JP6561940B2 - 半導体センサ及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体センサ及びその製造方法に関する。

従来より、半導体チップの一部が露出するように半導体チップがモールド樹脂部で被覆された構造が、例えば特許文献１で提案されている。この構成は、次のように製造することができる。まず、半導体チップを用意する。また、上型と下型とで空間部を構成する金型を用意する。上型は当該上型のうち半導体チップの露出部の周囲に対応する部分が突出した突出部を有している。

続いて、上型のうち下型に対向する面の全体にフィルムを貼り付ける。また、半導体チップを下型に乗せる。そして、上型と下型とを組み合わせると共に、上型に貼り付いたフィルムのうち突出部の先端に対応する部分を半導体チップに接触させる。この状態で金型の空間部にモールド樹脂部を流し込んで硬化する。

この後、モールド樹脂部及び半導体チップからフィルムを剥がす。これにより、半導体チップのうちフィルムが接触した部分及び当該接触部分に囲まれた部分がモールド樹脂部から露出した構造が得られる。

特開２０１５−４５５７号公報

上記従来の技術では、フィルムのうち半導体チップに接触する部分は一部であるが、フィルムは上型のうち下型に対向する面の全体に貼り付けられている。そこで、上型のうち半導体チップの露出部に対応する部分だけにフィルムを貼り付けることが考えられる。

しかし、上型の形状によっては、フィルムが上型に密着する部分と上型から離れた部分とが発生する。このため、フィルムの端部と上型とに隙間が発生し、この隙間にモールド樹脂部が侵入してしまう。したがって、上型の全体にフィルムを貼り付けなければならず、フィルムの無駄が多いという問題がある。

本発明は上記点に鑑み、半導体チップの一部が露出するように半導体チップがモールド樹脂部で被覆された構成を製造するに際し、上型に貼り付けるフィルムの使用量を少なくすることができる半導体センサの製造方法を提供することを第１の目的とする。また、当該半導体センサを提供することを第２の目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、金属製の板状のアイランド部（１１１）と、表面（１２１）、側面（１２２）、及び裏面（１２３）を有する板状であり、裏面がアイランド部に実装され、表面を構成する第１領域（１２４）及び第１領域に連結された第２領域（１２５）のうちの第１領域側に物理量を検出するセンシング部（１２６）が設けられた半導体チップ（１２０）と、第１領域が露出するようにアイランド部の一部及び半導体チップの第２領域及び側面を被覆したモールド樹脂部（１４０）と、を備えた半導体センサの製造方法であって、以下の各工程を行う。

まず、ゲート部（１１３）とアイランド部とが連結されていると共にゲート部に貫通孔（１１４）が設けられた金属製の板状のリードフレーム（１１０）と、半導体チップと、を用意し、リードフレームのうちアイランド部に対応する部分に半導体チップを実装する（実装工程）。

次に、第１領域と第２領域との連結方向において、第１領域と第２領域との境界（１２８）から第１領域側の第１空間部（２３０）と、境界から第２領域側の第２空間部（２４０）と、を構成する金型（２００）として、モールド樹脂部を導入するための導入部（２１１）を有する下型（２１０）と、下型に組み合わされる上型（２２０）と、を用意する（準備工程）。

続いて、上型において下型に対向する壁面（２２５）のうちの第１空間部側に部分的にフィルム（３００）を貼り付ける（貼り付け工程）。

次に、導入部の上部に貫通孔が位置するようにリードフレームを下型に配置すると共に、上型に貼り付けたフィルムの一部を半導体チップの第１領域及びリードフレームに接触させて下型と上型とを組み付けることにより、第１空間部及び第２空間部を構成する（型締め工程）。

型締め工程の後、導入部から貫通孔を介して第１空間部に樹脂材料（１４３）を注入すると共に、第１空間部を介して第２空間部に樹脂材料を注入して樹脂材料を硬化することによりモールド樹脂部を形成する（樹脂成形工程）。

樹脂成形工程の後、モールド樹脂部から金型及びフィルムを外す（離型工程）。離型工程の後、モールド樹脂部のうちゲート部を含んだ先端部（１４４）を切断する（切断工程）。

そして、準備工程では、上型として、壁面のうち半導体チップの側面に対向する部分において最も第２空間部側の位置に、半導体チップを挟むように突出すると共に、側面と上型との隙間（２３１）の間隔を狭くする一対の凸部（２２４）が設けられたものを用意する。

また、樹脂成形工程では、一対の凸部によって第１空間部から第２空間部への樹脂材料の流れを滞らせることにより、第１空間部に樹脂材料を充填することによってフィルムのうち第１空間部に対応する部分の全体を上型に密着させた後に第２空間部に樹脂材料を充填する。

上記の製造方法によると、第２空間部よりも先に第１空間部を樹脂材料で充填するので、フィルムのうち第２空間部側の端部（３１０）と上型とに隙間（２２７）が発生していても、当該隙間が無くなる。これにより、当該隙間に樹脂材料が入り込むことを防止することができる。また、上型の壁面のうち第１空間部及び第２空間部に対応する領域全体にフィルムを貼り付ける必要がない。したがって、上型に貼り付けるフィルムの使用量を少なくすることができる。

請求項５に記載の発明では、半導体センサは、金属製の板状のアイランド部（１１１）と、表面（１２１）、側面（１２２）、及び裏面（１２３）を有する板状であり、裏面がアイランド部に実装され、表面を構成する第１領域（１２４）及び第１領域に連結された第２領域（１２５）のうちの第１領域側に物理量を検出するセンシング部（１２６）が設けられた半導体チップ（１２０）と、第１領域が露出するようにアイランド部の一部及び半導体チップの第２領域及び側面を被覆したモールド樹脂部（１４０）と、を備えている。

そして、モールド樹脂部は、半導体チップの第２領域を被覆する部分のうち第１領域と第２領域との境界（１２８）に接触する接触部（１４２）に、第１領域と第２領域との連結方向において第１領域から離れる方向に湾曲状に凹んだ凹部（１４１）を有する。

なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

本発明の第１実施形態に係る半導体センサの断面図である。 半導体センサにおける第１領域と第２領域との境界付近の拡大断面図である 準備工程、貼り付け工程、及び型締め工程を説明するための断面図である。 樹脂成形工程を説明するための平面図である。 図４のV−V断面図である。 図４のVI−VI断面図である。 樹脂成形工程を説明するための断面図である。 樹脂成形工程において、フィルムの端部付近の拡大断面図である。 離型工程を説明するための断面図である。 比較例を説明するための平面図である。 図１０のXI−XI断面図である。 図１０のXII−XII断面図である。 第１実施形態の変形例を説明するための断面図である。 第２実施形態に係る上型を示した断面図である。 第２実施形態に係る樹脂成形工程を説明するための断面図である。 第２実施形態に係る樹脂成形工程によって形成されたモールド樹脂部を示した断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る半導体センサは、例えば、圧力センサ、流量センサ、あるいは加速度センサ等の物理量センサとして構成されている。

図１に示されるように、半導体センサ１００は、リードフレーム１１０、半導体チップ１２０、回路チップ１３０、及びモールド樹脂部１４０を備えて構成されている。

リードフレーム１１０は、半導体チップ１２０及び回路チップ１３０の固定部、及び、回路チップ１３０と外部とを電気的に接続するための端子として機能する金属製の板状の部品である。リードフレーム１１０は、第１アイランド部１１１、第２アイランド部１１２、及び図示しない複数の端子を有している。

第１アイランド部１１１は、半導体チップ１２０が実装された部品である。第２アイランド部１１２は、半導体チップ１２０の一部及び回路チップ１３０が実装された部品である。また、複数の端子は、回路チップ１３０と外部とを接続するための部品である。複数の端子は、一部がモールド樹脂部１４０から露出するようにモールド樹脂部１４０にインサート成形されている。

半導体チップ１２０は、表面１２１、側面１２２、及び裏面１２３を有する板状の半導体基板を元に形成されている。半導体チップ１２０は、裏面１２３の一部がフィルム１５０によって第１アイランド部１１１に実装されていると共に、裏面１２３の他の一部が接着剤１６０によって第２アイランド部１１２に実装されている。

また、半導体チップ１２０は、表面１２１を構成する第１領域１２４及び第１領域１２４に連結された第２領域１２５のうちの第１領域１２４側に物理量を検出するセンシング部１２６を有している。物理量として圧力や流量を検出する場合、センシング部１２６は半導体チップ１２０の一部が薄肉化されたダイヤフラムに形成されている。物理量として加速度を検出する場合、センシング部１２６は例えばＭＥＭＳ構造として構成されている。

回路チップ１３０は、半導体チップ１２０から入力した検出信号に対して予め設定された演算を行うための信号処理回路を備えている。回路チップ１３０は、接着剤１６０によって第２アイランド部１１２に実装されている。

半導体チップ１２０及び回路チップ１３０には、図示しないパッドが複数形成されている。また、各パッドに接合されたボンディングワイヤ１２７によって半導体チップ１２０と回路チップ１３０とが電気的に接続されている。回路チップ及び端子も図示しないボンディングワイヤによって電気的に接続されている。

モールド樹脂部１４０は、半導体チップ１２０の表面１２１のうち第１領域１２４が露出するように、リードフレーム１１０の一部、半導体チップ１２０の第２領域１２５及び側面１２２、回路チップ１３０を被覆した部品である。モールド樹脂部１４０の樹脂材料として、例えばエポキシ樹脂等が採用される。

また、図２に示されるように、モールド樹脂部１４０は、凹部１４１を有している。凹部１４１は、モールド樹脂部１４０において半導体チップ１２０の第２領域１２５を被覆する部分のうち第１領域１２４と第２領域１２５との境界１２８に接触する接触部１４２に設けられている。凹部１４１は、第１領域１２４と第２領域１２５との連結方向において第１領域１２４から離れる方向に湾曲状あるいはＲ形状に凹んだ形状に構成されている。

モールド樹脂部１４０の凹部１４１は、モールド樹脂部１４０を形成する際に必ず形成される。これについては半導体センサ１００の製造工程で詳しく説明する。なお、図１では凹部１４１を省略している。以上が、本実形態に係る半導体センサ１００の全体構成である。

次に、半導体センサ１００の製造方法について説明する。まず、実装工程を行う。図３及び図４に示されるように、ゲート部１１３、各アイランド部１１１、１１２、及び端子が設けられたリードフレーム１１０を用意する。ゲート部１１３は第１アイランド部１１１に連結されている。ゲート部１１３は貫通孔１１４を有している。貫通孔１１４は、樹脂材料１４３を通過させる通路である。

また、半導体チップ１２０を用意する。そして、リードフレーム１１０のうち各アイランド部１１１、１１２に対応する部分に半導体チップ１２０を実装する。同様に、リードフレーム１１０のうち第２アイランド部１１２に対応する部分に回路チップ１３０を実装する。さらに、ワイヤボンディングを行う。

続いて、金型２００を用意する準備工程を行う。金型２００は、下型２１０と、下型２１０に組み合わされる上型２２０と、を有して構成されている。図３に示されるように、下型２１０と上型２２０とが組み合わされることにより、金型２００は第１空間部２３０及び第２空間部２４０を構成する。

下型２１０は、モールド樹脂部１４０を導入するための導入部２１１、第１アイランド部１１１が配置される配置部２１２、及び第２空間部２４０を構成する窪み部２１３を有している。本実施形態では、導入部２１１はサイドゲートとして構成されている。

上型２２０は、第１空間部２３０に繋げられた吸着孔２２１、第１空間部２３０を構成する段差部２２２、及び第２空間部２４０を構成する窪み部２２３を有している。吸着孔２２１は、上型２２０にフィルム３００を吸着するための排気孔である。フィルム３００は、半導体チップ１２０の第１領域１２４と上型２２０との間に介在させられる緩衝材である。

また、図４に示されるように、上型２２０は、一対の凸部２２４を有している。一対の凸部２２４は、上型２２０において下型２１０に対向する壁面２２５のうち半導体チップ１２０の側面１２２に対向する部分において最も第２空間部２４０側の位置に設けられている。なお、図４ではフィルム３００を省略している。

一対の凸部２２４は、半導体チップ１２０を挟むように壁面２２５から突出している。一対の凸部２２４は、半導体チップ１２０の側面１２２と上型２２０の壁面２２５との隙間２３１の間隔を狭くするための部分である。

次に、上型２２０にフィルム３００を貼り付ける貼り付け工程を行う。具体的には、上型２２０の壁面２２５のうちの第１空間部２３０側に部分的にフィルム３００を貼り付ける。つまり、上型２２０の壁面２２５のうち段差部２２２を構成する部分にフィルム３００を貼り付ける。上型２２０の壁面２２５のうち窪み部２２３側にはフィルム３００を貼り付けない。

図３に示されるように、上型２２０には段差部２２２の形状に起因した隅部２２６が設けられている。このような隅部２２６にはフィルム３００を貼り付けにくい。このため、フィルム３００と上型２２０とに隙間２２７が発生しやすくなっている。

この後、型締め工程を行う。具体的には、導入部２１１の上部に貫通孔１１４が位置するようにリードフレーム１１０の第１アイランド部１１１を下型２１０の配置部２１２に配置する。また、上型２２０に貼り付けたフィルム３００の一部を半導体チップ１２０の第１領域１２４、リードフレーム１１０のゲート部１１３及び第１アイランド部１１１に接触させる。そして、下型２１０と上型２２０とを組み付けることにより、金型２００に第１空間部２３０及び第２空間部２４０を構成する。

第１空間部２３０は、第１領域１２４と第２領域１２５との連結方向において、半導体チップ１２０の第１領域１２４と第２領域１２５との境界１２８から第１領域１２４側の空間である。第１空間部２３０は、リードフレーム１１０のゲート部１１３及び第１アイランド部１１１、半導体チップ１２０の側面１２２、及び上型２２０の段差部２２２によって囲まれた空間である。

一方、第２空間部２４０は、上記の連結方向において、境界１２８から第２領域１２５側の空間である。第２空間部２４０は、下型２１０の窪み部２１３及び上型２２０の窪み部２２３によって囲まれた空間である。フィルム３００の端部３１０は、半導体チップ１２０の各領域１２４、１２５の境界１２８に位置していると共に、第２空間部２４０に露出している。

次に、モールド樹脂部１４０を形成する樹脂成形工程を行う。まず、吸着孔２２１を介して排気を行うことでフィルム３００を上型２２０に吸着する。また、図４及び図５に示されるように、下型２１０の導入部２１１から貫通孔１１４を介して第１空間部２３０に樹脂材料１４３を注入する。第２空間部２４０には第１空間部２３０を介して樹脂材料１４３を注入する。

樹脂材料１４３の注入の際、第１空間部２３０から第２空間部２４０への樹脂材料１４３の流れが一対の凸部２２４によって滞る。このため、図６に示されるように、樹脂材料１４３が第１空間部２３０に埋まっていくと共に、フィルム３００を上型２２０に押し付ける。したがって、フィルム３００と上型２２０との隙間２２７が無くなる。このように、第２空間部２４０よりも先に第１空間部２３０に樹脂材料１４３を充填することによって、フィルム３００のうち第１空間部２３０に対応する部分の全体を上型２２０に密着させる。

この後、樹脂材料１４３が第１空間部２３０から第２空間部２４０に流れると共に、第２空間部２４０に埋まっていく。これにより、図７に示されるように、第１空間部２３０及び第２空間部２４０に樹脂材料１４３を充填する。そして、樹脂材料１４３を硬化することにより、モールド樹脂部１４０を形成する。

ここで、フィルム３００は上型２２０と半導体チップ１２０とに挟まれて圧縮されている。このため、図８に示されるように、フィルム３００が弾性変形して端部３１０が第２空間部２４０側に押し出されている。具体的には、フィルム３００の端部３１０が連結方向において第２領域１２５側に湾曲状あるいはＲ形状に突出した形状になっている。これに伴い、樹脂材料１４３が第２空間部２４０を埋めていく際に、フィルム３００の端部３１０に接触する部分が当該端部３１０の形状を承継した形状になる。すなわち、モールド樹脂部１４０の凹部１４１となる。

このように、フィルム３００の端部３１０が曲面状に変形しているので、第２空間部２４０に注入された樹脂材料１４３が当該端部３１０を第１空間部２３０側に押す際に、当該端部３１０の表面に発生する応力を低減することができる。

続いて、図９に示されるように、モールド樹脂部１４０から金型２００及びフィルム３００を外す離型工程を行う。この後、モールド樹脂部１４０のうちゲート部１１３を含んだ先端部１４４を切断する切断工程を行う。つまり、ゲートブレークを行う。先端部１４４の切断と同時に、リードフレーム１１０のダムバー等の不要な部分を切断しても良い。こうして、半導体センサ１００が完成する。

次に、樹脂材料１４３の注入方法の比較例として、第１空間部２３０よりも先に第２空間部２４０から樹脂材料１４３を注入する場合について説明する。金型２００は、第２空間部２４０に通じる図示しない導入部を有している。

この場合、図１０及び図１１に示されるように、樹脂材料１４３がリードフレーム１１０の端子側から第２空間部２４０に埋まっていく。しかし、図１２に示されるように、上型２２０の隅部２２６においてフィルム３００と上型２２０との隙間２２７が発生していると、第２空間部２４０からこの隙間２２７に樹脂材料１４３が入り込んでしまう。したがって、第２空間部２４０から第１空間部２３０に樹脂材料１４３を注入する方法は採用できない。

これに対し、本実施形態では、第２空間部２４０よりも先に第１空間部２３０を樹脂材料１４３で充填する方法を採用している。このため、フィルム３００のうち第２空間部２４０側の端部３１０と上型２２０とに隙間２２７が発生していても、当該隙間２２７が樹脂材料１４３に押されて無くなる。したがって、当該隙間２２７に樹脂材料１４３が入り込むことを防止することができる。

以上のように、隙間２２７が無くなることから、上型２２０の壁面２２５のうち第２空間部２４０に対応する領域にフィルム３００を貼り付ける必要がない。すなわち、上型２２０の壁面２２５の全体にフィルム３００を貼り付けなくても良い。したがって、上型２２０に貼り付けるフィルム３００の使用量を少なくすることができる。

下型２１０の変形例として、図１３に示されるように、下型２１０の導入部２１１がトップゲートとして構成されていても良い。これにより、導入部２１１から貫通孔１１４を介して第１空間部２３０に樹脂材料１４３を導入するまでの経路を短くすることができる。

貫通孔１１４の変形例として、貫通孔１１４の数は１つに限られない。また、貫通孔１１４の平面形状は四角形状に限られない。

なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、第１アイランド部１１１が特許請求の範囲の「アイランド部」に対応する。

（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、準備工程において、図１４に示されるように、突出部２２７を有する上型２２０を用意する。突出部２２７は、上型２２０の壁面２２５のうちゲート部１１３に対向する部分が第１アイランド部１１１に対向する段差部２２２よりも突出した部分である。

そして、図１５に示されるように、当該上型２２０を用いて樹脂成形工程を行う。上型２２０の突出部２２７によって、第１空間部２３０のうちゲート部１１３側の空間の高さが、第１アイランド部１１１側の空間の高さよりも低くなる。空間の高さとは、下型２１０と上型２２０とでリードフレーム１１０を挟む方向の幅に対応する。したがって、図１６に示されるように、モールド樹脂部１４０のうちゲート部１１３に対応する部分の厚みを第１アイランド部１１１に対応する部分の厚みよりも薄く形成することができる。

この後の切断工程では、モールド樹脂部１４０のうち厚みが異なる位置で先端部１４４を切断する。モールド樹脂部１４０のうちゲート部１１３に対応する部分の厚みが第１アイランド部１１１に対応する部分の厚みよりも薄いので、モールド樹脂部１４０の段差の隅部１４５に切断の応力を集中させることができる。したがって、先端部１４４の切断時にモールド樹脂部１４０の損傷を防ぐことができる。

（他の実施形態）
上記各実施形態で示された半導体センサ１００は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、半導体センサ１００は第２アイランド部１１２や回路チップ１３０を備えない構成でも良い。また、モールド樹脂部１４０も他の形状でも良い。モールド樹脂部１４０の形状に応じて金型２００を適宜用意すれば良い。

１１０ リードフレーム、１１１ 第１アイランド部、１１３ ゲート部、１１４ 貫通孔、１２０ 半導体チップ、１２１ 表面、１２２ 側面、１２３ 裏面、１２４ 第１領域、１２５ 第２領域、１２６ センシング部、１２８ 境界、１４０ モールド樹脂部、１４３ 樹脂材料、１４４ 先端部、２００ 金型、２１０ 下型、２１１ 導入部、２２０ 上型、２２４ 凸部、２２５ 壁面、２３０ 第１空間部、２３１ 隙間、２４０ 第２空間部、３００ フィルム

Claims (5)

1. 金属製の板状のアイランド部（１１１）と、
   表面（１２１）、側面（１２２）、及び裏面（１２３）を有する板状であり、前記裏面が前記アイランド部に実装され、前記表面を構成する第１領域（１２４）及び前記第１領域に連結された第２領域（１２５）のうちの前記第１領域側に物理量を検出するセンシング部（１２６）が設けられた半導体チップ（１２０）と、
   前記第１領域が露出するように前記アイランド部の一部及び前記半導体チップの前記第２領域及び前記側面を被覆したモールド樹脂部（１４０）と、
   を備えた半導体センサの製造方法であって、
   ゲート部（１１３）と前記アイランド部とが連結されていると共に前記ゲート部に貫通孔（１１４）が設けられた金属製の板状のリードフレーム（１１０）と、前記半導体チップと、を用意し、前記リードフレームのうち前記アイランド部に対応する部分に前記半導体チップを実装する実装工程と、
   前記第１領域と前記第２領域との連結方向において、前記第１領域と前記第２領域との境界（１２８）から前記第１領域側の第１空間部（２３０）と、前記境界から前記第２領域側の第２空間部（２４０）と、を構成する金型（２００）として、前記モールド樹脂部を導入するための導入部（２１１）を有する下型（２１０）と、前記下型に組み合わされる上型（２２０）と、を用意する準備工程と、
   前記上型において前記下型に対向する壁面（２２５）のうちの前記第１空間部側に部分的にフィルム（３００）を貼り付ける貼り付け工程と、
   前記導入部の上部に前記貫通孔が位置するように前記リードフレームを前記下型に配置すると共に、前記上型に貼り付けた前記フィルムの一部を前記半導体チップの前記第１領域及び前記リードフレームに接触させて前記下型と前記上型とを組み付けることにより、前記第１空間部及び前記第２空間部を構成する型締め工程と、
   前記型締め工程の後、前記導入部から前記貫通孔を介して前記第１空間部に樹脂材料（１４３）を注入すると共に、前記第１空間部を介して前記第２空間部に前記樹脂材料を注入して前記樹脂材料を硬化することにより前記モールド樹脂部を形成する樹脂成形工程と、
   前記樹脂成形工程の後、前記モールド樹脂部から前記金型及び前記フィルムを外す離型工程と、
   前記離型工程の後、前記モールド樹脂部のうち前記ゲート部を含んだ先端部（１４４）を切断する切断工程と、
   を含み、
   前記準備工程では、前記上型として、前記壁面のうち前記半導体チップの前記側面に対向する部分において最も前記第２空間部側の位置に、前記半導体チップを挟むように突出すると共に、前記側面と前記上型との隙間（２３１）の間隔を狭くする一対の凸部（２２４）が設けられたものを用意し、
   前記樹脂成形工程では、前記一対の凸部によって前記第１空間部から前記第２空間部への前記樹脂材料の流れを滞らせることにより、前記第１空間部に前記樹脂材料を充填することによって前記フィルムのうち前記第１空間部に対応する部分の全体を前記上型に密着させた後に前記第２空間部に前記樹脂材料を充填する半導体センサの製造方法。
2. 前記準備工程では、前記下型として、前記導入部がサイドゲートとして構成されたものを用意する請求項１に記載の半導体センサの製造方法。
3. 前記準備工程では、前記下型として、前記導入部がトップゲートとして構成されたものを用意する請求項１に記載の半導体センサの製造方法。
4. 前記準備工程では、前記上型として、前記ゲート部に対向する部分が前記アイランド部に対向する部分よりも突出した突出部（２２７）を有するものを用意し、
   前記樹脂成形工程では、前記突出部によって前記モールド樹脂部のうち前記ゲート部に対応する部分の厚みを前記アイランド部に対応する部分の厚みよりも薄く形成し、
   前記切断工程では、前記モールド樹脂部のうち厚みが異なる位置で前記先端部を切断する請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体センサの製造方法。
5. 金属製の板状のアイランド部（１１１）と、
   表面（１２１）、側面（１２２）、及び裏面（１２３）を有する板状であり、前記裏面が前記アイランド部に実装され、前記表面を構成する第１領域（１２４）及び前記第１領域に連結された第２領域（１２５）のうちの前記第１領域側に物理量を検出するセンシング部（１２６）が設けられた半導体チップ（１２０）と、
   前記第１領域が露出するように前記アイランド部の一部及び前記半導体チップの前記第２領域及び前記側面を被覆したモールド樹脂部（１４０）と、
   を備え、
   前記モールド樹脂部は、前記半導体チップの前記第２領域を被覆する部分のうち前記第１領域と前記第２領域との境界（１２８）に接触する接触部（１４２）に、前記第１領域と前記第２領域との連結方向において前記第１領域から離れる方向に湾曲状に凹んだ凹部（１４１）を有する半導体センサ。

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