JP6501154B2 - フォトマスクおよび導電性パターンの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、フォトマスクおよびこのフォトマスクを用いた導電性パターンの製造方法に関する。

従来、可視光透過性を有する導電性パターンが、デフロスタ装置の発熱パターン、タッチパネル用電極基板、透明アンテナ、電磁波遮蔽材（電磁波遮蔽シート）等、として、種々の分野において広く使用されてきた。このような導電性パターンは、それ自体不透明な金属材料を用いて形成されている一方で、多くの用途、例えばデフロスタ装置の発熱パターンとしての用途等において、十分に不可視化されていることが要望される。

可視光透過性を有する導電性パターンの例として、車両のフロントウィンドウやリアウィンドウ等の窓ガラスに用いるデフロスタ装置の発熱パターンについて説明する。従来、デフロスタ装置として、窓ガラス全体にタングステン線からなる電熱線を配置したものが知られている。この従来技術では、窓ガラス全体に配置された電熱線に通電し、その抵抗加熱により窓ガラスを昇温させて、窓ガラスの曇りを取り除いて、または、窓ガラスに付着した雪や氷を溶かして、乗員の視界を確保することができる。

また、最近では、タングステン線等からなる電熱線に代えて、フォトリソグラフィー技術を用いて導電性パターンを作製し、この導電性パターンに通電して、その抵抗加熱により窓ガラスを昇温させるデフロスタ装置も知られている（特許文献１、特許文献２参照）。この方法は、複雑な形状の導電性パターンであっても簡単に形成できるという利点がある。特許文献１、特許文献２では、例えばボロノイ図から得られた不規則な形状を有する導電性パターンを形成し、窓ガラスを昇温させる電熱線として用いている。

特開２０１１−２１６３７８号公報 特開２０１２−１５１１１６号公報

このようなフォトリソグラフィー技術を用いた導電性パターンの製造は、一般に次のような工程を経て行われる。まず、基材と、この基材上に設けられた導電性金属層と、この導電性金属層上に設けられたレジスト層とを有する積層体を準備する。次に、この積層体のレジスト層をフォトマスクを介して露光および現像し、レジスト層からレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンをマスクとして導電性金属層をエッチングし、導電性金属層から導電性パターンを形成した後、レジストパターンを剥離する。

このようなフォトリソグラフィー技術を用いた導電性パターンの製造工程について、本件発明者らが鋭意研究を進めたところ、レジストパターンをマスクとして導電性金属層をエッチングする際に、図１４（ｂ）に示すように、導電性パターンの交点（分岐点）が太る現象が起こることが知見された。導電性パターンの交点が太ると、導電性パターンが観察者から視認されやすくなる。このことは、デフロスタ装置の発熱パターン、タッチパネル用電極基板、透明アンテナ、電磁波遮蔽材のような、導電性パターンの不可視化が要求される用途において、とりわけ問題となる。

この導電性パターンの交点が太る現象の原因について、本件発明者らがさらに研究を進めたところ、レジストパターンをマスクとして導電性金属層をエッチングする際に、レジストパターンの交点における、レジストパターンの２つの側縁が合流する角部にエッチング液が十分に流入できないことに起因して、導電性パターンの交点にエッチング残りが生じることが知見された。

本発明は、このような点を考慮してなされたものであって、導電性パターンの不可視性を向上させることを目的とする。とりわけ、フォトリソグラフィー技術を用いて導電性パターンを製造する際に用いるフォトマスクの形状を改良することにより、導電性パターンの交点が太る現象を抑制することを目的とする。

本発明によるフォトマスクは、
ランダムに配列された多数の開口領域を画成するメッシュパターンを有するフォトマスクであって、
前記メッシュパターンは、２つの分岐点の間を延びて前記開口領域を画成する複数の接続要素を含み、
１つの開口領域を画成する複数の接続要素のうち１つの分岐点で接続する２つの接続要素は、それぞれ前記１つの開口領域の周縁の一部をなす内側縁を有し、前記２つの接続要素の各内側縁が互いに接続する位置に切欠きが形成され、
前記切欠きの最深部と、前記２つの接続要素の各内側縁の延長線の交点との距離を、くびれ深さ（Ｋ）とし、各内側縁の、前記切欠きによって削り取られた内側縁の長さを、くびれ長さ（Ｈ）とすると、
前記くびれ深さ（Ｋ）は、前記２つの接続要素がなす角度に応じて変化し、前記くびれ長さ（Ｈ）は、前記２つの接続要素がなす角度に応じて変化する、メッシュパターン、を有する。

本発明によるフォトマスクにおいて、前記切欠きは、前記最深部から前記側縁へ向かって拡開してもよい。

本発明による導電性パターンの製造方法は、
基材と、前記基材上に設けられた導電性金属層と、前記導電性金属層の前記基材と反対側に設けられたレジスト層と、を有する積層体の前記レジスト層を、上述のフォトマスクを介して露光する工程と、
露光された前記レジスト層を現像し、前記レジスト層から、前記フォトマスクの前記メッシュパターンに対応するパターンを有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記導電性金属層をエッチングし、前記導電性金属層から導電性パターンを形成する工程と、を含む。

本発明によれば、導電性パターンの交点が太る現象を抑制することができる。また、これにより導電性パターンの不可視性を向上させることができる。

図１は、本発明による一実施の形態を説明するための図であって、導電性パターンを有する発熱板を備えた乗り物を概略的に示す斜視図である。特に図１では、乗り物の例として発熱板を備えた自動車を概略的に示している。 図２は、発熱板をその板面の法線方向から見た図である。 図３は、図２の発熱板の横断面図である。 図４は、発熱板の導電性パターンシートを示す平面図である。 図５は、図４のＡ−Ａ線に対応した、導電性パターンシートの断面形状を示す断面図である。 図６は、導電性パターンシートの製造方法の一例を説明するための図である。 図７は、導電性パターンシートの製造方法の一例を説明するための図である。 図８は、導電性パターンシートの製造方法の一例を説明するための図である。 図９は、導電性パターンシートの製造方法の一例を説明するための図である。 図１０は、導電性パターンの製造に用いるフォトマスクの一例を示す平面図である。 図１１は、図１０のフォトマスクのメッシュパターンの一部を拡大して示す図である。 図１２は、図１０のＢ−Ｂ線に対応した、フォトマスクの横断面図である。 図１３は、フォトマスクのメッシュパターンの交点付近を拡大して示す図である。 図１４は、フォトマスクのメッシュパターンに含まれる２つの接続要素がなす角度θと、２つの接続要素の側縁どうしが接続する位置に形成される切欠きのくびれ深さＫおよびくびれ長さＨと、の関係を示すグラフである。 図１５（ａ）は、メッシュパターンの交点に切欠きを設けたフォトマスクを用いて製造された導電性パターンの形状を示した図である。図１５（ｂ）は、メッシュパターンの交点に切欠きを設けないフォトマスクを用いて製造された導電性パターンの形状を示した図である。 図１６（ａ）は、メッシュパターンの交点に切欠きを設けたフォトマスクを用いて製造された導電性パターンを示した写真である。図１６（ｂ）は、メッシュパターンの交点に切欠きを設けないフォトマスクを用いて製造された導電性パターンを示した写真である。

以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺や縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。

なお、本明細書において、「板」、「シート」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「導電性パターンシート」は板やフィルムと呼ばれ得るような部材をも含む概念であり、したがって、「導電性パターンシート」は、「導電性パターン板（基板）」や「導電性パターンフィルム」と呼ばれる部材と、呼称の違いのみにおいて区別され得ない。

また、「シート面（板面、フィルム面）」とは、対象となるシート状（板状、フィルム状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となるシート状部材（板状部材、フィルム状部材）の平面方向と一致する面のことを指す。

また、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件ならびにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。

図１〜図１６は、本発明による一実施の形態を説明するための図である。以下においては、導電性パターンが、デフロスタ装置の発熱板に組み込まれた例について説明する。図１は、導電性パターンが組み込まれた発熱板を備えた自動車を概略的に示す図であり、図２は、発熱板をその板面の法線方向から見た図であり、図３は、図２の発熱板の横断面図である。

図１に示されているように、乗り物の一例としての自動車１は、フロントウィンドウ、リアウィンドウ、サイドウィンドウ等の窓ガラスを有している。ここでは、フロントウィンドウ５が発熱板１０で構成されているものを例示する。また、自動車１はバッテリー等の電源７を有している。

この発熱板１０をその板面の法線方向から見たものを図２に示す。また、図２の発熱板１０のＩＩＩ−ＩＩＩ線に対応する横断面図を図３に示す。図３に示された例では、発熱板１０は、一対のガラス板１１，１２と、一対のガラス板１１，１２の間に配置された導電性パターンシート２０と、ガラス板１１，１２と導電性パターンシート２０とを接合する接合層１３，１４とを有している。なお、図１および図２に示した例では、発熱板１０は湾曲しているが、図３では、図示の簡略化および理解の容易化のために、発熱板１０およびガラス板１１，１２を平板状に図示している。

導電性パターンシート２０は、シート状の基材３０と、基材３０上に形成された導電性パターン４０と、導電性パターン４０に通電するための配線部１５と、導電性パターン４０と配線部１５とを接続する接続部１６（バスバーあるいはバスバー電極とも呼称される）と、を有している。

図２および図３に示した例では、バッテリー等の電源７から、銅線等からなる配線部１５および接続部１６を介して導電性パターン４０に通電し、導電性パターン４０を抵抗加熱により発熱させる。導電性パターン４０で発生した熱は接合層１３，１４を介してガラス板１１，１２に伝わり、ガラス板１１，１２が温められる。これにより、ガラス板１１，１２に付着した結露による曇りを取り除くことができる。また、ガラス板１１，１２に雪や氷が付着している場合には、この雪や氷を溶かすことができる。したがって、乗員の視界が良好に確保される。なお、図示は省略するが、通常は、配線部１５は電源７と導電性パターン４０の接続部（バスバー）１６との間に開閉器が挿入（直列に接続）される。そして、発熱板１０の加熱が必要な時のみ開閉器を閉じて導電性パターン４０に通電する。

ガラス板１１，１２は、特に自動車のフロントウィンドウに用いる場合、乗員の視界を妨げないよう可視光透過率が高いものを用いることが好ましい。このようなガラス板１１，１２の材質としては、ソーダライムガラス（青板ガラス）、硼珪酸ガラス（白板ガラス）、石英ガラス、ソーダガラス、カリガラス等が例示できる。ガラス板１１，１２は、可視光領域における透過率が９０％以上であることが好ましい。ここで、ガラス板１１，１２の可視光透過率は、分光光度計（（株）島津製作所製「ＵＶ−３１００ＰＣ」、ＪＩＳ Ｋ ０１１５準拠品）を用いて測定波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内で測定したときの、各波長における透過率の平均値として特定される。なお、ガラス板１１，１２の一部または全体に着色するなどして、可視光透過率を低くしてもよい。この場合、太陽光の直射を遮ったり、車外から車内を視認しにくくしたりすることができる。

また、ガラス板１１，１２は、１ｍｍ以上５ｍｍ以下の厚みを有していることが好ましい。このような厚みであると、強度および光学特性に優れたガラス板１１，１２を得ることができる。

ガラス板１１，１２と導電性パターンシート２０とは、それぞれ接合層１３，１４を介して接合されている。このような接合層１３，１４としては、種々の接着性または粘着性を有した材料からなる層を用いることができる。また、接合層１３，１４は、可視光透過率が高いものを用いることが好ましい。典型的な接合層としては、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）からなる層を例示することができる。接合層１３，１４の厚みは、それぞれ０．１５ｍｍ以上０．７ｍｍ以下であることが好ましい。

なお、発熱板１０には、図示された例に限られず、特定の機能を発揮することを期待されたその他の機能層が設けられても良い。また、１つの機能層が２以上の機能を発揮するようにしてもよいし、例えば、発熱板１０のガラス板１１，１２、接合層１３，１４や、後述する導電性パターンシート２０の基材３０の少なくとも１つに機能を付与するようにしてもよい。発熱板１０に付与され得る機能としては、一例として、反射防止（ＡＲ）機能、耐擦傷性を有したハードコート（ＨＣ）機能、赤外線遮蔽（反射）機能、紫外線遮蔽（反射）機能、偏光機能、防汚機能等を例示することができる。

次に、導電性パターンシート２０について説明する。導電性パターンシート２０は、シート状の基材３０と、基材３０上に形成された導電性パターン４０と、導電性パターン４０に通電するための配線部１５と、導電性パターン４０と配線部１５とを接続する接続部１６とを有している。導電性パターンシート２０は、ガラス板１１，１２と略同一の平面寸法を有して、発熱板１０の全体にわたって配置されてもよいし、運転席の正面部分等、発熱板１０の一部にのみ配置されてもよい。

シート状の基材３０は、導電性パターン４０を支持する基材として機能する。基材３０は、可視光線波長帯域の波長（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）を透過する一般に言うところの透明である電気絶縁性の基板である。図２および図４に示された例では、基材３０は、ガラス板１１，１２と略同一の寸法を有して、略台形状の平面形状を有している。

基材３０は、例えば、可視光透過性を有する樹脂を含むことができる。基材３０に含まれる樹脂としては、可視光を透過し、導電性パターン４０を適切に支持し得るものであればいかなる樹脂でもよいが、好ましくは熱可塑性樹脂を用いることができる。この熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、アモルファスポリエチレンテレフタレート（Ａ−ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂、トリアセチルセルロース（三酢酸セルロース）等のセルロース系樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート樹脂、ＡＳ樹脂等を挙げることができる。とりわけ、アクリル樹脂やポリ塩化ビニルは、エッチング耐性、耐候性、耐光性に優れており、好ましい。

また、基材３０は、導電性パターン４０の保持性や、光透過性等を考慮すると、０．０３ｍｍ以上０．３ｍｍ以下の厚みを有していることが好ましい。

なお、基材３０は、導電性パターン４０側の面に、基材本体と導電性パターン４０との接合性を向上させる機能を有する保持層を有していてもよい。すなわち、基材３０は、基材本体と、基材本体の導電性パターン４０側の面上に設けられた保持層と、を有していてもよい。保持層は、例えば、透明な電気絶縁性の樹脂シートを基材本体上に積層して形成することもできるし、基材本体上に樹脂材料を塗布することにより形成することもできる。このような保持層としては、例えば、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、２液硬化性ウレタン接着剤、２液硬化性エポキシ接着剤等を用いることができる。また、保持層の厚さは、光透過性や、基材本体と導電性パターン４０との接合性等を考慮して、１μｍ以上１００μｍ以下とすることができる。好ましくは、保持層の厚さを１μｍ以上１５μｍ以下とすることができる。

次に、図４を参照して、導電性パターン４０について説明する。図４は、導電性パターンシート２０をそのシート面の法線方向から見た平面図である。

導電性パターン４０は、バッテリー等の電源７から、配線部１５および接続部１６を介して通電され、抵抗加熱により発熱する。そして、この熱が接合層１３，１４を介してガラス板１１，１２に伝わることで、ガラス板１１，１２が温められる。

図４に、導電性パターン４０のパターン形状の一例を示す。図４に示された例では、導電性パターン４０は、多数の開口領域４３を画成するメッシュ状のパターンで配置された導電性細線４１を含んでいる。また、導電性細線４１は、２つの分岐点４２の間を延びて、開口領域４３を画成する複数の接続要素４４を含んでいる。すなわち、導電性パターン４０の導電性細線４１は、両端において分岐点４２を形成する多数の接続要素４４の集まりとして構成されている。ここで、導電性細線４１の「分岐点」とは、１本の接続要素４４から２本以上の接続要素４４に分岐する箇所を意味する。言い換えると、導電性細線４１の「分岐点」とは、３本以上の接続要素４４が集まり互いに接続されている箇所である。

図４に示された例では、導電性パターン４０の多数の開口領域４３は、単位格子の配列が繰返し規則性（周期的規則性）を有しない形状およびピッチで配列されている。とりわけ図示された例では、多数の開口領域４３が、隣接母点間距離がある上限値および下限値内に分布するランダム２次元分布した母点から生成されるボロノイ図における各ボロノイ領域と一致するように配列されている。言い換えると、導電性パターン４０の各接続要素４４は、特定ボロノイ図におけるボロノイ領域の各境界と一致している。また、導電性パターン４０の各分岐点４２は、ボロノイ図におけるボロノイ点と一致している。なお、このボロノイ図は、例えば特開２０１２−１７８５５６号公報、特開２０１３−２３８０２９号公報等に開示されているような公知の方法によって得られるので、ここではボロノイ図の作成方法についての詳細な説明は省略する。

導電性パターンが、正方格子配列やハニカム配列等の、繰返し規則性（周期的規則性）を有する形状およびピッチで配列された多数の開口領域を有する場合、この多数の開口領域の配列の繰返し規則性に起因して、光芒が視認されることがある。光芒とは、例えば自動車のフロントウィンドウに対向車のヘッドライトの光が入射した場合等、発熱板に対して観察者と反対側から光が入射したときに、発熱板上で筋状等の所定のパターンに当該光が分散されて観察される現象であり、とりわけ導電性パターンの多数の開口領域が繰返し規則性を有する形状およびピッチで配列されている場合に、光芒が目立ちやすくなる傾向がある。そして、この光芒がドライバー等の観察者に視認されることは、観察者による発熱板を介した視認性を悪化させる。一方、図４に示されているような、繰返し規則性（周期的規則性）を有しない形状およびピッチで配列された多数の開口領域４３を有する導電性パターン４０によれば、発熱板１０に光芒が生じることを効果的に抑制することができる。

このような導電性パターン４０を構成するための材料としては、例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム、クロム、モリブデン、ニッケル、チタン、パラジウム、インジウム、タングステン等の金属、および、ニッケル−クロム合金、真鍮、青銅等のこれら例示の金属の合金中から選択した二種以上の金属の合金の一以上を例示することができる。

図５は、図４のＡ−Ａ線に対応する断面図であって、導電性細線４１の断面形状の一例を示す図である。基材３０上に、導電性パターン４０をなす複数の導電性細線４１が形成されている。図示された例では、導電性細線４１は、基材３０側の面４１ａ、基材３０と反対側の面４１ｂおよび側面４１ｃ，４１ｄを有し、全体として略矩形の断面を有している。導電性細線４１の幅Ｗ_ａ、すなわち、基材３０のシート面に沿った幅Ｗ_ａは２μｍ以上２０μｍ以下とし、高さ（厚さ）Ｈ_ａ、すなわち、基材３０のシート面への法線方向に沿った高さ（厚さ）Ｈ_ａは１μｍ以上６０μｍ以下とすることが好ましい。このような寸法の導電性細線４１によれば、その導電性細線４１が十分に細線化されているので、導電性パターン４０を効果的に不可視化することができる。

次に、図６〜図９を参照して、導電性パターン４０を有する導電性パターンシート２０の製造方法について説明する。図６〜図９は、導電性パターンシート２０の製造方法の一例を順に示す断面図である。

まず、図６に示すように、基材３０と、基材３０上に設けられた導電性金属層８１と、導電性金属層８１の基材３０と反対側に設けられたレジスト層８２と、を有する積層体８０を準備する。この積層体８０は、例えば、シート状の基材３０上に導電性金属層８１およびレジスト層８２をこの順に設けることにより作製することができる。

基材３０としては、例えば可視光線波長帯域の波長（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）を透過する一般に言うところの透明である電気絶縁性の樹脂基材を用いることができる。

導電性金属層８１は、上述したように、例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム、クロム、モリブデン、ニッケル、チタン、パラジウム、インジウム、タングステン等の金属、および、ニッケル−クロム合金、真鍮、青銅等のこれら例示の金属の合金中から選択した二種以上の金属の合金の一以上からなる層である。導電性金属層８１は、公知の方法で基材３０上に形成され得る。例えば、銅箔等の金属箔を接着剤や粘着剤を用いて貼着する方法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）、めっき法等の液相成長法、またはこれらの２以上を組み合わせた方法を採用することができる。

レジスト層８２は、例えば、公知のポジ型またはネガ型のフォトレジスト材料を、スピンコート法等により導電性金属層８１上に塗布し、フォトレジスト材料中に含まれる有機溶剤を加熱等により除去することにより形成することができる。ここで、ポジ型のフォトレジスト材料とは、後述のレジスト層８２を現像する工程において、露光された領域に存在する材料が除去され、露光されていない領域に存在する材料が残存するようになるフォトレジスト材料である。また、ネガ型のフォトレジスト材料とは、現像工程において、露光された領域に存在する材料が残存し、露光されていない領域に存在する材料が除去されるようになるフォトレジスト材料である。以下の説明においては、レジスト層８２のフォトレジスト材料として、ポジ型のフォトレジスト材料を用いる例について述べる。

次に、積層体８０のレジスト層８２をフォトマスク５０を介して、特定波長域の光、例えば紫外線を照射することにより露光する。フォトマスク５０を介した露光は、例えば、フォトマスク５０を積層体８０のレジスト層８２に密着させてフォトマスク５０の積層体８０と反対側から露光するコンタクト露光、フォトマスク５０を積層体８０のレジスト層８２から離間して配置してフォトマスク５０の積層体８０と反対側から露光するプロキシミティ露光、フォトマスク５０と積層体８０との間にレンズや鏡等の光学装置が配置されフォトマスク５０を透過した光が当該光学装置を介して積層体８０のレジスト層８２に投影されるプロジェクション露光等により行うことができる。図７には、プロキシミティ露光により積層体８０のレジスト層８２を露光する例を示している。

レジスト層８２のフォトレジスト材料として、ポジ型のフォトレジスト材料を用いる場合、フォトマスク５０の遮光パターン５２は、後に形成されるべき導電性パターン４０のパターンに対応したパターンで形成される。これにより、レジスト層８２における、後に形成されるべき導電性パターン４０のパターンに対応する箇所は遮光パターン５２により遮光され、他の箇所は露光される。このフォトマスク５０の遮光パターン５２の形状の詳細については後述する。

次に、図８に示されているように、レジスト層８２を現像してレジストパターン９０を形成する。例えば、スプレー法、浸漬法、パドル法等の公知の方法により、有機溶剤や有機アルカリ水溶液等の現像液をレジスト層８２に接触させ、レジスト層８２の露光された領域または露光されていない領域に存在するレジスト層８２を、溶解・除去し、純水等のリンス液ですすぐ。図８に示された、レジスト層８２のフォトレジスト材料として、ポジ型のフォトレジスト材料を用いる例では、レジスト層８２の露光された領域に存在するレジスト層８２が、溶解・除去される。これにより、フォトマスク５０の遮光パターン５２のパターンに対応したパターンを有するレジストパターン９０が形成される。とりわけ、レジストパターン９０は、フォトマスク５０の遮光パターン５２のパターンと同一のパターンを有する。

次に、図９に示されているように、レジストパターン９０をマスクとして、レジストパターン９０から露出した導電性金属層８１をエッチング（腐食）除去し、レジストパターン９０に覆われ残留した導電性金属層８１から導電性パターン４０を形成する。エッチング方法は特に限られないが、例えば、浸漬法、スプレー法、スピン法等を用いたウェットエッチング法を採用することができる。ウェットエッチング法によるエッチング工程では、エッチング液による導電性金属層８１のエッチングは、いわゆるサイドエッチングにより、導電性金属層８１のシート面への法線方向（以下、厚み方向とも呼ぶ）だけでなく、厚み方向と直交する方向、すなわち導電性金属層８１のシート面に沿った方向、にも進む。このため、図９、さらには、後に言及する図１５からも理解できるように、導電性パターン４０の平面視における輪郭は、レジストパターン９０の平面視における輪郭からずれる。とりわけ、導電性パターン４０の平面視における輪郭は、レジストパターン９０の平面視における輪郭よりも、レジストパターン９０の内側にずれる。言い換えると、導電性パターン４０の幅、すなわち基材３０のシート面に沿った幅、はレジストパターン９０の幅よりも狭くなる。このサイドエッチング量は、導電性金属層８１の厚さ、エッチング液の種類、濃度もしくは温度、または、エッチング時間等により調整することができる。

その後、導電性パターン４０上に残留しているレジストパターン９０を、有機溶剤や酸による溶解処理やアッシング処理等により除去（剥離）する。これにより、図５に示した、導電性パターン４０を有する導電性パターンシート２０が作製される。

発熱板１０は、ガラス板１１、接合層１３、導電性パターンシート２０、接合層１４、ガラス板１２をこの順に重ね合わせ、加熱・加圧することにより製造される。例えば、まず、接合層１３をガラス板１１に、接合層１４をガラス板１２に、それぞれ仮接着する。次に、ガラス板１１，１２の接合層１３，１４が仮接着された側が、それぞれ導電性パターンシート２０に対向するようにして、接合層１３が仮接着されたガラス板１１、導電性パターンシート２０、接合層１４が仮接着されたガラス板１２をこの順に重ね合わせ、加熱・加圧する。これにより、ガラス板１１、導電性パターンシート２０およびガラス板１２が、接合層１３，１４を介して接合され、図３に示す発熱板１０が製造される。

次に、図１０〜図１４を参照して、上述の導電性パターンシート２０に含まれる導電性パターン４０の製造方法で用いられるフォトマスク５０について説明する。図１０は、フォトマスク５０を、フォトマスク５０の板面への法線方向から見て示す平面図である。図１１は、図１０のフォトマスク５０のメッシュパターン６０の一部を拡大して示す図である。

フォトマスクは、その遮光領域の性質や遮光層の形成方法等から種々のものに分類され得る。例えば、遮光領域の性質によって、遮光パターンが形成され光を遮蔽する遮光領域と、遮光領域以外の光を透過させる光透過領域とを有するバイナリマスクや、光を遮蔽する遮光領域と、光を半透過させる半透過領域と、光を透過させる光透過領域とを有するハーフトーンマスク等に分類され得る。また、遮光層の形成方法によって、クロム等の金属からなる膜をエッチングすることにより遮光パターンを形成するハードマスクや、ハロゲン化銀の微粒子を分散させた感光性材料に光を照射して析出した金属銀により遮光パターンを形成するエマルジョンマスク等に分類され得る。

以下の説明においては、フォトマスクとして、透明基材上にクロム等の金属からなる遮光パターンが形成され、遮光領域と光透過領域とを有するバイナリマスクを用いた例について述べる。図１０および図１２に示された例では、フォトマスク５０は、透明基材５１と、透明基材５１上に形成された遮光パターン５２と、を有している。

透明基材５１は、遮光パターン５２を支持する機能を有する。透明基材５１の材料は、光透過性を有するものであれば特に限られないが、例えば、ソーダライムガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス材料を好適に用いることができる。透明基材５１の厚さは、遮光パターン５２を支持しつつ良好な光透過性を確保する観点から、０．１ｍｍ以上８ｍｍ以下であることが好ましい。

遮光パターン５２は、上述の導電性パターン４０の製造工程において、導電性金属層８１上に形成されたレジスト層８２に向けて照射される光を、所定のパターンで遮蔽する機能を有する。遮光パターン５２の材料は、少なくとも特定波長域の光を遮光することができる材料であれば特に限られないが、例えば、クロム、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）等の金属材料を用いることができる。また、遮光パターン５２は単層で形成されたものに限られず、クロム層の片面または両面に酸化クロム層を設けたもののように、複数層で形成されたものであってもよい。

次に、フォトマスク５０の遮光パターン５２の形状について説明する。フォトマスク５０の遮光パターン５２は、形成されるべき導電性パターン４０のパターン形状に対応したパターン形状を有している。とりわけ図１０および図１１に示された例では、フォトマスク５０の遮光パターン５２は、図４に示された、ランダムに配列された多数の開口領域４３を画成するメッシュ状のパターンを含む導電性パターン４０のパターン形状に対応した、メッシュパターン６０を含んでいる。

ところで、上述の導電性パターン４０の製造工程において、レジスト層８２として、ポジ型のフォトレジスト材料から形成されるレジスト層８２を用いる場合、フォトマスク５０の遮光パターン５２は、導電性パターン４０が形成されるべき箇所に対応して設けられる。この場合は、遮光パターン５２が形成された箇所がメッシュパターン６０をなし、遮光パターン５２が形成されない箇所が後述の開口領域６３をなす。一方、レジスト層８２として、ネガ型のフォトレジスト材料から形成されるレジスト層８２を用いる場合、フォトマスク５０の遮光パターン５２は、導電性パターン４０が形成されない箇所に対応して設けられる。この場合は、遮光パターン５２が形成されていない箇所がメッシュパターン６０をなし、遮光パターン５２が形成された箇所が後述の開口領域６３をなす。以下の説明においては、レジスト層８２として、ポジ型のフォトレジスト材料から形成されるレジスト層８２を用いる例、すなわち、フォトマスク５０の遮光パターン５２が、導電性パターン４０が形成されるべき箇所に対応して設けられ、遮光パターン５２が形成された箇所がメッシュパターン６０をなす例、について述べる。

図１０および図１１に示された例では、遮光パターン５２は、導電性パターン４０のパターン形状に対応して、多数の開口領域６３を画成するメッシュパターン６０をなしている。また、メッシュパターン６０は、２つの分岐点６２の間を延びて、開口領域６３を画成する複数の接続要素６４を含んでいる。すなわち、メッシュパターン６０は、両端において分岐点６２を形成する多数の接続要素６４の集まりとして構成されている。ここで、メッシュパターン６０の「分岐点」とは、１本の接続要素６４から２本以上の接続要素６４に分岐する箇所を意味する。言い換えると、メッシュパターン６０の「分岐点」とは、３本以上の接続要素６４が集まり互いに接続されている箇所である。

図１０および図１１に示された例では、メッシュパターン６０の多数の開口領域６３は、単位格子の配列が繰返し規則性（周期的規則性）を有しない形状およびピッチで配列されている。とりわけ図示された例では、多数の開口領域６３が、隣接母点間距離がある上限値および下限値内に分布するランダム２次元分布した母点から生成されるボロノイ図における各ボロノイ領域と一致するように配列されている。言い換えると、メッシュパターン６０の各接続要素６４は、特定ボロノイ図におけるボロノイ領域の各境界と一致している。また、メッシュパターン６０の各分岐点６２は、ボロノイ図におけるボロノイ点と一致している。なお、上述のように、このボロノイ図は公知の方法によって得られるので、ここではボロノイ図の作成方法についての詳細な説明は省略する。

図１２は、図１０のＢ−Ｂ線に対応して、フォトマスク５０の断面形状を示す横断面図である。透明基材５１上に、メッシュパターン６０をなす複数の接続要素６４が形成されている。図示された例では、接続要素６４は、全体として略矩形の断面を有している。接続要素６４の幅Ｗ_ｂ、すなわち、透明基材５１のシート面に沿った幅Ｗ_ｂは、上述のレジストパターン９０をマスクとして導電性金属層８１をエッチングし、導電性金属層８１から導電性パターン４０を形成する工程において導電性パターン４０の導電性細線４１に生じ得るサイドエッチングの分だけ、導電性細線４１の幅Ｗ_ａよりも大きくすることが好ましい。また、接続要素６４の高さ（厚さ）Ｈ_ｂ、すなわち、透明基材５１の板面への法線方向に沿った高さ（厚さ）Ｈ_ｂは０．０１μｍ以上６μｍ以下とすることが好ましい。

このようなフォトマスク５０は、例えば、フォトリソグラフィー技術を用いて以下のようにして作製され得る。まず、透明基材５１上にクロム等の金属材料からなる遮光膜を形成したマスクブランクスを準備し、マスクブランクスの遮光膜上にフォトレジスト材料からなるレジスト層を形成する。次に、レジスト層にレーザ光等でパターンを描画して露光させ、その後現像して、レジスト層からレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングし、遮光膜から遮光パターン５２を形成する。最後に、遮光パターン５２上のレジストパターンを剥離する。

図１３は、メッシュパターン６０に含まれる１つの分岐点６２の近傍を拡大して示す図である。図示された例では、各開口領域６３を画成する複数の接続要素６４のうち１つの分岐点６２で接続する２つの接続要素６４は、それぞれ各開口領域６３の周縁の一部をなす内側縁６５を有し、２つの接続要素６４の各内側縁６５が互いに接続する位置に切欠き７０が形成されている。例えば、図１３に示された例において、開口領域６３１を画成する複数の接続要素６４のうち１つの分岐点６２で接続する２つの接続要素６４１，６４２は、それぞれ開口領域６３１の周縁の一部をなす内側縁６５１ａ，６５２ａを有し、２つの接続要素６４１，６４２の各内側縁６５１ａ，６５２ａが互いに接続する位置に切欠き７０１が形成されている。

図１３に示された例では、切欠き７０は、最深部７１から各内側縁６５へ向かって拡開している。言い換えると、切欠き７０は、最深部７１から対応する開口領域へ向かうにつれて、その幅が大きくなるように変化している。とりわけ、切欠き７０は、最深部７１から対応する開口領域へ向かうにつれて、その幅が大きくなるようにのみ変化している。なお、図１３に示された例では、切欠き７０は、その境界部７２が、最深部７１から各内側縁６５へ向かう２本の直線で形成されているが、これに限られず、切欠き７０の境界７２は、曲線や折れ線、または、これらの組み合わせで形成されてもよい。

このようなメッシュパターン６０を有するフォトマスク５０を介してレジスト層８２を露光することにより、現像後に形成されるレジストパターン９０は、フォトマスク５０のメッシュパターン６０のパターンに対応したパターンを有する。とりわけ、レジストパターン９０は、フォトマスク５０のメッシュパターン６０のパターンと同一のパターンを有する。すなわち、レジストパターン９０は、ランダムに配列された多数の開口領域９３を画成するメッシュパターンを有し、メッシュパターンは、２つの分岐点９２の間を延びて開口領域９３を画成する複数の接続要素９４を含み、各開口領域９３を画成する複数の接続要素９４のうち１つの分岐点９２で接続する２つの接続要素９４は、それぞれ各開口領域９３の周縁の一部をなす内側縁９５を有し、２つの接続要素９４の各内側縁９５が互いに接続する位置に切欠き９６が形成されている。このような形状を有するレジストパターン９０をマスクとして導電性金属層８１をエッチングすると、レジストパターン９０の２つの接続要素９４の各内側縁９５が互いに接続する位置に形成された切欠き９６内にエッチング液が入り込むようになる。

従来技術においては、図１４（ｂ）に二点鎖線で示すように、レジストパターン１９０に含まれる１つの分岐点１９２で接続する２つの接続要素１９４の各内側縁１９５は、単に互いに接続していた。このような従来技術では、レジストパターン１９０に含まれる２つの接続要素１９４の各内側縁１９５が互いに接続する箇所においてエッチング液が滞留し、これにより導電性パターン１４０の導電性細線１４１の分岐点１４２に向かうサイドエッチングが抑制されていた。結果として、導電性パターン１４０の導電性細線１４１に含まれる分岐点１４２が太り、導電性パターン１４０が観察者から視認されやすくなっていた。

本実施の形態では、上述のように、レジストパターン９０の２つの接続要素９４の各内側縁９５が互いに接続する位置に形成された切欠き９６内にエッチング液が入り込む。そして、レジストパターン９０の切欠き９６内に入り込んだこのエッチング液により、導電性パターン４０の導電性細線４１の分岐点４２に向かってサイドエッチングが進行し、図１４（ａ）に示すように、導電性パターン４０の導電性細線４１に含まれる分岐点４２が太ることが抑制され得る。これにより、導電性パターン４０の不可視性が向上する。

ここで、本件発明者らは、レジストパターン９０の切欠き９６の寸法が一定であると、分岐点９２での２つの接続要素９４の接続角度により、導電性パターン４０の導電性細線４１の分岐点４２に向かうサイドエッチング量にばらつきが生じることを知見した。そして、本件発明者らによるさらなる研究により、レジストパターン９０の切欠き９６の最適な寸法は、分岐点９２での２つの接続要素９４の接続角度によって変化することが知見された。

図１３に示された例では、フォトマスク５０の切欠き７０の最深部７１と、２つの接続要素６４の各内側縁６５の延長線の交点Ｐとの距離を、くびれ深さＫとし、各内側縁６５の、切欠き７０によって削り取られた内側縁６５の長さを、くびれ長さＨとすると、くびれ深さＫは、２つの接続要素６４がなす角度θに応じて変化し、くびれ長さＨは、２つの接続要素６４がなす角度θに応じて変化している。すなわち、図１３に示された例では、３つの切欠き７０について、各切欠き７０のくびれ深さＫは、切欠き７０に隣接する２つの接続要素６４がなす角度θに応じた深さとなっている。また、各切欠き７０のくびれ長さＨは、切欠き７０に隣接する２つの接続要素６４がなす角度θに応じた長さとなっている。例えば、図１３に示された例において、切欠き７０１の最深部７１１と、２つの接続要素６４１，６４２の各内側縁６５１ａ，６５２ａの延長線の交点Ｐとの距離を、くびれ深さＫとし、各内側縁６５１ａ，６５２ａの、切欠き７０１によって削り取られた内側縁６５１ａ，６５２ａの長さを、くびれ長さＨとすると、くびれ深さＫは、２つの接続要素６４１，６４２がなす角度θに対応した深さを有し、くびれ長さＨは、２つの接続要素６４１，６４２がなす角度θに対応した長さを有している。なお、図１３に示した例では、１つの切欠き７０に対応する２つのくびれ長さＨは、互いに等しい長さを有している。

ここで、図１３に示された例では、２つの接続要素６４の各中心線（一点鎖線で示す）がなす角度を、２つの接続要素６４がなす角度θとしている。なお、これに限られず、２つの接続要素６４の各内側縁６５がなす角度を、２つの接続要素６４がなす角度θとしてもよい。

上述のように、レジストパターン９０は、フォトマスク５０のメッシュパターン６０のパターンに対応したパターンを有する。とりわけ、レジストパターン９０は、フォトマスク５０のメッシュパターン６０のパターンと同一のパターンを有する。したがって、図１４に示された例では、レジストパターン９０の切欠き９６の最深部９７と、２つの接続要素９４の各内側縁９５の延長線の交点Ｐとの距離を、くびれ深さＫとし、各内側縁９５の、切欠き９６によって削り取られた内側縁９５の長さを、くびれ長さＨとすると、くびれ深さＫは、２つの接続要素９４がなす角度θに応じて変化し、くびれ長さＨは、２つの接続要素９４がなす角度θに応じて変化している。

フォトマスク５０のメッシュパターン６０において、分岐点６２で接続する２つの接続要素６４がなす角度θに対する、対応する切欠き７０の適切なくびれ深さＫおよびくびれ長さＨは、実験により求めることができる。具体的には、θ＝０°からθ＝１８０°までの間に含まれる複数の異なる角度について、導電性パターン４０の導電性細線４１（接続要素４４）の所定の幅Ｗ_ａを確保しつつ、導電性パターン４０の導電性細線４１（接続要素４４）の交点の太りを十分に低減させることができるくびれ深さＫおよびくびれ長さＨを実験により求める。これにより、θ＝０°からθ＝１８０°までのくびれ深さＫおよびくびれ長さＨと、角度θとの関係を求めることができる。図１５に、くびれ深さＫおよびくびれ長さＨと、角度θとの関係の一例を示す。図１５に示された例では、分岐点６２で接続する２つの接続要素６４がなす角度θが大きくなるにつれて、対応する切欠き７０における最適なくびれ深さＫは、小さくなるように変化している。また、分岐点６２で接続する２つの接続要素６４がなす角度θが大きくなるにつれて、対応する切欠き７０における最適なくびれ長さＨは、小さくなるように変化している。とりわけ図１５に示された例では、分岐点６２で接続する２つの接続要素６４がなす角度θが大きくなるにつれて、対応する切欠き７０における最適なくびれ深さＫおよびくびれ長さＨは、いずれも小さくなるように変化している。なお、現実的には、θ＝０°の場合は考える必要はなく、θ＝１８０°の場合は、Ｋ＝０とすることができる。

図１５に示すような、切欠き７０のくびれ深さＫおよびくびれ長さＨと、この切欠き７０に隣接する２つの接続要素６４がなす角度θと、の関係が求められていれば、２つの接続要素６４がなす角度θ_１から、２つの接続要素６４の各内側縁が互いに接続する位置に形成されるべき切欠き７０のくびれ深さＫ_１およびくびれ長さＨ_１を算出することができる。これにより、メッシュパターン６０に含まれる各分岐点６２に対応した各切欠き７０について、くびれ深さＫおよびくびれ長さＨをオペレータがそれぞれ個別に決定していく必要はなく、コンピュータを用いて切欠き７０を含むメッシュパターン６０の具体的形状を自動的に決定することができる。したがって、メッシュパターン６０の設計において、大幅な省力化を図ることができる。

なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。

上述した実施の形態では、フォトマスク５０に含まれる複数の接続要素６４は、それぞれフォトマスク５０のシート面への法線方向から見て直線状（直線分）をなしていたが、これに限らず、複数の接続要素６４のうちの少なくとも一部が、フォトマスク５０のシート面への法線方向から見て直線状以外の形状、例えば曲線状または折れ線状の形状を有してもよい。具体的には、円弧状、放物線状、波線状、ジグザグ状、曲線と直線との組み合わせ等の形状を有してもよい。この場合、１つの分岐点６２で接続する２つの接続要素６４がなす角度は、当該分岐点６２の近傍の所定の領域において２つの接続要素６４がなす角度としてもよい。

このような、直線（直線分）以外の形状の接続要素６４を含むフォトマスク５０を用いて作製された導電性パターン４０によれば、フォトマスク５０のメッシュパターン６０に対応して形成され、曲線状、折れ線状等の形状を有する接続要素４４の側面に入射した光は、当該側面で乱反射する。これにより、当該接続要素４４の側面に一定の方向から入射した光（対向車のヘッドライトの光や太陽光等）が、その入射方向に対応して当該側面で一定の方向に反射することが抑制される。したがって、この反射光がドライバー等の観察者に視認されて、接続要素４４を有する導電性パターン４０が観察者に視認されることを、抑制することができる。

他の変形例として、導電性細線４１の延在方向（長手方向）に直交する断面において、導電性細線４１の基材３０側の面４１ａ、基材３０と反対側の面４１ｂおよび側面４１ｃ，４１ｄのいずれかの面に、暗色層が設けられていてもよい。暗色層としては、種々の既知の層を用いることができる。導電性金属層８１をなす材料の一部分に暗色化処理（黒化処理）を施して、導電性金属層８１をなしていた一部分から、金属酸化物や金属硫化物からなる暗色層を形成してもよい。また、暗色材料の塗膜や、ニッケルやクロム等のめっき層等のように、導電性金属層８１上に暗色層を設けるようにしてもよい。また、ここで用いる暗色層とは、暗色化（黒化）された層のみでなく、粗化された層も含む。

このような暗色層が設けられた導電性細線４１によれば、高い光反射率を有する金属材料からなる導電性細線４１の表面で生じる意図しない反射光によって、導電性細線４１を有する導電性パターンが観察者から視認されることを、効果的に抑制することができる。

また、フォトマスク５０、このフォトマスク５０を用いた導電性パターン４０の製造方法を、デフロスタ装置の発熱パターンの作製以外の用途、例えば、タッチパネル用電極基板、透明アンテナ、電磁波遮蔽材（電磁波遮蔽シート）等における導電性パターンの製造に適用することも可能であり、この場合においても、上述の実施の形態で説明した作用効果を得ることができる。

なお、以上において上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

以下、実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。

以下に説明する実施例および比較例に係る導電性パターンを実際に作製して、導電性パターンの導電性細線の分岐点における配線太りの大きさについて確認した。フォトマスクとしては、上述の実施の形態で説明したフォトマスクと同様に、ランダムに配列された多数の開口領域を画成するメッシュパターンを有し、メッシュパターンは、２つの分岐点の間を延びて開口領域を画成する複数の接続要素を含むものとした。具体的には、フォトマスクとして、厚さ５ｍｍのソーダガラスからなる透明基材上に、ランダムに配列された多数の開口領域を画成する幅１０μｍ、高さ（厚さ）５．５μｍの多数の接続要素を含むメッシュパターンを有するフォトマスクを用いた。

導電性パターンは、上述の実施の形態で説明した導電性パターンの製造方法と同様の工程で作製した。具体的には、厚さ０．１ｍｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基材上に、厚さ１２μｍの銅からなる導電性金属層を銅箔の貼合により形成し、この導電性金属層上にネガ型のドライフィルムレジストを貼合することによりレジスト層を形成し、基材、導電性金属層およびレジスト層を含む積層体を作製した。次に、この積層体のレジスト層に、上述のフォトマスクを介して紫外線（ＵＶ光）を照射し、レジスト層を露光させた。その後、炭酸ソーダ系現像液で現像し、レジスト層からレジストパターンを形成した。次に、このレジストパターンをマスクとして銅からなる導電性金属層をエッチングし、導電性金属層から導電性パターンを形成した。エッチング液としては、塩化鉄系エッチング液を用い、温度４５℃で２０秒エッチングを行った。その後、レジストパターンを剥離した。

（実施例）
実施例では、フォトマスクとして、メッシュパターンに含まれる各分岐点で接続する２つの接続要素の各内側縁が互いに接続する位置に、下記のくびれ深さＫおよびくびれ長さＨを有する切欠きを形成したものを用いた。

フォトマスクのメッシュパターンに含まれる１つの分岐点における接続要素の各接続角度θは、
θ_１＝５０°
θ_２＝１０２°
θ_３＝７８°
θ_４＝１３０°
とした。

各接続角度θに対応する切欠きのくびれ深さＫおよびくびれ長さＨは、
θ_１に対応する切欠き：Ｋ_１＝８μｍ、Ｈ_１＝３０μｍ
θ_２に対応する切欠き：Ｋ_２＝５μｍ、Ｈ_２＝１０μｍ
θ_３に対応する切欠き：Ｋ_３＝６μｍ、Ｈ_３＝１５μｍ
θ_４に対応する切欠き：Ｋ_４＝４μｍ、Ｈ_４＝５μｍ
とした。なお、すべての切欠きについて、１つの切欠きに対応する２つのくびれ長さＨは、それぞれ同じ長さとした。

このフォトマスクを用いて作製された導電性パターンの１つの分岐点の近傍を拡大した光学顕微鏡写真を、図１６（ａ）に示す。この分岐点は、本実施例で用いたフォトマスクのメッシュパターンに含まれる上述の分岐点に対応している。作製された導電性パターンにおける導電性細線（接続要素）の幅の平均値は、１５．７μｍであった。

（比較例）
比較例では、フォトマスクとして、メッシュパターンに含まれる各分岐点で接続する２つの接続要素の各内側縁が互いに接続する位置に、切欠きを設けないものを用いた。

フォトマスクのメッシュパターンに含まれる１つの分岐点における接続要素の各接続角度θは、
θ_５＝５０°
θ_６＝１０２°
θ_７＝７８°
θ_８＝１３０°
とした。

このフォトマスクを用いて作製された導電性パターンの１つの分岐点の近傍を拡大した光学顕微鏡写真を、図１６（ｂ）に示す。この分岐点は、本比較例で用いたフォトマスクのメッシュパターンに含まれる上述の分岐点に対応している。作製された導電性パターンにおける導電性細線（接続要素）の幅の平均値は、２４．７μｍであった。

作製した実施例に係る導電性パターン、および、比較例に係る導電性パターンについて、導電性パターンの分岐点における、接続要素の接続角度θ_３，θ_７に対応する、分岐点の中心から、接続角度θ_３，θ_７をなす２つの接続要素を含む複数の接続要素によって画成される開口領域の周縁までの最短距離Ｌ_１，Ｌ_２について比較した。実施例に係る導電性パターンにおける、分岐点の中心から、接続角度θ_３をなす２つの接続要素を含む複数の接続要素によって画成される開口領域の周縁までの最短距離Ｌ_１は、１５．７μｍであった。一方、比較例に係る導電性パターンにおける、分岐点の中心から、接続角度θ_７をなす２つの接続要素を含む複数の接続要素によって画成される開口領域の周縁までの最短距離Ｌ_２は、２４．７μｍであった。これにより、実施例に係る導電性パターンにおいて、導電性細線の分岐点における配線太りが抑制されていることを確認した。

１ 自動車
５ フロントウィンドウ
７ 電源
１０ 発熱板
１１ ガラス板
１２ ガラス板
１３ 接合層
１４ 接合層
１５ 配線部
１６ 接続部
２０ 導電性パターンシート
３０ 基材
３１ 保持層
４０ 導電性パターン
４１ 導電性細線
４２ 分岐点
４３ 開口領域
４４ 接続要素
５０ フォトマスク
５１ 透明基材
５２ 遮光パターン
６０ メッシュパターン
６２ 分岐点
６３ 開口領域
６４ 接続要素
６５ 内側縁
７０ 切欠き
７１ 最深部
８０ 積層体
８１ 導電性金属層
８２ レジスト層
９０ レジストパターン
９２ 分岐点
９３ 開口領域
９４ 接続要素
９５ 内側縁
９６ 切欠き
９７ 最深部

Claims (3)

1. ランダムに配列された多数の開口領域を画成するメッシュパターンを有するフォトマスクであって、
   前記メッシュパターンは、２つの分岐点の間を延びて前記開口領域を画成する複数の接続要素を含み、
   各開口領域を画成する複数の接続要素のうち１つの分岐点で接続する２つの接続要素は、それぞれ各開口領域の周縁の一部をなす内側縁を有し、前記２つの接続要素の各内側縁が互いに接続する位置に切欠きが形成され、
   前記切欠きの最深部と、前記２つの接続要素の各内側縁の延長線の交点との距離を、くびれ深さ（Ｋ）とし、各内側縁の、前記切欠きによって削り取られた内側縁の長さを、くびれ長さ（Ｈ）とすると、
   前記くびれ深さ（Ｋ）は、前記２つの接続要素がなす角度に応じて変化し、前記くびれ長さ（Ｈ）は、前記２つの接続要素がなす角度に応じて変化する、メッシュパターン、を有するフォトマスク。
2. 前記切欠きは、前記最深部から前記内側縁へ向かって拡開する、請求項１に記載のフォトマスク。
3. 基材と、前記基材上に設けられた導電性金属層と、前記導電性金属層の前記基材と反対側に設けられたレジスト層と、を有する積層体の前記レジスト層を、請求項１または２に記載のフォトマスクを介して露光する工程と、
   露光された前記レジスト層を現像し、前記レジスト層から、前記フォトマスクの前記メッシュパターンに対応するパターンを有するレジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンをマスクとして前記導電性金属層をエッチングし、前記導電性金属層から導電性パターンを形成する工程と、を含む、導電性パターンの製造方法。