JP6596285B2 - マイクロ波照射装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
マイクロ波を用いたアニール処理の例を取り上げて説明する。
図1は、実施形態1による基板処理方法の概略を説明するための模式図の一例である。
次いで、実施形態2による基板処理方法について図13乃至図17を参照しながら説明する。
(1)一実施形態
図18は、一実施形態によるマイクロ波照射装置の概略構成を示す断面図の一例である。本実施形態のマイクロ波照射装置は、上述した実施形態による基板処理方法を実現するためのマイクロ波アニール装置である。
サセプタ20は、シリコン基板Sを保持し、図示しない回転駆動機構に連結されてシリコン基板Sをその表面に水平な面内で回転させる。ガス導入管22は、アニール用の処理ガスをチャンバ19内に導入する。導入された処理ガスは、排気口21から排気される。
図19は、実施例1によるマイクロ波アニール装置の概略構成を示す平面図の一例である。図19に示すマイクロ波アニール装置51は、矩形の平面形状を有するチャンバ191を有し、3つの導入口41(41A−41C)のそれぞれに連結されたマイクロ波照射部60を含む。
実施例2および3のマイクロ波アニール装置を図20および図21にそれぞれ示す。これらのマイクロ波アニール装置52,53のように、nが奇数であるn角形の平面形状を有するチャンバ192,193を含む場合は、各マイクロ波照射部60が連結される導入口42,43は、対向面からマイクロ波が入射することがないので、チャンバ192,193の壁面のうち、基板Sに対向する壁面であれば、各壁面内のどの位置に導入口42,43を設けてもよい。
なお、実施例1乃至3のいずれのマイクロ波アニール装置51〜43についても、大気との遮断、または、搬送室(図示せず)との接続のため、ゲートバルブ28が設けられる。
Claims (8)
- アモルファスシリコン層を表面に有する基板を収容可能であり、前記基板の表面に水平な方向または前記基板表面に対して45度以内の入射角をなす方向から前記基板へ照射されるマイクロ波を導入するための導入口が設けられたチャンバと、
前記導入口と前記基板との間に設置され、前記マイクロ波を偏波する偏波機構と、
を備え、
前記偏波機構は、磁場の振幅方向が前記基板表面に垂直であるマイクロ波を選択的に透過させることを特徴とするマイクロ波照射装置。 - 水分子を含有させた炭素を含む膜を表面に有する基板を収容可能であり、前記基板の表面に水平な方向または前記基板表面に対して45度以内の入射角をなす方向から前記基板へ照射されるマイクロ波を導入するための導入口が設けられたチャンバと、
前記導入口と前記基板との間に設置され、前記マイクロ波を偏波する偏波機構と、
を備え、
前記偏波機構は、電場の振幅方向が前記基板表面に垂直であるマイクロ波を選択的に透過させることを特徴とするマイクロ波照射装置。 - 前記偏波機構は、前記マイクロ波を偏波する矩形状スリットを有し、前記矩形状スリットの長手方向が前記基板の表面に平行な方向であることを特徴とする請求項1に記載のマイクロ波照射装置。
- 前記偏波機構は、前記マイクロ波を偏波する矩形状スリットを有し、前記矩形状スリットの長手方向が前記基板の表面に垂直な方向であることを特徴とする請求項2に記載のマイクロ波照射装置。
- 前記偏波機構は、前記基板に対して水平方向の位置に設けられている、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のマイクロ波照射装置。
- 前記マイクロ波は、前記チャンバ外に設けられ前記導入口に接続された導波管によって前記チャンバ内へ導入される、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のマイクロ波照射装置。
- アモルファスシリコン層を表面に有する基板を収容可能であり、前記基板の表面に水平な方向または前記基板表面に対して45度以内の入射角をなす方向から前記基板へ照射されるマイクロ波を導入するための導入口が設けられたチャンバを備えたマイクロ波照射装置を用いた基板処理方法であって、
磁場の振幅方向が基板の表面に対して垂直方向となるように偏波されたマイクロ波を前記基板に照射することを具備し、
前記チャンバ内に導入されたマイクロ波は、前記導入口と前記基板との間に設置され、所定の方向に長手方向を有する矩形状スリットを透過することで偏波されることを特徴とする基板処理方法。 - 水分子を含有させた炭素を含む膜を表面に有する基板を収容可能であり、前記基板の表面に水平な方向または前記基板表面に対して45度以内の入射角をなす方向から前記基板へ照射されるマイクロ波を導入するための導入口が設けられたチャンバを備えたマイクロ波照射装置を用いた基板処理方法であって、
電場の振幅方向が基板の表面に対して垂直方向となるように偏波されたマイクロ波を前記基板に照射することを具備し、
前記チャンバ内に導入されたマイクロ波は、前記導入口と前記基板との間に設置され、所定の方向に長手方向を有する矩形状スリットを透過することで偏波されることを特徴とする基板処理方法。
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