JP6551536B2 - 液晶素子 - Google Patents

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Description

本出願は2015年3月31日付けで提出された韓国特許第10−2015−0045015号公報および2016年3月30日付けで提出された韓国特許第10−2016−0038645号公報に基づいた優先権の利益を主張し、該当韓国特許出願の文献に開示されたすべての内容は本明細書の一部として含まれる。
本出願は、液晶素子およびその用途に関するものである。
液晶素子は電圧の印加のような外部信号を通じて液晶の配向をスイッチングさせて光の透過度を調節することができるため、透過率可変素子として使用され得る。このような液晶素子は、各種情報装置のディスプレイ装置はもちろんOLED(Organic Light Emitting Diode)用遮光板または車両用およびスマートウィンドウなどの多様な遮光製品にも適用され得る。
液晶素子の遮光または投光メカニズムは、透明ホワイト、透明ブラックまたは散乱状態などに分類され得、一般的な液晶素子は透明ホワイトおよび透明ブラック状態の間をスイッチングしたり、透明ホワイトおよび散乱状態の間をスイッチングしたりする二相(double state)素子である。前記において、透明ホワイト状態とは直進光透過率が高くヘイズが低い状態、透明ブラック状態は光の直進光透過率が低くヘイズも低い状態、散乱状態は光の直進光透過率が低くヘイズは高い状態を意味し得る。
ディスプレイ装置などに適用される液晶素子は通常透明ホワイトおよび透明ブラック状態の間をスイッチングし、透明ホワイトおよび散乱状態の間をスイッチングする素子としては、例えば、特許文献1などに記載されたようないわゆるPDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)がある。
韓国特許第2014−0077861号公報
本出願は、液晶素子およびその用途を提供する。
本出願は、トリプル相(triple state)液晶素子に関するものである。本出願において用語、トリプル相液晶素子は、透明ホワイト状態、透明ブラック状態および散乱状態をすべて具現することができ、前記3つの状態の間で相互スイッチングが可能な素子を意味し得る。
本出願において用語、透明ホワイト状態は、液晶素子または液晶層の直進光透過率が25%以上で、ヘイズが5%以下である状態を意味し、これは第1状態と呼称され得る。また、用語、透明ブラック状態は、直進光透過率が15%以下で、ヘイズが5%以下である状態を意味し、これは第2状態と呼称され得る。用語、散乱状態は、直進光透過率が10%以下で、ヘイズが80%以上である状態を意味し、これは第3状態と呼称され得る。
前記において、第1状態は直進光透過率が40%以上、45%以上、50%以上、55%以上、60%以上、65%以上、70%以上、75%以上、80%以上、85%以上または90%以上で、ヘイズが3%以下、2.5%以下、2%以下、1.5%以下または1%以下であり得、第2状態は直進光透過率が20%以下、15%以下、10%以下または5%以下で、ヘイズが3%以下、2.5%以下、2%以下、1.5%以下または1%以下であり得、第3状態は直進光透過率が5%以下で、ヘイズが90%以上または95%以上であり得る。
本出願で透過率、直進光透過率およびヘイズはASTM D1003規格に沿って測定した数値である。
本出願の液晶素子は液晶層を含む。用語、液晶層は少なくとも液晶化合物を含む層を意味し得る。
本出願の液晶層は平行伝導度(Conductivity)が1.0×10−4μS(マイクロ秒)/cm以上であり得る。このような範囲の平行伝導度を示すように液晶層を調節すると、印加される電圧の大きさおよび周波数によって液晶層が前記第1〜第3状態をすべて具現しながら前記3つの状態のうちいずれか一つの状態から他の状態にスイッチングが可能であることを確認した。前記液晶層の平行伝導度は、他の例示で2.0×10−4μS/cm以上、3.0×10−4μS/cm以上、4.0×10−4μS/cm以上、5.0×10−4μS/cm以上、6.0×10−4μS/cm以上、7.0×10−4μS/cm以上、8.0×10−4μS/cm以上、9.0×10−4μS/cm以上または1.0×10−3μS/cm以上であり得る。前記平行伝導度は他の例示で5.0×10−2μS/cm以下、3.0×10−2μS/cm以下、1.0×10−2μS/cm以下、9.0×10−3μS/cm以下、7.0×10−3μS/cm以下、5.0×10−3μS/cm以下、3.0×10−3μS/cm以下または2.5×10−3μS/cm以下であり得る。
本出願において用語、平行伝導度は、前記液晶層に電圧を印加して測定した伝導度であって、前記液晶層の光軸と前記印加電圧による電場の方向が実質的に水平であるように電圧を印加した状態で前記電場の方向に沿って測定した値であり得る。前記において、印加される電圧の測定周波数は60Hzであり、測定電圧は0.5Vであり得る。
一方、後述する垂直伝導度も前記液晶層に電圧を印加して測定した伝導度であって、前記液晶層の光軸と前記印加電圧による電場の方向が実質的に垂直であるように電圧を印加した状態で前記電場の方向に沿って測定した値であり得る。前記において、印加される電圧の測定周波数は60Hzであり、測定電圧は0.5Vであり得る。
液晶層の光軸は液晶化合物の種類によって決定され得る。例えば、液晶化合物がロッド(rod)形状であれば、液晶層の光軸は前記液晶層に含まれる液晶化合物が配向された状態でその長軸方向を意味し得る。例えば、前記液晶層内の液晶化合物が前記液晶層の厚さ方向に平行して垂直配向されている状態であれば、前記平行伝導度は前記液晶層の厚さ方向に沿って電場が形成されるように電圧を印加した状態で前記厚さ方向に沿って測定した伝導度であり得る。また、液晶層内の液晶化合物がロッド(rod)形状であり、前記液晶化合物が液晶層内で水平配向された状態であれば、前記垂直伝導度は、前記液晶層に厚さ方向に電場が形成されるように電圧を印加して前記厚さ方向に測定した伝導度であり得る。
一方、特に規定しない限り、本出願で前記垂直または平行伝導度は前述した通り、液晶層に対して印加される電圧の測定周波数を60Hzにし、電圧は0.5Vにした状態で前記各方法によって常温で測定した伝導度を面積が1cm(横:1cm、縦:1cm)で、厚さが1cmである液晶層が表わす数値に換算した値であり得る。
後述する実施例では面積が9cm(横:3cm、縦:3cm)で、厚さが15μm(マイクロメートル)である液晶層に対して測定した実測値を面積が1cm(横:1cm、縦:1cm)で、厚さが1cmである液晶層が表わす数値に換算した。
前記換算に適用された数式は下記の数式1〜3の通りである。
[数式1]
C=1/ρ
[数式2]
R=1/CR
[数式3]
R=ρ×D/A
数式1〜3において、Cは平行または垂直伝導度で、ρは液晶層の比抵抗、CRは平行または垂直伝導度の実測値、Rは液晶層の抵抗、Dは液晶層の厚さ、Aは液晶層の面積である。
例えば、一定厚さおよび面積を有する液晶層に対して測定した伝導度の実測値(CR)を数式2に代入して抵抗(R)を求めた後、前記抵抗(R)および数式3を用いて液晶層(面積:1cm(=横:1cm、縦:1cm)、厚さ:1cm)の比抵抗(ρ)を求め、その比抵抗を数式1に代入して垂直または平行伝導度を求めることができる。
本明細書で液晶層または液晶化合物の水平配向は、液晶化合物であるロッド(rod)形態である場合、液晶層の液晶化合物が実質的に水平配向されている状態であり、例えば、下記の数式Aによる面上位相差(Rin)が150nm〜3,000nmの範囲内であり、下記の数式Bによる厚さ方向位相差(Rth)が0nm〜100nmまたは0nm〜50nmの範囲内である場合を意味し得、用語、液晶層または液晶化合物の垂直配向は、液晶化合物であるロッド(rod)形態である場合、液晶層の液晶化合物が実質的に垂直配向された状態であり、例えば、前記面上位相差(Rin)が0nm〜100nmまたは0nm〜50nmの範囲内であり、前記厚さ方向位相差(Rth)が150nm〜3000nmの範囲内である場合を意味し得る。
[数式A]
Rin=d(nx−ny)
[数式B]
Rth=d(nz−ny)
数式AおよびBにおいて、dは液晶層の厚さ、nxは液晶層平面で地上軸方向の屈折率、nyは前記地上軸に垂直な方向の屈折率、nzは厚さ方向、すなわち前記地上軸とそれに垂直な方向すべてと垂直な方向の屈折率である。本明細書で用語、屈折率は特に規定しない限り、550nm波長の光に対する屈折率であり得る。
また、前記した通り、本出願で伝導度は特に規定しない限り、測定周波数60Hzおよび測定電圧0.5V条件で測定した常温での伝導度を1cm(横:1cm、縦:1cm)で、厚さが1cmである液晶層が表わす数値に換算した値であり、前記において、伝導度は測定機器(LCR meter、Aglient社(製)、E4980A]を使ってメーカーのマニュアルに沿って測定することができる。一方、本明細書で記載する物性の中で測定温度がその数値に影響を与える場合、特に規定しない限り、該当物性は常温で測定した数値である。前記において、用語、常温は、加温または減温されていない自然そのままの温度であって、約10℃〜30℃の範囲内のいずれかの温度、例えば、約23℃または約25℃程度の温度を意味し得る。
液晶層の伝導度自体を調整する方式は公知であり、例えば、後述するように液晶層に適切な添加剤、例えば、イオン不純物、イオン性液体(ionic liquid)、塩(Salt)、反応性モノマー、開始剤または異方性染料などの添加剤を追加することによって伝導度の調節が可能である。
前記において、液晶層の垂直伝導度(VC)および液晶層の平行伝導度(PC)の比率(PC/VC)は約0.2以上、約0.25以上、約0.3以上、約0.35以上、約0.4以上、約0.45以上、約0.5以上、約0.55以上、約0.6以上、約0.65以上または約0.7以上であり得る。また、前記比率(PC/VC)は約2.5以下、約2.0以下、約1.5以下または約1.0以下であり得る。前記において、液晶層の平行伝導度(PC)および液晶層の垂直伝導度(VC)の比率(VC/PC)が約2.0以下、約1.9以下、約1.8以下、約1.7以下、約1.6以下、約1.5以下、約1.4以下、約1.3以下、約1.2以下、約1.1以下または約1.0以下であり得る。また、前記比率(VC/PC)は約0.5以上、約0.3以上、約0.2以上または約0.1以上であり得る。前記のような伝導度(PC、VC)も前述した添加剤の適切な添加によって調節が可能であり得る。伝導度の比率(VC/PCおよび/またはPC/VC)を前記の通りに調節すれば、液晶素子の駆動効率の側面で有利となり得る。
液晶素子は初期状態で前記第1または第2状態であり得る。本出願において用語、初期状態は、電圧のような液晶化合物の駆動のための外部信号が印加されていない状態を意味し得る。
前記のような初期状態で所定周波数の電圧の印加を通じて他の状態(第1〜第3状態のうちいずれか一つの状態)にスイッチングされ得、印加される電圧の大きさおよび/または周波数を変更するか、印加電圧を除去することによって他の状態にスイッチングされ得る。
前記液晶素子で第1または第2状態の具現のための印加周波数(F1)および印加電圧(V1)と第3状態の具現のための印加周波数(F2)および印加電圧(V2)が下記の条件1および/または2を満足することができる。
[条件1]
F1>F2
[条件2]
V1≦V2.
すなわち、初期状態が第1状態である場合、第2状態を具現するために要求される印加周波数(F1)または初期状態が第2状態である場合に第1状態を具現するために要求される印加周波数(F1)は、前記条件1によって第3状態を具現するために要求される印加周波数(F2)に比べて常に大きい。一つの例示で前記印加周波数の比率(F1/F2)は1を超過し、例えば、1.5以上、2以上、2.5以上または3以上であり得る。前記比率(F1/F2)は他の例示で10以下、9以下、8以下、7以下、6以下、5以下または4.5以下であり得る。
一方、初期状態が第1状態である場合、第2状態を具現するために要求される印加電圧(V1)または初期状態が第2状態である場合に第1状態を具現するために要求される印加電圧(V1)は、前記条件2によって第3状態を具現するために要求される印加電圧(V2)に比べて小さいか同じである。1つの例示で前記印加電圧の比率(V2/V1)は1以上、2以上、3以上、4以上、5以上または5.5以上であり得る。前記比率(V2/V1)は他の例示で20以下、15以下または10以下であり得る。
初期状態が第1状態である場合、第2状態を具現するために要求される印加周波数(F1)または初期状態が第2状態である場合に第1状態を具現するために要求される印加周波数(F1)は、例えば、90Hz以上、100Hz以上、150Hz以上、200Hz以上、250Hz以上または300Hz以上であり得る。前記印加周波数(F1)は他の例示で600Hz以下、500Hz以下または400Hz以下であり得る。
また、第3状態を具現するために要求される印加周波数(F2)は、110Hz以下、100Hz以下、90Hz以下、80Hz以下、70Hz以下、60Hz以下、50Hz以下または40Hz以下であり得る。前記印加周波数(F2)は、他の例示で10Hz以上または20Hz以上であり得る。
初期状態が第1状態である場合、第2状態を具現するために要求される印加電圧(V1)または初期状態が第2状態である場合に第1状態を具現するために要求される印加電圧(V1)は、例えば、50V以下、45V以下、40V以下、35V以下、30V以下、25V以下、20V以下または15V以下であり得る。前記印加電圧(V1)は他の例示で5V以上であり得る。
また、第3状態を具現するために要求される印加電圧(V2)は50V以上または65V以上であり得る。前記印加電圧(V2)は他の例示で200V以下、150V以下、100V以下、80V以下または70V以下であり得る。
前記印加周波数(F1および/またはF2)および/または印加電圧(V1および/またはV2)は、前記条件1および/または2を満足する範囲内で例えば、前記液晶層の伝導度の変化によって調節され得る。
1つの例示で前記トリプル相液晶素子は、下記の数式Aを満足することができる。
[数式A]
20≦H1/H2
数式AでH1は30Hzの周波数および60Vの電圧が印加された状態での前記トリプル相液晶素子のヘイズで、H2は電圧未印加状態または100Hzの周波数および10Vの電圧が印加された状態での前記トリプル相液晶素子のヘイズである。
前記数式AでH1/H2は、前記第3状態で発現する前記液晶素子のヘイズ(H1)と前記第1または第2状態で発現する前記液晶素子のヘイズ(H2)の比率であり得る。本出願では、液晶層の伝導度を前記範囲で調節することによって、前記数式Aのような範囲のヘイズ差を具現することができる。前記数式AでH1/H2は、他の例示で25以上、30以上、35以上、40以上、45以上、50以上、55以上、60以上、65以上、70以上、75以上、80以上、85以上または90以上であり得る。数式AでH1/H2は、他の例示で100以下または98以下または96以下であり得る。
1つの例示で前記液晶素子は下記の数式Bを満足することができる。
[数式B]
5≦T1/T2
数式BでT1は電圧未印加状態または100Hzの周波数および10Vの電圧が印加された状態での前記トリプル相液晶素子の直進光透過率で、T2は30Hzの周波数および60Vの電圧が印加された状態での前記トリプル相液晶素子のヘイズである。
前記数式BでT1は前記第1状態での直進光透過度であり得、T2は前記第2または第3状態での直進光透過度であり得る。本出願では液晶層の伝導度を前記範囲で調節することによって、前記数式Bのような範囲の直進光透過度の差を具現することができる。前記数式BでT1/T2は、他の例示で10以上、15以上、20以上、25以上、30以上、35以上、40以上、45以上、50以上、55以上、60以上、65以上、70以上、75以上、80以上、85以上または90以上であり得る。数式BでT1/T2は他の例示で100以下または98以下または96以下であり得る。
液晶素子の液晶層は、液晶化合物を少なくとも含むことができる。液晶化合物としては、特に制限なく用途により適合した種類を選択することができる。1つの例示において、液晶化合物としてはネマチック液晶化合物を使うことができる。前記液晶化合物は、非反応性液晶化合物であり得る。用語、非反応性液晶化合物は、重合性基を有さない液晶化合物を意味し得る。前記において、重合性基としては、アクリロイル基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイル基、メタクリロイルオキシ基、カルボキシル基、ヒドロキシ基、ビニル基、エポキシ基などが例示されるが、これに制限されず、重合性基として知られている公知の官能基が含まれ得る。
液晶層に含まれる液晶化合物は、陽の誘電率異方性または陰の誘電率異方性を有することができる。本出願において用語、「誘電率異方性」とは、液晶化合物の異常誘電率(εe、extraordinary dielectric anisotropy、長軸方向の誘電率)と正常誘電率(εo、ordinary dielectric anisotropy、短縮方向の誘電率)の差を意味し得る。液晶化合物の誘電率異方性は例えば±40以内、±30以内、±10以内、±7以内、±5以内または±3以内の範囲内であり得る。液晶化合物の誘電率異方性を前記範囲で調節すれば液晶素子の駆動効率の側面で有利となり得る。
液晶層内に存在する液晶化合物の屈折率異方性は目的物性、例えば、液晶素子のヘイズ特性を考慮して適切に選択され得る。用語、「屈折率異方性」とは、液晶化合物の異常屈折率(extraordinary refractive index)と正常屈折率(ordinary refractive index)の差を意味し得る。液晶化合物の屈折率異方性は例えば0.1以上、0.12以上または0.15以上〜0.23以下0.25以下または0.3以下の範囲内にあり得る。液晶化合物の屈折率異方性が前記範囲を満足する場合、例えば、ヘイズ特性が優秀な通常透過モード素子を具現することができる。
液晶層は、伝導度の調節のための適切な添加剤を含むことができる。前記添加剤としては例えば、イオン不純物、イオン性液体(ionic liquid)、塩(Salt)、反応性モノマー、開始剤または異方性染料などを例示することができる。液晶層の伝導度を調節できる前記成分は公知であり、例えば、前記イオン不純物としてはTEMPO(2、2、6、6−Tetramethylpiperidine−1−Oxyl Free radical)などがあり、イオン性液体としてはBMIN−BF4([1−butyl−3−methylimideazolium]BF4)などがあり、塩としては、CTAB(Cetrimonium bromide)、CTAI(Cetrimonium Iodide)またはCTAI3(Cetrimonium triiodide)などがあり、反応性モノマーとしては液晶と混合性がよいメソゲン(mesogen)作用基を有する反応性メソゲン(Reactive mesogen)などを使うことができ、開始剤としては例えばTPO(2、4、6−Trimethylbenzoyl−diphenyl−phosphineoxide)などを使うことができ、異方性染料としては例えばアゾ(azo)系列の染料、例えばBASF社のX12などを使うことができるが、これに制限されない。液晶層内で前記化合物の比率は目的とする伝導度と液晶化合物の配向性などを考慮して適切に選択され得る。
1つの例示において、前記液晶層は、前述した伝導度を効果的に確保しながらも液晶に対する溶解度(solubility)が優秀であり、分散特性の差を減らして優秀な物性の液晶層を形成するために前記伝導度調節のための添加剤として反応性メソゲンを含むことができる。用語、反応性メソゲンは重合性官能基を1つ以上有する液晶化合物を意味し得る。例えば、前記非反応性液晶化合物に伝導度調節剤として反応性メソゲンを混合すると、前述した伝導度を効果的に達成して液晶層の物性も安定的に維持することができる。反応性メソゲンは、前記液晶層内で非反応された状態、すなわち重合がなされていない状態で存在することができ、必要な場合には少なくとも一部が重合されていることもある。
本出願で使用できる反応性メソゲンとしては、1つ〜6つ、1つ〜5つ、1つ〜4つまたは1つ〜3つの芳香環構造または脂肪族環構造を含むメソゲンコアに重合性官能基が連結されている反応性メソゲンを使うことができる。前記において、芳香族または脂肪族環構造が2つ以上である場合に前記2つ以上の環構造は互いに直接連結されるか、あるいはリンカーによって連結されてメソゲンコアを構成することができる。前記において、リンカーとしては、炭素数1〜10、炭素数1〜8または炭素数1〜6のアルキレン基、エステル基(−C(=O)−O−または−O−C(=O)−)、エーテル基、炭素数2〜10、炭素数2〜8または炭素数2〜6のアルケニレン基、炭素数1〜10、炭素数1〜8または炭素数1〜6のオキシアルキレン基(−O−アルキレン基−、−アルキレン基−O−またはアルキレン基−O−アルキレン基−)などが例示され得る。前記において、芳香族環構造としては、炭素数6〜20、炭素数6〜16または炭素数6〜12の芳香族環構造を例示することができ、例えば、ベンゼン構造であり得る。また、前記において、脂肪族環構造としては、炭素数6〜20、炭素数6〜16または炭素数6〜12の脂肪族環構造を例示することができ、例えば、シクロヘキサン構造であり得る。一方、前記反応性メソゲンは、1つ〜10つ、1つ〜8つ、1つ〜6つ、1つ〜4つまたは1つまたは2つの重合性基を含むことができる。このような重合性基は前記メソゲンコアに連結されていることができる。この重合性基は直接前記メソゲンコアに連結されているか、あるいは適切なスペーサによって連結されていることができるが、前記において、スペーサとしては前記リンカーと同じ種類が例示され得る。また、前記重合性官能基としては、アクリロイル基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイル基、メタクリロイルオキシ基、カルボキシル基、ヒドロキシ基、ビニル基、エポキシ基などが例示され得るが、これに制限されない。
本出願で反応性メソゲンの液晶層内での比率は前記伝導度を達成できる範囲内で調節され得る。例えば、前記反応性メソゲンは、前記非反応性液晶化合物100重量部対比1〜30重量部の割合で含まれ得る。前記比率は他の例示で5重量部以上であり得、25重量部以下、20重量部以下または15重量部以下であり得る。
液晶層はイオン性化合物、例えば、前述したイオン性液体や塩などをできるだけ含まないことがある。このようなイオン性化合物は、液晶層の伝導度を調節するための添加剤として広く知られているものであるが、本発明者などはこのような化合物は、液晶化合物に対する溶解度が悪いため、液晶層の物性を悪化させることを確認した。したがって、前記液晶層内でのイオン性化合物の比率は2重量%以下、1.5重量%以下、1重量%以下または約0.7重量%以下であり得る。前記イオン性化合物は、任意の成分であるため、前記比率の下限は0重量%である。
液晶層は異方性染料をさらに含むことができる。異方性染料は、例えば、液晶素子の遮光率を改善して透過度の可変に寄与することができる。本出願において用語、「染料」とは、可視光領域、例えば、400nm〜700nm波長範囲内で少なくとも一部または全体範囲内の光を集中的に吸収および/または変形させることができる物質を意味し得、用語、「異方性染料」は前記可視光領域の少なくとも一部または全体範囲で光の異方性吸収が可能な物質を意味し得る。
異方性染料としては、例えば、いわゆるホストゲスト(host guest)効果によって液晶化合物の整列状態によって整列され得る特性を有するものとして知られている公知の染料を選択して使うことができる。異方性染料としては、例えば、黒色染料(black dye)を使うことができる。このような染料としては、例えば、アゾ染料またはアントラキノン染料などで公知されているが、これに制限されない。
異方性染料は、二色比(dichroic ratio)、すなわち異方性染料の長軸方向に平行した偏光の吸収を前記長軸方向に垂直な方向に平行した偏光の吸収で分けた値が5以上、6以上または7以上である染料を使うことができる。前記染料は可視光領域の波長範囲内、例えば、約380nm〜700nmまたは約400nm〜700nmの波長範囲内で少なくとも一部の波長またはいずれか1つの波長で前記二色比を満足することができる。前記二色比の上限は、例えば20以下、18以下、16以下または14以下程度であり得る。
異方性染料の液晶層内の比率は目的物性、例えば、透過度の可変特性により適切に選択され得る。例えば、異方性染料は0.01重量%以上、0.1重量%以上、0.2重量%以上、0.3重量%以上、0.4重量%以上、0.5重量%以上、0.6重量%以上、0.7重量%以上、0.8重量%以上、0.9重量%以上、または1.0重量%以上の割合で液晶層内に含まれ得る。異方性染料の液晶層内の比率の上限は、例えば、2重量%以下、1.9重量%以下、1.8重量%以下、1.7重量%以下、1.6重量%以下、1.5重量%以下、1.4重量%以下、1.3重量%以下、1.2重量%以下または1.1重量%以下であり得る。
液晶層はポリマーネットワークをさらに含むことができる。ポリマーネットワークは、例えば液晶層内部にギャップ(gap)を維持するスペーサ(Spacer)役割をすることができる。ポリマーネットワークは、液晶化合物とは相分離された状態で存在することができる。液晶層内のポリマーネットワークは、例えば、ポリマーネットワークが連続相の液晶化合物中に分布されている構造、いわゆるPNLC(Polymer Network Liquid Crystal)構造で液晶層内に含まれ得、またはポリマーネットワーク内に液晶化合物を含む液晶領域が分散されている状態で存在する構造、いわゆるPDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)構造で液晶層内に含まれ得る。
ポリマーネットワークは、例えば重合性化合物を含む前駆物質のネットワークであり得る。したがって、ポリマーネットワークは重合された状態で重合性化合物を含むことができる。重合性化合物としては、液晶性を示さない非液晶性化合物が使用され得る。重合性化合物としては、いわゆるPDLCまたはPNLC素子のポリマーネットワークを形成できる物として知られている1つ以上の重合性官能基を有する化合物または必要な場合、重合性官能基がない非重合成化合物を使うことができる。前駆物質に含まれ得る重合性化合物としてはアクリレート化合物などを例示することができるが、これに制限されない。
ポリマーネットワークの液晶層内の比率は、目的物性、例えば、液晶素子のヘイズまたは透過度特性などを考慮して適切に選択され得る。ポリマーネットワークは、例えば、40重量%以下、38重量%以下、36重量%以下、34重量%以下、32重量%以下または30重量%以下の比率で液晶層内に含まれ得る。ポリマーネットワークの液晶層内の比率の下限は特に制限されないが、例えば、0.1重量%以上、1重量%、2重量%以上、3重量%以上、4重量%以上、5重量%以上、6重量%以上、7重量%以上、8重量%以上、9重量%以上または10重量%以上であり得る。
本出願の液晶素子は、例えば、2つの基板をさらに含み、液晶層が前記基板の間に存在することができる。図1に例示的に示した通り、液晶素子で前記2つの基板1011、1012は互いに対向配置されており、前記液晶層102は前記対向配置された2つの基板1011、1012の間に存在することができる。
前記基板としては、特に制限なく公知の素材を使うことができる。例えば、ガラスフィルム、結晶性または非結晶性シリコンフィルム、石英またはITO(Indium Tin Oxide)フィルムなどの無機フィルムやプラスチックフィルムなどを使うことができる。基板としては、光学的に等方性である基板や、位相差層のように光学的に異方性の基板または偏光板やカラーフィルター基板などを使うことができる。
プラスチック基板としては、TAC(triacetyl cellulose);ノルボルネン誘導体などのCOP(cyclo olefin copolymer);PMMA(poly(methyl methacrylate);PC(polycarbonate);PE(polyethylene);PP(polypropylene);PVA(polyvinyl alcohol);DAC(diacetyl cellulose);Pac(Polyacrylate);PES(poly ether sulfone);PEEK(polyetheretherketon);PPS(polyphenylsulfone)、PEI(polyetherimide);PEN(polyethylenemaphthatlate);PET(polyethyleneterephtalate);PI(polyimide);PSF(polysulfone);PAR(polyarylate)またはアモルファスフッ素樹脂などを含む基板を使用できるが、これに制限されない。基板には、必要に応じて金、銀、二酸化ケイ素または一酸化ケイ素などのケイ素化合物のコート層や、反射防止層などのコート層が存在することもできる。
前記基板は液晶配向性を有する基板であり得る。本出願において用語、「液晶配向性を有する基板」とは、隣接する液晶化合物の配向に影響を及ぼすことができる、例えば隣接する液晶化合物を所定方向に整列させることができる配向能が付与された基板を意味し得る。液晶層は液晶配向性を有する2つの基板の間に存在することによって初期状態で適切な配向状態を維持することができる。液晶素子で対向配置された2つの基板は例えば垂直配向性または水平配向性を有する基板であり得る。本出願において用語、「垂直配向性または水平配向性を有する基板」とは、隣接する液晶化合物を垂直方向または水平方向に配向させることができる配向性を有する基板を意味し得る。
液晶配向性を有する基板としては、例えば配光膜が形成された基板を使うことができる。これによって、液晶素子は前記液晶層と隣接する配光膜をさらに含むことができる。例えば、配光膜201、202は図2に示した通り、対向する2つの基板1011、1012の液晶層102側面に存在することができる。配光膜としては、例えばラビング配光膜のように接触式配光膜または光配向膜化合物を含んで直線偏光の照射などのような非接触式方式によって配向特性を示し得るものとして公知された配光膜を使うことができる。
配向が誘導された基板の他の例としては、液晶配向性を直接付与した基板を使うことができる。例えば、垂直配向能が付与された基板として親水性表面を有する基板を使うことができる。親水性表面を有する基板は、例えば、水に対する濡れ角(wetting angle)が0度〜50度、0度〜40度、0度〜30度、0度〜20度または0度〜10度や、10度〜50度、20度〜50度、30度〜50度程度であり得る。前記において、基板の水に対する濡れ角を測定する方式は特に制限されず、この分野で公知されている濡れ角の測定方式を使うことができ、例えば、KRUSS社製のDSA100機器を使って、メーカーのマニュアルに沿って測定することができる。基板に親水性表面を有するようにするためには例えば基板の面に親水化処理を遂行するかまたは親水性官能基を含む基板を使うことができる。親水化処理としては、コロナ処理、プラズマ処理またはアルカリ処理などが例示され得る。
液晶素子は、電極層、例えば、液晶層と隣接する電極層をさらに含むことができる。例えば、電極層301、302は図3に示した通り、対向する2つの基板1011、1012の液晶層102側面に存在することができる。基板の液晶層の側面に配光膜が存在する場合には、基板、電極層および配光膜が順に存在することができる。このような電極層は液晶層内の液晶化合物の整列状態を切り替えることができるように液晶層に印加することができる。電極層は、例えば、伝導性高分子、伝導性金属、伝導性ナノワイヤーまたはITO(Indium Tin Oxide)などの金属酸化物などを蒸着して形成することができる。電極層は、透明性を有するように形成され得る。この分野では、透明電極層を形成できる多様な素材および形成方法が公知されており、このような方法はすべて適用され得る。必要な場合に、基板の表面に形成される電極層は、適切にパターン化されていることもある。
液晶層は必要な場合に液晶層の一側または両側に配置された偏光層をさらに含むことができる。偏光層は、液晶化合物の配向状態にしたがって液晶素子の光透過率を調節する役割をすることができる。偏光層としては特に制限なく公知の素材を使うことができ、例えば、PVA(poly(vinyl alcohol))系偏光層、LLC(Lyotropic Liquid Crystal)やRM(Reactive Mesogen)と異方性色素の配向層のような液晶層を適用することもできる。偏光層が液晶層の両側に配置される場合にその偏光層の光透過軸の関係は特に制限されず、目的とするモードによって調節され得る。
液晶素子は前述した構成の他にも必要な場合、公知の任意の構成をさらに含むことができる。
前記のような液晶素子は、印加周波数および/または印加電圧によって前述した第1〜第3状態のうちいずれか1つの状態を具現することができ、前記周波数および/または電圧の変化または除去などによって他の状態にスイッチングされ得る。
各状態で液晶化合物の配向状態は特に制限されず、例えば偏光層や液晶層内の異方性染料の存在の有無などにより適切な配向が選択され得る。
1つの例示において、液晶層は前記第1状態で垂直配向状態であり得る。垂直配向状態は内部の液晶化合物が実質的に垂直配向されている状態であって前述した面上および厚さ方向位相差(Rin、Rth)を有する状態であり得る。
液晶層は、前記第2状態で液晶層は水平配向、垂直配向、ツイスト配向またはハイブリッド配向状態であり得る。前記において、水平配向状態は内部の液晶化合物が実質的に水平配向されている状態であって前述した面上および厚さ方向位相差(Rin、Rth)を有する状態であり得、ツイスト配向状態は、水平配向されている液晶化合物が仮想の螺旋軸に沿って一定の角度で回転している状態を意味し、ハイブリッド配向状態は前記水平、垂直およびツイスト配向状態とスプレイ配向状態の中で2種以上の配向が混在されている場合を意味し得る。
液晶層は、前記第3状態で電気水力学的不安定状態(EHDI、electrohydrodynamic instability)であり得る。前記状態で液晶化合物は一定の規則性なしにランダム配向されていることもあり、これに伴い高いヘイズが誘導され得る。
具現可能な液晶素子の状態としては、初期状態で前記第1状態であり、印加される電圧の大きさおよび/または周波数によって第2状態および/または第3状態にスイッチングされる素子が例示され得る。
このような素子において、第1状態で液晶層は垂直配向状態であり得、第2状態では水平配向状態であり、第3状態では前記EHDI状態であり得る。このような素子は例えば、垂直配光膜を使って液晶配向力を付与しながら、前記液晶化合物に陰の誘電率異方性の液晶化合物を使って具現することができる。このような状態で液晶層の両側には必要な場合に偏光層が存在することができる。
具現可能な液晶素子の他の状態としては、初期状態で前記第2状態であり、印加される電圧の大きさおよび/または周波数によって第1状態および/または第3状態にスイッチングされる素子が例示され得る。
このような素子において、初期状態で液晶層は水平配向またはツイスト配向状態であるか、スプレイ配向のようなハイブリッド配向状態であり得、第1状態では垂直配向状態であり、第3状態では前記EHDI状態であり得る。このような素子は例えば、水平配光膜と陽の誘電率異方性の液晶を使って具現するか、液晶層の両側に互いに配向方向が異なる2種の配光膜と陽の誘電率異方性の液晶を使って具現するか、水平および垂直配光膜を液晶層の両側に適用して、液晶化合物として陽の誘電率異方性の液晶化合物を使って具現することができる。このような状態で液晶層の両側には必要な場合に偏光層が存在することができる。
前記液晶素子の具現方法は特に制限されず、液晶層の伝導度などを制御する工程を制御すれば、一般的な液晶素子の製造方法を適用して具現することができる。
本出願はまた、液晶層を含む液晶素子の製造方法に関するものであり得る。前記液晶素子の製造方法は前述した液晶素子の製造方法であり得る。
したがって、前記製造方法は、前記液晶層の平行伝導度が1.0×10−4μS/cm以上となるように調節する段階を含むことができる。前記過程によって前記液晶素子は前述した第1〜第3状態の間でスイッチングされ得るように構成され得る。
前記において、液晶層の伝導度を調節する方法は特に制限されず、例えば使われる材料である液晶化合物および/または異方性染料の種類を適切に選択するか、前述した塩成分などを添加する方式を適用することができる。
前記液晶素子の製造方法で他の内容、例えば、第1〜第3状態の定義や駆動のための印加周波数(F1、F2)および/または電圧(V1、V2)の条件などは前述した内容が同一に適用され得る。
本出願はまた、液晶層を含む液晶素子の駆動方法に関するものであり得る。前記液晶素子の駆動方法は前述した液晶素子の駆動方法であり得る。
したがって、前記製造方法は、平行伝導度が1.0×10−4μS/cm以上の液晶層に電圧を印加する段階を含むものの、前記印加電圧の周波数または大きさを制御して前記液晶素子が前述した第1〜第3状態のうちいずれか1つの状態を具現するようにする段階を含むことができる。また、前記方法は前記第1〜第3状態のうちいずれか1つの状態から他の状態にスイッチングされるように前記印加電圧の周波数または大きさを制御する段階をさらに含むことができる。
前記方法で液晶素子の駆動のために印加される周波数および/または電圧の大きさを制御する方法は特に制限されず、前記言及された条件にしたがって実行され得る。
本出願はまた、液晶素子の用途に関するもので、例えば、前記液晶素子を含む光変調装置に関するものである。このような光変調装置は多様な用途に適用され得、例えば、車両用ウィンドウ、スマートウィンドウ、ウィンドウ保護膜、ディスプレイ装置、ディスプレイ用遮光板、3D映像表示用アクティブリターダー(active retarder)または視野角調節フィルムなどのような用途に適用され得る。
本出願は、液晶素子などに関するものである。本出願の液晶素子は印加される電圧の周波数および/または大きさによって透明ホワイト状態、透明ブラック状態および散乱状態を具現することができる。前記液晶素子は、例えば、車両用ウィンドウ、スマートウィンドウ、ウィンドウ保護膜、ディスプレイ装置、ディスプレイ用遮光板、3D映像表示用アクティブリターダー(active retarder)または視野角調節フィルムなどのような用途に適用され得る。
液晶素子を例示的に示している図面。 液晶素子を例示的に示している図面。 液晶素子を例示的に示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。 試験例で全体透過率とヘイズを測定した結果を示している図面。
以下、実施例および比較例を通じて前記の内容をより具体的に説明するが、本出願の範囲は下記提示された内容によって制限されるものではない。
1011、1012:対向配置された2つの基板
102:液晶層
201、202:配光膜
301、302:電極層
1.伝導度評価
実施例および比較例で製造された液晶素子に対し、LCR Meter(E4980A、Agilent社)を利用して、測定周波数が60Hzであり、測定電圧の大きさが0.5Vである条件で、常温で伝導度を測定した。平行伝導度は垂直配向された液晶層に対して垂直電圧、すなわち厚さ方向に電圧を印加して測定し、必要な場合に垂直伝導度は水平配向された液晶層に対して同様に前記垂直電圧を印加して測定した。各液晶素子の液晶層を面積が9cm(横:3cm、縦:3cm)であり、厚さが15μmとなるように製作して測定した。
2.ヘイズおよび透過率評価
実施例および比較例で製造された液晶素子に対してヘイズメータ、NDH−5000SPを利用して、ASTM D1003規格に沿ってヘイズおよび透過率を測定した。すなわち、光を測定対象を透過させて積分球内に入射させ、この過程で光は測定対象によって拡散光(DT、拡散されて出光されたすべての光の合計を意味する)と直進光(PT、拡散光を排除した正面方向の出光を意味する)に分離されるが、この光は積分球内で受光素子に集光され、集光される光を通じて前記ヘイズの測定が可能である。すなわち、前記過程による全体透過光(TT)は前記拡散光(DT)と直進光(PT)の総合(DT+PT)であり、ヘイズは前記全体透過光に対する拡散光の百分率(Haze(%)=100XDT/TT)で規定され得る。また、下記の試験例で全体透過率は前記全体透過光(TT)を意味し、直進透過率は前記直進光(PT)を意味する。
製造例1.
ITO(Indium Tin Oxide)透明電極層と垂直配光膜が順次形成されている2つのPC(polycarbonate)フィルムを前記垂直配光膜が互いに対向し、間隙(cell gap)が約15μm程度となるように離隔配置させた後で前記離隔配置された2枚のPCフィルムの間に液晶組成物を注入し、エッジ(edge)をシーリングして面積9cmおよび間隙(Cell gap)15μmの液晶素子を製作した。前記液晶組成物は、液晶化合物として屈折率異方性が0.25で、誘電率異方性が−4.0である液晶化合物(メーカー:HCCH、商品名:HNG726200−100)、異方性染料(メーカー:BASF、商品名:X12)および伝導度調節のための添加剤(メーカー:HCCH、商品名:HCM−021)を87:10:3の重量比率(HNG726200−100:X12:HCM−021)で含むものを使った。前記の通りに製造された液晶層の平行伝導度の実測値は約7.9×10−6Sであり、これを前記数式1〜3を使って面積が1cmで、厚さが1cmである液晶層が表わす数値に換算した結果は1.3×10−3μS/cmであった。
試験例1.
製造例1で製造された液晶素子に対して駆動周波数を変更しながら全体透過率とヘイズを評価して、その結果を図4〜17に整理した。図4〜10は順次的にそれぞれ30Hz、60Hz、100Hz、300Hz、500Hz、700Hzおよび1000Hzで測定した全体透過率であり、図11〜17は順次的にそれぞれ30Hz、60Hz、100Hz、300Hz、500Hz、700Hzおよび1000Hzで測定したヘイズである。図面から分かるように、製造例1の液晶素子の場合、約300Hz以上と40V未満の条件で第1および第2状態の具現が可能で、30Hz以上、300Hz未満の印加電圧60Vの条件でEHDI駆動による透過率とヘイズが飽和されることを確認することができる。
このような素子において、適切な第1状態(液晶化合物が垂直配向された状態)、第2状態(液晶化合物が水平配向された状態)および第3状態(EHDI状態)を表わす条件を下記の表1に整理して記載した。
製造例2.
液晶組成物として、液晶化合物として屈折率異方性が0.25で、誘電率異方性が−4.0である液晶化合物(メーカー:HCCH、商品名:HNG726200−100)、異方性染料(メーカー:BASF、商品名:X12)および伝導度調節のための添加剤(メーカー:HCCH、商品名:HCM−021)を89:10:1の重量比率(HNG726200−100:X12:HCM−021)で含むものを使ったことを除いては製造例1と同一に素子を製作した。前記素子の液晶層の平行伝導度の実測値は約1.0×10−5Sであり、これを前記数式1〜3を使って面積が1cmで、厚さが1cmである液晶層が表わす数値に換算した結果は1.7×10−3μS/cmであった。
試験例2.
製造例1で製造された液晶素子に対して駆動周波数を変更しながら全体透過率とヘイズを評価して、その結果を図18〜31に整理した。図18〜24は順次的にそれぞれ30Hz、60Hz、100Hz、300Hz、500Hz、700Hzおよび1000Hzで測定した全体透過率であり、図25〜31は順次的にそれぞれ30Hz、60Hz、100Hz、300Hz、500Hz、700Hzおよび1000Hzで測定したヘイズである。図面から分かるように、製造例2の液晶素子の場合、約100Hz以上と20V未満の条件で第1および第2状態の具現が可能で、30Hz以上、100Hz以下の印加電圧60V以下の条件でEHDI駆動による透過率とヘイズが飽和されることを確認することができる。
このような素子において、適切な第1状態(液晶化合物が垂直配向された状態)、第2状態(液晶化合物が水平配向された状態)および第3状態(EHDI状態)を表わす条件を下記の表2に整理して記載した。

Claims (17)

  1. 平行伝導度が1.0×10−4μS/cm以上の液晶層を含み、
    前記液晶層内のイオン性化合物の比率は、1重量%以下であり、
    下記第1〜第3状態の間でスイッチングされ、前記第2状態の具現のための印加周波数(F1)および印加電圧(V1)と第3状態の具現のための印加周波数(F2)および印加電圧(V2)が下記の条件1および2を満足する(前記平行伝導度は、前記液晶層の光軸と電場の方向が水平であるように電圧を印加した状態で前記電場の方向に沿って測定した値であり、ここで、測定周波数は60Hzであり、測定電圧は0.5Vであり、前記平行伝導度は、面積が1cmで、厚さが1cmである液晶層への換算数値である。)、
    第1状態:直進光透過率が25%以上、ヘイズが5%以下である状態;
    第2状態:直進光透過率が15%以下、ヘイズが5%以下である状態;
    第3状態:直進光透過率が10%以下、ヘイズが80%以上である状態、
    [条件1]
    F1>F2
    [条件2]
    V1≦V2、
    トリプル相液晶素子。
  2. 液晶層の平行伝導度が5.0×10−2μS/cm以下である、請求項1に記載のトリプル相液晶素子。
  3. 液晶層の平行伝導度が3.0×10−2μS/cm以下である、請求項1または2に記載のトリプル相液晶素子。
  4. 液晶層の垂直伝導度(VC)および液晶層の平行伝導度(PC)の比率(PC/VC)が0.2以上である、請求項1から3の何れか一項に記載のトリプル相液晶素子(前記垂直伝導度は、前記液晶層の光軸と電場の方向が垂直であるように電圧を印加した状態で前記電場の方向に沿って測定した値であり、前記において、測定周波数は60Hzであり、測定電圧は0.5Vであり、前記垂直伝導度は、面積が1cm で、厚さが1cmである液晶層への換算数値である。)
  5. 液晶層の平行伝導度(PC)および液晶層の垂直伝導度(VC)の比率(VC/PC)が2.0以下である、請求項1から4の何れか一項に記載のトリプル相液晶素子(前記垂直伝導度は、前記液晶層の光軸と電場の方向が垂直であるように電圧を印加した状態で前記電場の方向に沿って測定した値であり、前記において、測定周波数は60Hzであり、測定電圧は0.5Vであり、前記垂直伝導度は、面積が1cm で、厚さが1cmである液晶層への換算数値である。)
  6. 下記の数式Aを満足する、
    [数式A]
    20≦H1/H2
    数式AでH1は30Hzの周波数および60Vの電圧が印加された状態での前記トリプル相液晶素子のヘイズで、H2は電圧未印加状態または100Hzの周波数および10Vの電圧が印加された状態での前記トリプル相液晶素子のヘイズである、
    請求項1から5の何れか一項に記載のトリプル相液晶素子。
  7. 下記の数式Bを満足する、
    [数式B]
    5≦T1/T2
    数式BでT1は電圧未印加状態または100Hzの周波数および10Vの電圧が印加された状態での前記トリプル相液晶素子の直進光透過率で、T2は30Hzの周波数および60Vの電圧が印加された状態での前記トリプル相液晶素子の直進光透過率である、
    請求項1から6の何れか一項に記載のトリプル相液晶素子。
  8. 液晶層は非反応性液晶化合物および反応性メソゲンを含む、請求項1から7の何れか一項に記載のトリプル相液晶素子。
  9. 液晶層は非反応性液晶化合物100重量部対比1〜30重量部の反応性液晶化合物を含む、請求項8に記載のトリプル相液晶素子。
  10. 液晶層はイオン性化合物を2重量%以下の比率でさらに含む、請求項8または9に記載のトリプル相液晶素子。
  11. 第1状態で液晶層は垂直配向状態である、請求項1から10の何れか一項に記載のトリプル相液晶素子。
  12. 第2状態で液晶層は水平配向ツイスト配向またはハイブリッド配向状態である、請求項1から11の何れか一項に記載のトリプル相液晶素子。
  13. 第3状態で液晶層は電気流体力学的不安定状態である、請求項1から12の何れか一項に記載のトリプル相液晶素子。
  14. 液晶層を含むトリプル相液晶素子の製造方法であって、
    前記液晶層内のイオン性化合物の比率は、1重量%以下であり、
    前記液晶層の平行伝導度を1.0×10−4μS/cm以上に調節し、前記トリプル相液晶素子が下記第1〜第3状態の間でスイッチングされ得るようにする段階を含み、前記第2状態の具現のための印加周波数(F1)および印加電圧(V1)と第3状態の具現のための印加周波数(F2)および印加電圧(V2)が下記の条件1および2を満足する(前記平行伝導度は、前記液晶層の光軸と電場の方向が水平であるように電圧を印加した状態で前記電場の方向に沿って測定した値であり、ここで、測定周波数は60Hzであり、測定電圧は0.5Vであり、前記平行伝導度は、面積が1cmで、厚さが1cmである液晶層への換算数値である。)、
    第1状態:直進光透過率が25%以上、ヘイズが5%以下である状態;
    第2状態:直進光透過率が15%以上、ヘイズが5%以下である状態;
    第3状態:直進光透過率が10%以下、ヘイズが80%以上である状態、
    [条件1]
    F1>F2
    [条件2]
    V1≦V2、
    方法。
  15. 平行伝導度が1.0×10−4μS/cm以上の液晶層を含むトリプル相液晶素子の駆動方法であって、
    前記液晶層内のイオン性化合物の比率は、1重量%以下であり、
    印加電圧の周波数または大きさを調節して前記トリプル相液晶素子が下記第1〜第3状態のうちいずれか1つの状態を具現するようにする段階を含み、前記第2状態の具現のための印加周波数(F1)および印加電圧(V1)と第3状態の具現のための印加周波数(F2)および印加電圧(V2)が下記の条件1および2を満足する(前記平行伝導度は、前記液晶層の光軸と電場の方向が水平であるように電圧を印加した状態で前記電場の方向に沿って測定した値であり、ここで、測定周波数は60Hzであり、測定電圧は0.5Vであり、前記平行伝導度は、面積が1cmで、厚さが1cmである液晶層への換算数値である。)、
    第1状態:直進光透過率が25%以上、ヘイズが5%以下である状態;
    第2状態:直進光透過率が15%以上、ヘイズが5%以下である状態;
    第3状態:直進光透過率が10%以下、ヘイズが80%以上である状態、
    [条件1]
    F1>F2
    [条件2]
    V1≦V2、
    方法。
  16. 第1〜第3状態のうちいずれか1つの状態から第1〜第3状態中の他の状態にスイッチングされるように印加電圧の周波数または大きさを制御する段階をさらに含む、請求項15に記載の方法。
  17. 請求項1に記載されたトリプル相液晶素子を含む、光変調装置。
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