JP6569780B2 - フレキシブル多層基板と回路基板の接合構造、フレキシブル多層基板の製造方法、およびフレキシブル多層基板と回路基板の接合方法 - Google Patents

Description

本発明は、フレキシブル多層基板と回路基板の接合構造、フレキシブル多層基板の製造方法、およびフレキシブル多層基板と回路基板の接合方法に関する。

従来の多層基板として、例えば、特許文献１に記載のビルドアップ基板がある。このビルドアップ基板では、上層の銅箔と下層の配線パターンとを導通させるメッキ層が形成されている。このメッキ層は次のように製造される。まず、片面に銅箔が形成された絶縁層に、銅箔側からレーザを照射することで、内層の配線パターンに達するビアホールを形成する。次に、銅箔上およびビアホール内に無電解メッキを施し、さらにその上に電解メッキを施す。

特許第４１２２１５９号公報

特許文献１に記載のビルドアップ基板では、電解メッキを施すための前処理として、メッキ層の成長が遅い無電解メッキを行う必要がある。このため、ビアホール内にメッキ層を形成する際、手間と時間がかかる。

本発明の目的は、貫通孔や切欠部のような貫通部分内に金属膜を容易に形成することが可能なフレキシブル多層基板と回路基板の接合構造、そのフレキシブル多層基板の製造方法、および、そのフレキシブル多層基板と回路基板の接合方法を提供することにある。

本発明のフレキシブル多層基板と回路基板の接合構造は、フレキシブル多層基板および回路基板を備え、前記フレキシブル多層基板は、複数の絶縁層を積層してなる積層体と、前記積層体を積層方向に貫通する貫通部分を有し、前記積層体の両主面に位置する導体箔を互いに接続するように前記貫通部分の側壁に金属膜が形成された層間接続貫通部と、ビアホールに充填された導電ペーストが硬化することで形成されている、層間接続導体と、を備え、前記層間接続貫通部の近傍に前記層間接続導体は前記層間接続貫通部に対して直接接しないように形成され、前記層間接続導体は、前記積層体の主面を平面視して、前記層間接続貫通部を囲むように複数形成され、前記層間接続導体は、前記積層体の両主面において、前記導体箔で覆われることで外部に露出しておらず、前記積層体の両主面に位置する前記導体箔は、前記層間接続導体を介して互いに接続され、前記フレキシブル多層基板と前記回路基板とは、前記層間接続貫通部内に侵入している半田を介して接合されている。

本発明のフレキシブル多層基板の製造方法は、加熱加圧時に、複数の絶縁基材を圧着することで積層体を形成し、かつ、前記絶縁基材の孔に充填された導電性ペーストを硬化させることで複数の層間接続導体を形成する第１の工程と、前記第１の工程の後に、前記積層体の貫通部分の側壁に金属膜が形成されてなる層間接続貫通部を、前記複数の層間接続導体が前記層間接続貫通部に対して直接接せずに前記積層体の主面を平面視して前記層間接続貫通部を囲むように形成する第２の工程と、を有する。

本発明のフレキシブル多層基板と回路基板の接合方法は、加熱加圧時に、複数の絶縁基材を圧着することで積層体を形成し、かつ、前記絶縁基材の孔に充填された導電性ペーストを硬化させることで複数の層間接続導体を形成する第１の工程と、前記第１の工程の後に、前記圧着された複数の絶縁基材の貫通部分の側壁に金属膜が形成されてなる層間接続貫通部を、前記複数の層間接続導体が前記層間接続貫通部に対して直接接せずに前記積層体の主面を平面視して前記層間接続貫通部を囲むように形成し、フレキシブル多層基板を形成する第２の工程と、回路基板の電極の上面に半田と前記層間接続貫通部とが重なるように前記半田と前記層間接続貫通部を配置し、加熱により前記半田を溶融させ、前記層間接続貫通部に前記半田を濡れ広がらせる第３の工程と、を有する。

本発明によれば、フレキシブル多層基板の貫通部分内に金属膜を容易に形成することができる。

第１の実施形態に係るフレキシブルケーブルの端部付近を示す外観斜視図である。 第１の実施形態に係るフレキシブルケーブルの端部付近を示す分解斜視図である。 第１の実施形態に係るフレキシブルケーブルの端部付近を示す分解平面図である。 第１の実施形態に係るフレキシブルケーブルの模式的Ａ−Ａ断面図である。 第１の実施形態に係るフレキシブルケーブルの製造方法を示す模式的断面図である。 第１の実施形態に係るフレキシブルケーブルの製造方法を示す模式的断面図である。 第１の実施形態に係るフレキシブルケーブルと回路基板との接合方法を示す模式的断面図である。 第２の実施形態に係る多層基板の模式的断面図である。 第２の実施形態に係る多層基板の製造方法を示す模式的断面図である。 第２の実施形態に係る多層基板の製造方法を示す模式的断面図である。 第３の実施形態に係る多層基板の端部付近を示す分解平面図である。

《第１の実施形態》
本発明の第１の実施形態に係るフレキシブルケーブル１０について説明する。フレキシブルケーブル１０は本発明の多層基板の一例である。図１は、フレキシブルケーブル１０の端部付近を示す外観斜視図である。図２は、フレキシブルケーブル１０の端部付近を示す分解斜視図である。図３は、フレキシブルケーブル１０の端部付近を示す分解平面図である。

フレキシブルケーブル１０は、矩形平板状であり、長手方向に長く延伸している。フレキシブルケーブル１０は、絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂを積層してなる積層体１６を備える。フレキシブルケーブル１０では、絶縁層１１Ｂの上面に絶縁層１１Ａが積層されている。フレキシブルケーブル１０の端部の上面には、外部電極２１Ａおよび外部電極２１Ｂが形成されている。フレキシブルケーブル１０には、絶縁層１１Ａ、絶縁層１１Ｂ、外部電極２１Ａおよび線状導体２２Ａを積層方向に貫通するスルーホール１２Ａが形成され、絶縁層１１Ａ、絶縁層１１Ｂ、外部電極２１Ｂおよび線状導体２２Ｂを積層方向に貫通するスルーホール１２Ｂが形成されている。スルーホール１２Ａおよびスルーホール１２Ｂは本発明の層間接続貫通部の一例である。

絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂは、矩形平板状であり、長手方向に長く延伸している。絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂは液晶（ＬＣＰ）やポリイミド（ＰＩ）のような熱可塑性樹脂等を材料とする。外部電極２１Ａおよび外部電極２１Ｂは、矩形平板状であり、その長辺が絶縁層１１Ａの長辺に沿うように、絶縁層１１Ａの長手方向に並んで配置されている。

絶縁層１１Ｂの下面には、線状導体２２Ａおよび線状導体２２Ｂが形成されている。線状導体２２Ａは、絶縁層１１Ｂの長手方向に延伸するように形成されている。スルーホール１２Ａは線状導体２２Ａの端部を貫通している。線状導体２２Ｂは、線状導体２２Ａに対して平行に延伸するように形成されている。線状導体２２Ｂの一部は、絶縁層１１Ｂの端部で絶縁層１１Ｂの短手方向に延伸している。スルーホール１２Ｂは線状導体２２Ｂの端部を貫通している。絶縁層１１Ｂの下面には、線状導体２２Ａおよび線状導体２２Ｂを保護するためのレジスト（図示せず）が形成されている。

外部電極２１Ａと線状導体２２Ａとは、８つの層間接続導体１３Ａにより接続されている。層間接続導体１３Ａは、積層方向に向けて絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂを貫通している。層間接続導体１３Ａは、平面視で、スルーホール１２Ａを囲むように複数形成され、外部電極２１Ａおよび線状導体２２Ａに重なっている。すなわち、層間接続導体１３Ａは、スルーホール１２Ａの近傍に形成され、積層方向に絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂを貫通している。層間接続導体１３Ａは、平面視で貫通部分に沿って複数形成されている。

外部電極２１Ｂと線状導体２２Ｂとは、８つの層間接続導体１３Ｂにより接続されている。層間接続導体１３Ｂは、積層方向に向けて絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂを貫通している。層間接続導体１３Ｂは、平面視で、スルーホール１２Ｂを囲むように形成され、外部電極２１Ｂおよび線状導体２２Ｂに重なっている。層間接続導体１３Ａおよび層間接続導体１３Ｂは、ビアホールに充填された導電ペーストが硬化することで形成される。

図４は、フレキシブルケーブル１０の模式的Ａ−Ａ断面図である。外部電極２１Ａと線状導体２２Ａとはスルーホール１２Ａの内壁部分により接続されている。外部電極２１Ａは、メッキ膜１５で被覆された導体箔１４Ａからなる。線状導体２２Ａは、メッキ膜１５で被覆された導体箔１４Ｂからなる。線状導体２２Ｂは、メッキ膜１５で被覆された導体箔１４Ｃからなる。

スルーホール１２Ａは、貫通孔１７の内壁にメッキ膜１５が形成されてなる。メッキ膜１５は導体箔１４Ａと導体箔１４Ｂとを接続している。すなわち、スルーホール１２Ａは、積層体１６を積層方向に貫通する貫通孔１７を有する。スルーホール１２Ａには、積層体１６の両主面に位置する導体箔１４Ａおよび導体箔１４Ｂを互いに接続するように貫通孔１７の側壁にメッキ膜１５が形成されている。貫通孔１７は本発明の貫通部分の一例である。導体箔１４Ａ、導体箔１４Ｂおよび導体箔１４Ｃは銅箔等からなる。メッキ膜１５は、電解メッキ（電析）された金属膜等からなる。

導体箔１４Ａは絶縁層１１Ａの上面に形成されている。導体箔１４Ｂは、平面視で導体箔１４Ａと重なるように絶縁層１１Ｂの下面に形成されている。導体箔１４Ａおよび導体箔１４Ｂは貫通孔１７により貫通されている。導体箔１４Ａおよび導体箔１４Ｂは層間接続導体１３Ａに接合している。積層体１６の両主面に位置する導体箔１４Ａと導体箔１４Ｂとは層間接続導体１３Ａを介して互いに接続されている。層間接続導体１３Ａは、絶縁層１１Ａの下面から上面に向けて先細りになっており、絶縁層１１Ｂの上面から下面に向けて先細りになっている。メッキ膜１５は、導体箔１４Ａ、導体箔１４Ｂおよび貫通孔１７の内壁を連続的に被覆している。すなわち、メッキ膜１５は、貫通孔１７の側壁ならびに積層体１６の両主面に位置する導体箔１４Ａおよび導体箔１４Ｂ上を被覆するように形成されている。なお、スルーホール１２Ｂ付近の構造はスルーホール１２Ａ付近の構造と同様に形成されている。

図５および図６は、フレキシブルケーブル１０の製造方法を示す模式的断面図である。まず、図５（Ａ）に示すように、導体箔１４Ａと、外部電極２１Ｂ（図１参照）のための導体箔とが片面に形成された基材２５Ａを用意する。基材２５Ａは、液晶（ＬＣＰ）やポリイミド（ＰＩ）のような熱可塑性樹脂等を材料とする。以下では、基材の主面のうち導体箔が形成された主面を第１主面と称し、導体箔が形成されていない主面を第２主面と称する。

次に、図５（Ｂ）に示すように、基材２５Ａの第１主面側から第２主面側に向けてパンチ２９を押し出すことにより、導体箔１４Ａおよび基材２５Ａを貫通する貫通孔２６Ａを形成する。次に、図５（Ｃ）および図５（Ｄ）に示すように、基材２５Ａの上下を反転させ、基材２５Ａの第２主面側から第１主面側に向けてレーザを照射することにより、平面視で貫通孔２６Ａを囲むようにビアホール２７を形成する。この際、レーザが基材２５Ａを貫通するが、導体箔１４Ａを貫通しないように、レーザの出力を調整する。これにより、第２主面側から第１主面側に向けて基材２５Ａを貫通し、底面が導体箔１４Ａからなるビアホール２７が形成される。なお、ビアホール２７を形成するために、レーザ加工に代えてエッチング技術等を用いてもよい。次に、図５（Ｅ）に示すように、ビアホール２７に導電ペースト２８Ａを充填する。導電ペースト２８Ａは、例えば、スズや銅を主成分とした導電性材料からなる。

次に、図６（Ａ）に示すように、図５（Ａ）〜図５（Ｅ）に示す工程と同様の工程により、導体箔１４Ｂおよび導体箔１４Ｃが片面に形成された基材２５Ｂに貫通孔２６Ｂおよびビアホールを形成し、そのビアホールに導電ペースト２８Ｂを充填する。そして、基材２５Ａおよび基材２５Ｂの第２主面同士を向かい合わせて、基材２５Ａおよび基材２５Ｂを積層する。この際、平面視で基材２５Ａに形成された貫通孔２６Ａと基材２５Ｂに形成された貫通孔２６Ｂとが重なるようにする。

次に、図６（Ｂ）に示すように、基材２５Ａおよび基材２５Ｂを構成する熱可塑性樹脂が十分に軟化する温度で、積層された基材２５Ａおよび基材２５Ｂを加熱しながら同時に加圧する（加熱圧着する）。これにより、基材２５Ａおよび基材２５Ｂが一体化し、絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂが形成される。また、導電ペースト２８Ａおよび導電ペースト２８Ｂが硬化し、一体化することで、導体箔１４Ａおよび導体箔１４Ｂに接合する層間接続導体１３Ａが形成される。また、絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂを貫通する貫通孔１７が形成される。

次に、図６（Ｃ）に示すように、電解メッキにより、導体箔１４Ａ、導体箔１４Ｂおよび導体箔１４Ｃの表面にメッキ膜１５を形成する。この際、導体箔１４Ａと導体箔１４Ｂとが層間接続導体１３Ａにより接続され、導体箔１４Ａと導体箔１４Ｂとをほぼ同電位することができるので、貫通孔１７の内壁にもメッキ膜１５が形成される。これにより、スルーホール１２Ａが形成される。なお、スルーホール１２Ｂ（図２参照）は、上述の工程と並行して、上述の工程と同様の工程により形成される。以上の工程により、フレキシブルケーブル１０が完成する。

図７は、フレキシブルケーブル１０と回路基板３１との接合方法を示す模式的断面図である。まず、図７（Ａ）に示すように、回路基板３１の上面に形成された電極に半田３２を印刷する。そして、平面視でフレキシブルケーブル１０のスルーホール１２Ａと半田３２とが重なるように、回路基板３１の上面にフレキシブルケーブル１０を配置する。次に、図７（Ｂ）に示すように、リフロー加熱により半田３２を溶かす。スルーホール１２Ａの内壁面がメッキ膜１５で形成されているので、半田３２はスルーホール１２Ａ内に濡れ性良く濡れ広がる。半田３２は、スルーホール１２Ａに充填されるとともに、フレキシブルケーブル１０の上面まで到達する。このようにして、フレキシブルケーブル１０と回路基板３１とが接合される。

第１の実施形態では、図４とともに述べたように、導体箔１４Ａと導体箔１４Ｂとが層間接続導体１３Ａにより接続される。このため、スルーホール１２Ａの近傍において導体箔１４Ａと導体箔１４Ｂとをほぼ同電位にすることができる。これにより、貫通孔１７の側壁にメッキ膜１５を形成する際、無電解メッキを行わずに電解メッキにより貫通孔１７の側壁にメッキ膜１５を形成し易くなる。なお、上述の押出加工により、導体箔１４Ａおよび導体箔１４Ｂが貫通孔１７内に幾分押し込まれるので、貫通孔１７内における導体箔１４Ａと導体箔１４Ｂとの距離が短くなる。このため、貫通孔１７の内壁にメッキ膜１５が形成されやすくなる。

また、スルーホール１２Ａの周囲に層間接続導体１３Ａが形成されている。層間接続導体１３Ａは絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂに比べて硬質である。このため、スルーホール１２Ａの変形を抑制することができ、延いては、貫通孔１７の内壁に形成されたメッキ膜１５の断線を起こりにくくすることができる。なお、スルーホール１２Ａの近傍に補強材をさらに配置してもよい。補強材は、絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂに比べて硬質であれば、樹脂材料から形成されてもよい。

また、導体箔１４Ａおよび導体箔１４Ｂは層間接続導体１３Ａに接合している。このため、スルーホール１２Ａの近傍において、導体箔１４Ａおよび導体箔１４Ｂが絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂから剥離することを防止することができる。

また、図６とともに述べたように、スルーホール１２Ａの内壁面にメッキ膜１５が形成されているので、半田３２はスルーホール１２Ａ内に濡れ広がりやすい。このため、メッキ膜１５で被覆されたスルーホール１２Ａの内壁と半田３２とが確実に接合されるので、スルーホール１２Ａを介した強固な接合を行うことができる。また、スルーホール１２Ａ内で半田３２が濡れているかを、上から見て確認することができる。

《第２の実施形態》
本発明の第２の実施形態に係る多層基板４０について説明する。図８は多層基板４０の模式的断面図である。多層基板４０は、上から順に絶縁層４１Ａ〜絶縁層４１Ｃを積層してなる積層体４６を備える。絶縁層４１Ａの上面には導体箔４４Ａが形成されている。絶縁層４１Ａと絶縁層４１Ｂとの間には導体箔４４Ｂが形成されている。絶縁層４１Ｃの下面には導体箔４４Ｃが形成されている。

多層基板４０は、貫通孔４７の内壁にメッキ膜４５が形成されてなるスルーホール４２を備える。貫通孔４７は絶縁層４１Ａ〜絶縁層４１Ｃおよび導体箔４４Ａ〜導体箔４４Ｃを積層方向に貫通する。メッキ膜４５は、導体箔４４Ａ、導体箔４４Ｃおよび貫通孔４７の内壁を連続的に被覆している。すなわち、スルーホール４２は、積層体４６を積層方向に貫通する貫通孔４７を有する。スルーホール４２には、積層体４６の両主面に位置する導体箔４４Ａおよび導体箔４４Ｃを互いに接続するように貫通孔４７の側壁にメッキ膜４５が形成されている。

平面視でスルーホール４２を囲むように、層間接続導体４３Ａおよび層間接続導体４３Ｂが複数形成されている。層間接続導体４３Ａは、絶縁層４１Ａを積層方向に貫通し、導体箔４４Ａおよび導体箔４４Ｂに接合している。導体箔４４Ａと導体箔４４Ｂとは層間接続導体４３Ａにより接続されている。層間接続導体４３Ｂは、絶縁層４１Ｂおよび絶縁層４１Ｃを積層方向に貫通し、導体箔４４Ｂおよび導体箔４４Ｃに接合している。導体箔４４Ｂと導体箔４４Ｃとは層間接続導体４３Ｂにより接続されている。層間接続導体４３Ａと層間接続導体４３Ｂとは平面視で重なっている。

すなわち、層間接続導体４３Ａおよび層間接続導体４３Ｂは、スルーホール４２の近傍に形成され、積層方向に絶縁層４１Ａ〜絶縁層４１Ｃを貫通している。積層体４６の両主面に位置する導体箔４４Ａおよび導体箔４４Ｃは層間接続導体４３Ａおよび層間接続導体４３Ｂを介して互いに接続されている。

図９および図１０は、多層基板４０の製造方法を示す模式的断面図である。まず、図９（Ａ）に示すように、片面に導体箔４４Ａが形成された基材４６Ａを用意する。次に、図９（Ｂ）に示すように、基材４６Ａの第２主面側から第１主面側に向けてレーザを照射することにより、所定位置にビアホール４９を形成する。次に、図９（Ｃ）に示すように、ビアホール４９に導電ペースト４８Ａを充填する。

次に、図９（Ｄ）に示すように、図９（Ａ）〜図９（Ｃ）に示す工程と同様の工程により、片面に導体箔４４Ｂが形成された基材４６Ｂにビアホールを形成し、そのビアホールに導電ペースト４８Ｂを充填する。また、片面に導体箔４４Ｃが形成された基材４６Ｃにビアホールを形成し、そのビアホールに導電ペースト４８Ｃを充填する。そして、基材４６Ａの第２主面と基材４６Ｂの第１主面とが向かい合い、基材４６Ｂおよび基材４６Ｃの第２主面同士が向かい合うように、基材４６Ａ〜基材４６Ｃを積層する。

次に、図９（Ｅ）に示すように、基材４６Ａ〜基材４６Ｃを構成する熱可塑性樹脂が十分に軟化する温度で、積層された基材４６Ａ〜基材４６Ｃを加熱しながら同時に加圧する。これにより、基材４６Ａ〜基材４６Ｃが一体化し、絶縁層４１Ａ〜絶縁層４１Ｃが形成される。また、導電ペースト４８Ａ〜導電ペースト４８Ｃが硬化することで、層間接続導体４３Ａおよび層間接続導体４３Ｂが形成される。

次に、図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）に示すように、絶縁層４１Ａ〜絶縁層４１Ｃおよび導体箔４４Ａ〜導体箔４４Ｃを積層方向に貫通するようにパンチ２９を押し出すことにより、貫通孔４７を形成する。次に、図１０（Ｃ）に示すように、電解メッキにより、導体箔４４Ａ、導体箔４４Ｃおよび貫通孔４７の内壁にメッキ膜４５を形成する。以上の工程により、スルーホール４２が形成された多層基板４０が完成する。

各基材に貫通孔を形成した後、各基材を加熱圧着することで、多層基板にスルーホールを形成する場合、加熱圧着時に貫通孔が塞がるおそれがある。第２の実施形態では、基材４６Ａ〜基材４６Ｃを加熱圧着してから、貫通孔４７を形成する。このため、スルーホール４２を確実に形成することができる。

また、層間接続導体４３Ａおよび層間接続導体４３Ｂを形成した後、押出加工により貫通孔４７を形成する。このため、押出加工する部分の周囲が層間接続導体４３Ａおよび層間接続導体４３Ｂにより補強されるので、貫通孔４７を形成しやすくなる。

また、導体箔４４Ａ〜導体箔４４Ｃは、層間接続導体４３Ａおよび層間接続導体４３Ｂにより接続されている。そして、電解メッキの開始時、導体箔４４Ｂは貫通孔４７の内壁に露出しているので、貫通孔４７の内壁部分において、導体箔４４Ａ〜導体箔４４Ｃの間隔は狭くなっている。このため、貫通孔４７の内壁にメッキ膜４５を形成しやすくなる。

《第３の実施形態》
本発明の第３の実施形態に係る多層基板５０について説明する。図１１は多層基板５０の端部付近を示す分解平面図である。多層基板５０は絶縁層５１Ｂの上面に絶縁層５１Ａを積層してなる積層体を備える。積層体の縁には切欠部５２が形成されている。絶縁層５１Ａの上面の縁には導体箔５４Ａが形成されている。絶縁層５１Ｂの下面には、その縁から絶縁層５１Ｂの長手方向に沿って延伸する導体箔５４Ｂが形成されている。切欠部５２は、絶縁層５１Ａ、絶縁層５１Ｂ、導体箔５４Ａおよび導体箔５４Ｂを積層方向に貫通している。

平面視で切欠部５２を囲むように、３つの層間接続導体５３が形成されている。層間接続導体５３は、絶縁層５１Ａおよび絶縁層５１Ｂを積層方向に貫通し、導体箔５４Ａおよび導体箔５４Ｂに接合している。導体箔５４Ａと導体箔５４Ｂとは層間接続導体５３により接続されている。導体箔５４Ａ、導体箔５４Ｂおよび切欠部５２の側壁は、メッキ膜（図示せず）により連続的に被覆している。

すなわち、多層基板５０は、絶縁層５１Ａおよび絶縁層５１Ｂを積層してなる積層体を備える。積層体には、積層体を積層方向に貫通する切欠部５２を有し、積層体の両主面に位置する導体箔５４Ａおよび導体箔５４Ｂを互いに接続するように切欠部５２の側壁にメッキ膜が形成されている層間接続貫通部が形成されている。層間接続導体５３は、層間接続貫通部の近傍に形成され、積層方向に絶縁層５１Ａおよび絶縁層５１Ｂを貫通している。積層体の両主面に位置する導体箔５４Ａおよび導体箔５４Ｂは、層間接続導体５３を介して互いに接続されている。

１０…フレキシブルケーブル
１１Ａ，１１Ｂ，４１Ａ〜４１Ｃ，５１Ａ，５１Ｂ…絶縁層
１２Ａ，１２Ｂ，４２…スルーホール（層間接続貫通部）
１３Ａ，１３Ｂ，４３Ａ，４３Ｂ，５３…層間接続導体
１４Ａ〜１４Ｃ，４４Ａ〜４４Ｃ，５４Ａ，５４Ｂ…導体箔
１５，４５…メッキ膜（金属膜）
１６，４６…積層体
１７，４７…貫通孔（貫通部分）
２１Ａ，２１Ｂ…外部電極
２２Ａ，２２Ｂ…線状導体
２５Ａ，２５Ｂ，４６Ａ〜４６Ｃ…基材
２６Ａ，２６Ｂ…貫通孔
２７，４９…ビアホール
２８Ａ，２８Ｂ，４８Ａ〜４８Ｃ…導電ペースト
２９…パンチ
３１…回路基板
３２…半田
４０，５０…多層基板
５２…切欠部

Claims (11)

1. フレキシブル多層基板および回路基板を備え、
   前記フレキシブル多層基板は、
   複数の絶縁層を積層してなる積層体と、
   前記積層体を積層方向に貫通する貫通部分を有し、前記積層体の両主面に位置する導体箔を互いに接続するように前記貫通部分の側壁に金属膜が形成された層間接続貫通部と、
   ビアホールに充填された導電ペーストが硬化することで形成されている、層間接続導体と、を備え、
   前記層間接続貫通部の近傍に前記層間接続導体は前記層間接続貫通部に対して直接接しないように形成され、
   前記層間接続導体は、前記積層体の主面を平面視して、前記層間接続貫通部を囲むように複数形成され、
   前記層間接続導体は、前記積層体の両主面において、前記導体箔で覆われることで外部に露出しておらず、
   前記積層体の両主面に位置する前記導体箔は、前記層間接続導体を介して互いに接続され、
   前記フレキシブル多層基板と前記回路基板とは、前記層間接続貫通部内に侵入している半田を介して接合されている、フレキシブル多層基板と回路基板の接合構造。
2. 前記層間接続導体は、前記貫通部分が形成された前記絶縁層を積層方向に貫通している、請求項１に記載のフレキシブル多層基板と回路基板の接合構造。
3. 前記半田が前記フレキシブル多層基板の回路基板と対向している面と反対側の主面まで連続的に存在している、請求項１または２に記載のフレキシブル多層基板と回路基板の接合構造。
4. 前記層間接続導体を覆う前記導体箔上に前記金属膜が形成されている、請求項１から３のいずれかに記載のフレキシブル多層基板と回路基板の接合構造。
5. 加熱加圧時に、複数の絶縁基材を圧着することで積層体を形成し、かつ、前記絶縁基材の孔に充填された導電性ペーストを硬化させることで複数の層間接続導体を形成する第１の工程と、
   前記第１の工程の後に、前記積層体の貫通部分の側壁に金属膜が形成されてなる層間接続貫通部を、前記複数の層間接続導体が前記層間接続貫通部に対して直接接せずに前記積層体の主面を平面視して前記層間接続貫通部を囲むように形成する第２の工程と、を有する、フレキシブル多層基板の製造方法。
6. 前記第１の工程で、前記複数の絶縁基材のそれぞれに形成された貫通孔が互いに重なるように積層された前記複数の絶縁基材を圧着することで、前記貫通孔から前記貫通部分を形成する、請求項５に記載のフレキシブル多層基板の製造方法。
7. 前記第１の工程の後かつ前記第２の工程の前に前記貫通部分を形成する工程を有する、請求項５に記載のフレキシブル多層基板の製造方法。
8. 加熱加圧時に、複数の絶縁基材を圧着することで積層体を形成し、かつ、前記絶縁基材の孔に充填された導電性ペーストを硬化させることで複数の層間接続導体を形成する第１の工程と、
   前記第１の工程の後に、前記積層体の貫通部分の側壁に金属膜が形成されてなる層間接続貫通部を、前記複数の層間接続導体が前記層間接続貫通部に対して直接接せずに前記積層体の主面を平面視して前記層間接続貫通部を囲むように形成し、フレキシブル多層基板を形成する第２の工程と、
   回路基板の電極の上面に半田と前記層間接続貫通部とが重なるように前記半田と前記層間接続貫通部を配置し、加熱により前記半田を溶融させ、前記層間接続貫通部に前記半田を濡れ広がらせる第３の工程と、を有する、フレキシブル多層基板と回路基板の接合方法。
9. 前記第３の工程で、前記半田を前記フレキシブル多層基板の回路基板と対向している面と反対側の主面まで濡れ広がらせる、請求項８に記載のフレキシブル多層基板と回路基板の接合方法。
10. 前記第１の工程で、前記複数の絶縁基材のそれぞれに形成された貫通孔が互いに重なるように積層された前記複数の絶縁基材を圧着することで、前記貫通孔から前記貫通部分を形成する、請求項８または９に記載のフレキシブル多層基板と回路基板の接合方法。
11. 前記第１の工程の後かつ前記第２の工程の前に前記貫通部分を形成する工程を有する、請求項８または９に記載のフレキシブル多層基板と回路基板の接合方法。

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