JP6576025B2 - 光電変換装置、及び撮像システム - Google Patents
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Description
本実施形態を図1〜図6を用いて説明する。図1は、光電変換装置1000の概略図である。光電変換装置1000は、画素部100と、垂直走査部101と、読み出し信号処理部102と、AD変換部103と、デジタル信号処理部(DFE)104と、信号出力部105とを含む。画素部100は、行列状に配置された画素が設けられている。垂直走査部101は、例えばシフトレジスタやデコーダーを含み、画素部100の各画素に制御信号を供給する。読み出し信号処理部102は、例えば増幅回路や相関二重サンプリング(CDS)回路を含み、画素部100から得られた信号を増幅したり、画素部100から得られた信号からノイズを除去したりすることができる。AD変換部103は、読み出し信号処理部102からの信号をデジタル信号に変換する。DFE部104は、AD変換部103から出力されたデジタル信号に、増幅やノイズ除去などの任意の信号処理を施す。信号出力部105は、DFE部104からの信号を出力するための回路を含む。本実施形態においては、読み出し信号処理部102とAD変換部103は、画素部100の列に対応して設けられており、列読み出し信号処理部、及び列AD変換部とも言える。また、本実施形態においては、読み出し回路部102と、AD変換部103とを画素部100を挟んで上下に配置しており、また、2つの信号出力部105を有することで読み出し速度を向上させている。なお、本実施形態では、画素部100と、垂直走査部101と、読み出し信号処理部102と、AD変換部103と、DFE部104と、信号出力部105とが1つのチップに設けられているが、任意の部分を別のチップとしてもよい。
本実施形態の光電変換装置を、図6、及び図7を用いて説明する。本実施形態の光電変換装置は、第1の実施形態の光電変換装置と比べて、光電変換部220’の構成が異なる。以下の説明において、第1の実施形態の光電変換装置と同一の構成については、同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施形態の光電変換装置を、図8を用いて説明する。本実施形態の光電変換装置は、第1の実施形態の光電変換装置と比べて、第2電極204’の構成が異なる。以下の説明において、第1の実施形態の光電変換装置と同一の構成については、同一の符号を付し、説明を省略する。
201 配線構造
220 光電変換部
203 第1電極
202 光電変換膜
204 第2電極
221 光学部
PIX 画素
Claims (13)
- 基板と、前記基板の上に設けられた第1電極と、前記基板の上に設けられた第2電極と、前記基板の上に設けられた第3電極と、前記第1電極と前記第2電極との間および前記第2電極と前記第3電極との間に設けられた光電変換膜と、を備える光電変換装置において、
前記第1電極と前記第2電極との間および前記第3電極と前記第2電極との間に電界が形成され、
前記第2電極は前記第1電極に重なる第1開口および前記第3電極に重なる第2開口を有し、
前記第2電極は、前記第1電極と、前記第1電極と前記第3電極との間の領域と、前記第3電極と、に重なるように配置されており、
前記第1電極と前記第2電極との重なり幅と前記第3電極と前記第2電極との重なり幅との合計が、前記第1電極と前記第3電極との間隔よりも大きく、
前記第2電極、前記第1開口および前記第2開口を覆うように絶縁膜が設けられており、
前記絶縁膜が、前記光電変換膜のうちの前記第1開口と前記第1電極との間に位置する第1部分、および、前記光電変換膜のうちの前記第2開口と前記第3電極との間に位置する第2部分に接していることを特徴とする光電変換装置。 - 基板と、前記基板の上に設けられた第1電極と、前記基板の上に設けられた第2電極と、前記基板の上に設けられた第3電極と、前記第1電極と前記第2電極との間および前記第2電極と前記第3電極との間に設けられた光電変換膜と、を備える光電変換装置において、
前記第1電極と前記第2電極との間および前記第3電極と前記第2電極との間に電界が形成され、
前記第2電極は前記第1電極に重なる第1開口および前記第3電極に重なる第2開口を有し、
前記第2電極は、前記第1電極と、前記第1電極と前記第3電極との間の領域と、前記第3電極と、に重なるように配置されており、
前記第1電極と前記第2電極との重なり幅と前記第3電極と前記第2電極との重なり幅との合計が、前記第1電極と前記第3電極との間隔よりも大きく、
前記第2電極、前記第1開口および前記第2開口を覆うように絶縁膜が設けられており、
前記第2電極と前記光電変換膜との間、前記第1開口と前記光電変換膜との間、および、前記第2開口と前記光電変換膜との間に半導体層が設けられており、
前記絶縁膜が、前記半導体層のうちの前記第1開口と前記第1電極との間に位置する第1部分、および、前記半導体層のうちの前記第2開口と前記第3電極との間に位置する第2部分に接していることを特徴とする光電変換装置。 - 前記光電変換膜の膜厚をL4とし、前記第1開口の径をL3としたとき、L3<4×(L4)を満たすことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記第2電極は遮光性を有し、前記絶縁膜の上にはマイクロレンズ層が設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記絶縁膜の上には異なるカラーフィルタを含むカラーフィルタ層が設けられており、前記第2電極は前記カラーフィルタ層におけるカラーフィルタの境界に重なることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記絶縁膜は前記カラーフィルタ層と前記光電変換膜との間に配された有機絶縁膜であることを特徴とする請求項5に記載の光電変換装置。
- 前記第1電極と前記光電変換膜との間および前記光電変換膜と前記第3電極との間に設けられた絶縁膜を備えることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第2電極は前記半導体層に接することを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。
- 前記光電変換膜の電荷が前記第1電極に収集されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第2電極は前記光電変換膜に接することを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記基板は、第1トランジスタおよび第2トランジスタが設けられたシリコン基板であり、前記第1電極は前記第1トランジスタに接続されており、前記第3電極は前記第2トランジスタに接続されていることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第2電極は前記光電変換膜の電荷を排出するように設けられていることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 請求項1乃至12のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置からの信号を処理する処理部とを有する撮像システム。
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Family Cites Families (25)
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JPS5846773A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-18 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
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JPS6213066A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置 |
US5680229A (en) * | 1991-03-27 | 1997-10-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus with band gap variation in the thickness direction |
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JPH09275201A (ja) * | 1996-04-04 | 1997-10-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 固体撮像素子 |
JP5255790B2 (ja) * | 2007-02-14 | 2013-08-07 | 富士フイルム株式会社 | 撮像装置 |
JP5107747B2 (ja) * | 2007-03-09 | 2012-12-26 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出器 |
JP5087304B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-12-05 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
TWI479887B (zh) * | 2007-05-24 | 2015-04-01 | Sony Corp | 背向照明固態成像裝置及照相機 |
JP5167799B2 (ja) * | 2007-12-18 | 2013-03-21 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
JP2011192966A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-29 | Sony Corp | 光電変換素子、光電変換装置及び固体撮像装置 |
JP2010225735A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Mitsubishi Electric Corp | フォトセンサー及びその製造方法 |
JP2011249677A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Panasonic Corp | 固体撮像素子 |
JP2012049289A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器 |
JP2012114159A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Panasonic Corp | 固体撮像装置とその製造方法 |
JP2012114197A (ja) | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Panasonic Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP6299058B2 (ja) * | 2011-03-02 | 2018-03-28 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
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JP5927027B2 (ja) * | 2011-10-05 | 2016-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置 |
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