CN102517614B - 一种在铝硅合金上电镀金的镀液配方及其电镀方法 - Google Patents

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CN102517614B CN201110428760.9A CN201110428760A CN102517614B CN 102517614 B CN102517614 B CN 102517614B CN 201110428760 A CN201110428760 A CN 201110428760A CN 102517614 B CN102517614 B CN 102517614B
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Abstract

本发明公开了一种在铝硅合金上电镀金的镀液配方及其电镀方法,镀液配方其组分及含量为:氰化金钾8~12g/L、磷酸二氢铵20~25g/L、磷酸氢二铵40~45g/L、硝酸铊0.005~0.008g/L。步骤包括铝硅合金前处理、镀铜、镀镍、镀金,本发明通过在铝硅合金上电镀金,既保留了铝硅合金密度小、重量轻、散热好、与陶瓷电路板热匹配性能好等优良特性,又解决了铝硅合金的不可焊接的问题,使其成熟地应用于T/R组件的制作上,极大地提高了T/R组件的性能。通过在铝硅合金电镀金前进行镀铜和镀镍处理,提高了铝硅合金镀金层的性能。

Description

一种在铝硅合金上电镀金的镀液配方及其电镀方法
技术领域
本发明属于金属表面处理的技术领域,具体涉及一种在铝硅合金上电镀金的镀液配方及其电镀方法。
背景技术
有源相控阵雷达是近年来发展迅速的雷达技术,T/R组件是构成有源相控阵雷达天线的基础,是有源相控阵雷达的核心部件,T/R组件的体积、重量、性能、可靠性等指标直接影响了雷达的整机指标。T/R组件的研制过程加速了人们对新材料的研究,这其中引进了铝硅合金,尤其是铝硅含量各占50%的这种新材料,该材料具有密度小、重量轻、散热好、与陶瓷电路板热匹配性能好等优点。
但是将铝硅合金应用于T/R组件上需要解决该类材料不可焊接的特性,这就需要在材料表面电镀一层附着力好、可焊性高的镀层。
发明内容
针对现有技术的不足,发明提供一种在铝硅合金上电镀金的镀液配方及其电镀方法,解决因铝硅合金不可焊接而难以应用于T/R组件上的问题。
本发明解决技术问题的技术方案为:
一种在铝硅合金上电镀金的镀液配方,其组分及含量为:
氰化金钾8~12g/L、磷酸二氢铵20~25g/L、磷酸氢二铵40~45g/L、硝酸铊0.005~0.008g/L。
优选氰化金钾10g/L、磷酸二氢铵22g/L、磷酸氢二铵42g/L、硝酸铊0.005g/L。
一种在铝硅合金上电镀金的电镀方法,包括以下步骤:
A、铝硅合金前处理,
1)、首先,将铝硅合金放入温度为40~60℃的丙酮溶液中,浸泡15min以上,然后将浸泡处理后的铝硅合金放入化学去油溶液中,超声浸泡15min以上,化学去油液的配比为:碳酸钠15~25g/L、磷酸钠15~25g/L、乳化剂OP-10 2~5g/L,最后将铝硅合金在热水中浸泡30S以上;
2)、对铝硅合金基体进行浸蚀,将铝硅合金基体放入温度为40~60℃含量为6~14%的氢氧化钠溶液中10~20S,取出在流动的热水中进行清洗10S以上,再在流动的去离子水中进行清洗10S以上;然后在配比为硝酸700~800mL/L,氢氟酸200~300mL/L的酸洗液中处理8~10S,再在流动的去离子水中进行清洗10S以上;
B、对铝硅合金材进行镀铜和镀镍处理,具体为:
首先,将铝硅合金基体放入镀铜液电镀槽中进行电镀,镀液温度45~55℃,电流密度0.5~2A/dm2,电镀时间根据镀层厚度和铜层沉积速度0.11~0.45μm/min来确定,所述镀铜镀液的配比为:硫酸铜25~35g/L,焦磷酸钾150~180g/L,磷酸氢二钾50~70g/L;在电镀前20~30S内,采用大于1倍正常电流密度电镀,之后采用正常电流密度电镀;电镀结束后,在流动的去离子水中清洗零件10S以上;
然后,将镀过铜层的铝硅合金基体放入镀镍电镀槽中进行电镀镍,镀液配比为硫酸镍140~200g/L,硫酸钠35~40g/L,硫酸镁25~35g/L,硼酸12~20g/L,氯化钠4~6g/L;镀液温度18~40℃,电流密度0.8~1A/dm2,电镀时间根据镀层厚度和镍层沉积速度8~10μm/h来确定。在电镀前20~30S内,采用大于1倍正常电流密度电镀,之后采用正常电流密度电镀。电镀结束后,在流动的去离子水中清洗零件10S以上;
C、将铝硅合金放入配制好的镀金液中进行电镀,电流密度:0.3~0.5A/dm2,镀液温度55~65℃。
D、电镀完毕,用纯水将铝硅合金清洗干净,然后用酒精对铝硅合金进行脱水,将镀件吹干后放入烘箱,在80~100℃条件下干燥10~20min。最好用惰性气体如氮气、氩气、二氧化碳气体等对镀件吹干。
电镀的时间根据镀层的要求厚度和金的沉积速度0.23~0.25μm/min来确定。
所述步骤C中先用大于1倍的电流密度进行冲镀,冲镀时间10~30S,然后将电流密度降至正常值。
为避免杂质干扰电镀,其中所用的化学试剂最好均选用分析纯。
本发明的优点在于:本发明通过在铝硅合金上电镀金,既保留了铝硅合金密度小、重量轻、散热好、与陶瓷电路板热匹配性能好等优良特性,又解决了铝硅合金的不可焊接的问题,使其成熟地应用于T/R组件的制作上,极大地提高了T/R组件的性能。通过在铝硅合金电镀金前进行镀铜和镀镍处理,提高了铝硅合金镀金层的性能。
具体实施方式
实施例1
配制镀金液,按照配方称取氰化金钾、磷酸二氢铵、磷酸氢二铵、硝酸铊,往镀液槽中先注入1/3的去离子水,加入称取好的氰化金钾试剂,利用玻璃棒不停地搅拌,使其充分溶解;分别将称取好的磷酸二氢铵、磷酸氢二铵放入两只烧杯中,加入适量的去离子水,利用玻璃棒不停地搅拌,使其充分溶解,备用;将磷酸二氢铵溶液缓缓倒入镀槽中,并利用玻璃棒不停地搅拌,然后将磷酸氢二铵溶液缓缓倒入镀槽中,并利用玻璃棒不停地搅拌,将两只烧杯注入少量的去离子水清洗若干次,并倒入镀槽中,往槽中加入称取好的硝酸铊试剂,往槽中加入去离子水至工作液位,并用玻璃棒仔细搅拌。配制成溶液并冷却至室温;配制成的金镀液成分及含量为:氰化金钾10g/L、磷酸二氢铵22g/L、磷酸氢二铵42g/L、硝酸铊0.005g/L。
配制化学去油溶液,按照配方称取碳酸钠、磷酸钠、乳化剂OP-10,配制成溶液并冷却至室温,配制成的化学去油溶液成分及含量为:碳酸钠20g/L、磷酸钠20g/L、乳化剂OP-103g/L;
配制铝硅合金碱浸蚀溶液,按照配方称取氢氧化钠,加入水中并搅拌溶解,水浴加热的方式加热至50℃,配制成的氢氧化钠浓度为10%;
配制铝硅合金酸洗溶液,按配方量量取氢氟酸和硝酸,将氢氟酸缓慢的加入硝酸中并搅拌冷却至室温。配制成的酸洗溶液及含量为:氢氟酸250mL/L,硝酸750mL/L。
配制铜电镀液,往镀铜电镀液槽中先注入1/3的去离子水,加入称取好的硫酸铜试剂,利用玻璃棒不停地搅拌,使其充分溶解;分别将称取好的焦磷酸钾、磷酸氢二钾放入两只烧杯中,加入适量的去离子水,利用玻璃棒不停地搅拌,使其充分溶解,备用;将焦磷酸钾溶液缓缓倒入镀槽中,并利用玻璃棒不停地搅拌,然后将磷酸氢二钾溶液缓缓倒入镀槽中,并利用玻璃棒不停地搅拌,将两只烧杯注入少量的去离子水清洗若干次,并倒入镀槽中,往槽中加去离子水至工作液位,并用玻璃棒仔细搅拌。配制成的铜电镀液成分及含量为:硫酸铜30g/L,焦磷酸钾165g/L,磷酸氢二钾60g/L;
配制镍电镀液,往镍电镀液槽中注入1/3的去离子水,加入称取好的硫酸镍、硫酸钠、硫酸镁、氯化钠、硼酸,往槽中加去离子水至工作液位,并用玻璃棒仔细搅拌,使其充分溶解。配制成的镍电镀液成分及含量为:硫酸镍180g/L,硫酸钠38g/L,硫酸镁30g/L,氯化钠5g/L,硼酸16g/L;
用铜导线捆扎铝硅合金零件,将零件放入温度为50℃的丙酮溶液中浸泡15min;将零件放入化学去油溶液中,并利用超声进行清洗,超声功率根据实际情况酌情调节,清洗时间15min,随后将零件放入热水中浸泡30S;
将零件放入温度为50℃的碱浸蚀溶液中,持续时间15S,在流动的热水中进行清洗10S,再在流动的去离子水中进行清洗10S,然后在酸洗液中处理10S,再在流动的去离子水中进行清洗20S;
将铝硅合金放入铜电镀液中镀铜,电流密度0.8A/dm2,镀液温度50℃,前30S按照1.6A/dm2的电流密度电镀,随后恢复正常,电镀时间为20min,电镀结束后,利用流动的去离子水中进行冲洗10S;
将铝硅合金放入镍电镀液中镀镍,电流密度0.8A/dm2,镀液温度25℃,前30S按照1.6A/dm2的电流密度电镀,随后恢复正常,电镀时间为30min,电镀结束后,利用流动的去离子水中进行冲洗10S;
将镀过镍层的铝硅合金放入镀金电镀槽中进行电镀,镀2~3μm厚度金层,电流密度0.4A/dm2,镀液温度60℃,前30S按照0.8A/dm2的电流密度电镀,随后恢复正常,电镀时间为10min,电镀结束后,在流动的去离子水中清洗零件1min,在无水乙醇中对镀件进行脱水5S。用氮气将镀件吹干后放入烘箱,在100℃条件下干燥20min。最终制得的金镀层厚度为2.48μm。
该镀金层在金相显微镜下观察,金层细致,颜色均匀;在260℃的温度下烘烤5min,镀层无起皮、鼓泡现象,附着力很好。
实施例2
配制镀金液,按照配方称取氰化金钾、磷酸二氢铵、磷酸氢二铵、硝酸铊,往镀液槽中先注入1/3的去离子水,加入称取好的氰化金钾试剂,利用玻璃棒不停地搅拌,使其充分溶解;分别将称取好的磷酸二氢铵、磷酸氢二铵放入两只烧杯中,加入适量的去离子水,利用玻璃棒不停地搅拌,使其充分溶解,备用;将磷酸二氢铵溶液缓缓倒入镀槽中,并利用玻璃棒不停地搅拌,然后将磷酸氢二铵溶液缓缓倒入镀槽中,并利用玻璃棒不停地搅拌,将两只烧杯注入少量的去离子水清洗若干次,并倒入镀槽中,往槽中加入称取好的硝酸铊试剂,往槽中加入去离子水至工作液位,并用玻璃棒仔细搅拌。配制成溶液并冷却至室温;配制成的金镀液成分及含量为:氰化金钾8g/L、磷酸二氢铵20g/L、磷酸氢二铵40g/L、硝酸铊0.005g/L。
配制化学去油溶液,按照配方称取碳酸钠、磷酸钠、乳化剂OP-10,配制成溶液并冷却至室温,配制成的化学去油溶液成分及含量为:碳酸钠15g/L、磷酸钠15g/L、乳化剂OP-102g/L;
配制铝硅合金碱浸蚀溶液,按照配方称取氢氧化钠,加入水中并搅拌溶解,水浴加热的方式加热至40℃,配制成的氢氧化钠浓度为8%;
配制铝硅合金酸洗溶液,按配方量量取氢氟酸和硝酸,将氢氟酸缓慢的加入硝酸中并搅拌冷却至室温。配制成的酸洗溶液及含量为:氢氟酸200mL/L,硝酸800mL/L。
配制铜电镀液,往镀铜电镀液槽中先注入1/3的去离子水,加入称取好的硫酸铜试剂,利用玻璃棒不停地搅拌,使其充分溶解;分别将将称取好的焦磷酸钾、磷酸氢二钾放入两只烧杯中,加入适量的去离子水,利用玻璃棒不停地搅拌,使其充分溶解,备用;将焦磷酸钾溶液缓缓倒入镀槽中,并利用玻璃棒不停地搅拌,然后将磷酸氢二钾溶液缓缓倒入镀槽中,并利用玻璃棒不停地搅拌,将两只烧杯注入少量的去离子水清洗若干次,并倒入镀槽中,往槽中加去离子水至工作液位,并用玻璃棒仔细搅拌。配制成的铜电镀液成分及含量为:硫酸铜25g/L,焦磷酸钾150g/L,磷酸氢二钾50g/L;
配制镍电镀液,往镀液槽中注入1/3的去离子水,加入称取好的硫酸镍、硫酸钠、硫酸镁、氯化钠、硼酸,往槽中加去离子水至工作液位,并用玻璃棒仔细搅拌,使其充分溶解;配制成的镍电镀液成分及含量为:硫酸镍140g/L,硫酸钠35g/L,硫酸镁25g/L,氯化钠4g/L,硼酸12g/L;
用铜导线捆扎铝硅合金零件,将零件放入温度为40℃的丙酮溶液中浸泡20min;将零件放入化学去油溶液中,并利用超声进行清洗,超声功率根据实际情况酌情调节,清洗时间17min,随后将零件放入热水中浸泡30S;
将零件放入温度为40℃的碱浸蚀溶液中,持续时间20S,在流动的热水中进行清洗10S,再在流动的去离子水中进行清洗10S,然后在酸洗液中处理10S,再在流动的去离子水中进行清洗20S;
将铝硅合金放入铜电镀液中镀铜,电流密度0.6A/dm2,镀液温度45℃,前25S按照1.2A/dm2的电流密度电镀,随后恢复正常,电镀时间为30min,电镀结束后,利用流动的去离子水中进行冲洗10S;
将铝硅合金放入镍电镀液中镀镍,电流密度1.0A/dm2,镀液温度18℃,前25S按照2A/dm2的电流密度电镀,随后恢复正常,电镀时间为28min,电镀结束后,利用流动的去离子水中进行冲洗10S;
将镀过镍层的铝硅合金放入镀金电镀槽中进行电镀,镀2~3μm厚度金层,电流密度0.3A/dm2,镀液温度55℃,前30S按照0.6A/dm2的电流密度电镀,随后恢复正常,电镀时间为10min,电镀结束后,在流动的去离子水中清洗零件1min,在无水乙醇中对镀件进行脱水5S。用氮气将镀件吹干后放入烘箱,在100℃条件下干燥20min。最终制得的金镀层厚度为2.20μm。
该镀金层在金相显微镜下观察,金层细致,颜色均匀;在260℃的温度下烘烤5min,镀层无起皮、鼓泡现象,附着力很好。
实施例3
配制金镀液,按照配方称取氰化金钾、磷酸二氢铵、磷酸氢二铵、硝酸铊,往镀液槽中先注入1/3的去离子水,加入称取好的氰化金钾试剂,利用玻璃棒不停地搅拌,使其充分溶解;分别将称取好的磷酸二氢铵、磷酸氢二铵放入两只烧杯中,加入适量的去离子水,利用玻璃棒不停地搅拌,使其充分溶解,备用;将磷酸二氢铵溶液缓缓倒入镀槽中,并利用玻璃棒不停地搅拌,然后将磷酸氢二铵溶液缓缓倒入镀槽中,并利用玻璃棒不停地搅拌,将两只烧杯注入少量的去离子水清洗若干次,并倒入镀槽中,往槽中加入称取好的硝酸铊试剂,往槽中加入去离子水至工作液位,并用玻璃棒仔细搅拌。配制成溶液并冷却至室温;配制成的金镀液成分及含量为:氰化金钾12g/L、磷酸二氢铵25g/L、磷酸氢二铵45g/L、硝酸铊0.008g/L。
配制化学去油溶液,按照配方称取碳酸钠、磷酸钠、乳化剂OP-10,配制成溶液并冷却至室温,配制成的化学去油溶液成分及含量为:碳酸钠25g/L、磷酸钠25g/L、乳化剂OP-105g/L;
配制铝硅合金碱浸蚀溶液,按照配方称取氢氧化钠,加入水中并搅拌溶解,水浴加热的方式加热至60℃,配制成的氢氧化钠浓度为12%;
配制铝硅合金酸洗溶液,按配方量量取氢氟酸和硝酸,将氢氟酸缓慢的加入硝酸中并搅拌冷却至室温。配制成的酸洗溶液及含量为:氢氟酸300mL/L,硝酸700mL/L。
配制铜电镀液,往镀铜电镀液槽中先注入1/3的去离子水,加入称取好的硫酸铜试剂,利用玻璃棒不停地搅拌,使其充分溶解;分别将将称取好的焦磷酸钾、磷酸氢二钾放入两只烧杯中,加入适量的去离子水,利用玻璃棒不停地搅拌,使其充分溶解,备用;将焦磷酸钾溶液缓缓倒入镀槽中,并利用玻璃棒不停地搅拌,然后将磷酸氢二钾溶液缓缓倒入镀槽中,并利用玻璃棒不停地搅拌,将两只烧杯注入少量的去离子水清洗若干次,并倒入镀槽中,往槽中加去离子水至工作液位,并用玻璃棒仔细搅拌。配制成的铜电镀液成分及含量为:硫酸铜35g/L,焦磷酸钾180g/L,磷酸氢二钾70g/L;
配制镍电镀液,往镀液槽中注入1/3的去离子水,加入称取好的硫酸镍、硫酸钠、硫酸镁、氯化钠、硼酸,往槽中加去离子水至工作液位,并用玻璃棒仔细搅拌,使其充分溶解。配制成的镍电镀液成分及含量为:硫酸镍200g/L,硫酸钠40g/L,硫酸镁35g/L,氯化钠6g/L,硼酸20g/L;
用铜导线捆扎铝硅合金零件,将零件放入温度为60℃的丙酮溶液中浸泡20min;将零件放入化学去油溶液中,并利用超声进行清洗,超声功率根据实际情况酌情调节,清洗时间15min,随后将零件放入热水中浸泡40S;
将零件放入温度为60℃的碱浸蚀溶液中,持续时间10S,在流动的热水中进行清洗10S,再在流动的去离子水中进行清洗10S,然后在配比为硝酸700ml/L,氢氟酸300ml/L的酸洗液中处理10S,再在流动的去离子水中进行清洗20S;
将铝硅合金放入铜电镀液中镀铜,电流密度2A/dm2,镀液温度55℃,前20S按照4A/dm2的电流密度电镀,随后恢复正常,电镀时间为15min,电镀结束后,利用流动的去离子水中进行冲洗10S;
将铝硅合金放入镍电镀液中镀镍,电流密度1/dm2,镀液温度40℃,前20S按照2A/dm2的电流密度电镀,随后恢复正常,电镀时间为18min,电镀结束后,利用流动的去离子水中进行冲洗10S;
将镀过镍层的铝硅合金放入镀金电镀槽中进行电镀,镀2~3μm厚度金层,电流密度0.5A/dm2,镀液温度65℃,前10S按照1.0A/dm2的电流密度电镀,随后恢复正常,电镀时间为10min,电镀结束后,电镀结束后,在流动的去离子水中清洗零件1min,在无水乙醇中对镀件进行脱水5S。用氮气将镀件吹干后放入烘箱,在100℃条件下干燥20min。最终制得的金镀层厚度为2.58μm。
该镀金层在金相显微镜下观察,金层细致,颜色均匀;在260℃的温度下烘烤5min,镀层无起皮、鼓泡现象,附着力很好。
实施例4
配制镀金液,按照配方称取氰化金钾、磷酸二氢铵、磷酸氢二铵、硝酸铊,往镀液槽中先注入1/3的去离子水,加入称取好的氰化金钾试剂,利用玻璃棒不停地搅拌,使其充分溶解;分别将称取好的磷酸二氢铵、磷酸氢二铵放入两只烧杯中,加入适量的去离子水,利用玻璃棒不停地搅拌,使其充分溶解,备用;将磷酸二氢铵溶液缓缓倒入镀槽中,并利用玻璃棒不停地搅拌,然后将磷酸氢二铵溶液缓缓倒入镀槽中,并利用玻璃棒不停地搅拌,将两只烧杯注入少量的去离子水清洗若干次,并倒入镀槽中,往槽中加入称取好的硝酸铊试剂,往槽中加入去离子水至工作液位,并用玻璃棒仔细搅拌。配制成溶液并冷却至室温;配制成的金镀液成分及含量为:氰化金钾10g/L、磷酸二氢铵22g/L、磷酸氢二铵42g/L、硝酸铊0.005g/L。
配制化学去油溶液,按照配方称取碳酸钠、磷酸钠、乳化剂OP-10,配制成溶液并冷却至室温,配制成的化学去油溶液成分及含量为:碳酸钠20g/L、磷酸钠20g/L、乳化剂OP-103g/L;
配制铝硅合金碱浸蚀溶液,按照配方称取氢氧化钠,加入水中并搅拌溶解,水浴加热的方式加热至50℃,配制成的氢氧化钠浓度为10%;
配制铝硅合金酸洗溶液,按配方量量取氢氟酸和硝酸,将氢氟酸缓慢的加入硝酸中并搅拌冷却至室温。配制成的酸洗溶液及含量为:氢氟酸250mL/L,硝酸750mL/L。
配制铜电镀液,往镀铜电镀液槽中先注入1/3的去离子水,加入称取好的硫酸铜试剂,利用玻璃棒不停地搅拌,使其充分溶解;分别将称取好的焦磷酸钾、磷酸氢二钾放入两只烧杯中,加入适量的去离子水,利用玻璃棒不停地搅拌,使其充分溶解,备用;将焦磷酸钾溶液缓缓倒入镀槽中,并利用玻璃棒不停地搅拌,然后将磷酸氢二钾溶液缓缓倒入镀槽中,并利用玻璃棒不停地搅拌,将两只烧杯注入少量的去离子水清洗若干次,并倒入镀槽中,往槽中加去离子水至工作液位,并用玻璃棒仔细搅拌。配制成的铜电镀液成分及含量为:硫酸铜30g/L,焦磷酸钾165g/L,磷酸氢二钾60g/L;
配制镍电镀液,往镍电镀液槽中注入1/3的去离子水,加入称取好的硫酸镍、硫酸钠、硫酸镁、氯化钠、硼酸,往槽中加去离子水至工作液位,并用玻璃棒仔细搅拌,使其充分溶解。配制成的镍电镀液成分及含量为:硫酸镍180g/L,硫酸钠38g/L,硫酸镁30g/L,氯化钠5g/L,硼酸16g/L;
用铜导线捆扎铝硅合金零件,将零件放入温度为50℃的丙酮溶液中浸泡15min;将零件放入化学去油溶液中,并利用超声进行清洗,超声功率根据实际情况酌情调节,清洗时间15min,随后将零件放入热水中浸泡30S;
将零件放入温度为50℃的碱浸蚀溶液中,持续时间15S,在流动的热水中进行清洗10S,再在流动的去离子水中进行清洗10S,然后在酸洗液中处理10S,再在流动的去离子水中进行清洗20S;
将铝硅合金放入铜电镀液中镀铜,电流密度0.8A/dm2,镀液温度50℃,电镀时间为20min,电镀结束后,利用流动的去离子水中进行冲洗10S;
将铝硅合金放入镍电镀液中镀镍,电流密度0.8A/dm2,镀液温度25℃,电镀时间为30min,电镀结束后,利用流动的去离子水中进行冲洗10S;
将镀过镍层的铝硅合金放入镀金电镀槽中进行电镀,镀2~3μm厚度金层,电流密度0.4A/dm2,镀液温度60℃,电镀时间为10min,电镀结束后,在流动的去离子水中清洗零件1min,在无水乙醇中对镀件进行脱水5S。用氮气将镀件吹干后放入烘箱,在100℃条件下干燥20min。最终制得的金镀层厚度为2.43μm。
该镀金层在金相显微镜下观察,金层细致,颜色均匀;在260℃的温度下烘烤5min,镀层无起皮、鼓泡现象,附着力较好。

Claims (5)

1.一种在雷达T/R组件用铝硅合金上电镀金的镀液,其组分及含量为:氰化金钾8~12g/L、磷酸二氢铵20~25g/L、磷酸氢二铵40~45g/L、硝酸铊0.005~0.008g/L。
2.如权利要求1所述的镀液配方,其特征在于:其组分及含量为:氰化金钾10g/L、磷酸二氢铵22g/L、磷酸氢二铵42g/L、硝酸铊0.005g/L。
3.一种在雷达T/R组件用铝材上电镀金的电镀方法,包括以下步骤:
A、铝硅合金前处理,
1)、首先,将铝硅合金放入温度为40~60℃的丙酮溶液中,浸泡15min以上,然后将浸泡处理后的铝硅合金放入化学去油溶液中,超声浸泡15min以上,化学去油液的配比为:碳酸钠15~25g/L、磷酸钠15~25g/L、乳化剂OP-102~5g/L,最后将铝硅合金在热水中浸泡30s以上;
2)、对铝硅合金基体进行浸蚀,将铝硅合金基体放入温度为40~60℃含量为6~14%的氢氧化钠溶液中10~20s,取出在流动的热水中进行清洗10s以上,再在流动的去离子水中进行清洗10s以上;然后在配比为硝酸700~800mL/L,氢氟酸200~300mL/L的酸洗液中处理8~10s,再在流动的去离子水中进行清洗10s以上;
B、对铝硅合金进行镀铜和镀镍处理,具体为:
首先,将铝硅合金基体放入镀铜液电镀槽中进行电镀,镀液温度45~55℃,电流密度0.5~2А/dm2,电镀结束后,在流动的去离子水中清洗零件10s以上;
然后,将镀过铜层的铝硅合金基体放入镀镍镀液电镀槽中进行电镀镍,镀液温度18~40℃,电流密度0.8~1А/dm2,电镀结束后,在流动的去离子水中清洗零件10s以上;
C、将铝硅合金放入配制好的如权利要求1或2所述的镀金电镀液中进行电镀,电流密度:0.3~0.5А/dm2
D、电镀完毕,用纯水将铝硅合金清洗干净,然后用酒精对铝硅合金进行脱水,将镀件吹干后放入烘箱,在80~100℃条件下干燥10~20min;
所述镀铜镀液的配比为:硫酸铜25~35g/L,焦磷酸钾150~180g/L,磷酸氢二钾50~70g/L;
所述镀镍镀液的配比为:硫酸镍140~200g/L,硫酸钠35~40g/L,硫酸镁25~35g/L,硼酸12~20g/L,氯化钠4~6g/L。
4.如权利要求3所述的电镀方法,其特征在于:所述步骤C中先用大于1倍的电流密度进行冲镀,冲镀时间20~30s,然后将电流密度降至正常值。
5.如权利要求3或4所述的电镀方法,其特征在于:所述步骤B中将铝硅合金基体放入镀铜液电镀槽中进行电镀前20~30s内,采用大于1倍正常电流密度电镀,之后采用正常电流密度电镀;将镀过铜层的铝材基体放入镀镍电镀槽中进行电镀镍过程中在电镀前20~30s内,采用大于1倍正常电流密度电镀,之后采用正常电流密度电镀。
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