JP6561914B2 - 位置センサ - Google Patents

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  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)

Description

本発明は、検出対象の位置を検出する位置センサに関する。
従来より、直線上の位置を検出する位置センサが、例えば特許文献1で提案されている。具体的には、位置センサは、厚さ方向に着磁された磁石の片面に当該磁石の長さ方向に対する幅が当該長さ方向の位置によって異なる磁性板が設けられたセンサ本体を備えている。また、位置センサは、センサ本体の磁性板の上方に一定のギャップを空けて長手方向に沿って移動する磁気変換素子を備えている。
このような構成によると、磁石から出る磁界が幅の異なる磁性板によって遮蔽されるので、磁性板の表面の磁界強さが磁石の長さ方向の位置によって変化する。したがって、移動する磁気変換素子からの出力を検知することで、磁気変換素子の磁石に対する位置を検出することができる。
特開平5−264326号公報
しかしながら、上記従来の技術では、磁気変換素子にセンサ本体以外の磁界が入射することや、磁気変換素子の近傍にセンサ本体以外の磁性体が近づくこと等により、磁気変換素子に入射する磁界が変化してしまう。磁気変換素子は、信号成分と外乱成分を区別することができないので、磁気変換素子の検出精度が低下してしまうという問題がある。
本発明は上記点に鑑み、外乱成分による検出精度の低下を抑制することができる位置センサを提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、位置センサは、表面(11)及び裏面(12)を有する支持基板(10)と、表面側に設けられ、表面に直交する第1磁束を発生させる第1磁束発生部(21)と、表面側に設けられ、表面に直交すると共に第1磁束とは逆向きの第2磁束を発生させる第2磁束発生部(22)と、を備えている。
位置センサは、裏面側のうち第1磁束の透過範囲に設けられ、裏面から離れて位置すると共に磁性体で構成された検出対象(100)のうちの裏面の面方向の先端部(110)が基準位置から当該面方向の一方向である移動方向に移動する移動量に応じて変化する第1磁束の強弱に対応した第1検出信号を出力する第1磁気素子(31)を備えている。
位置センサは、裏面側のうち第2磁束の透過範囲に設けられていると共に面方向のうち移動方向に対する垂直方向において第1磁気素子の隣に位置し、先端部が基準位置から移動方向に移動する移動量に応じて変化する第2磁束の強弱に対応した第2検出信号を出力する第2磁気素子(32)を備えている。
また、位置センサは、第1磁束発生部のうち支持基板とは反対側及び第2磁束発生部のうち支持基板とは反対側に設けられ、第1磁束及び第2磁束を通すヨーク(40)と、第1検出信号及び第2検出信号を入力し、各検出信号の差分を取得する信号処理部(50)と、を備えている。
これによると、各磁気素子(31、32)で検出される各検出信号は磁束の向きが逆向きになっている。このため、各検出信号の差分が取得されることで各検出信号に含まれる外乱成分が相殺され、信号成分のみを得ることができる。したがって、外乱成分による検出精度の低下を抑制することができる。
なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
本発明の第1実施形態に係る位置センサの側面図である。 図1のII−II断面図である。 図1のIII−III断面図である。 検出対象移動量に対する各磁気素子の出力を示した図である。 外乱磁界の影響を受ける位置センサの断面図である。 周囲磁性体が周囲に位置する位置センサの断面図である。 検出対象移動量に対する各ペアの信号処理後の出力を示した図である。 検出対象移動量に対する出力信号を示した図である。 本発明の第2実施形態に係る位置センサの断面図である。 本発明の第3実施形態に係る位置センサの断面図である。 本発明の第4実施形態に係る位置センサの断面図である。 本発明の第5実施形態に係る位置センサの断面図である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る位置センサは、検出対象の位置を検出するものである。図1及び図2に示されるように、位置センサ1は、支持基板10、第1磁石21、第2磁石22、複数の磁気素子31、32、ヨーク40、及び信号処理部50を備えて構成されている。なお、図1では、ヨーク40を破線で示している。
支持基板10は、表面11及び裏面12を有する板状の部品である。支持基板10は、図示しないパッドや配線パターンが形成された回路基板である。支持基板10として、プリント基板等の磁束を透過するものが用いられる。
第1磁石21及び第2磁石22は、検出対象100の有無に応じて変化する磁束を各磁気素子31、32に印加するための部品である。各磁石21、22は、支持基板10の表面11に直交する方向に磁束が向くように着磁されている。各磁石21、22は一体化されている。また、各磁石21、22は、支持基板10の表面11に接着剤等で固定されている。
ここで、検出対象100は、板状の磁性体によって構成されている。検出対象100は、支持基板10の裏面12から離れて位置している。また、検出対象100は、各磁気素子31、32に対して一定のギャップを空けて、支持基板10の裏面12の面方向に基準位置から移動する。具体的には、検出対象100のうち支持基板10の裏面12の面方向の先端部110が、当該裏面12の上方の空間のうち磁束の透過範囲に対応する空間部200を当該面方向の一方向である移動方向に各磁気素子31、32と並行を保ちながら移動する。
第1磁石21は第1磁束を発生させる一方、第2磁石22は第1磁束とは逆向きの第2磁束を発生させる。例えば、第1磁石21のS極及び第2磁石22のN極が支持基板10の表面11側に向けられている。この関係は逆でも良い。本実施形態では、各磁石21、22は一体化されている。また、各磁石21、22は、移動方向に延設されている。
第1磁気素子31及び第2磁気素子32は、検出対象100の先端部110の基準位置からの移動量に応じて変化する磁束の強弱に対応した検出信号を出力する検出手段である。検出信号は、例えば磁束の強弱に対応した大きさの電圧である。各磁気素子31、32として、磁気の強さを検出するホール素子等が用いられる。
第1磁気素子31は、支持基板10の裏面12のうち第1磁束の透過範囲に接着剤等で固定されている。第1磁気素子31は、検出対象100の先端部110が基準位置から移動方向に移動する移動量に応じて変化する第1磁束の強弱に対応した第1検出信号を出力する。
第2磁気素子32は、支持基板10の裏面12のうち第2磁束の透過範囲に接着剤等で固定されている。図2に示されるように、第2磁気素子32は、支持基板10の裏面12の面方向のうちの移動方向に対する垂直方向において、第1磁気素子31の隣に位置している。また、第2磁気素子32は、検出対象100の先端部110が基準位置から移動方向に移動する移動量に応じて変化する第2磁束の強弱に対応した第2検出信号を出力する。
第1磁気素子31は、垂直方向において第1磁石21の中心付近に配置されている。第2磁気素子32は、垂直方向において第2磁石22の中心付近に配置されている。
さらに、第1磁気素子31と第2磁気素子32とのペアが移動方向に複数設けられている。図1に示されるように、本実施形態では、5つのペア33〜37が支持基板10に設けられている。したがって、各磁気素子31、32は、各ペア33〜37の配置方向に2列で配置されている。そして、第1磁石21及び第1磁気素子31と第2磁石22及び第2磁気素子32とは、支持基板10の裏面12の面方向のうちの移動方向に対する垂直方向において対称に配置されている。
ヨーク40は、磁性材料により形成されていると共に、第1磁束及び第2磁束を通すことにより磁気回路を構成するための部品である。図2に示されるように、ヨーク40は、第1板部41、第2板部42、及び第3板部43を有して構成されている。
第1板部41は、各磁石21、22のうち支持基板10とは反対側に接着剤等で固定された一面41aを有している。また、第1板部41は、検出対象100の移動方向、すなわち各磁気素子31、32のペアの配置方向に延びている。
第2板部42は、第1板部41の一面41aにおいて垂直方向の一端側から突出している。第3板部43は、第1板部41の一面41aにおいて垂直方向の他端側すなわち第2板部42とは反対側から第2板部42に平行に突出している。したがって、ヨーク40は、配置方向に垂直な断面がU字状になっている。また、ヨーク40全体の形状は半筒状になっている。
さらに、第2板部42は、第1板部41とは反対側の端部42aが支持基板10の裏面12から突出している。同様に、第3板部43は、第1板部41とは反対側の端部43aが支持基板10の裏面12から突出している。これにより、各磁束を各磁気素子31、32の近傍に分散させずにヨーク40に通すことができる。さらに、ヨーク40は、支持基板10の裏面12の面方向のうちの移動方向に対する垂直方向に対称の形状に形成されている。
そして、ヨーク40は、第1磁石21→第1板部41→第2板部42→第1磁石21という第1磁束の第1閉回路2と、第2磁石22→第1板部41→第3板部43→第2磁石22という第2磁束の第2閉回路3と、を構成している。空間部200は、各閉回路2、3の一部を構成している。なお、第1磁石21から第1板部41を介して第2磁石22に入射する磁束も多少ある。
信号処理部50は、各磁気素子31、32から各検出信号を入力して信号成分を取得する信号処理や、感度やオフセット等の信号処理を行う回路部である。信号処理部50は、例えばICチップとして構成されている。信号処理部50は、支持基板10の裏面12に実装されている。信号処理部50は、支持基板10の表面11に実装されていても良い。
以上が、位置センサ1の構成である。なお、位置センサ1は、上記各構成を収容する筐体や、他の装置と電気的接続を行うための端子等を備えている。
次に、位置センサ1の作動について説明する。まず、図1に示されるように、空間部200での検出対象100の位置に応じて磁束の強弱が異なる。具体的には、検出対象100が支持基板10の表面11に直交する方向に位置する場合、各磁石21、22の各磁束は磁性体である検出対象100に引き寄せられるので、磁束が強くなる。一方、検出対象100が支持基板10の表面11に直交する方向に位置しない場合、各磁石21、22の磁束の強さは変化しない。つまり、検出対象100が位置する場合の磁束よりも弱くなる。
検出対象100が支持基板10の表面11に直交する方向に位置する場合、第1磁束の一部が第2板部42から検出対象100に優先的に流入する。また、検出対象100に流入した第1磁束は、第1磁石21に戻る。したがって、図3に示されるように、第1磁石21→第1板部41→第2板部42→検出対象100→第1磁石21という第3閉回路4が構成される。同様に、第2磁石22→検出対象100→第3板部43→第1板部41→第2磁石22という第4閉回路5が構成される。一方、検出対象100が支持基板10の表面11に直交する方向に位置しない場合、図2に示された各閉回路2、3が構成される。
このような磁束の強弱は、検出対象100の先端部110の移動に伴って、当該先端部110の移動方向に変化する。したがって、各磁気素子31、32は、検出対象100の先端部110の位置に応じた検出信号の出力を行う。
検出対象100の先端部110が例えばペア33の第1磁気素子31に近づくと、第1磁気素子31の出力V1が変化する。そして、検出対象100の先端部110の移動量の増加に伴って第1磁気素子31が受ける磁束が強くなるので、図4に示されるように第1磁気素子31の出力V1も増加する。第1磁気素子31が受ける磁束の強さが最大になると、出力V1は一定値となる。
これに対し、第2磁気素子32は、第1磁気素子31に入射する第1磁束とは逆向きの第2磁束が入射するので、検出対象100の先端部110の移動量の増加に伴って第2磁気素子32の出力V2は減少する。つまり、出力V2は出力V1の反転した値となる。出力V1をV1=B1とし、出力V2をV2=B2とすると、B1=−B2である。
ここで、図5に示されるように第2磁束側に外乱磁界が入射する場合や、図6に示されるようにヨーク40の近傍に周囲磁性体300が位置する場合がある。各磁石21、22の各磁束はヨーク40に閉じ込められるので、各磁束は周囲磁性体300にほとんど入射しない。このため、周囲磁性体300が位置センサ1に近づいても各磁石21、22から発生した各磁束に影響を与えない。
しかし、外乱磁界は各磁束の強弱に影響するので、外乱成分が出力V1、V2に含まれる。具体的には、外乱磁界が位置センサ1に入射した場合、外乱磁界の一部がヨーク40に吸収されると共に、各磁気素子31、32に入射する。一方、信号磁界となる各磁石21、22の各磁束はペア33を構成する各磁気素子31、32に入射するが、各磁石21、22の着磁方向が逆になっているので、信号磁界の向きも逆相になる。他のペア34〜37についても同じである。信号成分をB1、B2とし、外乱成分をBexとすると、第1磁気素子31の出力V1はV1=B1+Bexとなり、第2磁気素子32の出力V2はV2=B2+Bexとなる。
したがって、信号処理部50は、ペア33から入力した各検出信号の差分S1を取得する。すなわち、信号処理部50は、S1=V1−V2=(B1+Bex)−(B2+Bex)=2×B1を演算する。これにより、外乱成分Bexはキャンセルされるので、信号処理部50は2倍の信号成分のみの出力S1を得る。この後、信号処理部50は、出力S1の感度やオフセット等の信号処理を行う。
そして、ペア34〜37についても上記と同様に出力V1、V2が変化する。したがって、信号処理部50は、ペア34〜37毎に出力の差分S2〜S5を取得する。これにより、図7に示されるように、検出対象移動量に対する信号処理後の各ペア33〜37の出力S1〜S5が得られる。
各出力S1〜S5には切替閾値が設定されている。これは、各磁気素子31、32が受ける磁束の強さが最大または最小になると出力が一定値になるためである。したがって、磁束の変化に応じて出力S1〜S5が変化する範囲が切替閾値によって設定されている。
切替閾値は、各出力S1〜S5に対して最大値側と最小値側との2つが設定されている。切替閾値は固定値ではなく、各出力S1〜S5の最大値及び最小値に対応して変動するように設定されている。切替閾値は、信号処理部50に予め記憶されている。
例えば、出力S1が最小値側の切替閾値を超えると、信号処理部50はペア33の出力S1を出力信号とする。出力S1が最大値側の切替閾値を超えると、信号処理部50はペア34の出力S2を出力信号とする。信号処理部50はこのような出力信号の切り替えを行う。これにより、図8に示されるように、信号処理部50は、検出対象100の移動量に比例して変化する出力信号を出力することができる。また、各ペア33〜37の各出力S1〜S5を繋げているので、検出対象100の長い移動距離を検出することができる。
以上説明したように、本実施形態では、ペア33〜37を構成する各磁気素子31、32に逆相の信号磁界を印加すると共に、各磁石21、22の各磁束をヨーク40に通過させる構成になっている。これにより、各磁気素子31、32で検出される各検出信号が逆相の信号になるので、各検出信号の差分が取得されることで各検出信号に含まれる外乱成分をキャンセルすることができる。したがって、外乱成分による検出精度の低下を抑制することができる。
位置センサ1は、例えば、自動車ドライブシャフト、カムシャフト、ギヤ等の回転体の軸方向の移動位置検出、シフトポジション検出、ピストンやバルブ等の位置検出に適用される。もちろん、位置センサ1は自動車以外の他の用途に適用されても良い。
なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、第1磁石21が特許請求の範囲の「第1磁束発生部」に対応し、第2磁石22が特許請求の範囲の「第2磁束発生部」に対応する。
(第2実施形態)
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分について説明する。図9に示されるように、ヨーク40は、各板部41〜43の他に第1支持部44及び第2支持部45を有している。各支持部44、45はヨーク40の一部であり、各板部41〜43と同様に磁性体によって構成されている。各支持部44、45は、各板部41〜43から分離されている。
第1支持部44は、第1磁石21と支持基板10の表面11とに挟まれている。また、第2支持部45は、第2磁石22と支持基板10の表面11とに挟まれている。これによると、隣接する各磁石21、22の一方の磁束が他方に引きつけられにくくなるので、各磁気素子31、32に対する信号強度を向上させることができる。
(第3実施形態)
本実施形態では、第1、第2実施形態と異なる部分について説明する。図10に示されるように、第1磁石21及び第2磁石22は、離間して配置されている。これにより、各磁石21、22の一方が他方の磁束に影響しにくくなるので、各磁気素子31、32に対する信号強度を向上させることができる。
(第4実施形態)
本実施形態では、第1〜第3実施形態と異なる部分について説明する。図11に示されるように、ヨーク40は、第1板部41のみで構成されている。すなわち、ヨーク40は、一面41aが各磁気素子31、32のペアの配置方向(移動方向)に延びると共に各磁石21、22に固定されている。このように、ヨーク40の第2板部42及び第3板部43を省略することにより、位置センサ1を小型化することができる。
(第5実施形態)
本実施形態では、第1〜第4実施形態と異なる部分について説明する。図12に示されるように、第1板部41は、第1磁石21側と第2磁石22側とに各磁気素子31、32のペアの配置方向に沿って分割されている。つまり、第1板部41は、第2板部42に接続された第1の部分41bと、第3板部43に接続された第2の部分41cと、によって構成されている。このような構成により、第1磁束は第2板部42側を通りやすくなると共に第2磁束は第3板部43側を通りやすくなるので、各磁気素子31、32に供給される磁束密度を増やすことができる。
(他の実施形態)
上記各実施形態で示された位置センサ1の構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、上記各実施形態で示された構成を適宜組み合わせることができる。
上記各実施形態では、磁束を発生させるものとして各磁石21、22が用いられていたが、これは構成の一例である。例えば、電磁石等の磁束発生手段が用いられても良い。
上記各実施形態では、位置センサ1は5つのペア33〜37を備えていたが、複数備えている必要は無い。1つのペア33でも位置センサ1として構成することができる。
上記各実施形態では、各磁石21、22は支持基板10の表面11に直接固定されていたが、各磁石21、22と支持基板10の表面11との間に他の部品が介在していても良い。同様に、各磁気素子31、32は支持基板10の裏面12に直接固定されていたが、各磁気素子31、32と支持基板10の裏面12との間に他の部品が介在していても良い。
上記各実施形態では、ヨーク40の各端部42a、43aが支持基板10の裏面12から突出するように構成されていたが、これはヨーク40の形状の一例である。したがって、ヨーク40の各端部42a、43aは支持基板10の裏面12から突出していなくても良い。
上記各実施形態では、検出対象100は板状に構成されていたが、これは形状の一例である。したがって、検出対象100は板状に限られず、他の形状でも良い。
第2実施形態の別の例として、第1支持部44は、支持基板10の裏面12と第1磁気素子31とに挟まれていても良い。また、第2支持部45は、支持基板10の裏面12と第2磁気素子32とに挟まれていても良い。
10 支持基板
11 表面
12 裏面
21、22 磁石(磁束発生部)
31、32 磁気素子
40 ヨーク
50 信号処理部
100 検出対象
110 先端部

Claims (8)

  1. 表面(11)及び裏面(12)を有する支持基板(10)と、
    前記表面側に設けられ、前記表面に直交する第1磁束を発生させる第1磁束発生部(21)と、
    前記表面側に設けられ、前記表面に直交すると共に前記第1磁束とは逆向きの第2磁束を発生させる第2磁束発生部(22)と、
    前記裏面側のうち前記第1磁束の透過範囲に設けられ、前記裏面から離れて位置すると共に磁性体で構成された検出対象(100)のうちの前記裏面の面方向の先端部(110)が基準位置から当該面方向の一方向である移動方向に移動する移動量に応じて変化する前記第1磁束の強弱に対応した第1検出信号を出力する第1磁気素子(31)と、
    前記裏面側のうち前記第2磁束の透過範囲に設けられていると共に前記面方向のうち前記移動方向に対する垂直方向において前記第1磁気素子の隣に位置し、前記先端部が基準位置から前記移動方向に移動する移動量に応じて変化する前記第2磁束の強弱に対応した第2検出信号を出力する第2磁気素子(32)と、
    前記第1磁束発生部のうち前記支持基板とは反対側及び前記第2磁束発生部のうち前記支持基板とは反対側に設けられ、前記第1磁束及び前記第2磁束を通すヨーク(40)と、
    前記第1検出信号及び前記第2検出信号を入力し、前記各検出信号の差分を取得する信号処理部(50)と、
    を備えている位置センサ。
  2. 前記第1磁束発生部及び前記第2磁束発生部は、前記移動方向に延設されており、
    前記第1磁気素子及び前記第2磁気素子のペアが前記移動方向に複数設けられ、
    前記信号処理部は、前記ペア毎に前記差分を取得する請求項1に記載の位置センサ。
  3. 前記ヨークは、前記移動方向に延びると共に前記第1磁束発生部及び前記第2磁束発生部に固定された一面(41a)を有する第1板部(41)と、前記一面において前記移動方向に垂直な方向の一端側から突出した第2板部(42)と、前記一面において前記移動方向に垂直な方向の他端側から突出した第3板部(43)と、を有する半筒状に構成されている請求項1または2に記載の位置センサ。
  4. 前記第2板部のうち前記第1板部とは反対側の端部(42a)及び前記第3板部のうち前記第1板部とは反対側の端部(43a)は、前記支持基板の前記裏面から突出している請求項3に記載の位置センサ。
  5. 前記ヨークは、前記移動方向に延びると共に前記第1磁束発生部及び前記第2磁束発生部に固定された一面(41a)を有する第1板部(41)として構成されている請求項1または2に記載の位置センサ。
  6. 前記第1板部は、前記第1磁束発生部側と前記第2磁束発生部側とに分割されている請求項3ないし5のいずれか1つに記載の位置センサ。
  7. 前記ヨークは、
    前記第1磁束発生部と前記支持基板の前記表面とに挟まれた、もしくは前記支持基板の前記裏面と前記第1磁気素子とに挟まれた第1支持部(44)と、
    前記第2磁束発生部と前記支持基板の前記表面とに挟まれた、もしくは前記支持基板の前記裏面と前記第2磁気素子とに挟まれた第2支持部(45)と、
    を有している請求項1ないし6のいずれか1つに記載の位置センサ。
  8. 前記第1磁束発生部及び前記第2磁束発生部は、離間して配置されている請求項1ないし7のいずれか1つに記載の位置センサ。
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