JP6582981B2 - 透光性基板、有機ｌｅｄ素子、透光性基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、透光性基板、有機ＬＥＤ素子、透光性基板の製造方法に関する。

有機ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）素子は、ディスプレイ、バックライト、および照明用途等に広く用いられている。

一般的な有機ＬＥＤ素子は、ガラス基板上に設置された第１の電極（陽極）と、第２の電極（陰極）と、これらの電極間に設置された有機発光層とを有する。電極間に電圧を印加すると、それぞれの電極から、有機発光層にホールおよび電子が注入される。このホールと電子が有機発光層内で再結合された際に、結合エネルギーが生じ、この結合エネルギーによって有機発光層中の有機発光材料が励起される。励起した発光材料が基底状態に戻る際に発光が生じるため、これを利用することにより、発光（ＬＥＤ）素子が得られる。

通常、第１の電極、すなわち陽極には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）のような透明導電層が使用され、第２の電極、すなわち陰極には、アルミニウムおよび銀等の金属電極層が使用される。

通常、有機ＬＥＤ素子を製造する場合、Ｂｉ等を含有するガラス基板の上に第１の電極として、透明導電層が形成される。（ガラス基板の上に透明導電層が形成されて構成される部材は、しばしば、「透光性基板」と称される。「透光性基板」は、例えば、有機ＬＥＤ素子等の製品に至る前の半製品として利用される。）
なお、特許文献１には、Ｂｉ_２Ｏ_３を主成分とする光学ガラスは、非酸化性雰囲気において、ガラス成分中のビスマスが還元されて亜酸化ビスマス、金属ビスマス等が析出し、着色（黒色）や表面荒れが発生する旨開示されている。そして、このような着色や表面荒れはガラス表面の欠陥になると共に、透過率を低下させる原因となりうるとされている。

日本国特開２０１０−２１５４２６号公報

上記した特許文献１に開示されているように、Ｂｉ等を含有するガラス基板は周囲の環境により変色等する場合がある。そして、本願発明者等の研究では、ガラス基板の上にＩＴＯ膜を形成した際に、しばしば、ガラス基板に着色が生じる現象が認められている。

このようなガラス基板の着色は、透光性基板、さらには有機ＬＥＤ素子の特性に大きな影響を及ぼす。例えば、着色が生じたガラス基板を備える有機ＬＥＤ素子では、使用時に、有機発光層において生じた光が素子内部で吸収されてしまい、光の取り出し効率が大きく低下してしまうという問題が生じ得る。

本発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、着色の発生が有意に抑制された透光性基板、およびそのような透光性基板を有する有機ＬＥＤ素子を提供することを目的とする。また、本発明では、着色の発生が有意に抑制された透光性基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明では、Ｂｉ、Ｔｉ、およびＳｎからなる群から選定された少なくとも一つの元素を含むガラス基板と、
該ガラス基板上に形成された被覆層と、
該被覆層上に形成された透明導電膜とを有し、
前記被覆層は充填率が８５％以上であり、
前記透明導電膜は、前記ガラス基板に近い側の方が、前記ガラス基板から遠い側に比べて酸化の程度が高い状態となっていることを特徴とする透光性基板が提供される。

また、本発明では、ガラス基板と、
該ガラス基板上に形成されたＢｉ、Ｔｉ、およびＳｎからなる群から選定された少なくとも一つの元素を含む散乱層と、
該散乱層上に形成された被覆層と、
該被覆層上に形成された透明導電膜とを有し、
前記透明導電膜は、ＩＴＯ膜、ＳｎＯ _２ 膜、ＧＺＯ膜、ＩＺＯ膜、ＡｌドープＺｎＯ膜、ＴａドープＳｎＯ _２ 膜、およびＴｉドープＩｎ _２ Ｏ _３ 膜のいずれかであり、
前記被覆層は充填率が８５％以上であり、
前記被覆層は、Ａｌ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する酸化物と、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒素酸化物と、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒化物と、から選択された１種以上を含有することを特徴とする透光性基板が提供される。

本発明の透光性基板においては、前記被覆層がＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する酸化物を含んでいてもよい。

本発明の透光性基板においては、前記被覆層がＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒素酸化物を含んでいてもよい。

本発明の透光性基板においては、前記被覆層がＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒化物を含んでいてもよい。

また、本発明の透光性基板において、前記透明導電膜は、前記ガラス基板に近い側の方が、前記ガラス基板から遠い側に比べて酸化の程度が高い状態となっていてもよい。

また、本発明の透光性基板において、前記透明導電膜は、前記ガラス基板に近い側から前記ガラス基板から遠い側に向かって、酸化の程度が連続的にまたは不連続に低下していてもよい。

本発明の透光性基板において、前記透明導電膜は、２ｎｍ〜５００ｎｍの厚さを有していてもよい。

本発明の透光性基板において、前記透明導電膜は、少なくとも２層の膜で構成され、前記ガラス基板に近い側の第１の透明導電層と、前記ガラス基板から遠い側の第２の透明導電層を有し、
前記第１の透明導電層は、前記第２の透明導電層よりも酸化の程度が高い状態となっていてもよい。

本発明の透光性基板において、前記透明導電膜は、２．３８×１０^−４Ωｃｍ未満の抵抗率を有していてもよい。

本発明の透光性基板において、前記透明導電膜は、０．００８６以下の消衰係数を有していてもよい。

さらに本発明では、ガラス基板と、第１の電極層と、有機発光層と、第２の電極層とをこの順に有する有機ＬＥＤ素子であって、
前述の透光性基板を備える、有機ＬＥＤ素子が提供される。

また、本発明においては、ガラス基板と、該ガラス基板上に形成された被覆層と、該被覆層上に形成された透明導電膜とを有する透光性基板の製造方法であって、
Ｂｉ、Ｔｉ、およびＳｎからなる群から選定された少なくとも一つの元素を含むガラス基板を準備するステップと、
前記ガラス基板上に、乾式の成膜方法により被覆層を成膜するステップと、
前記被覆層上に透明導電膜を成膜するステップと、
を有し、
前記透明導電膜を成膜するステップにおいて、前記透明導電膜は、前記ガラス基板に近い側の方が、前記ガラス基板から遠い側に比べて酸化の程度が高い状態となるように成膜されていることを特徴とする透光性基板の製造方法が提供される。

また、本発明においては、ガラス基板と、該ガラス基板上に形成された散乱層と、該散乱層上に形成された被覆層と、該被覆層上に形成された透明導電膜とを有する透光性基板の製造方法であって、
ガラス基板上に、ガラスからなるベース材と、該ベース材中に分散された複数の散乱物質とを有する散乱層を設置するステップであって、前記散乱層は、Ｂｉ、Ｔｉ、およびＳｎからなる群から選定された少なくとも一つの元素を含むステップと、
前記散乱層上に、乾式の成膜方法により被覆層を成膜するステップと、
前記被覆層上に透明導電膜を成膜するステップと、
を有し、
前記透明導電膜は、ＩＴＯ膜、ＳｎＯ _２ 膜、ＧＺＯ膜、ＩＺＯ膜、ＡｌドープＺｎＯ膜、ＴａドープＳｎＯ _２ 膜、およびＴｉドープＩｎ _２ Ｏ _３ 膜のいずれかであり、
前記被覆層は、Ａｌ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する酸化物と、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒素酸化物と、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒化物と、から選択された１種以上を含有することを特徴とする透光性基板の製造方法が提供される。

本発明の透光性基板の製造方法においては、前記被覆層がＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する酸化物を含んでいてもよい。

本発明の透光性基板の製造方法においては、前記被覆層がＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒素酸化物を含んでいてもよい。

本発明の透光性基板の製造方法においては、前記被覆層がＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒化物を含んでいてもよい。

本発明の透光性基板の製造方法においては、前記透明導電膜を成膜するステップにおいて、前記透明導電膜は、前記ガラス基板に近い側の方が、前記ガラス基板から遠い側に比べて酸化の程度が高い状態となるように成膜されていてもよい。

本発明の透光性基板の製造方法においては、前記透明導電膜を成膜するステップにおいて、前記透明導電膜は、前記ガラス基板に近い側から前記ガラス基板から遠い側に向かって、酸化の程度が連続的にまたは不連続に低下していてもよい。

本発明の透光性基板の製造方法においては、前記透明導電膜を成膜するステップにおいて、前記透明導電膜は、２ｎｍ〜５００ｎｍの厚さを有していてもよい。

本発明の透光性基板の製造方法においては、前記透明導電膜を成膜するステップは、
（ｉ）第１の透明導電層を成膜するステップと、その後、
（ｉｉ）前記第１の透明導電層の上部に、第２の透明導電層を成膜するステップと、
を有し、
前記第１の透明導電層は、前記第２の透明導電層よりも酸化の程度が高い状態となるように成膜されてもよい。

本発明の透光性基板の製造方法においては、前記透明導電膜は、２．３８×１０^−４Ωｃｍ未満の抵抗率を有していてもよい。

本発明の透光性基板の製造方法においては、前記透明導電膜は、０．００８６以下の消衰係数を有していてもよい。

本発明では、着色の発生が有意に抑制された透光性基板、およびそのような透光性基板を有する有機ＬＥＤ素子を提供することができる。また、本発明では、着色の発生が有意に抑制された透光性基板の製造方法を提供することができる。

本発明の一形態による第１の透光性基板の概略的な断面図である。 本発明の一形態による第２の透光性基板の概略的な断面図である。 本発明の一形態による第３の透光性基板の概略的な断面図である。 本発明の一形態による有機ＬＥＤ素子の概略的な断面図である。 本発明による有機ＬＥＤ素子の製造方法の一例を概略的に示したフロー図である。

以下、図面を参照して、本発明について詳しく説明する。

なお、本実施の形態では、透明導電膜としてＩＴＯ膜を用いた例により説明しているが、ＩＴＯ膜だけではなく各種透明導電膜を成膜する際には、Ｂｉ等を含有するガラス基板や散乱層に着色を生じる恐れがある。このため、本実施形態の透光性基板においては、ＩＴＯ膜に限定されるものではなく、ＩＴＯ膜にかえて各種透明導電膜を適用できる。そして、ＩＴＯ膜にかえて透明導電膜を適用した場合においても、透明導電膜はＩＴＯ膜を例に説明した各種条件（パラメータ）を充足することが好ましい。すなわち、以下の本文中の「ＩＴＯ膜」、「ＩＴＯ層」は「透明導電膜」、「透明導電層」に読み替えることができる。

透明導電膜としては上述のＩＴＯ膜に加えて、例えばＳｎＯ_２（酸化スズ）膜、ＧＺＯ（ガリウム亜鉛酸化物）膜、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）膜、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）膜、ＴａドープＳｎＯ_２膜、およびＴｉドープＩｎ_２Ｏ_３膜等が挙げられる。

（第１の透光性基板）
図１には、本発明の一形態による第１の透光性基板の概略的な断面図を示す。

図１に示すように、本発明の一形態による第１の透光性基板１００は、ガラス基板１１０と、該ガラス基板１１０上に形成された被覆層１２０と、該被覆層１２０上に形成されたＩＴＯ膜１３０とを有している。

ガラス基板１１０は、ビスマス（Ｂｉ）、チタン（Ｔｉ）、およびスズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも一つの元素を含む。

そして、ガラス基板１１０上には、すなわち、ガラス基板１１０と、ＩＴＯ膜１３０との間には被覆層１２０が設けられている。被覆層１２０は、乾式の成膜方法により成膜された膜となっている。

ここで、このような被覆層１２０の効果について説明する。

本願発明者らの検討によれば、ガラス基板の上にＩＴＯ膜を形成した際、しばしば、ガラス基板に着色が生じることが認められている。このようなガラス基板の着色は、透光性基板、さらには有機ＬＥＤ素子の特性に大きな影響を及ぼす。例えば、着色が生じたガラス基板を備える有機ＬＥＤ素子では、使用時に、有機発光層において生じた光が素子内部で吸収されてしまい、光の取り出し効率が大きく低下してしまうという問題が生じ得る。

なお、国際公開第２００９／０１７０３５号の段落[０１３０]に、散乱層ベース材の透過率と有機ＬＥＤ素子における光取り出し効率の関係が示されており、散乱層の吸収が強くなるに従って、有機ＬＥＤの光取り出し効率が低下することが示されている。したがって、本実施形態の透光性基板においては、ガラス基板や後述する散乱層の着色を抑制し、ガラス基板や散乱層の吸収を抑制することによって、有機ＬＥＤ素子からの光の取り出し効率を向上することができる。

このようなガラス基板の着色は、ガラス基板に特定の成分が含まれている場合、より具体的には、ガラス基板中に、ビスマス（Ｂｉ）、チタン（Ｔｉ）、およびスズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも一つの元素（以下、これらの元素をまとめて「被還元性元素」と称する）が含まれている場合に、生じる傾向にある。

一方、通常、ＩＴＯ膜を成膜する際の雰囲気は、比較的酸素の少ない雰囲気となっている。これは、「酸素過剰」な雰囲気下でＩＴＯ膜を成膜すると、得られるＩＴＯ膜の導電性が低下してしまい、素子の電極として使用することが難しくなるからである。

これらの事実から考察すると、ガラス基板の着色は、ガラス基板上にＩＴＯ膜を成膜する際に、ガラス基板の晒される環境が酸素欠乏となることに起因しているものと考えられる。すなわち、ＩＴＯ膜の成膜過程において、ガラス基板の近傍が酸化性の弱い雰囲気となるため、ガラス基板中の被還元性元素が還元され、これにより、ガラス基板が着色するものと考えられる。

以上の考察に基づき、本発明では、ガラス基板１１０の、ＩＴＯ膜１３０と対向する面に乾式の成膜方法により成膜された被覆層１２０を設けている。

湿式の成膜方法により成膜された膜は、乾燥工程等において溶媒（分散媒）が蒸発するため膜内に微細な孔を有する。これに対して、乾式の成膜方法により成膜された膜は、溶媒（分散媒）の蒸発を伴わないため、緻密な膜とすることができる。

そして、このような緻密な膜である被覆層１２０をガラス基板１１０のＩＴＯ膜１３０と対向する面に設けておくことにより、ＩＴＯ膜１３０を成膜する際の雰囲気による、ガラス基板１１０に含まれる被還元性元素の還元反応を抑制することができる。これは、被覆層１２０がバリア層として機能するためと考えられる。

このように、乾式の成膜方法により成膜された被覆層１２０を設けることにより、ＩＴＯ膜１３０を成膜する際の雰囲気である酸化性の弱い雰囲気と、ガラス基板１１０に含まれる被還元性元素とが接触する確率を低減できる。このため、ガラス基板１１０の着色の発生を有意に抑制することが可能になる。また、被覆層１２０は、例えば、ＩＴＯ膜１３０のパターン処理の際などにおいて、ガラス基板１１０の溶出や劣化等を防止する耐エッチングバリアとしても機能する。

ここで、被覆層１２０を形成する際の乾式の成膜方法については特に限定されるものではないが、例えば、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法を挙げることができる。なお、スパッタ法により被覆層１２０を形成する場合、その成膜する際の雰囲気として、アルゴンおよび／または酸素を含む雰囲気中で成膜できる。特に生産性の観点から、アルゴンを含む雰囲気中で成膜を行うことが好ましい。なお、この場合、成膜した被覆層１２０には雰囲気中のアルゴンが混入することから、得られる被覆層は、アルゴンを含む膜とすることができる。

ガラス基板等に着色が生じる問題はＩＴＯ膜の成膜に特有の問題であるため、被覆層１２０の成膜の際の雰囲気中の酸素濃度は特に問題とならない。ただし、被覆層１２０を成膜する過程においてもガラス基板１１０に着色が生じることを確実に防止するため、酸素を含む雰囲気下で被覆層１２０の成膜を行うことが好ましい。例えば被覆層１２０を成膜する際の雰囲気中の酸素濃度を１０ｖｏｌ％以上とすることが好ましく、１５ｖｏｌ％以上とすることがより好ましい。なお、酸素濃度の上限値は特に限定されるものではなく、成膜する被覆層の材料等により選択することができる。例えば９０ｖｏｌ％以下とすることが好ましく、８０ｖｏｌ％以下とすることがより好ましい。

また、被覆層１２０については上述のように乾式の成膜方法により成膜されていればよく、その材質や構成は特に限定されるものではない。また、被覆層１２０は1種類の物質のみから構成されている必要はなく、複数の物質が含まれていてもよい。また、複数の層から構成することもできる。例えば、被覆層１２０は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する酸化物を含むことができる。また、被覆層１２０は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒素酸化物を含むことができる。また、被覆層１２０は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒化物を含むことができる。

また、被覆層１２０は、充填率が例えば８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。この場合の上限値は特に限定されず、例えば１００％以下とすることができる。被覆層１２０の充填率が上記範囲の場合、特に、ＩＴＯ膜１３０を成膜する際の雰囲気による、ガラス基板１１０に含まれる被還元性元素の還元反応を抑制することができるため好ましい。

なお、ここで、充填率とは、実測密度を、被覆層の組成から算出した理論密度で除し、１００倍することにより算出できる。例えば、Ｘ線反射率測定器を用いて測定した膜の実測密度を、膜の組成から算出した理論密度で除し、得られた値を１００倍することにより算出できる。被覆膜の密度測定に当たって、膜厚方向の密度変化がある場合は、膜中で最も高い密度を該被覆膜の実測密度とすることができる。

また、被覆膜１２０のＩＴＯ膜１３０を積層する面については表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは２．０ｎｍ以下であることが好ましく、１．０ｎｍ以下であることがより好ましい。なお下限値については特に限定されず、例えば０ｎｍ以上であればよい。

表面粗さＲａが上記範囲の場合、被覆層１２０のＩＴＯ膜１３０を積層する面が平滑であることを示しており、ＩＴＯの結晶核が良好に成長するため好ましい。

また、被覆層１２０の屈折率は、ガラス基板１１０の屈折率に近い方が好ましい。これはガラス基板１１０の屈折率と被覆層１２０の屈折率の差が大きい場合には、被覆層１２０の膜厚バラツキにより、有機ＬＥＤの発光色が干渉の影響を受けてばらつく場合があるためである。一方ガラス基板１１０の屈折率と被覆層１２０の屈折率が近い場合には、被覆層１２０の膜厚ばらつきがあっても干渉条件が変化しない為、有機ＬＥＤの発光色は変動を受けないためである。波長５５０ｎｍの光に対する、ガラス基板１１０の屈折率と被覆層１２０の屈折率の差は、マイナス０．１５以上プラス０．１５以下であることが好ましく、マイナス０．１以上プラス０．１以下であることがより好ましく、マイナス０．０５以上プラス０．０５以下であることがさらに好ましい。

被覆層は、ＩＴＯ膜のエッチング液（例えば塩酸５０ａｔ％と塩化第二鉄５０ａｔ％混合液）に対して侵食されにくい性質を有することが好ましい。これは、ＩＴＯのパターニングの際に被覆層が侵食されてしまうと、散乱層のベース材やガラス基板もエッチング液に侵食されて、素子として使用できなくなるおそれがあるためである。そのため、被覆層は酸化亜鉛等の酸性液に溶けやすい材料は適さない。

ＩＴＯ膜１３０は、第１の透光性基板１００から完成製品、例えば有機ＬＥＤ素子が構成された際に、一方の電極（陽極）として機能する。

ＩＴＯ膜１３０は、前記ガラス基板１１０に近い側にある第１の表面１３２と、前記ガラス基板１１０から遠い側にある第２の表面１３４とを有する。

本実施形態において、ＩＴＯ膜１３０の構成は特に限定されるものではなく、例えば、上述のように、所定の導電性を得るために比較的酸素の少ない雰囲気において成膜してもよい。これは、本実施形態の第１の透光性基板は上述の被覆層１２０を設けているため、ＩＴＯ膜１３０の成膜条件によらずガラス基板の着色を抑制できるためである。

ＩＴＯ膜１３０としては、上述のように、比較的酸素の少ない雰囲気において成膜してもよく、ＩＴＯ膜１３０を成膜する際に成膜条件を変化させずに略均一な組成を有するＩＴＯ膜１３０とすることができる。また特に、ＩＴＯ膜１３０は、第１の表面１３２側が第２の表面１３４側に比べて、酸化度合い（酸化の程度）が高い状態とすることが好ましい。この場合、第２の表面１３４側での導電性は、第１の表面１３２側よりも高くなる。

ここで、ＩＴＯ膜１３０の第１の表面１３２側が第２の表面１３４側に比べて、酸化度合い（酸化の程度）が高い状態とした場合の効果について説明する。

上述のように、通常、ＩＴＯ膜を成膜する際の雰囲気は、比較的酸素の少ない雰囲気となっており、従来は係る雰囲気に起因してガラス基板が着色していたと考えられる。これについて本実施形態の第1の透光性基板においては、所定の被覆層１２０を設けることにより、ガラス基板の着色を抑制している。

そして、上述のように、ＩＴＯ膜１３０の第１の表面１３２側が第２の表面１３４側に比べて、酸化度合い（酸化の程度）が高い状態とする場合、ＩＴＯ膜の成膜過程において、初期の段階では、成膜雰囲気を従来よりも「酸素過剰」な条件とすることとなる。これにより、成膜の際のガラス基板の近傍の雰囲気がより強い酸化性となり、ガラス基板中の被還元性元素の還元を特に抑制できる。その結果、上記被覆層１２０の働きとあわせて、ガラス基板の着色をより抑制することができる。

ただし、ＩＴＯ膜全体をそのような「酸素過剰」な条件で成膜してしまうと、今度は、前述のように、ＩＴＯ膜の抵抗が高くなってしまい、ＩＴＯ膜を素子の電極として使用することができなくなってしまう。

このため、初期の「酸素過剰」な条件下での成膜によって、「酸化の程度が高い」ＩＴＯ膜部分（以降、「第１のＩＴＯ部分」１３６と称する）が形成された以降は、成膜条件を例えば通常のものに戻し、「酸化の程度が低い」ＩＴＯ膜部分（以降、「第２のＩＴＯ部分」１３８と称する）を形成し、ＩＴＯ膜全体を構成することが好ましい。

このような方法でＩＴＯ膜１３０を形成した場合、被覆層１２０に加えて第１のＩＴＯ部分１３６も、第２のＩＴＯ部分１３８を成膜する際に、ガラス基板１１０に含まれる被還元性元素の還元反応に対するバリア層として機能する。このため、従来のような酸素欠乏環境で第２のＩＴＯ部分１３８を成膜しても、ガラス基板１１０中の被還元性元素が還元されることを特に抑制することができる。その結果、ガラス基板１１０の着色がより有意に抑制される。

またこの場合、第２のＩＴＯ部分１３８は、第１のＩＴＯ部分１３６に比べて導電性が高くなっているため、これにより、ＩＴＯ膜１３０全体としての抵抗上昇を抑制できる。

従って、成膜条件を変化させることなくＩＴＯ膜１３０を成膜した場合と比較して、ガラス基板１１０の着色をより抑制し、ＩＴＯ膜１３０の抵抗上昇も抑制することが可能となる。

上述のように、ＩＴＯ膜１３０が、酸化の程度が高い第１のＩＴＯ部分１３６および酸化の程度が低い第２のＩＴＯ部分１３８を有する場合において、第１のＩＴＯ部分１３６から第２のＩＴＯ部分１３８までの間の酸化の程度の変化の態様は、特に限定されない。

例えば、ＩＴＯ膜１３０の酸化の程度は、第１の表面１３２から第２の表面１３４まで、連続的に変化しても良く、または不連続に（例えばステップ状に）変化しても良く、連続部分と不連続部分を組み合わせた態様で変化しても良い。また、酸化の程度が連続的に変化する場合、その変化は、直線的であっても曲線的であっても良い。あるいは、第１のＩＴＯ部分１３６と第２のＩＴＯ部分１３８との間に、酸化の程度が最も低い、第３のＩＴＯ部分が存在しても良い。

さらに言えば、第１のＩＴＯ部分１３６および第２のＩＴＯ部分１３８という表現は、単なる便宜的なものに過ぎず、両者は、必ずしも明確に識別できる必要はない。

なお、ここまでの説明で用いてきた、ＩＴＯ膜の「酸化の程度」および「酸化度合い」という用語は、２つの比較対象の間の差異を表現するために相対的に使用される指標であることに留意する必要がある。

ＩＴＯ膜１３０の「酸化度合い」は、例えば、２つの比較対象のそれぞれに対して、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）分析を行うことにより、相対的に評価できる。

ＩＴＯ膜１３０の抵抗率は特に限定されるものではないが、例えば、２．３８×１０^−４Ωｃｍ未満であっても良い。

なお、ここでいうＩＴＯ膜１３０の抵抗率とは、ＩＴＯ膜１３０全体での抵抗率を意味している。従って、成膜条件を変化させずに成膜され略均一な組成を有する構成の場合であっても、ＩＴＯ膜内での酸化の程度が異なった構成（均一ではない構成）であっても、ＩＴＯ膜１３０の抵抗率が上記範囲に入っていることが好ましく、膜の構成は限定されない。

また、ＩＴＯ膜１３０の膜厚は特に限定されるものではなく、供給する電力、基材搬送速度等に応じて選択可能だが、例えば２ｎｍ〜５２０ｎｍの厚さを有してもよく、より好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍの厚さとすることができる。

また、ＩＴＯ膜は、消衰係数が０．００８６以下であることが好ましい。消衰係数は例えばエリプソメトリー法により評価可能であり、ＩＴＯ膜を成膜する際の雰囲気によりその値が変化する。そして、ＩＴＯ膜の消衰係数が上記範囲にあることは、少なくともＩＴＯ膜の一部を成膜する際に十分に酸素の少ない雰囲気下において成膜がなされたことを意味している。このため、ＩＴＯ膜が、消衰係数について上記規定を満たす場合、該ＩＴＯ膜のホール抵抗率が十分に低いことを示している。なお、ここでの消衰係数は、ＩＴＯ膜が単層の場合や後述のように多層から構成されている場合のいずれの場合であってもＩＴＯ膜全体について測定した場合の値である。なお、本明細書において消衰係数は波長５５０ｎｍにおけるものと定義する。

なお、既述のように、ＩＴＯ膜は各種透明導電膜とすることもできる。ＩＴＯ膜にかえて透明導電膜とした場合、透明導電膜は上述のＩＴＯ膜と同様の条件を満たすことが好ましい。透明導電膜については既述のため、ここでは説明を省略する。

（第２の透光性基板）
次に、本発明の一形態による第２の透光性基板について説明する。

図２には、本発明の一形態による第２の透光性基板の概略的な断面図を示す。

図２に示すように、第２の透光性基板２００も、基本的に、第１の透光性基板１００と同様に構成される。従って、図２において、図１と同様の部材には、図１の部材の参照符号に１００を加えた参照符号が使用されている。

しかしながら、図２に示す第２の透光性基板２００は、ＩＴＯ膜２３０の構成が、図１のＩＴＯ膜１３０とは異なっている。すなわち、第１の表面２３２および第２の表面２３４を有するＩＴＯ膜２３０は、少なくとも２つの層を有する多層化構造を有する。例えば、図２において、ＩＴＯ膜２３０は、ガラス基板２１０に近い側に設置された第１のＩＴＯ層２３５と、ガラス基板２１０から遠い側に配置された第２のＩＴＯ層２３７とを有する。

そして、この場合、第１のＩＴＯ層２３５と、第２のＩＴＯ層２３７の構成は特に限定されるものではない。例えば、第１のＩＴＯ層２３５と、第２のＩＴＯ層２３７の酸化の程度は同じ、または、いずれか一方のＩＴＯ層について他方のＩＴＯ層よりも酸化の程度を高い状態とすることができる。

ただし、第１のＩＴＯ層２３５は、第２のＩＴＯ層２３７に比べて、酸化の程度が高い状態となっていることが好ましい。この場合、第２のＩＴＯ層２３７は、第１のＩＴＯ層２３５に比べて、導電性が高くなる。

このように第１のＩＴＯ層２３５の方が第２のＩＴＯ層２３７に比べて酸化の程度が高い場合、第２のＩＴＯ層２３７を成膜する際、第１のＩＴＯ層２３５を成膜する際よりも酸化性の低い雰囲気で成膜することとなる。

しかし、被覆層２２０に加えて第１のＩＴＯ層２３５が、該第２のＩＴＯ層２３７を成膜する際の雰囲気による、ガラス基板２１０に含まれる被還元性元素の還元反応を抑制するバリア層として機能する。このため、ガラス基板２１０の変色をより抑制でき好ましい。また、酸化の程度の低い第２のＩＴＯ層２３７を設けることにより、ＩＴＯ膜２３０の抵抗上昇抑制の効果も得ることができる。

なお、図２の例では、ＩＴＯ膜２３０は、２層構造であるが、ＩＴＯ膜２３０は、３層以上の多層化構造で構成されても良い。この場合、ガラス基板に最も近い側のＩＴＯ膜が、他のＩＴＯ膜に比べて、より酸化の程度が高い状態となるように構成されることが好ましい。

第１のＩＴＯ層２３５は、例えば、１ｎｍ〜２０ｎｍの厚さを有しても良い。同様に、第２のＩＴＯ層２３７は、例えば、１ｎｍ〜５００ｎｍの厚さを有しても良い。ＩＴＯ膜２３０全体の厚さは、例えば、２ｎｍ〜５２０ｎｍの範囲であっても良く、２ｎｍ〜５００ｎｍであることがより好ましい。

また、ＩＴＯ膜２３０全体の抵抗率は、例えば、２．３８×１０^−４Ωｃｍ未満であっても良い。なお、ここでいうＩＴＯ膜２３０の抵抗率とは、ＩＴＯ膜２３０全体での抵抗率を意味している。

また、ＩＴＯ膜は、消衰係数が０．００８６以下であることが好ましい。消衰係数については第１の透光性基板において説明したため、ここでは省略する。

なお、既述のように、ＩＴＯ膜は各種透明導電膜とすることもできる。ＩＴＯ膜にかえて透明導電膜とした場合、透明導電膜は上述のＩＴＯ膜と同様の条件を満たすことが好ましい。また、第２の透光性基板においては、例えば第１のＩＴＯ層２３５、第２のＩＴＯ層２３７はそれぞれ第１の透明導電層、第２の透明導電層とすることができる。第１の透明導電層と、第２の透明導電層とは、組成が異なっていてもよい。

透明導電膜については既述のため、ここでは説明を省略する。

（第３の透光性基板）
以上、ガラス基板と、ＩＴＯ膜と、被覆層とで構成される透光性基板を例に、本発明の構成および効果について説明した。しかしながら、本発明は、そのような態様に限られるものではない。

例えば、最近では、透光性基板および有機ＬＥＤ素子からの光取り出し効率を高めることを目的として、ＩＴＯ膜を設置するためのガラス基板の表面に、光を散乱させるための散乱層を設置することが提案されている。

ここで、そのような散乱層は、例えば、ガラス製のベース材と、該ベース材中に分散された散乱物質とで構成される。従って、ガラス製の散乱層が前述の「被還元性元素」を含む場合にも、前述のような問題、すなわち、散乱層の上部にＩＴＯ膜を成膜する際に、散乱層が着色するという問題が生じ得る。

そこで、以下、そのような散乱層の着色の問題を有意に抑制するための、本発明の一実施例による別の透光性基板の構成について説明する。

図３には、本発明の一形態による第３の透光性基板３００の概略的な断面図を示す。

図３に示すように、第３の透光性基板３００は、ガラス基板３１０と、散乱層３４０と、被覆層３２０、ＩＴＯ膜３３０とを有する。

この形態では、前述のガラス基板１１０、２１０とは異なり、ガラス基板３１０は、必ずしも、前述の被還元性元素を含む必要はない。このため、第３の透光性基板においてガラス基板３１０は、ビスマス（Ｂｉ）、チタン（Ｔｉ）、およびスズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも一つの元素、すなわち「被還元性元素」を含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。

散乱層３４０は、第１の屈折率を有するガラス製のベース材３４１と、該ベース材３４１中に分散された、前記ベース材３４１とは異なる第２の屈折率を有する複数の散乱物質３４２とで構成される。散乱層３４０は、ビスマス（Ｂｉ）、チタン（Ｔｉ）、およびスズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも一つの元素、すなわち「被還元性元素」を含む。なお、散乱層３４０が被還元性元素を含むとは、散乱層３４０を構成するベース材３４１および散乱物質３４２のうち、少なくとも一方が被還元性元素を含んでいることを意味している。

そして、散乱層３４０とＩＴＯ膜３３０との間には、乾式の成膜方法により成膜された被覆層３２０が設置されている。被覆層３２０は乾式の成膜方法により成膜されているため緻密な膜となっている。

被覆層３２０を形成する際の乾式の成膜方法については特に限定されるものではないが、例えば、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法を挙げることができる。なお、スパッタ法により被覆層３２０を形成する際、その成膜する際の雰囲気として、アルゴンおよび／または酸素を含む雰囲気中で成膜を行うことができる。特に生産性の観点から、アルゴンを含む雰囲気中で成膜を行うことが好ましい。なお、この場合、成膜した被覆層３２０には雰囲気中のアルゴンが混入することから、得られる被覆層は、アルゴンを含む膜とすることができる。

散乱層に着色が生じる問題はＩＴＯ膜の成膜に特有の問題であるため、被覆層３２０の成膜の際の雰囲気中の酸素濃度は特に問題とならない。ただし、被覆層３２０を成膜する過程においても散乱層３４０に着色が生じることを確実に防止するため、酸素を含む雰囲気下で被覆層３２０の成膜を行うことが好ましい。例えば被覆層３２０を成膜する際の雰囲気中の酸素濃度を１０ｖｏｌ％以上とすることが好ましく、１５ｖｏｌ％以上とすることがより好ましい。なお、酸素濃度の上限値は特に限定されるものではなく、成膜する被覆層の材料等により選択することができる。例えば９０ｖｏｌ％以下とすることが好ましく、８０ｖｏｌ％以下とすることがより好ましい。

また、被覆層３２０については上述のように乾式の成膜方法により成膜されていればよく、その材質や構成は特に限定されるものではない。また、被覆層３２０は1種類の物質のみから構成されている必要はなく、複数の物質が含まれていてもよい。また、複数の層から構成することもできる。例えば、被覆層３２０は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する酸化物を含むことができる。また、被覆層３２０は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒素酸化物を含むことができる。また、被覆層３２０は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒化物を含むことができる。

また、被覆層３２０は、充填率が例えば８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。この場合の上限値は特に限定されず、例えば１００％以下とすることができる。被覆層３２０の充填率が上記範囲の場合、特に、ＩＴＯ膜３３０を成膜する際の雰囲気による、散乱層３４０に含まれる被還元性元素の還元反応を抑制することができるため好ましい。

なお、充填率の算出方法については既に説明したためここでは説明を省略する。

また、被覆膜３２０のＩＴＯ膜３３０を積層する面については表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは２．０ｎｍ以下であることが好ましく、１．０ｎｍ以下であることがより好ましい。なお下限値については特に限定されず、例えば０ｎｍ以上であればよい。

表面粗さＲａが上記範囲の場合、被覆層３２０のＩＴＯ膜３３０を積層する面が平滑であることを示しており、ＩＴＯの結晶核が良好に成長するため好ましい。

また、被覆層３２０の屈折率は、ベース材３４１の屈折率に近い方が好ましい。これはベース材３４１の屈折率と被覆層３２０の屈折率の差が大きい場合には、被覆層３２０の膜厚バラツキにより、有機ＬＥＤの発光色が干渉の影響を受けてばらつく場合があるためである。一方ベース材３４１の屈折率と被覆層３２０の屈折率が近い場合には、被覆層３２０の膜厚ばらつきがあっても干渉条件が変化しない為、有機ＬＥＤの発光色は変動を受けないためである。波長５５０ｎｍの光に対する、ベース材３４１の屈折率と被覆層３２０の屈折率の差は、マイナス０．１５以上プラス０．１５以下であることが好ましく、マイナス０．１以上プラス０．１以下であることがより好ましく、マイナス０．５以上プラス０．５以下であることがさらに好ましい。

係る緻密な膜である被覆層３２０を散乱層３４０のＩＴＯ膜３３０と対向する面に設けておくことにより、ＩＴＯ膜３３０を成膜する際の雰囲気による、散乱層３４０に含まれる被還元性元素の還元反応を抑制することができる。これは、被覆層３２０がバリア層として機能するためと考えられる。

このように、乾式の成膜方法により成膜された被覆層３２０を設けることにより、ＩＴＯ膜３３０を成膜する際の雰囲気である酸化性の弱い雰囲気と、散乱層３４０に含まれる被還元性元素とが接触する確率を低減できる。このため、散乱層３４０の着色の発生を有意に抑制することが可能になる。また、被覆層３２０は、例えば、ＩＴＯ膜３３０のパターン処理の際などにおいて、散乱層３４０の溶出や劣化等を防止する耐エッチングバリアとしても機能する。

ＩＴＯ膜３３０は、第３の透光性基板３００から完成製品、例えば有機ＬＥＤ素子が構成された際に、一方の電極（陽極）として機能する。ＩＴＯ膜３３０は、前記ガラス基板３１０に近い側にある第１の表面３３２と、前記ガラス基板３１０から遠い側にある第２の表面３３４とを有する。

ＩＴＯ膜３３０の構成は特に限定されるものではなく、例えば第１、第２の透光性基板で説明したような各種形態とすることができる。なお、図３においてはＩＴＯ膜３３０が２層からなる例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、後述のように単層または２層以上により構成することもできる。

例えばＩＴＯ膜３３０は成膜工程中、その成膜条件を変化させることなく成膜された膜の組成が略均一な一層（単層）のＩＴＯ膜から構成することができる。

また、ＩＴＯ膜を一層で構成する場合の他の形態として、第１の透光性基板で説明したようにＩＴＯ膜３３０は、第１の表面３３２側が第２の表面３３４側に比べて、酸化度合い（酸化の程度）が高い状態とすることができる。この場合、第２の表面３３４側での導電性は、第１の表面３３２側よりも高くなる。

ＩＴＯ膜３３０をこのように構成することにより、ＩＴＯ膜の成膜過程において、初期の段階では、成膜雰囲気を従来よりも「酸素過剰」な条件とすることとなる。これにより、成膜の際の散乱層の近傍の雰囲気がより強い酸化性となり、散乱層中の被還元性元素の還元を特に抑制することができる。その結果、被覆層３２０の働きとあわせて、散乱層の着色をより抑制することができる。

そして、初期の「酸素過剰」な条件下での成膜によって、「酸化の程度が高い」ＩＴＯ膜部分（第１のＩＴＯ部分）が形成された以降は、成膜条件を例えば通常のものに戻し、「酸化の程度が低い」ＩＴＯ膜部分（第２のＩＴＯ部分）を形成し、ＩＴＯ膜全体を構成することが好ましい。

このような方法でＩＴＯ膜３３０を形成した場合、第１の透光性基板において説明したように、被覆層３２０に加えて、第１のＩＴＯ部分も、第２のＩＴＯ部分を成膜する際に、散乱層３４０に含まれる被還元性元素の還元反応に対するバリア層として機能する。このため、酸素欠乏環境で第２のＩＴＯ部分を成膜しても、散乱層３４０中の被還元性元素が還元されることを特に抑制することができる。その結果、散乱層３４０の着色がより有意に抑制される。

またこの場合、第２のＩＴＯ部分は、第１のＩＴＯ部分に比べて導電性が高くなっているため、これにより、ＩＴＯ膜３３０全体としての抵抗上昇を抑制することができる。

従って、成膜条件を変化させることなくＩＴＯ膜３３０を成膜した場合と比較して、ガラス基板３１０の着色をより抑制し、ＩＴＯ膜３３０の抵抗上昇も抑制することが可能となる。

上述のように、ＩＴＯ膜３３０が、酸化の程度が高い第１のＩＴＯ部分および酸化の程度が低い第２のＩＴＯ部分を有する場合において、第１のＩＴＯ部分から第２のＩＴＯ部分までの間の酸化の程度の変化の態様は、特に限定されない。

例えば、ＩＴＯ膜３３０の酸化の程度は、第１の表面３３２から第２の表面３３４まで、連続的に変化しても良く、または不連続に（例えばステップ状に）変化しても良く、連続部分と不連続部分を組み合わせた態様で変化しても良い。また、酸化の程度が連続的に変化する場合、その変化は、直線的であっても曲線的であっても良い。あるいは、第１のＩＴＯ部分と第２のＩＴＯ部分の間に、酸化の程度が最も低い、第３のＩＴＯ部分が存在しても良い。

また第１の透光性基板においても説明したように、第１のＩＴＯ部分および第２のＩＴＯ部分という表現は、単なる便宜的なものに過ぎず、両者は、必ずしも明確に識別できる必要はない。

また、ＩＴＯ膜３３０は、多層化構造を有する構造とすることができる。例えば図３に示すように、少なくとも２層の膜で構成され、ガラス基板３１０に近い側の第１のＩＴＯ層３３５およびガラス基板から遠い側の第２のＩＴＯ層３３７の２層を有する構成とすることができる。

この場合、前述の図２に示した透光性基板２００のＩＴＯ膜２３０と同様に、第１のＩＴＯ層３３５は、第２のＩＴＯ層３３７に比べて酸化の程度が高い状態とすることが好ましい。このような構成とした場合、第２のＩＴＯ層３３７は、第１のＩＴＯ層３３５に比べて導電性が高くなっている。

このように構成する場合、第１のＩＴＯ層３３５を、従来よりも「酸素過剰」な雰囲気下で形成することとなり、第１のＩＴＯ層３３５の成膜中に、散乱層３４０中の被還元性元素が還元されることを有意に抑制することができる。そして、第２のＩＴＯ層３３７は、第１のＩＴＯ層３３５の成膜条件に比べて、より酸素の少ない雰囲気下、例えば従来と同等の酸化性の弱い雰囲気下で成膜する。この場合、被覆層３２０および第１のＩＴＯ層３３５の存在のため、すなわち、被覆層３２０および第１のＩＴＯ層３３５がバリア層として機能するため、第２のＩＴＯ層３３７を成膜する際にも、散乱層３４０に含まれる被還元性元素の還元反応は、抑制される。

その結果、散乱層３４０に着色を生じさせることなく、第２のＩＴＯ層３３７に比べて酸化の程度の高い状態の第１のＩＴＯ層３３５と、第１のＩＴＯ層３３５に比べて高導電性の第２のＩＴＯ層３３７と、を有するＩＴＯ膜３３０を形成することができる。

第１のＩＴＯ層３３５は、例えば、１ｎｍ〜２０ｎｍの厚さを有しても良い。同様に、第２のＩＴＯ層３３７は、例えば、１ｎｍ〜５００ｎｍの厚さを有しても良い。ＩＴＯ膜３３０全体の厚さは、例えば、２ｎｍ〜５２０ｎｍの範囲であることが好ましく、２ｎｍ〜５００ｎｍとすることがより好ましい。

また、ＩＴＯ膜３３０全体の抵抗率は、例えば、２．３８×１０^−４Ωｃｍ未満であっても良い。

なお、ここでいうＩＴＯ膜３３０の抵抗率とは、ＩＴＯ膜３３０全体での抵抗率を意味している。この際のＩＴＯ膜３３０の構成は限定されるものではない。このため、ＩＴＯ膜３３０は上述のように、成膜条件を変化させずに成膜され略均一な組成を有する構成であっても良い。また、上述のように酸化の程度が高い第１のＩＴＯ部分３３６および酸化の程度が低い第２のＩＴＯ部分３３８を有し、ＩＴＯ膜内での酸化の程度が異なった構成（均一ではない構成）とすることもできる。また、ＩＴＯ膜３３０が複数の層から構成されていてもよい。

また、ＩＴＯ膜は、消衰係数が０．００８６以下であることが好ましい。消衰係数については第１の透光性基板において説明したため、ここでは省略する。

以上のことから、第３の透光性基板３００においても、乾式の成膜方法により成膜された被覆層３２０を設けることにより散乱層３４０の着色防止と、ＩＴＯ膜３３０の抵抗上昇抑制の両方の効果を得ることが可能となる。

なお、既述のように、ＩＴＯ膜は各種透明導電膜とすることもできる。ＩＴＯ膜に変えて透明導電膜とした場合、透明導電膜はＩＴＯ膜と同様の条件を満たすことが好ましい。透明導電膜については既述のため、ここでは説明を省略する。

（有機ＬＥＤ素子）
次に、図４を参照して、本発明の一形態による有機ＬＥＤ素子について説明する。

図４には、本発明の一形態による有機ＬＥＤ素子の一例の概略的な断面図を示す。

図４に示すように、本発明の一形態による有機ＬＥＤ素子４００は、ガラス基板４１０と、散乱層４４０と、被覆層４２０と、第１の電極（陽極）層４３０と、有機発光層４５０と、第２の電極（陰極）層４６０とを、この順に積層することにより構成される。

ガラス基板４１０は、上部に有機ＬＥＤ素子を構成する各層を支持する役割を有する。図４の例では、有機ＬＥＤ素子４００の下側の表面（すなわちガラス基板４１０の露出面）が光取り出し面４７０となる。

散乱層４４０は、第１の屈折率を有するガラス製のベース材４４１と、該ベース材４４１中に分散された、前記ベース材４４１とは異なる第２の屈折率を有する複数の散乱物質４４２とで構成することができる。

散乱層４４０は、有機発光層４５０から生じる光を効果的に散乱させ、有機ＬＥＤ素子４００内で全反射される光の量を低減する役割を有する。従って、図４の構成の有機ＬＥＤ素子４００では、光取り出し面４７０から出射される光量を向上させることができる。

散乱層４４０は、前述のような「被還元性元素」を含む。

散乱層４４０と第１の電極４３０との間には、乾式の成膜方法で成膜された被覆層４２０が設けられている。

被覆層４２０の構成は第１〜第３の透光性基板で説明したものと同様の構成とすることができる。具体的な構成例については既に説明したため、ここでは省略する。

該被覆層４２０を設けることにより、ＩＴＯ膜４３０を成膜する際の雰囲気による、散乱層４４０に含まれる被還元性元素の還元反応を抑制することができる。これは、被覆層４２０がバリア層として機能するためと考えられる。

このように、乾式の成膜方法により成膜された被覆層４２０を設けることにより、ＩＴＯ膜４３０を成膜する際の雰囲気である酸化性の弱い雰囲気と、散乱層４４０に含まれる被還元性元素とが接触する確率を低減することができる。このため、散乱層４４０の着色の発生を有意に抑制することが可能になる。また、被覆層４２０は、散乱層の表面を平滑化して、以降の層の成膜処理を容易化する平滑化層として機能することができる。さらに、例えば、第１の電極層（ＩＴＯ膜）４３０のパターン処理の際などにおいて、散乱層４４０の溶出や劣化等を防止する耐エッチングバリアとしても機能する。

第１の電極層４３０は、ＩＴＯ膜で構成することができる。また、既述のように各種透明導電膜で構成することもできる。一方、第２の電極層４６０は、例えばアルミニウムや銀のような金属で構成することができる。

有機発光層４５０は、通常の場合、発光層の他、電子輸送層、電子注入層、ホール輸送層、ホール注入層など、複数の層で構成することができる。

ここで、第１の電極層４３０を構成するＩＴＯ膜は、第１〜第３の透光性基板で説明した各種形態とすることができる。図４では、ＩＴＯ膜は、ガラス基板４１０に近い側の第１のＩＴＯ層４３５と、ガラス基板４１０から遠い側の第２のＩＴＯ層４３７との２層で構成された例を示しているが係る形態に限定されるものではない。例えば、単層により構成することもでき、多層化構造を有しても良い。ＩＴＯ膜のその他の構成については、第１〜第３の透光性基板において説明したためここでは説明を省略する。

このように構成された第１の電極層４３０を備える有機ＬＥＤ素子４００においても、上述のように被覆層４２０を設けているため、散乱層４４０についてより確実に着色防止を図ることができる。また、第１の電極層４３０の抵抗上昇を抑制することもできる。

なお、有機ＬＥＤ素子の構成として、図４を例に説明しているが、係る形態に限定されるものではない。図４における、ガラス基板４１０、散乱層４４０、被覆層４２０、第１の電極層４３０までの部分は、既に説明した第１〜第３の透光性基板の構成とすることができる。

また、図４では、有機ＬＥＤ素子４００は、散乱層４４０を有する構成を例に説明したが、有機ＬＥＤ素子において、散乱層４４０は、必ずしも必要ではなく、省略されても良い。ただし、そのような散乱層を含まない有機ＬＥＤ素子の場合、第１の透光性基板、第２の透光性基板において説明したようにガラス基板は、被還元性元素を含む組成を有する。

（各構成素子について）
次に、有機ＬＥＤ素子４００を構成する各素子の詳細について説明する。なお、以下に示す素子の一部は、図１〜図３に示した透光性基板１００〜３００においても同様に使用され得ることに留意する必要がある。

（ガラス基板４１０）
ガラス基板４１０は、可視光に対する透過率が高い材料で構成される。ガラス基板の材料としては、アルカリガラス、無アルカリガラスまたは石英ガラスなどの無機ガラスが挙げられる。

なお、有機ＬＥＤ素子が散乱層４４０を有しない場合、ガラス基板４１０中には、被還元性元素が含まれる。

ガラス基板４１０の厚さは、特に限られないが、例えば、０．１ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲であっても良い。強度および重量を考慮すると、ガラス基板４１０の厚さは、０．５ｍｍ〜１．４ｍｍであることが好ましい。

（散乱層４４０）
散乱層４４０は、ベース材４４１と、該ベース材４４１中に分散された複数の散乱物質４４２とを有する。ベース材４４１は、第１の屈折率を有し、散乱物質４４２は、ベース材とは異なる第２の屈折率を有する。

散乱層４４０は、前述の被還元性元素を含む。

なお、散乱層４４０中の散乱物質４４２の存在量は、散乱層４４０の内部から外側に向かって小さくなっていることが好ましく、この場合、高効率の光取り出しを実現することができる。

ベース材４４１は、ガラスで構成され、ガラスの材料としては、ソーダライムガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス、および石英ガラスなどの無機ガラスが使用される。

散乱物質４４２は、例えば、気泡、析出結晶、ベース材とは異なる材料粒子、分相ガラス等で構成される。分相ガラスとは、２種類以上のガラス相により構成されるガラスをいう。

ベース材４４１の屈折率と散乱物質４４２の屈折率の差は、大きい方が良く、このためには、ベース材４４１として高屈折率ガラスを使用し、散乱物質４４２として気泡を使用することが好ましい。

ベース材４４１用の高屈折率のガラスのため、ネットワークフォーマとして、Ｐ_２Ｏ_５、ＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、およびＴｅＯ_２のうちの一種類または二種類以上の成分を選定し、高屈折率成分として、ＴｉＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｇｄ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＺｎＯ、ＢａＯ、ＰｂＯ、およびＳｂ_２Ｏ_３のうちの一種類または二種類以上の成分を選定しても良い。さらに、ガラスの特性を調整するため、アルカリ酸化物、アルカリ土類酸化物、フッ化物などを、屈折率に影響を及ぼさない範囲で、添加しても良い。

従って、ベース材４４１を構成するガラス系の材料としては、例えば、Ｂ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−Ｌａ_２Ｏ_３系、Ｐ_２Ｏ_５−Ｂ_２Ｏ_３−Ｒ’_２Ｏ−Ｒ”Ｏ−ＴｉＯ_２−Ｎｂ_２Ｏ_５−ＷＯ_３−Ｂｉ_２Ｏ_３系、ＴｅＯ_２−ＺｎＯ系、Ｂ_２Ｏ_３−Ｂｉ_２Ｏ_３系、ＳｉＯ_２−Ｂｉ_２Ｏ_３系、ＳｉＯ_２−ＺｎＯ系、Ｂ_２Ｏ_３−ＺｎＯ系、Ｐ_２Ｏ_５−ＺｎＯ系などが挙げられる。ここで、Ｒ’はアルカリ金属元素、Ｒ”はアルカリ土類金属元素を示す。なお、以上の材料系は、一例に過ぎず、上記条件を満たすような構成であれば、使用材料は、特に限られない。

ベース材４４１に、着色剤を添加することにより、発光の色味を変化させることもできる。着色剤としては、遷移金属酸化物、希土類金属酸化物、および金属コロイドなどを、単独でまたは組み合わせて使うことができる。

（被覆層４２０）
散乱層４４０と第１の電極層４３０との間には、被覆層４２０が設置されている。なお、散乱層４４０を設けない場合には、ガラス基板４１０上に形成することができる。

被覆層４２０は、乾式の成膜方法により成膜された膜である。乾式の成膜方法により成膜された膜の場合、湿式の成膜方法により成膜された膜と比較して緻密な膜とすることができる。このため、ＩＴＯ膜を成膜する際の酸化性の弱い雰囲気においても該雰囲気とガラス基板または散乱層とが接触する確率を低減することができ、ガラス基板または散乱層の着色の発生を有意に抑制することが可能になる。また、ＩＴＯ膜を成膜する際に、その雰囲気を酸素リッチな雰囲気とする必要がなくなることから、ＩＴＯ膜（第１の電極膜）の抵抗上昇を抑制することも可能になる。

被覆層４２０は上述のように乾式の成膜方法により成膜された膜であればよく、被覆層４２０を形成する際の乾式の成膜方法については特に限定されるものではないが、例えば、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法を挙げることができる。なお、スパッタ法により被覆層４２０を形成する際、その成膜する際の雰囲気として、アルゴンおよび／または酸素を含む雰囲気中で成膜を行うことができる。特に生産性の観点から、アルゴンを含む雰囲気中で成膜を行うことが好ましい。なお、この場合、成膜した被覆層４２０には雰囲気中のアルゴンが混入することから、得られる被覆層４２０は、アルゴンを含む膜とすることができる。

散乱層等に着色が生じる問題はＩＴＯ膜の成膜に特有の問題であるため、被覆層４２０の成膜の際の雰囲気中の酸素濃度は特に問題とならない。ただし、被覆層４２０を成膜する過程においても散乱層４４０またはガラス基板４１０に着色が生じることを確実に防止するため、酸素を含む雰囲気下で被覆層４２０の成膜を行うことが好ましい。例えば被覆層４２０を成膜する際の雰囲気中の酸素濃度を１０ｖｏｌ％以上とすることが好ましく、１５ｖｏｌ％以上とすることがより好ましい。なお、酸素濃度の上限値は特に限定されるものではなく、成膜する被覆層の材料等により選択することができる。例えば９０ｖｏｌ％以下とすることが好ましく、８０ｖｏｌ％以下とすることがより好ましい。

また、被覆層４２０については上述のように乾式の成膜方法により成膜されていればよく、その材質や構成は特に限定されるものではない。また、被覆層４２０は1種類の物質のみから構成されている必要はなく、複数の物質が含まれていてもよい。また、複数の層から構成することもできる。例えば、被覆層４２０は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ，Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する酸化物を含むことができる。また、被覆層４２０は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ，Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒素酸化物を含むことができる。また、被覆層４２０は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ，Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒化物を含むことができる。

また、被覆層４２０は、充填率が例えば８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。この場合の上限値は特に限定されず、例えば１００％以下とすることができる。被覆層４２０の充填率が上記範囲の場合、特に、ＩＴＯ膜４３０を成膜する際の雰囲気による、散乱層またはガラス基板に含まれる被還元性元素の還元反応を抑制することができるため好ましい。

なお、充填率の算出方法については既に説明したためここでは説明を省略する。

また、被覆層４２０のＩＴＯ膜４３０を積層する面については表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは２．０ｎｍ以下であることが好ましく、１．０ｎｍ以下であることがより好ましい。なお下限値については特に限定されず、例えば０ｎｍ以上であればよい。

表面粗さＲａが上記範囲の場合、被覆層４２０のＩＴＯ膜４３０を積層する面が平滑であることを示しており、ＩＴＯの結晶核が良好に成長するため好ましい。

被覆層４２０の屈折率は、ベース材４４１の屈折率に近い方が好ましい。これはベース材４４１の屈折率と被覆層４２０の屈折率の差が大きい場合には、被覆層４２０の膜厚バラツキにより、有機ＬＥＤの発光色が干渉の影響を受けてばらついてしまう場合があるためである。一方ベース材４４１の屈折率と被覆層４２０の屈折率が近い場合には、被覆層４２０の膜厚ばらつきがあっても干渉条件が変化しない為、有機ＬＥＤの発光色は変動を受けないためである。波長５５０ｎｍの光に対する、ベース材４４１の屈折率と被覆層４２０の屈折率の差は、例えばマイナス０．１５以上プラス０．１５以下であることが好ましく、マイナス０．１以上プラス０．１以下であることがより好ましく、マイナス０．０５以上プラス０．０５以下であることがさらに好ましい。

また、取り出し効率をより向上させるため、被覆層４２０の屈折率は、第１の電極層４３０よりも高いことが好ましい。ただし、上記のように被覆層４２０の屈折率と、ベース材４４１の屈折率との差は小さい方が好ましい。

被覆層４２０の膜厚は、特に限られない。被覆層４２０の膜厚は、例えば、５０ｎｍ〜５００μｍの範囲であっても良い。

（第１の電極層４３０）
第１の電極層４３０は、前述のように、ＩＴＯ膜で構成される。ＩＴＯ膜は上述のように単層から構成することもでき、２層以上の多層化構造とすることもできる。

例えば図４に示したように、ＩＴＯ膜はガラス基板４１０に近い側の第１のＩＴＯ層４３５と、ガラス基板４１０から遠い側の第２のＩＴＯ層４３７との２層で構成されても良い。この場合、第１のＩＴＯ層４３５は、第２のＩＴＯ層４３７に比べて酸化の程度が高い状態となるように構成されていることが好ましく、このように構成した場合、第２のＩＴＯ層４３７は、第１のＩＴＯ層４３５に比べて導電性が高くなるように構成される。

第１のＩＴＯ層４３５の厚さは、特に限られないが、例えば、１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲であることが好ましい。第２のＩＴＯ層４３７の厚さは、特に限られないが、例えば、１ｎｍ〜５００ｎｍの範囲であることが好ましい。ＩＴＯ膜全体の厚さは、例えば、２ｎｍ〜５２０ｎｍの範囲であることが好ましく、２ｎｍ〜５００ｎｍとすることがより好ましい。

なお、第１の電極層４３０を構成するＩＴＯ膜は、３層以上の層で構成されても良い。あるいは、前述の図１に示したように、ＩＴＯ膜は、単一の層で構成することもできる。この場合、特に第１の電極層４３０の第１の表面４３２から第２の表面４３４に沿って、酸化の程度が連続的にまたは不連続に変化（低下）するように構成されていることが好ましい。

第１の電極層４３０の総厚さは、５０ｎｍ以上であることが好ましい。

第１の電極層４３０の屈折率は、１．６５〜２．２の範囲であることが好ましい。なお、第１の電極層４３０の屈折率は、散乱層４４０を構成するベース材４４１の屈折率や第２の電極層４６０の反射率を考慮して、決定することが好ましい。導波路計算や第２の電極層４６０の反射率等を考慮すると、第１の電極層４３０とベース材４４１の屈折率の差は、０．２以下であることが好ましい。

なお、第１の電極層４３０は既述のようにＩＴＯ膜にかえて各種透明導電膜により構成することもできる。第１の電極層４３０を各種透明導電膜とした場合でも、ＩＴＯ膜と同様に上述した各種条件を充足することが好ましい。また、透明導電膜については既述のため説明を省略する。

（有機発光層４５０）
有機発光層４５０は、発光機能を有する層であり、通常の場合、ホール注入層と、ホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層とにより構成される。ただし、有機発光層４５０は、発光層を有していれば、必ずしも他の層の全てを有する必要はないことは、当業者には明らかである。なお、通常の場合、有機発光層４５０の屈折率は、１．７〜１．８の範囲とすることが好ましい。

ホール注入層は、第１の電極層４３０からのホール注入の障壁を低くするため、イオン化ポテンシャルの差が小さいものが好ましい。電極からホール注入層への電荷の注入効率が高まると、有機ＬＥＤ素子４００の駆動電圧が下がり、電荷の注入効率が高まる。

ホール注入層の材料としては、高分子材料または低分子材料が使用される。高分子材料の中では、ポリスチレンスルフォン酸（ＰＳＳ）がドープされたポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）が良く使用され、低分子材料の中では、フタロシアニン系の銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）が広く用いられる。

ホール輸送層は、前述のホール注入層から注入されたホールを発光層に輸送する役割をする。ホール輸送層には、例えば、トリフェニルアミン誘導体、Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス[Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−ナフチル）−4’−アミノビフェニル−４−イル] −１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＮＰＴＥ）、１，１’−ビス[（ジ−４−トリルアミノ）フェニル]シクロヘキサン（ＨＴＭ２）、およびＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）などが用いられる。

ホール輸送層の厚さは、例えば１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲とすることができる。ホール輸送層の厚さが薄いほど、有機ＬＥＤ素子を低電圧化できるが、電極間短絡の問題から、１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲とすることが好ましい。

発光層は、注入された電子とホールが再結合する場を提供する役割を有する。有機発光材料としては、例えば低分子系または高分子系のものが使用される。

発光層には、例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）、ビス（８−ヒドロキシ）キナルジンアルミニウムフェノキサイド（Ａｌｑ’_２ＯＰｈ）、ビス（８−ヒドロキシ）キナルジンアルミニウム−２，５−ジメチルフェノキサイド（ＢＡｌｑ）、モノ(２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート)リチウム錯体（Ｌｉｑ）、モノ（８−キノリノラート）ナトリウム錯体（Ｎａｑ）、モノ（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）リチウム錯体、モノ（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）ナトリウム錯体およびビス（８−キノリノラート）カルシウム錯体（Ｃａｑ_２）などのキノリン誘導体の金属錯体、テトラフェニルブタジエン、フェニルキナクドリン（ＱＤ）、アントラセン、ペリレン、並びにコロネンなどの蛍光性物質が挙げられる。

ホスト材料としては、キノリノラート錯体を使用しても良く、特に、８−キノリノールおよびその誘導体を配位子としたアルミニウム錯体が使用されても良い。

電子輸送層は、電極から注入された電子を輸送する役割をする。電子輸送層には、例えば、キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）、オキサジアゾール誘導体（例えば、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＥＮＤ）、および２−(４−ｔ−ブチルフェニル) −５−（４−ビフェニル））−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）など）、トリアゾール誘導体、バソフェナントロリン誘導体、およびシロール誘導体などが用いられる。

電子注入層は、例えば、第２の電極層４６０との界面に、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属をドープした層を設けることにより構成される。

（第２の電極層４６０）
第２の電極層４６０には例えば、仕事関数の小さな金属またはその合金を用いることができる。第２の電極層４６０には、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、および周期表第３属の金属などを好ましく用いることができる。第２の電極層４６０には、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、またはこれらの合金などをより好ましく用いることができる。

また、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）の共蒸着膜、フッ化リチウム（ＬｉＦ）または酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）の薄膜上に、アルミニウム（Ａｌ）を蒸着した積層電極が用いられても良い。さらに、カルシウム（Ｃａ）またはバリウム（Ｂａ）と、アルミニウム（Ａｌ）との積層膜が用いられても良い。

（本発明の一形態による透光性基板の製造方法）
次に、図面を参照して、本発明の一形態による透光性基板の製造方法の一例について説明する。なお、ここでは、一例として、図３に示した透光性基板３００の構成を例に、その製造方法について説明する。ただし、以降の説明の一部は、図１および図２に示した透光性基板１００、２００の製造方法にも、同様に適用することができる。このため、以下に記載した以外の事項については、第１〜第３の透光性基板で説明したものと同様の構成とすることができる。

図５には、本発明の一形態による透光性基板を製造する際の概略的なフロー図を示す。

図５に示すように、この透光性基板の製造方法は、
（ａ）ガラス基板上に、ガラスからなるベース材と、該ベース材中に分散された複数の散乱物質とを有する散乱層を設置するステップであって、前記散乱層は、Ｂｉ（ビスマス）、Ｔｉ（チタン）、およびＳｎ（スズ）からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含むステップ（ステップＳ１１０）と、
（ｂ）前記散乱層上に、乾式の成膜方法により被覆層を成膜するステップ（ステップＳ１２０）と、
（ｃ）前記被覆層上にＩＴＯ膜を成膜するステップ（ステップＳ１３０）と、
を有する。以下、各ステップについて詳しく説明する。なお、以下の説明では、明確化のため、各部材の参照符号として、図３に示した参照符号を使用することにする。

（ステップＳ１１０）
まず、ガラス基板３１０が準備される。次に、このガラス基板３１０上に、被還元性元素を含む散乱層３４０が形成される。

散乱層３４０の形成方法は、特に限られないが、ここでは、特に、「フリットペースト法」により、散乱層３４０を形成する方法について説明する。ただし、その他の方法で散乱層３４０を形成しても良いことは、当業者には明らかである。

フリットペースト法とは、フリットペーストと呼ばれるガラス材料を含むペーストを調製し（調製工程）、このフリットペーストを被設置基板の表面に塗布して、パターン化し（パターン形成工程）、さらにフリットペーストを焼成すること（焼成工程）により、被設置基板の表面に、所望のガラス製の膜を形成する方法である。以下、各工程について簡単に説明する。

（調製工程）
まず、ガラス粉末、樹脂、および溶剤等を含むフリットペーストが調製される。

ガラス粉末は、最終的に散乱層３４０のベース材３４１を形成する材料で構成される。ガラス粉末の組成は、所望の散乱特性が得られ、フリットペースト化して焼成することが可能なものであれば特に限られない。ただし、本発明では、散乱層は、被還元性元素を含む。

ガラス粉末の組成は、例えば、Ｐ_２Ｏ_５を２０〜３０ｍｏｌ％、Ｂ_２Ｏ_３を３〜１４ｍｏｌ％、Ｂｉ_２Ｏ_３を１０〜２０ｍｏｌ％、ＴｉＯ_２を３〜１５ｍｏｌ％、Ｎｂ_２Ｏ_５を１０〜２０ｍｏｌ％、ＷＯ_３を５〜１５ｍｏｌ％含み、Ｌｉ_２ＯとＮａ_２ＯとＫ_２Ｏの総量が１０〜２０ｍｏｌ％であり、以上の成分の総量が、９０ｍｏｌ％以上のものであっても良い。また、ＳｉＯ_２は０〜３０ｍｏｌ％、Ｂ_２Ｏ_３は１０〜６０ｍｏｌ％、ＺｎＯは０〜４０ｍｏｌ％、Ｂｉ_２Ｏ_３は０〜４０ｍｏｌ％、Ｐ_２Ｏ_５は０〜４０ｍｏｌ％、アルカリ金属酸化物は０〜２０ｍｏｌ％であり、以上の成分の総量が、９０ｍｏｌ％以上のものであっても良い。ガラス粉末の粒径は、例えば、１μｍ〜１００μｍの範囲とすることができる。

なお、最終的に得られる散乱層の熱膨張特性を制御するため、ガラス粉末には、所定量のフィラーを添加しても良い。フィラーには、例えば、ジルコン、シリカ、またはアルミナなどの粒子が使用され、粒径は、通常、０．１μｍ〜２０μｍの範囲とすることができる。

樹脂には、例えば、エチルセルロース、ニトロセルロース、アクリル樹脂、酢酸ビニル、ブチラール樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、およびロジン樹脂などが用いられる。なお、ブチラール樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、およびロジン樹脂を添加すると、フリットペースト塗布膜の強度が向上する。

溶剤は、樹脂を溶解し、粘度を調整する役割を有する。溶剤には、例えば、エーテル系溶剤（ブチルカルビトール（ＢＣ）、ブチルカルビトールアセテート（ＢＣＡ）、ジプロピレングリコールブチルエーテル、トリプロピレングリコールブチルエーテル、酢酸ブチルセロソルブ）、アルコール系溶剤（α−テルピネオール、パインオイル）、エステル系溶剤（２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート）、フタル酸エステル系溶剤（ＤＢＰ（ジブチルフタレート）、ＤＭＰ（ジメチルフタレート）、ＤＯＰ（ジオクチルフタレート））がある。主に用いられているのは、α−テルピネオールや２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート)である。なお、ＤＢＰ（ジブチルフタレート）、ＤＭＰ（ジメチルフタレート）、ＤＯＰ（ジオクチルフタレート）は、可塑剤としても機能する。

その他、フリットペーストには、粘度の調整やフリット分散促進のため、界面活性剤を添加しても良い。また、表面改質のため、シランカップリング剤を使用しても良い。

これらの原料を混合し、ガラス原料が均一に分散されたフリットペーストを調製する。

（パターン形成工程）
次に、前述の方法で調製したフリットペーストを、ガラス基板３１０上に塗布し、パターン化する。塗布の方法およびパターン化の方法は、特に限られない。例えば、スクリーン印刷機を用いて、ガラス基板３１０上にフリットペーストをパターン印刷しても良い。あるいは、ドクターブレード印刷法またはダイコート印刷法を利用しても良い。

その後、フリットペースト膜は、乾燥される。

（焼成工程）
次に、フリットペースト膜が焼成される。通常、焼成は、２段階のステップで行われる。第１のステップでは、フリットペースト膜中の樹脂が分解、消失され、第２のステップでは、ガラス粉末が軟化、焼結される。

第１のステップは、大気雰囲気下で、フリットペースト膜を２００℃〜４００℃の温度範囲に保持することにより行われる。ただし、処理温度は、フリットペーストに含まれる樹脂の材料によって変化する。例えば、樹脂がエチルセルロースの場合は、処理温度は、３５０℃〜４００℃程度であり、樹脂がニトロセルロースの場合は、処理温度は、２００℃〜３００℃程度であっても良い。なお処理時間は、通常、３０分から１時間程度である。

第２のステップは、大気雰囲気下で、フリットペースト膜を、含まれるガラス粉末の軟化温度±３０℃の温度範囲に保持することにより行われる。処理温度は、例えば、４５０℃〜６００℃の範囲である。また、処理時間は、特に限られないが、例えば、３０分〜１時間である。

第２のステップ後に、ガラス粉末が軟化、焼結して、散乱層３４０のベース材３４１が形成される。また、フリットペースト膜中に内包させた散乱物質によって、例えば内在する気泡などによって、ベース材３４１中に均一に分散された散乱物質３４２が得られる。

その後、ガラス基板３１０を冷却することにより、散乱層３４０を形成することができる。最終的に得られる散乱層３４０の厚さは例えば、５μｍ〜５０μｍの範囲であっても良い。

なお、図１、図２に示したように散乱層を有しない透光性基板を製造する場合には、本工程を、（ａ´）Ｂｉ（ビスマス）、Ｔｉ（チタン）、およびＳｎ（スズ）からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含むガラス基板を準備するステップ（Ｓ１１０´）とすることができる。

（ステップＳ１２０）
次に、散乱層３４０の上部に、被覆層３２０が成膜される。

被覆層３２０は、乾式の成膜方法により成膜される。被覆層３２０を形成する際の乾式の成膜方法については特に限定されるものではないが、例えば、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法を挙げることができる。なお、スパッタ法により被覆層３２０を形成する際、その成膜する際の雰囲気として、アルゴンおよび／または酸素を含む雰囲気中で成膜を行うことができる。特に生産性の観点から、アルゴンを含む雰囲気中で成膜を行うことが好ましい。なお、この場合、成膜した被覆層３２０には雰囲気中のアルゴンが混入することから、得られる被覆層３２０は、アルゴンを含む膜とすることができる。

散乱層等に着色が生じる問題はＩＴＯ膜の成膜に特有の問題であるため、被覆層３２０の成膜の際の雰囲気中の酸素濃度は特に問題とならない。ただし、被覆層３２０を成膜する過程においても散乱層３４０またはガラス基板３１０に着色が生じることを確実に防止するため、酸素を含む雰囲気下で被覆層３２０の成膜を行うことが好ましい。例えば被覆層３２０を成膜する際の雰囲気中の酸素濃度を２ｖｏｌ％以上とすることが好ましく、１０ｖｏｌ％以上とすることがより好ましい。なお、酸素濃度の上限値は特に限定されるものではなく、成膜する被覆層の材料等により選択することができる。例えば９０ｖｏｌ％以下とすることが好ましく、８０ｖｏｌ％以下とすることがより好ましい。

また、被覆層３２０については上述のように乾式の成膜方法により成膜されていればよく、その材質や構成は特に限定されるものではない。また、被覆層３２０は1種類の物質のみから構成されている必要はなく、複数の物質が含まれていてもよい。また、複数の層から構成することもできる。例えば、被覆層３２０は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する酸化物を含むことができる。また、被覆層３２０は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒素酸化物を含むことができる。また、被覆層３２０は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒化物を含むことができる。

また、被覆層３２０は、充填率が例えば８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。この場合の上限値は特に限定されず、例えば１００％以下とすることができる。被覆層３２０の充填率が上記範囲の場合、特に、ＩＴＯ膜３３０を成膜する際の雰囲気による散乱層またはガラス基板に含まれる被還元性元素の還元反応を抑制することができるため好ましい。

なお、充填率の算出方法については既に説明したためここでは説明を省略する。

また、被覆膜３２０のＩＴＯ膜３３０を積層する面については表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは２．０ｎｍ以下であることが好ましく、１．０ｎｍ以下であることがより好ましい。なお下限値については特に限定されず、例えば０ｎｍ以上であればよい。

表面粗さＲａが上記範囲の場合、被覆層３２０のＩＴＯ膜３３０を積層する面が平滑であることを示しており、ＩＴＯの結晶核が良好に成長するため好ましい。

また、被覆層３２０の屈折率は、ベース材３４１の屈折率に近い方が好ましい。これはベース材３４１の屈折率と被覆層３２０の屈折率の差が大きい場合には、被覆層３２０の膜厚バラツキにより、有機ＬＥＤの発光色が干渉の影響を受けてばらついてしまうからである。一方ベース材３４１の屈折率と被覆層３２０の屈折率が近い場合には、被覆層３２０の膜厚ばらつきがあっても干渉条件が変化しない為、有機ＬＥＤの発光色は変動を受けないためである。波長５５０ｎｍの光に対する、ベース材３４１の屈折率と被覆層３２０の屈折率の差は例えばマイナス０．１５以上プラス０．１５以下であることが好ましく、マイナス０．１以上プラス０．１以下であることがより好ましく、マイナス０．０５以上プラス０．０５以下であることがさらに好ましい。

なお、散乱層を有しない透光性基板を製造する場合には、被覆層の屈折率は、ガラス基板の屈折率に近い方が好ましい。この場合については第１の透光性基板で既に説明したため説明を省略する。

また、取り出し効率をより向上させるため、被覆層３２０の屈折率は、ＩＴＯ膜３３０よりも高いことが好ましい。ただし、上記のように被覆層３２０の屈折率と、散乱層３４０の屈折率との差は小さい方が好ましい。

被覆層３２０の膜厚は、特に限られない。被覆層３２０の膜厚は、例えば、５０ｎｍ〜５００μｍの範囲であっても良い。

なお、図１、図２に示したように散乱層を有しない透光性基板を製造する場合には、本工程を、（ｂ´）前記ガラス基板上に、乾式の成膜方法により被覆層を成膜するステップ（Ｓ１２０´）とすることができる。被覆層の成膜方法については上述の方法と同様にして行うことができる。

（ステップＳ１３０）
次に、被覆層３２０の上部に、ＩＴＯ膜３３０が成膜される。

ＩＴＯ膜３３０の設置方法は、特に限られず、例えば、スパッタ法、蒸着法、および気相成膜法等の成膜法により設置されても良い。

以下、一例として、スパッタ法により、ＩＴＯ膜３３０を形成する方法について説明する。なお、ここでは、ＩＴＯ膜３３０が第１のＩＴＯ層３３５と第２のＩＴＯ層３３７から構成される場合を例に説明するが、既述のように、ＩＴＯ膜は単層から構成することもできる。単層からなるＩＴＯ膜については第１の透光性基板で既述のため、説明を省略する。

スパッタ法によりＩＴＯ膜３３０を形成する場合、ＩＴＯ膜３３０は例えば、第１のＩＴＯ層３３５を成膜するための第１の成膜工程と、第２のＩＴＯ層３３７を成膜するための第２の成膜工程によって成膜することができる。

（ｉ 第１の成膜工程）
一般に、スパッタ法によりＩＴＯ膜を成膜する場合、金属インジウムと金属スズの合金からなるターゲット、またはＩＴＯターゲットが使用される。

プラズマのパワー密度は、装置の規模によっても変化するが、例えば、０．２Ｗ／ｃｍ^２〜５Ｗ／ｃｍ^２の範囲とすることが好ましい。

また、スパッタリングガスとして、不活性ガスと酸素の混合ガスを使用することができる。

本発明による一実施形態の製造方法では、第１の成膜工程において、従来よりも酸化性の強い雰囲気、すなわち「酸素過剰」な条件下で、第１のＩＴＯ層３３５が成膜されることが好ましい。

ここでは、以下の理由により、プラズマパワー密度Ｐ_ｄ（Ｗ／ｃｍ^２）に対するスパッタリングガスの酸素分圧Ｐ_Ｏ２（ｖｏｌ％）の比Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ^２／Ｗ）、すなわちＲ＝Ｐ_Ｏ２／Ｐ_dを用いて、成膜環境の酸化性を規定する。

すなわち、例えば、スパッタリングガス中に含まれる酸素の量は、スパッタリング装置の規模および種類、ならびにプラズマのパワー等、各種成膜条件によって変動する。従って、成膜環境の酸化性を、単にスパッタリングガス中の酸素分圧で表すことは難しい。しかしながら、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ^２／Ｗ）（Ｒ＝Ｐ_Ｏ２／Ｐ_d）を使用した場合、前述のような変動因子の影響が規格化され、成膜環境の酸化性をより適正に比較することが可能になる。

なお、前記定義によれば、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ^２／Ｗ）が大きいほど、その環境は、より酸化性であり、「酸素過剰」な条件であるといえる。上述のように酸素過剰な条件で第１のＩＴＯ層３３５を成膜する場合、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ^２／Ｗ）は、１．０３（ｖｏｌ％・ｃｍ^２／Ｗ）よりも大きいことが好ましく、１．５（ｖｏｌ％・ｃｍ^２／Ｗ）以上であることがより好ましい。指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ^２／Ｗ）は、例えば、約１．６以上、または約２以上とすることもできる。

このような「酸素過剰」な条件下で第１のＩＴＯ層３３５を成膜することにより、スパッタリング処理中に、散乱層３４０中の被還元性元素が還元されることを有意に抑制することができる。また、「酸素過剰」な条件下で、スパッタリング成膜を行うことにより、散乱層３４０上に、酸化の程度が高い第１のＩＴＯ層３３５を成膜することができる。

（ｉｉ 第２の成膜工程）
次に、第１のＩＴＯ層３３５の上部に、第２のＩＴＯ層３３７が成膜される。

第２のＩＴＯ層３３７は、第１の成膜工程で選定された成膜環境よりも酸化性の弱い条件、すなわち、第１の成膜工程における指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ^２／Ｗ）よりも小さな指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ^２／Ｗ）を示す環境下で成膜される。例えば、第２のＩＴＯ層３３７は、従来のＩＴＯ膜の成膜の際に一般に採用されているような条件下で成膜されても良い。

第２の成膜工程において、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ^２／Ｗ）は、１．０３以下であることが好ましい。

ここで、第２のＩＴＯ層３３７を成膜する際には、散乱層３４０の上部に、既に、被覆層３２０および酸化の程度が高い第１のＩＴＯ層３３５が形成されている。このため、被覆層３２０および第１のＩＴＯ層３３５のバリア効果により、第２のＩＴＯ層３３７を成膜中に、散乱層３４０に含まれる被還元性元素が還元されることを抑制することができる。

従って、第２の成膜工程においても、散乱層３４０に着色を生じさせることなく、第２のＩＴＯ層３３７を成膜することができる。

以上のような第１の成膜工程および第２の成膜工程を経て、第１のＩＴＯ層３３５および第２のＩＴＯ層３３７を有するＩＴＯ膜３３０を形成することができる。

ここで、第２のＩＴＯ層３３７は、指標Ｒがより小さな条件（すなわち、より酸化性の弱い条件）下で成膜されるため、第１のＩＴＯ層３３５に比べて、膜の導電性を高めることができる。従って、ＩＴＯ膜３３０全体を、酸化の程度が高い状態の第１のＩＴＯ層３３５で構成した場合に比べて、ＩＴＯ膜３３０の抵抗率を低減させることができる。

例えば、ＩＴＯ膜３３０全体の抵抗率は、従来の方法で成膜されるＩＴＯ膜と遜色のない値、例えば１．５×１０^−４Ωｃｍ程度にすることができる。

このようにして、第２のＩＴＯ層３３７に比べて酸化の程度が高い状態の第１のＩＴＯ層３３５と、該第１のＩＴＯ層３３５に比べて高導電性の第２のＩＴＯ層３３７と、を有するＩＴＯ膜３３０を形成することができる。

その後、ＩＴＯ膜３３０は、エッチング処理等により、パターン化されても良い。

なお、ステップＳ１３０の工程についてはＩＴＯ膜にかえて、各種透明導電膜を成膜する工程とすることもできる。透明導電膜についてもＩＴＯ膜と同様にして成膜できる。透明導電性膜については既述のためここでは説明を省略する。

以上の工程により、ガラス基板３１０、散乱層３４０、被覆層３２０、およびＩＴＯ膜３３０を有する透光性基板３００を製造することができる。

なお、透光性基板３００から有機ＬＥＤ素子を製造する場合は、さらに、有機発光層および第２の電極層を順次形成すれば良い。

例えば、蒸着法および／または塗布法等により、ＩＴＯ膜３３０上に、有機発光層（例えば図４における有機発光層４５０）が設置されても良い。また、例えば、蒸着法、スパッタ法、気相成膜法等により、有機発光層上に、第２の電極層（例えば図４における第２の電極層４６０）が設置されても良い。

なお、上記記載では、明確に識別することが可能な２つのＩＴＯ層３３５および３３７を有する複層構造のＩＴＯ膜３３０が形成される場合を例に、本発明の一実施例による製造方法について説明した。このような複層構造のＩＴＯ膜３３０は、例えば、プラズマ密度および酸素分圧等のような成膜条件を変更する前に、一旦成膜過程を中断した場合などに形成されやすい。

しかしながら、本発明の透光性基板においては、被覆層を設けることにより、ＩＴＯ膜を成膜する成膜条件に関わらず、ガラス基板や散乱層に含まれる被還元性元素が還元されることを抑制することができる。このため、本発明の製造方法は、上記形態に限られるものではなく、スパッタ法により、例えば、図１に示すような、特性の異なる２つの部分１３６、１３８を有する単層構造のＩＴＯ膜１３０が成膜されても良い。そのような単層構造のＩＴＯ膜１３０は、例えば、成膜条件を変更する際に、成膜処理を中断せず、成膜を継続的に実施させること等により、構成することができる。また、成膜条件を変化させることなく、通常のＩＴＯ膜の成膜条件（酸化性の弱い雰囲気）、例えば、指標Ｒが１．０３以下の条件下、単層のＩＴＯ膜を成膜してもよい。

また、上記記載では、ＩＴＯ膜３３０は、スパッタ法により成膜される例を示したが、これは単なる一例であって、ＩＴＯ膜３３０は、その他の成膜方法で形成されても良い。

以上、ガラス基板の上にＩＴＯ膜が設置されて構成される透光性基板および有機ＬＥＤ素子を例に、本発明の課題およびそれを解決するための思想について説明した。

しかしながら、本発明の適用範囲は、そのような透光性基板および有機ＬＥＤ素子に限られるものではない。

例えば、既述のように、透光性基板の電極層には、ＩＴＯ膜以外にも各種導電性酸化物、例えば、ＧＺＯ（ガリウム亜鉛酸化物）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：インジウム亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＳｎＯ_２、ＴａドープＳｎＯ_２、およびＴｉドープＩｎ_２Ｏ_３等が使用され得る。このような導電性酸化物は、通常、ＩＴＯ膜を成膜する場合と同様の条件、すなわち酸素欠乏が生じやすい環境下で、ガラス基板上に成膜される。従って、ＩＴＯ膜以外の各種導電性酸化物を成膜する場合にも、ガラス基板の着色という同様の課題が生じ得る。そのような課題に対しても、本発明を適用することにより、問題を解決することができる。

次に、本発明の実施例について説明する。例１、２、５〜８が実施例、例３、４が比較例である。

以下の方法により、Ｂｉを含有する散乱層を備えたガラス基板の散乱層上に被覆層、ＩＴＯ膜を成膜し、得られたサンプルの特性を評価した。

（例１）
以下の手順により透光性基板のサンプル（以下、「サンプル１」と称する）を作製した。

一方の面に散乱層を備えたガラス基板を用意した。この際、散乱層はベース材としてＢｉを含有するガラスを用いている。

そして、該散乱層上に被覆層を成膜した。

被覆層は反応性スパッタにより成膜した。

成膜は、散乱層を備えたガラス基板を２５０℃に加熱し、ターゲットとして２８ａｔ％Ｓｉ−７２ａｔ％Ｓｎターゲットを用い、スパッタの際の反応ガスとしてはアルゴンと酸素を用い、この際酸素濃度は８０ｖｏｌ％としてスパッタ装置により行った。被覆層として、１９０ｎｍのＳＴＯ膜（Ｓｉ、Ｓｎ、Ｏを組成として含む混合膜）を成膜した。

被覆層を成膜後、後述の方法により被覆層の屈折率、表面粗さＲａ、充填率の測定を行った。例２〜８についても被覆層の成膜後、同様にして測定を行った。

次に被覆層上にＩＴＯ膜の成膜を行った。

ＩＴＯ膜は被覆層と同様に反応性スパッタにより成膜した。

成膜は、被覆層まで形成された基板を３８０℃に加熱し、ターゲットとしてはＩＴＯターゲットを用い、スパッタの際の反応ガスとしてはアルゴンと酸素を用い、この際酸素濃度は０．７９ｖｏｌ％としてスパッタ装置により行った。膜厚１５０ｎｍのＩＴＯ膜を成膜した。

（例２）
例１と同様の方法により、透光性基板のサンプル（以下、「サンプル２」と称する）を作製した。

ただし、この例２では、散乱層上に被覆層を成膜する際の条件を以下の条件としてサンプルを作製した。

被覆層は反応性スパッタにより成膜した。

成膜は、散乱層を備えたガラス基板を２５０℃に加熱し、ターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタの際の反応ガスとしてはアルゴンと酸素を用い、この際酸素濃度は５０ｖｏｌ％としてスパッタ装置により行った。被覆層として、３０ｎｍのＳｉＯ_２膜を成膜した。

その後、例１と同様にしてＩＴＯ膜を成膜した。

これにより、サンプル２が得られた。

（例３）
例１と同様の方法により、透光性基板のサンプル（以下、「サンプル３」と称する）を作製した。

ただし、この例３では、散乱層上に被覆層を成膜する際の条件を以下の条件としてサンプルを作製した。

被覆層は以下の手順により成膜した。

まず、チタネートテトラノルマルブトキシドと、３−グリシジロキシプロピルトリメトキシシランを４０：６０（体積比）の割合で混合したものを、溶剤（１−ブタノール）で希釈し、塗布に適した粘度を持つ被覆層形成用の液体を得た。この被覆層形成用の液体を、ガラス基板上に形成された散乱層上に滴下し、スピンコーターを用いて塗布膜を形成した。

塗布膜を１２０℃に保持した乾燥機に投入し、１０分間保持することにより、乾燥膜厚０．６μｍの乾燥膜を得た。

乾燥膜は、４７５℃で１時間保持して焼成し、これにより１５０ｎｍの焼成膜を得た。

再度、焼成膜の上に被覆層形成用の液体を塗布し、乾燥、焼成し、２層積層することにより、３００ｎｍの焼成膜で形成された被覆層を得た。

その後、例１と同様にしてＩＴＯ膜を成膜した。

これにより、サンプル３が得られた。

（例４）
例３と同様の方法により、透光性基板のサンプル（以下、「サンプル４」と称する）を作製した。

ただし、この例４では、ＩＴＯ膜を以下の条件により成膜した。その他の条件は、例３の場合と同様である。

ＩＴＯ膜は同様に反応性スパッタにより成膜した。

成膜は、被覆層まで形成された基板を３８０℃に加熱し、ターゲットとしてはＩＴＯターゲットを用い、スパッタの際の反応ガスとしてはアルゴンと酸素を用い、この際酸素濃度は２．３ｖｏｌ％としてスパッタ装置により行った。膜厚１５０ｎｍのＩＴＯ膜を成膜した。

これにより、サンプル４が得られた。

（例５）
例１と同様の方法により透光性基板のサンプル（以下、「サンプル５」と称する）を作製した。

ただし、例５では、散乱層上に被覆層を成膜する際の条件を以下の条件としてサンプルを作製した。

被覆層は反応性スパッタにより成膜した。

成膜は、散乱層を備えたガラス基板を２５０℃に加熱し、ターゲットとして４０ａｔ％Ｓｉ−６０ａｔ％Ｓｎターゲットを用い、スパッタの際の反応ガスとしてはアルゴンと酸素を用い、この際酸素濃度は５０ｖｏｌ％としてスパッタ装置により行った。被覆層として、３００ｎｍのＳＴＯ膜（Ｓｉ、Ｓｎ、Ｏを組成として含む混合膜）を成膜した。

その後、例１と同様にしてＩＴＯ膜の成膜を行った。

これにより、サンプル５が得られた。

（例６）
例１と同様の方法により、透光性基板のサンプル（以下、「サンプル６」と称する）を作製した。

ただし、この例６では、散乱層上に被覆層を成膜する際の条件を以下の条件としてサンプルを作製した。

被覆層は反応性スパッタにより成膜した。

成膜は、散乱層を備えたガラス基板を２５０℃に加熱し、ターゲットとして４０ａｔ％Ｓｉ−６０ａｔ％Ｓｎターゲットを用い、スパッタの際の反応ガスとしてはアルゴンと酸素を用い、この際酸素濃度は５０ｖｏｌ％としてスパッタ装置により行った。被覆層として、１５０ｎｍのＳＴＯ膜（Ｓｉ、Ｓｎ、Ｏを組成として含む混合膜）を成膜した。

その後、例１と同様にしてＩＴＯ膜を成膜した。

これにより、サンプル６が得られた。

（例７）
例１と同様の方法により、透光性基板のサンプル（以下、「サンプル７」と称する）を作製した。

ただし、この例７では、散乱層上に被覆層を成膜する際の条件を以下の条件としてサンプルを作製した。

被覆層は反応性スパッタにより成膜した。

成膜は、散乱層を備えたガラス基板を２５０℃に加熱し、ターゲットとして２８ａｔ％Ｓｉ−７２ａｔ％Ｓｎターゲットを用い、スパッタの際の反応ガスとしてはアルゴンと酸素を用い、この際酸素濃度は５０ｖｏｌ％としてスパッタ装置により行った。被覆層として、３００ｎｍのＳＴＯ膜（Ｓｉ、Ｓｎ、Ｏを組成として含む混合膜）を成膜した。

その後、例１と同様にしてＩＴＯ膜の成膜を行った。

これにより、サンプル７が得られた。

（例８）
例１と同様の方法により、透光性基板のサンプル（以下、「サンプル８」と称する）を作製した。

ただし、この例８では、散乱層上に被覆層を成膜する際の条件を以下の条件としてサンプルを作製した。

被覆層は反応性スパッタにより成膜した。

成膜は、散乱層を備えたガラス基板を室温とし、ターゲットとして４０ａｔ％Ｓｉ−６０ａｔ％Ｓｎターゲットを用い、スパッタの際の反応ガスとしてはアルゴンと酸素を用い、この際酸素濃度は５０ｖｏｌ％としてスパッタ装置により行った。被覆層として、３００ｎｍのＳＴＯ膜（Ｓｉ、Ｓｎ、Ｏを組成として含む混合膜）を成膜した。

その後例１と同様にしてＩＴＯ膜の成膜を行った。

これにより、サンプル８が得られた。

以下の表１に、サンプル１〜８の被覆層の成膜方法、及び、後述の評価の結果をまとめて示す。

（評価）
上述のようにサンプル１〜８について、被覆層を成膜後に被覆層の屈折率、表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａ、充填率の測定を行った。また、サンプル１〜８についてＩＴＯ膜を成膜後に着色評価試験、電気抵抗率測定と吸収量測定を行った。評価方法とその結果について以下に説明する。

（被覆層の屈折率測定）
被覆層の屈折率はエリプソメーター（Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ社 Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｉｃ Ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｅｒｙ Ｍ−２０００ＤＩ）を用いて測定を実施した。

結果を表１に「波長５５０ｎｍの光に対する屈折率」として示す。

（被覆層の表面粗さＲａ測定）
被覆層のＩＴＯ膜を成膜する面についてＪＩＳ Ｂ ０６０１ ２００１で定義されている表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａを測定した。表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは原子間力顕微鏡（セイコーエプソン社 ＳＰＭ３８００）を用い、測定を実施した。

測定は、被覆層の表面のうち任意の箇所で、３μｍ四方の範囲について行った。

結果を表１に「表面粗さＲａ」として示す。

（被覆層の充填率測定）
被覆層の充填率（充填密度）はＸ線反射率測定器を用いて膜の実測密度を測定し、該実測密度を、膜の組成から算出した理論密度で除し、得られた値を１００倍して算出した。被覆膜の密度測定は膜厚方向の密度変化がある場合は、膜中で、もっとも高い密度を実測密度として用いている。

結果を表１に「充填率」として示す。

（着色評価試験）
着色評価試験は、下記の手順で実施した。
（１）ＩＴＯ膜を成膜したサンプルを塩化鉄水溶液にて被覆層とＩＴＯ膜とをウエットエッチングする。
（２）サンプルの分光吸収量を分光装置（パーキンエルマー社製、Ｌａｍｂｄａ９５０）にて評価する。この際の分光吸収量の値を表１において、「ＩＴＯ成膜後の基材の波長５５０ｎｍにおける吸収量（％）」として示す。
（３）波長５５０ｎｍにおける吸収量が基材ガラスの吸収よりも１％以上大きいものは、ＩＴＯ成膜プロセス中に基材に着色が生じていると判断する。また、この場合、Ｂｉ還元由来の吸収があると判断する。着色評価試験の結果を、表１に「Ｂｉ還元成分由来の吸収の有無」として示す。

なお、被覆層、ＩＴＯ膜を形成する前のガラス基板（基材ガラス）、すなわち、散乱層が設けられたガラス基板について同様の測定を行ったところ、ガラス基板の波長５５０ｎｍにおける吸収量は、約３．５％であった。

（電気抵抗率測定）
サンプル１〜８のＩＴＯ膜の電気抵抗率を、ホール効果測定装置により測定した。結果を表１に「電気抵抗率」として示す。

なお、本測定は着色評価試験の前に行っている。

（吸収量測定）
次にサンプル１〜８のガラス基板と、散乱層と、被覆層と、ＩＴＯ膜と、を含む透光性基板の吸収量測定を行なった。吸収量の測定は分光装置（パーキンエルマー社製、Ｌａｍｂｄａ９５０）を用いて行った。この結果を「サンプルの波長５５０ｎｍにおける吸収量」として表１に示す。

なお、本測定は着色評価試験の前に行っている。

まず、着色評価試験の結果によると、サンプル１、２、４、５、６、７、８は、着色していないものの、サンプル３は、着色していることが確認された。

また、電気抵抗率測定の結果、表１に示すようにサンプル１、２、３、５、６、７、８については、電気抵抗率は２．３８×１０^−４Ωｃｍ未満と、十分に小さいが、サンプル４については電気抵抗率が高くなっていることが確認された。

これは、サンプル４以外については、酸素濃度が低い領域でＩＴＯ膜を成膜したのに対して、サンプル４は他のサンプルと比較して酸素濃度が高い雰囲気においてＩＴＯ膜を成膜したためと考えられる。

表１に示したサンプルの波長５５０ｎｍにおける吸収量を比較すると、サンプル１、２、４、５、６、７、８は８．７％以下と低くなっているのに対して、サンプル３は１３．２％と非常に高くなっていることが確認された。これは、サンプル３は上述のように散乱層に着色が生じたためと考えられる。

また、サンプル５、６は吸収量がそれぞれ６．８％、５．７％と、７．０％以下になっており、他のサンプルと比較して非常に低くなっていることが確認できた。

ここで、表１に示すように、乾式で被覆層を成膜したサンプル１、２、５〜８では被覆層の充填率が９６％〜９９％の範囲に分布していた。これに対して、湿式で被覆層を成膜したサンプル３、４では、被覆層の充填率が８１％、８２％と低くなっていることが分かる。そして、ＩＴＯ膜を成膜する際の酸素濃度が同じ、サンプル１〜３、５〜８で比較すると上述のようにサンプル３の場合にのみ着色が生じていた。

被覆層の充填率と、着色評価試験の結果から、被覆層の充填率を高くすることにより、ＩＴＯ成膜時の雰囲気によらず散乱層の着色を防止できることがわかる。そして、乾式で被覆層を成膜することにより、被覆層の充填率が高くなることが確認できた。

また、サンプル１、２、５〜８において、被覆層表面の表面粗さＲａが２．０ｎｍ以下と低くなっていることが確認できた。中でも、サンプルの波長５５０ｎｍにおける吸収量が７．０％よりも低いサンプル５、６は、被覆層の表面粗さが１．０ｎｍ以下になっていることが確認できた。これは、被覆層の表面粗さＲａが平滑であるほどＩＴＯの結晶核が良好に成長することができたためと考えられる。

そして、被覆層の屈折率を比較すると、サンプル２以外は屈折率が１．８６から１．９１の間であり、この実施例ではベース材の波長５５０ｎｍの光に対する屈折率が１．９であり、屈折率がベース材（約１．９）に近くなっている。このようにベース材の屈折率と被覆層の屈折率が近い場合には、被覆層の膜厚にばらつきがあっても干渉条件が変化しない為、有機ＬＥＤの発光色は変動を受けず、安定した発光層の色合いを得ることが可能になる。尚、ベース材の屈折率に制限はないが、有機ＬＥＤの光取り出しを良好にするには、ベース材の屈折率が１．７以上から２．１以下であると好ましく、１．８以上２．０以下であるとなお好ましい。

以上の評価の結果から総合評価を行った。総合評価の基準として、散乱層に着色がなく、電気抵抗率が十分に小さいサンプルを○とした。散乱層に着色がみられるか、電気抵抗率が高くなっているサンプルについては総合評価を×とした。また、散乱層に着色がなく、電気抵抗率が十分に小さく、かつサンプルの波長５５０ｎｍにおける吸収量が７．０％以下のサンプルの総合評価は◎とした。結果を表１に示す。

これによると、実施例であるサンプル１、２、５〜８についてはいずれも総合評価は○または◎となった。特にサンプル５、６は、散乱層に着色がなく、電気抵抗率が十分に低く、サンプルの波長５５０ｎｍにおける吸収量は７．０％以下になっており、特に性能が優れていることが確認できた。

これに対して、比較例であるサンプル３、４は散乱層に着色が生じるか、電気抵抗率が高くなっており、総合評価は×となった。

以上のように、実施例であるサンプル１、２、５〜８では乾式の成膜方法により成膜された被覆層が、ＩＴＯ膜を成膜する際の周辺雰囲気による、散乱層に含まれる被還元性元素の還元反応を抑制するバリア層として機能したため、散乱層に着色がみられなかった。また、ＩＴＯ膜を成膜する際に酸素濃度が低い条件で成膜したため、電気抵抗率も十分に小さくすることができている。

これに対して、比較例であるサンプル３については、被覆層を設けたものの湿式の成膜方法により成膜したため、散乱層に含まれる被還元性元素が、ＩＴＯ膜を成膜する際の周辺雰囲気によって還元され、散乱層に着色がみられた。

また、比較例であるサンプル４については、ＩＴＯ膜を成膜する際の周辺雰囲気中の酸素濃度を他のサンプルよりも高くしたため、湿式の成膜方法により被覆層を成膜したものの、散乱層の着色を防ぐことはできた。しかしながら、上述のように酸素濃度が高い条件下でＩＴＯ膜を成膜したため、電気抵抗率が高くなった。

以上のように、乾式の成膜方法により被覆層を成膜した場合、緻密な被覆層を形成し、該被覆層はＩＴＯ膜を成膜する際の低酸素雰囲気による、散乱層等に含まれるＢｉ_２Ｏ_３等の被還元性元素の還元反応を抑制するバリア層として機能することができる。このため、ＩＴＯ膜を低酸素濃度の雰囲気で成膜した場合でも散乱層の着色を防止することができ、散乱層（またはガラス基板）の低吸収とＩＴＯ膜の低抵抗とを両立できることが確認できた。

以上に透光性基板、有機ＬＥＤ素子、透光性基板の製造方法を、実施形態および実施例等で説明したが、本発明は上記実施形態および実施例等に限定されない。特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。

本出願は、２０１３年５月９日に日本国特許庁に出願された特願２０１３−０９９１１２号、及び２０１３年１２月１８日に日本国特許庁に出願された特願２０１３−２６１８２１号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１３−０９９１１２号、及び特願２０１３−２６１８２１号の全内容を本国際出願に援用する。

本発明は、発光デバイス等に使用される有機ＬＥＤ素子に適用することができる。

１００ 第１の透光性基板
１１０ ガラス基板
１２０ 被覆層
１３０ ＩＴＯ膜
１３２ 第１の表面
１３４ 第２の表面
１３６ 第１のＩＴＯ部分
１３８ 第２のＩＴＯ部分
２００ 第２の透光性基板
２１０ ガラス基板
２２０ 被覆層
２３０ ＩＴＯ膜
２３２ 第１の表面
２３４ 第２の表面
２３５ 第１のＩＴＯ層
２３７ 第２のＩＴＯ層
３００ 第３の透光性基板
３１０ ガラス基板
３２０ 被覆層
３３０ ＩＴＯ膜
３３２ 第１の表面
３３４ 第２の表面
３４０ 散乱層
３４１ ベース材
３４２ 散乱物質
３３５ 第１のＩＴＯ層
３３７ 第２のＩＴＯ層
４００ 有機ＬＥＤ素子
４１０ ガラス基板
４２０ 被覆層
４３０ 第１の電極層
４３２ 第１の表面
４３４ 第２の表面
４３５ 第１のＩＴＯ層
４３７ 第２のＩＴＯ層
４４０ 散乱層
４４１ ベース材
４４２ 散乱物質
４５０ 有機発光層
４６０ 第２の電極層
４７０ 光取り出し面

Claims (23)

1. Ｂｉ、Ｔｉ、およびＳｎからなる群から選定された少なくとも一つの元素を含むガラス基板と、
   該ガラス基板上に形成された被覆層と、
   該被覆層上に形成された透明導電膜とを有し、
   前記被覆層は充填率が８５％以上であり、
   前記透明導電膜は、前記ガラス基板に近い側の方が、前記ガラス基板から遠い側に比べて酸化の程度が高い状態となっていることを特徴とする透光性基板。
2. ガラス基板と、
   該ガラス基板上に形成されたＢｉ、Ｔｉ、およびＳｎからなる群から選定された少なくとも一つの元素を含む散乱層と、
   該散乱層上に形成された被覆層と、
   該被覆層上に形成された透明導電膜とを有し、
   前記透明導電膜は、ＩＴＯ膜、ＳｎＯ_２膜、ＧＺＯ膜、ＩＺＯ膜、ＡｌドープＺｎＯ膜、ＴａドープＳｎＯ_２膜、およびＴｉドープＩｎ_２Ｏ_３膜のいずれかであり、
   前記被覆層は充填率が８５％以上であり、
   前記被覆層は、Ａｌ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する酸化物と、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒素酸化物と、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒化物と、から選択された１種以上を含有することを特徴とする透光性基板。
3. 前記被覆層がＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する酸化物を含むことを特徴とする請求項１に記載の透光性基板。
4. 前記被覆層がＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒素酸化物を含むことを特徴とする請求項１または３に記載の透光性基板。
5. 前記被覆層がＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒化物を含むことを特徴とする請求項１、３、４のいずれか一項に記載の透光性基板。
6. 前記透明導電膜は、前記ガラス基板に近い側の方が、前記ガラス基板から遠い側に比べて酸化の程度が高い状態となっていることを特徴とする請求項２に記載の透光性基板。
7. 前記透明導電膜は、前記ガラス基板に近い側から前記ガラス基板から遠い側に向かって、酸化の程度が連続的にまたは不連続に低下する、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の透光性基板。
8. 前記透明導電膜は、２ｎｍ〜５００ｎｍの厚さを有する、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の透光性基板。
9. 前記透明導電膜は、少なくとも２層の膜で構成され、前記ガラス基板に近い側の第１の透明導電層と、前記ガラス基板から遠い側の第２の透明導電層を有し、
   前記第１の透明導電層は、前記第２の透明導電層よりも酸化の程度が高い状態となっている、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の透光性基板。
10. 前記透明導電膜は、２．３８×１０^−４Ωｃｍ未満の抵抗率を有する、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の透光性基板。
11. 前記透明導電膜は、０．００８６以下の消衰係数を有する、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の透光性基板。
12. ガラス基板と、第１の電極層と、有機発光層と、第２の電極層とをこの順に有する有機ＬＥＤ素子であって、
    請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の透光性基板を備える、有機ＬＥＤ素子。
13. ガラス基板と、該ガラス基板上に形成された被覆層と、該被覆層上に形成された透明導電膜とを有する透光性基板の製造方法であって、
    Ｂｉ、Ｔｉ、およびＳｎからなる群から選定された少なくとも一つの元素を含むガラス基板を準備するステップと、
    前記ガラス基板上に、乾式の成膜方法により被覆層を成膜するステップと、
    前記被覆層上に透明導電膜を成膜するステップと、
    を有し、
    前記透明導電膜を成膜するステップにおいて、前記透明導電膜は、前記ガラス基板に近い側の方が、前記ガラス基板から遠い側に比べて酸化の程度が高い状態となるように成膜されていることを特徴とする透光性基板の製造方法。
14. ガラス基板と、該ガラス基板上に形成された散乱層と、該散乱層上に形成された被覆層と、該被覆層上に形成された透明導電膜とを有する透光性基板の製造方法であって、
    ガラス基板上に、ガラスからなるベース材と、該ベース材中に分散された複数の散乱物質とを有する散乱層を設置するステップであって、前記散乱層は、Ｂｉ、Ｔｉ、およびＳｎからなる群から選定された少なくとも一つの元素を含むステップと、
    前記散乱層上に、乾式の成膜方法により被覆層を成膜するステップと、
    前記被覆層上に透明導電膜を成膜するステップと、
    を有し、
    前記透明導電膜は、ＩＴＯ膜、ＳｎＯ_２膜、ＧＺＯ膜、ＩＺＯ膜、ＡｌドープＺｎＯ膜、ＴａドープＳｎＯ_２膜、およびＴｉドープＩｎ_２Ｏ_３膜のいずれかであり、
    前記被覆層は、Ａｌ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する酸化物と、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒素酸化物と、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒化物と、から選択された１種以上を含有することを特徴とする透光性基板の製造方法。
15. 前記被覆層がＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する酸化物を含むことを特徴とする請求項１３に記載の透光性基板の製造方法。
16. 前記被覆層がＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒素酸化物を含むことを特徴とする請求項１３または１５に記載の透光性基板の製造方法。
17. 前記被覆層がＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗから選択された１種以上の元素を含有する窒化物を含むことを特徴とする請求項１３、１５、１６のいずれか一項に記載の透光性基板の製造方法。
18. 前記透明導電膜を成膜するステップにおいて、前記透明導電膜は、前記ガラス基板に近い側の方が、前記ガラス基板から遠い側に比べて酸化の程度が高い状態となるように成膜されていることを特徴とする請求項１４に記載の透光性基板の製造方法。
19. 前記透明導電膜を成膜するステップにおいて、前記透明導電膜は、前記ガラス基板に近い側から前記ガラス基板から遠い側に向かって、酸化の程度が連続的にまたは不連続に低下する、請求項１３乃至１８のいずれか一項に記載の透光性基板の製造方法。
20. 前記透明導電膜を成膜するステップにおいて、前記透明導電膜は、２ｎｍ〜５００ｎｍの厚さを有する、請求項１３乃至１９のいずれか一項に記載の透光性基板の製造方法。
21. 前記透明導電膜を成膜するステップは、
    （ｉ）第１の透明導電層を成膜するステップと、その後、
    （ｉｉ）前記第１の透明導電層の上部に、第２の透明導電層を成膜するステップと、
    を有し、
    前記第１の透明導電層は、前記第２の透明導電層よりも酸化の程度が高い状態となるように成膜される、請求項１３乃至２０のいずれか一項に記載の透光性基板の製造方法。
22. 前記透明導電膜は、２．３８×１０^−４Ωｃｍ未満の抵抗率を有する、請求項１３乃至２１のいずれか一項に記載の透光性基板の製造方法。
23. 前記透明導電膜は、０．００８６以下の消衰係数を有する、請求項１３乃至２２のいずれか一項に記載の透光性基板の製造方法。

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