JP2014120384A - 有機ｌｅｄ素子の製造方法、および有機ｌｅｄ素子 - Google Patents

Abstract

【課題】プロセスをより簡略化することが可能な、有機ＬＥＤ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基板、散乱層、第１の透明電極、金属補助配線、有機発光層、および第２の電極を有する有機ＬＥＤ素子の製造方法であって、（ａ）透明基板上に散乱層を形成するステップであって、前記散乱層は、ガラスからなるベース材と、該ベース材中に分散された複数の散乱物質とを有するステップと、（ｂ）第１の透明電極のパターンを形成するステップであって、前記第１の透明電極のパターンは、マスク成膜法または印刷法により形成されるステップと、（ｃ）金属補助配線を形成するステップと、を有し、前記（ｂ）および（ｃ）のステップは、（ｂ）から（ｃ）の順、または（ｃ）から（ｂ）の順に実施されることを特徴とする製造方法。
【選択図】図２

Description

本発明は、有機ＬＥＤ素子の製造方法、および有機ＬＥＤ素子に関する。

有機ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）素子は、ディスプレイ、バックライト、および照明用途等に広く用いられている。

一般的な有機ＬＥＤ素子は、基板上に設置された第１の電極（陽極）と、第２の電極（陰極）と、これらの電極間に設置された有機発光層とを有する。電極間に電圧を印加すると、それぞれの電極から、有機発光層にホールおよび電子が注入される。このホールと電子が有機発光層内で再結合された際に、結合エネルギーが生じ、この結合エネルギーによって有機発光層中の有機発光材料が励起される。励起した発光材料が基底状態に戻る際に発光が生じるため、これを利用することにより、発光（ＬＥＤ）素子が得られる。

通常、第１の電極、すなわち陽極には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）のような透明薄膜が使用され、第２の電極、すなわち陰極には、アルミニウムおよび銀等の金属薄膜が使用される。

また、最近では、ＩＴＯ電極を設置するためのガラス板の表面に、散乱層を形成する技術が開示されている。この方法では、有機発光層で生じた発光の一部は、散乱層によって散乱されるため、有機ＬＥＤ素子内に閉じ込められる光の量（全反射の光量）が少なくなり、有機ＬＥＤ素子からの光取り出し効率を高めることができることが開示されている（例えば特許文献１）。

国際公開第ＷＯ２０１２／１３３８３２号

前述のように、ＩＴＯ電極とガラス基板の間に散乱層を設けることにより、有機ＬＥＤ素子からの光取り出し効率を高めることができる。

ここで、通常の場合、ＩＴＯ電極は、エッチング処理等によりパターン化される。

しかしながら、散乱層の中には、ＩＴＯ電極のエッチング処理に使用されるエッチング液に対して、良好な耐性を有さないものが存在する。そのような散乱層を使用した場合、ＩＴＯ電極のパターン処理の際に、エッチング液によって散乱層が劣化または損傷してしまう。そこで、前述の特許文献１には、このような問題を回避するため、散乱層とＩＴＯ電極の間に、エッチング液に対して耐性を有する被覆層を設置することが記載されている。

なお、一般に、このような被覆層は、成膜処理、乾燥処理、および熱処理の各プロセスを経て形成される。さらに、厚い被覆層を形成する場合、これらのプロセスが２回以上繰り返される場合もあり得る。

しかしながら、そのような被覆層を形成するプロセスを含む有機ＬＥＤ素子の製造方法では、製造プロセスが煩雑になる上、有機ＬＥＤ素子の製造コストが上昇してしまうという問題がある。

本発明は、このような問題に鑑み成されたものであり、本発明では、プロセスをより簡略化することが可能な、有機ＬＥＤ素子の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明では、簡略化されたプロセスで製造することが可能な、有機ＬＥＤ素子を提供することを目的とする。

本発明では、少なくとも、透明基板、散乱層、第１の透明電極、および該第１の透明電極と接する金属補助配線を有する有機ＬＥＤ素子の製造方法であって、
（ａ）透明基板上に散乱層を形成するステップであって、
前記散乱層は、ガラスからなるベース材と、該ベース材中に分散された複数の散乱物質とを有するステップと、
（ｂ）第１の透明電極のパターンを形成するステップであって、前記第１の透明電極のパターンは、マスク成膜法または印刷法により形成されるステップと、
（ｃ）金属補助配線を形成するステップと、
を有し、
前記（ｂ）および（ｃ）のステップは、（ｂ）から（ｃ）の順、または（ｃ）から（ｂ）の順に実施されることを特徴とする製造方法が提供される。

ここで、本発明による製造方法において、前記第１の透明電極は、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウムドープ亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウムドープ亜鉛酸化物）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ、ＮｂドープＴｉＯ_２、ＴａドープＴｉＯ_２、および有機導電性材料からなる群から選定された少なくとも一つを含んでも良い。

また、本発明による製造方法は、さらに、
（ｄ）有機発光層を形成するステップ
を有しても良い。

また、本発明による製造方法において、前記（ｂ）のステップは、前記（ｃ）のステップの後に実施され、
前記（ｂ）のステップの後、前記有機発光層のうちの少なくとも最初の層の成膜が、第１の透明電極のパターンを形成する装置と同じ装置内で、連続的に実施されても良い。

あるいは、本発明による製造方法は、前記（ｃ）のステップは、前記（ｂ）のステップの後に実施され、
前記（ｃ）のステップの後、前記有機発光層のうちの少なくとも最初の層の成膜が、金属補助配線のパターンを形成する装置と同じ装置内で、連続的に実施されても良い。

また、本発明による製造方法において、前記（ｃ）のステップは、マスク成膜法または印刷法により実施されても良い。

また、本発明による製造方法は、前記（ｃ）のステップの後、前記金属補助配線のエッジ部に、エッジカバー層を形成するステップを有しても良い。

また、本発明による製造方法は、さらに、
（ｅ）前記有機発光層の上に、第２の電極を形成するステップ
を有しても良い。

さらに、本発明では、少なくとも、透明基板、散乱層、第１の透明電極、および該第１の透明電極と接する金属補助配線を有する有機ＬＥＤ素子であって、
前記散乱層は、ガラスからなるベース材と、該ベース材中に分散された複数の散乱物質とを有し、
前記金属補助配線は、全面ベタで形成した場合に０．１Ω／□以下のシート抵抗を有し、
前記第１の透明電極は、４５０ｎｍから６５０ｎｍにおける内部透過率が９６％以上であることを特徴とする有機ＬＥＤ素子が提供される。

本発明では、プロセスをより簡略化することが可能な、有機ＬＥＤ素子の製造方法を提供することができる。また、本発明では、簡略化されたプロセスで製造することが可能な、有機ＬＥＤ素子を提供することができる。

従来の有機ＬＥＤ素子の概略的な構成を示した断面図である。 本発明の一実施例による有機ＬＥＤ素子の概略的な構成を示した断面図である。 本発明による第１の製造方法のフローを概略的に示した図である。 滑らかな端部を有する金属補助配線を有する有機ＬＥＤ素子の一例を概略的に示した図である。 本発明の一実施例による第２の有機ＬＥＤ素子の概略的な構成を示した断面図である。 本発明による第２の製造方法のフローを概略的に示した図である。 滑らかな端部を有する金属補助配線を有する第２の有機ＬＥＤ素子の一例を概略的に示した図である。

以下、図面を参照して、本発明について詳しく説明する。

（従来の有機ＬＥＤ素子）
まず、本発明の特徴をより良く理解するため、図１を用いて、従来の有機ＬＥＤ素子の構成について簡単に説明する。図１には、従来の有機ＬＥＤ素子の概略的な断面図を示す。

図１に示すように、従来の有機ＬＥＤ素子１００は、ガラス基板１１０と、散乱層１２０と、被覆層１３０と、第１の電極（陽極）１４０としてのＩＴＯ電極と、金属補助配線１５０と、有機発光層１６０と、第２の電極（陰極）１７０とを、この順に積層することにより構成される。

図１の例では、有機ＬＥＤ素子１００の下側の表面（すなわちガラス基板１１０の露出面）が光取り出し面１９０となる。

散乱層１２０は、ベース材１２１と、該ベース材１２１中に分散された複数の散乱物質１２４とを有する。散乱層１２０は、有機発光層１６０から生じる光を効果的に散乱させ、有機ＬＥＤ素子１００内で全反射される光の量を低減する役割を有する。従って、図１の構成の有機ＬＥＤ素子１００では、光取り出し面１９０から出射される光量を向上させることができる。

ここで、散乱層１２０の中には、ＩＴＯ電極１４０のエッチング処理に使用されるエッチング液に対して、良好な耐性を有さないものが存在する。そのような散乱層１２０を使用した場合、ＩＴＯ電極１４０のパターン処理の際に、エッチング液によって散乱層１２０が劣化または損傷してしまう。

しかしながら、図１の例では、有機ＬＥＤ素子１００は、散乱層１２０とＩＴＯ電極１４０の間に配置された被覆層１３０を有する。

被覆層１３０は、ＩＴＯ電極１４０のエッチング処理に使用されるエッチング液に対して耐性を有する。このため、被覆層１３０を形成することにより、ＩＴＯ電極１４０のエッチング処理の際に、エッチング液によって散乱層１２０が劣化することを抑制することができる。

しかしながら、このような被覆層１３０を含む有機ＬＥＤ素子１００の製造方法では、製造プロセスが煩雑になる上、有機ＬＥＤ素子の製造コストが上昇してしまうという問題がある。例えば、被覆層１３０は、成膜処理、乾燥処理、および熱処理の各プロセスを経て形成される。さらに、厚い被覆層１３０を形成する場合、これらのプロセスが２回以上繰り返される場合もあり得る。従って、このような被覆層１３０の形成プロセスを含む従来の有機ＬＥＤ素子１００の製造方法では、プロセスの簡略化および製造コストの抑制に限界がある。

（本発明による有機ＬＥＤ素子の製造方法）
次に、本発明による有機ＬＥＤ素子の製造方法について説明する。

本発明では、
少なくとも、透明基板、散乱層、第１の透明電極、および該第１の透明電極と接する金属補助配線を有する有機ＬＥＤ素子の製造方法であって、
（ａ）透明基板上に散乱層を形成するステップであって、
前記散乱層は、ガラスからなるベース材と、該ベース材中に分散された複数の散乱物質とを有するステップと、
（ｂ）第１の透明電極のパターンを形成するステップであって、前記第１の透明電極のパターンは、マスク成膜法または印刷法により形成されるステップと、
（ｃ）金属補助配線を形成するステップと、
を有し、
前記（ｂ）および（ｃ）のステップは、（ｂ）から（ｃ）の順、または（ｃ）から（ｂ）の順に実施されることを特徴とする製造方法が提供される。

ここで、本発明による有機ＬＥＤ素子の製造方法では、第１の透明電極のパターンは、マスク成膜法または印刷法により形成されるという特徴を有する。

なお、本願において、「マスク成膜法」とは、マスクを介して、被処理表面に所望の膜のパターンを成膜する工程全般を意味する。例えば、「マスク成膜法」には、蒸着法、スパッタ法、ＰＶＤ（物理気相成膜法）、またはＣＶＤ（化学気相成膜法）法等により、マスクを介して被処理表面に第１の透明電極のパターンを形成する方法等が含まれる。

また、印刷法とは、被処理表面に第１の透明電極のパターンを印刷する方法全般を意味する。印刷方法は、特に限られず、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法、ダイコート法、凸版印刷法、凹版印刷法、およびスプレー印刷法等を利用しても良い。

このような第１の透明電極のパターンの製造方法では、エッチング処理を実施せずに、第１の透明電極のパターンを形成することができる。そのため、このような有機ＬＥＤ素子の製造方法では、従来の被覆層１３０を形成する工程が不要となる。また、これにより、本発明による有機ＬＥＤ素子の製造方法では、プロセスをより簡略化することができ、有機ＬＥＤ素子の製造コストを低減することが可能になる。

（本発明の一実施例による有機ＬＥＤ素子の製造方法）
次に、図２および図３を参照して、本発明の一実施例による有機ＬＥＤ素子の製造方法（第１の製造方法）について説明する。

図２には、後述する本発明の一実施例による有機ＬＥＤ素子の製造方法によって製造される有機ＬＥＤ素子の構成の一例を、概略的に示す。

図２に示すように、本発明の第１の製造方法によって製造される有機ＬＥＤ素子２００は、透明基板２１０と、散乱層２２０と、第１の電極２４０と、金属補助配線２５０と、エッジカバー層２５５と、有機発光層２６０と、第２の電極（陰極）２７０とを有する。

ここで、透明基板２１０は、上部に有機ＬＥＤ素子を構成する各層を支持する役割を有する。

散乱層２２０は、第１の屈折率を有するガラス製のベース材２２１と、該ベース材２２１中に分散された、前記ベース材２２１とは異なる第２の屈折率を有する複数の散乱物質２２４とで構成される。散乱層２２０の厚さは、例えば５μｍ〜５０μｍの範囲である。

第１の電極２４０は、例えばＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）のような透明金属酸化物薄膜で構成される。一方、第２の電極２７０は、例えばアルミニウムや銀のような金属で構成される。

金属補助配線２５０は、例えば銅または銀のような金属で構成される。金属補助配線２５０は、第１の電極２４０の抵抗を下げ、第１の電極２４０への通電を容易にする役割を有する。

エッジカバー層２５５は、絶縁材料で構成される。エッジカバー層２５５は、金属補助配線２５０のエッジ部の輪郭形状を滑らかにして、以降に成膜される層の連続性を確保したり、第２の電極２７０が金属補助配線２５０と短絡することを抑制したりする役割を有する。

有機発光層２６０は、通常の場合、発光層の他、電子輸送層、電子注入層、ホール輸送層、ホール注入層など、複数の層で構成される。

図２の例では、有機ＬＥＤ素子２００の下側の表面（すなわち透明基板２１０の露出面）が光取り出し面２９０となる。

散乱層２２０は、有機発光層２６０から生じる光を効果的に散乱させ、有機ＬＥＤ素子２００内で全反射される光の量を低減する役割を有する。従って、図２の構成の有機ＬＥＤ素子２００では、光取り出し面２９０から出射される光量を向上させることができる。

ここで、図２に示した有機ＬＥＤ素子２００は、散乱層２２０の上部に、従来の有機ＬＥＤ素子１００にあった被覆層１３０を有さないことに留意する必要がある。

次に、図３を参照して、図２に示したような有機ＬＥＤ素子２００を製造する際の製造方法（第１の製造方法）について説明する。

図３には、第１の製造方法の概略的なフロー図を示す。

図３に示すように、第１の製造方法は、
透明基板上に散乱層を形成するステップ（ステップＳ１１０）と、
前記散乱層の上に、第１の透明電極のパターンを形成するステップであって、前記第１の透明電極のパターンは、マスク成膜法または印刷法により形成されるステップ（ステップＳ１２０）と、
前記第１の透明電極のパターンの上に、金属補助配線を形成するステップ（ステップＳ１３０）と、
前記金属補助配線のエッジ部に、エッジカバー層を形成するステップ（ステップＳ１４０）と、
前記第１の透明電極のパターン、金属補助配線、およびエッジカバー層の上に、有機発光層を形成するステップ（ステップＳ１５０）と、
前記有機発光層の上に、第２の電極を形成するステップ（ステップＳ１６０）と、
を有する。

以下、各工程について説明する。

（ステップＳ１１０）
まず、透明基板２１０が準備される。通常、透明基板２１０には、ガラス基板やプラスチック基板が用いられる。

次に、透明基板２１０上に、ガラス製のベース材２２１中に散乱物質２２４が分散された散乱層２２０が形成される。散乱層２２０の形成方法は、特に限られないが、ここでは、特に、「フリットペースト法」により、散乱層２２０を形成する方法について説明する。ただし、その他の方法で、散乱層２２０を形成しても良いことは、当業者には明らかである。

フリットペースト法とは、フリットペーストと呼ばれるガラス材料を含むペーストを調製し（調製工程）、このフリットペーストを被設置基板の表面に塗布して、パターン化し（パターン形成工程）、さらにフリットペーストを焼成すること（焼成工程）により、被設置基板の表面に、所望のガラス製の膜を形成する方法である。以下、各工程について簡単に説明する。

（調製工程）
まず、ガラス粉末、樹脂、および溶剤等を含むフリットペーストが調製される。

ガラス粉末は、最終的に散乱層のベース材を形成する材料で構成される。ガラス粉末の組成は、所望の散乱特性が得られ、フリットペースト化して焼成することが可能なものであれば特に限られない。ガラス粉末の組成は、例えば、Ｐ_２Ｏ_５を２０〜３０ｍｏｌ％、Ｂ_２Ｏ_３を３〜１４ｍｏｌ％、Ｂｉ_２Ｏ_３を１０〜２０ｍｏｌ％、ＴｉＯ_２を３〜１５ｍｏｌ％、Ｎｂ_２Ｏ_５を１０〜２０ｍｏｌ％、ＷＯ_３を５〜１５ｍｏｌ％含み、Ｌｉ_２ＯとＮａ_２ＯとＫ_２Ｏの総量が１０〜２０ｍｏｌ％であり、以上の成分の総量が、９０ｍｏｌ％以上のものであっても良い。また、ＳｉＯ_２は０〜３０ｍｏｌ％、Ｂ_２Ｏ_３は１０〜６０ｍｏｌ％、ＺｎＯは０〜４０ｍｏｌ％、Ｂｉ_２Ｏ_３は０〜４０ｍｏｌ％、Ｐ_２Ｏ_５は０〜４０ｍｏｌ％、アルカリ金属酸化物は０〜２０ｍｏｌ％であり、以上の成分の総量が、９０ｍｏｌ％以上のものであっても良い。ガラス粉末の粒径は、例えば、１μｍ〜１００μｍの範囲である。

なお、最終的に得られる散乱層の熱膨張特性を制御するため、ガラス粉末には、所定量のフィラーを添加しても良い。フィラーには、例えば、ジルコン、シリカ、またはアルミナなどの粒子が使用され、粒径は、通常、０．１μｍ〜２０μｍの範囲である。

樹脂には、例えば、エチルセルロース、ニトロセルロース、アクリル樹脂、酢酸ビニル、ブチラール樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、およびロジン樹脂などが用いられる。なお、ブチラール樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、およびロジン樹脂を添加すると、フリットペースト塗布膜の強度が向上する。

溶剤は、樹脂を溶解し、粘度を調整する役割を有する。溶剤には、例えば、エーテル系溶剤（ブチルカルビトール（ＢＣ）、ブチルカルビトールアセテート（ＢＣＡ）、ジプロピレングリコールブチルエーテル、トリプロピレングリコールブチルエーテル、酢酸ブチルセロソルブ）、アルコール系溶剤（α−テルピネオール、パインオイル）、エステル系溶剤（２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート）、フタル酸エステル系溶剤（ＤＢＰ（ジブチルフタレート）、ＤＭＰ（ジメチルフタレート）、ＤＯＰ（ジオクチルフタレート））がある。主に用いられているのは、α−テルピネオールや２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート)である。なお、ＤＢＰ（ジブチルフタレート）、ＤＭＰ（ジメチルフタレート）、ＤＯＰ（ジオクチルフタレート）は、可塑剤としても機能する。

その他、フリットペーストには、粘度の調整やフリット分散促進のため、界面活性剤を添加しても良い。また、表面改質のため、シランカップリング剤を使用しても良い。

次に、これらの原料を混合し、ガラス原料が均一に分散されたフリットペーストを調製する。

（パターン形成工程）
次に、前述の方法で調製したフリットペーストを、透明基板上に塗布し、パターン化する。塗布の方法およびパターン化の方法は、特に限られない。例えば、スクリーン印刷機を用いて、透明基板上にフリットペーストをパターン印刷しても良い。あるいは、ドクターブレード印刷法またはダイコート印刷法を利用しても良い。

その後、フリットペースト膜は、乾燥される。

（焼成工程）
次に、フリットペースト膜が焼成される。通常、焼成は、２段階のステップで行われる。第１のステップでは、フリットペースト膜中の樹脂が分解、消失され、第２のステップでは、ガラス粉末が軟化、焼結される。

第１のステップは、大気雰囲気下で、フリットペースト膜を２００℃〜４００℃の温度範囲に保持することにより行われる。ただし、処理温度は、フリットペーストに含まれる樹脂の材料によって変化する。例えば、樹脂がエチルセルロースの場合は、処理温度は、３５０℃〜４００℃程度であり、樹脂がニトロセルロースの場合は、処理温度は、２００℃〜３００℃程度であっても良い。なお処理時間は、通常、３０分から１時間程度である。

第２のステップは、大気雰囲気下で、フリットペースト膜を、含まれるガラス粉末の軟化温度±３０℃の温度範囲に保持することにより行われる。処理温度は、例えば、４５０℃〜６００℃の範囲である。また、処理時間は、特に限られないが、例えば、３０分〜１時間である。

第２のステップ後に、ガラス粉末が軟化、焼結して、散乱層のベース材が形成される。また、フリットペースト膜中に内包させた散乱物質によって、例えば内在する気泡などによって、ベース材中に均一に分散された散乱物質が得られる。

その後、透明基板を冷却することにより、側面部分が上面から前記底面に向かって、直角よりも緩やかな角度で傾斜した表面を有する散乱層が形成される。

最終的に得られる散乱層の厚さは、５μｍ〜５０μｍの範囲であっても良い。

ここで、本発明による第１の製造方法は、第１の電極２４０をエッチング処理してパターン化する工程を有さない。このため、散乱層２２０は、従来の製造方法において、第１の電極をエッチング処理する際に使用されるエッチング液（例えば強酸）に対して耐性のない材料で構成することもできる。このため、散乱層２２０の材料選択の自由度が広がるという利点が得られる。

例えば、散乱層２２０は、以下の表１に示す組成を有しても良い。

このような組成を有する散乱層２２０は、例えば塩酸のような強酸に対して、耐久性が
ない。従って、これまでの有機ＬＥＤ素子の製造方法では、このような散乱層を使用する場合、散乱層の上部に被覆層を設置することが必須となる。しかしながら、本発明による第１の製造方法では、このような組成の散乱層２２０も、適正に使用することができる。

（ステップＳ１２０）
次に、ステップＳ１１０で形成された散乱層２２０の上に、第１の透明電極２４０のパターンが形成される。

ここで、本発明の第１の製造方法では、このステップは、マスク成膜法または印刷法により実施されるという特徴を有する。

前述のように、マスク成膜法または印刷法では、エッチング処理工程を経ずに、第１の透明電極２４０を、所望の態様でパターン化することができる。

従って、従来、散乱層２２０を第１の透明電極２４０のエッチング液から保護するために実施されていた、被覆層を形成するステップを省略することができる。また、これにより、本発明の第１の製造方法では、処理プロセスを簡略化し、製造コストを低減することが可能になる。

マスク成膜法により形成される第１の透明電極２４０の材質は、これに限られるものではないが、例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（アルミニウムドープ亜鉛酸化物：ＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３）、ＧＺＯ（ガリウムドープ亜鉛酸化物：ＺｎＯ−Ｇａ_２Ｏ_３）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ、ＮｂドープＴｉＯ_２、およびＴａドープＴｉＯ_２などであっても良い。

また、印刷法により形成される第１の透明電極２４０の材質は、これに限られるものではないが、例えば、有機導電性材料であっても良い。

第１の透明電極２４０の厚さは、特に限られないが、例えば５ｎｍ〜１０μｍの範囲である。

なお、本発明による第１の製造方法では、以降のステップＳ１３０で形成される金属補助配線２５０のパターンを適切に設計することにより、従来よりも薄い厚さの第１の透明電極２４０を使用することができる。

さらに、薄い厚さの第１の透明電極２４０を使用した場合、第１の透明電極２４０の透過性を高めることができる。例えば、４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの波長範囲における第１の透明電極２４０の内部透過率を、９６％以上、例えば９７％以上または９８％以上にすることができる。ここで内部透過率とは、入射光強度をＩｏ、反射光強度をＩｒ、透過光強度をＩｔ、基板による吸収された光の強度をＡｓとすると、内部透過率＝Ｉｔ／（Ｉｏ−Ｉｒ−Ａｓ）で求められる。

（ステップＳ１３０）
次に、ステップＳ１２０で形成された第１の透明電極２４０のパターンの上に、金属補助配線２５０が形成される。

金属補助配線２５０の形成方法は、特に限られない。例えば、金属補助配線２５０は、従来から一般的に実施されている各種方法（例えばスパッタ法等）により、第１の透明電極２４０のパターンの上に成膜しても良い。

なお、金属補助配線２５０は、一般に、弱酸溶液など、強酸を含まないようなエッチング液を用いてエッチング処理することができる。また、一般的な散乱層２２０は、このような強酸を含まないエッチング液に対して、良好な耐性を有する。このため、金属補助配線２５０は、エッチング処理工程を含むような処理方法で成膜しても良い。

ただし、別の目的で、金属補助配線２５０は、マスク成膜法または印刷法により形成されても良い。

すなわち、マスク成膜法では、形成される金属補助配線２５０の端部は、鋭いエッジを有さず、比較的滑らかな形状となる傾向になる。同様に、印刷法で成膜される金属補助配線２５０は、比較的端部が滑らかな形状となる。従って、金属補助配線２５０をマスク成膜法または印刷法により形成した場合、以降のエッジカバー層を形成するステップ（ステップＳ１４０）を省略することが可能となる。

図４には、そのような滑らかな端部を有する金属補助配線２５０'を有する有機ＬＥＤ素子２００'の一例を示す。図４に示した有機ＬＥＤ素子２００'では、図２に示したエッジカバー層２５５が省略されていることに留意する必要がある。

さらに、エッジカバー層を形成するステップ（ステップＳ１４０）を省略する場合、金属補助配線２５０の成膜は、以降のステップＳ１５０において、有機発光層２６０のうちの少なくとも最初の層の成膜が実施される装置と同じ装置内で実施されることが好ましい。この場合、金属補助配線２５０の成膜から、有機発光層２６０の少なくとも最初の層の成膜までを連続的に実施することが可能となり、製造時間を短縮することができる。

特に、金属補助配線２５０の成膜から、有機発光層２６０の全ての層の成膜までを、同一の装置内で実施することが好ましい。

金属補助配線２５０は、第１の電極２４０上に、いかなるパターンで構成されても良い。ただし、金属補助配線２５０を１次元または２次元のグリッドパターンで形成した場合、グリッドの間隔（ピッチ）を調整することにより、金属補助配線２５０のシート抵抗を、比較的容易に制御することが可能となる。なお、「１次元のグリッドパターン」とは、同一平面内において、複数のグリッドが略同一の方向に沿って延伸しているパターンを意味し、「２次元のグリッドパターン」とは、同一平面内において、異なる２方向（例えば直交する方向）に沿って、複数のグリッドが延伸しているパターンを意味する。

ここで、金属補助配線２５０を１次元または２次元のグリッドパターンで形成する場合、金属補助配線２５０のシート抵抗は、全面ベタで形成した場合に０．１Ω／□０．１Ω／□以下、好ましくは０．０５Ω／□以下となるようにグリッドを配置することが好ましい。金属補助配線２５０のシート抵抗を全面ベタで形成した場合に０．１Ω／□以下とした場合、陽極側の抵抗が十分に低くなるため、第１の電極２４０の抵抗は、有機ＬＥＤ素子２００全体の特性にあまり寄与しなくなる。

従って、この場合、前述のように、第１の電極２４０の厚さを薄くすることが可能となり、第１の透明電極２４０の透過性を高めることが可能となる。

金属補助配線２５０を構成する材料は、特に限られず、金属補助配線２５０は、例えば、銅（銅合金を含む）および／または銀（銀合金を含む）で構成されても良い。

金属補助配線２５０の厚さは、特に限られない。金属補助配線２５０の厚さは、例えば、１００ｎｍ〜１０μｍであっても良い。

（ステップＳ１４０）
次に、金属補助配線２５０のエッジ部に、エッジカバー層２５５が形成される。

なお、前述のように、ステップＳ１３０で形成された金属補助配線２５０のエッジ部が滑らかな形状を有する場合（例えば、図４における金属補助配線２５０'参照）、本ステップは、省略しても良い。

エッジカバー層２５５を形成する場合、その形成方法は、特に限られない。例えば、エッジカバー層２５５は、従来から実施されている典型的な方法（例えば感光性樹脂等）を用いて、形成しても良い。

なお、エッジカバー層２５５は、一般に、弱酸溶液など、強酸を含まないようなエッチング液を用いてエッチング処理することができる。一般に、散乱層２２０は、このような強酸を含まないエッチング液に対して、良好な耐性を有する。このため、エッジカバー層２５５は、エッチング処理工程を含むような処理方法で成膜しても良い。

エッジカバー層２５５を構成する材料は、絶縁体である限り特に限られない。エッジカバー層２５５は、例えば有機材料で形成されても良い。

以上の工程により、透明基板、散乱層、第１の電極、金属補助配線、およびエッジカバー層（必要な場合）を有する積層体が製造される。

なお、ここまでの工程で得られた積層体は、「透光性基板」とも称される。次工程以降に設置される有機発光層２６０、および第２の電極２７０等の仕様は、最終的に製造される有機ＬＥＤ素子２００の適用用途によって、様々に変化する。従って、慣用的には、この「透光性基板」は、この状態のまま、中間製品として市場に流通される場合も多く、これ以降の工程が省略される場合も多々ある。

（ステップＳ１５０）
次に、散乱層２２０、第１の電極２４０、金属補助配線２５０、およびエッジカバー層２５５を覆うように、有機発光層２６０が形成される。有機発光層２６０を構成する各層の形成方法は、特に限られず、例えば、蒸着法および／または塗布法を使用しても良い。

なお、有機発光層２６０を構成する各層は、同一装置内で連続的に成膜できることが好ましい。これにより、成膜時間を短縮することができる。

また、前述のように、有機ＬＥＤ素子２００の製造時間の短縮化のため、エッジカバー層を形成するステップ（ステップＳ１４０）を省略する場合、有機発光層２６０のうちの少なくとも最初の層の成膜は、金属補助配線２５０の成膜に使用される装置内で実施することが好ましい。特に、金属補助配線２５０の成膜から、有機発光層２６０の全ての層の成膜までを、同一の装置内で実施することが好ましい。

（ステップＳ１５０）
次に、有機発光層２６０上に、第２の電極２７０が形成される。

第２の電極２６０の形成方法は、特に限られず、例えば、蒸着法、スパッタ法、気相成膜法等を使用しても良い。

以上の工程により、図２および図４に示したような有機ＬＥＤ素子２００、２００'が製造される。

前述のように、本発明の第１の製造方法は、従来の被覆層１３０を形成するステップを有さない。このため、本発明の第１の製造方法では、処理プロセスを簡略化し、製造コストを低減することが可能になる。

（本発明の一実施例による有機ＬＥＤ素子の別の製造方法）
次に、図５および図６を参照して、本発明の一実施例による有機ＬＥＤ素子の別の製造方法（第２の製造方法）について説明する。

図５には、本発明の第２の製造方法によって製造される有機ＬＥＤ素子（第２の有機ＬＥＤ素子）の構成の一例を、概略的に示す。

図５に示すように、本発明の第２の製造方法によって製造される第２の有機ＬＥＤ素子３００は、透明基板３１０と、散乱層３２０と、金属補助配線３５０と、エッジカバー層３５５と、第１の電極３４０と、有機発光層３６０と、第２の電極（陰極）３７０とを有する。

第２の有機ＬＥＤ素子３００は、基本的に図２に示した有機ＬＥＤ素子２００と同様の構成を有する。ただし、図５に示すように、第２の有機ＬＥＤ素子３００は、第１の電極３４０が、金属補助配線３５０およびエッジカバー層３５５を覆うように形成されている点が、図２に示した有機ＬＥＤ素子２００とは異なっている。

なお、第２の有機ＬＥＤ素子３００を構成する各部材の役割は、前述の図２を参照して示した有機ＬＥＤ素子２００の各部材と同様である。従って、ここでは、各部材に関する詳しい説明は、省略する。ただし、図５に示す第２の有機ＬＥＤ素子３００においても、第２の有機ＬＥＤ素子３００は、散乱層３２０の上部に、従来の被覆層１３０を有さないことに留意する必要がある。

次に、図６を参照して、図５に示したような第２の有機ＬＥＤ素子３００を製造する際の製造方法（第２の製造方法）について説明する。

図６には、第２の製造方法の概略的なフロー図を示す。

図６に示すように、第２の製造方法は、
透明基板上に散乱層を形成するステップ（ステップＳ２１０）と、
前記散乱層の上に、金属補助配線を形成するステップ（ステップＳ２２０）と、
前記金属補助配線のエッジ部に、エッジカバー層を形成するステップ（ステップＳ２３０）と、
前記金属補助配線および前記エッジカバー層の上に、第１の透明電極のパターンを形成するステップであって、前記第１の透明電極のパターンは、マスク成膜法または印刷法により形成されるステップ（ステップＳ２４０）と、
前記第１の透明電極のパターンの上に、有機発光層を形成するステップ（ステップＳ２５０）と、
前記有機発光層の上に、第２の電極を形成するステップ（ステップＳ２６０）と、
を有する。

以下、各工程について説明する。

（ステップＳ２１０）
本ステップＳ２１０は、前述の第１の製造方法におけるステップＳ１１０と実質的に同様であり、ここでは、これ以上説明しない。

（ステップＳ２２０）
ステップＳ２１０の後、散乱層３２０の上に、金属補助配線３５０が形成される。

金属補助配線３５０の形成方法は、特に限られない。例えば、金属補助配線３５０は、従来から一般的に実施されている各種方法（例えばスパッタ法等）により、散乱層３２０の上に成膜しても良い。

なお、金属補助配線３５０は、一般に、弱酸溶液など、強酸を含まないようなエッチング液を用いてエッチング処理することができる。一般的な散乱層３２０は、このような強酸を含まないエッチング液に対して、良好な耐性を有する。このため、金属補助配線３５０は、エッチング処理工程を含むような処理方法で成膜しても良い。

ただし、別の目的で、金属補助配線３５０は、マスク成膜法または印刷法により形成されても良い。

すなわち、マスク成膜法では、形成される金属補助配線３５０の端部は、鋭いエッジを有さず、比較的滑らかな形状となる傾向になる。同様に、印刷法で成膜される金属補助配線３５０は、比較的端部が滑らかな形状となる。従って、金属補助配線３５０をマスク成膜法または印刷法により形成した場合、以降のエッジカバー層を形成するステップ（ステップＳ２３０）を省略することが可能となる。

図７には、そのような滑らかな端部を有する金属補助配線３５０'を有する有機ＬＥＤ素子３００'の一例を示す。図７に示した有機ＬＥＤ素子３００'では、図５に示したエッジカバー層３５５が省略されていることに留意する必要がある。

金属補助配線３５０は、散乱層３２０上に、いかなるパターンで構成されても良い。ただし、金属補助配線３５０を１次元または２次元のグリッドパターンで形成した場合、グリッドの間隔（ピッチ）を調整することにより、金属補助配線３５０のシート抵抗を、比較的容易に制御することが可能となる。

ここで、金属補助配線３５０を１次元または２次元のグリッドパターンで形成する場合、金属補助配線３５０のシート抵抗は、全面ベタで形成した場合に０．１Ω／□以下、好ましくは０．０５Ω／□以下となるようにグリッドを配置することが好ましい。金属補助配線３５０のシート抵抗を全面ベタで形成した場合に０．１Ω／□以下とした場合、陽極側の抵抗が十分に低くなるため、第１の電極３４０の抵抗は、第２の有機ＬＥＤ素子３００全体の特性にあまり寄与しなくなる。

従って、この場合、以降のステップＳ２４０において形成される、第１の電極３４０の厚さを薄くすることが可能となり、第１の透明電極３４０の透過性を高めることが可能となる。

金属補助配線３５０を構成する材料は、特に限られず、金属補助配線３５０は、例えば、銅（銅合金を含む）および／または銀（銀合金を含む）で構成されても良い。

金属補助配線３５０の厚さは、特に限られない。金属補助配線３５０の厚さは、
例えば、１００ｎｍ〜１０μｍであっても良い。

（ステップＳ２３０）
次に、必要な場合、金属補助配線３５０の端部に、エッジカバー層３５５が形成される。

なお、前述のように、ステップＳ２２０で形成された金属補助配線の端部が滑らかな形状を有する場合（例えば、図４における金属補助配線３５０'参照）、本ステップは、省略しても良い。

エッジカバー層２５５を形成する場合、その形成方法は、特に限られない。例えば、エッジカバー層２５５は、従来から実施されている典型的な方法（例えば感光性樹脂層の形成プロセス等）を用いて、形成しても良い。

なお、エッジカバー層３５５は、一般に、弱酸溶液など、強酸を含まないようなエッチング液を用いてエッチング処理することができる。一般的な散乱層３２０は、このような強酸を含まないエッチング液に対して、良好な耐性を有する。このため、エッジカバー層３５５は、エッチング処理工程を含むような処理方法で成膜しても良い。なおエッジカバー層２５５は、ステップＳ２４０で形成される第１の透明電極３４０と電気的に接触させる必要があり、金属補助配線上に開口部を有する。

（ステップＳ２４０）
次に、金属補助配線３５０、および存在する場合、エッジカバー層３５５の上に、第１の透明電極３４０のパターンが形成される。

前述の第１の製造方法におけるステップＳ１２０と同様、このステップＳ２４０は、マスク成膜法または印刷法により実施されるという特徴を有する。

これにより、エッチング処理工程を経ずに、第１の透明電極３４０を、所望の態様でパターン化することができる。

従って、従来、散乱層３２０を第１の透明電極３４０のエッチング液から保護するために実施されていた、被覆層１３０を形成するステップを省略することができる。また、これにより、本発明の第２の製造方法では、処理プロセスを簡略化し、製造コストを低減することが可能になる。

マスク成膜法により形成される第１の透明電極３４０の材質は、これに限られるものではないが、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ、ＮｂドープＴｉＯ_２、およびＴａドープＴｉＯ_２などであっても良い。

また、印刷法により形成される第１の透明電極３４０の材質は、これに限られるものではないが、例えば、有機導電性材料であっても良い。

第１の透明電極３４０の厚さは、特に限られないが、例えば５ｎｍ〜１０μｍの範囲である。

なお、本発明による第２の製造方法においても、第１の製造方法の場合と同様、金属補助配線３５０のパターンを適切に設計することにより、従来よりも薄い厚さの第１の透明電極３４０を使用することができる。また、これにより、第１の透明電極３４０の透過性を高めることができる。例えば、４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの波長範囲における第１の透明電極３４０の内部透過率は、９６％以上、例えば９７％以上または９８％以上であっても良い。

ここで、第１の透明電極３４０のパターンの成膜は、以降のステップＳ２５０において、有機発光層３６０のうちの少なくとも最初の層の成膜が実施される装置と同じ装置内で実施されることが好ましい。この場合、第１の透明電極３４０のパターンの成膜から、有機発光層３６０の少なくとも最初の層の成膜までを連続的に実施することが可能となり、製造時間を短縮することができる。

特に、第１の透明電極３４０のパターンの成膜から、有機発光層３６０の全ての層の成膜までを、同一の装置内で実施することが好ましい。

その後のステップＳ２５０〜ステップＳ２６０は、それぞれ、前述の第１の製造方法におけるステップＳ２５０およびステップＳ２６０と実質的に同様であり、ここでは、これ以上説明しない。

以上の工程により、図５および図７に示したような有機ＬＥＤ素子３００、３００'が製造される。

（有機ＬＥＤ素子について）
次に、再度図２を参照して、本発明の一実施例による有機ＬＥＤ素子２００を構成する各部材について説明する。なお、以下に示す記載は、図２以外の構成を有する有機ＬＥＤ素子、例えば有機ＬＥＤ素子２００'、３００、および３００'にも、同様に適用できることは、当業者には明らかである。また第１の透明電極３４０は、有機材料などを用いて印刷で形成する場合には、膜厚を厚くすることにより、下部にある金属補助配線３５０の段差形状を平坦化できる。これによって、第１の透明電極３４０と第２の電極２７０との間の短絡を防止することが可能となる。

（透明基板２１０）
透明基板２１０は、可視光に対する内部透過率が高い材料で構成される。透明基板２１０は、例えば、ガラス基板またはプラスチック基板であっても良い。

ガラス基板の材料としては、アルカリガラス、無アルカリガラスまたは石英ガラスなどの無機ガラスが挙げられる。また、プラスチック基板の材料としては、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリビニルアルコールならびにポリフッ化ビニリデンおよびポリフッ化ビニルなどのフッ素含有ポリマーが挙げられる。

透明基板２１０の厚さは、特に限られないが、例えば、０．１ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲であっても良い。強度および重量を考慮すると、透明基板２１０の厚さは、０．５ｍｍ〜１．４ｍｍであることが好ましい。

（散乱層２２０）
散乱層２２０は、ベース材２２１と、該ベース材２２１中に分散された複数の散乱物質２２４とを有する。ベース材２２１は、第１の屈折率を有し、散乱物質２２４は、ベース材とは異なる第２の屈折率を有する。

散乱層２２０中の散乱物質２２４の存在量は、散乱層２２０の内部から外側に向かって小さくなっていることが好ましく、この場合、高効率の光取り出しを実現することができる。

ベース材２２１は、ガラスで構成され、ガラスの材料としては、ソーダライムガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス、および石英ガラスなどの無機ガラスが使用される。

散乱物質２２４は、例えば、気泡、析出結晶、ベース材とは異なる材料粒子、分相ガラス等で構成される。分相ガラスとは、２種類以上のガラス相により構成されるガラスをいう。

ベース材２２１の屈折率と散乱物質２２４の屈折率の差は、大きい方が良く、このためには、ベース材２２１として高屈折率ガラスを使用し、散乱物質２２４として気泡を使用することが好ましい。

ベース材２２１用の高屈折率のガラスのため、ネットワークフォーマとして、Ｐ_２Ｏ_５、ＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、およびＴｅＯ_２のうちの一種類または二種類以上の成分を選定し、高屈折率成分として、ＴｉＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｇｄ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＺｎＯ、ＢａＯ、ＰｂＯ、およびＳｂ_２Ｏ_３のうちの一種類または二種類以上の成分を選定しても良い。さらに、ガラスの特性を調整するため、アルカリ酸化物、アルカリ土類酸化物、フッ化物などを、屈折率に影響を及ぼさない範囲で、添加しても良い。

従って、ベース材２２１を構成するガラス系としては、例えば、Ｂ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−Ｌａ_２Ｏ_３系、Ｐ_２Ｏ_５−Ｂ_２Ｏ_３−Ｒ'_２Ｏ−Ｒ"Ｏ−ＴｉＯ_２−Ｎｂ_２Ｏ_５−ＷＯ_３−Ｂｉ_２Ｏ_３系、ＴｅＯ_２−ＺｎＯ系、Ｂ_２Ｏ_３−Ｂｉ_２Ｏ_３系、ＳｉＯ_２−Ｂｉ_２Ｏ_３系、ＳｉＯ_２−ＺｎＯ系、Ｂ_２Ｏ_３−ＺｎＯ系、Ｐ_２Ｏ_５−ＺｎＯ系などが挙げられる。ここで、Ｒ'はアルカリ金属元素、Ｒ"はアルカリ土類金属元素を示す。なお、以上の材料系は、一例に過ぎず、上記条件を満たすような構成であれば、使用材料は、特に限られない。

ベース材２２１に、着色剤を添加することにより、発光の色味を変化させることもできる。着色剤としては、遷移金属酸化物、希土類金属酸化物、および金属コロイドなどを、単独でまたは組み合わせて使うことができる。

（第１の電極２４０）
第１の電極２４０には、有機発光層２６０で生じた光を外部に取り出すため、８０％以上の透光性が要求される。また、多くの正孔を注入するため、仕事関数が高いことが要求される。

第１の電極２４０には、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ、ＮｂドープＴｉＯ_２、およびＴａドープＴｉＯ_２などの材料が用いられる。

第１の電極２４０の屈折率は、１．７５〜２．２の範囲である。例えば、第１の電極２４０としてＩＴＯを使用した場合、キャリア濃度を増加させることにより、第１の電極２４０の屈折率を低下させることができる。市販のＩＴＯでは、ＳｎＯ_２が１０ｗｔ％含まれるものが標準となっているが、Ｓｎ濃度をさらに増加させることにより、ＩＴＯの屈折率を下げることができる。ただし、Ｓｎ濃度の増加により、キャリア濃度は増加するが、移動度および内部透過率は、低下する。従って、全体のバランスを考慮して、Ｓｎ量を決める必要がある。

また、第１の電極２４０の屈折率は、散乱層２２０を構成するベース材２２１の屈折率や第２の電極２７０の屈折率を考慮して、決定することが好ましい。導波路計算や第２の電極２７０の反射率等を考慮すると、第１の電極２４０とベース材２２１の屈折率の差は、０．２以下であることが好ましい。

従来の有機ＬＥＤ素子の構成では、例えば１０ｃｍ□の発光領域を３０００ｃｄ／ｍ^２以上の輝度で均一に発光させるとき、第１の電極２４０の厚さを１００ｎｍよりも薄くすることは難しい。これは、第１の電極２４０の厚さを薄くすると、有機ＬＥＤ素子の特性に影響を及ぼすほど、抵抗が上昇してしまうためである。

しかしながら、本発明の一実施例による有機ＬＥＤ素子２００の場合、前述のように、第１の電極２４０の厚さは、金属補助配線２５０のパターンを調整することにより、薄くすることができる。

第１の電極２４０の厚さは、５ｎｍ〜１０μｍの範囲であっても良い。これにより、第１の電極２４０の内部透過率を高めることが可能になる。第１の電極２４０の内部透過率は、例えば、４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの波長範囲において、９６％以上、例えば９７％以上または９８％以上であっても良い。

（金属補助配線２５０）
前述のように、金属補助配線２５０は、第１の電極２４０上に、１次元または２次元のグリッドパターンで形成されても良い。

また、金属補助配線２５０は、全面ベタで形成した場合に０．１Ω／□以下のシート抵抗を有しても良い。金属補助配線２５０のシート抵抗は、０．０５Ω／□以下であり、０．０３Ω／□以下であることが好ましい。

金属補助配線２５０のシート抵抗を全面ベタで形成した場合に０．１Ω／□以下とした場合、第１の電極２４０の抵抗は、有機ＬＥＤ素子２００全体の特性にあまり寄与しなくなる。従って、この場合、前述のように、第１の電極２４０の厚さを薄くすることが可能となり、第１の透明電極２４０の透過性を高めることが可能となる。

（有機発光層２６０）
有機発光層２６０は、発光機能を有する層であり、通常の場合、ホール注入層と、ホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層とにより構成される。ただし、有機発光層２６０は、発光層を有していれば、必ずしも他の層の全てを有する必要はないことは、当業者には明らかである。なお、通常の場合、有機発光層２６０の屈折率は、１．７〜１．８の範囲である。

ホール注入層は、第１の電極２４０からのホール注入の障壁を低くするため、イオン化ポテンシャルの差が小さいものが好ましい。電極からホール注入層への電荷の注入効率が高まると、有機ＬＥＤ素子１００の駆動電圧が下がり、電荷の注入効率が高まる。

ホール注入層の材料としては、高分子材料または低分子材料が使用される。高分子材料の中では、ポリスチレンスルフォン酸（ＰＳＳ）がドープされたポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）が良く使用され、低分子材料の中では、フタロシアニン系の銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）が広く用いられる。
ホール輸送層は、前述のホール注入層から注入されたホールを発光層に輸送する役割をする。ホール輸送層には、例えば、トリフェニルアミン誘導体、Ｎ，Ｎ'−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン（ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ビス[Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−ナフチル）−４'−アミノビフェニル−４−イル] −１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン（ＮＰＴＥ）、１，１'−ビス[（ジ−４−トリルアミノ）フェニル]シクロヘキサン（ＨＴＭ２）、およびＮ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ビス（３−メチルフェニル）−１，１'−ジフェニル−４，４'−ジアミン（ＴＰＤ）などが用いられる。

ホール輸送層の厚さは、例えば１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲である。ホール輸送層の厚さが薄いほど、有機ＬＥＤ素子を低電圧化できるが、電極間短絡の問題から、通常は、１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲である。
発光層は、注入された電子とホールが再結合する場を提供する役割を有する。有機発光材料としては、低分子系または高分子系のものが使用される。

発光層には、例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、ビス（８−ヒドロキシ）キナルジンアルミニウムフェノキサイド（Ａｌｑ'２ＯＰｈ）、ビス（８−ヒドロキシ）キナルジンアルミニウム−２，５−ジメチルフェノキサイド（ＢＡｌｑ）、モノ(２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート)リチウム錯体（Ｌｉｑ）、モノ（８−キノリノラート）ナトリウム錯体（Ｎａｑ）、モノ（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）リチウム錯体、モノ（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）ナトリウム錯体およびビス（８−キノリノラート）カルシウム錯体（Ｃａｑ２）などのキノリン誘導体の金属錯体、テトラフェニルブタジエン、フェニルキナクドリン（ＱＤ）、アントラセン、ペリレン、並びにコロネンなどの蛍光性物質が挙げられる。

ホスト材料としては、キノリノラート錯体を使用しても良く、特に、８−キノリノールおよびその誘導体を配位子としたアルミニウム錯体が使用されても良い。
電子輸送層は、電極から注入された電子を輸送する役割をする。電子輸送層には、例えば、キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、オキサジアゾール誘導体（例えば、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＥＮＤ）、および２−(４−ｔ−ブチルフェニル) −５−（４−ビフェニル））−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）など）、トリアゾール誘導体、バソフェナントロリン誘導体、およびシロール誘導体などが用いられる。
電子注入層は、例えば、第２の電極２７０との界面に、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属をドープした層を設けることにより構成される。

（第２の電極２７０）
第２の電極２７０には、仕事関数の小さな金属またはその合金が用いられる。第２の電極２７０は、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、および周期表第３属の金属などであっても良い。第２の電極２７０には、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、またはこれらの合金などが用いられる。

また、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）の共蒸着膜、フッ化リチウム（ＬｉＦ）または酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）の薄膜上に、アルミニウム（Ａｌ）を蒸着した積層電極が用いられても良い。さらに、カルシウム（Ｃａ）またはバリウム（Ｂａ）と、アルミニウム（Ａｌ）との積層膜が用いられても良い。
以上、本発明の一実施形態を具体的に説明した。ただし、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではなく、これらの実施形態を、本発明の主旨および範囲から逸脱することなく、変更したり、変形したり、および／または組み合わせたりすることができる。

１００ 従来の有機ＬＥＤ素子
１１０ ガラス基板
１２０ 散乱層
１２１ ベース材
１２４ 散乱物質
１３０ 被覆層
１４０ 第１の電極（陽極）
１５０ 金属補助配線
１６０ 有機発光層
１７０ 第２の電極
１９０ 光取り出し面
２００、２００' 有機ＬＥＤ素子
２１０ 透明基板
２２０ 散乱層
２２１ ベース材
２２４ 散乱物質
２４０ 第１の電極（陽極）
２５０ 金属補助配線
２５０' 金属補助配線
２５５ エッジカバー層
２６０ 有機発光層
２７０ 第２の電極
２９０ 光取り出し面
３００、３００' 有機ＬＥＤ素子
３１０ 透明基板
３２０ 散乱層
３２１ ベース材
３２４ 散乱物質
３４０ 第１の電極（陽極）
３５０ 金属補助配線
３５０' 金属補助配線
３５５ エッジカバー層
３６０ 有機発光層
３７０ 第２の電極
３９０ 光取り出し面

Claims (9)

1. 少なくとも、透明基板、散乱層、第１の透明電極、および該第１の透明電極と接する金属補助配線を有する有機ＬＥＤ素子の製造方法であって、
   （ａ）透明基板上に散乱層を形成するステップであって、
   前記散乱層は、ガラスからなるベース材と、該ベース材中に分散された複数の散乱物質とを有するステップと、
   （ｂ）第１の透明電極のパターンを形成するステップであって、前記第１の透明電極のパターンは、マスク成膜法または印刷法により形成されるステップと、
   （ｃ）金属補助配線を形成するステップと、
   を有し、
   前記（ｂ）および（ｃ）のステップは、（ｂ）から（ｃ）の順、または（ｃ）から（ｂ）の順に実施されることを特徴とする製造方法。
2. 前記第１の透明電極は、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウムドープ亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウムドープ亜鉛酸化物）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ、ＮｂドープＴｉＯ_２、ＴａドープＴｉＯ_２、および有機導電性材料からなる群から選定された少なくとも一つを含む、請求項１に記載の製造方法。
3. さらに、
   （ｄ）有機発光層を形成するステップ
   を有する、請求項１または２に記載の製造方法。
4. 前記（ｂ）のステップは、前記（ｃ）のステップの後に実施され、
   前記（ｂ）のステップの後、前記有機発光層のうちの少なくとも最初の層の成膜が、第１の透明電極のパターンを形成する装置と同じ装置内で、連続的に実施される、請求項３に記載の製造方法。
5. 前記（ｃ）のステップは、前記（ｂ）のステップの後に実施され、
   前記（ｃ）のステップの後、前記有機発光層のうちの少なくとも最初の層の成膜が、金属補助配線のパターンを形成する装置と同じ装置内で、連続的に実施される、請求項３に記載の製造方法。
6. 前記（ｃ）のステップは、マスク成膜法または印刷法により実施される、請求項１乃至５のいずれか一つに記載の製造方法。
7. 前記（ｃ）のステップの後、前記金属補助配線のエッジ部に、エッジカバー層を形成するステップを有する、請求項１乃至４のいずれか一つに記載の製造方法。
8. さらに、
   （ｅ）前記有機発光層の上に、第２の電極を形成するステップ
   を有する、請求項１乃至７のいずれか一つに記載の製造方法。
9. 少なくとも、透明基板、散乱層、第１の透明電極、および該第１の透明電極と接する金属補助配線を有する有機ＬＥＤ素子であって、
   前記散乱層は、ガラスからなるベース材と、該ベース材中に分散された複数の散乱物質とを有し、
   前記金属補助配線は、全面ベタで形成した場合に０．１Ω／□以下のシート抵抗を有し、
   前記第１の透明電極は、４５０ｎｍから６５０ｎｍにおける内部透過率が９６％以上であることを特徴とする有機ＬＥＤ素子。

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