer to the front end of the substrate is different from the air volume ejected from the portion closer to the rear end of the substrate. For example, by making the amount of air blown from the portion closer to the rear end of the substrate larger than the amount of air blown from the portion closer to the front end, the air blown from the side closer to the rear end is scattered. The treatment liquid can be farther than the treatment liquid scattered by the air blown from the side close to the rear end, and the drying treatment can be performed efficiently.

【0017】本発明に係る第1の観点に係る基板乾燥装
置は、基板を搬送させる搬送手段と、前記搬送手段によ
り搬送される基板に対しエアを噴出して基板を乾燥させ
るエア噴出手段と、前記エア噴出手段から噴出されるエ
アの風量を、前記搬送される基板の前端付近及び後端付
近の領域で第1の風量にし、前記前端付近及び後端付近
以外の領域で前記第1の風量と異なる第2の風量に制御
する手段とを具備する。
A substrate drying apparatus according to a first aspect of the present invention comprises a carrier means for carrying a substrate, an air jetting means for jetting air to the substrate carried by the carrier means to dry the substrate, The air volume of the air jetted from the air jetting means is set to a first air volume near the front end and the rear end of the conveyed substrate, and the first air flow is set in an area other than near the front end and the rear end. And a means for controlling the second air volume different from the above.

【0018】このような構成によれば、従来において一
定のエア風量では除去しきれなかった処理液を、本発明
によれば基板全面にわたってばらつきなく完全に除去す
ることができ、乾燥ムラの発生を防止することができ
る。特に第1の風量を第2の風量よりも多くすることに
より、基板の前端付近及び後端付近で残存することがあ
った処理液を除去することができる。
With such a structure, according to the present invention, it is possible to completely remove the processing liquid which could not be completely removed by a constant air flow amount in the past, without variation, and to prevent uneven drying. Can be prevented. In particular, by setting the first air volume to be larger than the second air volume, it is possible to remove the processing liquid that may remain near the front end and the rear end of the substrate.

【0019】また、従来において処理液を完全に除去す
るために、基板全面にわたり風量を多くして一定の風量
でエアを噴出していたのに比べ、本発明では基板前端付
近及び後端付近以外の領域においては噴出するエアの風
量を少なくしている。従って、例えば、エアの供給源の
電力消費を削減することができ、またエア消費をも削減
することができて省エネルギー化に寄与する。
Further, in comparison with the prior art, in order to completely remove the processing liquid, the air volume was increased over the entire surface of the substrate to eject the air at a constant air volume, but in the present invention, except near the front end and rear end of the substrate. In this region, the amount of air blown out is reduced. Therefore, for example, it is possible to reduce the power consumption of the air supply source and also reduce the air consumption, which contributes to energy saving.

【0020】本発明に係る第2の観点に係る基板乾燥装
置は、基板を搬送させる搬送手段と、前記搬送手段によ
り搬送される基板に対しエアを噴出して基板を乾燥させ
るエア噴出手段と、前記搬送される基板の前端付近及び
後端付近が前記所定の位置に到達したときに、基板の搬
送速度を第1の速度にし、前記前端付近及び後端付近が
前記所定の位置を通過した後に、基板の搬送速度を前記
第1の速度と異なる第2の速度にする手段とを具備す
る。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate drying device, which comprises a transport means for transporting the substrate, and an air spray means for spraying air onto the substrate transported by the transport means to dry the substrate. When the vicinity of the front end and the vicinity of the rear end of the substrate to be conveyed reaches the predetermined position, the conveyance speed of the substrate is set to a first speed, and the vicinity of the front end and the rear end passes through the predetermined position. , A means for setting a substrate transfer speed to a second speed different from the first speed.

【0021】このような構成によれば、例えば第1の搬
送速度を第2の搬送速度よりも遅くすることにより、基
板全面にわたってばらつきなく処理液を完全に除去する
ことができ、乾燥ムラの発生を防止することができる。
特に基板の前端付近及び後端付近で残存することがあっ
た処理液を除去することができる。
According to this structure, the processing liquid can be completely removed over the entire surface of the substrate without variation by making the first transfer speed slower than the second transfer speed, and uneven drying occurs. Can be prevented.
In particular, it is possible to remove the processing liquid that may remain near the front end and the rear end of the substrate.

【0022】本発明の更なる特徴と利点は、添付した図
面及び発明の実施の形態の説明を参酌することにより一
層明らかになる。
Further features and advantages of the present invention will become more apparent with reference to the accompanying drawings and the description of the embodiments of the invention.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0024】図1は本発明の搬送装置が適用されるLC
D基板の塗布現像処理システムを示す平面図であり、図
2はその正面図、また図3はその背面図である。
FIG. 1 shows an LC to which the carrier of the present invention is applied.
It is a top view which shows the coating development processing system of D board, FIG. 2 is the front view, and FIG. 3 is the rear view.

【0025】この塗布現像処理システム1は、複数のガ
ラス基板Gを収容するカセットCを載置するカセットス
テーション2と、基板Gにレジスト塗布および現像を含
む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた
処理部3と、露光装置32との間で基板Gの受け渡しを
行うためのインターフェース部4とを備えており、処理
部3の両端にそれぞれカセットステーション2及びイン
ターフェース部4が配置されている。
The coating / developing system 1 includes a cassette station 2 for mounting a cassette C containing a plurality of glass substrates G, and a plurality of processing units for performing a series of processes including resist coating and development on the substrates G. And the interface unit 4 for transferring the substrate G to and from the exposure apparatus 32. The cassette station 2 and the interface unit 4 are arranged at both ends of the processing unit 3, respectively. There is.

【0026】カセットステーション2は、カセットCと
処理部3との間でLCD基板の搬送を行うための搬送機
構10を備えている。そして、カセットステーション2
においてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機
構10はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路
12上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送ア
ーム11によりカセットCと処理部3との間で基板Gの
搬送が行われる。
The cassette station 2 has a carrying mechanism 10 for carrying the LCD substrate between the cassette C and the processing section 3. And cassette station 2
In, the loading and unloading of the cassette C is performed. Further, the transfer mechanism 10 includes a transfer arm 11 that can move on a transfer path 12 provided along the arrangement direction of the cassettes, and the transfer arm 11 can transfer the substrate G between the cassette C and the processing unit 3. Done.

【0027】処理部3には、カセットステーション2に
おけるカセットCの配列方向(Y方向)に垂直方向(X
方向)に延設された主搬送部3aと、この主搬送部3a
に沿って、レジスト塗布処理ユニット(CT)を含む各
処理ユニットが並設された上流部3b及び現像処理ユニ
ット(DEV)18を含む各処理ユニットが並設された
下流部3cとが設けられている。
The processing section 3 has a vertical direction (X direction) in the arrangement direction (Y direction) of the cassettes C in the cassette station 2.
Direction), and a main transfer section 3a extending in the
An upstream part 3b in which each processing unit including a resist coating processing unit (CT) is arranged in parallel, and a downstream part 3c in which each processing unit including a development processing unit (DEV) 18 is arranged in parallel. There is.

【0028】主搬送部3aには、X方向に延設された搬
送路31と、この搬送路31に沿って移動可能に構成さ
れガラス基板GをX方向に搬送する搬送シャトル23と
が設けられている。この搬送シャトル23は、例えば支
持ピンにより基板Gを保持して搬送するようになってい
る。また、主搬送部3aのインターフェース部4側端部
には、処理部3とインターフェース部4との間で基板G
の受け渡しを行う垂直搬送ユニット7が設けられてい
る。
The main transport section 3a is provided with a transport path 31 extending in the X direction and a transport shuttle 23 configured to be movable along the transport path 31 and transporting the glass substrate G in the X direction. ing. The transport shuttle 23 is configured to hold and transport the substrate G by, for example, support pins. In addition, at the end of the main transfer section 3a on the interface section 4 side, the substrate G is provided between the processing section 3 and the interface section 4.
A vertical transport unit 7 is provided for delivering and receiving.

【0029】上流部3bにおいて、カセットステーショ
ン2側端部には、基板Gに洗浄処理を施すスクラバ洗浄
処理ユニット(SCR)20が設けられ、このスクラバ
洗浄処理ユニット(SCR)20の上段に基板G上の有
機物を除去するためのエキシマUV処理ユニット(e−
UV)19が配設されている。
A scrubber cleaning processing unit (SCR) 20 for cleaning the substrate G is provided at an end of the upstream portion 3b on the side of the cassette station 2. The scrubber cleaning processing unit (SCR) 20 is provided above the substrate G. Excimer UV treatment unit (e-
UV) 19 is provided.

【0030】スクラバ洗浄処理ユニット(SCR)20
の隣には、ガラス基板Gに対して熱的処理を行うユニッ
トが多段に積み上げられた熱処理系ブロック24及び2
5が配置されている。これら熱処理系ブロック24と2
5との間には、垂直搬送ユニット5が配置され、搬送ア
ーム5aがZ方向及び水平方向に移動可能とされ、かつ
θ方向に回動可能とされているので、両ブロック24及
び25における各熱処理系ユニットにアクセスして基板
Gの搬送が行われるようになっている。なお、上記処理
部3における垂直搬送ユニット7についてもこの垂直搬
送ユニット5と同一の構成を有している。
Scrubber cleaning processing unit (SCR) 20
Next to the heat treatment system blocks 24 and 2 in which units for performing heat treatment on the glass substrate G are stacked in multiple stages.
5 are arranged. These heat treatment system blocks 24 and 2
The vertical transfer unit 5 is arranged between the blocks 5 and 5, and the transfer arm 5a is movable in the Z direction and the horizontal direction and is rotatable in the θ direction. The substrate G is transferred by accessing the heat treatment system unit. The vertical transport unit 7 in the processing section 3 has the same configuration as the vertical transport unit 5.

【0031】図2に示すように、熱処理系ブロック24
には、基板Gにレジスト塗布前の加熱処理を施すベーキ
ングユニット(BAKE)が2段、HMDSガスにより
疎水化処理を施すアドヒージョンユニット(AD)が下
から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック25
には、基板Gに冷却処理を施すクーリングユニット(C
OL)が2段、アドヒージョンユニット(AD)が下か
ら順に積層されている。
As shown in FIG. 2, the heat treatment system block 24
In the figure, two baking units (BAKE) for performing a heat treatment on the substrate G before resist application and an adhesion unit (AD) for performing a hydrophobic treatment with an HMDS gas are sequentially laminated from the bottom. On the other hand, heat treatment system block 25
Is a cooling unit (C
OL) is stacked in two layers, and an adhesion unit (AD) is stacked in order from the bottom.

【0032】熱処理系ブロック25に隣接してレジスト
処理ブロック15がX方向に延設されている。このレジ
スト処理ブロック15は、基板Gにレジストを塗布する
レジスト塗布処理ユニット(CT)と、減圧により前記
塗布されたレジストを乾燥させる減圧乾燥ユニット(V
D)と、基板Gの周縁部のレジストを除去するエッジリ
ムーバ(ER)とが一体的に設けられて構成されてい
る。このレジスト処理ブロック15には、レジスト塗布
処理ユニット(CT)からエッジリムーバ(ER)にか
けて移動する図示しないサブアームが設けられており、
このサブアームによりレジスト処理ブロック15内で基
板Gが搬送されるようになっている。
A resist processing block 15 is extended in the X direction adjacent to the heat treatment system block 25. The resist processing block 15 includes a resist coating processing unit (CT) for coating the substrate G with a resist and a reduced pressure drying unit (V) for drying the coated resist by reducing the pressure.
D) and an edge remover (ER) for removing the resist on the peripheral portion of the substrate G are integrally provided. The resist processing block 15 is provided with a sub arm (not shown) that moves from the resist coating processing unit (CT) to the edge remover (ER).
The substrate G is carried in the resist processing block 15 by this sub-arm.

【0033】レジスト処理ブロック15に隣接して多段
構成の熱処理系ブロック26が配設されており、この熱
処理系ブロック26には、基板Gにレジスト塗布後の加
熱処理を行うプリベーキングユニット(PREBAK
E)が3段積層されている。
A multi-stage heat treatment system block 26 is disposed adjacent to the resist processing block 15. The heat treatment system block 26 includes a prebaking unit (PREBAK) for performing a heat treatment after applying the resist to the substrate G.
E) is laminated in three stages.

【0034】下流部3cにおいては、図3に示すよう
に、インターフェース部4側端部には、熱処理系ブロッ
ク29が設けられており、これには、クーリングユニッ
ト(COL)、露光後現像処理前の加熱処理を行うポス
トエクスポージャーベーキングユニット(PEBAK
E)が2段、下から順に積層されている。
In the downstream portion 3c, as shown in FIG. 3, a heat treatment system block 29 is provided at the end portion on the interface portion 4 side, which includes a cooling unit (COL), a post-exposure developing treatment. Post-exposure baking unit (PEBAK)
E) is laminated in two stages in order from the bottom.

【0035】熱処理系ブロック29に隣接して現像処理
を行う現像処理ユニット(DEV)18がX方向に延設
されている。この現像処理ユニット(DEV)18の隣
には熱処理系ブロック28及び27が配置され、これら
熱処理系ブロック28と27との間には、上記垂直搬送
ユニット5と同一の構成を有し、両ブロック28及び2
7における各熱処理系ユニットにアクセス可能な垂直搬
送ユニット6が設けられている。また、現像処理ユニッ
ト(DEV)18端部の上には、i線処理ユニット(i
―UV)33が設けられている。
A development processing unit (DEV) 18 for performing development processing is provided adjacent to the heat treatment system block 29 in the X direction. Next to the development processing unit (DEV) 18, heat treatment system blocks 28 and 27 are arranged, and between these heat treatment system blocks 28 and 27, the same structure as that of the vertical transfer unit 5 is provided, and both blocks are provided. 28 and 2
A vertical transport unit 6 that can access each heat treatment system unit 7 is provided. Further, the i-line processing unit (i
-UV) 33 is provided.

【0036】熱処理系ブロック28には、クーリングユ
ニット(COL)、基板Gに現像後の加熱処理を行うポ
ストベーキングユニット(POBAKE)が2段、下か
ら順に積層されている。一方、熱処理系ブロック27も
同様に、クーリングユニット(COL)、ポストベーキ
ングユニット(POBAKE)が2段、下から順に積層
されている。
In the heat treatment system block 28, a cooling unit (COL) and a post-baking unit (POBAKE) that heats the substrate G after development are stacked in two stages in order from the bottom. On the other hand, similarly, in the heat treatment system block 27, a cooling unit (COL) and a post-baking unit (POBAKE) are laminated in two stages in order from the bottom.

【0037】インターフェース部4には、正面側にタイ
トラー及び周辺露光ユニット(Titler/EE)2
2が設けられ、垂直搬送ユニット7に隣接してエクステ
ンションクーリングユニット(EXTCOL)35が、
また背面側にはバッファカセット34が配置されてお
り、これらタイトラー及び周辺露光ユニット(Titl
er/EE)22とエクステンションクーリングユニッ
ト(EXTCOL)35とバッファカセット34と隣接
した露光装置32との間で基板Gの受け渡しを行う垂直
搬送ユニット8が配置されている。この垂直搬送ユニッ
ト8も上記垂直搬送ユニット5と同一の構成を有してい
る。
The interface section 4 has a titler and a peripheral exposure unit (Tiler / EE) 2 on the front side.
2, an extension cooling unit (EXTCOL) 35 is provided adjacent to the vertical transport unit 7,
Further, a buffer cassette 34 is arranged on the back side, and these titler and peripheral exposure unit (Titl).
er / EE) 22, the extension cooling unit (EXTCOL) 35, the buffer cassette 34, and the vertical transfer unit 8 that transfers the substrate G between the adjacent exposure devices 32. The vertical transport unit 8 also has the same configuration as the vertical transport unit 5.

【0038】以上のように構成された塗布現像処理シス
テム1の処理工程については、先ずカセットC内の基板
Gが処理部3部における上流部3bに搬送される。上流
部3bでは、エキシマUV処理ユニット(e−UV)1
9において表面改質・有機物除去処理が行われ、次にス
クラバ洗浄処理ユニット(SCR)20において、基板
Gが略水平に搬送されながら洗浄処理及び乾燥処理が行
われる。続いて熱処理系ブロック24の最下段部で垂直
搬送ユニットにおける搬送アーム5aにより基板Gが取
り出され、同熱処理系ブロック24のベーキングユニッ
ト(BAKE)にて加熱処理、アドヒージョンユニット
(AD)にて疎水化処理が行われ、熱処理系ブロック2
5のクーリングユニット(COL)による冷却処理が行
われる。
In the processing steps of the coating and developing processing system 1 configured as described above, the substrate G in the cassette C is first transported to the upstream portion 3b of the processing portion 3. In the upstream portion 3b, the excimer UV processing unit (e-UV) 1
Surface modification / organic substance removal processing is performed at 9, and then cleaning processing and drying processing are performed at the scrubber cleaning processing unit (SCR) 20 while the substrate G is being transported substantially horizontally. Subsequently, the substrate G is taken out by the transfer arm 5a in the vertical transfer unit at the lowermost stage of the heat treatment system block 24, heat-treated by the baking unit (BAKE) of the heat treatment system block 24, and by the adhesion unit (AD). Hydrophobized and heat treated block 2
The cooling process by the cooling unit (COL) 5 is performed.

【0039】次に、基板Gは搬送アーム5aから搬送シ
ャトル23に受け渡される。そしてレジスト塗布処理ユ
ニット(CT)に搬送され、レジストの塗布処理が行わ
れた後、減圧乾燥処理ユニット(VD)にて減圧乾燥処
理、エッジリムーバ(ER)にて基板周縁のレジスト除
去処理が順次行われる。
Next, the substrate G is transferred from the transfer arm 5a to the transfer shuttle 23. Then, after being transferred to a resist coating processing unit (CT) and subjected to resist coating processing, a reduced pressure drying processing unit (VD) performs reduced pressure drying processing, and an edge remover (ER) sequentially performs resist removal processing on the peripheral edge of the substrate. Done.

【0040】次に、基板Gは搬送シャトル23から垂直
搬送ユニット7の搬送アームに受け渡され、熱処理系ブ
ロック26におけるプリベーキングユニット(PREB
AKE)にて加熱処理が行われた後、熱処理系ブロック
29におけるクーリングユニット(COL)にて冷却処
理が行われる。続いて基板Gはエクステンションクーリ
ングユニット(EXTCOL)35にて冷却処理される
とともに露光装置にて露光処理される。
Next, the substrate G is transferred from the transfer shuttle 23 to the transfer arm of the vertical transfer unit 7, and the prebaking unit (PREB) in the heat treatment system block 26 is transferred.
After the heat treatment is performed by AKE), the cooling treatment is performed by the cooling unit (COL) in the heat treatment system block 29. Subsequently, the substrate G is cooled by the extension cooling unit (EXTCOL) 35 and exposed by the exposure device.

【0041】次に、基板Gは垂直搬送ユニット8及び7
の搬送アームを介して熱処理系ブロック29のポストエ
クスポージャーベーキングユニット(PEBAKE)に
搬送され、ここで加熱処理が行われた後、クーリングユ
ニット(COL)にて冷却処理が行われる。そして基板
Gは垂直搬送ユニット7の搬送アームを介して、現像処
理ユニット(DEV)18において基板Gは略水平に搬
送されながら現像処理、リンス処理及び乾燥処理が行わ
れる。
Next, the substrate G is transferred to the vertical transfer units 8 and 7.
Is transferred to the post-exposure baking unit (PEBAKE) of the heat treatment system block 29 via the transfer arm, and the heating process is performed there, and then the cooling process is performed in the cooling unit (COL). Then, the substrate G is subjected to a developing process, a rinsing process and a drying process while being transported in a substantially horizontal direction in the developing processing unit (DEV) 18 via the transport arm of the vertical transport unit 7.

【0042】次に、基板Gは熱処理系ブロック28にお
ける最下段から垂直搬送ユニット6の搬送アーム6aに
より受け渡され、熱処理系ブロック28又は27におけ
るポストベーキングユニット(POBAKE)にて加熱
処理が行われ、クーリングユニット(COL)にて冷却
処理が行われる。そして基板Gは搬送機構10に受け渡
されカセットCに収容される。
Next, the substrate G is transferred from the lowermost stage of the heat treatment system block 28 by the transport arm 6a of the vertical transport unit 6 and subjected to heat treatment by the post baking unit (POBAKE) of the heat treatment system block 28 or 27. The cooling process is performed in the cooling unit (COL). Then, the substrate G is transferred to the transfer mechanism 10 and accommodated in the cassette C.

【0043】図4(a)は上記スクラバ洗浄処理ユニッ
ト(SCR)20を示す概略側面図である。このスクラ
バ洗浄処理ユニット(SCR)20には、ガラス基板G
を搬送するためのコロ式の搬送ローラ38が複数設けら
れている。搬送ローラ38の両端には、昇降動作により
他の処理部との間で基板の受け渡しを行う受け渡しピン
39が配置されており、この両受け渡しピン39の間に
は、この基板の搬送上流側(図において左側)から、ロ
ールブラシ洗浄室36、スプレー洗浄室37及び本発明
に係る乾燥処理装置40が順に配置されている。ロール
ブラシ洗浄室36にはロールブラシ45が設けられ、ス
プレー洗浄室37には、洗浄液を噴出するスプレー式の
ノズル46が設けられている。なお、スプレー式のノズ
ル46は、図示するように基板の表面側だけでなく、基
板裏面側にも更に配置するようにしてもかまわない。
FIG. 4A is a schematic side view showing the scrubber cleaning processing unit (SCR) 20. The scrubber cleaning processing unit (SCR) 20 has a glass substrate G
A plurality of roller type transport rollers 38 for transporting the sheet are provided. At both ends of the transfer roller 38, transfer pins 39 for transferring the substrate to / from another processing unit by an ascending / descending operation are arranged. Between the transfer pins 39, the upstream side of the transfer of the substrate ( From the left side in the drawing, a roll brush cleaning chamber 36, a spray cleaning chamber 37, and a drying processing device 40 according to the present invention are sequentially arranged. The roll brush cleaning chamber 36 is provided with a roll brush 45, and the spray cleaning chamber 37 is provided with a spray type nozzle 46 for ejecting a cleaning liquid. The spray type nozzle 46 may be arranged not only on the front surface side of the substrate as shown in the drawing but also on the back surface side of the substrate.

【0044】このようなスクラバ洗浄処理ユニット(S
CR)20においては、先ずロールブラシ洗浄室36で
基板上の比較的大きいゴミを除去洗浄した後、スプレー
洗浄室37で微細なゴミを除去洗浄し、乾燥処理装置4
0で乾燥処理される。
Such a scrubber cleaning processing unit (S
In the CR) 20, first, the roll brush cleaning chamber 36 removes and cleans relatively large dust on the substrate, and then the spray cleaning chamber 37 removes and cleans fine dust, and the drying treatment device 4
It is dried at 0.

【0045】図4(b)は、上記現像処理ユニット(D
EV)18を示す概略側面図である。この現像処理ユニ
ット(DEV)18には、スクラバ洗浄処理ユニット
(SCR)20と同様に、コロ式の搬送ローラ38及び
受け渡しピン39が配置されている。この両受け渡しピ
ン39の間には、搬送上流側(図において左側)から、
プリウェット処理室41、現像処理室42、リンス処理
室43及び本発明に係る上記と同一の乾燥処理装置40
が順に配置されている。プリウェット処理室41には、
プリウェットノズル47が、また現像処理室42には現
像液を吐出する現像液ノズル48がそれぞれ設けられ、
またリンス処理室43にはリンスノズル49が設けられ
ている。
FIG. 4B shows the development processing unit (D
It is a schematic side view which shows EV) 18. Similar to the scrubber cleaning processing unit (SCR) 20, the developing processing unit (DEV) 18 is provided with a roller type conveyance roller 38 and a delivery pin 39. Between the two transfer pins 39, from the upstream side of conveyance (left side in the figure),
The pre-wet processing chamber 41, the development processing chamber 42, the rinse processing chamber 43, and the same drying processing device 40 according to the present invention as described above.
Are arranged in order. In the pre-wet processing chamber 41,
A pre-wet nozzle 47 is provided, and a developing solution nozzle 48 for ejecting a developing solution is provided in the development processing chamber 42.
A rinse nozzle 49 is provided in the rinse processing chamber 43.

【0046】このような現像処理ユニット(DEV)1
8においては、先ず、プリウェット処理室41で、現像
液吐出の際の基板に対するインパクト軽減のために、基
板をプリウェットし、次に現像処理室42で現像液が吐
出されて現像され、そしてリンス処理室43で現像液が
洗い流され、最後に乾燥処理装置40で乾燥処理され
る。
Such a development processing unit (DEV) 1
In No. 8, first, the substrate is pre-wet in the pre-wet processing chamber 41 in order to reduce the impact on the substrate at the time of discharging the developing solution, and then the developing solution is discharged and developed in the developing processing chamber 42, and The developing solution is washed away in the rinse processing chamber 43, and finally dried by the drying processing device 40.

【0047】なお、現像処理室42においては、現像時
間を確保するために、搬送ローラ38を逆回転させ基板
Gを往復させながら現像処理を行っている。
In the developing chamber 42, in order to secure the developing time, the carrying roller 38 is reversely rotated and the substrate G is reciprocated to perform the developing process.

【0048】図5及び図6は、第1の実施形態に係る乾
燥処理装置40の平断面図及び側断面図である。この乾
燥処理装置40のチャンバ51内の空間は、搬送上流側
(図5及び図6において左側)から仕切り板63によっ
て仕切られている。このチャンバ51の上流端及び下流
端には、それぞれ基板Gを搬入及び搬出するための開口
部51a及び51bが形成されている。
5 and 6 are a plan sectional view and a side sectional view of the drying processing apparatus 40 according to the first embodiment. The space in the chamber 51 of the drying processing apparatus 40 is partitioned by a partition plate 63 from the upstream side (the left side in FIGS. 5 and 6) of conveyance. Openings 51a and 51b for loading and unloading the substrate G are formed at the upstream end and the downstream end of the chamber 51, respectively.

【0049】仕切り板63の下端切り欠き部63aに
は、搬送される基板Gに対し清浄エアを噴出して基板G
を乾燥させる長尺形状のエアナイフノズル53a及び5
3bが搬送される基板Gを挟みこむように上下に配置さ
れている。これらエアナイフ53a及び53bは基板G
に対し鉛直方向から例えば40°以上傾けて配置されて
おり、エアが基板面の鉛直方向に対して40°以上傾い
て噴出されるようになっている。
The clean air is jetted to the substrate G conveyed to the lower end cutout portion 63a of the partition plate 63 to blow the substrate G.
Long air knife nozzles 53a and 5 for drying
3b are arranged above and below so as to sandwich the substrate G to be conveyed. The air knives 53a and 53b are the substrate G.
On the other hand, it is arranged at an angle of, for example, 40 ° or more from the vertical direction, and the air is jetted at an angle of 40 ° or more with respect to the vertical direction of the substrate surface.

【0050】図7(a)に示すように、両エアナイフ5
3a及び53bは同一の構成を有しており、例えば内部
に供給口72から供給されたエアを一旦滞留させるバッ
ファ室73を有し、このバッファ室73から基板Gに対
して線状にエアを噴出させるためのスリット74が形成
されている。
As shown in FIG. 7A, both air knives 5
3a and 53b have the same structure, for example, have a buffer chamber 73 in which the air supplied from the supply port 72 is temporarily retained, and the air is linearly supplied from the buffer chamber 73 to the substrate G. A slit 74 for ejecting is formed.

【0051】それぞれの搬送ローラ38には、例えば、
その軸心部材の一端に複数の歯車75が取り付けられ、
これらの歯車75にそれぞれ噛合する歯車68が軸部材
44にそれぞれ取り付けられている。この軸部材44
は、モータ71の駆動により回転するようになってお
り、モータ71の駆動により搬送ローラ38が回転し基
板Gを搬送するようになっている。
Each of the transport rollers 38 has, for example,
A plurality of gears 75 are attached to one end of the shaft center member,
Gears 68 that mesh with these gears 75 are attached to the shaft members 44, respectively. This shaft member 44
Is rotated by driving the motor 71, and the transport roller 38 is rotated by driving the motor 71 to transport the substrate G.

【0052】図6を参照して、エアナイフ53a、53
bには、ブロアファン60から、フィルタ部59及び供
給管66を介してエアが供給されるようになっている。
このブロアファン60は、例えばクリーンルーム内ある
いは外部の空気を取り入れている。フィルタ部59に
は、例えば粗いパーティクル用のプレフィルタ61と細
かいパーティクル用のULPAフィルタ62が設けられ
ている。このULPAフィルタ62は、HEPAフィル
タであってもよい。
Referring to FIG. 6, air knives 53a, 53
Air is supplied to b from the blower fan 60 via the filter part 59 and the supply pipe 66.
The blower fan 60 takes in air, for example, in a clean room or outside. The filter unit 59 is provided with, for example, a pre-filter 61 for coarse particles and a ULPA filter 62 for fine particles. The ULPA filter 62 may be a HEPA filter.

【0053】このように、ブロアファン60を設けるこ
とにより、工場の高圧エアコンプレッサを使用する必要
がなくなり、工場用力を削減し省エネルギー化を図るこ
とができる。特に基板Gの大型に伴い用力も増大する傾
向にあるのでブロアファンを使用する効果は大きい。ま
た、ブロアファンはエアコンプレッサに比べ経済的にも
極めて有利である。
As described above, by providing the blower fan 60, it is not necessary to use a high pressure air compressor in a factory, and it is possible to reduce factory power and save energy. In particular, as the size of the substrate G increases, the utility tends to increase, so that the effect of using the blower fan is great. Further, the blower fan is economically extremely advantageous as compared with the air compressor.

【0054】制御系50はCPU56、メモリ57、イ
ンバータ回路58を有しており、ブロアファン60はこ
の制御系50により周波数制御されるようになってい
る。例えば供給管66に設けられ当該管内のエアの流量
を計測するフローメータ65の計測結果に基づいて、ブ
ロアファン60から吐出されるエアの流量が制御される
ようになっている。これにより、フィルタ部59の目詰
まり等によりエアナイフ53a、53bに供給されるエ
アの流量が減少した場合であっても、フローメータ65
の計測結果をフィードバックすることによりエアナイフ
53a、53bへ常に所望の流量でエアを供給すること
ができる。
The control system 50 has a CPU 56, a memory 57 and an inverter circuit 58, and the blower fan 60 is frequency-controlled by the control system 50. For example, the flow rate of the air discharged from the blower fan 60 is controlled based on the measurement result of the flow meter 65 provided in the supply pipe 66 and measuring the flow rate of the air in the pipe. As a result, even if the flow rate of the air supplied to the air knives 53a and 53b is reduced due to clogging of the filter portion 59 or the like, the flow meter 65 can be used.
By feeding back the measurement result of 1, the air can be constantly supplied to the air knives 53a and 53b at a desired flow rate.

【0055】チャンバ51の下流側上部には、開口が形
成されここにファンフィルタユニット52が設置されて
いる。このファンフィルタユニット52は、例えばクリ
ーンルーム内あるいは外部のエアを清浄にしてチャンバ
51内に取り入れ、この取り入れたエアを、搬送上流側
の上下部に設けられた排気口55a及び55bから排気
している。排気口55a及び55bには図示しないバキ
ューム装置等に接続されている。これにより、チャンバ
51内の気圧を、下流側から上流側に向かうにつれて低
くなるように制御しており、この気圧の制御により液切
りによる基板G上の処理液をも効率良く排出することが
できる。
An opening is formed in the upper part on the downstream side of the chamber 51, and a fan filter unit 52 is installed therein. The fan filter unit 52 cleans, for example, the air inside or outside the clean room and takes it into the chamber 51, and exhausts the taken-in air from exhaust ports 55a and 55b provided at the upper and lower portions of the upstream side of the conveyance. . The exhaust ports 55a and 55b are connected to a vacuum device or the like (not shown). As a result, the atmospheric pressure in the chamber 51 is controlled to decrease from the downstream side toward the upstream side, and the processing liquid on the substrate G due to the drainage can be efficiently discharged by controlling the atmospheric pressure. .

【0056】エアナイフ53a、53bより搬送上流側
には、例えば発光部Sa及び受光部Sbを備えた光セン
サSが配置されている。例えば、基板Gによって光セン
サSの光が遮光されると、その情報が制御系50に伝え
られるようになっており、これに基づきブロアファン6
0の周波数を制御してエアナイフ53a、53bへ供給
されるエアの量を調整できるようになっている。
An optical sensor S having, for example, a light emitting section Sa and a light receiving section Sb is arranged upstream of the air knives 53a and 53b in the conveying direction. For example, when the light of the optical sensor S is blocked by the substrate G, the information is transmitted to the control system 50, and the blower fan 6 is based on this information.
By controlling the frequency of 0, the amount of air supplied to the air knives 53a and 53b can be adjusted.

【0057】例えば、センサSにより基板Gの前端を検
知すると、図7(a)に示すように、エアナイフ53
a、53bから噴出されるエアの風量を待機時よりも多
く例えばし、基板Gの前端付近の領域Gaに付着した処
理液を除去する。この前端付近の領域Gaとしては、例
えば基板Gの前端からの距離が1cm〜5cmの部位で
ある。この領域Gaで噴出されるエア量は、例えば基板
の幅が700mmの場合で1000(l/min)であ
る。
For example, when the sensor S detects the front end of the substrate G, as shown in FIG.
The amount of air blown from a and 53b is set to be larger than that in the standby state, and the processing liquid attached to the region Ga near the front end of the substrate G is removed. The region Ga near the front end is, for example, a portion whose distance from the front end of the substrate G is 1 cm to 5 cm. The amount of air ejected in this region Ga is 1000 (l / min) when the width of the substrate is 700 mm, for example.

【0058】そして、センサSが基板前端を検知してか
ら所定時間経過後、基板前端付近及び後端付近以外の領
域Gcにおいては、図7(b)に示すように、領域Ga
における噴出量よりもを少なくしてエアを噴出して処理
液を除去し、図7(c)に示すように、センサSが基板
前端を検知してから所定時間経過後に再び、基板Gの後
端からの距離が1cm〜5cmの部位である後端付近の
領域Gbに付着した処理液を除去する。センサSが基板
前端を検知してから所定時間経過後というのは、基板搬
送速度と基板Gのサイズにより既定値であり、この値は
予め制御系50にインプットされている。
Then, after a lapse of a predetermined time after the sensor S detects the front end of the substrate, in a region Gc other than near the front end and the rear end of the substrate, as shown in FIG.
7C, the processing liquid is removed by jetting air at a smaller amount than the jetting amount of the substrate G, and as shown in FIG. The processing liquid adhering to the region Gb near the rear end, which is a portion having a distance from the end of 1 cm to 5 cm, is removed. A predetermined time after the sensor S detects the front end of the substrate is a predetermined value depending on the substrate transport speed and the size of the substrate G, and this value is input to the control system 50 in advance.

【0059】ここで、領域Gcで噴出されるエア量は、
例えば700mmの場合で800(l/min)であ
り、領域Gbで噴出されるエア量は、例えば700mm
の場合で1300(l/min)である。
Here, the amount of air ejected in the region Gc is
For example, it is 800 (l / min) in the case of 700 mm, and the amount of air ejected in the region Gb is, for example, 700 mm.
In the case of, it is 1300 (l / min).

【0060】これにより、従来において一定のエア風量
では除去しきれなかった処理液を、本実施形態によれば
基板全面にわたってばらつきなく、完全に除去すること
ができ乾燥ムラの発生を防止することができる。従っ
て、特に基板の前端付近及び後端付近で残存することが
あった処理液を除去することができる。
As a result, according to the present embodiment, the processing liquid which could not be completely removed by a constant air flow rate in the prior art can be completely removed without variation over the entire surface of the substrate, and the occurrence of uneven drying can be prevented. it can. Therefore, it is possible to remove the processing liquid that may remain particularly near the front end and the rear end of the substrate.

【0061】また、従来において処理液を完全に除去す
るために、基板全面にわたり風量を多くして一定の風量
でエアを噴出していたのに比べ、本実施形態では領域G
cにおいては噴出するエアの風量を少なくしている。従
って、ブロアファン60の電力消費を削減することがで
き、またエア消費をも削減することができて省エネルギ
ー化に寄与する。
Further, in contrast to the conventional method in which the air volume is increased over the entire surface of the substrate and the air is ejected at a constant air volume in order to completely remove the processing liquid, in the present embodiment, the area G is used.
In c, the air volume of the jetted air is reduced. Therefore, the power consumption of the blower fan 60 can be reduced and the air consumption can also be reduced, which contributes to energy saving.

【0062】更に、基板の領域Gcにおいてエア風量を
少なくしていることにより、一定多風量の場合に比べ、
チャンバ51内の乱気流を抑制できチャンバ51内に飛
散するミスト状の処理液の量を減らすことができる。こ
れにより、ミストが再び基板Gに付着することはなく乾
燥性能が向上する。
Further, by reducing the air flow rate in the region Gc of the substrate, compared to the case of a constant high air flow rate,
Turbulent airflow in the chamber 51 can be suppressed, and the amount of mist-like processing liquid scattered in the chamber 51 can be reduced. As a result, the mist does not adhere to the substrate G again and the drying performance is improved.

【0063】なお、ブロアファン60により変化したエ
ア量の、エアナイフへのレスポンス時間にロスがあるた
め、例えば、図6においてセンサSの配置位置をエアナ
イフ53a及び53bから所定距離だけ離すようにする
ことが好ましい。
Since there is a loss in the response time of the air amount changed by the blower fan 60 to the air knife, for example, the position of the sensor S should be separated from the air knives 53a and 53b by a predetermined distance in FIG. Is preferred.

【0064】また、領域Ga内において、エア量を例え
ば1000(l/min)から段階的若しくは線形的に
減少させてもよく、又は、領域Gcから領域Gbにかけ
て段階的に若しくは線形的に、エア量を例えば800
(l/min)から1300(l/min)に増加させ
てもよく、このように制御することにより急激なエア量
の変化による基板近傍の気流の乱れ及びミストの発生を
抑制できる。
In the area Ga, the amount of air may be decreased stepwise or linearly from 1000 (l / min), or the air may be decreased stepwise or linearly from the area Gc to the area Gb. For example, 800
The flow rate may be increased from (l / min) to 1300 (l / min), and by controlling in this way, it is possible to suppress turbulence of the air flow near the substrate and generation of mist due to a rapid change in the air amount.

【0065】次に、図8を参照して本発明の第2の実施
形態について説明する。なお、図8において、図5及び
図6における構成要素と同一のものについては同一の符
号を付すものとし、その説明を省略する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 8, the same components as those in FIGS. 5 and 6 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

【0066】本実施形態においては、センサSが基板G
の前端を検知すると、この情報がモータ71の回転数を
制御するモータ制御部69に伝達されて搬送ローラ38
の回転速度を落とす。これによって基板Gの搬送が減速
され、例えば図7に示した場合と同様に、基板Gの前端
付近の領域Gaにエアを供給し、次に所定時間経過後
に、搬送速度を上げて領域Gcにエアを供給し、更に所
定時間経過後に搬送速度を領域Gaにエアを供給する場
合と同じ速度となるように減速して領域Gbにエアを供
給する。そして、基板Gの後端がエアナイフ53a及び
53bを通過した後に、再び搬送速度を上げる。ここ
で、センサSが基板前端を検知してから所定時間経過後
というのは、基板搬送速度と基板Gのサイズにより既定
値であり、この値は予めモータ制御部69にインプット
されている。なお、例えばエアの噴出される風量は領域
Ga、Gc及びGbにおいて一定としている。
In this embodiment, the sensor S is the substrate G.
When the front end of the conveyance roller 38 is detected, this information is transmitted to the motor control unit 69 that controls the rotation speed of the motor 71.
Slow down the rotation speed of. As a result, the transfer of the substrate G is decelerated, and air is supplied to the region Ga near the front end of the substrate G, and then the transfer speed is increased to the region Gc after a predetermined time, as in the case shown in FIG. Air is supplied, and further after a predetermined time elapses, the transport speed is decelerated so as to be the same speed as when air is supplied to the area Ga, and the air is supplied to the area Gb. Then, after the rear end of the substrate G has passed the air knives 53a and 53b, the transport speed is increased again. Here, a predetermined time after the sensor S detects the front end of the substrate is a predetermined value depending on the substrate transport speed and the size of the substrate G, and this value is input to the motor control unit 69 in advance. Note that, for example, the amount of air blown is constant in the regions Ga, Gc, and Gb.

【0067】このように、領域Ga及びGbにエアが供
給されるときの基板Gの搬送速度を、それら以外の領域
Gcにエアが供給されるときの場合に比べて遅くするこ
とにより、基板全面にわたってばらつきなく、完全に除
去することができる。従って、特に基板の前端付近及び
後端付近で残存することがあった処理液を除去すること
ができる。
In this way, the transport speed of the substrate G when air is supplied to the regions Ga and Gb is made slower than that when air is supplied to the other regions Gc, so that the entire surface of the substrate is It can be completely removed without variation over the entire length. Therefore, it is possible to remove the processing liquid that may remain particularly near the front end and the rear end of the substrate.

【0068】なお、領域Gbにエアが供給されるときの
基板Gの搬送速度を、領域Gaにエアが供給されるとき
の基板Gの搬送速度より遅くしてもよく、この場合、基
板の前端より液残りしやすい後端付近での処理液の除去
性能を向上させることができる。
The transport speed of the substrate G when air is supplied to the area Gb may be slower than the transport speed of the substrate G when air is supplied to the area Ga. In this case, the front edge of the substrate is It is possible to improve the removal performance of the processing liquid near the rear end where the liquid is likely to remain.

【0069】図9は、本発明の第3の実施形態を示して
いる。なお、図9において、図8における構成要素と同
一のものについては同一の符号を付すものとし、その説
明を省略する。
FIG. 9 shows a third embodiment of the present invention. In FIG. 9, the same components as those in FIG. 8 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

【0070】本実施形態では、基板Gの前端を検知する
センサとして、例えばマイク70を用いている。これ
は、エアナイフ53a及び53bからエアが噴出してい
るときに、基板Gがこのエアナイフに接近すると、エア
が基板に当り始めることにより除々に音がそれまでより
強くなり、かつ周波数が高くなる現象を利用するもので
ある。
In this embodiment, for example, a microphone 70 is used as a sensor for detecting the front end of the substrate G. This is a phenomenon that when the substrate G approaches the air knife while the air is ejected from the air knives 53a and 53b, the air starts to hit the substrate, so that the sound gradually becomes stronger and the frequency becomes higher. Is used.

【0071】そしてこの「音」は、図7に示す基板の領
域Ga付近においては、そのように強くなりかつ周波数
が高くなるが、領域Gcにおいては、領域Gaに比べる
と弱くなりなりかつ周波数が低くなる傾向にある。そし
て領域Gbにおいては再び領域Gaと同様に「音」が強
くなり、かつ周波数が高くつまり音が高くなる。すなわ
ち「音」の強さ及び周波数は、Ga≒Gb>Gcとな
る。
The "sound" becomes strong and the frequency thereof is high in the vicinity of the area Ga of the substrate shown in FIG. 7, but in the area Gc, it becomes weaker and the frequency becomes higher than that of the area Ga. It tends to be low. Then, in the area Gb, the "sound" becomes strong and the frequency becomes high, that is, the sound becomes high, similarly to the area Ga. That is, the strength and frequency of the “sound” are Ga≈Gb> Gc.

【0072】この「音」の変動に基づいて、上記第2の
実施形態と同様に、基板Gの搬送速度を変化させること
により、基板全面にわたってばらつきなく、完全に除去
することができる。従って、特に基板の前端付近及び後
端付近で残存することがあった処理液を除去することが
できる。
As in the second embodiment, the transport speed of the substrate G is changed on the basis of the variation of the "sound", so that the entire surface of the substrate can be completely removed without variation. Therefore, it is possible to remove the processing liquid that may remain particularly near the front end and the rear end of the substrate.

【0073】ここで「音」は、その強さ又は周波数だけ
でなく、例えば減衰度、複数和音の組み合わせ等により
様々な「音質」や「音色」があり、とにかく「音」の変
動を検知できれば、基板を検知することができる。
Here, "sound" has various "sound quality" and "timbre" depending not only on its strength or frequency but also on, for example, the degree of attenuation, the combination of plural chords, etc. If any variation of "sound" can be detected. , The substrate can be detected.

【0074】なお、本実施形態においては、「音」が変
化するごとにこれをフィードバックして基板の搬送速度
を制御するようにしたが、基板前端の「音」を最初に一
度検出するのみで、あとはこの最初の検出から所定時間
経過後に搬送速度を変化させるようにしてもかまわな
い。
In this embodiment, the "sound" is fed back every time the "sound" is changed to control the transfer speed of the substrate. However, the "sound" at the front end of the substrate is detected only once at the beginning. After that, the conveying speed may be changed after a lapse of a predetermined time from the first detection.

【0075】図10は、他の実施形態に係るエアナイフ
を示す断面図である。このエアナイフ80内は、仕切板
81により3つのバッファ室73a、73b及び73c
が形成されている。これら各バッファ室73a、73b
及び73cへそれぞれエアを供給するための供給管7
7、78及び79が接続され、また、それぞれのエアの
供給量を調節するバルブ83、84及び85が設けられ
ている。
FIG. 10 is a sectional view showing an air knife according to another embodiment. The inside of the air knife 80 is divided into three buffer chambers 73a, 73b and 73c by a partition plate 81.
Are formed. These buffer chambers 73a and 73b
And supply pipe 7 for supplying air to 73c, respectively
7, 78 and 79 are connected to each other, and valves 83, 84 and 85 for adjusting the supply amounts of the respective air are provided.

【0076】本実施形態では、このバルブ83、84及
び85の開度をそれぞれ大、中及び小とし、各バッファ
室73a、73b及び73cから噴出されるエアの風量
をそれそれ大、中及び小とする。
In the present embodiment, the openings of the valves 83, 84 and 85 are set to large, medium and small, respectively, and the amount of air blown from the buffer chambers 73a, 73b and 73c is set to large, medium and small. And

【0077】例えば、図11に示すように、矢印Aで示
す方向に搬送される基板G上の図中右側へ効率良く液切
りするために、搬送方向Aに対して所定の角度α=10
°〜20°でエアナイフ80の長手方向を傾けて配置さ
せている場合、バッファ室73aから噴出されるエア量
をバッファ室73cから噴出されるエア量より多くする
ことにより、基板Gの図中左側にある処理液を右側より
も遠くへ除去することができ、効率良く乾燥処理を行う
ことができる。特に、排気口55aの位置がエアナイフ
80によるエア噴出の方向であるので、効果は大であ
る。
For example, as shown in FIG. 11, a predetermined angle α = 10 with respect to the transport direction A in order to efficiently drain the liquid to the right side in the drawing on the substrate G transported in the direction indicated by the arrow A.
When the longitudinal direction of the air knife 80 is inclined by 20 ° to 20 °, the amount of air ejected from the buffer chamber 73a is made larger than the amount of air ejected from the buffer chamber 73c, whereby the left side of the substrate G in the drawing. It is possible to remove the treatment liquid in the area further than the right side, and it is possible to perform the drying treatment efficiently. In particular, the position of the exhaust port 55a is in the direction of air ejection by the air knife 80, so the effect is great.

【0078】本発明は以上説明した実施形態には限定さ
れるものではなく、種々の変形が可能である。
The present invention is not limited to the embodiment described above, and various modifications can be made.

【0079】例えば、上記第1の実施形態におけるエア
の風量制御と、第2の実施形態における搬送速度の制御
を同時に行うようにしてもよい。
For example, the air flow rate control in the first embodiment and the transport speed control in the second embodiment may be simultaneously performed.

【0080】また、上記各実施形態においては、搬送さ
れる基板の前端を検知するセンサとして光センサSやマ
イクを使用したが、これに限らず、基板Gの重量により
反応する振り子式センサを使用することもできる。
Further, in each of the above embodiments, the optical sensor S or the microphone is used as the sensor for detecting the front end of the substrate to be conveyed, but the present invention is not limited to this, and a pendulum sensor that responds to the weight of the substrate G is used. You can also do it.

【0081】また、上記第1の実施形態において、エア
ナイフ53a及び53bの下流側に更に同一のエアナイ
フを2つ、搬送される基板の上下に設ける構成としても
よい。この場合、上流側のエアナイフと下流側のエアナ
イフそれぞれ別個にブロアファンを接続し、搬送される
基板のサイズや搬送速度を記憶した上で両ブロアファン
をそれぞれ別個にインバータ制御することにより、本発
明の目的を達成することができる。
Further, in the first embodiment, two identical air knives may be further provided on the downstream side of the air knives 53a and 53b above and below the substrate to be conveyed. In this case, the blower fan is connected to each of the upstream side air knife and the downstream side air knife separately, the size of the substrate to be transported and the transportation speed are stored, and both the blower fans are individually controlled by the inverters. The purpose of can be achieved.

【0082】また、このようにエアナイフ53a及び5
3bの下流側に更に設ける際に、下流側のエアナイフに
対する領域Ga、Gb、Gcに対しても前述したような
制御を行ってもよく、当該下流側のエアナイフから領域
Ga、Gbに対する単位面積当りのエア量が、上流側の
エアナイフから領域Ga、Gbに対する単位面積当りの
エア量より多くなるように制御してもよい。このように
すれば、処理液が残りやすい基板の前端又は後端近傍を
確実に乾燥できる。また、上流側のエアナイフが主で、
下流側のエアナイフが補助という意味合いが強ければ、
逆に下流側のエアナイフからの領域Ga、Gbに対する
単位面積当りのエア量を上流のエアナイフに対する単位
面積当りのエア量より少なく制御することにより、更に
ランニングコストやミストを抑制できる。なお、領域G
cはGa及びGbに比べ液切りが容易であり、領域Gc
は上流側のエアナイフでほぼ液切りできているので、下
流側のエアナイフからの領域Gcに対する単位面積当り
のエア量を上流側のエアナイフからの領域Gcに対する
エア量より少なくしてもよい。
Further, as described above, the air knives 53a and 5a are
When further provided on the downstream side of 3b, the control as described above may be performed on the regions Ga, Gb, Gc for the downstream air knife, and the unit area per unit area for the regions Ga, Gb from the downstream air knife. The air amount may be controlled to be larger than the air amount per unit area for the regions Ga and Gb from the upstream air knife. By doing so, the vicinity of the front end or the rear end of the substrate where the processing liquid is likely to remain can be surely dried. Also, the air knife on the upstream side is the main,
If the downstream air knife has a strong meaning of assistance,
Conversely, by controlling the amount of air per unit area for the regions Ga and Gb from the downstream air knife to be smaller than the amount of air per unit area for the upstream air knife, running costs and mist can be further suppressed. The area G
c is easier to drain than Ga and Gb, and the area Gc
Since the liquid is almost drained by the upstream air knife, the amount of air per unit area for the region Gc from the downstream air knife may be smaller than the amount of air for the region Gc from the upstream air knife.

【0083】更に、図10においてエアナイフのバッフ
ァ室を3つとしたが、更に仕切板81を増やし、基板に
噴出される風量を更に詳細に制御するようにしてもよ
い。
Further, although the air knife has three buffer chambers in FIG. 10, the number of partition plates 81 may be increased to control the amount of air blown onto the substrate in more detail.

【0084】[0084]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板全面にわたり効率良くかつ処理液を残すことなく乾
燥処理を行うことができる。また、エアの消費量及び電
力を削減することができ、省エネルギー化を図ることが
できる。
As described above, according to the present invention,
The drying process can be performed efficiently over the entire surface of the substrate without leaving the processing liquid. In addition, it is possible to reduce the amount of air consumed and the power consumption, and to save energy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明が適用される塗布現像処理システムの全
体構成を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing an overall configuration of a coating and developing treatment system to which the present invention is applied.

【図2】図1に示す塗布現像処理システムの正面図であ
る。
FIG. 2 is a front view of the coating and developing treatment system shown in FIG.

【図3】図1に示す塗布現像処理システムの背面図であ
る。
3 is a rear view of the coating and developing treatment system shown in FIG.

【図4】(a)スクラバ洗浄処理ユニット(SCR)、
(b)現像処理ユニット(DEV)を示す概略側面図で
ある。
FIG. 4 (a) Scrubber cleaning processing unit (SCR),
FIG. 3B is a schematic side view showing the development processing unit (DEV).

【図5】本発明の第1の実施形態に係る乾燥処理装置を
示す平断面図である。
FIG. 5 is a plan cross-sectional view showing the drying processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図6】図5に示す乾燥処理装置の側断面図及び概念構
成図である。
FIG. 6 is a side sectional view and a conceptual configuration diagram of the drying processing apparatus shown in FIG.

【図7】第1の実施形態に係る乾燥作用を示す側面図で
ある。
FIG. 7 is a side view showing a drying operation according to the first embodiment.

【図8】本発明の第2の実施形態に係る乾燥処理装置を
示す側断面図である。
FIG. 8 is a side sectional view showing a drying processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第3の実施形態に係る乾燥処理装置を
示す側断面図である。
FIG. 9 is a side sectional view showing a drying processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図10】本発明の他の実施形態に係るエアナイフを示
す断面図である。
FIG. 10 is a sectional view showing an air knife according to another embodiment of the present invention.

【図11】図10に示すエアナイフを使用した場合の乾
燥作用を示す平面図である。
FIG. 11 is a plan view showing the drying action when the air knife shown in FIG. 10 is used.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

G…ガラス基板 S…光センサ Ga、Gb…基板前端付近及び後端付近の領域 Gc…基板のGa、Gb以外の領域 A…搬送方向 α…所定の角度 38…搬送ローラ 40…乾燥処理装置 50…制御系 53a、53b…エアナイフノズル 60…ブロアファン 69…モータ制御部 70…マイク 71…モータ 80…エアナイフ 83、84、85…バルブ G ... Glass substrate S ... Optical sensor Ga, Gb ... Areas near the front and rear edges of the substrate Gc ... Area other than Ga and Gb of substrate A: Transport direction α ... predetermined angle 38 ... Conveyor roller 40 ... Drying treatment device 50 ... Control system 53a, 53b ... Air knife nozzle 60 ... Blower fan 69 ... Motor control unit 70 ... Mike 71 ... Motor 80 ... Air knife 83, 84, 85 ... Valve

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中満 孝志 東京都港区赤坂五丁目3番6号 TBS放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 鶴田 茂登 東京都港区赤坂五丁目3番6号 TBS放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Fターム(参考) 3L113 AA03 AB02 AC31 AC45 AC46 AC48 AC52 AC63 AC64 AC83 BA34 CA06 CA20 CB24 CB34 DA02 DA24    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Takashi Nakamitsu             TBS release, 5-3-6 Akasaka, Minato-ku, Tokyo             Sending Center Tokyo Electron Limited (72) Inventor Shigeto Tsuruta             TBS release, 5-3-6 Akasaka, Minato-ku, Tokyo             Sending Center Tokyo Electron Limited F term (reference) 3L113 AA03 AB02 AC31 AC45 AC46                       AC48 AC52 AC63 AC64 AC83                       BA34 CA06 CA20 CB24 CB34                       DA02 DA24

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を搬送させながら乾燥させる基板乾
燥方法において、 (a)前記搬送される基板の前端付近及び後端付近の領
域に、第1の風量でエアを噴出する工程と、 (b)前記基板の前端付近及び後端付近以外の領域に、
前記第1の風量と異なる第2の風量でエアを噴出する工
程とを具備することを特徴とする基板乾燥方法。
1. A substrate drying method for drying a substrate while transporting the substrate, comprising the steps of: (a) ejecting air at a first air volume to a region near a front end and a rear end of the transported substrate; ) In a region other than near the front end and the rear end of the substrate,
A step of ejecting air at a second air flow rate different from the first air flow rate.
【請求項2】 請求項1に記載の基板乾燥方法におい
て、 前記工程(a)は、 (c)前記搬送される基板の前端を検知し、この検知に
基づいて前記前端付近の領域に第1の風量でエアを噴出
する工程と、 (d)前記前端を検知した後、所定時間経過後に前記後
端付近の領域に第1の風量でエアを噴出する工程とを具
備することを特徴とする基板乾燥方法。
2. The substrate drying method according to claim 1, wherein in the step (a), (c) a front end of the transported substrate is detected, and a first area is formed in a region near the front end based on the detection. And a step of: (d) ejecting air with a first air volume to a region near the rear end after a predetermined time has elapsed after detecting the front end. Substrate drying method.
【請求項3】 基板を搬送させながら、所定の位置で基
板に対しエアを噴出して乾燥させる基板乾燥方法におい
て、 (a)前記搬送される基板の前端付近及び後端付近が前
記所定の位置に到達したときに、基板の搬送速度を第1
の速度にする工程と、 (b)前記前端付近及び後端付近が前記所定の位置を通
過した後に、基板の搬送速度を前記第1の速度と異なる
第2の速度にする工程とを具備することを特徴とする基
板乾燥方法。
3. A substrate drying method in which air is blown onto a substrate at a predetermined position to dry the substrate while the substrate is being conveyed. (A) The vicinity of the front end and the rear end of the conveyed substrate is the predetermined position. When the board reaches the
And (b) a step of setting a substrate transfer speed to a second speed different from the first speed after the front end portion and the rear end portion have passed the predetermined position. A method for drying a substrate, comprising:
【請求項4】 請求項3に記載の基板乾燥方法におい
て、 前記工程(a)は、 (c)前記搬送される基板の前端を検知し、この検知に
基づいて基板の搬送速度を第1の速度にする工程と、 (d)前記前端を検知した後、所定時間経過後に基板の
搬送速度を第1の速度にする工程とを具備することを特
徴とする基板乾燥方法。
4. The substrate drying method according to claim 3, wherein in the step (a), (c) a front end of the transported substrate is detected, and the substrate transport speed is set to a first speed based on the detection. A method of drying a substrate, comprising: a step of increasing a speed; and (d) a step of setting a conveyance speed of the substrate to a first speed after a lapse of a predetermined time after detecting the front end.
【請求項5】 請求項2又は請求項4に記載の基板乾燥
方法において、 前記工程(c)の検知は、光センサにより行うことを特
徴とする基板乾燥方法。
5. The substrate drying method according to claim 2, wherein the detection in the step (c) is performed by an optical sensor.
【請求項6】 請求項4に記載の基板乾燥方法におい
て、 前記工程(c)の検知は、基板に対し前記第1の風量に
よるエアが当るときの音の変動に基づいて行うことを特
徴とする基板乾燥方法。
6. The method for drying a substrate according to claim 4, wherein the detection in the step (c) is performed based on a change in sound when the substrate is hit with air according to the first air volume. Substrate drying method.
【請求項7】 請求項1又は請求項3に記載の基板乾燥
方法において、 前記エアを噴出し、前記基板の前端又は後端の一辺に対
して所定の角度を有する長尺状のノズルを備え、 前記長尺状のノズルにおける、前記基板の前端に近い方
の部位から噴出されるエアの風量を、前記基板の後端に
近い方の部位から噴出されるエアの風量と異なるように
することを特徴とする基板乾燥方法。
7. The substrate drying method according to claim 1, further comprising an elongated nozzle that blows out the air and has a predetermined angle with respect to one side of a front end or a rear end of the substrate. , Making the air volume of the air ejected from the portion of the elongated nozzle closer to the front end of the substrate different from the air amount ejected from the portion closer to the rear end of the substrate. And a method for drying a substrate.
【請求項8】 基板を搬送させる搬送手段と、 前記搬送手段により搬送される基板に対しエアを噴出し
て基板を乾燥させるエア噴出手段と、 前記エア噴出手段から噴出されるエアの風量を、前記搬
送される基板の前端付近及び後端付近の領域で第1の風
量にし、前記前端付近及び後端付近以外の領域で前記第
1の風量と異なる第2の風量に制御する手段とを具備す
ることを特徴とする基板乾燥装置。
8. A transport means for transporting the substrate, an air jetting means for jetting air to the substrate transported by the transporting means to dry the substrate, and an air volume of the air jetted from the air jetting means. A means for controlling a first air volume in a region near the front end and the rear end of the transported substrate, and a second air volume different from the first air volume in a region other than the front end and the rear end. A substrate drying apparatus characterized by:
【請求項9】 基板を搬送させる搬送手段と、 前記搬送手段により搬送される基板に対しエアを噴出し
て基板を乾燥させるエア噴出手段と、 前記搬送される基板の前端付近及び後端付近が前記所定
の位置に到達したときに、基板の搬送速度を第1の速度
にし、前記前端付近及び後端付近が前記所定の位置を通
過した後に、基板の搬送速度を前記第1の速度と異なる
第2の速度にする手段とを具備することを特徴とする基
板乾燥装置。
9. A transport means for transporting the substrate, an air jetting means for jetting air to the substrate transported by the transport means to dry the substrate, and a front end portion and a rear end portion of the transported substrate. When reaching the predetermined position, the substrate transfer speed is set to a first speed, and the substrate transfer speed is different from the first speed after the front end portion and the rear end portion have passed the predetermined position. A substrate drying apparatus, comprising: a means for setting a second speed.
【請求項10】 請求項8又は請求項9に記載の基板乾
燥装置において、 前記エア噴出手段は、前記基板の前端又は後端の一辺に
対して所定の角度を有する長尺状のノズルを備え、 前記長尺状のノズルにおける、前記基板の前端に近い方
の部位から噴出されるエアの風量を、前記基板の後端に
近い方の部位から噴出されるエアの風量と異なるように
することを特徴とする基板乾燥装置。
10. The substrate drying apparatus according to claim 8 or 9, wherein the air jetting means includes a long nozzle having a predetermined angle with respect to one side of the front end or the rear end of the substrate. , Making the air volume of the air ejected from the portion of the elongated nozzle closer to the front end of the substrate different from the air amount ejected from the portion closer to the rear end of the substrate. A substrate drying device characterized by the above.
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