KR102166478B1 - 액정셀 - Google Patents

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이준행
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Abstract

본 출원은 액정셀, 이의 제조 방법 및 이의 용도에 관한 것으로, 본 출원은 통상 투과 모드이고, 투과 모드와 산란 모드의 투과율 가변 특성이 우수하며, 산란 모드에서 헤이즈 특성이 우수한 액정셀 및 액정셀의 제조 방법을 제공할 수 있다. 이러한 액정셀은, 스마트 윈도우, 윈도우 보호막, 플렉서블 디스플레이 소자, 투명 디스플레이용 차광판, 3D 영상 표시용 액티브 리타더(active retarder) 또는 시야각 조절 필름 등과 같은 다양한 광변조 장치에 적용될 수 있다.

Description

액정셀{LIQUID CRYSTAL CELL}
본 출원은 액정셀, 이의 제조 방법 및 이의 용도에 관한 것이다.
통상 투과 모드 소자는 예를 들어 외부 작용이 없는 상태에서는 투과 모드가 구현되고, 외부 작용 하에 차단 모드로 전환되며, 외부 작용이 제거되면 다시 투과 모드로 전환되는 소자이다.
특허문헌 1에는 투과 모드와 산란 모드 사이의 가변이 가능한 통상 투과 모드 소자가 개시되어 있다. 특허문헌 1의 소자는 고분자 매트릭스 내에 액정을 분산시켜서 구현되는 소위 PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal) 소자로서, PDLC 내에서 통상 액정 화합물은 배향되어 있지 않은 상태로 존재하므로 전압이 인가되지 않은 상태에서는 산란 상태이나, 수직 배향막을 적용함으로써 통상 투과 모드를 구현하고 있다.
그러나, 특허문헌 1의 PDLC를 이용한 통상 투과 모드 소자는 구동 전압이 높고, 노광 특성에 따른 잔류 헤이즈 수준의 변동 및 헤이즈 특성 저하 등의 문제가 있어서 상기 문제점을 보완할 수 있는 통상 투과 모드 소자의 개발이 필요한 실정이다.
한국 공개특허공보 제2014-0077861호
본 출원은 통상 투과 모드이고, 투과 모드와 산란 모드의 투과율 가변 특성이 우수하며, 산란 모드에서 헤이즈 특성이 우수한 액정셀, 이의 제조 방법 및 이의 용도를 제공하는 것이다.
본 출원은 액정셀에 관한 것이다. 이하, 첨부된 도면을 참조로 본 출원의 액정셀을 설명하며, 첨부된 도면은 예시적인 것으로, 본 출원의 액정셀이 첨부된 도면에 제한되는 것은 아니다.
도 1 은 본 출원의 일 실시예에 따른 액정셀을 예시적으로 나타낸다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 상기 액정셀은 대향 배치된 2개의 기판(100, 300); 및 상기 2개의 기판(100, 300) 사이에 존재하는 액정층(200)을 포함한다.
상기 액정셀은 통상 투과 모드 소자를 구현할 수 있다. 본 명세서에서 용어 「통상 투과 모드 소자」는 외부 작용이 없는 상태(즉, 초기 상태 또는 통상 상태)에서는 투과 모드가 구현되고, 외부 작용 하에 산란 모드로 전환되며, 외부 작용이 제거되면 다시 투과 모드로 전환되는 소자를 의미할 수 있다. 본 출원에서 용어 「외부 작용」은 액정 화합물의 정렬을 변경시킬 수 있도록 수행되는 모든 종류의 작용을 의미하고, 대표적인 예로는 전압의 인가가 있다.
하나의 예시에서, 액정셀에 일정 전압 이상을 인가하게 되면 인가된 외부 전기장과 액정층(200)에 포함된 전도도 조절제의 분극에 의한 유도 전계 작용으로 인해 비반응성 액정에 회전력이 발생되고, 그로 인해 와류가 발생될 수 있다. 상기 와류가 발생하기 위해서는 전도도 조절제의 농도가 일정 수준 이상이어야 하며, 상기 전도도 조절제의 농도는 평균 전류 밀도로 평가할 수 있다.
예를 들어, 상기 액정층(200)은 평균 전류 밀도가 30 ㎂/cm2 내지 60 ㎂/cm2일 수 있다. 구체적으로, 상기 액정층(200)의 평균 전류 밀도의 하한은 33 ㎂/cm2 이상, 36 ㎂/cm2 이상, 39 ㎂/cm2 이상 또는 40 ㎂/cm2 이상일 수 있고, 상기 액정층(200)의 평균 전류 밀도의 상한은 59 ㎂/cm2 이하, 58 ㎂/cm2 이하, 57 ㎂/cm2 이하 또는 56 ㎂/cm2 이하일 수 있다. 본 명세서에서 「전류 밀도」는 단위 면적을 통해 흐르는 전류의 양을 의미하고, 본 명세서에서 「평균 전류 밀도」는 특정 세기 및 주파수의 전압을 액정셀에 인가한 후, 특정 시간 동안 측정한 전류 밀도의 평균 값을 의미한다. 본 명세서에서 「사이클(cycle)」은 교류 전압 인가 시 특정 전압이 인가되는 주기를 의미한다. 하나의 예시에서, 상기 전류 밀도는 교류 전압 인가 후 바로 측정하는 경우, 과 측정되는 경향이 있어, 안정화되었다고 판단되는 시점인 5 번째 사이클에서 측정된 값일 수 있다. 일 실시예에 따른 상기 액정층(200)의 평균 전류 밀도는 40 V의 전압 및 60 Hz의 주파수의 교류 전압을 액정셀에 인가한 후, 64 ms(millisecond) 부터 72 ms까지, 즉, 5 번째 사이클(Cycle)의 0 ms 부터 8 ms까지 측정된 전류 밀도의 평균 값일 수 있다. 상기 액정층(200)이 전술한 범위 내의 평균 전류 밀도를 만족함으로써, 통상 투과 모드이고, 투과 모드와 산란 모드의 투과율 가변 특성이 우수하며, 산란 모드에서 헤이즈 특성이 우수한 액정셀을 제공할 수 있다. 상기 액정층(200)의 평균 전류 밀도가 너무 낮을 경우, 전도도 조절제의 농도가 낮아 상기 전도도 조절제의 와류가 충분히 발생되지 않으므로, 헤이즈 특성이 저하될 수 있다. 또한, 상기 액정층(200)의 평균 전류 밀도가 너무 높을 경우, 헤이즈 특성은 우수할 수 있으나, 초기 상태의 투과율과 60 V 전압 인가 시의 투과율의 차이가 감소할 수 있고, 액정셀의 대면적화에 불리하게 작용될 수 있다. 상기 액정층의 평균 전류 밀도는 액정층의 조성, 가열 시간에 따라 조절될 수 있다.
상기 전류 밀도는 반도체 특성 분석기로 측정할 수 있으며, 일 구현예에 따른 상기 전류 밀도는 DSLC cell Keithly 4200 반도체 특성 분석기를 이용하여 측정하였다. 상기 반도체 특성 분석기의 구동 파형은 주기가 0.0010 sec 내지 0.0300 sec일 수 있고, 펄스 폭이 0.00500 sec 내지 0.01000 sec일 수 있으며, 상승 시간이 0.00001 sec 내지 0.00020 sec일 수 있고, 하강 시간이 0.00001 sec 내지 0.00020 sec일 수 있으며, 기본 전압이 -60 V 내지 -20 V일 수 있고, 진폭이 50 V 내지 100 V일 수 있다. 구체적으로, 상기 반도체 특성 분석기의 구동 파형은 주기가 0.0100 sec 내지 0.0250 sec 또는 0.0150 sec 내지 0.0200 sec일 수 있고, 펄스 폭이 0.00600 sec 내지 0.00950 sec, 0.00700 sec 내지 0.00900 sec 또는 0.00800 sec 내지 0.00850 sec일 수 있으며, 상승 시간이 0.00004 sec 내지 0.00016 sec 또는 0.00008 sec 내지 0.00012 sec일 수 있고, 하강 시간이 0.00004 sec 내지 0.00016 sec 또는 0.00008 sec 내지 0.00012 sec일 수 있으며, 기본 전압이 -55 V 내지 -25 V, -50 V 내지 -30 V 또는 -45 V 내지 -35 V일 수 있고, 진폭이 60 V 내지 95 V, 70 V 내지 90 V 또는 75 V 내지 85 V일 수 있다.
상기 주기는 진동현상에서 진동 중심 주위로 왕복운동이 한 번 이루어지거나 물리적인 값의 요동이 한 번 일어날 때까지 걸리는 시간을 의미한다. 상기 펄스 폭은 펄스의 상승 시간과 하강 시간에서 진폭이 1/2이 되는 시각에서의 간격을 의미한다. 상기 상승 시간은 펄스파가 최솟값에서 최댓값까지 증대해 가는 기간 중 최댓값의 10%에서 90%가 되는 사이의 시간을 의미한다. 상기 하강 시간은 펄스파가 최댓값에서 최솟값으로 되기까지의 기간 중 최댓값의 90%에서 10%로 되는 동안의 시간을 의미한다. 상기 기본 전압은 전류 밀도 측정 시 특정 전압을 인가하기 전 0초에서의 전압을 의미한다. 상기 진폭은 주기적인 진동이 있을 때 진동의 중심으로부터 최대로 움직인 거리 혹은 변위를 의미한다.
상기 액정층(200)은 비반응성 액정을 포함할 수 있다. 상기 액정층(200) 내의 비반응성 액정은 외부 작용, 예를 들어 외부 전압의 인가 여부에 따라 배향을 변화함으로써 투과도 가변의 기능을 수행할 수 있다. 상기 비반응성 액정으로는 외부 작용의 인가에 의하여 그 배향 방향이 변경될 수 있는 것이라면 모든 종류의 액정 화합물을 사용할 수 있다. 예를 들며, 상기 액정 화합물로는 스멕틱(smectic) 액정 화합물, 네마틱(nematic) 액정 화합물 또는 콜레스테릭(cholesteric) 액정 화합물 등을 사용할 수 있다. 또한, 외부 작용의 인가에 의하여 그 배향 방향이 변경될 수 있도록, 액정 화합물은 예를 들어 중합성기 또는 가교성기를 가지지 않는 화합물일 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 비반응성 액정은 유전율 이방성이 음수일 수 있다. 본 명세서에서 용어 「유전율 이방성 (△ε)」은 액정의 수평 유전율 (ε//)과 수직 유전율 (εㅗ)의 차이(ε// - εㅗ)를 의미할 수 있다. 본 명세서에서 용어 「수평 유전율 (ε//)」은 액정 분자의 방향자와 인가전압에 의한 전기장의 방향이 실질적으로 수평하도록 전압을 인가한 상태에서 상기 전기장의 방향을 따라 측정한 유전율 값을 의미하고, 「수직 유전율 (εㅗ)」은 액정 분자의 방향자와 인가전압에 의한 전기장의 방향이 실질적으로 수직하도록 전압을 인가한 상태에서 상기 전기장의 방향을 따라 측정한 유전율 값을 의미한다.
하나의 예시에서, 상기 비반응성 액정의 유전율 이방성 (△ε)의 절대값은 예를 들어 약 1 내지 10 범위 내일 수 있다. 상기 비반응성 액정의 유전율 이방성 (△ε)의 절대값의 하한은 1 이상, 2 이상, 3 이상 또는 4 이상일 수 있고, 상기 비반응성 액정의 유전율 이방성 (△ε)의 절대값의 상한은 10 이하, 9 이하, 8 이하, 7 이하, 6 이하 또는 5 이하일 수 있다. 상기 비반응성 액정의 유전율 이방성이 상기 범위를 만족하는 경우, 낮은 구동 전압으로도 구동이 가능하며, 우수한 헤이즈 특성을 나타낼 수 있어, 투명 모드와 산란 모드의 사이를 스위칭하는 액정셀을 구현하는 데 유리하다.
하나의 예시에서, 상기 비반응성 액정의 굴절률 이방성은 목적 물성, 예를 들어, 액정셀의 헤이즈 특성을 고려하여 적절히 선택될 수 있다. 본 출원에서 용어 「굴절률 이방성」은 비반응성 액정의 정상 굴절률(ordinary refractive index)과 이상 굴절률(extraordinary refractive index)의 차이를 의미할 수 있다. 상기 이상 굴절률은 비반응성 액정의 광축에 대한 굴절률을 의미하고, 상기 정상 굴절률은 비반응성 액정의 광축에 수직한 방향에 대한 굴절률을 의미할 수 있다. 액정 화합물의 굴절률 이방성의 하한은 예를 들어 0.1 이상, 0.12 이상, 0.14 이상, 0.16 이상, 0.18 이상 또는 0.19 이상일 수 있고, 상기 액정 화합물의 굴절률 이방성의 상한은 0.3 이하, 0.28 이하, 0.26 이하, 0.24 이하, 0.22 이하 또는 0.2 이하일 수 있다. 비반응성 액정의 굴절률 이방성이 상기 범위를 만족하는 경우, 예를 들면, 헤이즈 특성이 우수한 통상 투과 모드 소자를 구현할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 용어 「광축」은 액정이 막대(rod) 형상인 경우 액정의 장축 방향의 축을 의미할 수 있고, 액정이 원판 (Discotic) 형상인 경우 원판의 평면의 법선 방향의 축을 의미할 수 있다.
상기 액정층(200)은 전도도 조절제를 더 포함할 수 있다. 본 출원의 일 실시예에 의하면, 상기 액정층(200)은 동적 산란(Dynamic Scattering) 모드로 구동하는 액정층일 수 있다. 동적 산란 모드는 전기 유체 역학적 불안정 상태(EHDI; Electro hydro dynamic instability)를 유발하는 액정 모드를 의미할 수 있다. 일반적으로 동적 산란 모드 액정층은 네마틱 또는 스메틱 상의 비반응성 액정 및 EHDI를 유발하는 전도도 조절제를 포함하고, 상기 액정층(200)에 전계가 인가되는 경우 EHDI에 의해서 대류가 발생하며, 전계가 증가하면 잇달아 새로운 대류 구조가 생겨 최종적인 난류로 변화하면서 액정의 광학적 이방성과 유체 운동에 위해 강하게 빛을 산란시킨다.
하나의 예시에서, 상기 액정층(200) 내에 상기 전도도 조절제를 포함하는 경우, 상기 전도도 조절제는 상기 비반응성 액정 100 중량부 대비 0.1 중량부 내지 20 중량부의 비율로 포함될 수 있다. 구체적으로, 상기 전도도 조절제는 상기 비반응성 액정 100 중량부 대비 0.1 중량부 내지 15 중량부, 0.1 중량부 내지 10 중량부, 0.1 중량부 내지 5.5 중량부, 0.1 중량부 내지 5 중량부 또는 0.1 중량부 내지 2.5 중량부의 비율로 포함될 수 있다. 상기 액정층(200) 내에 전술한 범위 비율로 전도도 조절제를 포함함으로써, 산란 모드에서 우수한 헤이즈 특성을 나타낼 수 있고, 액정층의 물성도 안정적으로 유지할 수 있다.
상기 EHDI를 유발하는 전도도 조절제로는 예를 들어, 이방성 염료, 반응성 모노머 및 이온성 화합물로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 반응성 모노머는 반응성 액정일 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 액정셀은 액정층(200)에 전도도 조절제로서, 이방성 염료, 반응성 액정 및 이온성 화합물을 포함할 수 있고, 다른 하나의 예시에서, 상기 액정셀은 액정층(200)에 전도도 조절제로서, 이방성 염료, 반응성 액정 및 이온성 화합물을 포함할 수 있다.
상기 이방성 염료는 액정셀의 차광율을 개선하여 투과도 가변에 기여할 수 있다. 본 명세서에서 용어 「염료」는 가시광 영역, 예를 들면, 400 nm 내지 700 nm 파장 범위 내에서 적어도 일부 또는 전체 범위 내의 광을 집중적으로 흡수 및/또는 변형시킬 수 있는 물질을 의미할 수 있다. 또한, 본 명세서에서, 용어 「이방성 염료」는 상기 가시광 영역의 적어도 일부 또는 전체 범위에서 광의 이방성 흡수가 가능한 물질을 의미할 수 있다. 상기 이방성 염료로는, 예를 들면, 액정의 정렬 상태에 따라 정렬될 수 있는 특성을 가지는 것으로 알려진 공지의 염료를 선택하여 사용할 수 있으며, 예를 들면, 흑색 염료(black dye)를 사용할 수 있다. 이러한 염료로는, 예를 들면, 아조 염료 또는 안트라퀴논 염료 등을 사용할 수 있다.
상기 액정층(200) 내에 상기 이방성 염료를 포함하는 경우, 상기 이방성 염료는 상기 비반응성 액정 100 중량부 대비 0.1 중량부 내지 2 중량부의 비율로 포함될 수 있다. 구체적으로, 상기 이방성 염료는 상기 비반응성 액정 100 중량부 대비 0.1 중량부 내지 1.8 중량부, 0.1 중량부 내지 1.6 중량부, 0.1 중량부 내지 1.4 중량부, 0.1 중량부 내지 1.2 중량부, 0.1 중량부 내지 1.0 중량부 또는 0.1 중량부 내지 0.8 중량부의 비율로 포함될 수 있다. 상기 액정층(200) 내에 전술한 범위 비율로 이방성 염료를 포함함으로써, 액정셀의 차광율을 개선하여 투과도 가변에 기여할 수 있다.
반응성 모노머로는, 전술한 바와 같이 액정과 혼합성이 좋은 반응성 액정을 사용할 수 있고, 상기 반응성 액정은 반응성 메조겐(Reactive mesogen)으로 호칭될 수 있다. 본 명세서에서 반응성 메조겐은 액정성을 나타낼 수 있는 부위, 예를 들면, 메소겐 골격을 포함하고, 또한 반응성 관능기를 하나 이상 포함하는 화합물을 의미할 수 있다. 상기 반응성 관능기로는, 예를 들어, 중합성 관능기 또는 가교성 관능기가 예시될 수 있다. 상기 반응성기로는, 아크릴로일기, 아크릴로일옥시기, 메타크릴로일기, 메타크릴로일옥시기, 카복실기, 히드록시기, 비닐기, 에폭시기 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 중합성기로서 알려진 공지의 관능기가 포함될 수 있다. 상기 반응성 메소겐은, 다관능성 반응성 메소겐 또는 단관능성 반응성 메소겐을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 용어 「다관능성 반응성 메소겐」은, 상기 메소겐 중에서 반응성 관능기를 2개 이상 포함하는 화합물을 의미할 수 있다. 하나의 예시에서 다관능성 반응성 메소겐은 반응성 관능기를 2개 내지 10개, 2개 내지 8개, 2개 내지 6개, 2개 내지 5개, 2개 내지 4개, 2개 내지 3개 또는 2개 포함할 수 있다. 또한, 용어 「단관능성 반응성 메소겐 」은, 상기 메소겐 중에서 하나의 반응성 관능기를 포함하는 화합물을 의미할 수 있다.
상기 액정층(200) 내에 상기 반응성 모노머를 포함하는 경우, 상기 반응성 모노머는 상기 비반응성 액정 100 중량부 대비 0.5 중량부 내지 15 중량부의 비율로 포함될 수 있다. 구체적으로, 상기 반응성 모노머는 상기 비반응성 액정 100 중량부 대비 0.5 중량부 내지 12 중량부, 0.5 중량부 내지 10 중량부, 0.5 중량부 내지 5 중량부, 0.5 중량부 내지 2.5 중량부 또는 0.5 중량부 내지 1 중량부의 비율로 포함될 수 있다. 상기 액정층(200) 내에 전술한 범위 비율로 반응성 모노머를 포함함으로써, 전도도를 효과적으로 확보하면서 우수한 물성의 액정층을 형성할 수 있다.
본 명세서에서 이온성 화합물(Ionic compound)은 서로 반대되는 전하를 가진 이온들이, 예를 들어, 양이온과 음이온이, 이온 결합에 의하여 구성된 염 형태의 화합물을 의미할 수 있다. 상기 이온성 화합물은 전기적으로 중성일 수 있다. 이러한 이온성 화합물로는, 예를 들면, 질소-함유 오늄염, 황-함유 오늄염 또는 인-함유 오늄염 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 구체적으로, 상기 이온성 화합물로는 이온 불순물, 이온성 액체(ionic liquid) 또는 염(Salt)을 사용할 수 있으며, 예를 들어, 상기 이온 불순물로는 2,2,6,6-Tetramethylpiperidine-1-Oxyl Free radical을 사용할 수 있고, 상기 이온성 액체로는 TMAPF6(Trimethylaluminum-Hexafluorophosphate) 또는 BMIN-BF4([1-butyl-3-methylimideazolium]BF4)를 사용할 수 있으며, 염으로는 CTAB(Cetrimonium bromide), CTAI(Cetrimonium Iodide), CTAI3(Cetrimonium triiodide)를 사용할 수 있다.
상기 액정층(200) 내에 상기 이온성 화합물을 포함하는 경우, 상기 이온성 화합물은 상기 비반응성 액정 100 중량부 대비 0.1 중량부 내지 2 중량부의 비율로 포함될 수 있다. 구체적으로, 상기 이온성 화합물은 상기 비반응성 액정 100 중량부 대비 0.1 중량부 내지 1.5 중량부, 0.1 중량부 내지 1.2 중량부, 0.1 중량부 내지 1.0 중량부 또는 0.1 중량부 내지 0.5 중량부의 비율로 포함될 수 있다. 상기 액정층(200) 내에 전술한 범위 비율로 이온성 화합물을 포함함으로써, 액정층의 전도도를 효과적으로 확보할 수 있으며, 상기 이온성 화합물은 액정 화합물에 대한 용해도를 고려하여 전술한 범위의 소량을 포함할 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 액정층(200)이 반응성 모노머와 이온성 화합물을 모두 포함하는 경우 상기 반응성 모노머와 이온성 화합물의 중량 비율은 2.5:1 내지 150:1일 수 있다. 구체적으로, 상기 반응성 모노머와 이온성 화합물의 중량 비율은 2.5:1 내지 130:1, 2.5:1 내지 100:1, 2.5:1 내지 80:1, 2.5:1 내지 50:1, 2.5:1 내지 30:1 또는 2.5:1 내지 10:1일 수 있다. 상기 액정층(200) 내에 전술한 범위 비율로 이온성 화합물을 포함함으로써, 전도도를 효과적으로 확보하면서 우수한 물성의 액정층을 형성할 수 있다
상기 액정셀은 비반응성 액정의 초기 정렬 상태를 조절하고 전압과 같은 외부 작용의 인가 등을 통해 투과 모드와 산란 모드의 사이를 스위칭할 수 있다. 예를 들면, 비반응성 액정이 수직으로 정렬된 상태로 존재하는 경우 액정셀은 투명 모드를 나타낼 수 있고, 비반응성 액정이 불규칙하게 배열된 상태로 존재하는 경우 액정셀은 산란 모드를 나타낼 수 있다.
본 명세서에서 용어 「산란 모드」는 액정셀이 예정된 일정 수준 이상의 헤이즈를 나타내는 모드를 의미하고, 용어「투과 모드」는 광의 투과가 가능한 상태 또는 예정된 일정 수준 이하의 헤이즈를 나타내는 모드를 의미할 수 있다.
예를 들어, 산란 모드에서 액정셀은 헤이즈가 10% 이상, 15% 이상, 20% 이상, 25% 이상, 30% 이상, 35% 이상, 40% 이상, 45% 이상, 50% 이상, 55% 이상, 60% 이상, 65% 이상, 70% 이상, 75% 이상, 80% 이상, 85% 이상, 90% 이상 또는 95% 이상일 수 있다. 투명 모드에서 액정셀은, 예를 들어, 헤이즈가 10% 미만, 8% 이하, 6% 이하 또는 5% 이하일 수 있다.
상기 헤이즈는 측정 대상을 투과하는 전체 투과광의 투과율에 대한 확산광의 투과율의 백분율일 수 있다. 상기 헤이즈는 헤이즈미터(hazemeter, NDH-5000SP)를 사용하여 평가할 수 있다. 헤이즈는 상기 헤이즈미터를 사용하여 다음의 방식으로 평가할 수 있다. 즉, 광을 측정 대상을 투과시켜 적분구 내로 입사시킨다. 이 과정에서 광은 측정 대상에 의하여 확산광(DT)과 평행광(PT)으로 분리되는데, 이 광들은 적분구 내에서 반사되어 수광 소자에 집광되고, 집광되는 광을 통해 상기 헤이즈의 측정이 가능하다. 즉, 상기 과정에 의한 전 투과광(TT)는 상기 확산광(DT)과 평행광(PT)의 총합(DT+PT)이고, 헤이즈는 상기 전체 투과광에 대한 확산광의 백분율(Haze(%) = 100×DT/TT)로 규정될 수 있다.
상기 액정셀은 외부 작용이 인가되지 않은 상태에서 투명 모드이고, 외부 작용이 인가되는 경우 산란 모드로 스위칭될 수 있다. 상기 액정셀은 외부 작용이 인가되지 않은 상태에서, 액정층(200)이 수직 배향된 상태로 존재할 수 있다.
도 2 및 도 3은 각각, 본 출원의 액정셀의 투과 모드 및 산란 모드 구동을 예시적으로 나타낸다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 초기 상태, 즉 외부 작용이 인가되지 않은 상태에서, 비반응성 액정은 액정층(200)의 평면에 대하여 수직 배향된 상태로 존재할 수 있고, 투명 모드(A)를 구현할 수 있다. 이러한 초기 상태에서 외부 작용, 예를 들어, 수직 전계를 인가하는 경우, 도 3에 나타낸 바와 같이, 비반응성 액정은 전도도 조절제에 의해 유발되는 EHDI에 의해 불규칙한 배열 상태를 가지면서 산란 모드(B)로 전환될 수 있다. 상기에서 수직 전계를 제거하는 경우 초기 상태의 투명 모드로 전환될 수 있다. 하나의 예시에서, 투명 모드에서 산란 모드로의 전환은 예를 들어, 약 1 내지 500 Hz, 약 1 내지 100 Hz의 수직 전계를 인가함으로써 수행될 수 있고, 이는, 필요에 따라, 예를 들어, 헤이즈 특성을 고려하여 적절히 변경될 수도 있다.
하나의 예시에서, 상기 액정층(200)은 초기 상태의 투과율과 60V 전압 인가 시의 투과율의 차이가 40% 이상일 수 있다. 이하, 본 명세서에서 「초기 상태의 투과율과 60V 전압 인가 시의 투과율의 차이」는 투과도 가변폭으로 정의하였다. 구체적으로, 상기 액정층(200)의 투과도 가변폭은 41% 이상 또는 42% 이상일 수 있고, 상기 액정층(200)의 투과도 가변폭의 상한은 45%일 수 있다. 상기 액정층(200)이 전술한 범위 내의 우수한 투과도 가변폭을 가짐으로써, 액정셀의 구동 특성이 우수할 수 있다.
예를 들어, 상기 액정층(200)의 초기 상태의 투과율은 60% 내지 95%일 수 있고, 구체적으로, 상기 액정층(200)의 초기 상태의 투과율은 60% 내지 90%, 60% 내지 80% 또는 60% 내지 70%일 수 있다. 또한, 상기 액정층(200)의 60 V 전압 인가 시의 투과율은 15% 내지 50%일 수 있으며, 구체적으로, 상기 액정층(200)의 60 V 전압 인가 시의 투과율은 15% 내지 45%, 15% 내지 35% 또는 15% 내지 26%일 수 있다.
상기 액정층(200)은 60V 전압 인가 시 액정층(200) 내에 존재하는 비반응성 액정의 도메인 간의 굴절률 차에 의해 헤이즈를 발현할 수 있다. 상기 굴절률은 특별히 달리 규정하지 않는 한, 약 550 nm 파장의 광에 대한 굴절률을 의미한다.
예를 들어, 상기 액정층(200)은 60V 전압 인가 시 헤이즈가 90% 이상일 수 있다. 구체적으로, 상기 액정층(200)의 60 V 전압 인가 시의 헤이즈는 91% 이상, 92% 이상, 93% 이상 또는 94% 이상일 수 있으며, 상기 액정층(200)의 60 V 전압 인가 시의 헤이즈의 상한은 98% 이하일 수 있다. 상기 액정층(200)은 60V 전압 인가 시 전술한 범위 내의 헤이즈를 가짐으로써, 액정셀이 산란 모드에서 우수한 차광 특성을 가질 수 있다.
또한, 상기 액정층(200)은 초기 상태에서 헤이즈가 9% 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 액정층(200)의 초기 상태에서의 헤이즈는 8% 이하, 6% 이하 또는 5% 이하일 수 있으며, 상기 액정층(200)의 초기 상태에서의 헤이즈의 하한은 0.4% 이상일 수 있다. 상기 액정층(200)이 초기 상태에서 전술한 범위 내의 헤이즈를 가짐으로써, 액정셀이 통상 투과 모드에서 우수한 투과 특성을 가질 수 있다.
상기 2개의 기판(100, 300)은 각각, 전극층(120, 320) 및 수직 배향막(130, 330)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 2개의 기판(100, 300)은 각각 기재(110, 310), 및 상기 기재(110, 310) 상에 전극층(120, 320) 및 수직 배향막(130, 330)을 순차로 포함할 수 있다.
상기 기재(110, 310)로는 광학적 투명성을 가지는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 기재(110, 310)로는 광학적으로 투명한 유리 혹은 플라스틱 필름 또는 시트를 사용할 수 있다. 구체적으로, 상기 플라스틱 필름 또는 시트로는, DAC(diacetyl cellulose) 또는 TAC(triacetyl cellulose) 필름 또는 시트와 같은 셀룰로오스 필름 또는 시트; 노르보르넨 유도체 수지 필름 또는 시트 등의 COP(cyclo olefin copolymer) 필름 또는 시트; PMMA(poly(methyl methacrylate) 필름 또는 시트 등의 아크릴 필름 또는 시트; PC(polycarbonate) 필름 또는 시트; PE(polyethylene) 또는 PP(polypropylene) 필름 또는 시트 등과 같은 올레핀 필름 또는 시트; PVA(polyvinyl alcohol) 필름 또는 시트; PES(poly ether sulfone) 필름 또는 시트; PEEK(polyetheretherketone) 필름 또는 시트; PEI(polyetherimide) 필름 또는 시트; PEN(polyethylenenaphthatlate) 필름 또는 시트; PET(polyethyleneterephtalate) 필름 또는 시트 등과 같은 폴리에스테르 필름 또는 시트; PI(polyimide) 필름 또는 시트; PSF(polysulfone) 필름 또는 시트; PAR(polyarylate) 필름 또는 시트 또는 플루오로수지 필름 또는 시트 등이 예시될 수 있고, 일반적으로는 셀룰로오스 필름 또는 시트, 폴리에스테르 필름 또는 시트 또는 아크릴 필름 또는 시트 등이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 TAC 필름 또는 시트가 사용될 수 있으나, 본 출원의 목적을 고려하여 적절히 선택될 수 있다.
상기 전극층(120, 320)은 액정층(200)의 정렬 상태를 전환할 수 있도록 액정층(200)에 전계를 인가할 수 있다. 상기 전극층(120, 320)으로는 투명 전도성층을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 전극층(120, 320)으로는 전도성 고분자, 전도성 금속, 전도성 나노와이어 또는 ITO(Indium Tin Oxide) 등의 금속 산화물 등을 증착하여 형성한 것을 사용할 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 전극층(120, 320)으로는 인듐 주석 산화물(ITO)을 사용할 수 있다.
상기 수직 배향막(130, 330)으로는 인접하는 액정층에 대하여 수직 배향능을 가지는 배향막이라면 특별한 제한없이 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들어 러빙 배향막과 같이 접촉식 배향막 또는 광배향막 화합물을 포함하여 직선 편광의 조사 등과 같은 비접촉식 방식에 의해 배향 특성을 나타낼 수 있는 것으로 공지된 배향막을 사용할 수 있다.
본 출원은 또한, 액정셀의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 액정셀의 제조 방법은 예를 들어, 전술한 액정셀을 제조하기 위한 제조 방법에 관한 것이다. 따라서, 후술하는 액정셀의 제조 방법에 대한 구체적인 사항은 상기 액정셀에서 기술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다. 상기 방법에 의하여 제조된 액정셀은 초기 투과 모드에서의 투과율과 전압 인가 시 산란 모드에서의 투과율의 차이가 우수하고, 산란 모드에서 우수한 헤이즈를 발현할 수 있다.
본 출원의 액정셀의 제조 방법은 대향 배치된 2개의 기판 및 상기 2개의 기판 사이에 존재하는 액정층을 포함하는 액정셀에 관한 것이다. 상기 액정셀의 제조 방법은 전술한 액정셀의 제조 방법일 수 있다.
상기 액정셀의 제조 방법은 상기 액정층의 평균 전류 밀도를 30 ㎂/cm2 내지 60 ㎂/cm2로 조절하는 단계를 포함할 수 있다(단, 상기 평균 전류 밀도는 40 V의 전압 및 60 Hz의 주파수의 교류 전압을 액정셀에 인가한 후, 5 번째 사이클(Cycle)의 0 ms 부터 8 ms까지 측정된 전류 밀도의 평균 값이다.). 상기 액정셀은 액정층의 평균 전류 밀도를 전술한 범위 내로 조절함으로써, 초기 투과 모드에서의 투과율과 전압 인가 시 산란 모드에서의 투과율의 차이가 우수하고, 산란 모드에서 우수한 헤이즈를 발현할 수 있다.
상기 액정셀은 전술한 액정층의 평균 전류 밀도를 조절하는 단계를 포함하면 특별한 제한 없이 공지의 방법으로 제조될 수 있으며, 하나의 예시에서, 상기 액정셀은 2개의 기판 사이에 가열한 액정 조성물을 주입하고, 에지를 실링하는 것에 의해 제조될 수 있다.
상기 액정층의 평균 전류 밀도를 조절하는 방법은 상기 액정 조성물에 포함된 조성 및 함량을 적절히 선택하고, 가열 조건을 조절하는 방법을 적용할 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 액정 조성물이 비반응성 액정, 및 전도도 조절제로서 이방성 염료, 반응성 액정 및 이온성 화합물을 포함하고, 상기 반응성 액정을 8 wt% 내지 12 wt%로 포함하는 경우, 액정 조성물을 90℃ 내지 110℃의 온도에서 20 시간 내지 30 시간 동안 가열함으로써, 상기 액정층의 평균 전류 밀도를 전술한 범위 내로 조절할 수 있다. 구체적으로, 상기 반응성 액정을 8 wt% 내지 12 wt%로 포함하는 경우, 액정 조성물을 93℃ 내지 107℃, 95℃ 내지 105℃ 또는 98℃ 내지 102℃의 온도에서 20 시간 내지 30 시간, 21 시간 내지 28 시간, 22 시간 내지 27 시간 또는 23 시간 내지 26 시간 동안 가열함으로써, 상기 액정층의 평균 전류 밀도를 전술한 범위 내로 조절할 수 있다. 상기 액정셀은 전술한 조건으로 액정층의 평균 전류 밀도를 전술한 범위 내로 조절함으로써, 초기 투과 모드에서의 투과율과 전압 인가 시 산란 모드에서의 투과율의 차이가 우수하고, 산란 모드에서 우수한 헤이즈를 발현할 수 있다.
또 하나의 예시에서, 상기 액정 조성물이 비반응성 액정, 및 전도도 조절제로서 이방성 염료, 반응성 액정 및 이온성 화합물을 포함하고, 상기 반응성 액정을 1 wt% 내지 5 wt%로 포함하는 경우, 액정 조성물을 110℃ 내지 130℃의 온도에서 1 시간 내지 7 시간 동안 가열함으로써, 상기 액정층의 평균 전류 밀도를 전술한 범위 내로 조절할 수 있다. 구체적으로, 상기 반응성 액정을 1 wt% 내지 5 wt%로 포함하는 경우, 액정 조성물을 113℃ 내지 127℃, 116℃ 내지 124℃ 또는 119℃ 내지 121℃의 온도에서 1 시간 내지 6 시간 또는 2 시간 내지 6 시간 동안 가열함으로써, 상기 액정층의 평균 전류 밀도를 전술한 범위 내로 조절할 수 있다. 상기 액정셀은 전술한 조건으로 액정층의 평균 전류 밀도를 전술한 범위 내로 조절함으로써, 초기 투과 모드에서의 투과율과 전압 인가 시 산란 모드에서의 투과율의 차이가 우수하고, 산란 모드에서 우수한 헤이즈를 발현할 수 있다.
본 출원은 또한, 액정셀의 용도에 관한 것이다. 예시적인 액정셀은 초기 투과 모드에서의 투과율과 전압 인가 시 산란 모드에서의 투과율의 차이가 우수하고, 산란 모드에서 우수한 헤이즈를 발현할 수 있다. 이러한 액정셀은, 스마트 윈도우, 윈도우 보호막, 플렉서블 디스플레이 소자, 투명 디스플레이용 차광판, 3D 영상 표시용 액티브 리타더(active retarder) 또는 시야각 조절 필름 등과 같은 다양한 광변조 장치에 적용될 수 있다.
본 출원은 통상 투과 모드이고, 투과 모드와 산란 모드의 투과율 가변 특성이 우수하며, 산란 모드에서 헤이즈 특성이 우수한 액정셀 및 액정셀의 제조 방법을 제공할 수 있다. 이러한 액정셀은, 스마트 윈도우, 윈도우 보호막, 플렉서블 디스플레이 소자, 투명 디스플레이용 차광판, 3D 영상 표시용 액티브 리타더(active retarder) 또는 시야각 조절 필름 등과 같은 다양한 광변조 장치에 적용될 수 있다.
도 1은 본 출원의 일 실시예에 따른 액정셀을 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 출원의 일 실시예에 따른 초기 상태에서 투과 모드를 구현하는 액정셀을 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 출원의 일 실시예에 따른 전압 인가 시 산란 모드를 구현하는 액정셀을 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 실시예 및 비교예에서 제조된 액정셀의 전압 인가 시간에 따른 전류 밀도를 측정한 그래프이다.
도 5는 실시예 및 비교예에서 제조된 액정셀의 평균 전류 밀도, 투과도 가변폭 및 산란 모드에서의 헤이즈를 나타낸 그래프이다.
이하 실시예를 통하여 본 출원을 구체적으로 설명하지만, 본 출원의 범위가 하기 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
실시예 1
액정셀의 제조
ITO(Indium Tin Oxide) 투명 전극층과 수직 배향막이 순차 형성되어 있는 2장의 유리 기판을 상기 수직 배향막이 서로 대향하고, 간격이 약 9 ㎛ 정도가 되도록 이격 배치시킨 후에 상기 이격 배치된 2장의 유리 기판 사이에 100℃에서 24시간 가열된 액정 조성물을 주입하고, 에지(edge)를 실링하여 면적 2.5cm X 3.0cm 및 간격 9㎛인 액정셀을 제작하였다.
상기에서 수직 배향막은 수직 배향 조성물(Nissan 5661)을 ITO 투명 전극층 상에 코팅하고 100℃의 온도에서 10 분 동안 소성을 진행시켜 형성하였다. 상기 액정 조성물은 하기 표 1에 나타낸 유전율 이방성이 -5.0이고, 굴절률 이방성이 0.1995인 상용 액정 LC(HCCH 7262, HCCH社 제)와 이방성 염료(X12, BASF社 제), 반응성 액정으로, 4-메톡시페닐 4-((6-(아크릴로일옥시)헥실)옥시)벤조에이트(HCM-021, HCCH社 제) 및 이온성 화합물로 CTAB(세틸트리메틸암모늄 브로마이드)를 90:1.6:10:1(LC:이방성 염료:RM:CTAB)의 중량 비율로 혼합하여 제조하였다.
실시예 2 내지 5 및 비교예 1 내지 4
액정셀의 제조
하기 표 1에 나타낸 액정 조성물의 조성 및 가열 조건을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방식으로 액정셀을 제조하였다.
액정 조성물(중량 비율)
비반응성 액정 전도도 조절제 가열 조건
LC 이방성 염료 RM CTAB
실시예 1 90 1.6 10 1 100℃, 24시간
실시예 2 90 1.4 2.5 1 120℃, 2시간
실시예 3 90 1.4 2.5 1 120℃, 3시간
실시예 4 90 1.4 2.5 1 120℃, 4시간
실시예 5 90 1.4 2.5 1 120℃, 6시간
비교예 1 90 1.6 - - 100℃, 24시간
비교예 2 90 1.6 10 - 100℃, 24시간
비교예 3 90 1.4 2.5 1 120℃, 9시간
비교예 4 90 1.4 2.5 1 120℃, 12시간
LC: 상용 액정(HCCH 7262, HCCH社 제)
이방성 염료: X12, BASF社 제
RM(반응성 액정): 4-메톡시페닐 4-((6-(아크릴로일옥시)헥실)옥시)벤조에이트(HCM-021, HCCH社 제)
CTAB: 세틸트리메틸암모늄 브로마이드
평가예 1. 전류 밀도 평가
실시예 및 비교예에서 제조된 액정셀에 대하여 하기 표 2의 구동 파형을 가지는 반도체 특성 분석기, Keithly 4200를 이용하여, 순간 전류-전압(I-V)을 측정하였다. 구체적으로, 실시예 및 비교예에서 제조된 액정셀의 대향 배치된 2개의 기판에 40 V, 60Hz의 교류 전압 인가 시 흐르는 전류를 측정하고, 도 4에 나타내었다. 이때, 안정화를 위하여 5 번째 사이클(Cycle) 후에 측정된 전류 값을 취하였다. 전압 인가 후, 8 ms에서의 전류를 면적으로 나눈 값을 최종 전류 밀도라 하고, 0 ms 부터 8 ms까지 측정된 전류 밀도의 평균 값을 평균 전류 밀도로 정하였다. 상기 측정된 전류 밀도의 평균 값을 하기 표 3에 나타내었다.
DSLC cell Keithly 4200 구동 파형 (60 Hz, 40 V, 사각파형)
수치 단위
주기(Period) 0.0167 Sec
펄스 폭(Pulse Width) 0.00833 Sec
상승 시간(Rise Time) 0.0001 Sec
하강 시간(Fall Time) 0.0001 Sec
기본 전압(Base Volatage) -40 Volt
진폭(Amplitude) -80 Volt
평가예 2. 헤이즈 및 투과율 평가
실시예 및 비교예에서 제조된 액정셀에 대하여 헤이즈미터, NDH-5000SP를 이용하여, ASTM 방식으로 헤이즈 및 투과율을 측정하였다. 구체적으로 실시예 및 비교예에서 제조된 액정셀에 수직 전계를 인가하도록 대향 배치된 2개의 기판에 AC 전원을 연결하고, 초기 전압 비인가 시 투과 모드 및 60 V, 60 Hz의 전압을 인가한 산란 모드에서의 헤이즈를 측정하여 하기 표 3에 나타내었다. 또한, 상기 투과율은 초기 전압 비인가 시(0 V) 투과 모드에서의 투과율과 60 V, 60 Hz의 전압을 인가한 산란 모드에서의 투과율을 측정한 후, 이들의 차이를 하기 일반식 1에 나타낸 바와 같이 투과도 가변폭으로 정하고 하기 표 3에 나타내었다.
[일반식 1]
투과도 가변폭 = T0-T60
상기 일반식 1에서 T0은 초기 전압 비인가(0V) 시의 투과율이고, T60은 60 V, 60 Hz의 전압 인가 시 투과율을 의미한다.
평균 전류 밀도(㎂/cm2) 초기(0 V) 60 V 투과도 가변폭(%)
투과율(%) 헤이즈(%) 투과율(%) 헤이즈(%)
실시예 1 41.4 65.4 0.4 21.7 95.8 43.7
실시예 2 47.5 68.5 0.8 25.1 95 43.4
실시예 3 52.0 69.0 0.9 25.7 94.8 43.3
실시예 4 55.5 68.4 0.9 25.6 95.5 42.8
실시예 5 54.1 68.4 1.3 25.7 95.5 42.7
비교예 1 11.7 63.8 0.9 28.2 36.5 35.6
비교예 2 24.1 64.8 0.8 23.1 85.7 41.7
비교예 3 79.5 68.1 1.4 29.6 94.9 38.5
비교예 4 78.7 67.0 1.2 27.4 95 39.6
상기 표 3 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 내지 5에서 제조된 액정셀은 비교예 1 및 2에서 제조된 액정셀에 비해 액정층에 전도성 조절제를 더 포함함으로써, 평균 전류 밀도가 높게 나타나는 것을 확인하였다. 또한, 상기 액정층에 전도성 조절제를 포함하는 실시예 1 내지 5에서 제조된 액정셀은 상기 실시예 1 내지 5에서 제조된 액정셀과 액정층의 액정 조성물이 동일한 비교예 3 및 4에서 제조된 액정셀에 비해 낮은 시간 동안, 즉, 9시간 미만 동안 가열함으로써, 평균 전류 밀도가 낮게 나타나는 것을 확인하였다. 즉, 실시예 1 내지 5에서 제조된 액정셀은 전술한 조건을 모두 만족함으로써, 30 ㎂/cm2 내지 60 ㎂/cm2의 평균 전류 밀도를 만족하는 것을 확인하였다.
또한, 실시예 1 내지 5에서 제조된 액정셀은 비교예 1 및 2에서 제조된 액정셀에 비해 평균 전류 밀도가 높음으로써, 산란 모드에서 우수한 헤이즈를 발현하는 것을 확인하였다.
또한, 상기 실시예 1 내지 5에서 제조된 액정셀은 30 ㎂/cm2 내지 60 ㎂/cm2의 평균 전류 밀도를 만족함으로써, 상기 전술한 평균 전류 밀도 범위를 만족하지 못하는 비교예 1 내지 4에서 제조된 액정셀에 비해 투과도 가변폭이 우수한 것을 확인하였다.
100, 300: 기판
110, 310: 기재
120, 320: 전극층
130, 330: 수직 배향막
200: 액정층

Claims (14)

  1. 대향 배치된 2개의 기판; 및 상기 2개의 기판 사이에 존재하고,
    평균 전류 밀도가 30 ㎂/cm2 내지 60 ㎂/cm2인 액정층을 포함하며,
    상기 액정층은 초기 상태의 투과율과 60V 전압 인가 시의 투과율의 차이가 40% 이상이고,
    상기 액정층은 비반응성 액정, 및 전도도 조절제로 이방성 염료, 반응성 액정 및 이온성 화합물을 포함하는 액정셀(단, 상기 평균 전류 밀도는 40 V의 전압 및 60 Hz의 주파수의 교류 전압을 액정셀에 인가한 후, 5 번째 사이클(Cycle)의 0 ms 부터 8 ms까지 측정된 전류 밀도의 평균 값이다.).
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 비반응성 액정은 유전율 이방성이 음수인 액정셀.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 전도도 조절제는 상기 비반응성 액정 100 중량부 대비 0.1 중량부 내지 20 중량부의 비율로 포함되는 액정셀.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 액정층은 초기 상태에서 투과 모드를 구현하고, 전압 인가 시 산란 모드를 구현하는 액정셀.
  7. 삭제
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 액정층은 60V 전압 인가 시 헤이즈가 90% 이상인 액정셀.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 2개의 기판은 각각 전극층 및 수직 배향막을 포함하는 액정셀.
  10. 대향 배치된 2개의 기판; 및 상기 2개의 기판 사이에 존재하는 액정층을 포함하는 액정셀의 제조 방법이고, 상기 액정층의 평균 전류 밀도를 30 ㎂/cm2 내지 60 ㎂/cm2로 조절하는 것을 포함하며,
    상기 액정층은 초기 상태의 투과율과 60V 전압 인가 시의 투과율의 차이가 40% 이상이고,
    상기 액정셀은 2개의 기판 사이에 가열한 액정 조성물을 주입하고, 에지를 실링하는 것에 의해 제조되며,
    상기 액정 조성물은 비반응성 액정, 및 전도도 조절제로서 이방성 염료, 반응성 액정 및 이온성 화합물을 포함하는 액정셀의 제조 방법(단, 상기 평균 전류 밀도는 40 V의 전압 및 60 Hz의 주파수의 교류 전압을 액정셀에 인가한 후, 5 번째 사이클(Cycle)의 0 ms 부터 8 ms까지 측정된 전류 밀도의 평균 값이다.).
  11. 삭제
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 액정 조성물은 상기 반응성 액정을 8 wt% 내지 12 wt%로 포함하는 경우, 상기 가열은 90℃ 내지 110℃의 온도에서 20 시간 내지 30 시간 동안 수행하는 액정셀의 제조방법.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 액정 조성물은 상기 반응성 액정을 1 wt% 내지 5 wt%로 포함하는 경우, 상기 가열은 110℃ 내지 130℃의 온도에서 1 시간 내지 7 시간 동안 수행하는 액정셀의 제조방법.
  14. 제 1 항의 액정셀을 포함하는 광변조 장치.
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