JP6500481B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、半導体装置の製造方法に関する。

一般に、電力変換装置などに用いられるパワー半導体素子としては、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：絶縁ゲート型電界効果トランジスタ）やＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）などのスイッチング動作を行う半導体素子や、これらの半導体素子と組み合わせて使用されるＦＷＤ（Ｆｒｅｅ Ｗｈｅｅｌ Ｄｉｏｄｅ）などがある。

例えば、ＩＧＢＴは、ＭＯＳＦＥＴの高速スイッチング特性および電圧駆動特性と、バイポーラトランジスタの低オン電圧特性と、を有し、パンチスルー（ＰＴ：Ｐｕｎｃｈ Ｔｈｒｏｕｇｈ）型や、ノンパンチスルー（ＮＰＴ：Ｎｏｎ Ｐｕｎｃｈ Ｔｈｒｏｕｇｈ）型、フィールドストップ（ＦＳ：Ｆｉｅｌｄ Ｓｔｏｐ）型などの構造が公知である。ＮＰＴ型ＩＧＢＴやＦＳ型ＩＧＢＴでは、フローティングゾーン（ＦＺ：Ｆｌｏａｔｉｎｇ Ｚｏｎｅ）法による安価な半導体基板（以下、ＦＺ基板とする）を用いた製造方法が知られている。

ＦＺ基板を用いることで、例えば出発基板上に複数のエピタキシャル層を積層してなる半導体基板（以下、エピタキシャル基板とする）を用いる場合よりも、製品厚さ（半導体基板の総厚さ）を大幅に薄くすることができ、放熱性を高めることができる。例えばＦＳ型ＩＧＢＴの場合、半導体基板の総厚さは５０μｍ〜２００μｍ程度となる。このような半導体素子（チップ）の各電極は、当該素子を実装した絶縁基板上の回路パターンや板状の導体（以下、まとめて外部接続用端子とする）などに接続され、外部に引き出される。

例えば、両主面に電極（電極パッド）を有する縦型半導体素子では、おもて面電極および裏面電極ともにはんだ接合によってそれぞれ異なる外部接続用端子（例えば銅箔板）と接合する方法が提案されている。おもて面電極と外部接続用端子とをはんだ接合することで、おもて面電極と外部接続用端子とワイヤボンディングによって接続する場合よりも、モジュールパッケージの高密度実装化や、電流密度の向上、スイッチング速度の高速化のための配線容量低減、半導体素子の冷却効率の向上などが実現可能となる。

おもて面電極は、通常、例えばアルミニウム（Ａｌ）を主成分とするはんだ濡れ性の劣る金属を用いて形成される。このため、おもて面電極の表面にはんだ濡れ性のよい金属層（例えばニッケル（Ｎｉ）層）を形成することでおもて面電極の表面のはんだ濡れ性を向上させ、おもて面電極とはんだ層との界面での接合信頼性を向上させる方法が提案されている（例えば、下記特許文献１（第００３３段落）参照。）。このようにおもて面電極の表面にはんだ濡れ性のよい金属層を形成する方法として、電解めっき法や無電解めっき法によるめっき処理が公知である。

また、めっき層を形成しない部分を絶縁膜や樹脂膜、レジスト膜、支持基板などで覆った状態、または、めっき層を形成しない部分へのめっき液の回り込みを防止する専用治具によって半導体基板を固定した状態で、所定部分のみに選択的にめっき処理を行う方法が公知である。例えば、半導体基板の被処理面とは反対側の面に接着剤層を介してサポートプレート（支持基板）を貼り付けた状態で当該被処理面に所定処理を行う方法が提案されている（例えば、下記特許文献２参照。）。

また、別の方法として、半導体基板の一方の主面側の電極（おもて面電極）の表面のみにめっき層を形成するにあたって、他方の主面側の電極（裏面電極）の表面に第１フィルムを貼り付け、かつ半導体基板の外周部に第２フィルムを貼り付けた状態でめっき処理を行う方法が提案されている（例えば、下記特許文献３参照。）。下記特許文献３では、裏面電極および基板外周部をフィルムによって保護することで、裏面電極および基板外周部へのめっき層の異常析出、異常析出しためっき層が剥離して生じるめっき浴汚染や浴組成の経時変化などを防止している。

特開２００５−１９７９８号公報 特開２００５−１９１５５０号公報 特開２０１４−８６６６７号公報

しかしながら、発明者らの鋭意研究により、従来のめっき処理方法では、次の問題が生じることが判明している。半導体基板の厚さを例えば３０μｍ〜２００μｍ程度と薄くした場合、めっき処理前までの工程によって半導体基板に反りが生じる。このため、めっき層を形成しない部分へのめっき液の回り込みを防止する専用治具で半導体基板を固定する方法では、半導体基板に割れや欠けが生じる虞がある。したがって、半導体基板を専用治具に固定する作業は自動化が難しく、作業員による手作業となるため、時間と手間がかかり、大量生産することができないという問題がある。

また、半導体基板の例えば裏面側をレジスト膜で覆った状態でおもて面電極にめっき処理を行う場合、レジスト膜の形成前に半導体基板の裏面側に形成される金属層（裏面電極）とレジスト膜との密着性が低い。このため、半導体基板のおもて面にめっき層を形成するための８０℃前後の温度での無電解めっき処理によって、裏面電極からレジスト膜が剥離してしまう。さらに、無電解めっき処理中にレジスト膜中の有機溶剤などの成分がめっき液に溶解し、めっき浴が汚染される虞がある。

めっき浴が有機溶剤などで汚染された場合、めっき層と金属層との密着不良、めっき層表面が部分的に突出した状態になる（めっき層のふくれ）、めっき層が析出しない、析出速度の遅延、めっき層表面の光沢ムラや白濁、めっき層の異常析出などの問題が生じる。このため、めっき浴の交換とめっき槽の洗浄とが必要となる。また、レジスト膜は高価であるため、半導体素子の製造コストが高くなるという問題がある。

さらに、半導体基板が２００μｍ以下と薄い場合、めっき層を形成しない部分を覆うように塗布されたレジストを硬化させてレジスト膜を形成したときに発生する応力によって半導体基板が反ってしまい、半導体基板の自動搬送が困難であるといった問題がある。これらの問題は、無電解めっき処理によってニッケル層を形成する場合（無電解ニッケルめっき処理）に限らず、無電解めっき処理によって金めっき層など他の金属層を形成する場合においても同様に生じる。

上記特許文献２では、サポートプレートを半導体基板から剥離する際に、サポートプレートと半導体基板との間の接着剤層を溶解するためのアルコールの注入口となる複数の小さな貫通孔がサポートプレートのほぼ全面にわたって形成されている。このため、上記特許文献２を適用して無電解めっき処理を行った場合、無電解めっき処理で用いる硝酸（強酸）や水酸化ナトリウム溶液（強アルカリ）などの薬液がサポートプレートの貫通孔を通じて接着剤層に達する。この薬液によって接着剤層が溶解され、接着剤層の粘着力が失われるため、無電解めっき処理中に半導体基板からサポートプレートが剥離してしまう。また、無電解めっき処理中に溶解した接着剤層によってめっき浴が汚染されてしまう。

上記特許文献３では、強い圧力で押し付けながらフィルムを半導体基板に貼り付けることで、フィルムにめっき液が染み込みにくくなる。このため、めっき処理中に半導体基板からフィルムが剥離しにくく、フィルムで覆われた、めっき層を形成しない部分でのめっき層の異常析出が抑制される。しかしながら、めっき処理後もフィルムの粘着力が高いまま維持されるため、フィルムの剥離が困難であり、半導体基板の表面にフィルムの粘着成分が残る虞がある。半導体基板の表面にフィルムの粘着成分が残った場合、その後の工程において、半導体基板の搬送時に搬送手段に半導体基板が貼り付いてしまい、搬送手段から半導体基板を剥がす際に半導体基板に割れが生じる虞がある。このため、製造工程の自動化が困難である。一方、弱い圧力で押し付けながらフィルムを半導体基板に貼り付ける場合、フィルムにめっき液が染み込みやすく、めっき処理中にフィルムの粘着力が低下し半導体基板からフィルムが剥離してしまう。このため、めっき層を形成しない部分でのめっき層の異常析出を防止することができないという問題がある。

この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、めっき層を形成しない部分でのめっき層の異常析出を防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。また、この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、所定部分にめっき処理を行うにあたって、めっき層を形成しない部分への保護膜の貼り付けおよび当該保護膜の剥離を安定的に行うことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの一方の主面側にめっき処理によってめっき層を形成する半導体装置の製造方法であって、次の特徴を有する。まず、前記半導体ウェハの一方の主面側に第１電極を形成する第１工程を行う。次に、前記半導体ウェハの他方の主面側に、第１フィルムを貼り付ける第２工程を行う。前記第２工程の後、前記半導体ウェハの外周部に第２フィルムを貼り付ける第３工程を行う。前記第３工程の後、前記めっき処理によって前記半導体ウェハの一方の主面側に前記第１電極上に前記めっき層を形成する第４工程を行う。前記半導体ウェハはノッチ部またはオリエンテーションフラット部を有する。そして、前記第３工程では、円柱状の複数のローラーを用いて前記半導体ウェハ上の前記第２フィルムに圧力をかけることにより、前記半導体ウェハに前記第２フィルムを貼り付ける。前記複数のローラーとして、前記半導体ウェハの側面に前記第２フィルムを介して接触する第１ローラーと、前記半導体ウェハの一方の主面および他方の主面にそれぞれ前記第２フィルムを介して接触する第２ローラーと、を用いる。前記第１ローラーの直径は、前記半導体ウェハの前記ノッチ部または前記オリエンテーションフラット部の幅よりも大きい。

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第３工程では、第１，２貼付工程を行う。前記第１貼付工程では、前記第１ローラーによって前記半導体ウェハの側面に前記第２フィルムを押し付けて貼り付ける。前記第２貼付工程では、前記半導体ウェハの側面に貼り付いた状態の前記第２フィルムの端部を、前記第２ローラーと前記半導体ウェハとの間に挟み込んで前記半導体ウェハの主面に貼り付けることを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第２貼付工程では、前記第２フィルムの、前記第１ローラーによって前記半導体ウェハの側面に貼り付けられた部分から前記第２フィルムの端部を前記半導体ウェハとの間に挟み込むことを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第３工程では、前記半導体ウェハの外周を少なくとも１周するように前記第２フィルムを貼り付けることを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第３工程では、前記第２フィルムの、前記半導体ウェハの外周に沿う方向において貼り付けの始点側となる端部上に、前記第２フィルムの、前記半導体ウェハの外周に沿う方向において貼り付けの終点側となる端部が重なるように、前記第２フィルムを貼り付けることを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第３工程では、前記第２フィルムの、前記半導体ウェハの外周に沿う方向において貼り付けの終点側となる端部の自由端側を、前記半導体ウェハの側面よりも外側に出っ張らせてなる出っ張り部を残すことを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第４工程の後、前記第２フィルムの前記出っ張り部を保持して前記第２フィルムを剥離する第５工程をさらに含むことを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第１ローラーは弾性体からなり、前記第１ローラーのショア硬度は３０以上９０以下であることを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第１ローラーによって前記第２フィルムを貼り付けるときに前記半導体ウェハにかかる圧力は、５０ｋＰａ以上２５０ｋＰａ以下であることを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第１ローラーは、前記半導体ウェハの側面に対向する部分にＶ字状の溝を有することを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第１ローラーの前記溝の角度が３０度以上１６０度以下であることを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第３工程では、前記半導体ウェハの一方の主面から他方の主面に跨るように、前記半導体ウェハの外周部に前記第２フィルムを貼り付けることを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第３工程では、前記第１フィルム上で終端するように、前記第２フィルムを前記半導体ウェハの外周部に貼り付けることを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第４工程では、前記第１電極上に複数のめっき層を順に積層することを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第４工程は、少なくとも、無電解めっき処理により前記第１電極上にニッケル層を形成する工程、または、電解めっき処理により前記第１電極上にニッケル層を形成する工程を含むことを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第１工程では、前記半導体ウェハの一方の主面側に前記第１電極を形成するとともに、前記半導体ウェハの他方の主面側に第２電極を形成し、前記第２工程では、前記半導体ウェハの他方の主面側に、前記第２電極を覆うように第１フィルムを貼り付けることを特徴とする。

上述した発明によれば、第１ローラーによって半導体ウェハの側面に第２フィルムを押し付け、かつ第２ローラーによって半導体ウェハの主面との間に第２フィルムの端部を挟み込むことにより、しわや半導体ウェハから離れている箇所を生じさせることなく第２フィルムを半導体ウェハの外周部に貼り付けることができる。これにより、めっき処理中に第２フィルムの短手方向の端部から接着層に浸透しためっき液が半導体ウェハの側面に達することを防止することができる。これにより、半導体ウェハの、めっき層を形成しない部分にめっき液が触れることを防止することができる。

また、上述した発明によれば、第１ローラーおよび第２ローラーを適宜制御することにより、第２フィルムの、半導体ウェハの外周に沿う方向（第２フィルムの長手方向）の端部同士を容易に重ね合わせることができるとともに、第２フィルムの長手方向の端部に第２フィルムを剥離する際の剥がし用の保持部となる出っ張り部を容易に形成することができる。第２フィルムの長手方向の端部同士を重ね合わせることで、第２フィルムの長手方向の端部から接着剤層に浸透しためっき液が半導体ウェハの側面に達することを防止することができる。また、第２フィルムの長手方向の出っ張り部を保持して、半導体ウェハを回転させる、または当該出っ張り部を引っ張ることで、第２フィルムを容易に剥離することができる。

本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、めっき層を形成しない部分でのめっき層の異常析出を防止することができるという効果を奏する。また、本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、所定部分にめっき処理を行うにあたって、めっき層を形成しない部分への保護膜の貼り付けおよび当該保護膜の剥離を安定的に行うことができるという効果を奏する。

実施の形態にかかる半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の構成を示す断面図である。 実施の形態にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す平面図である。 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す平面図である。 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す平面図である。 押し付けローラーのショア硬度と耐久性との関係を示す特性図である。 押し付けローラーの押し付け圧力と耐久性との関係を示す特性図である。 押し付けローラーのＶ溝の角度と耐久性との関係を示す特性図である。 挟み込みローラーの挟み込み圧力と第２フィルムの貼り付け直後の状態との関係を示す特性図である。 挟み込みローラーの挟み込み圧力と第２フィルムの貼り付け直後の状態との関係を示す特性図である。

以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体装置の製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。本明細書および添付図面においては、ｎまたはｐを冠記した層や領域では、それぞれ電子または正孔が多数キャリアであることを意味する。また、ｎやｐに付す＋および−は、それぞれそれが付されていない層や領域よりも高不純物濃度および低不純物濃度であることを意味する。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

（実施の形態）
まず、実施の形態にかかる半導体装置の製造方法により作製（製造）される半導体装置について、例えばプレーナゲート構造のフィールドストップ（ＦＳ）型ＩＧＢＴを例に説明する。図１は、実施の形態にかかる半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の構成を示す断面図である。図１に示すように、実施の形態にかかる半導体装置は、例えばフローティングゾーン法により作製されたｎ^-型半導体基板（ＦＺ基板）をｎ^-型ドリフト層１とし、その一方の主面（おもて面）側にＭＯＳゲート（金属−酸化膜−半導体からなる絶縁ゲート）構造からなるおもて面素子構造を備える。ｎ^-型ドリフト層１は、活性層としての機能を有する。ＭＯＳゲート構造は、ｐ⁺型ベース領域２、ｎ⁺型エミッタ領域３、ゲート絶縁膜４およびゲート電極５からなる。

具体的には、ｎ^-型半導体基板の一方の主面の表面層に、ｐ⁺型ベース領域２が選択的に設けられている。ｐ⁺型ベース領域２の内部には、ｎ⁺型エミッタ領域３が選択的に設けられている。ｐ⁺型ベース領域２の、ｎ^-型ドリフト層１とｎ⁺型エミッタ領域３とに挟まれた部分の表面には、ゲート絶縁膜４を介してゲート電極５が設けられている。エミッタ電極６は、層間絶縁膜７を深さ方向に貫通するコンタクトホールを介してｎ⁺型エミッタ領域３およびｐ⁺型ベース領域２に接するとともに、層間絶縁膜７によりゲート電極５と電気的に絶縁されている。エミッタ電極６は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属層であるのが好ましい。その理由は、エミッタ電極６と半導体部との密着性を向上させることができるからである。

エミッタ電極６の表面には、ニッケル（Ｎｉ）めっき層１１および金（Ａｕ）めっき層１２が順に積層されている。ニッケルめっき層１１および金めっき層１２は、エミッタ電位を有し、エミッタ電極６として機能する。金めっき層１２の表面には、エミッタ電極６を外部へ引き出すための図示省略した外部接続用端子（例えば絶縁基板上の回路パターンや板状の導体）がはんだ接合され、ニッケルめっき層１１および金めっき層１２は外部接続用端子とのはんだ接合によって溶融される（はんだ食われ）。ニッケルめっき層１１は、外部接続用端子とのはんだ接合時にはんだとの密着性を向上させる機能を有する。金めっき層１２は、ニッケルめっき層１１の酸化を防止する機能を有する。ニッケルめっき層１１の厚さは、例えば５μｍ程度であってもよい。金めっき層１２の厚さは、例えば０．０３μｍ程度であってもよい。

ｎ^-型半導体基板の他方の主面（裏面）の表面層には、ｐ⁺型コレクタ層８が設けられ、他方の主面からｐ⁺型コレクタ層８よりも深い部分にｎ型バッファ層１０が設けられている。コレクタ電極９は、ｐ⁺型コレクタ層８の表面に設けられている。コレクタ電極９は、図示省略するが例えばアルミニウム層、チタン（Ｔｉ）層、ニッケル層および金層を順に積層してなる積層膜であってもよい。コレクタ電極９の表面には、コレクタ電極９を外部へ引き出すための図示省略した外部接続用端子がはんだ接合され、コレクタ電極９を構成するニッケル層および金層は外部接続用端子とのはんだ接合によって溶融される。コレクタ電極９を構成するニッケル層および金層は、それぞれニッケルめっき層１１および金めっき層１２と同様の効果を有する。コレクタ電極９を構成するチタン層は、はんだとの密着性の低いアルミニウム層とはんだ層とが接触することを防止する機能を有する。

次に、実施の形態にかかる半導体装置の製造方法について、図１に示すＦＳ型ＩＧＢＴを作製する場合を例に説明する。図２は、実施の形態にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。図３〜６，８〜１０は、実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。図７，１１，１２は、実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す平面図である。図７，１１，１２には、半導体ウェハ２０をおもて面側から見た状態を示す。図３〜１２は、図２の各ステップでの製造途中の状態を示している。図３〜７には、厚さが均一な通常の半導体ウェハ２０を用いた場合を例に製造途中の状態を示す。図８〜１２には中央部３１の厚さを薄くして外周部３２を所定の幅で厚く残したリブ形状の半導体ウェハ３０を用いた場合を例に製造途中の状態を示す。図９は、図１１の切断線Ａ−Ａ’における断面図である。図１０は、後述する挟み込みローラーの中心線Ｂ−Ｂ’を通り、かつ半導体ウェハ３０の主面と直交する平面で切断した断面図である。

まず、図３に示すように、ｎ^-型ドリフト層１となる例えば６００μｍ程度のほぼ均一な厚さのｎ^-型の半導体ウェハ（ＦＺウェハ）２０のおもて面の中央部３１に、ＭＯＳゲート構造、エミッタ電極６および層間絶縁膜７などからなるおもて面素子構造を形成する（ステップＳ１）。エミッタ電極６は、例えば蒸着法やスパッタ法によって形成される。図３では、ＭＯＳゲート構造を構成するｐ⁺型ベース領域２およびｎ⁺型エミッタ領域３を図示省略する（図４〜６においても同様）。半導体ウェハ２０のうち、ｐ⁺型ベース領域２およびｎ⁺型エミッタ領域３と、後の工程で形成されるｐ⁺型コレクタ層８およびｎ型バッファ層１０とを除く部分がｎ^-型ドリフト層１となる。次に、半導体ウェハ２０を裏面側から研削（バックグラインド）していき、例えば１００μｍ程度まで薄くする（ステップＳ２）。

次に、エッチングによって半導体ウェハ２０の裏面全面を均一に除去し、半導体ウェハ２０の厚さをさらに２０μｍ程度に薄くする（ステップＳ３）。ステップＳ３においては、半導体ウェハ２０の裏面全面をエッチングすることによって、半導体ウェハ２０の研削後の裏面に生じた損傷を除去することができるとともに、半導体ウェハ２０にかかる応力を緩和することができる。ここまでの工程により、半導体ウェハ２０の厚さは半導体装置として用いる製品厚さと同程度となる。次に、半導体ウェハ２０を清浄した後、半導体ウェハ２０の裏面に、ｎ型バッファ層１０を形成するためのｎ型不純物のイオン注入と、ｐ⁺型コレクタ層８を形成するためのｐ型不純物のイオン注入とを順に行う（ステップＳ４）。ステップＳ４のイオン注入の順序は種々変更可能である。

次に、半導体ウェハ２０に注入された不純物を活性化させるための熱処理を行い（ステップＳ５）、半導体ウェハ２０の裏面側にｎ型バッファ層１０およびｐ⁺型コレクタ層８を形成する。次に、ｐ⁺型コレクタ層８の表面層に形成された自然酸化膜などの表面硬化層を希フッ酸（ＨＦ）によって除去する（ステップＳ６）。次に、ｐ⁺型コレクタ層８の表面に、裏面電極となるコレクタ電極９を形成する（ステップＳ７）。コレクタ電極９は、蒸着法またはスパッタ法によって例えばアルミニウム層、チタン層、ニッケル層および金層を順に積層することで形成される。次に、半導体ウェハ２０の裏面側全体、すなわちコレクタ電極９の表面全体に第１フィルム（裏面保護フィルム）２１を貼り付ける（ステップＳ８）。また、上述したステップＳ７を省略してもよい。例えば半導体ウェハ２０の裏面側に電極を形成せずに、半導体ウェハ２０の裏面側の表面全体に第１フィルム２１を貼り付けてもよい。

第１フィルム２１は、基材および接着剤層（不図示）からなり、接着剤層側をウェハ側にして貼り付けられる。第１フィルム２１をコレクタ電極９の表面に貼り付けた後、または、第１フィルム２１をコレクタ電極９の表面に貼り付けながら、例えば機械的に第１フィルム２１を半導体ウェハ２０に押し付けることで、半導体ウェハ２０と第１フィルム２１との間に残留する空気を押し出してもよい。第１フィルム２１の貼り付けは、減圧雰囲気、好ましくは真空雰囲気のチャンバー（不図示）内で行うのがよい。その理由は、減圧雰囲気において第１フィルム２１を貼り付けることにより、第１フィルム２１と半導体ウェハ２０との間に空気が残留することを防止することができるからである。

第１フィルム２１の直径は、半導体ウェハ２０の直径と同程度の寸法であるか、半導体ウェハ２０の直径よりも例えば１ｍｍ程度小さい（好ましくは０．５ｍｍ程度小さい）寸法であることがよい。その理由は、半導体ウェハ２０に第１フィルム２１を貼り付けた後に、半導体ウェハ２０の外周部３２よりも外側に第１フィルム２１が飛び出している場合、半導体ウェハ２０の側部（半導体ウェハ２０の側面の、おもて面とほぼ直交するほぼ平坦な部分）２０ａを覆う後述する第２フィルム２２を貼り付けづらく、半導体ウェハ２０と第２フィルム２２との間に空気が残留しやすくなるからである。第１フィルム２１には、後述するめっき処理のめっき液に対する耐薬品性や、めっき液の温度への耐熱性を有するものを用いる。具体的には、めっき液の温度は例えば８０℃程度であるため、第１フィルム２１は例えば１００℃程度の耐熱性を有するのが好ましい。

第１フィルム２１の接着剤層（不図示）の材料として、例えば、紫外線（ＵＶ：ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）を照射することにより接着力が低下する接着剤を用いてもよい。具体的には、第１フィルム２１は、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下程度の厚さの紫外線透過性のＵＶフィルムであってもよい。第１フィルム２１の基材として、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）や、ポリイミド、ポリオレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ポリプロピレン、ＡＢＳ樹脂（Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ Ｂｕｔａｄｉｅｎｅ Ｓｔｙｒｅｎｅ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）、ナイロン、ポリウレタンでできたフィルムを用いてもよい。

また、上述したステップＳ２の裏面研削時に、中央部３１の厚さのみを薄くし、外周部３２を所定の幅で厚く残したリブ形状の半導体ウェハ３０としてもよい（図８参照）。リブ形状の半導体ウェハ３０の外周部３２は、半導体ウェハ３０の補強部材として作用する。このため、例えば放熱性を高めるために半導体ウェハ３０の中央部３１の厚さを薄くしたとしても、半導体ウェハ３０の強度を保つことができる。このようにリブ形状の半導体ウェハ３０とする場合、半導体ウェハ３０の裏面に、中央部３１との厚さ差によって生じる外周部３２の段差部３３ａに沿うように第１フィルム２１を貼り付ける。すなわち、第１フィルム２１は、半導体ウェハ３０の裏面の中央部３１、外周部３２の段差部３３ａ、および外周部３２のウェハ主面に平行な平坦部３３ｂを覆う。この場合、第１フィルム２１の直径は、第１フィルム２１を貼り付けた状態で、半導体ウェハ３０の外周部３２の平坦部３３ｂよりも外側に第１フィルム２１が飛び出さない寸法とすればよい。

なお、リブ形状の半導体ウェハ３０を用いる場合の製造方法が厚さの均一な通常の半導体ウェハ２０を用いる場合の製造方法と異なる点は、ステップＳ２の裏面研削を中央部３１にのみ行う点である。このため、リブ形状の半導体ウェハ３０を用いる場合においても、通常の半導体ウェハ２０と同様にステップＳ１を行い、ステップＳ２においてリブ形状とした後に、通常の半導体ウェハ２０と同様にステップＳ３以降の工程を行えばよい。図８では、ＭＯＳゲート構造、エミッタ電極６および層間絶縁膜７などのおもて面素子構造や、ｐ⁺型コレクタ層８、ｎ型バッファ層１０およびコレクタ電極９などの裏面素子構造を図示省略する（図９，１０についても同様）。通常の半導体ウェハ２０およびリブ形状の半導体ウェハ３０ともに、中央部３１は例えば後述するダイシングによって個々のチップ状に切り出されるチップ有効領域であり、外周部３２は例えばダイシング後に破棄されるチップ無効領域である。

次に、図４に示すように、半導体ウェハ２０の側部２０ａを覆うように、半導体ウェハ２０の外周部３２に第２フィルム（側面保護フィルム）２２を貼り付ける（ステップＳ９）。第２フィルム２２は、基材および接着剤層（不図示）からなり、接着剤層側をウェハ側にして貼り付けられる。第２フィルム２２は略矩形帯状をなし、第２フィルム２２の短手方向において半導体ウェハ２０の外周部３２をおもて面側から裏面側にわたって半導体ウェハ２０の側部２０ａを覆う。具体的には、第２フィルム２２の短手方向の一方の端部２２ａは半導体ウェハ２０のおもて面上に位置し、第２フィルム２２の短手方向の他方の端部２２ｂは半導体ウェハ２０の裏面上に位置する。すなわち、第２フィルム２２は、半導体ウェハのおもて面から裏面に跨って貼り付けられ、半導体ウェハ２０の側部２０ａや、半導体ウェハ２０の面取り部（不図示）を覆う。半導体ウェハ２０の面取り部とは、半導体ウェハ２０の側面の側部２０ａ以外の部分であり、半導体ウェハ２０の側面上端・下端の略円弧状の部分である。

第２フィルム２２は、例えば、半導体ウェハのおもて面において半導体ウェハ２０の外周部３２に形成された例えばダイシングライン（チップ状に切断するための切り代）を覆う。また、第２フィルム２２は、チップ有効領域である半導体ウェハ２０の中央部３１に達しないように貼り付けられる。具体的には、例えば直径８インチの半導体ウェハ２０を用いる場合、半導体ウェハ２０の外周部３２の、側部２０ａから内側に面取り部を経て平坦部に至る部分において、第２フィルム２２に覆われている部分の幅ｘは、例えば１．５ｍｍ以上３ｍｍ以下程度としてもよい。例えば直径６インチの半導体ウェハ２０など、直径の小さい半導体ウェハ２０を用いる場合、半導体ウェハ２０の面取り部の曲率が大きく、面取り部の曲がり具合が大きく（きつく）なる。このため、半導体ウェハ２０の直径が小さくなるほど、第２フィルム２２の短手方向の長さを長くすればよい。

また、第２フィルム２２の短手方向の端部２２ａ，２２ｂは、面取り部よりも内側（中央部３１側）の平坦部に例えば１ｍｍ以上程度延在していることが好ましい。その理由は、第２フィルム２２の短手方向の端部２２ａ，２２ｂの密着力を高めることができるからである。これにより、めっき処理中に、第２フィルム２２の短手方向の端部２２ａ，２２ｂからめっき液が侵入することを防止することができる。また、第２フィルム２２の短手方向の他方の端部２２ｂは、半導体ウェハ２０の裏面に貼り付けられた第１フィルム２１の端部に重なるように第１フィルム２１上で終端していることが好ましい。また、図８に示すように、リブ形状の半導体ウェハ３０を用いる場合には、第２フィルム２２の短手方向の他方の端部２２ｂは、半導体ウェハ３０の外周部３２の裏面側の平坦部３３ｂを完全に覆うように第１フィルム２１上に重なることが好ましい。半導体ウェハ３０の外周部３２の、側部３０ａから内側に面取り部３０ｂを経て平坦部に至る部分において、第２フィルム２２に覆われている部分の幅ｘは、通常の半導体ウェハ２０と同様である。

さらに、図７，１２に示すように、第２フィルム２２の長手方向において半導体ウェハ２０，３０の外周を少なくとも１周するように第２フィルム２２が貼り付けられる。また、第２フィルム２２の長手方向の両端部２２ｃ，２２ｄ同士は、例えば１ｃｍ以上５ｃｍ以下程度重なり合うのが好ましい（符号２３で示す部分）。第２フィルム２２の長手方向の両端部２２ｃ，２２ｄ同士の重なり幅を１ｃｍ以上程度とする理由は、第２フィルム２２の長手方向の両端部２２ｃ，２２ｄ同士を確実に密着させることができるからである。これにより、後述するめっき処理中に第２フィルム２２が剥離することを防止することができる。第２フィルム２２の長手方向の両端部２２ｃ，２２ｄ同士の重なり幅を５ｃｍ以下程度とする理由は、経済性を考慮して、第２フィルム２２の使用量を削減することが好ましいからである。また、第２フィルム２２の、貼り付けの終点側となる長手方向の一方の端部（以下、終端部とする）２２ｄの、貼り付けの始点側となる長手方向の他方の端部（以下、始端部とする）２２ｃ上に重なる部分（以下、重なり部とする）２３よりも貼り付けの終点側（自由端側）は意図して出っ張り部２４として残すのが好ましい。

第２フィルム２２の終端部２２ｄの出っ張り部２４は、半導体ウェハ２０，３０から第２フィルム２２を剥離する際に、フィルム保持手段（例えば吸引ヘッドを備えたヘッドローラー（不図示））によって保持される剥がし用の保持部となる。第２フィルム２２の終端部２２ｄの重なり部２３のうち、出っ張り部２４から離れた第１部分２３ａは、第２フィルム２２を貼り付ける際に用いる後述する押し付けローラー（第１ローラー）４１（図９参照）の押し付け終了位置であり、第２フィルム２２の始端部２２ｃに確実に密着されている。一方、第２フィルム２２の終端部２２ｄの重なり部２３のうち、出っ張り部２４側の第２部分２３ｂは、押し付けローラー４１による圧力を受けない部分であり、出っ張り部２４に近づくほど第２フィルム２２の始端部２２ｃとの密着が弱くなっている。すなわち、出っ張り部２４側の第２部分２３ｂは、半導体ウェハ２０，３０の外周部３２の側部３０ａにおいて第２フィルム２２の始端部２２ｃと離れており、半導体ウェハ２０，３０の外周部３２のおもて面側および裏面側それぞれの平坦部において第２フィルム２２の始端部２２ｃの短手方向の端部２２ａ，２２ｂと密着している。このため、出っ張り部２４側の第２部分２３ｂは半導体ウェハ２０，３０の側部２０ａ，３０ａに貼られた第２フィルム２２の始端部２２ｃとの密着性は弱い。したがって、半導体ウェハ２０，３０から第２フィルム２２を剥離する際に、フィルム保持手段によって出っ張り部２４を保持することで後述するように第２フィルム２２を容易に剥離することができる。

半導体ウェハ２０，３０の外周部に第２フィルム２２を貼り付けるには、例えば半導体ウェハ２０，３０を吸着するための真空チャックを備えたステージ（不図示）に半導体ウェハ２０，３０を固定し、中心線を回転軸としてステージを回転させながら第２フィルム２２を貼り付ければよい。具体的には、半導体ウェハ２０，３０の外周部３２に第２フィルム２２を貼り付ける方法は、次の通りである。第２フィルム２２の貼り付け方法については、リブ形状の半導体ウェハ３０を用いて図示された図９〜１２を用いて説明する。図示省略するが通常の半導体ウェハ２０を用いた場合においても、リブ形状の半導体ウェハ３０を用いた場合と同様の貼り付け方法で第２フィルム２２を貼り付ければよい。まず、半導体ウェハ３０を例えば裏面を下にして、半導体ウェハ３０の直径よりも径の小さいステージに載置する。

次に、例えば第２フィルム２２同士が貼り付かないようにセパレータ（例えばＰＥＴでできた保護フィルム）を挟んでロール状に巻き取られた第２フィルム２２を用意する。次に、ヘッドローラー（不図示）によって第２フィルム２２の自由端を吸引して保持し、セパレータを剥がしながら第２フィルム２２を巻き出すとともに、ヘッドローラーを半導体ウェハ３０側に移動させて第２フィルム２２の接着剤層を半導体ウェハ３０の側部３０ａに接触させる。ヘッドローラーによって半導体ウェハ３０の側部３０ａに接触させた第２フィルム２２の自由端が始端部２２ｃとなる。次に、図９に示すように、押し付けローラー４１を第２フィルム２２の始端部２２ｃに接触させ、押し付けローラー４１によって第２フィルム２２を半導体ウェハ３０の側面（特に半導体ウェハ３０の側部３０ａ）に押し付ける。第２フィルム２２の材質（基材および接着剤層）は、第１フィルム２１と同様であってもよい。また、第２フィルム２２の材質は、耐熱性および伸縮性に優れたポリオレフィンフィルムや、耐熱性および耐薬品性に優れたポリイミドフィルムであることが好ましい。

押し付けローラー４１は、弾性体（例えばウレタンゴム）からなる円柱状のローラーであり、中心線を回転軸として回転可能な状態で、かつ半導体ウェハ３０の側部３０ａに接近する方向（中心線と直交する方向）に移動可能な状態で配置されている。押し付けローラー４１の側面には、半導体ウェハ３０の側部３０ａに対向する部分に、中心線と直交する方向に平行に当該側面を１周するように略Ｖ字状のＶ溝４１ａが設けられている。このため、押し付けローラー４１による押し付けにより、第２フィルム２２は押し付けローラー４１の側面のＶ溝４１ａに沿うように略Ｖ字状に湾曲する。すなわち、押し付けローラー４１によって半導体ウェハ３０の側部３０ａに第２フィルム２２を押し付けることで、第２フィルム２２の短手方向の両端部２２ａ，２２ｂがそれぞれ半導体ウェハ３０の両主面に近づく。押し付けローラー４１のＶ溝４１ａは、第２フィルム２２を介して押し付けローラー４１と半導体ウェハ３０の側部３０ａとが接触したときに、押し付けローラー４１と第２フィルム２２との間や、第２フィルム２２と半導体ウェハ３０の側部３０ａとの間に可能な限り隙間が生じない形状であることが好ましい。例えば、押し付けローラー４１のＶ溝４１ａの側壁は、平坦な面であってもよいし、円弧状に外側（半導体ウェハ３０の側部３０ａ側）に湾曲した面であってもよい。

押し付けローラー４１によって半導体ウェハ３０にかかる圧力（以下、押し付け圧力とする）は、めっき処理後状態が良好な例えば５０ｋＰａ以上３００ｋＰａ以下程度であることがよく、好ましくは押し付けローラー４１の耐久性を向上可能な５０ｋＰａ以上２５０ｋＰａ以下程度であることがよい。なお、押し付け圧力とは、押し付けローラー４１が半導体ウェハ３０に加える力を、押し付けローラー４１と半導体ウェハ３０とが接触する面積で割ったものである。めっき処理後状態が良好とは、めっき処理後に第２フィルム２２の剥離やめっき層を形成しない部分でのめっき層の異常成長（以下、単にめっき層の異常成長とする）が生じない状態である。押し付けローラー４１のＶ溝４１ａの角度θは２０度以上１６０度以下程度がよく、好ましくは押し付けローラー４１の耐久性をより向上可能な３０度以上１６０度以下程度であることがよい。押し付けローラー４１のショア硬度は、めっき処理後状態が良好な例えば２０以上９０以下程度がよく、好ましくは押し付けローラー４１の耐久性を向上可能な３０以上９０以下程度であることがよい。ショア硬度とは、弾性体の硬さをあらわす値であり、非測定物（弾性体）の表面に圧子（押針やインデンタ）を押し込んで変形させ、その変形量（押込み深さ）を測定し数値化したものである。ショア硬度は、ＪＩＳ Ｋ６２５３−３「加硫ゴム及び熱可塑性ゴム−硬さの求め方−第３部デュロメータ硬さ」に基づいて、タイプＡデュロメータ（スプリング式ゴム硬度計）を用いて測定している。押し付けローラー４１の直径は、例えば、半導体ウェハ３０の結晶軸方向を示す図示省略するノッチ部またはオリエンテーションフラット部内に第２フィルム２２を湾曲させて押し込まない（しわを生じさせない）寸法であることがよい。具体的には、押し付けローラー４１の直径は、ノッチ部またはオリエンテーションフラット部の幅よりも大きい例えば２ｍｍ以上であることがよい。

次に、ヘッドローラーによる第２フィルム２２の吸引を終了し、ヘッドローラーを半導体ウェハ３０から離す。次に、図１１に示すように、中心線を回転軸としてステージを回転させることで半導体ウェハ３０を少なくとも１回転させる。このとき、押し付けローラー４１は、第２フィルム２２を介して半導体ウェハ３０に接しているため、半導体ウェハ３０の回転に追従して半導体ウェハ３０の回転方向と反対の方向に回転する。このため、半導体ウェハ３０を回転させることで、半導体ウェハ３０の外周を１周するように、第２フィルム２２を半導体ウェハ３０の側部３０ａに押し付けながら貼り付けることができる。

さらに、半導体ウェハ３０の外周部３２を挟み込むように挟み込みローラー（第２ローラー）４２を配置し、半導体ウェハ３０を回転させている間、挟み込みローラー４２によって半導体ウェハ３０の外周部３２を挟み込むことにより、半導体ウェハ３０の両主面に第２フィルム２２を接触させる。具体的には、挟み込みローラー４２は、半導体ウェハ３０の両主面にそれぞれ対向する一対の円柱状のローラー４２ａ，４２ｂからなる。挟み込みローラー４２を構成する一方のローラー４２ａは半導体ウェハ３０のおもて面に対向し、他方のローラー４２ｂは半導体ウェハ３０の裏面に対向する。すなわち、ローラー４２ａと半導体ウェハ３０のおもて面との間に第２フィルム２２の短手方向の一方の端部２２ａを挟み込み、ローラー４２ｂと半導体ウェハ３０の裏面との間に第２フィルム２２の短手方向の他方の端部２２ｂを挟み込む。

また、挟み込みローラー４２は、例えば、ゴムやテフロン（登録商標）、ナイロン、ジュラコン（登録商標）など変形しにくい材料でできていることが好ましい。その理由は、挟み込みローラー４２が変形した場合、挟み込みローラー４２の位置精度を保つことができないからである。また、挟み込みローラー４２が変形した場合、半導体ウェハ３０の中央部３１側の、第２フィルム２２を貼り付けない部分に挟み込みローラー４２が接触する虞があるからである。上述したように、挟み込みローラー４２は、第２フィルム２２を介して半導体ウェハ３０に接しているため、半導体ウェハ３０の回転に追従して半導体ウェハ３０の回転方向と反対の方向に回転する。このため、半導体ウェハ３０を回転させることで、半導体ウェハ３０の外周を１周するように、第２フィルム２２の短手方向の両端部２２ａ，２２ｂをそれぞれ半導体ウェハ３０の両主面に貼り付けることができる。すなわち、半導体ウェハ３０を回転させることで、半導体ウェハ３０の回転に追従して押し付けローラー４１および挟み込みローラー４２が回転する。これにより、半導体ウェハ３０の外周部３２に、半導体ウェハ３０の外周を１周するように、半導体ウェハ３０のおもて面側から裏面側にわたって第２フィルム２２を貼り付けることができる。

具体的には、半導体ウェハ３０の回転に追従して回転する押し付けローラー４１によって、第２フィルム２２を半導体ウェハ３０の側部３０ａに貼り付けるとともに湾曲させ、第２フィルム２２の短手方向の両端部２２ａ，２２ｂをそれぞれ半導体ウェハ３０の両主面に近づける。このように半導体ウェハ３０の両主面に近づけた第２フィルム２２の短手方向の両端部２２ａ，２２ｂそれぞれを、半導体ウェハ３０の回転に追従して回転する挟み込みローラー４２によって半導体ウェハ３０の両主面に貼り付ける。このとき、第２フィルム２２が所定角度に湾曲した状態で維持されている間に、挟み込みローラー４２によって第２フィルム２２を半導体ウェハ３０の両主面に貼り付けることが好ましい。このため、挟み込みローラー４２は、押し付けローラー４１に近い位置に配置されていることが好ましい。挟み込みローラー４２は、２つ（２段）以上設けられていてもよい（図１１参照）。挟み込みローラー４２を２つ以上設けることで、前段の挟み込みローラー４２によって貼り付けた第２フィルム２２の短手方向の端部２２ａ，２２ｂに再度圧力をかけることができる。このため、第２フィルム２２の短手方向の端部２２ａ，２２ｂと半導体ウェハ３０の密着力をより高めることができる。

１つの挟み込みローラー４２を配置する場合、挟み込みローラー４２によって挟み込む半導体ウェハ２０にかかる圧力（以下、挟み込み圧力とする）は、第２フィルム２２の貼り付け直後の状態が良好な２０ｋＰａ以上１５０ｋＰａ以下程度であることがよい。２つの挟み込みローラー４２を配置する場合、２つの挟み込みローラー４２の挟み込み圧力を、それぞれ第２フィルム２２の貼り付け直後の状態が良好な次の範囲に設定することがよい。押し付けローラー４１に続けて第２フィルム２２の貼り付けを行う挟み込みローラー４２（以下、１段目の挟み込みローラー４２とする）の挟み込み圧力は、２０ｋＰａ以上２００ｋＰａ以下程度であることがよい。１段目の挟み込みローラー４２に続けて第２フィルム２２の貼り付けを行う挟み込みローラー４２（以下、２段目の挟み込みローラー４２とする）の挟み込み圧力は、２０ｋＰａ以上４００ｋＰａ以下程度であることがよい。挟み込みローラー４２を複数配置することで、後段の挟み込みローラー４２の挟み込み圧力を高くしたとしても、第２フィルム２２にしわが生じることや、第２フィルム２２の短手方向の端部２２ａ，２２ｂに半導体ウェハ２０から離れている箇所が生じることを防止することができる。このため、第２フィルム２２と半導体ウェハ３０との密着力をより高めることができる。

次に、図１２に示すように、半導体ウェハ３０の外周を１周するように第２フィルム２２を貼り付け、第２フィルム２２の始端部２２ｃ上に所定幅で第２フィルム２２が重なった時点（押し付けローラー４１の押し付け終了位置）で、押し付けローラー４１を半導体ウェハ３０から離す。第２フィルム２２の、押し付けローラー４１の押し付け終了位置となる部分が第２フィルム２２の終端部２２ｄの第１部分２３ａである。第１部分２３ａの重なり幅は、例えば１ｃｍ程度であってもよい。押し付けローラー４１による押し付け終了後、挟み込みローラー４２のみが半導体ウェハ３０の回転に追従して回転する。このため、第２フィルム２２は、半導体ウェハ３０の側部３０ａとの密着力を徐々に低下させた状態で、半導体ウェハ３０の両主面に貼り付けられる。この挟み込みローラー４２のみによって半導体ウェハ３０に貼り付けられた部分が第２フィルム２２の終端部２２ｄの第２部分２３ｂである。

押し付けローラー４１による押し付け終了後、第２フィルム２２の短手方向の両端部２２ａ，２２ｂが半導体ウェハ３０の両主面に対向しなくなった時点で、挟み込みローラー４２を半導体ウェハ３０の両主面から離す。すなわち、第２フィルム２２の終端部２２ｄ全体が第２フィルム２２の始端部２２ｃに接触していない状態になった時点で、挟み込みローラー４２を半導体ウェハ３０の両主面から離す。次に、ヘッドローラー（不図示）によって、第２フィルム２２の、半導体ウェハ３０（半導体ウェハ３０に貼り付けた第２フィルム２２も含む）に貼り付けられていない部分を吸引して保持する。次に、第２フィルム２２を、第２部分２３ｂよりもヘッドローラーによる吸引部分側に所定幅分残して切断する。第２フィルム２２の、第２部分２３ｂよりも自由端側に残る部分が第２フィルム２２の終端部２２ｄの出っ張り部２４である。ロール状に巻き取られた第２フィルム２２の、ヘッドローラーによる吸引部分である新たな自由端は、他の半導体ウェハ３０に貼り付ける第２フィルム２２の始端部２２ｃとなる。

このように、半導体ウェハ３０、押し付けローラー４１および挟み込みローラー４２の動作を制御することで、第２フィルム２２の始端部２２ｃおよび終端部２２ｄ同士を重ね合わせて第２フィルム２２の密着力を高めることができる。かつ、第２フィルム２２の終端部２２ｄに、半導体ウェハ３０から第２フィルム２２を剥離する際の剥がし用の保持部となる出っ張り部２４を形成することができるため、後述するめっき処理後に第２フィルム２２を容易に剥離することができる。第２フィルム２２の終端部２２ｄの第１，２部分２３ａ，２３ｂの重なり幅は、半導体ウェハ３０の回転速度、押し付けローラー４１の押し付け圧力、および押し付けローラー４１の押し付けを終了した後の押し付けローラー４１の移動速度を種々変更することにより調整可能である。第２フィルム２２の終端部２２ｄの出っ張り部２４の残し幅は、第２フィルム２２の切断位置を種々変更することにより調整可能である。

第２フィルム２２には、第１フィルム２１と同様に、めっき処理のめっき液に対する耐薬品性や、めっき液の温度への耐熱性を有するものを用いる。第２フィルム２２の接着剤層は、例えば、アクリル系の接着剤を用いてもよいし、第１フィルム２１の接着剤層と同様に紫外線を照射することにより接着力が低下する接着剤を用いてもよい。第２フィルム２２の基材の厚さは、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下程度であってもよい。第２フィルム２２の基材として、例えば、半導体ウェハの面取り部３０ｂに隙間ができないように、ある程度伸縮性を有する基材を用いるのが好ましい。具体的には、第２フィルム２２の基材は、例えば、第１フィルム２１の基材の構成材料として例示した上記材料でできたフィルムを用いてもよい。

第１フィルム２１の基材の構成材料として例示した上記材料でできたフィルムは、耐熱性・耐薬品性を有するため、第１，２フィルム２１，２２に適用するのに適している。特に、ポリイミドフィルムは、耐熱性・耐薬品性に優れており、第１，２フィルム２１，２２に好適である。ナイロンフィルムは、上述した他の材料でできたフィルムに比べると耐熱性・耐薬品性が若干劣るが安価である。ナイロンフィルムは、例えば、第１，２フィルム２１，２２内部へ浸透した薬液が接着剤層に達しない程度にめっき液への浸漬時間が短い場合に適用可能である。また、例えば後述するめっき処理によって形成されるめっき層の厚さが薄く、めっき液への浸漬時間が短い場合には、第１，２フィルム２１，２２として安価なポリエチレンテレフタレートフィルムを用いてもよい。

第１，２フィルム２１，２２としてポリエチレンテレフタレートフィルムを用いる場合、ポリエチレンテレフタレートフィルムの厚さを厚くすることで、フィルム内部へ浸透した薬液が接着剤層に達するまでの時間を長くすることはできるが、後述するようにフィルムの剛性が高くなり、半導体ウェハ３０側面への貼り付けが難しくなるため好ましくない。したがって、第１，２フィルム２１，２２は、半導体ウェハ３０の形状に追従して変形可能な剛性を有するのが好ましい。また、第２フィルム２２の終端部２２ｄに重なり部２３を形成するために、第２フィルム２２の基材の表面に、第２フィルム２２の接着剤層が密着しやすい処理が施されていることが好ましい。

次に、一般的な方法で、例えば８０℃程度の温度で無電解めっき処理の前処理を行う。以降の工程については、通常の半導体ウェハ２０を用いて図示された図４〜７を用いて説明する。図示省略するがリブ形状の半導体ウェハ３０を用いた場合においても、通常の半導体ウェハ２０を用いた場合と同様に、以降の工程を行えばよい。次に、図４に示すように、例えば無電解めっき処理によって、半導体ウェハ２０のおもて面全体、すなわちエミッタ電極６の表面全体にニッケルめっき層１１を積層した後、さらにニッケルめっき層１１の表面全体に金めっき層１２を積層する（ステップＳ１０）。

ニッケルめっき層１１は、上述したように外部接続用端子とのはんだ接合時にはんだに溶融するが、その厚さはコレクタ電極９を構成するニッケル層の厚さに比べて厚い。このため、ニッケルめっき層１１は、外部接続用端子とのはんだ接合後に例えば２μｍ程度残るように設計すればよい。これにより、外部接続用端子とのはんだ接合時にニッケルめっき層１１がはんだに溶融したとしても、はんだとの密着性の低いアルミニウムからなる下層のエミッタ電極６にはんだが達することはない。ニッケルめっき層１１を所定の厚さで形成するには、例えば、ニッケルめっき層１１の析出速度などから、ニッケルめっき層１１の所定の厚さを得るための処理時間を算出し、この処理時間に基づいて無電解めっき処理を行えばよい。

次に、図５に示すように、半導体ウェハ２０の外周部３２から第２フィルム（側面保護フィルム）２２を剥離して廃棄する（ステップＳ１１）。具体的には、例えば、半導体ウェハ２０の外周部３２に第２フィルム２２を貼り付けた場合と同様に、真空チャックを備えたステージ上に半導体ウェハ２０を固定する。そして、第２フィルム２２の終端部２２ｄの出っ張り部２４を例えば吸引ヘッドを備えたヘッドローラーなどのフィルム保持手段によって保持した状態で、第２フィルム２２を貼り付けたときとは逆回転にステージを回転させることで第２フィルム２２を徐々に剥離し回収すればよい。また、フィルム保持手段によって出っ張り部２４を保持し、かつ出っ張り部２４を引っ張ることで半導体ウェハ２０から第２フィルム２２を剥離してもよい。この場合、半導体ウェハ２０を固定したステージは、回転を停止させた状態であってもよいし、第２フィルム２２を貼り付けたときとは逆回転に回転させた状態であってもよい。

次に、図６に示すように半導体ウェハ２０の裏面から第１フィルム（裏面保護フィルム）２１を剥離して廃棄する（ステップＳ１２）。具体的には、第１フィルム２１として例えばＵＶフィルムを用いた場合、まず、第１フィルム２１側から第１フィルム２１の接着剤層にＵＶ光を照射し、接着剤層の接着力を弱める。そして、例えば第１フィルム２１の端部近傍に別の接着剤層付きフィルムを貼り付けて、この接着剤層付きフィルムを持ち上げることで接着剤層付きフィルムとともに第１フィルム２１を容易に剥離することができる。その後、半導体ウェハ２０をチップ状に切断（ダイシング）することで、図１に示すＦＳ型ＩＧＢＴが完成する。

上述したステップＳ１０のめっき処理は、無電解めっき法を用いた場合を例に説明しているが、これに限らず、例えば、電解めっき法を用いてもよい。また、エミッタ電極６の表面に形成されるめっき層は、ニッケルめっき層１１、金めっき層１２に限らず、種々変更可能である。例えば、エミッタ電極６の表面に形成されるめっき層は、無電解めっきニッケル−リン合金めっきや、置換金めっき、無電解金めっき、無電解ニッケル−パラジウム（Ｐｄ）−リン合金めっき、無電解ニッケル−ホウ素（Ｂ）合金めっき、無電解ニッケル−リン−ＰＴＦＥ（フッ素樹脂）複合めっき、無電解ニッケル−ホウ素−黒鉛（Ｃ）複合めっき、無電解銅めっき、無電解銀（Ａｇ）めっき、無電解パラジウムめっき、無電解白金（Ｐｔ）めっき、無電解ロジウム（Ｒｈ）めっき、無電解ルテニウム（Ｒｕ）めっき、無電解コバルト（Ｃｏ）めっき、無電解コバルト−ニッケル合金めっき、無電解コバルト−ニッケル−リン合金めっき、無電解コバルト−タングステン（Ｗ）−リン合金めっき、無電解コバルト−すず（Ｓｎ）−リン合金めっき、無電解コバルト−亜鉛（Ｚｎ）−リン合金めっき、無電解コバルト−マンガン（Ｍｎ）−リン合金めっき、無電解すずめっき、無電解はんだめっきであってもよい。

また、ゲート電極パッド（不図示）の表面にもめっき層を設けてもよい。例えば、ゲート電極パッドの表面にエミッタ電極６の表面と同様にニッケルめっき層および金めっき層を順に形成する場合、エミッタ電極６の表面に形成するニッケルめっき層１１および金めっき層１２と同様の方法を用いてもよい。または、エミッタ電極６の表面に形成するニッケルめっき層１１および金めっき層１２と同時に、ゲート電極５の表面にニッケルめっき層および金めっき層を順に形成してもよい。

なお、本実施の形態で説明した半導体装置の製造方法で用いるステージやローラーなど製造装置の各部の制御は、あらかじめ用意されたプログラムをパーソナルコンピュータやワークステーションなどのコンピュータで実行することにより実現することができる。このプログラムは、ハードディスク、フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＭＯ、ＤＶＤなどのコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録され、コンピュータによって記録媒体から読み出されることによって実行される。

以上、説明したように、実施の形態によれば、押し付けローラーによって半導体ウェハの側面に第２フィルムを押し付け、かつ挟み込みローラーによって半導体ウェハの主面との間に第２フィルムの短手方向の端部を挟み込むことにより、しわや半導体ウェハから離れている箇所を生じさせることなく第２フィルムを半導体ウェハの外周部に貼り付けることができる。これにより、めっき処理中に第２フィルムの短手方向の端部から接着層に浸透しためっき液が半導体ウェハの側面に達することを防止することができる。これにより、半導体ウェハの、めっき層を形成しない部分にめっき液が触れることを防止することができる。このため、めっき層を形成しない部分へのめっき層の異常析出や、異常析出しためっき層が剥離して生じるめっき浴汚染や浴組成の経時変化などを防止することができる。したがって、半導体ウェハのおもて面側に形成されるめっき層にばらつきが生じることを防止することができ、半導体ウェハのおもて面側に安定してめっき層を形成することができる。

また、実施の形態によれば、押し付けローラーおよび挟み込みローラーを適宜制御することにより、第２フィルムの長手方向の端部同士を容易に重ね合わせることができるとともに、第２フィルムの長手方向の端部に第２フィルムを剥離する際の剥がし用の保持部となる出っ張り部を容易に形成することができる。第２フィルムの長手方向の端部同士を重ね合わせることで、第２フィルムの長手方向の端部から接着剤層に浸透しためっき液が半導体ウェハの側面に達することを防止することができる。また、第２フィルムの長手方向の出っ張り部を保持して、半導体ウェハを回転させる、または当該出っ張り部を引っ張ることで、第２フィルムを容易に剥離することができる。

また、実施の形態によれば、押し付けローラーの側面にＶ溝を設けることで、押し付けローラーによって半導体ウェハの側面に第２フィルムを押し付けることにより、第２フィルムが湾曲し第２フィルムの短手方向の両端部をそれぞれ半導体ウェハの両主面に近づけることができる。これにより、挟み込みローラーによって半導体ウェハの両主面に第２フィルムを貼り付けるときに、第２フィルムにしわが生じることや、第２フィルムの短手方向の端部に半導体ウェハから部分的に離れている箇所が生じることを抑制することができる。また、押し付けローラーの側面にＶ溝を設けることで、押し付けローラーによる押し付け圧力を抑制することができ、Ｖ溝を設けない場合に比べて押し付けローラーの耐久性を向上させることができる。

また、実施の形態によれば、半導体ウェハのおもて面から裏面に跨るように半導体ウェハの外周部に第２フィルムを貼り付けることで、半導体ウェハの外周部に形成された例えばダイシングライン表面にめっき層が形成されることを防止することができる。このため、例えば、ダイシングライン表面にめっき層が形成されることで生じる問題（例えばダイシングライン表面のめっき層を介しておもて面電極電位と基板電位とが同電位になるなど）を回避することができる。また、実施の形態によれば、高価なレジストを用いずに、安価なＦＺウェハにめっき処理を行うことができる。また、めっき層を形成しない部分へのめっき液の回り込みを防止する専用治具を用いずに、所定の箇所のみにめっき層を形成することができる。これにより、半導体素子の製造コストを低くすることができる。

（実施例１）
次に、押し付けローラー４１のショア硬度と耐久性との関係について検証した。図１３は、押し付けローラーのショア硬度と耐久性との関係を示す特性図である。上述した実施の形態にかかる半導体装置にしたがい、ショア硬度の異なる押し付けローラー４１を用いて複数の半導体装置（以下、実施例１とする）を形成した。各実施例１はそれぞれ半導体ウェハ２０を１０００枚ずつ用いて複数の試料を作製している。半導体ウェハ２０の直径および製品厚さをそれぞれ８インチおよび８０μｍとした。押し付けローラー４１の押し付け圧力およびＶ溝４１ａの角度θをそれぞれ１５０ｋＰａおよび１２０度とした。挟み込みローラー４２は１段とした。そして、各実施例１それぞれの各試料について、めっき処理後の半導体ウェハ２０および第２フィルム２２の状態（以下、めっき処理後状態とする）と、押し付けローラー４１の状態とを確認した。その結果を図１３に示す。

図１３において、めっき処理後状態については、めっき処理後に第２フィルム２２の剥離やめっき層の異常成長が確認されない場合を「良好である」とし「○」で表記した。一方、めっき処理後に、現在の品質では問題ないものの、軽微な、第２フィルム２２の剥離やめっき層の異常成長が確認される場合を「△」で表記した。めっき処理後に第２フィルム２２の剥離やめっき層の異常成長が確認された場合を「良好でない」とし「×」で表記した。また、押し付けローラー４１の耐久性については、半導体ウェハ２０を１０００枚処理した後に押し付けローラー４１に切れ目が生じていない場合を「良好である」とし「○」で表記した。一方、半導体ウェハ２０を１０００枚処理した後に押し付けローラー４１に切れ目が生じていた場合を「良好でない」とし「×」で表記とした。

図１３に示す結果より、押し付けローラー４１のショア硬度が３０以上９０以下である場合に、めっき処理後状態が良好であることが確認された（太枠で囲む範囲）。また、押し付けローラー４１のショア硬度が３０以上９０以下である場合に、めっき処理後状態および押し付けローラー４１の状態ともに良好であることが確認された。このような結果となる理由は、押し付けローラー４１のショア硬度が９０よりも大きい場合、第２フィルム２２の密着性が悪く、押し付けローラー４１のショア硬度が３０未満と小さい場合、摩擦により押し付けローラー４１が摩耗し、押し付けローラー４１に切れ目が入ってしまうからである。このため、第２フィルム２２の密着性と押し付けローラー４１の耐久性とを両立させるには、押し付けローラー４１のショア硬度を最適にすることが重要である。

（実施例２）
次に、押し付けローラー４１の押し付け圧力と耐久性との関係について検証した。図１４は、押し付けローラーの押し付け圧力と耐久性との関係を示す特性図である。上述した実施の形態にかかる半導体装置にしたがい、第２フィルム２２を貼り付ける際の押し付けローラー４１の押し付け圧力を種々変更して複数の半導体装置（以下、実施例２とする）を形成した。各実施例２はそれぞれ半導体ウェハ２０を１０００枚ずつ用いて複数の試料を作製している。半導体ウェハ２０の直径および製品厚さは実施例１と同様である。押し付けローラー４１のショア硬度およびＶ溝４１ａの角度θをそれぞれ６０および１２０度とした。挟み込みローラー４２は１段とした。そして、各実施例２それぞれの各試料について、めっき処理後状態と、押し付けローラー４１の状態とを確認した。その結果を図１４に示す。図１４における検証結果の表記（○、△、×）は図１３と同様である。

図１４に示す結果より、押し付けローラー４１の押し付け圧力が５０ｋＰａ以上３００ｋＰａ以下である場合に、めっき処理後状態が良好であることが確認された。また、押し付けローラー４１の押し付け圧力が５０ｋＰａ以上２５０ｋＰａ以下である場合に、めっき処理後状態および押し付けローラー４１の状態ともに良好であることが確認された（太枠で囲む範囲）。このような結果となる理由は、押し付けローラー４１の押し付け圧力が５０ｋＰａ未満と小さい場合、第２フィルム２２の密着性が悪くなり、押し付けローラー４１の押し付け圧力が２５０ｋＰａよりも大きい場合、押し付けローラー４１の耐久性が悪化してしまうからである。

（実施例３）
次に、押し付けローラー４１のＶ溝４１ａの角度θと耐久性との関係について検証した。図１５は、押し付けローラーのＶ溝の角度と耐久性との関係を示す特性図である。上述した実施の形態にかかる半導体装置にしたがい、Ｖ溝４１ａの角度θの異なる押し付けローラー４１を用いて複数の半導体装置（以下、実施例３とする）を形成した。各実施例３はそれぞれ半導体ウェハ２０を１０００枚ずつ用いて複数の試料を作製している。半導体ウェハ２０の直径および製品厚さは実施例１と同様である。押し付けローラー４１のショア硬度および押し付け圧力をそれぞれ６０および１５０ｋＰａとした。挟み込みローラー４２は１段とした。そして、各実施例３それぞれの各試料について、めっき処理後状態と、押し付けローラー４１の状態とを確認した。その結果を図１５に示す。また、図１５には、比較として、Ｖ溝を設けない押し付けローラーを用いた場合（以下、比較例とする）の検証結果（溝なし）を示す。比較例の製造方法、押し付けローラーの形状以外は、実施例３と同様である。図１５における検証結果の表記（○、△、×）は図１３と同様である。

図１５に示す結果より、押し付けローラー４１のＶ溝４１ａの角度θが２０度以上１６０度以下である場合に、めっき処理後状態が良好であることが確認された。また、押し付けローラー４１のＶ溝４１ａの角度θが３０度以上１６０度以下である場合に、めっき処理後状態および押し付けローラー４１の状態ともに良好であることが確認された（太枠で囲む範囲）。一方、比較例では、めっき処理後状態および押し付けローラー４１の状態ともに良好でないことが確認された。実施例３においてこのような結果となる理由は、押し付けローラー４１のＶ溝４１ａの角度θが１６０度よりも大きい場合、第２フィルム２２の密着性も悪く、押し付けローラー４１の耐久性も悪いからである。また、押し付けローラー４１のＶ溝４１ａの角度θが３０度未満と小さい場合、押し付けローラーに切れ目が入り易くなり、耐久性が悪化するからである。

（実施例４）
次に、挟み込みローラー４２の挟み込み圧力と第２フィルム２２の貼り付け直後の状態との関係について検証した。図１６，１７は、挟み込みローラーの挟み込み圧力と第２フィルムの貼り付け直後の状態との関係を示す特性図である。上述した実施の形態にかかる半導体装置にしたがい、１つ（１段）の挟み込みローラー４２を配置し、第２フィルム２２を貼り付ける際の挟み込みローラー４２の挟み込み圧力を種々変更して複数の半導体装置（以下、実施例４−１とする）を形成した。各実施例４−１はそれぞれ半導体ウェハ２０を１０００枚ずつ用いて複数の試料を作製している。半導体ウェハ２０の直径および製品厚さは実施例１と同様である。押し付けローラー４１のショア硬度、押し付け圧力およびＶ溝４１ａの角度θをそれぞれ６０、１５０ｋＰａおよび１２０度とした。

また、上述した実施の形態にかかる半導体装置にしたがい、２つ（２段）の挟み込みローラー４２を配置し、第２フィルム２２を貼り付ける際の２つの挟み込みローラー４２の挟み込み圧力を種々変更して複数の半導体装置（以下、実施例４−２とする）を形成した。各実施例４−２はそれぞれ半導体ウェハ２０を１０００枚ずつ用いて複数の試料を作製している。半導体ウェハ２０および押し付けローラー４１の条件は実施例４−１と同様である。そして、各実施例４−１それぞれの各試料、および各実施例４−２それぞれの各試料について、第２フィルム２２の貼り付け直後の状態を確認した。その結果をそれぞれ図１６，１７に示す。

図１６，１７において、第２フィルム２２の貼り付け直後の状態については、Ｖ溝を設けない押し付けローラーを用いた場合と比較して、第２フィルム２２の密着力が強い状態の半導体ウェハ２０の枚数が多い場合を「良好である」とし「○」で表記した。一方、Ｖ溝を設けない押し付けローラーを用いた場合と比較して、第２フィルム２２の密着力が強い状態の半導体ウェハ２０の枚数が少ない場合を「△」で表記した。すべての半導体ウェハ２０において第２フィルム２２の密着力が弱い場合を「良好でない」とし「×」で表記した。第２フィルム２２の密着力が強い状態とは、第２フィルム２２にしわが生じている箇所や、第２フィルム２２の短手方向の端部２２ａ，２２ｂが半導体ウェハ２０の表面から離れている箇所が生じていない場合である。

図１６に示す結果より、１つの挟み込みローラー４２を配置する場合、挟み込みローラー４２の挟み込み圧力を２０ｋＰａ以上１５０ｋＰａ以下としたときに、第２フィルム２２の貼り付け直後の状態が良好であることが確認された（太枠で囲む範囲）。また、図１７に示す結果より、２つの挟み込みローラー４２を配置する場合、１段目の挟み込みローラー４２の挟み込み圧力を２０ｋＰａ以上２００ｋＰａ以下とし、２段目の挟み込みローラー４２の挟み込み圧力を２０ｋＰａ以上４００ｋＰａ以下としたときに、第２フィルム２２の貼り付け直後の状態が良好であることが確認された（太枠で囲む範囲）。すなわち、２つの挟み込みローラー４２を配置することで、１つの挟み込みローラー４２を配置する場合に比べて挟み込み圧力を高くすることができることが確認された。

以上の本発明の条件によれば、図示省略するが第２フィルム２２を剥離する際も良好に剥離することができることが発明者によって確認されている。さらに、本発明においては、第２フィルム２２の長手方向の端部に出っ張り部２４を残すことで、第２フィルム２２を容易に剥離することができる。

以上において本発明は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であり、素子構造や、電極・めっき層の材料、めっき層を形成するウェハ主面、第１、２フィルムの構成材料・寸法等は要求される仕様等に応じて種々設定される。例えば、上述した実施の形態では、半導体ウェハの裏面および側面をフィルムで保護した状態で、半導体ウェハのおもて面側にめっき層を形成しているが、半導体ウェハのおもて面および側面をフィルムで保護して、半導体ウェハの裏面側にめっき層を形成してもよい。また、半導体ウェハの側面に第２フィルムを貼り付けた後に、半導体ウェハの裏面（またはおもて面）に第１フィルムを貼り付けた状態で、半導体ウェハのおもて面（または裏面）側にめっき層を形成する構成とした場合においても同様の効果を奏する。この場合においても半導体ウェハのおもて面（または裏面）および半導体ウェハの側面にそれぞれ第１、２フィルムを貼り付ける方法は上述した実施の形態と同様である。

また、上述した実施の形態では、予め接着剤層を備えた第１フィルムを用いる場合を例に説明しているが、これに代えて、半導体ウェハの裏面に塗布した接着剤層となる硬化型樹脂に基材となるフィルムを密着させ、当該硬化型樹脂を硬化させてなる第１フィルムを用いてもよい。また、上述した実施の形態では、エミッタ電極としてアルミニウムを主成分とする金属層を形成する場合を例に説明しているが、エミッタ電極として、アルミニウムを主成分とする金属層上にさらにニッケル層を形成し、このニッケル層の表面にめっき層を形成してもよい。また、上述した実施の形態では、ＦＳ型ＩＧＢＴを例に説明しているが、これに限らず、本発明は例えばＰＴ型ＩＧＢＴや、ＮＰＴ型ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ、ＦＷＤなど様々な素子構造の半導体装置に適用可能である。また、本発明は、導電型（ｎ型、ｐ型）を反転させても同様に成り立つ。

以上のように、本発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板の少なくとも一方の主面に電極が設けられ、一方の主面に設けられた電極上にめっき層が設けられたパワー半導体装置に有用である。

１ ｎ^-型ドリフト層
２ ｐ⁺型ベース領域
３ ｎ⁺型エミッタ領域
４ ゲート絶縁膜
５ ゲート電極
６ エミッタ電極
７ 層間絶縁膜
８ ｐ⁺型コレクタ層
９ コレクタ電極
１０ ｎ型バッファ層
１１ ニッケルめっき層
１２ 金めっき層
２０ 厚さの均一な半導体ウェハ
２０ａ 厚さの均一な半導体ウェハの側部
２１ 第１フィルム（裏面保護フィルム）
２２ 第２フィルム（側面保護フィルム）
２２ａ，２２ｂ 第２フィルムの短手方向の端部
２２ｃ 第２フィルムの長手方向の始端部
２２ｄ 第２フィルムの長手方向の終端部
２３ 第２フィルムの長手方向の終端部の重なり部
２３ａ 第２フィルムの終端部の第１部分
２３ｂ 第２フィルムの終端部の第２部分
２４ 第２フィルムの終端部の出っ張り部
３０ リブ形状の半導体ウェハ
３０ａ リブ形状の半導体ウェハの側部
３０ｂ リブ形状の半導体ウェハの面取り部
３１ 半導体ウェハの中央部
３２ 半導体ウェハの外周部
３３ａ リブ形状の半導体ウェハの段差部
３３ｂ リブ形状の半導体ウェハの裏面側の平坦部
４１ 押し付けローラー
４１ａ 押し付けローラーの側面のＶ溝
４２ 挟み込みローラー
４２ａ，４２ｂ 挟み込みローラーを構成する一対のローラー
ｘ 第２フィルムに覆われている部分の幅
θ 押し付けローラーの側面のＶ溝の角度

Claims (16)

1. 半導体ウェハの一方の主面側にめっき処理によってめっき層を形成する半導体装置の製造方法であって、
   前記半導体ウェハの一方の主面側に第１電極を形成する第１工程と、
   前記半導体ウェハの他方の主面側に、第１フィルムを貼り付ける第２工程と、
   前記第２工程の後、前記半導体ウェハの外周部に第２フィルムを貼り付ける第３工程と、
   前記第３工程の後、前記めっき処理によって前記半導体ウェハの一方の主面側に前記第１電極上に前記めっき層を形成する第４工程と、
   を含み、
   前記半導体ウェハはノッチ部またはオリエンテーションフラット部を有し、
   前記第３工程では、
   円柱状の複数のローラーを用いて前記半導体ウェハ上の前記第２フィルムに圧力をかけることにより、前記半導体ウェハに前記第２フィルムを貼り付けており、
   前記複数のローラーとして、
   前記半導体ウェハの側面に前記第２フィルムを介して接触する第１ローラーと、
   前記半導体ウェハの一方の主面および他方の主面にそれぞれ前記第２フィルムを介して接触する第２ローラーと、を用い、
   前記第１ローラーの直径は、前記半導体ウェハの前記ノッチ部または前記オリエンテーションフラット部の幅よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記第３工程は、
   前記第１ローラーによって前記半導体ウェハの側面に前記第２フィルムを押し付けて貼り付ける第１貼付工程と、
   前記半導体ウェハの側面に貼り付いた状態の前記第２フィルムの端部を、前記第２ローラーと前記半導体ウェハとの間に挟み込んで前記半導体ウェハの主面に貼り付ける第２貼付工程と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記第２貼付工程では、前記第２フィルムの、前記第１ローラーによって前記半導体ウェハの側面に貼り付けられた部分から前記第２フィルムの端部を前記半導体ウェハとの間に挟み込むことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記第３工程では、前記半導体ウェハの外周を少なくとも１周するように前記第２フィルムを貼り付けることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記第３工程では、前記第２フィルムの、前記半導体ウェハの外周に沿う方向において貼り付けの始点側となる端部上に、前記第２フィルムの、前記半導体ウェハの外周に沿う方向において貼り付けの終点側となる端部が重なるように、前記第２フィルムを貼り付けることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記第３工程では、前記第２フィルムの、前記半導体ウェハの外周に沿う方向において貼り付けの終点側となる端部の自由端側を、前記半導体ウェハの側面よりも外側に出っ張らせてなる出っ張り部を残すことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記第４工程の後、前記第２フィルムの前記出っ張り部を保持して前記第２フィルムを剥離する第５工程をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記第１ローラーは弾性体からなり、
   前記第１ローラーのショア硬度は３０以上９０以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記第１ローラーによって前記第２フィルムを貼り付けるときに前記半導体ウェハにかかる圧力は、５０ｋＰａ以上２５０ｋＰａ以下であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記第１ローラーは、前記半導体ウェハの側面に対向する部分にＶ字状の溝を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記第１ローラーの前記溝の角度が３０度以上１６０度以下であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記第３工程では、前記半導体ウェハの一方の主面から他方の主面に跨るように、前記半導体ウェハの外周部に前記第２フィルムを貼り付けることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
13. 前記第３工程では、前記第１フィルム上で終端するように、前記第２フィルムを前記半導体ウェハの外周部に貼り付けることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
14. 前記第４工程では、前記第１電極上に複数のめっき層を順に積層することを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
15. 前記第４工程は、少なくとも、無電解めっき処理により前記第１電極上にニッケル層を形成する工程、または、電解めっき処理により前記第１電極上にニッケル層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
16. 前記第１工程では、前記半導体ウェハの一方の主面側に前記第１電極を形成するとともに、前記半導体ウェハの他方の主面側に第２電極を形成し、
    前記第２工程では、前記半導体ウェハの他方の主面側に、前記第２電極を覆うように第１フィルムを貼り付けることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。

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