JP6565338B2 - 有機el素子 - Google Patents
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- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 94
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 39
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 21
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 18
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 4
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 claims 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 25
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021595 Copper(I) iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 N- (1-naphthyl) -N-phenylamino Chemical group 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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Description
で求められる空間周波数νを含む1つまたは複数の表面プラズモン吸収抑制領域と、空間周波数ν以上の空間周波数を含まない1つまたは複数の光散乱領域とを有することを特徴とする。
λ1=k×λmin (II)
λ2=(1/k)×λmax (III)
で得られるλ1およびλ2を、式(I)のλに代入して求められる。
で求められる空間周波数νを含む1つまたは複数の表面プラズモン吸収抑制領域と、前記空間周波数ν以上の空間周波数を含まない1つまたは複数の光散乱領域とを有することを特徴とする。
λ1=k×λmin (II)
で得られるλ1を式(I)のλに代入して求められる空間周波数ν1とし、
λ2=(1/k)×λmax (III)
で得られるλ2を式(I)のλに代入して求められる空間周波数ν2とする。ただし、kの値を調整して、λ1<λ2を満たすようにする。表面プラズモン吸収抑制領域142は、ν2以上ν1以下の範囲の空間周波数を含んでもよい。このように、発光層の発光スペクトルS(λ)を基準として表面プラズモン吸収抑制領域142に含まれる空間周波数の範囲を決定することにより、陰極30表面において表面プラズモン吸収より効率的に抑制することができる。
発光材料として用いるAlq3は556.3nmの中心波長を有するフォトルミネセンス(PL)発光スペクトルを有する。Alq3のPL発光スペクトルは、449.4nm〜663.2nmの範囲に、スペクトル全体の95%が包含される。この波長範囲の上限および下限は、前述の式(II)および(III)において、k=1.1として求めたλ1およびλ2に相当する。
ZrO2のナノ粒子に加えて、30%のSiO2光散乱性微粒子をさらに含む紫外線硬化型樹脂を用いて凹凸構造層20を形成したことを除いて、実施例1の手順を繰り返して、有機EL素子を得た。
図20に示す、光散乱領域144の存在しない、円環状の二次元空間周波数スペクトルにおいて、外側円周の空間周波数を1/226nm-1に設定し、内側円周の空間周波数を1/334nm-1に設定し、円環状領域のF(u,v)の値を最大値1.0(画像の階調としてはグレースケールの255)とし、円環状領域以外の部武運におけるF(u,v)の値を0.0(画像の階調としてはグレースケールの0)とした。このようにして得られた二次元空間周波数スペクトルを逆フーリエ変換して、凹凸構造を求めた。ここで、凹凸構造の高さが50nmになるように、凹凸構造のz軸方向の値を調整した。求めた凹凸構造を用いて、実施例1の手順を繰り返して、有機EL素子を得た。
凹凸構造層20を形成しなかったことを除いて、実施例1の手順を繰り返して、有機EL素子を得た。
比較例2の有機EL素子から外部に取り出される全光束を1.0として、実施例1および2、ならびに比較例1の有機EL素子の光取り出し倍率を測定した。その結果、表面プラズモン吸収抑制領域のみからなる二次元空間周波数スペクトルを有する比較例1の有機EL素子は、1.6倍の光取り出し倍率を示した。一方、4つの表面プラズモン吸収抑制領域142および4つの光散乱領域144からなるからなる二次元空間周波数スペクトルを有する実施例1の有機EL素子は、1.82倍の光取り出し倍率を示した。この結果から、光取り出し凹凸フィルムの光取り出し困難方向に対応する光散乱領域144を設けることが、光取り出し効率の向上に有効であることが分かる。
実施例1で使用した図12に示す凹凸構造では、凸部を示す黒色エリアが連続している部分が存在する。このような凹凸構造では、素子作製時に異物混入などの要因により、黒色エリアの連続部において陰極30および陽極50がショートして、リークスポットが発生する恐れがある。この点に鑑みて、waterShedのアルゴリズム(非特許文献1参照)を用いて、凸部の連続部を微小単位に分割した図21に示す凹凸構造を得た。微小単位の面内最大寸法を0.1mmから1.5mmまで変化させた。図21に示す凹凸構造を用いて実施例1の手順を繰り返して、120mm×120mmの発光区域を有する有機EL素子を形成した。
得られた有機EL素子を、1000cd/m2の輝度で発光させた。この状態で、有機EL素子の非発光点(リークスポット)の存在を、0.5m、1mおよび5mの距離から観察した。また、比較例2の有機EL素子から外部に取り出される全光束を1.0として、有機EL素子の光取り出し倍率を測定した。結果を第1表に示す。
実施例1の有機EL素子と、凹凸構造の微小単位の面内最大寸法を1.0mmとした実施例3の有機EL素子とについて、電圧と電流密度との相関を測定した。結果を図22に示した。
20 凹凸構造層
30 陰極
40 発光層
50 陽極
60 透光性基板
70 光散乱性微粒子
80 プリズム構造
90 透明支持体
92 凸部または凹部
122 光取り出し容易方向
124 光取り出し困難方向
142 表面プラズモン吸収抑制領域
144 光散乱領域
Claims (8)
- 第1面および第2面を有する透光性基板と、前記第1面上に形成された、透明電極、陰極、および前記透明電極と前記陰極との間に設けられた発光層と、前記第2面上に配置された凹凸を有する光取り出しフィルムとを含む有機EL素子であって、前記陰極の前記発光層側の表面に複数の凹部または凸部を有し、前記陰極の前記発光層側の表面のフーリエ変換像は、式(I)
で求められる空間周波数νを含む1つまたは複数の表面プラズモン吸収抑制領域と、空間周波数ν以上の空間周波数を含まない1つまたは複数の光散乱領域とを有し、前記表面プラズモン吸収抑制領域および前記光散乱領域は、フーリエ変換像の原点を中心とする扇形の領域であることを特徴とする有機EL素子。 - 前記発光層の発光スペクトルのピーク波長をλpとし、波長λにおける強度をS(λ)とし、S(λ)>S(λp)/100が成立する最小波長をλminとし、S(λ)>S(λp)/100が成立する最大波長をλmaxとし、kを0.8より大きい実数とし、式(II)
λ1=k×λmin (II)
で得られるλ1を式(I)のλに代入して求められる空間周波数ν1とし、
式(II)
λ2=(1/k)×λmax (III)
で得られるλ2(ただし、λ1<λ2であることを条件とする)を式(I)のλに代入して求められる空間周波数ν2とした時に、
前記1つまたは複数の表面プラズモン吸収抑制領域は、ν2以上ν1以下の空間周波数νを含み、前記1つまたは複数の光散乱領域は、ν2以上ν1以下の空間周波数νを含まないことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。 - 前記発光層の発光スペクトルが複数の発光ピーク波長λp1……λpnを有し、前記表面プラズモン吸収抑制領域が、λp1……λpnを式(I)のλに代入して求められる空間周波数νp1……νpnを含むことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 複数の凹部または凸部を有する凹凸構造層をさらに含み、前記透光性基板の第1面上に、凹凸構造層、透明電極、発光層および陰極がこの順に積層されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の有機EL素子。
- 前記凹凸構造層が1.7以上の屈折率を有することを特徴とする請求項4に記載の有機EL素子。
- 前記凹凸構造層が光散乱性微粒子を含むことを特徴とする請求項4に記載の有機EL素子。
- プリズム構造をさらに含み、前記プリズム構造は、前記透光性基板と前記凹凸構造層との間に設けられており、前記プリズム構造は1.7以下の屈折率を有することを特徴とする請求項4に記載の有機EL素子。
- 前記凹凸構造層の複数の凸部または凹部は、1mm以下の面内寸法を有することを特徴とする請求項4に記載の有機EL素子。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015108994A JP6565338B2 (ja) | 2015-05-28 | 2015-05-28 | 有機el素子 |
EP16799581.0A EP3307024B1 (en) | 2015-05-28 | 2016-05-26 | Organic el element |
CN201680027144.3A CN107615885A (zh) | 2015-05-28 | 2016-05-26 | 有机el元件 |
KR1020177037029A KR102481193B1 (ko) | 2015-05-28 | 2016-05-26 | 유기 el 소자 |
PCT/JP2016/002545 WO2016189868A1 (ja) | 2015-05-28 | 2016-05-26 | 有機el素子 |
US15/822,286 US10651415B2 (en) | 2015-05-28 | 2017-11-27 | Organic EL (electroluminescent) device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015108994A JP6565338B2 (ja) | 2015-05-28 | 2015-05-28 | 有機el素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016225086A JP2016225086A (ja) | 2016-12-28 |
JP6565338B2 true JP6565338B2 (ja) | 2019-08-28 |
Family
ID=57392662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015108994A Active JP6565338B2 (ja) | 2015-05-28 | 2015-05-28 | 有機el素子 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10651415B2 (ja) |
EP (1) | EP3307024B1 (ja) |
JP (1) | JP6565338B2 (ja) |
KR (1) | KR102481193B1 (ja) |
CN (1) | CN107615885A (ja) |
WO (1) | WO2016189868A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6622009B2 (ja) * | 2015-06-11 | 2019-12-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 紫外光発生用ターゲット及びその製造方法 |
KR20180090304A (ko) * | 2015-12-10 | 2018-08-10 | 오지 홀딩스 가부시키가이샤 | 기판, 광학 소자, 금형, 유기 발광 소자, 유기 박막 태양 전지 및 기판의 제조 방법 |
KR102379846B1 (ko) * | 2017-12-13 | 2022-03-29 | 후지필름 가부시키가이샤 | 도전성 부재, 터치 패널 및 표시 장치 |
KR102640404B1 (ko) * | 2018-10-18 | 2024-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 표시장치의 제조방법 |
CN114023909B (zh) * | 2021-11-03 | 2024-03-05 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示面板及电子设备 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003036969A (ja) * | 2000-10-25 | 2003-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子、及びそれを用いた表示装置と照明装置 |
US6670772B1 (en) * | 2002-06-27 | 2003-12-30 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting diode display with surface plasmon outcoupling |
GB0217900D0 (en) * | 2002-08-02 | 2002-09-11 | Qinetiq Ltd | Optoelectronic devices |
JP2007207471A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Konica Minolta Holdings Inc | 面発光体及び表示装置 |
WO2008073601A2 (en) * | 2006-10-31 | 2008-06-19 | Trustees Of Boston University | Deterministic aperiodic patterned dielectric and plasmonic materials for localized electromagnetic field enhancement |
KR101029299B1 (ko) * | 2008-12-30 | 2011-04-18 | 서울대학교산학협력단 | 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 |
US8849072B2 (en) * | 2009-02-13 | 2014-09-30 | Physical Sciences, Inc. | Surface plasmon enhanced optical devices for integrated photonics |
WO2011007878A1 (ja) | 2009-07-16 | 2011-01-20 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | 回折格子及びそれを用いた有機el素子、並びにそれらの製造方法 |
CN103460797B (zh) | 2010-11-02 | 2016-03-02 | 王子控股株式会社 | 有机发光二极管及其制造方法、图像显示装置及照明装置 |
DE102010062954A1 (de) * | 2010-12-13 | 2012-06-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verwendung eines Kupferkomplexes in einer Ladungserzeugungsschichtfolge |
CN103503571B (zh) * | 2011-06-28 | 2016-03-30 | 松下知识产权经营株式会社 | 有机电致发光元件 |
US9105878B2 (en) | 2011-07-01 | 2015-08-11 | Oji Holdings Corporation | Organic light-emitting diode manufacturing method, organic light-emitting diode, image display device, illumination device, and substrate |
CN104335679B (zh) * | 2011-12-28 | 2016-12-14 | 王子控股株式会社 | 有机发光二极管、有机发光二极管的制造方法、图像显示装置及照明装置 |
JP6118525B2 (ja) * | 2012-09-03 | 2017-04-19 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子および電子機器 |
CN105191500B (zh) * | 2013-03-13 | 2017-06-23 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光元件和使用所述有机电致发光元件的照明设备 |
EP3016157A4 (en) * | 2013-06-27 | 2017-03-29 | Oji Holdings Corporation | Organic thin-film solar cell and organic thin-film solar cell manufacturing method |
KR20160070142A (ko) * | 2013-11-13 | 2016-06-17 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자, 조명 장치 및 표시 장치 |
JP2016002545A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 株式会社フジコー | 空気浄化装置 |
-
2015
- 2015-05-28 JP JP2015108994A patent/JP6565338B2/ja active Active
-
2016
- 2016-05-26 CN CN201680027144.3A patent/CN107615885A/zh active Pending
- 2016-05-26 WO PCT/JP2016/002545 patent/WO2016189868A1/ja active Application Filing
- 2016-05-26 KR KR1020177037029A patent/KR102481193B1/ko active IP Right Grant
- 2016-05-26 EP EP16799581.0A patent/EP3307024B1/en active Active
-
2017
- 2017-11-27 US US15/822,286 patent/US10651415B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180076410A1 (en) | 2018-03-15 |
US10651415B2 (en) | 2020-05-12 |
CN107615885A (zh) | 2018-01-19 |
WO2016189868A1 (ja) | 2016-12-01 |
JP2016225086A (ja) | 2016-12-28 |
EP3307024A1 (en) | 2018-04-11 |
KR102481193B1 (ko) | 2022-12-27 |
EP3307024B1 (en) | 2022-06-29 |
EP3307024A4 (en) | 2018-07-04 |
KR20180013992A (ko) | 2018-02-07 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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