JPH11352448A - Device for treating substrate - Google Patents

Device for treating substrate

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Publication number
JPH11352448A
JPH11352448A JP15631298A JP15631298A JPH11352448A JP H11352448 A JPH11352448 A JP H11352448A JP 15631298 A JP15631298 A JP 15631298A JP 15631298 A JP15631298 A JP 15631298A JP H11352448 A JPH11352448 A JP H11352448A
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JP
Japan
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substrate
processing liquid
processing
tank
stripping
Prior art date
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Pending
Application number
JP15631298A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Nobuo Yanagisawa
暢生 柳沢
Mitsuo Ogasawara
光雄 小笠原
Takeshi Taniguchi
竹志 谷口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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  • Liquid Crystal (AREA)
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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device for treating a substrate which can keep a temperature of a treating solution fed to the substrate at a specified value without adding special constitution. SOLUTION: A substrate S is oscillated along a transporting direction TD in a state of being kept almost horizontal by a transporting roller 21. A stripper (a treating liquid) is supplied to both an upper and a lower side of the oscillated substrate S from upper nozzles NU and lower nozzles NL. Concerning the lower side of the substrate S, however, the stripper is supplied only to a normally present region Aa where some part of the substrate S is always present, within an oscillating range A of the substrate S. Thus regions other than the normally present region Aa within the oscillating range A are made to be regions where the lower side is not treated. Because this requires only a small number of nozzles, any pump with a large feeding capacity is unnecessary. Consequently an undesired temperature elevation of the stripper due to heat generation of the pump may not occur.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置基
板等のフラットパネルディプレイ(FPD)用基板、フ
ォトマスク用ガラス基板等の基板の主面に処理液を供給
して基板を処理する基板処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing for processing a substrate by supplying a processing liquid to a main surface of a substrate such as a flat panel display (FPD) substrate such as a liquid crystal display device substrate and a photomask glass substrate. Related to the device.

【0002】[0002]

【従来の技術】たとえば、液晶表示装置の製造工程にお
いては、ガラス基板の表面に薄膜を形成し、この薄膜を
パターニングする処理が繰り返し行われる。薄膜のパタ
ーニングには、フォトリソグラフィ工程が従来から適用
されている。このフォトリソグラフィ工程においては、
エッチング対象の膜上にレジスト膜がパターン形成さ
れ、このレジスト膜をマスクとしたエッチングが行われ
る。このエッチング後にはレジスト膜が剥離されること
になる。
2. Description of the Related Art For example, in a manufacturing process of a liquid crystal display device, a process of forming a thin film on a surface of a glass substrate and patterning the thin film is repeatedly performed. A photolithography process has been conventionally used for patterning a thin film. In this photolithography process,
A resist film is patterned on the film to be etched, and etching is performed using the resist film as a mask. After this etching, the resist film is peeled off.

【0003】レジスト膜の剥離のための基板処理装置
は、たとえば、図10に示すように、基板Sをほぼ水平
に支持しつつその主面(レジスト膜が形成されている処
理対象面)に沿う搬送方向210に搬送するための複数
の搬送ローラ201と、この搬送ローラ201の上方お
よび下方にそれぞれ配置された複数の上面ノズル202
および複数の下面ノズル203とを備え、これらを処理
室204内に収容して構成されている。上面ノズル20
2および下面ノズル203は、基板Sの上下面の全域に
処理液(レジスト剥離液)を供給するように構成されて
いる。
A substrate processing apparatus for stripping a resist film, for example, as shown in FIG. 10, supports a substrate S substantially horizontally and along a main surface thereof (a processing target surface on which a resist film is formed). A plurality of transport rollers 201 for transporting in the transport direction 210 and a plurality of upper surface nozzles 202 disposed above and below the transport rollers 201, respectively.
And a plurality of lower surface nozzles 203, which are housed in a processing chamber 204. Top nozzle 20
The second and lower nozzles 203 are configured to supply a processing liquid (resist stripping liquid) to the entire upper and lower surfaces of the substrate S.

【0004】処理室204内の空間の雰囲気は、たとえ
ば、処理室204の側面の隔壁の上部に形成された排気
口206から排気されている。これにより、清浄な雰囲
気中で基板Sの処理が行われるようになっている。
[0004] The atmosphere in the space inside the processing chamber 204 is exhausted from, for example, an exhaust port 206 formed above a partition on the side surface of the processing chamber 204. Thus, the processing of the substrate S is performed in a clean atmosphere.

【0005】基板Sを一定方向に一定速度で搬送しなが
ら処理を行うと、一定時間に渡って基板Sに処理を施そ
うとする場合に、長い搬送路長を要し、装置の全体の長
さが長くなる。そこで、搬送ローラ201は、正転と逆
転とを交互に繰り返すように駆動され、基板Sは、一定
の距離範囲で搬送方向210に沿って揺動させられる。
これにより、搬送路長を長くすることなく、基板Sの処
理に要する十分な時間に渡って処理液を基板Sに供給で
きる。
If the processing is performed while the substrate S is transported in a certain direction at a constant speed, a long transport path length is required when processing the substrate S for a certain time, and the entire length of the apparatus is long. Becomes longer. Then, the transport roller 201 is driven so as to alternately repeat forward rotation and reverse rotation, and the substrate S is swung along the transport direction 210 within a certain distance range.
Thus, the processing liquid can be supplied to the substrate S over a sufficient time required for processing the substrate S without increasing the length of the transport path.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】近年では、フラットパ
ネルディスプレイの大型化に伴い、製造工程で処理され
る基板サイズも大型化してきている。このような大型の
基板の上下面に十分に処理液を供給するためには、上面
ノズルおよび下面ノズルの個数を増やす必要がある。
In recent years, as the size of flat panel displays has increased, the size of substrates processed in the manufacturing process has also increased. In order to sufficiently supply the processing liquid to the upper and lower surfaces of such a large substrate, it is necessary to increase the number of upper nozzles and lower nozzles.

【0007】ところが、ノズルの個数を増やせば、それ
に応じて処理液を圧送するポンプの送液能力を高める必
要が生じる。これにより、ポンプからの発熱量が増大す
るから、ノズルに供給される処理液の温度が上昇し、基
板Sの上下面に供給される処理液の温度を所望の値に維
持できなくなる、という問題が発生する。
However, if the number of nozzles is increased, it is necessary to increase the pumping capacity of the pump for pumping the processing liquid accordingly. As a result, the amount of heat generated by the pump increases, so that the temperature of the processing liquid supplied to the nozzles increases, and the temperature of the processing liquid supplied to the upper and lower surfaces of the substrate S cannot be maintained at a desired value. Occurs.

【0008】この問題は、処理液を冷却する冷却機構を
付加することによって解決できるが、このような解決策
では、装置の構成が複雑になり、また、装置が大型化す
るという別の問題が派生する。
This problem can be solved by adding a cooling mechanism for cooling the processing liquid. However, such a solution involves another problem that the structure of the apparatus becomes complicated and the apparatus becomes large. Derive.

【0009】また、基板Sを揺動させながら処理を行う
際、基板Sの揺動範囲の両端部付近においては、下面ノ
ズル203からの処理液が、基板Sに当たらずに、処理
室204の天面205に吹き付けられる時間が存在す
る。そのため、天面205から処理液の液滴が基板Sの
上面に滴下するおそれがある。
When processing is performed while oscillating the substrate S, the processing liquid from the lower surface nozzle 203 does not impinge on the substrate S near the both ends of the oscillating range of the substrate S, and There is time to be sprayed on the top surface 205. For this reason, there is a possibility that a droplet of the processing liquid may drop from the top surface 205 onto the upper surface of the substrate S.

【0010】さらに、天面205に当たった処理液の一
部は、ミスト状になって、排気口206を介して排気さ
れることになる。そのため、基板Sに供給された処理液
を回収して再利用しようとする場合に、処理液の回収率
が悪くなり、その結果、処理液の消費量が多くなるとい
う問題がある。
Further, a part of the processing liquid that has hit the top surface 205 becomes a mist and is exhausted through the exhaust port 206. Therefore, when the processing liquid supplied to the substrate S is to be recovered and reused, the recovery rate of the processing liquid is deteriorated, and as a result, the consumption amount of the processing liquid is increased.

【0011】そこで、この発明の目的は、基板に対して
良好な処理を施すことができる基板処理装置を提供する
ことである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of performing good processing on a substrate.

【0012】この発明の具体的な目的は、特別な構成を
付加することなく、基板に供給される処理液の温度を所
望の値に維持することができ、これにより、処理液によ
る基板の処理を良好に行うことができる基板処理装置を
提供することである。
A specific object of the present invention is to maintain the temperature of a processing liquid supplied to a substrate at a desired value without adding a special configuration, thereby enabling processing of a substrate by the processing liquid. Is to provide a substrate processing apparatus capable of performing the above-described steps satisfactorily.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板をほ
ぼ水平に支持し、この基板の上面に沿う所定の揺動方向
に沿って基板を揺動させる揺動手段と、この揺動手段に
よって揺動させられている基板の上面に処理液を供給す
る上面処理液供給手段と、上記揺動手段によって揺動さ
れている基板の揺動範囲内において上記揺動手段によっ
て揺動される基板が常に存在している常時存在領域にお
いて上記基板の下面に処理液を供給する下面処理液供給
手段とを含み、上記揺動範囲内において上記常時存在領
域以外の領域を、上記基板の下面への処理液の供給がさ
れない下面不処理領域としたことを特徴とする基板処理
装置である。
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention According to the first aspect of the present invention, a substrate is supported substantially horizontally, and the substrate is supported along a predetermined swing direction along the upper surface of the substrate. Oscillating means for oscillating the substrate by means of the oscillating means, upper surface processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate being oscillated by the oscillating means, and A lower surface processing liquid supply unit for supplying a processing liquid to the lower surface of the substrate in a constantly existing region where the substrate rocked by the rocking unit is always present within the rocking range; The substrate processing apparatus is characterized in that a region other than the always present region is a lower surface non-processing region where the processing liquid is not supplied to the lower surface of the substrate.

【0014】上記の構成によれば、基板の揺動範囲内に
おいて、基板が常時存在している常時存在領域について
のみ、基板の下面への処理液の供給が行われる。したが
って、基板に供給される全体の処理液量が少なくなるの
で、上面処理液供給手段および下面処理液供給手段に処
理液を供給する処理液供給源に大きな送液能力が要求さ
れることがない。そのため、この処理液供給源における
発熱量は少なく、その結果、処理液の温度を所望の値に
維持できる。これにより、冷却機構のような特別な構成
を付加することなく、基板に対する処理を良好に行うこ
とができる。
According to the above arrangement, the processing liquid is supplied to the lower surface of the substrate only in the region where the substrate is always present, within the swing range of the substrate. Therefore, since the total amount of the processing liquid supplied to the substrate is reduced, a large liquid supply capacity is not required for the processing liquid supply source that supplies the processing liquid to the upper processing liquid supply unit and the lower processing liquid supply unit. . Therefore, the amount of heat generated in the processing liquid supply source is small, and as a result, the temperature of the processing liquid can be maintained at a desired value. Thereby, the processing for the substrate can be favorably performed without adding a special configuration such as a cooling mechanism.

【0015】また、下面処理液供給手段からの処理液は
必ず基板に当たるから、たとえば、処理槽の天面に下面
処理液供給手段から供給される処理液が直接達すること
はない。そのため、処理槽の天面から、基板上に処理液
が滴下することがなく、これにより、基板に対する処理
を良好に行える。
Since the processing liquid from the lower processing liquid supply means always hits the substrate, for example, the processing liquid supplied from the lower processing liquid supply means does not directly reach the top surface of the processing tank. For this reason, the processing liquid does not drop onto the substrate from the top surface of the processing tank, whereby the substrate can be processed favorably.

【0016】また、処理液が処理槽の天面に衝突するこ
とに起因するミストの発生を防止できるから、処理槽内
の排気によって運び去られる処理液の量を少なくするこ
とができる。これにより、基板に供給された後の処理液
を回収する場合に、回収効率を高めることができ、処理
液の消費量を低減できる。
Further, since the generation of the mist due to the collision of the processing liquid with the top surface of the processing tank can be prevented, the amount of the processing liquid carried away by the exhaust in the processing tank can be reduced. Accordingly, when the processing liquid supplied to the substrate is recovered, the recovery efficiency can be increased, and the consumption of the processing liquid can be reduced.

【0017】しかも、使用される処理液の量が全体とし
て少なくなるから、ミストの発生量も少なくなる。これ
によっても、処理液の回収効率を高めることができる。
なお、基板の揺動範囲が、揺動方向に関する基板の長さ
の2倍未満であれば、基板のいずれかの部分が常に存在
している常時存在領域が生じることになる。
In addition, since the amount of the processing solution used is reduced as a whole, the amount of mist generated is also reduced. This also makes it possible to increase the processing liquid recovery efficiency.
If the swing range of the substrate is less than twice the length of the substrate in the swing direction, a constantly existing area where any part of the substrate always exists is generated.

【0018】また、上記基板は矩形であってもよく、こ
の場合に、上記揺動方向は、矩形基板の対向する一対の
辺に平行な方向であってもよい。
Further, the substrate may be rectangular, and in this case, the swing direction may be a direction parallel to a pair of opposing sides of the rectangular substrate.

【0019】請求項2記載の発明は、基板をほぼ水平に
支持し、この基板の上面に沿う所定の揺動方向に沿って
基板を揺動させる揺動手段と、この揺動手段によって揺
動させられている基板の上面に処理液を供給する上面処
理液供給手段と、この揺動手段によって揺動させられて
いる基板の下面の周縁部領域に処理液が供給されるよう
に配設された下面処理液供給手段とを含み、上記揺動手
段によって揺動されている基板の揺動範囲内において上
記揺動される基板の周縁部領域が位置することのない領
域を、上記基板の下面への処理液の供給がされない下面
不処理領域としたことを特徴とする基板処理装置であ
る。
According to a second aspect of the present invention, a swinging means for supporting a substrate substantially horizontally and swinging the substrate in a predetermined swinging direction along the upper surface of the substrate, and swinging the swinging means by the swinging means. An upper surface processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate being rotated, and a processing liquid being supplied to a peripheral region of a lower surface of the substrate being oscillated by the oscillating means. And a lower surface processing liquid supply means, wherein the peripheral area of the rocked substrate is not located within the rocking range of the substrate rocked by the rocking means. A substrate processing apparatus characterized in that the lower surface is an unprocessed area where the processing liquid is not supplied to the substrate.

【0020】この構成によれば、基板の下面の周縁部領
域には処理液が供給されるので、基板の上面からの使用
済み処理液(たとえば、レジスト剥離処理の場合、レジ
ストが溶け込んだ処理液)が基板の下面側に回り込むこ
とを抑制できる。
According to this configuration, since the processing liquid is supplied to the peripheral region on the lower surface of the substrate, the used processing liquid from the upper surface of the substrate (for example, in the case of the resist stripping processing, the processing liquid in which the resist is dissolved) ) Can be prevented from wrapping around the lower surface of the substrate.

【0021】また、基板の揺動範囲内において基板の周
縁部領域が位置することのない領域については、基板の
下面側からの処理液の供給は行われない。そのため、処
理液の使用量が少ないので、上面処理液供給手段および
下面処理液供給手段に処理液を供給する処理液供給源に
大きな送液能力が要求されることがない。そのため、こ
の処理液供給源における発熱量は少なく、その結果、処
理液の温度を所望の値に維持できる。また、処理液の使
用量が少ないので、処理液ミストの発生量も少なく、そ
の結果、処理液の消費量を低減できる。
In a region where the peripheral region of the substrate is not located within the swing range of the substrate, the processing liquid is not supplied from the lower surface side of the substrate. Therefore, since the amount of the processing liquid used is small, the processing liquid supply source for supplying the processing liquid to the upper processing liquid supply means and the lower processing liquid supply means does not require a large liquid supply capacity. Therefore, the amount of heat generated in the processing liquid supply source is small, and as a result, the temperature of the processing liquid can be maintained at a desired value. Further, since the amount of the processing liquid used is small, the amount of the processing liquid mist generated is small, and as a result, the consumption of the processing liquid can be reduced.

【0022】なお、上記基板は矩形基板であってもよ
い。この場合には、上記下面処理液供給手段は、上記揺
動手段によって揺動される基板が上記揺動範囲の第1端
に位置しているときに当該基板の上記第1端とは反対側
に位置する端辺付近の下面に処理液が供給されるように
設けられた第1下面処理液供給機構と、上記揺動手段に
よって揺動される基板が上記揺動範囲の上記第1端とは
反対側の第2端に位置しているときに当該基板の上記第
2端とは反対側の端辺付近の下面に処理液が供給される
ように設けられた第2下面処理液供給機構と、上記揺動
手段によって揺動される基板の上記揺動方向と平行な2
つの辺の付近の下面に処理液を供給する第3下面処理液
供給機構とを含むことが好ましい。この場合、上記第1
下面処理液供給機構は、基板が揺動している間は、常
時、少なくとも上記第1端とは反対側の端辺付近の下面
に処理液を供給することが好ましい。また、上記第2下
面処理液供給機構は、基板が揺動している間は、常時、
少なくとも上記第2端とは反対側の端辺付近の下面に処
理液を供給することが好ましい。
The substrate may be a rectangular substrate. In this case, when the substrate swung by the swing means is located at the first end of the swing range, the lower surface processing liquid supply means is on the opposite side of the substrate from the first end. A first lower surface processing liquid supply mechanism provided so that the processing liquid is supplied to a lower surface near an end located at the first position, and a substrate which is rocked by the rocking means is located at the first end of the rocking range. Is a second lower processing liquid supply mechanism provided so that the processing liquid is supplied to a lower surface near an end of the substrate opposite to the second end when the substrate is located at the second end on the opposite side. And 2 parallel to the swing direction of the substrate swung by the swing means.
It is preferable to include a third lower processing liquid supply mechanism for supplying the processing liquid to the lower surface near the two sides. In this case, the first
It is preferable that the lower surface processing liquid supply mechanism always supplies the processing liquid to at least the lower surface near the end opposite to the first end while the substrate is swinging. In addition, the second lower surface processing liquid supply mechanism always operates while the substrate is oscillating.
It is preferable to supply the processing liquid to at least the lower surface near the end opposite to the second end.

【0023】また、第1下面処理液供給機構は、基板が
揺動範囲の上記第1端に位置しているときに、この第1
端と同じ側に位置する端辺付近の基板下面にも処理液を
供給できるものであってもよい。また、上記第2下面処
理液供給機構は、基板が揺動範囲の上記第2端に位置し
ているときに、この第2端と同じ側に位置する端辺付近
の基板下面にも処理液を供給できるものであってもよ
い。これにより、基板の下面の周縁部には、常時、処理
液を供給できる。
When the substrate is located at the first end of the oscillating range, the first lower surface processing liquid supply mechanism is provided with the first lower processing solution supply mechanism.
The processing liquid may also be supplied to the lower surface of the substrate near the edge located on the same side as the edge. Further, when the substrate is located at the second end of the swing range, the second lower surface processing liquid supply mechanism also applies the processing liquid to the lower surface of the substrate near an end located on the same side as the second end. May be supplied. Thus, the processing liquid can be constantly supplied to the peripheral portion on the lower surface of the substrate.

【0024】請求項3記載の発明は、基板をほぼ水平に
支持し、処理槽を通る所定の経路に沿って基板を搬送す
る搬送手段と、この搬送手段によって搬送される基板の
上面に処理液を供給する上面処理液供給手段と、上記搬
送手段によって上記処理槽から基板が搬出される出口付
近において、上記基板の下面に処理液を供給する下面処
理液供給手段とを含み、上記搬送手段によって基板が搬
送される経路において上記出口付近の領域以外の上記処
理槽内の領域を、上記基板の下面への処理液の供給がさ
れない下面不処理領域としたことを特徴とする基板処理
装置である。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a transfer means for supporting a substrate substantially horizontally and transferring the substrate along a predetermined path passing through a processing tank, and a processing liquid on an upper surface of the substrate transferred by the transfer means. An upper processing liquid supply means for supplying a processing liquid, and a lower processing liquid supply means for supplying a processing liquid to a lower surface of the substrate in the vicinity of an outlet from which the substrate is carried out of the processing tank by the transport means. A substrate processing apparatus, wherein a region in the processing tank other than a region near the outlet in a path on which a substrate is transported is a lower surface non-processing region where a processing liquid is not supplied to a lower surface of the substrate. .

【0025】この構成によれば、基板の下面への処理液
の供給は、処理槽の出口付近においてのみ行われるの
で、処理液の消費量が少ない。そのため、上面処理液供
給手段および下面処理液供給手段へ処理液を供給する処
理液供給源に大きな送液能力が要求されることがない。
これにより、所望の温度の処理液を基板に供給できるか
ら、基板の処理を良好に行える。また、処理液の使用量
が少ないので、処理液ミストの発生量も少なく、その結
果、処理液の消費量を低減できる。
According to this configuration, since the supply of the processing liquid to the lower surface of the substrate is performed only near the outlet of the processing tank, the consumption of the processing liquid is small. Therefore, the processing liquid supply source that supplies the processing liquid to the upper processing liquid supply unit and the lower processing liquid supply unit does not require a large liquid supply capacity.
Thus, a processing liquid at a desired temperature can be supplied to the substrate, and thus the substrate can be processed favorably. Further, since the amount of the processing liquid used is small, the amount of the processing liquid mist generated is small, and as a result, the consumption of the processing liquid can be reduced.

【0026】上面処理液供給手段から基板の上面への処
理液の供給により、基板の下面には、使用済みの処理液
が回り込むおそれがあるが、この回り込んだ処理液は、
処理槽の出口付近において下面処理液供給手段から基板
の下面に処理液を供給することによって排除できる。
The supply of the processing liquid from the upper processing liquid supply means to the upper surface of the substrate may cause the used processing liquid to flow around to the lower surface of the substrate.
This can be eliminated by supplying the processing liquid to the lower surface of the substrate from the lower surface processing liquid supply means near the outlet of the processing tank.

【0027】請求項4記載の発明は、基板をほぼ水平に
支持し、処理槽を通る所定の経路に沿って基板を搬送す
る搬送手段と、この搬送手段によって搬送される基板の
上面に処理液を供給する上面処理液供給手段と、上記搬
送手段によって基板が上記処理槽に搬入される入口付近
および出口付近において、上記基板の下面に処理液を供
給する下面処理液供給手段とを含み、上記搬送手段によ
って基板が搬送される経路において上記入口付近および
出口付近の領域以外の上記処理槽内の領域を、上記基板
の下面への処理液の供給がされない下面不処理領域とし
たことを特徴とする基板処理装置である。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a transfer means for supporting a substrate substantially horizontally and transferring the substrate along a predetermined path passing through a processing tank, and a processing liquid on an upper surface of the substrate transferred by the transfer means. Upper surface processing liquid supply means for supplying a processing liquid, and a lower surface processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the lower surface of the substrate in the vicinity of an inlet and an outlet where the substrate is carried into the processing tank by the transport means. In the path on which the substrate is transported by the transport means, the area in the processing tank other than the area near the inlet and the area near the outlet is a lower surface non-processing area where the processing liquid is not supplied to the lower surface of the substrate. A substrate processing apparatus.

【0028】この構成によれば、基板の下面への処理液
の供給は、処理槽の入口付近および出口付近においての
み行われるので、処理液の消費量が少ない。そのため、
上面処理液供給手段および下面処理液供給手段へ処理液
を供給する処理液供給源に大きな送液能力が要求される
ことがない。ゆえに、所望の温度の処理液を基板に供給
でき、基板の処理を良好に行える。また、処理液の使用
量が少ないので、処理液ミストの発生量も少なく、その
結果、処理液の消費量を低減できる。
According to this configuration, the supply of the processing liquid to the lower surface of the substrate is performed only near the inlet and the outlet of the processing tank, so that the consumption of the processing liquid is small. for that reason,
The processing liquid supply source for supplying the processing liquid to the upper processing liquid supply means and the lower processing liquid supply means does not require a large liquid supply capacity. Therefore, a processing liquid at a desired temperature can be supplied to the substrate, and the substrate can be satisfactorily processed. Further, since the amount of the processing liquid used is small, the amount of the processing liquid mist generated is small, and as a result, the consumption of the processing liquid can be reduced.

【0029】基板の下面に回り込んだ使用済みの処理液
は、処理槽の出口付近における基板下面への処理液の供
給により排除できる。
The used processing liquid that has reached the lower surface of the substrate can be removed by supplying the processing liquid to the lower surface of the substrate near the outlet of the processing tank.

【0030】なお、いずれの発明においても、上記基板
処理装置は、基板上のレジスト膜を剥離するためのレジ
スト剥離装置であってもよい。この場合に、上記処理液
は、レジスト剥離液であってもよい。
In any of the inventions, the substrate processing apparatus may be a resist peeling apparatus for peeling a resist film on a substrate. In this case, the processing liquid may be a resist stripping liquid.

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

【0032】図1は、この発明の一実施形態に係る基板
処理装置であるレジスト膜剥離装置の構成を説明するた
めの簡略化した断面図である。このレジスト膜剥離装置
は、たとえば、液晶表示装置用ガラス基板などのほぼ矩
形の基板Sをほぼ水平な搬送方向TDに向けて次々と搬
送しながら、この基板Sの主面(図1における上面)に
処理液を供給することによって、複数枚の基板Sの主面
にそれぞれ形成されているレジスト膜を順次剥離するた
めの装置である。
FIG. 1 is a simplified cross-sectional view for explaining the structure of a resist film peeling apparatus which is a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention. The resist film peeling apparatus sequentially transports substantially rectangular substrates S such as a glass substrate for a liquid crystal display device in a substantially horizontal transport direction TD, and the main surface of the substrate S (upper surface in FIG. 1). This is an apparatus for sequentially removing the resist films formed on the main surfaces of a plurality of substrates S by supplying a processing liquid to the substrates.

【0033】このような機能を実現するために、このレ
ジスト膜剥離装置は、搬送方向TDに関して上流側から
順に、入口コンベア1、剥離槽2(処理槽)、水洗槽3
および出口コンベア4を、搬送方向TDに沿って結合し
て構成されている。入口コンベア1、剥離槽2、水洗槽
3および出口コンベア4は、いずれも、互いに平行な位
置関係で水平面に沿って配列された複数本の搬送ローラ
11,21,31,41を備えている。そして、図示し
ない基板搬入ロボットによって、入口コンベア1の搬送
ローラ11上に未処理の基板Sが次々と置かれ、図示し
ない基板搬出ロボットによって、出口コンベア4の搬送
ローラ41上に払い出されてきた処理済みの基板Sが次
々と取り除かれるようになっている。搬送ローラ11,
21,31,41は、それぞれ、搬送ローラ駆動部D
1,D2,D3,D4からの回転力を得て、各軸線まわ
りに回転するようになっている。
In order to realize such a function, the resist film peeling apparatus includes, in order from the upstream side in the transport direction TD, an inlet conveyor 1, a peeling tank 2 (processing tank), and a washing tank 3
And the exit conveyor 4 along the transport direction TD. Each of the inlet conveyor 1, the peeling tank 2, the washing tank 3, and the outlet conveyor 4 includes a plurality of transport rollers 11, 21, 31, and 41 arranged along a horizontal plane in a positional relationship parallel to each other. The unprocessed substrates S are successively placed on the transport rollers 11 of the entrance conveyor 1 by a substrate loading robot (not shown), and are discharged onto the transport rollers 41 of the exit conveyor 4 by a substrate transport robot (not shown). The processed substrates S are successively removed. Transport roller 11,
Reference numerals 21, 31, and 41 denote transport roller driving units D, respectively.
Rotational force is obtained from D1, D2, D3, and D4 to rotate around each axis.

【0034】搬送ローラ駆動部D1,D2,D3,D4
の各動作は、制御装置5によって制御されるようになっ
ている。これにより、たとえば、剥離槽2および水洗槽
3の搬送ローラ21,31は、基板Sを搬送方向TDに
搬送するために正転されたり、基板Sを搬送方向TDと
は逆方向に戻すために逆転されたりする。これにより、
基板Sは、剥離槽2内および水洗槽3内で揺動され、こ
れらの各処理部における処理が基板Sの全域において均
一に施されるようになっており、かつ、各処理部の搬送
路長を長くすることなく各工程に必要十分な処理時間を
確保できるようになっている。入口コンベア1では、単
に基板Sを送り込む処理が行われるのみであり、また、
出口コンベア4では、乾燥処理の後、基板Sを払い出す
処理が行われるのみであるので、入口コンベア1および
出口コンベア4の搬送ローラ11,41は、駆動/停止
が、制御装置5によって制御されることになる。
Transport roller drive units D1, D2, D3, D4
Are controlled by the control device 5. Thereby, for example, the transport rollers 21 and 31 of the peeling tank 2 and the washing tank 3 are rotated forward to transport the substrate S in the transport direction TD, or to return the substrate S in the direction opposite to the transport direction TD. It is reversed. This allows
The substrate S is swung in the peeling tank 2 and the washing tank 3 so that the processing in each of these processing units is uniformly performed over the entire area of the substrate S, and the transport path of each processing unit is used. The processing time necessary and sufficient for each step can be secured without increasing the length. In the entrance conveyor 1, only the processing of sending the substrate S is performed.
In the outlet conveyor 4, only the process of paying out the substrate S is performed after the drying process. Therefore, the drive / stop of the transport rollers 11 and 41 of the inlet conveyor 1 and the outlet conveyor 4 is controlled by the control device 5. Will be.

【0035】剥離槽2は、搬送ローラ21の上方に、基
板Sの上面(主面)に剥離液をスプレイするための上面
剥離液供給機構22(上面処理液供給手段)を備え、搬
送ローラ21の下面に同じく剥離液を供給するための下
面剥離液供給機構23(下面処理液供給手段)を備えて
いる。
The stripping tank 2 is provided with an upper surface stripping solution supply mechanism 22 (upper surface processing solution supply means) for spraying a stripping solution on the upper surface (main surface) of the substrate S above the transport roller 21. A lower surface stripping solution supply mechanism 23 (lower surface processing solution supply means) for similarly supplying a stripping solution to the lower surface of the device is provided.

【0036】上面剥離液供給機構22には、剥離液タン
ク24に貯留された剥離液が、ポンプ25(処理液供給
源)によって汲み出され、剥離液供給管26を介して供
給されている。剥離液供給管26の途中部には、エア弁
27が介装されており、このエア弁27を開閉すること
によって、上面剥離液供給機構22から剥離液を噴出さ
せたり、その噴出を停止させたりすることができる。ま
た、下面剥離液供給機構23には、ポンプ25によって
剥離液タンク24から汲み出された剥離液が、ポンプ2
5とエア弁27との間の剥離液供給管26に分岐して結
合された分岐管28を介して供給されている。分岐管2
8の途中部には、エア弁29が介装されており、このエ
ア弁29を開閉することによって、下面剥離液供給機構
23から剥離液を噴出させたり、その噴出を停止させた
りすることができる。
The stripping solution stored in the stripping solution tank 24 is pumped to the upper surface stripping solution supply mechanism 22 by a pump 25 (processing solution supply source) and supplied through a stripping solution supply pipe 26. An air valve 27 is interposed in the middle of the stripping liquid supply pipe 26. By opening and closing the air valve 27, the stripping liquid is ejected from the upper surface stripping liquid supply mechanism 22 or the ejection is stopped. Or you can. Further, the stripping solution pumped from the stripping solution tank 24 by the pump 25 is supplied to the lower surface stripping solution supply mechanism 23 by the pump 2.
It is supplied via a branch pipe 28 which is branched and connected to a stripping liquid supply pipe 26 between the air supply valve 5 and the air valve 27. Branch pipe 2
An air valve 29 is interposed in the middle of 8, and by opening and closing the air valve 29, it is possible to eject the stripping liquid from the lower surface stripping liquid supply mechanism 23 or stop the ejection. it can.

【0037】上下面の剥離液供給機構22,23から基
板Sに供給された後の剥離液は、剥離槽2の底面に接続
された回収配管61を介して、剥離液タンク24に回収
されるようになっている。
The stripping solution supplied to the substrate S from the stripping solution supply mechanisms 22 and 23 on the upper and lower surfaces is collected in the stripping solution tank 24 via the collection pipe 61 connected to the bottom surface of the stripping tank 2. It has become.

【0038】上記の構成により、剥離槽2内に搬入され
た基板Sの表面に向けて剥離液を供給して、その表面に
剥離液によるレジスト剥離処理を施すことができる。
According to the above configuration, a stripping solution can be supplied toward the surface of the substrate S carried into the stripping tank 2, and the surface can be subjected to a resist stripping process using the stripping solution.

【0039】水洗処理槽3内には、搬送ローラ31の上
方および下方に、それぞれ基板Sの上面および下面に純
水を供給するための純水用スプレイノズル32,33が
配設されている。純水用スプレイノズル32には、純水
タンク34に貯留された純水が、ポンプ35によって汲
み出され、純水供給管36を介して供給されている。純
水供給管36の途中部には、エア弁37が介装されてお
り、このエア弁37を開閉することによって、純水用ス
プレイノズル32から純水を吐出させたり、その吐出を
停止させたりすることができる。また、純水用スプレイ
ノズル33には、ポンプ35によって純水タンク34か
ら汲み出された純水が、ポンプ35とエア弁37との間
の純水供給管36に分岐して結合された分岐管38を介
して供給されている。分岐管38の途中部には、エア弁
39が介装されており、このエア弁39を開閉すること
によって、純水用スプレイノズル33から純水を吐出さ
せたり、その吐出を停止させたりすることができる。
In the rinsing tank 3, pure water spray nozzles 32 and 33 for supplying pure water to the upper and lower surfaces of the substrate S are provided above and below the transport roller 31, respectively. Pure water stored in a pure water tank 34 is pumped to a pure water spray nozzle 32 by a pump 35 and supplied through a pure water supply pipe 36. An air valve 37 is interposed in the middle of the pure water supply pipe 36. By opening and closing the air valve 37, pure water is discharged from the pure water spray nozzle 32 or the discharge is stopped. Or you can. Further, the pure water spray nozzle 33 is connected to a pure water pumped from a pure water tank 34 by a pump 35 and is branched into a pure water supply pipe 36 between the pump 35 and the air valve 37. It is supplied via a tube 38. An air valve 39 is interposed in the middle of the branch pipe 38. By opening and closing the air valve 39, pure water is discharged from the pure water spray nozzle 33 or the discharge is stopped. be able to.

【0040】基板Sに供給された後の純水は、電磁弁6
5および回収配管66を介して純水タンク34に回収さ
れるか、電磁弁67および廃液配管68を介して廃棄さ
れる。具体的には、基板Sに対する洗浄処理を開始した
当初の期間には、電磁弁65を閉成し、電磁弁67を開
成する。これにより、剥離液等を多く含んだ純水が廃棄
される。その後、一定時間経過後に電磁弁65を開成す
るとともに、電磁弁67を閉成する。これにより、基板
Sの洗浄に用いられた後の純水のうち、比較的清浄なも
のについては、純水タンク34に回収することができ
る。
The pure water supplied to the substrate S is supplied to the electromagnetic valve 6.
5 and is collected in the pure water tank 34 through the collection pipe 66 or is discarded through the solenoid valve 67 and the waste liquid pipe 68. Specifically, in the initial period when the cleaning process for the substrate S is started, the solenoid valve 65 is closed and the solenoid valve 67 is opened. As a result, pure water containing a large amount of the stripping solution and the like is discarded. Thereafter, after a certain period of time, the electromagnetic valve 65 is opened and the electromagnetic valve 67 is closed. Thus, of the pure water used for cleaning the substrate S, relatively pure water can be collected in the pure water tank 34.

【0041】上記の構成により、剥離液によって処理さ
れた基板Sの表面に、純水用スプレイノズル32,33
から純水を供給することができ、その表面に付着してい
る剥離液等を洗い流すことができる。
With the above structure, the spray nozzles 32 and 33 for pure water are provided on the surface of the substrate S treated with the stripping solution.
, Pure water can be supplied, and the stripping solution or the like adhering to the surface can be washed away.

【0042】出口コンベア4の搬送ローラ41は、その
回転軸が搬送方向TDと直交する水平方向に延びてお
り、水洗処理槽3から搬出されてくる基板Sを、水平に
支持しつつ搬送方向TDに沿って搬送するようになって
いる。出口コンベア4の入口付近には、基板Sの上面お
よび下面に乾燥エアを吹き付けて基板Sの表面の水分を
除去する一対のエアナイフ装置42,43が配置されて
いる。これらの一対のエアナイフ装置42,43には、
図外のエア供給源から送り出される乾燥エアが、エア供
給配管44およびエア弁45を介して供給されるように
なっている。エアナイフ装置42,43を通過すること
によって水分が除去された基板Sは、上記したように、
図示しない基板搬出ロボットによって搬送ローラ41上
から取り除かれる。
The transport roller 41 of the exit conveyor 4 has a rotation axis extending in a horizontal direction orthogonal to the transport direction TD, and supports the substrate S unloaded from the washing tank 3 in the transport direction TD while supporting the substrate S horizontally. Is transported along. Near the entrance of the exit conveyor 4, a pair of air knife devices 42 and 43 for blowing dry air onto the upper and lower surfaces of the substrate S to remove moisture on the surface of the substrate S are arranged. These pair of air knife devices 42 and 43 include:
Dry air sent from an air supply source (not shown) is supplied through an air supply pipe 44 and an air valve 45. The substrate S from which moisture has been removed by passing through the air knife devices 42 and 43 is, as described above,
The transfer roller 41 is removed from the transfer roller 41 by a substrate transfer robot (not shown).

【0043】図2は、剥離槽2内における上面剥離液供
給機構22および下面剥離液供給機構23の配置を説明
するための図解的な断面図である。剥離槽2は、ほぼ直
方体形状に形成されており、搬送方向TDに沿って対向
する一対の側壁2A,2Bには、搬送ローラ21によっ
て搬送される基板Sの経路であるパスラインPLに対応
する位置に、基板入口INおよび基板出口OUTが形成
されている。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining the arrangement of the upper-side stripper supply mechanism 22 and the lower-side stripper supply mechanism 23 in the stripper tank 2. The peeling tank 2 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape, and a pair of side walls 2A and 2B facing each other along the transport direction TD correspond to a path line PL which is a path of the substrate S transported by the transport roller 21. A substrate entrance IN and a substrate exit OUT are formed at the locations.

【0044】パスラインPLの上方側には、搬送ローラ
21によってほぼ水平に支持されて搬送される基板Sの
上面に沿って格子状に配列された複数の上面ノズルNU
が設けられている。これらの上面ノズルNUは、搬送ロ
ーラ21によって搬送されている基板Sの上面に向けて
処理液としての剥離液をスプレイする。これらの上面ノ
ズルNUと、これらに剥離液を分配する剥離液供給パイ
プ(図示せず)などとにより、上面剥離液供給機構22
が構成されている。
Above the pass line PL, a plurality of upper surface nozzles NU arranged in a grid along the upper surface of the substrate S which is transported while being supported substantially horizontally by the transport rollers 21
Is provided. These upper surface nozzles NU spray a release liquid as a processing liquid toward the upper surface of the substrate S being transported by the transport roller 21. An upper surface stripper supply mechanism 22 is provided by these upper surface nozzles NU and a stripper supply pipe (not shown) for distributing the stripper to the upper surface nozzles NU.
Is configured.

【0045】一方、パスラインPLの下方側において、
搬送ローラ21を避けた位置には、搬送ローラ21によ
って搬送される基板Sの下面に沿って、複数の下面ノズ
ルNLが格子状に配列されている。これらの下面ノズル
NLは、搬送ローラ21によって搬送されている基板S
の下面に向けて処理液としての剥離液をスプレイする。
これらの下面ノズルNLと、これらに剥離液を分配する
剥離液供給パイプ(図示せず)などとにより、下面剥離
液供給機構23が構成されている。
On the other hand, below the pass line PL,
A plurality of lower surface nozzles NL are arranged in a lattice shape along the lower surface of the substrate S transported by the transport roller 21 at a position avoiding the transport roller 21. These lower surface nozzles NL are connected to the substrate S transported by the transport rollers 21.
Is sprayed toward the lower surface of the substrate.
The lower surface nozzle supply mechanism 23 is constituted by the lower surface nozzles NL and a release liquid supply pipe (not shown) for distributing the release liquid to the lower surface nozzles NL.

【0046】剥離槽2の搬送方向TDに沿う一側壁2C
には、上面ノズルNUの設置高さ以上の高さの位置に、
排気口70が形成されている。この排気口70は、排気
ダクト71を介して、工場に備えられた排気配管や排気
ブロワなどの適切な排気設備に接続されている。これに
より、剥離槽2内の空間の強制排気が行われている。図
3は、複数の下面ノズルNLの配置状態を説明するため
の簡略化した平面図である。基板Sは、搬送ローラ21
によって、実線で示す第1端位置EP1と二点鎖線で示
す第2端位置EP2との間で搬送方向TDに沿って揺動
される。すなわち、第1端位置EP1または第2端位置
EP2にある基板Sのいずれかの箇所が存在する領域
が、基板Sの揺動範囲Aである。この揺動範囲A内にお
いて、第1端位置EP1と第2端位置EP2とにある基
板Sの重なり部分は、搬送ローラ12によって揺動させ
られている基板Sのいずれかの箇所が常時存在する常時
存在領域Aaである。この常時存在領域Aaは、図3中
において斜線を付して示す。
One side wall 2C of the peeling tank 2 along the transport direction TD
At a position higher than the installation height of the upper surface nozzle NU,
An exhaust port 70 is formed. The exhaust port 70 is connected to an appropriate exhaust facility such as an exhaust pipe or an exhaust blower provided in a factory via an exhaust duct 71. As a result, the space inside the stripping tank 2 is forcibly evacuated. FIG. 3 is a simplified plan view for explaining an arrangement state of a plurality of lower surface nozzles NL. Substrate S is transport roller 21
As a result, it is swung along the transport direction TD between the first end position EP1 shown by the solid line and the second end position EP2 shown by the two-dot chain line. That is, a region where any portion of the substrate S located at the first end position EP1 or the second end position EP2 exists is the swing range A of the substrate S. In the swing range A, in the overlapping portion of the substrate S located at the first end position EP1 and the second end position EP2, there is always any portion of the substrate S that is swung by the transport roller 12. This is the always existing area Aa. The always present area Aa is shown by hatching in FIG.

【0047】複数の下面ノズルNLは、この常時存在領
域Aaに剥離液を供給できるように配置されている。す
なわち、揺動範囲A内において、常時存在領域Aa以外
の領域は、基板Sへの下面側からの剥離液の供給が行わ
れない下面不処理領域とされている。
The plurality of lower surface nozzles NL are arranged so that the stripping liquid can be supplied to the always present area Aa. That is, in the swing range A, a region other than the always present region Aa is a lower surface unprocessed region in which the release liquid is not supplied to the substrate S from the lower surface side.

【0048】レジスト膜剥離処理の対象となるレジスト
膜の大部分は、基板Sの上面に形成されている。したが
って、基板Sの下面への剥離液の供給目的は、レジスト
膜材料が溶解した使用済みの剥離液が基板Sの上面側か
ら下面側に回り込んで、この基板Sの下面を汚染するこ
とを防止することである。よって、基板Sの下面への剥
離液の供給は、さほど重要ではなく、上面から回り込ん
だ剥離液を除去できれば十分である。
Most of the resist film to be subjected to the resist film peeling process is formed on the upper surface of the substrate S. Therefore, the purpose of supplying the stripping solution to the lower surface of the substrate S is to prevent the used stripping solution in which the resist film material is dissolved from flowing from the upper surface side of the substrate S to the lower surface side, thereby contaminating the lower surface of the substrate S. It is to prevent. Therefore, the supply of the stripping solution to the lower surface of the substrate S is not so important, and it is sufficient to remove the stripping solution that has flowed from the upper surface.

【0049】そこで、この実施形態では、基板Sが常時
存在している常時存在領域Aaについてのみ下面側から
の剥離液の供給を行うようにしており、これにより、下
面剥離液供給機構23に備えられた下面ノズルNLの数
を減少させている。このノズル数の減少により、ポンプ
25(図1参照)には、送液能力が比較的低いものを適
用できるので、その発熱量を低く抑えることができる。
その結果、ポンプ25を通る剥離液に不所望な昇温が生
じるおそれはない。これにより、冷却機構などを用いな
くとも、適切な温度の剥離液を基板Sの上下面に供給で
き、レジスト膜剥離処理を良好に行える。
Therefore, in this embodiment, the stripper is supplied from the lower surface only in the always present area Aa where the substrate S is always present. The number of the provided lower surface nozzles NL is reduced. Due to this decrease in the number of nozzles, a pump having a relatively low liquid sending capacity can be applied to the pump 25 (see FIG. 1), so that the calorific value can be suppressed low.
As a result, there is no possibility that an undesired increase in the temperature of the stripping solution passing through the pump 25 occurs. Thus, a stripper at an appropriate temperature can be supplied to the upper and lower surfaces of the substrate S without using a cooling mechanism or the like, and the resist film stripping process can be performed favorably.

【0050】しかも、この実施形態では、基板Sが常時
存在する常時存在領域Aaにのみ下面ノズルNLが配置
されているので、下面ノズルNLから噴き出した剥離液
が処理槽2の天面2Dにぶつかるおそれがない。そのた
め、剥離液のミストの発生量が少なく、排気口70を介
する強制排気によって失われる剥離液の量を低減でき
る。これにより、回収配管61(図1参照)を介する剥
離液の回収効率を高めることができ、結果として、剥離
液の消費量を低減できる。また、剥離液が天面2Dに直
接達しないので、天面2Dから基板S上に剥離液の液滴
が落下することを防止できる。
Moreover, in this embodiment, since the lower surface nozzle NL is arranged only in the always present area Aa where the substrate S is always present, the stripping liquid jetted from the lower surface nozzle NL hits the top surface 2D of the processing tank 2. There is no fear. Therefore, the amount of the mist of the stripping liquid generated is small, and the amount of the stripping liquid lost by the forced exhaust through the exhaust port 70 can be reduced. Thereby, the recovery efficiency of the stripper through the recovery pipe 61 (see FIG. 1) can be increased, and as a result, the consumption of the stripper can be reduced. Further, since the stripping solution does not directly reach the top surface 2D, it is possible to prevent the drop of the stripping solution from dropping onto the substrate S from the top surface 2D.

【0051】図4は、この発明の第2の実施形態に係る
レジスト膜剥離装置における下面ノズルの配置を説明す
るための平面図である。この実施形態の説明では、上述
の図1を併せて参照するとともに、図4において図3に
示された各部に対応する部分には同一の参照符号を付し
て示す。
FIG. 4 is a plan view for explaining the arrangement of the lower nozzles in the resist film stripping apparatus according to the second embodiment of the present invention. In the description of this embodiment, the above-described FIG. 1 is also referred to, and portions corresponding to the respective portions shown in FIG. 3 in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals.

【0052】この実施形態では、基板Sが揺動されてい
る間、この基板Sの周縁部の下面に常時剥離液が供給さ
れるように、必要最小限の数の下面ノズルNLが設けら
れている。すなわち、複数の下面ノズルNLには、揺動
範囲A内において、第1端位置EP1にある基板Sの一
対の端辺(搬送方向TDにほぼ直交する辺)Sa,Sb
付近の縁部領域の下面に剥離液を供給する第1グループ
N1に属するものが含まれている。また、複数の下面ノ
ズルNLには、揺動範囲A内において、第2端位置EP
2にある基板Sの一対の端辺(搬送方向TDにほぼ直交
する辺)Sa,Sb付近の縁部領域の下面に剥離液を供
給する第2グループN2に属するものが含まれている。
さらに、複数の下面ノズルNLには、揺動される基板S
の一対の側辺Sc,Sd(搬送方向TDにほぼ平行な
辺)付近の縁部領域の下面に剥離液を供給する第3グル
ープN3に属するものが含まれている。ただし、第1端
位置EPまたは第2端位置EPにおける基板Sの四隅の
下面に剥離液を供給する下面ノズルNLは、2つのグル
ープに属することになる。
In this embodiment, a necessary minimum number of lower surface nozzles NL are provided so that the peeling liquid is always supplied to the lower surface of the peripheral portion of the substrate S while the substrate S is rocked. I have. That is, the plurality of lower surface nozzles NL have a pair of end sides (sides substantially orthogonal to the transport direction TD) Sa, Sb of the substrate S at the first end position EP1 within the swing range A.
Those belonging to the first group N1 for supplying the stripper to the lower surface of the nearby edge region are included. Further, the plurality of lower surface nozzles NL have the second end position EP within the swing range A.
2 that belong to the second group N2 that supplies the stripping liquid to the lower surface of the edge region near the pair of edges (the edges substantially orthogonal to the transport direction TD) Sa and Sb of the substrate S.
Further, the plurality of lower surface nozzles NL are provided with the substrate S
And a group belonging to a third group N3 for supplying a stripper to the lower surface of the edge region near the pair of side edges Sc and Sd (sides substantially parallel to the transport direction TD). However, the lower surface nozzle NL that supplies the stripper to the lower surface of the four corners of the substrate S at the first end position EP or the second end position EP belongs to two groups.

【0053】上記第1グループN1に属する下面ノズル
NLが第1下面処理液供給機構を構成し、第2グループ
N2に属する下面ノズルNLが第2下面処理液供給機構
を構成し、第3グループN3に属する下面ノズルNLが
第3下面処理液供給機構を構成している。
The lower nozzles NL belonging to the first group N1 constitute a first lower treatment liquid supply mechanism, the lower nozzles NL belonging to a second group N2 constitute a second lower treatment liquid supply mechanism, and the third group N3 Constitutes a third lower surface treatment liquid supply mechanism.

【0054】一方、第1端位置EP1において基板Sの
周縁部に対応する領域または第2端位置EP2において
基板Sの周縁部に対応する領域のいずれにも相当しない
領域は、基板Sの下面に対する剥離液の供給が行われな
い下面不処理領域M(斜線を付して示す。)とされてい
る。これにより、基板Sの下面側におけるノズル数の低
減が図られている。
On the other hand, a region corresponding to neither the region corresponding to the peripheral portion of the substrate S at the first end position EP1 nor the region corresponding to the peripheral portion of the substrate S at the second end position EP2 is The lower surface unprocessed area M where the supply of the stripping liquid is not performed (shown by hatching). Thereby, the number of nozzles on the lower surface side of the substrate S is reduced.

【0055】このように、この実施形態によれば、基板
Sの周縁部については、その下面への剥離液の供給が常
時行われるので、基板Sの上面側からの使用済み剥離液
の回り込みを効果的に防止できる。その一方で、基板S
の周縁部への剥離液の供給に寄与しない下面ノズルを排
除しているので、基板Sの上下面に剥離液を供給するノ
ズル総数が低減されている。これにより、ポンプ25
(図1参照)には、大きな送液能力が要求されることが
なく、その結果、このポンプ25において剥離液に不所
望な昇温が生じるおそれがない。
As described above, according to this embodiment, the stripper is always supplied to the lower surface of the peripheral portion of the substrate S, so that the used stripper flows from the upper surface of the substrate S. It can be effectively prevented. On the other hand, the substrate S
Since the lower nozzles that do not contribute to the supply of the stripper to the peripheral portion of the substrate S are eliminated, the total number of nozzles that supply the stripper to the upper and lower surfaces of the substrate S is reduced. Thereby, the pump 25
1 (see FIG. 1) does not require a large liquid sending capacity, and as a result, there is no possibility that an undesired increase in temperature of the stripping solution occurs in the pump 25.

【0056】また、ノズル数が少ないので、ミストの発
生量も少なく、これにより、ミスト状になって失われる
剥離液の量を低減できる。これにより、剥離液の回収効
率が高まるから、結果として、剥離液の消費量を低減で
きる。
Further, since the number of nozzles is small, the amount of mist generated is also small, so that the amount of the stripping liquid lost in the form of mist can be reduced. Thereby, the recovery efficiency of the stripping solution is increased, and as a result, the consumption of the stripping solution can be reduced.

【0057】なお、図5および図6に示すように、下面
ノズルNLの剥離液吐出方向を、基板Sの内方から外方
に向かって傾斜した方向としておくことにより、基板S
の上面からの使用済み剥離液の下面への回り込みをさら
に効果的に抑制できる。
As shown in FIGS. 5 and 6, the discharge direction of the stripping liquid from the lower surface nozzle NL is set to a direction inclined from the inside to the outside of the substrate S so that the substrate S
Of the used stripper from the upper surface to the lower surface can be more effectively suppressed.

【0058】図7は、この発明の第3の実施形態に係る
レジスト膜剥離装置における下面剥離液供給機構を説明
するための断面図であり、図8は、その平面図である。
この図7に示された下面剥離液供給機構23Aは、上述
の第1の実施形態における下面剥離液供給機構23に代
えて用いられるべきものである。そこで、この実施形態
の説明では、上述の図1を併せて参照するとともに、図
7および図8において、上述の図1ないし図3に示され
た各部に対応する部分には同一の参照符号を付して示
す。
FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining a lower-surface stripper supply mechanism in a resist film stripper according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a plan view thereof.
The lower surface stripper supply mechanism 23A shown in FIG. 7 is to be used instead of the lower surface stripper supply mechanism 23 in the first embodiment. Therefore, in the description of this embodiment, the above-described FIG. 1 is also referred to, and in FIGS. 7 and 8, portions corresponding to the respective portions illustrated in FIGS. It is shown as follows.

【0059】この実施形態においては、揺動範囲A内に
は、下面ノズルNLは配置されておらず、揺動範囲Aと
基板出口OUTとの間において、パスラインPLよりも
下方に、基板Sの一端辺Sbに沿って、複数の下面ノズ
ルNLが配列されている。この複数の下面ノズルNL
と、この下面ノズルNLに剥離液を分配する剥離液供給
管などとにより、下面剥離液供給機構23Aが構成され
ている。
In this embodiment, the lower surface nozzle NL is not disposed within the swing range A, and the substrate S is located below the pass line PL between the swing range A and the substrate outlet OUT. Are arranged along one end side Sb. The plurality of lower surface nozzles NL
And a stripping solution supply pipe for distributing the stripping solution to the lower surface nozzle NL, etc., constitute a lower surface stripping solution supply mechanism 23A.

【0060】剥離槽2の内部において、この基板出口O
UT付近の領域B以外のパスラインPL上の領域は、基
板Sの下面への剥離液の供給が行われない下面不処理領
域とされている。
Inside the peeling tank 2, the substrate outlet O
The area on the pass line PL other than the area B near the UT is an unprocessed lower surface area in which the release liquid is not supplied to the lower surface of the substrate S.

【0061】剥離槽2内において基板Sの上面に対する
処理が終了した後、搬送ローラ21によって剥離槽2か
ら搬出される過程の基板Sの下面には、下面ノズルNL
からの剥離液が供給される。これにより、基板Sの上面
側からその下面に回り込んだ使用済み剥離液が除去され
る。この場合、エア弁29(図1参照)は、基板Sの上
面に対する処理が終了して、搬送ローラ21が基板Sを
剥離槽2から搬出すべく動作されるタイミングで開成さ
れる。そして、基板Sの後端辺Saが下面ノズルNLの
上方を通過するタイミングで、エア弁29が閉成され
る。
After the processing on the upper surface of the substrate S in the peeling tank 2 is completed, the lower surface nozzle NL is provided on the lower surface of the substrate S in the process of being carried out of the peeling tank 2 by the transport roller 21.
Is supplied. As a result, the used stripper that has flowed from the upper surface side of the substrate S to the lower surface thereof is removed. In this case, the air valve 29 (see FIG. 1) is opened at the timing when the processing on the upper surface of the substrate S is completed and the transport roller 21 is operated to carry out the substrate S from the separation tank 2. Then, at the timing when the rear end side Sa of the substrate S passes above the lower surface nozzle NL, the air valve 29 is closed.

【0062】このように、この実施形態によれば、基板
出口OUT付近にのみ下面ノズルNLを配置したので、
基板Sに剥離液を供給するノズルの総数が大幅に削減さ
れる。これにより、ポンプ25に比較的送液能力の低い
ものを適用できるから、剥離液の不所望な昇温が生じる
おそれがない。
As described above, according to this embodiment, since the lower surface nozzle NL is arranged only near the substrate outlet OUT,
The total number of nozzles for supplying the stripper to the substrate S is greatly reduced. Accordingly, since a pump having a relatively low liquid sending capacity can be applied to the pump 25, there is no possibility that an undesired increase in the temperature of the stripping solution occurs.

【0063】また、基板Sが剥離槽2から搬出される際
にのみ下面ノズルNLから剥離液が吐出されるので、剥
離液の消費量も大幅に削減できる。
Since the stripping liquid is discharged from the lower surface nozzle NL only when the substrate S is carried out of the stripping tank 2, the consumption of the stripping liquid can be greatly reduced.

【0064】なお、下面ノズルNLは、揺動範囲A内に
おいて、基板出口OUTに近い位置に配置されてもよ
い。すなわち、第1端位置EP1における搬送方向TD
の下流側端部と基板出口OUTとの間のいずれかの位置
に配置されれば、剥離槽2から搬出される過程におい
て、下面ノズルNLが生成する剥離液スプレイは、基板
Sの下面の全域を走査できる。
The lower surface nozzle NL may be arranged at a position close to the substrate outlet OUT within the swing range A. That is, the transport direction TD at the first end position EP1
Is disposed at any position between the downstream end of the substrate and the substrate outlet OUT, the stripping liquid spray generated by the lower surface nozzle NL in the process of being unloaded from the stripping tank 2 covers the entire lower surface of the substrate S. Can be scanned.

【0065】図9は、この発明の第4の実施形態に係る
レジスト膜剥離装置の図解的な断面図である。このレジ
スト膜剥離装置は、第1剥離槽81を備えた第1剥離モ
ジュール8と、第2剥離槽91を備えた第2剥離モジュ
ール9とを有している。
FIG. 9 is a schematic sectional view of a resist film stripping apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. This resist film peeling apparatus has a first peeling module 8 having a first peeling tank 81 and a second peeling module 9 having a second peeling tank 91.

【0066】第1剥離モジュール8は、剥離槽81の内
部に、剥離液を貯留した剥離液槽82を備えており、こ
の剥離液槽82に貯留された剥離液中に基板Sを浸漬さ
せて処理を行う浸漬式剥離モジュールである。剥離液槽
82内には、基板Sを上下から挟持して搬送する搬送ロ
ーラ83が配置されている。そして、この搬送ローラ8
3によって搬送される基板Sの経路であるパスライン1
00に対応する位置には、剥離液槽82の相対向する一
対の側壁に、それぞれ基板入口85および基板出口86
が形成されている。また、剥離液槽82の内部には、剥
離液による剥離効果を高めるために超音波振動を発生す
る超音波発振装置89が設けられている。
The first stripping module 8 is provided with a stripping solution tank 82 storing a stripping solution inside a stripping tank 81. The substrate S is immersed in the stripping solution stored in the stripping solution tank 82. It is an immersion type peeling module that performs processing. In the stripping liquid tank 82, a transport roller 83 for nipping and transporting the substrate S from above and below is disposed. And, this transport roller 8
Pass line 1 which is the path of the substrate S transported by 3
The substrate inlet 85 and the substrate outlet 86 are respectively provided at a position corresponding to 00 on a pair of opposing side walls of the stripper tank 82.
Are formed. In addition, an ultrasonic oscillator 89 for generating ultrasonic vibration is provided inside the stripping liquid tank 82 in order to enhance the stripping effect by the stripping liquid.

【0067】基板入口85および基板出口86には、開
閉可能なシャッタ板87,88が設けられていて、基板
Sを剥離液槽82に搬入する際にはシャッタ板87を開
成し、基板Sを搬出する際には、シャッタ板88を開成
し、その他の期間には、シャッタ板87,88の閉成状
態を保持するようになっている。
The substrate entrance 85 and the substrate exit 86 are provided with shutter plates 87 and 88 which can be opened and closed. When the substrate S is carried into the stripping solution tank 82, the shutter plate 87 is opened and the substrate S is opened. When carrying out, the shutter plate 88 is opened, and in other periods, the shutter plates 87 and 88 are kept closed.

【0068】第1剥離槽81および第2剥離槽91によ
って共有されている隔壁89には、第1剥離モジュール
8からの基板Sが第2剥離モジュール9に導入されると
きに通る基板入口92が形成されている。この基板入口
92に近接した位置には、搬送方向TDに直交する方向
に沿って、複数の下面ノズルNL1が配列されている。
また、隔壁89に対向する隔壁109には、第1剥離モ
ジュール9から搬出される基板Sが通る基板出口110
が形成されており、この基板出口110の付近には、第
2剥離槽91内に、複数の下面ノズルNL2が搬送方向
TDに直交する方向に沿って配列されている。
The partition 89 shared by the first stripping tank 81 and the second stripping tank 91 has a substrate inlet 92 through which the substrate S from the first stripping module 8 is introduced into the second stripping module 9. Is formed. At a position close to the substrate entrance 92, a plurality of lower surface nozzles NL1 are arranged along a direction perpendicular to the transport direction TD.
The partition 109 facing the partition 89 has a substrate outlet 110 through which the substrate S unloaded from the first peeling module 9 passes.
In the vicinity of the substrate outlet 110, a plurality of lower surface nozzles NL2 are arranged in the second peeling tank 91 along a direction perpendicular to the transport direction TD.

【0069】この複数の下面ノズルNL1,NL2は、
基板Sの幅方向(搬送方向TDに直交する方向)の全長
に渡って剥離液を基板Sの下面に供給できるように配設
されている。各複数の下面ノズルNL1,NL2と、こ
の複数の下面ノズルNL1,NL2に剥離液をそれぞれ
分配する剥離液供給パイプ(図示せず)などとにより、
下面剥離液供給機構94(下面処理液供給手段)が構成
されている。
The plurality of lower surface nozzles NL1 and NL2 are
The release liquid is provided to the lower surface of the substrate S over the entire length of the substrate S in the width direction (the direction orthogonal to the transport direction TD). Each of the plurality of lower surface nozzles NL1 and NL2 and a stripper supply pipe (not shown) for distributing the stripper to the plurality of lower surface nozzles NL1 and NL2, respectively.
A lower surface stripping solution supply mechanism 94 (lower surface processing solution supply means) is configured.

【0070】さらに、下面ノズルNL1,NL2の間に
おいて、パスライン100の上方に複数の上面ノズルN
Uが、たとえば格子状に配列されて設けられている。こ
の複数の上面ノズルNUと、この複数の上面ノズルNU
に剥離液を分配する剥離液供給パイプ95などとによ
り、上面剥離液供給機構96(上面処理液供給手段)が
構成されている。
Further, between the lower nozzles NL1 and NL2, a plurality of upper nozzles N
U are provided, for example, arranged in a lattice shape. The plurality of upper surface nozzles NU and the plurality of upper surface nozzles NU
A stripper supply pipe 95 for distributing the stripper to the upper surface constitutes an upper stripper supply mechanism 96 (upper processing liquid supply means).

【0071】また、第2剥離モジュール9には、基板S
をほぼ水平支持しつつ、パスライン100に沿って搬送
方向TDに搬送したり、この搬送方向TDの反対方向に
戻したりすることができる搬送ローラ97が設けられて
いる。すなわち、基板Sは、第2剥離槽91内におい
て、搬送方向TDに沿って、一定の揺動範囲A内で揺動
されるようになっている。複数の上面ノズルNUは、揺
動範囲Aの全域において、基板Sの上面の全域に剥離液
を供給できるように配設されている。
The second peeling module 9 includes the substrate S
Is provided along the path line 100 and can be returned in the direction opposite to the transport direction TD while supporting the transport roller 97 substantially horizontally. That is, the substrate S is configured to be swung within the fixed swing range A in the second peeling tank 91 along the transport direction TD. The plurality of upper surface nozzles NU are provided so as to supply the stripping liquid to the entire upper surface of the substrate S in the entire swing range A.

【0072】搬送ローラ97には、搬送ローラ駆動部D
9から駆動力が与えられるようになっており、この搬送
ローラ駆動部D9の動作は、制御装置98によって制御
されるようになっている。
The transport roller 97 includes a transport roller driving unit D
A driving force is applied from the control unit 9 and the operation of the transport roller driving unit D9 is controlled by the control unit 98.

【0073】上面剥離液供給機構96および下面剥離液
供給機構94には、剥離液タンク99に貯留された剥離
液が、ポンプ101によって汲み出されて供給されるよ
うになっている。上面剥離液供給機構96への剥離液の
供給/停止は、剥離液供給ライン102に介装されたエ
ア弁103を開閉することによって制御され、このエア
弁103の開閉は制御装置98によって制御されるよう
になっている。
The stripper stored in the stripper tank 99 is pumped and supplied to the upper stripper supply mechanism 96 and the lower stripper supply mechanism 94 by the pump 101. The supply / stop of the stripping solution to the upper surface stripping solution supply mechanism 96 is controlled by opening and closing an air valve 103 interposed in the stripping solution supply line 102, and the opening and closing of the air valve 103 is controlled by a control device 98. It has become so.

【0074】剥離液供給ライン102からは、下面ノズ
ルNL1,NL2に剥離液を供給するための剥離液供給
ライン105,115がそれぞれ分岐しており、これら
の剥離液供給ライン115にも、エア弁106,116
がそれぞれ介装されている。したがって、下面ノズルN
L1,NL2への剥離液の供給/停止は、エア弁10
6,116を開閉することによって制御され、これらの
エア弁106,116の開閉制御もまた、制御装置98
によって行われるようになっている。
From the stripping liquid supply line 102, stripping liquid supply lines 105 and 115 for supplying a stripping liquid to the lower surface nozzles NL1 and NL2 are branched, and these stripping liquid supply lines 115 are also provided with air valves. 106,116
Are interposed respectively. Therefore, the lower surface nozzle N
The supply / stop of the stripper to L1 and NL2 is controlled by the air valve 10
The opening and closing of these air valves 106 and 116 is also controlled by opening and closing the control device 98.
It is to be done by.

【0075】この構成により、第1剥離モジュール8に
よる処理を受けた後に第2剥離モジュール9に搬入され
る基板Sに対しては、第2剥離モジュール9の基板入口
92の付近において、その下面に剥離液が供給される。
基板Sの移動に伴って、下面ノズルNL1は、基板Sの
全域を走査できるので、基板Sの下面の全域に対して剥
離液を供給できる。これにより、第1剥離モジュール8
における処理によって基板Sの下面に回り込んだ使用済
みの剥離液を下面側からの剥離液供給によって排除でき
る。
With this configuration, the substrate S carried into the second peeling module 9 after being subjected to the processing by the first peeling module 8 has a lower surface near the substrate entrance 92 of the second peeling module 9. A stripper is supplied.
With the movement of the substrate S, the lower surface nozzle NL1 can scan the entire area of the substrate S, and can supply the stripping liquid to the entire area of the lower surface of the substrate S. Thereby, the first peeling module 8
The used stripping liquid that has flowed to the lower surface of the substrate S by the processing in (1) can be eliminated by supplying the stripping liquid from the lower surface side.

【0076】一方、第2剥離モジュール9における上面
ノズルNUからの剥離液の供給によって、基板Sの下面
側に使用済みの剥離液が回り込むことになる。この使用
済み剥離液は、基板出口110の付近に配置された下面
ノズルNL2からの剥離液の供給によって排除されるこ
とになる。この下面ノズルNL2が、搬出される基板S
の下面の全域を走査できる点は、下面ノズルNL1の場
合と同様である。
On the other hand, the supply of the stripping solution from the upper surface nozzle NU in the second stripping module 9 causes the used stripping solution to flow to the lower surface side of the substrate S. The used stripper is removed by the supply of the stripper from the lower nozzle NL2 disposed near the substrate outlet 110. The lower surface nozzle NL2 is connected to the unloaded substrate S
Is similar to the case of the lower surface nozzle NL1.

【0077】制御装置98は、基板Sの前端辺Sbが下
面ノズルNL1の上方位置に達するタイミングでエア弁
106を開成し、基板Sの後端辺Saが下面ノズルNL
1の上方位置を通過した後のタイミングでエア弁106
を閉成する。また、基板Sが、第1剥離モジュール8か
ら第2剥離モジュール9に搬入されて来る過程で、揺動
範囲A内の第1端位置EP1に達するタイミングで、エ
ア弁103を開成し、一定時間が経過すると、エア弁1
03を閉成する。この一定時間の間、制御装置98は、
搬送ローラ駆動部D9を制御することによって、基板S
を揺動範囲Aにおいて搬送方向TDに沿って揺動させ
る。
The control device 98 opens the air valve 106 at a timing when the front end side Sb of the substrate S reaches a position above the lower surface nozzle NL1, and the rear end side Sa of the substrate S moves to the lower surface nozzle NL.
1 at a timing after passing through the upper position of the air valve 106.
Is closed. Further, in the process in which the substrate S is carried into the second peeling module 9 from the first peeling module 8, the air valve 103 is opened at a timing when the substrate S reaches the first end position EP1 in the swing range A, and the board S is opened for a predetermined time. Has elapsed, the air valve 1
03 is closed. During this fixed time, the control device 98
By controlling the transport roller driving unit D9, the substrate S
Is swung in the swing range A along the transport direction TD.

【0078】こうして、基板Sの上面に対する処理が完
了すると、制御装置98は、基板Sを、基板出口110
を通して第2剥離槽91から搬出する。その際、制御装
置98は、基板Sの前端辺Sbが下面ノズルNL2の上
方位置に達するタイミングでエア弁116を開成し、基
板Sの後端辺Saが下面ノズルNL2の上方位置を通過
するタイミングでエア弁116を閉成する。
When the processing on the upper surface of the substrate S is completed, the controller 98 moves the substrate S to the substrate outlet 110
Through the second stripping tank 91. At this time, the control device 98 opens the air valve 116 at the timing when the front end side Sb of the substrate S reaches the position above the lower surface nozzle NL2, and the timing when the rear end side Sa of the substrate S passes above the lower position nozzle NL2. To close the air valve 116.

【0079】このように、この実施形態では、第2剥離
槽91の基板入口92および基板出口110の近傍に下
面ノズルNL1,NL2が配置されており、第2剥離槽
91の内部におけるパスライン100上の残余の領域
は、基板Sの下面に対して剥離液が供給されることがな
い下面不処理領域とされている。これにより、基板Sに
剥離液を供給するノズルの総数の低減が図られている。
したがって、ポンプ101に大きな送液能力が要求され
ることがないので、このポンプ101の発熱に起因する
剥離液の不所望な昇温が問題となることはない。
As described above, in this embodiment, the lower surface nozzles NL1 and NL2 are disposed near the substrate inlet 92 and the substrate outlet 110 of the second peeling tank 91, and the pass line 100 inside the second peeling tank 91 is provided. The upper remaining region is a lower surface unprocessed region where the stripping liquid is not supplied to the lower surface of the substrate S. Thus, the total number of nozzles for supplying the stripper to the substrate S is reduced.
Therefore, the pump 101 is not required to have a large liquid sending capacity, so that there is no problem of an undesired increase in the temperature of the stripping solution due to the heat generated by the pump 101.

【0080】なお、下面ノズルNL1は、揺動範囲A内
において、基板入口92に近い位置に配置されてもよ
い。すなわち、第2端位置EP2における搬送方向TD
の上流側端部と基板入口92との間のいずれかの位置に
配置されれば、下面ノズルNL1が生成する剥離液スプ
レイは、第1剥離モジュール8から搬入される過程にお
いて、基板Sの下面の全域を走査できる。同様に、下面
ノズルNL2は、揺動範囲A内において、基板出口11
0に近い位置に配置されてもよい。すなわち、第1端位
置EP1における搬送方向TDの下流側端部と基板出口
101との間のいずれかの位置に配置されれば、下面ノ
ズルNL2が生成する剥離液スプレイは、基板Sが第2
剥離槽91から搬出される過程において、基板Sの下面
の全域を走査できる。
The lower surface nozzle NL 1 may be arranged at a position close to the substrate inlet 92 within the swing range A. That is, the transport direction TD at the second end position EP2
If disposed at any position between the upstream end of the substrate and the substrate inlet 92, the release liquid spray generated by the lower surface nozzle NL1 will be removed from the lower surface of the substrate S in the process of being carried in from the first release module 8. Can be scanned over the entire area. Similarly, the lower surface nozzle NL2 moves the substrate outlet 11 within the swing range A.
It may be arranged at a position close to zero. That is, if the substrate S is disposed at any position between the downstream end in the transport direction TD at the first end position EP1 and the substrate outlet 101, the release liquid spray generated by the lower surface nozzle NL2 is such that the substrate S is in the second position.
In the process of being unloaded from the peeling tank 91, the entire lower surface of the substrate S can be scanned.

【0081】この発明の4つの実施形態について説明し
たが、この発明は他の形態でも実施することができる。
たとえば、上述の図4に示された第2の実施形態におい
て、グループN1に属する複数の下面ノズルNLのう
ち、第1端位置EP1における基板Sの後端辺Saの近
傍の下面ノズルNLは省かれてもよい。同様に、グルー
プN2に属する複数の下面ノズルNLのうち、第2端位
置EP2における基板Sの前端辺Sbの近傍の下面ノズ
ルNLは省かれてもよい。すなわち、第1端位置EP1
と第2端位置EP2との重複範囲の周縁部についてのみ
下面ノズルNLを設けてもよい。この場合にも、基板S
の周縁部の下面に対する剥離液の供給を良好に行える。
しかも、ノズルの数をさらに少なくすることができる。
また、上記の実施形態では、液晶表示装置用ガラス基板
に対するレジスト膜剥離処理にこの発明が適用された例
について説明したが、処理対象の基板は、プラズマディ
スプレイパネル用の基板やフォトマスク用基板などの他
の種類のものであってもよいし、また、塗布不良または
現像不良のレジスト膜を基板から剥離するためのリワー
ク処理などの他の種類の処理に対してもこの発明を適用
することができる。
Although the four embodiments of the present invention have been described, the present invention can be implemented in other embodiments.
For example, in the second embodiment shown in FIG. 4 described above, of the plurality of lower surface nozzles NL belonging to the group N1, the lower surface nozzle NL near the rear end side Sa of the substrate S at the first end position EP1 is omitted. May be. Similarly, of the plurality of lower surface nozzles NL belonging to the group N2, the lower surface nozzle NL near the front end side Sb of the substrate S at the second end position EP2 may be omitted. That is, the first end position EP1
The lower surface nozzle NL may be provided only in the peripheral portion of the overlapping range between the second nozzle position EP2 and the second end position EP2. Also in this case, the substrate S
Of the stripping liquid can be satisfactorily supplied to the lower surface of the peripheral portion of the substrate.
Moreover, the number of nozzles can be further reduced.
Further, in the above-described embodiment, the example in which the present invention is applied to the resist film peeling process on the glass substrate for the liquid crystal display device has been described, but the substrate to be processed is a substrate for a plasma display panel, a substrate for a photomask, The present invention may be applied to other types of processing such as rework processing for peeling a poorly coated or poorly developed resist film from a substrate. it can.

【0082】その他、特許請求の範囲に記載された技術
的事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能であ
る。
In addition, various design changes can be made within the scope of the technical matters described in the claims.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施形態に係る基板処理装置であ
るレジスト膜剥離装置の構成を説明するための簡略化し
た断面図である。
FIG. 1 is a simplified cross-sectional view for explaining a configuration of a resist film stripping apparatus which is a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】剥離槽内における上面剥離液供給機構および下
面剥離液供給機構の配置を説明するための図解的な断面
図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining an arrangement of an upper surface stripping solution supply mechanism and a lower surface stripping solution supply mechanism in a stripping tank.

【図3】複数の下面ノズルの配置状態を説明するための
簡略化した平面図である。
FIG. 3 is a simplified plan view for explaining an arrangement state of a plurality of lower surface nozzles.

【図4】この発明の第2の実施形態に係るレジスト膜剥
離装置における下面ノズルの配置を説明するための簡略
化した平面図である。
FIG. 4 is a simplified plan view for explaining an arrangement of lower surface nozzles in a resist film stripping apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図5】第2の実施形態における下面ノズルの配置状態
を示す正面図である。
FIG. 5 is a front view showing an arrangement state of a lower nozzle in a second embodiment.

【図6】同じく第2実施形態における下面ノズルの配置
状態を示す側面図である。
FIG. 6 is a side view showing an arrangement state of a lower surface nozzle according to the second embodiment.

【図7】この発明の第3の実施形態に係るレジスト膜剥
離装置における下面剥離液供給機構を説明するための断
面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining a lower surface removing liquid supply mechanism in a resist film removing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図8】上記第3実施形態の下面剥離液供給機構の構成
を示す簡略化した平面図である。
FIG. 8 is a simplified plan view showing a configuration of a lower surface stripping solution supply mechanism of the third embodiment.

【図9】この発明の第4の実施形態に係るレジスト膜剥
離装置の図解的な断面図である。
FIG. 9 is an illustrative sectional view of a resist film stripping apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図10】従来のレジスト膜剥離装置の構成を示す図解
的な断面図である。
FIG. 10 is an illustrative sectional view showing the configuration of a conventional resist film stripping apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 剥離槽 21 搬送ローラ 22 上面剥離液供給機構 23 下面剥離液供給機構 25 ポンプ NU 上面ノズル NL 下面ノズル A 揺動範囲 Aa 常時存在領域 EP1 第1端位置 EP2 第2端位置 IN 基板入口 OUT 基板出口 8 第1剥離モジュール 9 第2剥離モジュール 81 第1剥離槽 91 第2剥離槽 92 基板入口 94 下面剥離液供給機構 96 上面剥離液供給機構 97 搬送ローラ 110 基板出口 NL 下面ノズル 2 Separation tank 21 Transport roller 22 Upper surface stripper supply mechanism 23 Lower surface stripper supply mechanism 25 Pump NU Upper surface nozzle NL Lower surface nozzle A Swing range Aa Always present area EP1 First end position EP2 Second end position IN Substrate entrance OUT Substrate exit Reference Signs List 8 first peeling module 9 second peeling module 81 first peeling tank 91 second peeling tank 92 substrate inlet 94 bottom surface peeling liquid supply mechanism 96 top surface peeling liquid supply mechanism 97 transport roller 110 substrate outlet NL bottom surface nozzle

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板をほぼ水平に支持し、この基板の上面
に沿う所定の揺動方向に沿って基板を揺動させる揺動手
段と、 この揺動手段によって揺動させられている基板の上面に
処理液を供給する上面処理液供給手段と、 上記揺動手段によって揺動されている基板の揺動範囲内
において上記揺動手段によって揺動される基板が常に存
在している常時存在領域において上記基板の下面に処理
液を供給する下面処理液供給手段とを含み、 上記揺動範囲内において上記常時存在領域以外の領域
を、上記基板の下面への処理液の供給がされない下面不
処理領域としたことを特徴とする基板処理装置。
1. A swinging means for supporting a substrate substantially horizontally and swinging the substrate along a predetermined swinging direction along an upper surface of the substrate, and a swinging means for swinging the substrate by the swinging means. An upper surface processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the upper surface, and a constantly existing area in which a substrate rocked by the rocking means always exists within a rocking range of the substrate rocked by the rocking means. And a lower surface processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the lower surface of the substrate, wherein the area other than the always present area within the swing range is not processed on the lower surface where the processing liquid is not supplied to the lower surface of the substrate. A substrate processing apparatus comprising: a region.
【請求項2】基板をほぼ水平に支持し、この基板の上面
に沿う所定の揺動方向に沿って基板を揺動させる揺動手
段と、 この揺動手段によって揺動させられている基板の上面に
処理液を供給する上面処理液供給手段と、 この揺動手段によって揺動させられている基板の下面の
周縁部領域に処理液が供給されるように配設された下面
処理液供給手段とを含み、 上記揺動手段によって揺動されている基板の揺動範囲内
において上記揺動される基板の周縁部領域が位置するこ
とのない領域を、上記基板の下面への処理液の供給がさ
れない下面不処理領域としたことを特徴とする基板処理
装置。
2. A swinging means for supporting a substrate substantially horizontally and swinging the substrate in a predetermined swinging direction along an upper surface of the substrate, and a swinging means for swinging the substrate by the swinging means. Upper surface processing liquid supply means for supplying the processing liquid to the upper surface, and lower surface processing liquid supply means arranged so that the processing liquid is supplied to the peripheral area of the lower surface of the substrate being swung by the rocking means And supplying the processing liquid to the lower surface of the substrate in a region where the peripheral region of the substrate to be rocked is not located within the rocking range of the substrate rocked by the rocking means. A substrate processing apparatus, wherein a lower surface unprocessed area is not formed.
【請求項3】基板をほぼ水平に支持し、処理槽を通る所
定の経路に沿って基板を搬送する搬送手段と、 この搬送手段によって搬送される基板の上面に処理液を
供給する上面処理液供給手段と、 上記搬送手段によって上記処理槽から基板が搬出される
出口付近において、上記基板の下面に処理液を供給する
下面処理液供給手段とを含み、 上記搬送手段によって基板が搬送される経路において上
記出口付近の領域以外の上記処理槽内の領域を、上記基
板の下面への処理液の供給がされない下面不処理領域と
したことを特徴とする基板処理装置。
3. A transfer means for supporting a substrate substantially horizontally and transferring the substrate along a predetermined path passing through a processing tank, and an upper processing liquid for supplying a processing liquid to an upper surface of the substrate transferred by the transfer means. A supply means, and a lower surface processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the lower surface of the substrate in the vicinity of an outlet from which the substrate is carried out of the processing tank by the transporting means; 3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a region in the processing tank other than a region near the outlet is a lower surface non-processing region where a processing liquid is not supplied to a lower surface of the substrate.
【請求項4】基板をほぼ水平に支持し、処理槽を通る所
定の経路に沿って基板を搬送する搬送手段と、 この搬送手段によって搬送される基板の上面に処理液を
供給する上面処理液供給手段と、 上記搬送手段によって基板が上記処理槽に搬入される入
口付近および出口付近において、上記基板の下面に処理
液を供給する下面処理液供給手段とを含み、 上記搬送手段によって基板が搬送される経路において上
記入口付近および出口付近の領域以外の上記処理槽内の
領域を、上記基板の下面への処理液の供給がされない下
面不処理領域としたことを特徴とする基板処理装置。
4. A transport means for supporting a substrate substantially horizontally and transporting the substrate along a predetermined path passing through a processing tank, and an upper processing liquid for supplying a processing liquid to an upper surface of the substrate transported by the transport means. A supply means, and a lower surface processing liquid supply means for supplying a processing liquid to a lower surface of the substrate near an inlet and an outlet where the substrate is carried into the processing tank by the transport means, wherein the substrate is transported by the transport means. A substrate processing apparatus, wherein a region in the processing tank other than a region near the entrance and a region near the outlet in the path to be processed is a lower surface non-processing region where a processing liquid is not supplied to a lower surface of the substrate.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100729700B1 (en) * 2003-08-12 2007-06-19 가부시키가이샤 히타치 디스프레이즈 Method for manufacturing the display device
JP2014115307A (en) * 2012-12-06 2014-06-26 Tokyo Kakoki Kk Resist removal device
KR20150050976A (en) * 2013-11-01 2015-05-11 세메스 주식회사 Treating liquid dispensing apparatus and method, and system for applying treating liquid

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