JP5471769B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
(形態1) ダイシング工程では、ダイシング領域の中央をダイシングする。
(形態2) Ni膜形成工程では、無電解メッキ法によってNi膜を形成する。
(形態3) SiO2膜の形成は、塗布法によって行う。例えば、液状にしたSiO2をノズルでダイシング領域に噴射して塗布することによって、SiO2膜を形成する。
(形態4) パッシベーション膜の形成は、フォトリソグラフィー法又はCVD法によって行う。
図面を参照して第1実施例を説明する。以下では、図1のS2〜S24の各工程に沿って本実施例の方法を説明する。本実施例では、半導体装置として、縦型のIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)を製造する場合の例について説明する。
図面を参照して第2実施例を説明する。図6に示すように、第2実施例の製造方法では、表面電極形成工程(S54)の直後に特性チェック工程(S56)を行うことで、第1実施例で行っているSiO2膜形成工程を省略している点で第1実施例と相違し、その他の点は第1実施例と略同様である。以下、第1実施例と相違する点を中心に説明する。
(1)上記の各実施例では、パッシベーション膜をCVD法で形成するが(図1のS6、図4のS58参照)、パッシベーション膜を塗布法で形成してもよい。塗布法を用いる場合、例えば、液状にしたポリイミド等をノズルでダイシング領域6に噴射して塗布することによってSiO2膜を形成してもよい。
(2)上記の各実施例では、ダイシングテープを半導体ウェハ2の裏面に貼ることによって半導体ウェハ2の裏面を被覆しているが(図1のS20、図4のS68参照)、ガラス製の支持体を半導体ウェハ2の裏面に接着剤によって貼り付けることで半導体ウェハ2の裏面を被覆してもよい。
(3)上記の各実施例では、無電解メッキ法によってNi膜を形成しているが(図1のS22、図4のS70参照)、電解メッキ法によってNi膜を形成してもよい。
(4)上記の第1実施例では、TEG8の端部を覆う部分のパッシベーション膜16を残し、TEG8の端部以外の部分を露出させるようにパッシベーション膜16を開口する(図3参照)。しかし、パッシベーション膜の開口方法はこれには限られない。例えば、TEG8の全面が露出するようにパッシベーション膜を開口してもよい。
Claims (2)
- 半導体素子領域とダイシング領域とが形成されている半導体ウェハに対し、前記ダイシング領域をダイシングすることで半導体装置を製造する方法であって、
前記ダイシング領域に形成されているTEGを用いて特性チェックを行う特性チェック工程と、
特性チェック工程後に、前記ダイシング領域上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
保護膜形成工程後に、半導体ウェハの裏面をマスキングする裏面マスキング工程と、
裏面マスキング工程後に、前記半導体素子領域上にNi膜を形成するNi膜形成工程と、
Ni膜形成工程後に、前記ダイシング領域をダイシングするダイシング工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記保護膜は非電解質であり、
前記Ni膜形成工程では、メッキ法によってNi膜を形成する、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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