JP6595682B2 - Iii族窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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(1)サファイア基板と、該サファイア基板の主面上に形成されたAlN層と、該AlN層上に形成された、少なくともAlを含むIII族窒化物積層体と、を有するIII族窒化物半導体エピタキシャル基板であって、前記III族窒化物積層体は、Al組成の異なる第1の層と第2の層とをこの順に有し、前記第1の層のAl組成比xが、前記第2の層のAl組成比yよりも大きく、前記サファイア基板の主面は、C面が0.46度以上0.54度以下のオフ角で傾斜した面であり、前記AlN層の(10−12)面のX線ロッキングカーブの半値幅が400秒以下であり、前記第2の層の(0002)面の2θ−ωスキャンX線回折ピークにより算出されるc軸歪み量が引張方向に0.66%以上であることを特徴とするIII族窒化物半導体エピタキシャル基板。
本発明の一実施形態に従うIII族窒化物半導体エピタキシャル基板1は、図1(E)に示すように、サファイア基板10と、サファイア基板10の主面上に形成されたAlN層20と、AlN層20上に形成された、少なくともAlを含むIII族窒化物積層体30とを有する。ここで、本発明の一実施形態に従うIII族窒化物半導体エピタキシャル基板1において、III族窒化物積層体30は、第1の層31および第2の層32をこの順に有し、第1の層31のAl組成比xが、第2の層32のAl組成比yよりも大きく、サファイア基板10の主面は、C面が0.46度以上0.54度以下のオフ角θで傾斜した面であり、AlN層20の(10−12)面のX線ロッキングカーブの半値幅が400秒以下であり、第2の層32の(0002)面の2θ−ωスキャンX線回折ピークにより算出されるc軸歪み量が引張方向に0.66%以上であることを特徴とする。かかる特徴を備えることにより、上記III族窒化物半導体エピタキシャル基板1をIII族窒化物半導体発光素子の作製に供した際に、優れた発光特性および発光寿命特性を両立することができる。なお、Al組成比xおよびyは、0<y<x<1の関係にある。以下、各構成の詳細を順に説明する。
もできる。なお、AlN層20の表面は、サファイア基板10のオフ角θの影響を受けるため、原子サイズレベルの微視的には不均一な厚みとなり、図2と同様に傾斜面が形成されるが、説明の簡略化のために図1および図5では図示しない。また、本明細書においては、AlN層20の層厚とは、ウエハ中心におけるAlN層20の厚み(以降、中心層厚と記載する)を指すものとする。後述の各層についても、同様に傾斜面が形成されるが、中心層厚を各層の層厚とする。なお、前述のとおり、AlN層20がサファイア基板10上に形成されたものは、AlNテンプレート基板と称される。
ピークが現れる。したがって、面間隔dが広ければ、2θは低角となり、面間隔dが狭ければ、θは高角となる。図4(B)に示すように、C面内で圧縮応力を受けると、結晶はc軸方向に伸び、C面の間隔が広がる。したがって、圧縮応力を受ければ、面間隔が拡がり、2θは低角となる。逆に、引っ張り応力を受ければ、面間隔が狭まり、2θは高角となる。ここで、第2の層32の(0002)面2θ−ωスキャンx線回折ピークから、応力を受けた後のc軸方向の格子定数(c1)を求めることができる。また、応力が無い状態の格子定数(c0)は、無ひずみ状態のAlNの格子定数が4.9792Å、GaNの格子定数が5.1855Åであることが知られている。そして、第2の層32のAl組成比より、c軸歪み量δc(単位%)はベガード則に従い一次関数で算出され、応力を受けた後のc軸方向の格子定数(c1)と応力を受けないc軸方向の格子定数(c0)との差分から、δc=(c1−c0)/c1と算出することができる。なお、a軸方向の歪み量をδaとするとδa/δcの値がAlNで−1.9、GaNで−2.6(マイナスは歪の向きが逆であることを示す)と知られており、第2の層32のAl組成比よりδa/δcの値も一次関数によって計算されるため、c軸方向の歪み量δcが決まれば、a軸方向の歪み量δaを換算することができる。
次に、これまで説明してきた本発明に従うIII族窒化物半導体エピタキシャル基板1を製造する方法の一実施形態について説明する。図1(A)〜(E)は、本発明の一実施形態に従うIII族窒化物半導体エピタキシャル基板1の製造方法フローチャートである。図1に示すように、本発明の一実施形態に従うIII族窒化物半導体エピタキシャル基板1の製造方法は、C面が0.46度以上0.54度以下のオフ角で傾斜したサファイア基板10の主面上に、AlN層をエピタキシャル成長させる第1工程(図1(A),(B))と、AlN層20を、前記第1工程における成長温度よりも高温で熱処理する第2工程(図1(C))と、該第2工程の後、AlN層20上に、少なくともAlを含む、第1の層31および第2の層32をこの順に有するIII族窒化物積層体30を形成する第3工程(図1(E))と、を含む。ここで、第3工程において、第2の層32のAl組成比yを、第1の層31のAl組成比xよりも小さくし、第2の層32の(0002)面の2θ−ωスキャンX線回折ピークにより算出されるc軸歪み量を、引張方向に0.66%以上とする。図1(E)は、この製造方法によって得られたIII族窒化物半導体エピタキシャル基板1の模式断面図である。以下、各工程の詳細を順に説明する。
第1工程では、まず、図1(A)に示すように、既述のサファイア基板10を用意する。次に、図1(B)に示すように、サファイア基板10上にAlN層20をエピタキシャル成長させる。AlN層20は、例えば、有機金属気相成長(MOCVD: Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法や分子線エピタキシ(MBE: Molecular Beam Epitaxy)法、スパッタ法などの公知の薄膜成長方法により形成することができる。
続く第2工程では、上述のようにして得られた、サファイア基板10上のAlN層20に対して、第1工程における成長温度よりも高温で熱処理を施す。この熱処理は、公知の熱処理炉を用いて行うことができる。かかる熱処理を行うことにより、AlN層の(10−12)面のX線ロッキングカーブの半値幅を400秒以下とすることができる。
続く第3工程では、AlN層20上に、第1の層31および第2の層32をこの順に有する、少なくともAlを含むIII族窒化物積層体30を形成する。すなわち、図1(D),(E)に示すように、AlN層20上にまず、第1の層31を形成し、次いで第2の層32を形成する。第2の層32のAl組成比yを、第1の層31のAl組成比xよりも小さくし、第2の層32の(0002)面の2θ−ωスキャンX線回折ピークにより算出されるc軸歪み量を引張方向に0.66%以上とする。AlN層20と同様に、第1の層31および第2の層32の形成にあたっては、常法に従いエピタキシャル成長させることができる。
すなわち、本発明の別の実施形態に係るIII族窒化物半導体発光素子100は、III族窒化物半導体エピタキシャル基板1上に活性層40と、不純物ドープ層である第2の層32とは異なる伝導型の半導体層50とをこの順に有する(図5)。
(参考例1)
図1に示したフローチャートに従って、参考例1に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板およびIII族窒化物半導体発光素子を作製した。まず、サファイア基板(直径2インチ、厚さ:430μm、面方位:(0001)、m軸方向オフ角θ:0.1度、テラス幅:100nm、ステップ高さ:0.20nm)を用意した(図1(A))。次いで、MOCVD法により、上記サファイア基板上に中心膜厚0.60μm(平均膜厚0.61μm)のAlN層を成長させ、AlNテンプレート基板とした(図1(B))。その際、AlN層の成長温度は1300℃、チャンバ内の成長圧力は10Torrであり、V/III比が163となるようにアンモニアガスとTMAガスの成長ガス流量を設定した。V族元素ガス(NH3)の流量は200sccm、III族元素ガス(TMA)の流量は53sccmである。なお、AlN層の膜厚については、光干渉式膜厚測定機(ナノスペックM6100A;ナノメトリックス社製)を用いて、ウエハ面内の中心を含む、等間隔に分散させた計25箇所の膜厚を測定した。
参考例1におけるサファイア基板のオフ角を0.35度に変えた以外は、参考例1と同じ条件で、参考例2に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板およびIII族窒化物半導体発光素子を作製した。
参考例1におけるサファイア基板のオフ角を0.5度に変えた以外は、参考例1と同じ条件で、参考例3に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板およびIII族窒化物半導体発光素子を作製した。
参考例1におけるサファイア基板のオフ角を1度に変えた以外は、参考例1と同じ条件で、参考例4に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板およびIII族窒化物半導体発光素子を作製した。
参考例1におけるサファイア基板のオフ角を2度に変えた以外は、参考例1と同じ条件で、参考例5に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板およびIII族窒化物半導体発光素子を作製した。
参考例1においてAlNテンプレート基板に施した熱処理を行わなかった以外は、参考例1と同じ条件で、参考例6に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板およびIII族窒化物半導体発光素子を作製した。
参考例2においてAlNテンプレート基板に施した熱処理を行わなかった以外は、参考例2と同じ条件で、参考例7に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板およびIII族窒化物半導体発光素子を作製した。
参考例3においてAlNテンプレート基板に施した熱処理を行わなかった以外は、参考例3と同じ条件で、参考例8に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板およびIII族窒化物半導体発光素子を作製した。
参考例4においてAlNテンプレート基板に施した熱処理を行わなかった以外は、参考例4と同じ条件で、参考例9に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板およびIII族窒化物半導体発光素子を作製した。
参考例5においてAlNテンプレート基板に施した熱処理を行わなかった以外は、参考例5と同じ条件で、参考例10に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板およびIII族窒化物半導体発光素子を作製した。
(参考評価1:AlN層の結晶性評価)
参考例1において、AlNテンプレート基板を形成し熱処理を施した直後のX線ロッキングカーブのAlN層の(10−12)面の半値幅を、X線回折装置(D8 DISCOVER AUTOWAFS;Bruker AXS社製)を用いて2θ−ωスキャンによって評価したところ、281秒であった。参考例2〜5についても同様の測定を行った。結果を表1に示す。また、AlNテンプレート基板に対して熱処理を施していない参考例6については、AlN層を形成した直後のX線ロッキングカーブの(10−12)面の半値幅を測定したところ、1404秒であった。参考例7〜10についても同様の測定を行った。結果を表1に示す。
参考例1に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板のn型層のX線ロッキングカーブの(10−12)面の半値幅を、参考評価1と同様に評価したところ、450秒であった。参考例2〜10についても同様の測定を行った。結果を表1に示す。
参考例1に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板のn型層のシート抵抗(Rsh)を、非接触式シート抵抗測定器(RS−25;Lehighton社製)により測定したところ、53Ω/□であった。参考例2〜10についても、同様の測定を行った。結果を表1に示す。
参考例1のIII族窒化物半導体発光素子をフリップチップ型に実装して、発光特性を評価した。すなわち、まずp型GaN層上にマスクを形成してドライエッチングによるメサエッチングを行い、n型層を露出させた。次いで、p型GaN層上には、Ni/Auからなるp型電極を形成し、露出したn型層上には、Ti/Alからなるn型電極を形成した。なお、p型電極のうち、Niの厚みは50Åであり、Auの厚みは1500Åである。また、n型電極のうち、Tiの厚みは200Åであり、Alの厚みは1500Åである。最後に、550℃でコンタクトアニール(RTA:Rapid Thermal Annealing)を行った。こうして作製したフリップチップ型のIII族窒化物半導体発光素子を、積分球により電流20mAのときの発光出力Po(mW)を測定したところ、0.97mWであった。また、ピーク発光波長の半値幅(FWHM)を測定したところ、8.7nmであった。参考例2〜10についても、同様に評価し、発光出力および半値幅を測定した。結果を表1に示す。ただし、参考例6〜10の半値幅は評価することができなかったので、表中、"−"と表記している。また、参考例1〜5について、サファイア基板のオフ角に対する発光出力および半値幅の関係を図6に示す。
(実施例1)
参考例3(オフ角0.5度)における第1の層としてのアンドープ層の層厚を2μmに変えた以外は、参考例3と同様にして、実施例1に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板を作製した。次いで、参考例1と同様に、活性層、p型ブロック層、p型クラッド層およびp型GaN層を形成し、実施例1に係るIII族窒化物半導体を作製した。
参考例3と同じ条件で、実施例1に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板を作製した。次いで、参考例3と同様に、活性層、p型ブロック層、p型クラッド層およびp型GaN層を形成し、比較例1に係るIII族窒化物半導体発光素子を作製した。
参考例3におけるn型層の層厚を1.5μmに変えた以外は、参考例3と同様にして、比較例2に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板を作製した。次いで、参考例3と同様に、活性層、p型ブロック層、p型クラッド層およびp型GaN層を形成し、比較例2に係るIII族窒化物半導体発光素子を作製した。
(評価1:c軸歪み量の測定)
実施例1に係るIII族窒化物半導体エピタキシャル基板のn型層の(0002)面のX線回折ピークを、参考評価1において用いたX線回折装置により2θ−ωスキャンによって評価し、2θのピーク値を求め、c軸の格子定数を求めた。次いで、ベガード則による無ひずみ状態でのc軸格子定数から、c軸歪み量(%単位)を求めたところ、歪み量は引張方向に0.687%(+0.687%)であった。比較例1,2についても同様にc軸歪み量を測定した。結果を表2に示す。表中、「+(プラス)」の記号は引張方向の歪みであることを意味し、「−(マイナス)」の記号は、圧縮方向の歪みであることを意味する。
参考評価4と同様に、実施例1に係るIII族窒化物半導体発光素子をフリップチップ型に実装して、発光出力および発光中心波長の評価を行った。実施例1に係るIII族窒化物半導体発光素子を積分球により電流20mAのときの発光出力Po(mW)を測定したところ、2.5mWであった。また、III族窒化物半導体発光素子の寿命特性を測定するために、500時間経過後の残存光量を測定したところ、初期の光量に対して91%であった。比較例1,2についても同様に発光出力および500時間経過後の残存光量を測定した。結果を表2に示す。また、評価1により得られたc軸歪み量に対する500時間経過後の残存光量を示すグラフを図7に示す。なお、順方向電圧(Vf)についても表2に併せて示す。
10 サファイア基板
10A サファイア基板の主面
20 AlN層
30 III族窒化物積層体
31 第1の層(アンドープ層)
32 第2の層(不純物ドープ層)
40 活性層
50 半導体層
100 III族窒化物半導体発光素子
Claims (2)
- サファイア基板と、該サファイア基板の主面上に形成されたAlN層と、該AlN層上に形成された、少なくともAlを含むIII族窒化物積層体と、を有するIII族窒化物半導体エピタキシャル基板であって、
前記III族窒化物積層体は、第1の層および第2の層をこの順に有し、
前記第1の層のAl組成比xが、前記第2の層のAl組成比yよりも大きく、
前記サファイア基板の主面は、C面が0.46度以上0.54度以下のオフ角で傾斜した面であり、
前記AlN層の(10−12)面のX線ロッキングカーブの半値幅が400秒以下であり、
前記第2の層の(0002)面の2θ−ωスキャンX線回折ピークにより算出されるc軸歪み量が引張方向に0.66%以上であるIII族窒化物半導体エピタキシャル基板と、
該III族窒化物半導体エピタキシャル基板上に、発光層と、前記第2の層とは異なる伝導型の半導体層とをこの順に有するIII族窒化物半導体発光素子。 - 前記発光層のピーク発光波長が300nm以下である、請求項1に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
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