JP6535136B2 - 表面処理材およびこれを用いて作製した部品 - Google Patents
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- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
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- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
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Description
さらに、ドローンやウエアラブルデバイスでは、雨や汗がデバイス内部に入り込む可能性があり、長期信頼性を確保するためにも、高い耐食性が求められる。風力発電のような塩水環境における変圧器のモータやインバータも同様である。しかしながら、亜鉛置換処理後に形成されるめっき層(下地層)を薄く形成すると、不均一なめっき層の形成やピンホールの形成により、亜鉛含有層を完全に被覆することは困難であり、塩水環境において亜鉛含有層に沿って侵食が優先的に進行し、その結果、下地層と基材の間において剥離が生じてしまうという問題がある。このため、上述したような問題が生じないようにするためにも、基体とめっき被膜との間には、亜鉛層が存在しないことが望ましく、また、亜鉛層の形成が必要な場合には、できるだけ厚さを薄くした亜鉛層を形成することが望まれていた。
(1)導電性基体と、該導電性基体上に形成された少なくとも1層以上の金属層からなる表面処理被膜とを有する表面処理材であって、
前記少なくとも1層以上の金属層のうち、前記導電性基体上に直接形成されている金属層である最下金属層が、前記導電性基体に点在しかつ前記導電性基体の表面から内部に向かって枝分かれして広がって延在する複数の金属埋設部を有し、
前記導電性基体に前記金属埋設部が少なくとも1つ存在する前記表面処理材の垂直断面で見て、前記導電性基体の表面に引いた第1の線分と、前記金属埋設部が前記導電性基体の厚さ方向に沿って最も長く延在する終端位置を通り前記第1の線分と平行に引いた第2の線分と、前記終端位置をもつ金属埋設部を中心とする前記導電性基体の断面幅20μmの位置を通り、かつ前記第1の線分と前記第2の線分のそれぞれと直交する第3及び第4の線分とで区画した領域を、前記導電性基体の観察領域とするとき、該観察領域に占める前記金属埋設部の面積割合の平均値が、5%以上50%以下の範囲であることを特徴とする表面処理材。
(2)導電性基体と、該導電性基体上に1層以上の金属層からなる表面処理被膜と、を有する表面処理材であって、
前記表面処理被膜を構成する金属層のうち、前記導電性基体に接する最下金属層が、前記導電性基体の表面から内部に向かって枝分かれして広がって延在する複数の金属埋設部を有し、
前記金属埋設部が存在する前記導電性基体の垂直断面において、(導電性基体の表面に平行な断面幅20μm)×(導電性基体の表面から金属埋設部の終端位置までの深さ)で表される観察領域に占める前記金属埋設部の面積割合の平均値が、5%以上50%以下の範囲であることを特徴とする表面処理材。
(3)前記金属埋設部は、前記導電性基体の表面から厚さ方向に沿って前記終端位置まで測定したときの最大延在長さが0.5μm以上25μm以下の範囲であることを特徴とする、上記(1)または(2)に記載の表面処理材。
(4)前記導電性基体は、アルミニウム、またはアルミニウム合金であることを特徴とする、上記(1)乃至(3)のいずれか1つに記載の表面処理材。
(5)前記最下金属層は、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅または銅合金であることを特徴とする、 上記(1)乃至(4)のいずれか1つに記載の表面処理材。
(6)前記表面処理被膜は、前記最下金属層と、該最下金属層上に形成された1層以上の金属層とからなり、該1層以上の金属層が、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、銅合金、錫、錫合金、銀、銀合金、金、金合金、白金、白金合金、ロジウム、ロジウム合金、ルテニウム、ルテニウム合金、イリジウム、イリジウム合金、パラジウムおよびパラジウム合金の群から選択されるいずれかで形成されたものであることを特徴とする、上記(1)乃至(5)のいずれか1つに記載の表面処理材。
(7)前記1層以上の金属層が、2層以上の金属層からなることを特徴とする、上記(6)に記載の表面処理材。
(8)上記(1)乃至(7)のいずれか1つに記載の表面処理材を用いて作製された端子。
(9)上記(1)乃至(7)のいずれか1つに記載の表面処理材を用いて作製されたコネクタ。
(10)上記(1)乃至(7)のいずれか1つに記載の表面処理材を用いて作製されたバスバー。
(11)上記(1)乃至(7)のいずれか1つに記載の表面処理材を用いて作製されたリードフレーム。
(12)上記(1)乃至(7)のいずれか1つに記載の表面処理材を用いて作製された医療部材。
(13)上記(1)乃至(7)のいずれか1つに記載の表面処理材を用いて作製されたシールドケース。
(14)上記(1)乃至(7)のいずれか1つに記載の表面処理材を用いて作製されたコイル。
(15)上記(1)乃至(7)のいずれか1つに記載の表面処理材を用いて作製されたコンタクトスイッチ。
(16)上記(1)乃至(7)のいずれか1つに記載の表面処理材を用いて作製されたケーブル。
(17)上記(1)乃至(7)のいずれか1つに記載の表面処理材を用いて作製されたヒートパイプ。
(18)上記(1)乃至(7)のいずれか1つに記載の表面処理材を用いて作製されたメモリーディスク。
また、導電性基体に金属埋設部が少なくとも1つ存在する表面処理材の垂直断面で見て、導電性基体の表面に引いた第1の線分と、金属埋設部が前記導電性基体の厚さ方向に沿って最も長く延在する終端位置を通り第1の線分と平行に引いた第2の線分と、終端位置をもつ金属埋設部を中心とする導電性基体の断面幅20μmの位置を通り、かつ前記第1の線分と前記第2の線分のそれぞれと直交する第3及び第4の線分とで区画した領域を、導電性基体の観察領域とするとき、観察領域に占める前記金属埋設部の面積割合の平均値が5%以上50%以下の範囲である。すなわち、金属埋設部が存在する導電性基体の垂直断面において、(導電性基体の表面に平行な断面幅20μm)×(導電性基体の表面から金属埋設部の終端位置までの深さ)で表される観察領域に占める金属埋設部の面積割合の平均値が、5%以上50%以下の範囲である。第1及び第2の線分の長さは20μmであり、第3及び第4の線分の長さは導電性基体の表面からその厚さ方向に金属埋設部の終端位置までの深さである。従って、第1から第4の線分で区画された観察領域の面積は、(導電性基体の表面に平行な断面幅20μm)と(導電性基体の表面から金属埋設部の終端位置までの深さ(μm))を乗じた面積(μm2)で表される。
本発明では上記のような特徴を有することによって、最下金属層の金属埋設部が、導電性基体の内部にまで侵入することにより機械的投錨効果が得られる結果、良好な密着性を示し、さらに製造時間も大幅に短縮することができる表面処理材を提供できるようになる。また、最下金属層の金属埋設部が、導電性基体の表面から内部に向かって枝分かれして広がって延在するため、枝分かれした部分が導電性基体の内部でより強固に埋め込まれ、より優れた密着性を示す表面処理材を提供することができる。また、導電性基体に密着(接触)する金属埋設部の面積割合が、導電性基体の所定の観察領域内で、5%以上50%以下の範囲であることにより、結晶粒界および結晶粒内のいずれからも金属埋設部の金属を侵入させて、適正な機械的投錨効果を維持することができ、その結果、曲げ加工性と密着性の双方の特性に優れた表面処理材を提供することができる。このような表面処理材は、表面処理被膜を形成した後に得られる本来の特性を、例えば高温(例えば200℃程度)での使用環境下であっても劣化させずに維持することができるため、長期信頼性が高い表面処理材およびこれを用いて作製される種々の部品、例えば端子、コネクタ、バスバー、リードフレーム、医療部材、シールドケース、コイル、コンタクトスイッチ、ケーブル、ヒートパイプ、メモリーディスク等の提供が可能になった。
導電性基体1は、特に限定するものではないが、例えばイオン化傾向が大きい卑な金属で主として構成され、なかでも湿式めっき法を用いて健全なめっき被膜の形成が難しいとされる、例えばアルミニウム(Al)またはアルミニウム合金であることが、本発明の効果を顕著に奏することができる点で好ましい。さらに、導電性基体1の形状は、図面においては条での例を示しているが、板、線、棒、管、箔などの形態でもよく、用途によって様々な形状を採ることができる。
表面処理被膜2は、少なくとも1層以上の金属層、図1では1層の金属層3で構成され、導電性基体1上に形成されている。ここで、表面処理被膜2は、1層の金属層で構成される場合と2層以上の金属層で構成される場合があるため、1層で構成される場合および2層以上で構成される場合のいずれにおいても、本発明では、導電性基体1上に直接形成されている(1層の)金属層3を、「最下金属層」と呼称することとする。なお、図1に示す表面処理材10は、導電性基体1上に直接形成されている金属層の1層のみで構成されているため、この金属層3は最下金属層である。
本発明の特徴的な構成は、最下金属層3の、導電性基体1に密着(接触)する部分が、導電性基体1の所定の観察領域内に占める面積割合を制御することにある。より具体的には、最下金属層3が、導電性基体1に点在しかつ導電性基体1の表面から内部に向かって枝分かれして広がって延在する複数の金属埋設部3aを有し、金属埋設部3aの面積割合の平均値が、導電性基体1の所定の観察領域内で、5%以上50%以下の範囲内であることにあり、10%以上30%以下の範囲が好ましく、15%以上25%以下の範囲がより好ましい。面積割合の平均値が5%未満であるとアンカー効果が不十分であり、密着性が十分に得られない。一方で、面積割合の平均値が50%を超えてしまうと、曲げ加工の際にクラックの起点となってしまうため好ましくない。金属埋設部3aの面積割合の平均値が、5%以上50%以下の範囲内であることにより、導電性基体1と表面処理被膜2との優れた密着性を、アンカー効果を最大限出現させた状態で付与することができる。
次に、本発明に従う表面処理材の製造方法におけるいくつかの実施形態を以下で説明する。
電解脱脂工程は、例えば20〜200g/Lの水酸化ナトリウム(NaOH)のアルカリ脱脂浴中に浸漬し、前記基材を陰極とし、電流密度2.5〜5.0A/dm2、浴温60℃、処理時間10〜100秒の条件で陰極電解脱脂する方法が挙げられる。
電解脱脂工程を行った後に、表面活性化処理工程を行う。表面活性化処理工程は、従来の活性化処理とは異なる新規な活性化処理工程であって、本発明の表面処理材を製造する工程の中で最も重要な工程である。
表面活性化処理工程を行った後に、表面処理被膜形成工程を行う。表面処理被膜形成工程は、最下金属層3だけで表面処理被膜2を形成してもよいが、表面処理材10に特性(機能)を付与する目的に応じて、最下金属層3上にさらに1層以上の(他の)金属層4を形成して、最下金属層3を含む少なくとも2層以上の金属層3、4で表面処理被膜2を形成することができる。
最下金属層3の形成は、表面活性化処理工程で用いた活性化処理液中の主成分金属と同一の金属成分を含有するめっき液を用い、電解めっきまたは無電解めっきの湿式めっき法によって行うことができる。表1〜表3に、それぞれニッケル(Ni)めっき、コバルト(Co)めっきおよび銅(Cu)めっき、により最下金属層3を形成する際のめっき浴組成およびめっき条件を例示する。
表面処理被膜2を構成する金属層3、4のうち、最下金属層3以外の(他の)金属層4を形成する場合には、各金属層4は、表面処理材に特性(機能)を付与する目的に応じて、電解めっきまたは無電解めっきの湿式めっき法によって行うことができる。表1〜表10に、それぞれニッケル(Ni)めっき、コバルト(Co)めっき、銅(Cu)めっき、錫(Sn)めっき、銀(Ag)めっき、銀(Ag)−錫(Sn)合金めっき、銀(Ag)−パラジウム(Pd)合金めっき、金(Au)めっき、パラジウム(Pd)めっきおよびロジウム(Rh)めっきにより金属層を形成する際のめっき浴組成およびめっき条件を例示する。
発明例1〜36は、表11に示すアルミニウム系基材(サイズ0.2mm×30mm×30mm)上に、上述した条件で電解脱脂工程を行い、その後、導電性基体1の表面に、表面活性化処理を施した。表面活性化処理は、発明例1〜16および19〜21においては、硫酸、硝酸、塩酸、フッ酸およびリン酸の中から選択されるいずれかの酸溶液10〜500mL/Lと、硫酸ニッケル、硝酸ニッケル、塩化ニッケルおよびスルファミン酸ニッケルからなる群から選択されるニッケル化合物(ニッケルのメタル分に換算して0.1〜500g/L)とを含有する活性化処理液を使用し、処理温度20〜60℃、電流密度0.1〜20A/dm2および処理時間200〜900秒にて処理する条件で行い、また、発明例17では、硫酸、硝酸、塩酸、フッ酸およびリン酸の中から選択されるいずれかの酸溶液10〜500mL/Lと、硫酸コバルト、硝酸コバルト、塩化コバルトおよびスルファミン酸コバルトからなる群から選択されるコバルト化合物(コバルトのメタル分に換算して0.1〜500g/L)とを含有する活性化処理液を使用し、処理温度20〜60℃、電流密度0.1〜20 A/dm2および処理時間200〜900秒にて処理する条件で行い、さらに、発明例18および22〜36では、硫酸、硝酸、塩酸、フッ酸およびリン酸の中から選択されるいずれかの酸溶液10〜500mL/Lと、硫酸銅、硝酸銅、塩化銅およびスルファミン酸銅からなる群から選択される銅化合物(銅のメタル分に換算して0.1〜500g/L)とを含有する活性化処理液を使用し、処理温度20〜60℃、電流密度0.1〜20A/dm2および処理時間200〜900秒にて処理する条件で行った。その後、上述した表面処理被膜形成工程によって、最下金属層3と、最下金属層3上に形成された金属層4である表層めっき層とで構成された表面処理被膜2を形成し、本発明の表面処理材10を作製した。基材(導電性基体1)の種類、表面活性化処理に用いる活性化処理液中に含有させる金属化合物の種類、金属埋設部3aの最大延在長さLおよび面積割合、ならびに最下金属層3および金属層4の厚さについては、表11に示す。また、表面処理被膜2を構成する各金属層3、4の形成条件については、表1〜表10に示すめっき条件により行った。
従来例1は、表11に示すアルミニウム基材(サイズ0.2mm×30mm×30mm)上に、上述した条件で電解脱脂工程を行い、その後、従来の亜鉛置換処理(ジンケート処理)を行うことによって、厚さ110nmの亜鉛含有層を形成した。その後、表面活性化処理を行うことなく、上述した表面処理被膜形成工程によって、表11に示す厚さでニッケルめっき層と金めっき層からなる2層の金属層で構成される表面処理被膜を形成し、表面処理材を作製した。
従来例2は、特許文献4の実施例を参照して、基材上に表面処理被膜を模擬して形成し、表面処理材を作製したものである。表11に示すアルミニウム基材(サイズ0.2mm×30mm×30mm)上に、上述した条件で電解脱脂工程を行い、その後、アルミニウム基材を、塩酸を主成分とする活性酸液であるサンライト株式会社によって製造販売されている「NAS−727」(18%塩酸が主成分)を2倍に薄めたエッチング溶液中に35°Cの温度で2分間浸漬して、エッチング処理により前処理したアルミニウム基材を作製した。その後、前処理したアルミニウム基体の表面に、表面活性化処理を施した。表面活性化処理は、硫酸、硝酸、塩酸、フッ酸およびリン酸の中から選択されるいずれかの酸溶液10〜500mL/Lと、硫酸ニッケル、硝酸ニッケル、塩化ニッケルおよびスルファミン酸ニッケルからなる群から選択されるニッケル化合物(ニッケルのメタル分に換算して0.1〜500g/L)とを含有する活性化処理液を使用し、処理温度20〜60℃、電流密度0.1〜20A/dm2および処理時間1〜50秒にて処理する条件で行った。表面活性化処理を行った後に、上述した表面処理被膜形成工程によって、表11に示す厚さでニッケルめっき層と金めっき層からなる2層の金属層で構成される表面処理被膜を形成し、表面処理材を作製した。
比較例1は、表面活性化処理を、硫酸、硝酸、塩酸、フッ酸およびリン酸の中から選択されるいずれかの酸溶液10〜500mL/Lと、硫酸ニッケル、硝酸ニッケル、塩化ニッケルおよびスルファミン酸ニッケルからなる群から選択されるニッケル化合物(ニッケルメタル分に換算して0.1〜500g/L)とを含有する活性化処理液を使用し、処理温度20〜60℃、電流密度0.05A/dm2および処理時間0.5秒にて処理する条件で行った。比較例1で作製した表面処理材は、電流密度が低く、処理時間も短かったため、最下金属層に金属埋設部は存在しなかった。
<基材(導電性基材)に対する表面処理被膜の密着性>
基材に対する表面処理被膜の密着性(以下、単に「密着性」という。)は、上述した方法で作製した供試材(表面処理材)について剥離試験を行い、密着性を評価した。剥離試験は、JIS H 8504:1999に規定される「めっきの密着性試験方法」の「15.1 テープ試験方法」に基づき行った。表12に密着性の評価結果を示す。なお、表12に示す密着性は、めっき剥離が見られなかった場合を「◎(優)」、試験面積の95%以上が良好に密着していた場合を「〇(良)」、試験面積の85%以上95%未満が良好に密着していた場合を「△(可)」、そして、密着領域が試験面積の85%未満である場合を「×(不可)」とし、本試験では、「◎(優)」、「○(良)」および「△(可)」に該当する場合を、密着性が合格レベルにあるとして評価した。
曲げ加工性は、上述した方法で作製した各供試材(表面処理材)について、曲げ加工半径0.5mmにてV曲げ試験を圧延筋(圧延方向)に対して直角方向に実施した後、その頂上部をマイクロスコープ(VHX200;キーエンス社製)にて観察倍率200倍で表面観察を行い、評価した結果を表12に示す。表12に示す曲げ加工性は、頂上部の表面に全くクラックが認められなかった場合を「◎(優)」と、クラックではないがしわが発生している場合を「○(良)」とし、軽微なクラックが生じている場合を「△(可)」とし、そして、比較的大きなクラックが生じている場合を「×(不可)」とし、本試験では、「◎(優)」、「○(良)」および「△(可)」に該当する場合を、曲げ加工性が合格レベルにあるとして評価した。
作製した供試材(表面処理材)ごとに、表面処理被膜形成まま(めっきまま)の状態(未処理状態)と、大気中で200℃、24時間の熱処理を施した後の状態(熱処理状態)の2種類のサンプルを作製し、4端子法を用いて、未熱処理状態の表面処理材と熱処理後の状態に表面処理材について、接触抵抗の測定を行った。測定条件は、Agプローブ半径R=2mm、荷重0.1Nの条件下で10mA通電時の抵抗値を10回測定して平均値を算出した。表12に評価結果を示す。表12に示す接触抵抗は、10mΩ以下である場合を「◎(優)」とし、10mΩ超え50mΩ以下である場合を「○(良)」とし、50mΩ超え100mΩ以下「△(可)」とし、そして、100mΩを超える場合を「×(不可)」とし、本試験では、「◎(優)」、「○(良)」および「△(可)」に該当する場合を、接触抵抗が合格レベルにあるとして評価した。
半田濡れ性は、作製した供試材(表面処理材)ごとに、表面処理被膜形成まま(めっきまま)の状態(未熱処理状態)と、大気中で200℃、24時間の熱処理を施した後の状態(熱処理後の状態)の2種類のサンプルを作製し、ソルダーチェッカー(SAT−5100(商品名、(株)レスカ社製))を用いて半田濡れ時間を測定し、この測定値から評価した。表12にその評価結果を示す。なお、表12に示す半田濡れ性は、測定条件詳細は以下の条件とし、はんだ濡れ時間が3秒未満である場合を「◎(優)」と判定し、3秒以上5秒未満である場合を「○(良)」と判定し、5秒以上10秒未満である場合を「△(可)」と判定し、そして、10秒浸漬しても接合しなかった場合を「×(不可)」と判定し、本試験では、「◎(優)」、「○(良)」および「△(可)」に該当する場合を、半田濡れ性が合格レベルにあるとして評価した。
温度:250℃
試験片サイズ:10mm×30mm
フラックス:イソプロピルアルコール−25%ロジン
浸漬速度:25mm/sec.
浸漬時間:10秒
浸漬深さ:10mm
実用レベルとしては「△」以上である場合を合格レベルにあるとして判断した。
2 表面処理膜
3 最下金属層
3a 金属埋設部
4 表面処理被膜を構成する最下金属層以外の金属層
10、10A 表面処理材
C 中心線
F 終端位置
L 最大延在長さ
L1 第1の線分
L2 第2の線分
L3 第3の線分
L4 第4の線分
R 観察領域
S 表面位置(表面側根元部)
W 断面幅
Claims (17)
- アルミニウムまたはアルミニウム合金である導電性基体と、該導電性基体上に形成された少なくとも1層以上の金属層からなる表面処理被膜とを有する表面処理材であって、
前記少なくとも1層以上の金属層のうち、前記導電性基体上に直接形成されていると共に亜鉛を含まない金属層である最下金属層が、前記導電性基体に点在しかつ前記導電性基体の表面から内部に向かって枝分かれして広がって延在する複数の金属埋設部を有し、前記金属埋設部は前記導電性基体上に直接形成されており、
前記導電性基体に前記金属埋設部が少なくとも1つ存在する前記表面処理材の垂直断面で見て、前記導電性基体の表面に引いた第1の線分と、前記金属埋設部が前記導電性基体の厚さ方向に沿って最も長く延在する終端位置を通り前記第1の線分と平行に引いた第2の線分と、前記終端位置をもつ金属埋設部を中心とする前記導電性基体の断面幅20μmの位置を通り、かつ前記第1の線分と前記第2の線分のそれぞれと直交する第3及び第4の線分とで区画した領域を、前記導電性基体の観察領域とするとき、該観察領域に占める前記金属埋設部の面積割合の平均値が、5%以上50%以下の範囲であることを特徴とする表面処理材。 - アルミニウムまたはアルミニウム合金である導電性基体と、該導電性基体上に1層以上の金属層からなる表面処理被膜と、を有する表面処理材であって、
前記表面処理被膜を構成する金属層のうち、前記導電性基体に接すると共に亜鉛を含まない最下金属層が、前記導電性基体の表面から内部に向かって枝分かれして広がって延在する複数の金属埋設部を有し、前記金属埋設部は前記導電性基体上に直接形成されており、
前記金属埋設部が存在する前記導電性基体の垂直断面において、(導電性基体の表面に平行な断面幅20μm)×(導電性基体の表面から金属埋設部の終端位置までの深さ)で表される観察領域に占める前記金属埋設部の面積割合の平均値が、5%以上50%以下の範囲であることを特徴とする表面処理材。 - 前記金属埋設部は、前記導電性基体の表面から厚さ方向に沿って前記終端位置まで測定したときの最大延在長さが0.5μm以上25μm以下の範囲であることを特徴とする、請求項1または2に記載の表面処理材。
- 前記最下金属層は、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅または銅合金であることを特徴とする、請求項1乃至3の何れか1項に記載の表面処理材。
- 前記表面処理被膜は、前記最下金属層と、該最下金属層上に形成された1層以上の金属層とからなり、該1層以上の金属層が、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、銅合金、錫、錫合金、銀、銀合金、金、金合金、白金、白金合金、ロジウム、ロジウム合金、ルテニウム、ルテニウム合金、イリジウム、イリジウム合金、パラジウムおよびパラジウム合金の群から選択されるいずれかで形成されたものであることを特徴とする、請求項1乃至4の何れか1項に記載の表面処理材。
- 前記1層以上の金属層が、2層以上の金属層からなることを特徴とする、請求項5に記載の表面処理材。
- 請求項1乃至6の何れか1項に記載の表面処理材を用いて作製された端子。
- 請求項1乃至6の何れか1項に記載の表面処理材を用いて作製されたコネクタ。
- 請求項1乃至6の何れか1項に記載の表面処理材を用いて作製されたバスバー。
- 請求項1乃至6の何れか1項に記載の表面処理材を用いて作製されたリードフレーム。
- 請求項1乃至6の何れか1項に記載の表面処理材を用いて作製された医療部材。
- 請求項1乃至6の何れか1項に記載の表面処理材を用いて作製されたシールドケース。
- 請求項1乃至6の何れか1項に記載の表面処理材を用いて作製されたコイル。
- 請求項1乃至6の何れか1項に記載の表面処理材を用いて作製されたコンタクトスイッチ。
- 請求項1乃至6の何れか1項に記載の表面処理材を用いて作製されたケーブル。
- 請求項1乃至6の何れか1項に記載の表面処理材を用いて作製されたヒートパイプ。
- 請求項1乃至6の何れか1項に記載の表面処理材を用いて作製されたメモリーディスク。
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