JP6489397B1 - 液晶組成物及びそれを使用した液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

分子中に１つ又は２つ以上の不対電子を有するヒンダードアミン系光安定剤を１種又は２種以上含有する液晶組成物、及び該液晶組成物を使用した液晶表示素子を提供する。本発明の液晶組成物は、熱や光に対して安定で、比抵抗値が高い値であり、また、ＵＶ照射後の電圧保持率（ＶＨＲ（ＵＶ））が高い。更に本発明の液晶組成物を用いた表示素子は、液晶ディスプレイ用液晶組成物として非常に実用的であり、表示不良がない、または抑制された、表示品位の優れ、早い応答速度を実現できる。

Description

本発明は電気光学的液晶表示材料として有用な液晶組成物に関する。

液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッサー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ、時計、広告表示板等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（twisted nematic）型、ＳＴＮ（super twisted nematic）型、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ：thin film transistor）を用いた垂直配向を特徴としたＶＡ（vertucally aligned）型や水平配向を特徴としたＩＰＳ（in-plane switching）型／ＦＦＳ（fringe field switching）型等がある。

これらの表示方式において、ＩＰＳ型、ＥＣＢ型（Electrically Controlled Birefringence）、ＶＡ型、あるいはＣＳＨ（color super homeotropic）型等は、誘電率異方性（Δε）が負の値を示す液晶材料を用いるという特徴を有する。一方、ＴＮ型、ＳＴＮ型又はＩＰＳ型等の水平配向型ディスプレイではΔεが正の液晶組成物が用いられている。近年、Δεが正の液晶組成物を電圧無印加時に垂直に配向させ、ＩＰＳ型／ＦＦＳ型電界を印加する事で表示する駆動方式も報告されている。これら全ての駆動方式において低電圧駆動、高速応答、広い動作温度範囲が求められている。すなわち、Δεの絶対値が大きく、粘度（η）が小さく、高いネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ｎｉ）が要求されている。また、屈折率異方性（Δｎ）とセルギャップ（ｄ）との積であるΔｎ×ｄの設定から、液晶組成物のΔｎをセルギャップに合わせて適当な範囲に調節する必要がある。加えて液晶表示素子をテレビ等へ応用する場合においては高速応答性が重視されるため、γ_１の小さい液晶組成物が要求される。個々の表示素子にとってΔεやΔｎ等を最適な値とするために、液晶組成物は数種類から数十種類の化合物から構成されていることが一般的である。

これら液晶組成物の物性における要求に加え、液晶表示素子に用いられる液晶組成物は、水分、空気、熱、光などの外的刺激に対して安定であることが求められる。外的刺激に対する安定性が損なわれると、液晶表示素子に焼き付きや表示ムラ等の表示不良が発生してしまう。焼き付きや表示ムラ等の表示不良を抑えるためには、電圧保持率（ＶＨＲ）が高いことが必須であると一般的に考えられており、そのために、例えば、酸化防止剤又は光安定剤と特定の化合物とを組み合わせた液晶組成物を使用することが知られている（特許文献１及び特許文献２）。この外的刺激に対する安定性はあらゆる用途において重視され、高いＶＨＲを実現できる液晶組成物の更なる開発が求められていた。

更に、液晶テレビ等の高速応答が要求される液晶組成物においては、Δｎ及びＴ_ｎｉを低下させることなく、ηを十分に小さく、γ_１を十分に小さく、弾性定数（Ｋ_３３）を大きくすることに加え、高いＶＨＲが求められていた。また、これを用いた焼き付きや表示ムラ等の表示不良がない又は抑制された、表示品位の優れた応答速度の液晶表示素子が求められていた。

特開２０１４−８４４６０号 特開２０１４−８４４６２号

本発明が解決しようとする課題は、熱や光に対して安定で、高い電圧保持率を維持できる液晶組成物を提供し、更にこれを用いることで焼き付きや表示ムラ等の表示不良がない又は抑制された、表示品位に優れた液晶表示素子を提供することにある。

前記課題を解決するため、本発明者らは種々の化合物及び種々の組成物の検討を行った結果、特定の化合物を用いることにより前記課題を解決することができることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は、分子中に１つ又は２つ以上の不対電子を有するヒンダードアミン系光安定剤を１種又は２種以上含有する液晶組成物を提供する。

本発明の液晶組成物は、熱や光に対して安定で、高い電圧保持率を維持できるため、これを液晶表示素子に用いることにより、焼き付きや表示ムラ等の表示不良がない又は抑制された、表示品位の優れた液晶表示素子を得られる。

本願発明における液晶組成物は、分子中に１つ又は２つ以上の不対電子を有するヒンダードアミン系光安定剤を１種又は２種以上含有する。

ヒンダードアミン系光安定剤は、一般式（ｉ）又は一般式（ｉｉ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^ｉ０は水素原子、水酸基、−Ｏ・、又は炭素原子数１〜２０のアルキル基を表し、該アルキル基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−、トランス１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基又はナフタレン−２，６−ジイル基に置換されてもよく、Ｒ^ｉ０中の１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子、塩素原子又はシアノ基で置換されていてもよいが、少なくとも１つ以上のＲ^ｉ０は−Ｏ・を表し、
Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｒ^ｉ３及びＲ^ｉ４はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、該Ｒ^ｉ１とＲ^ｉ２及び／又はＲ^ｉ３とＲ^ｉ４は互いに結合して環を形成してもよく、
Ｒ^ｉ５、Ｒ^ｉ６、Ｒ^ｉ７及びＲ^ｉ８はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、Ｒ^ｉ５とＲ^ｉ６及び／又はＲ^ｉ７とＲ^ｉ８がアルキル基を表す場合、該Ｒ^ｉ５とＲ^ｉ６及び／又はＲ^ｉ７とＲ^ｉ８は互いに結合して環を形成してもよく、
ｎ^ｉは０又は１を表し、
ｍ^ｉ１は１〜６の整数を表し、Ｍ^ｉは１〜６価の有機基を表し、Ｍ^ｉの価数はｍ^ｉが表す数と同じ数であり、Ｒ^ｉ０が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよいが、少なくとも１つ以上のＲ^ｉ０は−Ｏ・を表し、Ｒ^ｉ０、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｒ^ｉ３、Ｒ^ｉ４、Ｒ^ｉ５、Ｒ^ｉ６、Ｒ^ｉ７、Ｒ^ｉ８及びｎ^ｉが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。）

（式中、Ｒ^ｉｉ０は水素原子、水酸基、−Ｏ・、又は炭素原子数１〜２０のアルキル基を表し、該アルキル基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−、トランス１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基又はナフタレン−２，６−ジイル基に置換されてもよく、Ｒ^ｉｉ０中の１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子、塩素原子又はシアノ基で置換されていてもよいが、少なくとも１つ以上のＲ^ｉｉ０は−Ｏ・を表し、
Ｒ^ｉｉ１、Ｒ^ｉｉ２、Ｒ^ｉｉ３及びＲ^ｉｉ４はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、該Ｒ^ｉｉ１とＲ^ｉｉ２及び／又はＲ^ｉｉ３とＲ^ｉｉ４は互いに結合して環を形成してもよく、
Ｒ^ｉｉ５、Ｒ^ｉｉ６、Ｒ^ｉｉ７及びＲ^ｉｉ８はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、Ｒ^ｉｉ５とＲ^ｉｉ６及び／又はＲ^ｉｉ７とＲ^ｉｉ８がアルキル基を表す場合、該Ｒ^ｉｉ５とＲ^ｉｉ６及び／又はＲ^ｉｉ７とＲ^ｉｉ８は互いに結合して環を形成してもよく、
ｎ^ｉｉは０又は１を表し、
ｍ^ｉｉは１から４を表し、Ｕ^ｉｉは環構造を形成する２×ｍ^ｉｉ価の有機基を表し、Ｒ^ｉｉ０が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよいが、少なくとも１つ以上のＲ^ｉ０は−Ｏ・を表し、Ｒ^ｉｉ０、Ｒ^ｉｉ１、Ｒ^ｉｉ２、Ｒ^ｉｉ３、Ｒ^ｉｉ４、Ｒ^ｉｉ５、Ｒ^ｉｉ６、Ｒ^ｉｉ７、Ｒ^ｉｉ８及びｎ^ｉｉが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
一般式（ｉ）及び一般式（ｉｉ）において、ｍ^ｉ及びｍ^ｉｉが１を表す場合は、Ｒ^ｉ０及びＲ^ｉｉ０は−Ｏ・を表す。ｍ^ｉ及びｍ^ｉｉが２以上の数を表す場合、複数存在するＲ^ｉ０及びＲ^ｉｉ０は、少なくとも１つ以上が−Ｏ・を表すことが好ましく、２つ以上が−Ｏ・を表すことが好ましいが、ＶＨＲ向上の観点から、複数存在するＲ^ｉ０及びＲ^ｉｉ０の全てが−Ｏ・を表さないことが好ましい。すなわち、Ｒ^ｉ０及びＲ^ｉｉ０の少なくとも１つの基が、水素、水酸基又は炭素原子数１〜２０のアルキル基を表すことで、該水素、水酸基又は炭素原子数１〜２０のアルキル基が液晶組成物中のラジカルを補足するためと考えられる。

ｍ^ｉ及びｍ^ｉｉが２より大きい数を表し、複数存在するＲ^ｉ０及びＲ^ｉｉ０が−Ｏ・と−Ｏ・以外の基を表す場合、−Ｏ・以外の基は、液晶組成物との相溶性の観点から、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基又は炭素原子数２〜２０のアルケニル基であることが好ましく、炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基又は炭素原子数３〜１２のアルケニル基であることがより好ましい。アルキル基、アルコキシ基又はアルケニル基は直鎖状又は分子状であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。製造の簡便さから、水素原子又は炭素原子数１〜５の直鎖状のアルキル基であることが特に好ましい。また、光劣化防止能を高めるには水素原子又は水酸基であることが好ましく、水素原子であることが特に好ましい。

Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｒ^ｉ３、Ｒ^ｉ４、Ｒ^ｉｉ１、Ｒ^ｉｉ２、Ｒ^ｉｉ３及びＲ^ｉｉ４はそれぞれ独立して炭素原子数１〜４のアルキル基であることが好ましく、原料の入手の容易さ及び化合物の安定性の観点からメチル基であることが特に好ましい。また、製造時に混入する極性不純物の除去を容易にするためにはＲ^ｉ１とＲ^ｉ２及び／又はＲ^ｉ３とＲ^ｉ４は互いに結合して環構造を形成することが好ましい。同様に、Ｒ^ｉｉ１とＲ^ｉｉ２及び／又はＲ^ｉｉ３とＲ^ｉｉ４は互いに結合して環構造を形成することが好ましい。

Ｒ^ｉ５、Ｒ^ｉ６、Ｒ^ｉ７、Ｒ^ｉ８、Ｒ^ｉｉ５、Ｒ^ｉｉ６、Ｒ^ｉｉ７及びＲ^ｉｉ８はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数１〜８のアルキル基であることが好ましく、水素原子又は炭素原子数１〜４のアルキル基であることが好ましく、原料の入手の容易さ及び化合物の安定性の観点から水素原子又はメチル基であることが特に好ましい。

一般式（ｉ）で表される化合物において、ｍ^ｉは１〜６の整数を表し、Ｍ^ｉは１〜６価の有機基を表し、Ｍ^ｉの価数はｎ^ｉが表す数と同じ数である。

Ｍ^ｉは、一般式（ｉ−Ｍ）で表される基であることが好ましい。

（式中、Ｚ^Ｍ１及びＺ^Ｍ２はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｓ−、−ＳＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、
Ａ^Ｍ１は
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ペンタフルオロスルフラニル基、ニトロ基、シアノ基、イソシアノ基、アミノ基、水酸基、メルカプト基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、トリメチルシリル基、ジメチルシリル基、チオイソシアノ基又は炭素原子数１から１２のアルキル基で置換されていてもよく、該アルキル基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてもよく、
Ｓｐ^Ｍ１は単結合又は炭素原子数１〜１０のアルキレン基を表し、該アルキレン基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−で、Ｓｐ^Ｍ１に隣接するＺ^Ｍ１に直接結合しない−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてもよく、
Ｗは水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ペンタフルオロスルフラニル基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、メルカプト基又は１〜６価の有機基を表すが、Ｗの価数は一般式（ｉ）中のｍ^ｉ１が表す数と同じ数であり、
ｐＭ１は０から８の整数を表し、
ｎＭ１は１〜６の整数を表すが、ｎＭ１及び一般式（ｉ）中のｍ^ｉ１は同じ数であり、
Ｚ^Ｍ１、Ｚ^Ｍ２、Ｓｐ^Ｍ１及びＡ^Ｍ１が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
一般式（ｉ−Ｍ）において、Ｚ^Ｍ１及びＺ^Ｍ２は製造の容易さの観点から−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合であることが好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯ−ＮＨ−又は単結合であることがより好ましい。
Ｓｐ^Ｍ１は単結合又は炭素原子数１から８のアルキレン基であることが好ましく、単結合又は炭素原子数１から６のアルキレン基であることがより好ましく、該アルキレン基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−で、Ｓｐ^Ｍ１に隣接するＺ^Ｍ１に直接結合しない−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されていてもよい。原料の入手の容易さおよび合成の容易さから、Ｓｐ^Ｍ１は単結合であることが好ましい。

Ａ^Ｍ１は１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、ナフタレン−１，４−ジイル基、テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表すことが好ましく、これらの基はそれぞれ独立して無置換であることが好ましく、又、シアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基又はメトキシ基で置換されていてもよい。

なお、一般式（ｉ−Ｍ）において、−Ｏ−Ｏ−、−ＮＨ−Ｏ−、−Ｏ−ＮＨ−、−Ｏ−Ｓ−及び−Ｓ−Ｏ−基を含む構造となることはない。

ｐＭ１は液晶組成物との相溶性及び製造の容易さから０〜３の整数であることが好ましく、１〜３の整数であることが好ましい。
ｎＭ１は一般式（ｉ）中のｍ^ｉ１と同じ数を表す。Ｗは水素原子又は１〜４価の有機基を表すことが好ましいが、Ｗの価数は一般式（ｉ）中のｍ^ｉ１が表す数と同じ数である。例えば、一般式（ｉ）中のｍ^ｉ１が１を表す場合、すなわち、一般式（ｉ−Ｍ）中のｎＭ１が１で、Ｗの価数が１の場合、一般式（ｉ−Ｍ）は

を表す。一般式（ｉ）中のｍ^ｉ１が２を表す場合、すなわち、一般式（ｉ−Ｍ）中のｎＭ１が２で、Ｗの価数が２の場合、一般式（ｉ−Ｍ）は

を表す。

一般式（ｉ）において、一般式（ｉ）中のｍ^ｉ１が１を表す場合、すなわち、一般式（ｉ−Ｍ）中のｎＭ１が１であり、Ｗの価数が１の場合、一般式（ｉ−Ｍ）中のＷが水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ペンタフルオロスルフラニル基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、メルカプト基又は炭素原子数１から１２のアルキル基を表すことが好ましく、該アルキル基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されていてもよい。製造の容易さから、Ｗは、炭素原子数１から８のアルキル基を表すことが好ましく、該アルキル基は直鎖状でも分枝状でもよいが、直鎖状であることが好ましい。

一般式（ｉ）において、一般式（ｉ）中のｍ^ｉ１が２を表す場合、すなわち、一般式（ｉ−Ｍ）中のｎＭ１が２であり、Ｗの価数が２の場合、一般式（ｉ−Ｍ）中のＷが炭素原子数１〜１０のアルキレン基を表すことが好ましく、該アルキレン基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてもよい。

また、一般式（ｉ）中のｍ^ｉ１が２を表す場合、すなわち、一般式（ｉ−Ｍ）中のｎＭ１が２であり、Ｗの価数が２の場合、Ｗが
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表すことが好ましく、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ペンタフルオロスルフラニル基、ニトロ基、シアノ基、イソシアノ基、アミノ基、水酸基、メルカプト基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、トリメチルシリル基、ジメチルシリル基、チオイソシアノ基又は炭素原子数１から１２のアルキル基で置換されていてもよく、該アルキル基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてもよい。

Ｗの価数が２の場合、一般式（ｉ−Ｍ）中のＷは炭素原子数１から８のアルキレン基を表すことが好ましく炭素原子数１から６のアルキレン基であることがより好ましく、該アルキレン基は直鎖状でも分枝状でもよいが、直鎖状であることが好ましい。また、該アルキレン基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されていてもよい。また、Ｗは１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、ナフタレン−１，４−ジイル基、テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表すことが好ましく、これらの基はそれぞれ独立して無置換であることが好ましく、又、シアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基又はメトキシ基で置換されていてもよい。

一般式（ｉ）において、一般式（ｉ）中のｍ^ｉ１が３を表す場合、すなわち、一般式（ｉ−Ｍ）中のｎＭ１が３であり、Ｗの価数が３の場合、一般式（ｉ−Ｍ）中のＷが炭素原子数１から１５の炭化水素基を表すことが好ましく、当該炭化水素基中の炭素原子中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてもよい。Ｗは、式（Ｗ３−１）〜式（Ｗ３−１２）で表される基から選択される基であることがより好ましい。

（式中の、Ｒ^ｗ３１及びＲ^ｗ３２は、水素原子、水酸基又は炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、該アルキル基中に存在する１個又は２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−に置換されてもよい。また、環状構造中の水素原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ペンタフルオロスルフラニル基、ニトロ基、シアノ基、イソシアノ基、アミノ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、トリメチルシリル基、ジメチルシリル基、チオイソシアノ基又は炭素原子数１から１２のアルキル基で置換されていてもよく、該アルキル基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてもよい。）
Ｒ^ｗ３１及びＲ^ｗ３２は、水素原子、水酸基又は炭素原子数１〜８のアルキル基を表すことが好ましく、直鎖状であることが好ましい。また、式（Ｗ３−４）〜式（Ｗ３−１２）はそれぞれ独立して無置換であることが好ましく、又、式（Ｗ３−４）〜式（Ｗ３−１２）中の水素原子はシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基又はメトキシ基で置換されていてもよい。

原料の入手容易さ及び製造の容易さの観点から、式（Ｗ３−１）、式（Ｗ３−２）、及び無置換の式（Ｗ３−３）〜（Ｗ３−１２）から選ばれる基を表すことが特に好ましい。

具体的には、一般式（ｉ）としてｍ^ｉ１が３を表す化合物は、一般式（ｉ−ａ１）〜（ｉ−ａ１４）で表される化合物が特に好ましい。

（式中のＲ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３は、それぞれ独立して一般式（ｉ）中のＲ^ｉ０と同じ意味を表す。）
一般式（ｉ）において、一般式（ｉ）中のｍ^ｉ１が４を表す場合、すなわち、一般式（ｉ−Ｍ）中のｎＭ１が４であり、Ｗの価数が４の場合、一般式（ｉ−Ｍ）中のＷが炭素原子数１から１５の炭化水素基を表すことが好ましく、当該炭化水素基中の炭素原子中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてもよい。Ｗは、式（Ｗ４−１）〜式（Ｗ４−２１）で表される基から選択される基であることがより好ましい。

環状構造中の水素原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ペンタフルオロスルフラニル基、ニトロ基、シアノ基、イソシアノ基、アミノ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、トリメチルシリル基、ジメチルシリル基、チオイソシアノ基又は炭素原子数１から１２のアルキル基で置換されていてもよく、該アルキル基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてもよい。また、式（Ｗ４−３）〜式（Ｗ４−２１）はそれぞれ独立して無置換であることが好ましく、又、式（Ｗ４−３）〜式（Ｗ４−２１）中の水素原子はシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基又はメトキシ基で置換されていてもよい。

原料の入手容易さ及び製造の容易さの観点から、式（Ｗ４−１）、式（Ｗ４−２）、及び無置換の式（Ｗ４−３）〜（Ｗ４−２１）から選ばれる基を表すことが特に好ましい。

また、一般式（ｉ）で表される化合としては、以下の一般式（ｉ−１）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（ｉ−１）中、Ｒ^ｉｓは一般式（ｉ）中のＲ^ｉ０と同じ意味を表す。

Ｍ^ｉＳはｍ^ｉＳが１を表す場合炭素原子数１から１５のアルキル基を表し、ｍ^ｉＳが２から６の整数を表す場合炭素原子数１から１５のアルキレン基を表し、Ｍ^ｉＳ中に存在する１個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基で置換されてもよいが、液晶組成物へ与える粘性や自身の揮発性を考慮すると、Ｍ^ｉＳは炭素原子数２から１０のアルキル基又はアルキレン基が好ましく、炭素原子数２から８のアルキル基又はアルキレン基が好ましく、炭素原子数４から８のアルキル基又はアルキレン基が好ましく、炭素原子数６又は８のアルキル基又はアルキレン基が好ましい。Ｍ^ｉＳは直鎖状であっても分岐していてもよい。

ｍ^ｉＳは１から６の整数を表すが、２から４であることが好ましい。

ｍ^ｉＳが１を表す場合、一般式（ｉ−１）で表される化合物は、一般式（ｉ−１１）又は一般式（ｉ−１２）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^ｉｓは一般式（ｉ）中のＲ^ｉ０と同じ意味を表し、Ｍは炭素原子数１から１３のアルキレン基を表す。）

（式中、Ｒ^ｉｓは一般式（ｉ）中のＲ^ｉ０と同じ意味を表し、Ｒ^ｉ１１は、それぞれ独立的に水素原子又は炭素原子数１から１０のアルキル基を表す。）
ｍ^ｉＳが２を表す場合、一般式（ｉ−１）で表される化合物は、一般式（ｉ−２）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｈ１及びＲ^Ｈ２は一般式（ｉ）中のＲ^ｉ０とそれぞれ同じ意味を表し、Ｍは炭素原子数１から１５のアルキレン基を表すが、Ｍ中に存在する１個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基で置換されてもよい。）
一般式（ｉ−２）中、Ｍは炭素原子数１から１５のアルキレン基を表すが、液晶組成物へ与える粘性や自身の揮発性を考慮すると、Ｍは炭素原子数２から１０のアルキレンが好ましく、炭素原子数４から８のアルキレンが好ましく、炭素原子数６又は８のアルキレンが好ましい。
具体的には、一般式（ｉ−２４）、一般式（ｉ−２６）及び一般式（ｉ−２８）で表される化合物が挙げられる。これらの式中のＲ^Ｈ１及びＲ^Ｈ２は先述のとおりである。

また、ｍ^ｉＳが３から６の整数を表す場合、一般式（ｉ−１）で表される化合物は、一般式（ｉ−３）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｈ３、Ｒ^Ｈ４及びＲ^Ｈ５は、それぞれ独立して一般式（ｉ）中のＲ^ｉ０と同じ意味を表し、ｎ^Ｈ１及びｎ^Ｈ２はそれぞれ独立的に０又は１を表す。ｎ^Ｈ３は１から４の整数を表す。ｎ^Ｈ３が２，３又は４であり、Ｒ^Ｈ５が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
一般式（ｉ−３）中、ｎ^Ｈ３は１を表す場合、上記一般式（ｉ−ａ１）〜一般式（ｉ−ａ３）を表すことが好ましい。また、一般式（ｉ−３）中、ｎ^Ｈ３は２を表す場合、以下の一般式（ｉ−３１）及び一般式（ｉ−３２）で表される化合物が好ましい。これらの式中のＲ^Ｈ３、Ｒ^Ｈ４及びＲ^Ｈ５は先述のとおりである。

また、一般式（ｉ）で表される化合物においてｎ^ｉが０を表す化合物としては、以下の化合物が好ましい。

（式中のＲ^１０は一般式（ｉ）中のＲ^ｉ０と同じ意味を表す。）
一般式（ｉｉ）で表される化合物としては、以下の一般式（ｉｉ−１）又は一般式（ｉｉ−２）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^ｉｉ１０は一般式（ｉｉ）中のＲ^ｉｉ０と同じ意味を表し、
Ｓｐ^ｉｉ１は単結合又は炭素原子数１から１２のアルキレン基を表し、アルキレン基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていてもよく、
Ａ^ｉｉ１はそれぞれ独立して
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基であり、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基又はメトキシ基で置換されていてもよく、Ｒ^ｉｉ１１は水素原子、炭素原子数１から１２のアルキル基又は一般式（ｉ−ｅ）

（式中、Ｒ^ｅ１は水素原子又は水酸基を表し、Ｓｐ^ｉｅ１は単結合又は炭素原子数１から１２のアルキレン基を表し、該アルキレン基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていてもよく、ｓ１は０又は１を表す。）
で表される基を表し、Ｒ^ｉｉ１１中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられてもよく、
ｎ^ｉｉ１は０又は１を表し、ｐ^ｉｉは０、１又は２を表すが、ｐ^ｉｉが２を表す場合、複数存在するＳｐ^ｉｉ１及びＡ^ｉｉ２はそれぞれ独立して同一であっても異なっていてもよい。）

（式中、Ｒ^ｉｉ１０及びＲ^ｉｉ２１は水素原子、水酸基、−Ｏ・、又は炭素原子数１〜２０のアルキル基を表し、該アルキル基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−、トランス１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基又はナフタレン−２，６−ジイル基に置換されてもよく、Ｒ^ｉｉ０中の１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子、塩素原子又はシアノ基で置換されていてもよいが、Ｒ^ｉｉ２０及びＲ^ｉｉ２１の少なくともいずれか一方は−Ｏ・を表し、
ｎ^ｉｉ２、ｌ、ｏ及びｒはそれぞれ独立して０又は１を表す。）
また、分子中に１つ又は２つ以上の不対電子を有するヒンダードアミン系光安定剤は、以下の一般式（ｉ−Ｎ）又は一般式（ｉｉ−Ｎ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^ｉＮは水素原子、水酸基、−Ｏ・、又は炭素原子数１〜２０のアルキル基を表し、該アルキル基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−、トランス１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基又はナフタレン−２，６−ジイル基に置換されてもよく、Ｒ^ｉ０中の１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子、塩素原子又はシアノ基で置換されていてもよいが、一般式（ｉ−Ｎ）において、少なくとも１つ以上の窒素原子は不対電子を有し、該窒素原子が不対電子を有する場合は＝Ｎ−Ｒ^ｉＮは＝Ｎ・を表し、
Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｒ^ｉ３、Ｒ^ｉ４、Ｒ^ｉ５、Ｒ^ｉ６、Ｒ^ｉ７、Ｒ^ｉ８、ｎ^ｉ、ｍ^ｉ１及びＭ^ｉは一般式（ｉ）中のＲ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｒ^ｉ３、Ｒ^ｉ４、Ｒ^ｉ５、Ｒ^ｉ６、Ｒ^ｉ７、Ｒ^ｉ８、ｎ^ｉ、ｍ^ｉ１及びＭ^ｉとそれぞれ同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉｉＮは水素原子、水酸基、−Ｏ・、又は炭素原子数１〜２０のアルキル基を表し、該アルキル基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−、トランス１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基又はナフタレン−２，６−ジイル基に置換されてもよく、Ｒ^ｉｉ０中の１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子、塩素原子又はシアノ基で置換されていてもよいが、一般式（ｉｉ−Ｎ）において、少なくとも１つ以上の窒素原子は不対電子を有し、該窒素原子が不対電子を有する場合は＝Ｎ−Ｒ^ｉｉＮは＝Ｎ・を表し、
Ｒ^ｉｉ１、Ｒ^ｉｉ２、Ｒ^ｉｉ３、Ｒ^ｉｉ４、Ｒ^ｉｉ５、Ｒ^ｉｉ６、Ｒ^ｉｉ７、Ｒ^ｉｉ８、ｎ^ｉｉ、ｍ^ｉｉ及びＵ^ｉｉは一般式（ｉｉ）中のＲ^ｉｉ１、Ｒ^ｉｉ２、Ｒ^ｉｉ３、Ｒ^ｉｉ４、Ｒ^ｉｉ５、Ｒ^ｉｉ６、Ｒ^ｉｉ７、Ｒ^ｉｉ８、ｎ^ｉｉ、ｍ^ｉｉ及びＵ^ｉｉとそれぞれ同じ意味を表す。）
液晶表示素子に用いられる液晶組成物は、液晶表示素子の製造時に、液晶組成物を封止するためのシール剤の硬化等の工程で光及び／又は熱にさらされる。また、製造後の液晶表示素子も、光にさらされたり、高温下の環境におかれたりする。これらの外的刺激により、液晶化合物は失活し、続いて開裂してラジカルを発生する。発生したラジカル化合物は、付加反応を起こしてイオンを生成したりすることから、これら反応生成物が液晶組成物中に不純物として多量に存在することになる。その結果、液晶組成物の安定性が損なわれ、液晶表示素子の品質低下につながると考えられる。これに対して、液晶組成物中にヒンダードアミン系光安定剤を添加すると、液晶組成物中に発生したラジカル化合物を捕捉することでラジカル化合物の量を低減させる作用により、より安定性の高い液晶組成物を得られると考えられる。
特に、分子中に１つ又は２つ以上の不対電子を有するヒンダードアミン系光安定剤は、不対電子を有することから、例えば一般式（ｉ）中のＲ^ｉ０又は一般式（ｉｉ）中のＲ^ｉｉ０が水素原子を有さない基であるため、発生したラジカル化合物を補足する際に水素等のイオンの原因物質（副生成物）を放出してしまうことがない。放出される副生成物は比抵抗値を低下させる原因となることから、本発明のヒンダードアミン系光安定剤を用いると、比抵抗値の低下をより抑制できると考えられる。
なお、通常ラジカル化合物は不安定で、安定な化合物に変化すると考えられるが、本発明の分子中に１つ又は２つ以上の不対電子を有するヒンダードアミン系光安定剤は、ＥＳＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｉｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）により安定な化合物であることが確認できた。更に、不対電子を有するヒンダードアミン系光安定剤は配向膜にひきよせられるので、配向膜の劣化を抑制できることがＥＳＲで確認できた。

本発明の液晶組成物において、分子中に１つ又は２つ以上の不対電子を有するヒンダードアミン系光安定剤の総量を、組成物中に下限値として、０．００１％以上含有することが好ましく、０．００２％以上含有することが好ましく、０．００３％以上含有することが好ましく、０．００４％以上含有することが好ましく、０．００５％以上含有することが好ましく、０．００６％以上含有することが好ましく、０．００７％以上含有することが好ましく、０．００８％以上含有することが好ましく、０．００９％以上含有することが好ましく、０．０１％以上含有することが好ましく、０．０２％以上含有することが好ましく、０．０３％以上含有することが好ましく、０．０４％以上含有することが好ましく、０．０５％以上含有することが好ましく、０．０６％以上含有することが好ましく、０．０７％以上含有することが好ましく、０．０８％以上含有することが好ましく、０．０９％以上含有することが好ましく、０．１０％以上含有することが好ましく、０．１１％以上含有することが好ましく、０．１２％以上含有することが好ましく、０．１３％以上含有することが好ましく、０．１４％以上含有することが好ましく、０．１５％以上含有することが好ましく、０．２０％以上含有することが好ましく、０．２５％以上含有することが好ましく、０．３０％以上含有することが好ましく、０．３５％以上含有することが好ましく、０．４０％以上含有することが好ましく、０．５０％以上含有することが好ましく、１％以上含有することが好ましい。また、上限値として５％以下含有することが好ましく、３％以下含有することが好ましく、２％以下含有することが好ましく、１．５％以下含有することが好ましく、１％以下含有することが好ましく、０．９％以下含有することが好ましく、０．８％以下含有することが好ましく、０．７％以下含有することが好ましく、０．６％以下含有することが好ましく、０．５％以下含有することが好ましく、０．４５％以下含有することが好ましく、０．４％以下含有することが好ましく、０．３５％以下含有することが好ましく、０．３％以下含有することが好ましく、０．２５％以下含有することが好ましく、０．２％以下含有することが好ましく、０．１５％以下含有することが好ましく、０．１％以下含有することが好ましく、０．０７％以下含有することが好ましく、０．０５％以下含有することが好ましく、０．０３％以下含有することが好ましい。

より具体的には、０．０１から２質量％含有することが好ましく、０．０１から１質量％であることが好ましく、０．０１から０．２質量％であることが更に好ましく、０．０１から０．１５質量％であることが特に好ましい。更に詳述すると、低温における析出の抑制を重視する場合にはその含有量は０．０１から０．１質量％が好ましい。

本発明の液晶組成物は、一般式（ＩＩ）で表される化合物を１種又は２種以上含有することが好ましい。

（式中、Ｒ^ＩＩ１は炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
Ａ^ＩＩ１及びＡ^ＩＩ２はそれぞれ独立して
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていてもよく、
Ｚ^ＩＩ１は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
Ｙ^ＩＩ１は水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基又は炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、また、アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、
ｍ^ＩＩ１は１、２、３又は４を表すが、ｍ^ＩＩ１が２、３又は４を表す場合、複数存在するＡ^ＩＩ１及びＺ^ＩＩ１は同一であっても異なっていても良い。）
本発明の液晶組成物は、一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有量は、組成物中に下限値として、１０％以上含有することが好ましく、３０％以上含有することが好ましく、５０％以上含有することが好ましく、８０％以上含有することが好ましく、８５％以上含有することが好ましく、８８％以上含有することが好ましく、９０％以上含有することが好ましく、９２％以上含有することが好ましく、９５％以上含有することが好ましく、９７％以上含有することが好ましく、９８％以上含有することが好ましく、９９％以上含有することが好ましく、実質的に実質的にヒンダードアミン系光安定剤及び重合性化合物以外の他の化合物を含有しないことが好ましい。また、上限値として、９０％以下含有することが好ましく、９５％以下含有することが好ましく、９８％以下含有することが好ましく、９９％以下含有することが好ましく、実質的にヒンダードアミン系光安定剤及び重合性化合物以外の他の化合物を含有しないことが好ましい。実質的にとは、製造時に不可避的に生成する不純物等の意図せず含有する化合物を除くという意味である。
＜一般式（ＩＩ）で表される化合物の第一態様＞
一般式（ＩＩ）で表される化合物は、誘電率異方性が正のいわゆるｐ型液晶化合物であって、以下の一般式（Ｊ）で示される化合物を挙げることができる。

一般式（ＩＩ）で表される化合物として、一般式（Ｊ）で表される化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましい。これら化合物は誘電的に正の化合物（Δεが２より大きい。）に該当する。

（式中、Ｒ^Ｊ１は炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎ^Ｊ１は、０、１、２、３又は４を表し、
Ａ^Ｊ１、Ａ^Ｊ２及びＡ^Ｊ３はそれぞれ独立して、
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基で置換されていても良く、
Ｚ^Ｊ１及びＺ^Ｊ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎ^Ｊ１が２、３又は４であってＡ^Ｊ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｊ１が２、３又は４であってＺ^Ｊ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｘ^Ｊ１は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表す。）
一般式（Ｊ）中、Ｒ^Ｊ１は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。

信頼性を重視する場合にはＲ^Ｊ１はアルキル基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合にはアルケニル基であることが好ましい。

また、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。

アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点はアルケニル基が結合している環構造中の炭素原子を表す。）

Ａ^Ｊ１、Ａ^Ｊ２及びＡ^Ｊ３はそれぞれ独立してΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、それらはフッ素原子により置換されていてもよく、下記の構造を表すことがより好ましく、

下記の構造を表すことがより好ましい。

Ｚ^Ｊ１及びＺ^Ｊ２はそれぞれ独立して−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合を表すことが好ましく、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合が更に好ましく、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−又は単結合が特に好ましい。

Ｘ^Ｊ１はフッ素原子又はトリフルオロメトキシ基が好ましく、フッ素原子が好ましい。

ｎ^Ｊ１は、０、１、２又は３が好ましく、０、１又は２が好ましく、Δεの改善に重点を置く場合には０又は１が好ましく、Ｔｎｉを重視する場合には１又は２が好ましい。

組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類である。またさらに、本発明の別の実施形態では４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類以上である。

本発明の組成物において、一般式（Ｊ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｊ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの形態では９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％である。

本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

信頼性を重視する場合にはＲ^Ｊ１はアルキル基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合にはアルケニル基であることが好ましい。

一般式（Ｊ）で表される化合物としては一般式（Ｍ）で表される化合物及び一般式（Ｋ）で表される化合物が好ましい。

本発明の組成物は、一般式（Ｍ）で表される化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましい。これら化合物は誘電的に正の化合物（Δεが２より大きい。）に該当する。

（式中、Ｒ^Ｍ１は炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎ^Ｍ１は、０、１、２、３又は４を表し、
Ａ^Ｍ１及びＡ^Ｍ２はそれぞれ独立して、
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）及び基（ｂ）上の水素原子はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｚ^Ｍ１及びＺ^Ｍ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎ^Ｍ１が２、３又は４であってＡ^Ｍ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｍ１が２、３又は４であってＺ^Ｍ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｘ^Ｍ１及びＸ^Ｍ３はそれぞれ独立して水素原子、塩素原子又はフッ素原子を表し、
Ｘ^Ｍ２は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表す。）
一般式（Ｍ）中、Ｒ^Ｍ１は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。

信頼性を重視する場合にはＲ^Ｍ１はアルキル基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合にはアルケニル基であることが好ましい。

また、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。

アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点はアルケニル基が結合している環構造中の炭素原子を表す。）

Ａ^Ｍ１及びＡ^Ｍ２はそれぞれ独立してΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造を表すことがより好ましく、

下記の構造を表すことがより好ましい。

Ｚ^Ｍ１及びＺ^Ｍ２はそれぞれ独立して−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合を表すことが好ましく、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合が更に好ましく、−ＣＦ_２Ｏ−又は単結合が特に好ましい。

ｎ^Ｍ１は、０、１、２又は３が好ましく、０、１又は２が好ましく、Δεの改善に重点を置く場合には０又は１が好ましく、Ｔｎｉを重視する場合には1又は２が好ましい。

組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類である。またさらに、本発明の別の実施形態では４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類以上である。

本発明の組成物において、一般式（Ｍ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、０％であり、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの形態では９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％である。

本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

一般式（Ｍ）で表される液晶化合物は、具体的には下記一般式（Ｍ−１）及び一般式（Ｍ−２）であることが好ましい。

（式中、Ｒ^３１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^３１及びＸ^３２はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^３１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表し、Ｍ^３１〜Ｍ^３３はそれぞれ独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表し、該トランス−１，４−シクロへキシレン基中の１つ又は２つの−ＣＨ_２−は酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−で置換されていてもよく、該フェニレン基中の１つ又は２つの水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、ｎ^３１及びｎ^３２はそれぞれ独立して０、１又は２を表し、ｎ^４１＋ｎ^４２は、１、２又は３を表す。）
一般式（Ｍ−１）で表される液晶化合物は、具体的には下記一般式（Ｍ−１−ａ）から一般式（Ｍ−１−ｆ）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^３１、Ｘ^３１、Ｘ^３２及びＹ^３１は一般式（Ｍ）中のＲ^３１、Ｘ^３１、Ｘ^３２及びＹ^３１と同じ意味を表し、Ｘ^３４〜Ｘ^３９はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表す。）
一般式（Ｍ−２）で表される液晶化合物は、具体的には下記一般式（Ｍ−２−ａ）から一般式（Ｍ−２−ｎ）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^３１、Ｘ^３１、Ｘ^３２及びＹ^３１は一般式（Ｍ）中のＲ^３１、Ｘ^３１、Ｘ^３２及びＹ^３１と同じ意味を表し、Ｘ^３４〜Ｘ^３９はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表す。）
また、一般式（Ｍ）で表される液晶化合物は、具体的には下記一般式（Ｍ−３）から一般式（Ｍ−２６）であることが好ましい。

（式中、Ｒ^３１、Ｘ^３１、Ｘ^３２及びＹ^３１は一般式（Ｍ）中のＲ^３１、Ｘ^３１、Ｘ^３２及びＹ^３１と同じ意味を表し、Ｘ^３４〜Ｘ^３９はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表す。）
本発明の組成物は、一般式（Ｋ）で表される化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましい。これら化合物は誘電的に正の化合物（Δεが２より大きい。）に該当する。

（式中、Ｒ^Ｋ１は炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎ^Ｋ１は、０、１、２、３又は４を表し、
Ａ^Ｋ１及びＡ^Ｋ２はそれぞれ独立して、
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）及び基（ｂ）上の水素原子はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｚ^Ｋ１及びＺ^Ｋ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎ^Ｋ１が２、３又は４であってＡ^Ｋ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｋ１が２、３又は４であってＺ^Ｋ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｘ^Ｋ１及びＸ^Ｋ３はそれぞれ独立して水素原子、塩素原子又はフッ素原子を表し、
Ｘ^Ｋ２は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表す。）
一般式（Ｋ）中、Ｒ^Ｋ１は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。

信頼性を重視する場合にはＲ^Ｋ１はアルキル基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合にはアルケニル基であることが好ましい。

また、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。

アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点はアルケニル基が結合している環構造中の炭素原子を表す。）

Ａ^Ｋ１及びＡ^Ｋ２はそれぞれ独立してΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造を表すことがより好ましく、

下記の構造を表すことがより好ましい。

Ｚ^Ｋ１及びＺ^Ｋ２はそれぞれ独立して−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合を表すことが好ましく、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合が更に好ましく、−ＣＦ_２Ｏ−又は単結合が特に好ましい。

ｎ^Ｋ１は、０、１、２又は３が好ましく、０、１又は２が好ましく、Δεの改善に重点を置く場合には０又は１が好ましく、Ｔｎｉを重視する場合には1又は２が好ましい。

組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類である。またさらに、本発明の別の実施形態では４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類以上である。

本発明の組成物において、一般式（Ｋ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

本発明の組成物の総量に対しての式（Ｋ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの形態では９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％である。

本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

一般式（Ｋ）で表される液晶化合物は、具体的には下記一般式（Ｋ−１）及び一般式（Ｋ−２）であることが好ましい。

（式中、Ｒ^４１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^４１及びＸ^４２はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^４１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表し、Ｍ^４１〜Ｍ^４３はそれぞれ独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表し、該トランス−１，４−シクロへキシレン基中の１つ又は２つの−ＣＨ_２−は酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−で置換されていてもよく、該フェニレン基中の１つ又は２つの水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、ｎ^４１及びｎ^４２はそれぞれ独立して０、１又は２を表し、ｎ^４１＋ｎ^４２は、１、２又は３を表す。）
一般式（Ｋ−１）で表される液晶化合物は、具体的には下記一般式（Ｋ−１−ａ）から一般式（Ｋ−１−ｄ）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^４１、Ｘ^４１、Ｘ^４２及びＹ^４１は一般式（Ｋ）中のＲ^４１、Ｘ^４１、Ｘ^４２及びＹ^４１と同じ意味を表し、Ｘ^４４〜Ｘ^４９はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表す。）
一般式（Ｋ−２）で表される液晶化合物は、具体的には下記一般式（Ｋ−２−ａ）から一般式（Ｋ−２−ｇ）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^４１、Ｘ^４１、Ｘ^４２及びＹ^４１は一般式（Ｋ）中のＲ^４１、Ｘ^４１、Ｘ^４２及びＹ^４１と同じ意味を表し、Ｘ^４４〜Ｘ^４９はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表す。）
また、一般式（Ｋ）で表される液晶化合物は、具体的には下記一般式（Ｋ−３）から一般式（Ｋ−５）であることが好ましい。

（式中、Ｒ^４１、Ｘ^４１、Ｘ^４２及びＹ^４１は一般式（Ｋ）中のＲ^４１、Ｘ^４１、Ｘ^４２及びＹ^４１と同じ意味を表し、Ｘ^４４〜Ｘ^４９はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表す。）
＜一般式（ＩＩ）で表される化合物の第二態様＞
一般式（ＩＩ）で表される化合物は、誘電率異方性が負のいわゆるｎ型液晶化合物であって、以下の一般式（ＬＣ１）及び一般式（ＬＣ２）で示される化合物を挙げることができる。

一般式（ＩＩ）で表される化合物として、一般式（Ｎ−１）〜一般式（Ｎ−３）で表される化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有することが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１及びＲ^Ｎ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１及びＡ^Ｎ３２はそれぞれ独立して
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１及びＺ^Ｎ３２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
Ｘ^Ｎ２１は水素原子又はフッ素原子を表し、
Ｔ^Ｎ３１は−ＣＨ_２−又は酸素原子を表し、
ｎ^Ｎ１１、ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１、ｎ^Ｎ２２、ｎ^Ｎ３１及びｎ^Ｎ３２はそれぞれ独立して０〜３の整数を表すが、ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２及びｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２はそれぞれ独立して１、２又は３であり、Ａ^Ｎ１１〜Ａ^Ｎ３２、Ｚ^Ｎ１１〜Ｚ^Ｎ３２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。ただし、一般式（Ｎ−２）及び一般式（Ｎ−３）において一般式（Ｎ−１）で表される化合物は除き、また、一般式（Ｎ−３）において一般式（Ｎ−２）で表される化合物は除く。）
一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）で表される化合物は、誘電的に負の化合物（Δεの符号が負で、その絶対値が２より大きい。）に該当するが、Δεが負でその絶対値が３よりも大きな化合物であることが好ましい。

一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１及びＲ^Ｎ３２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。中でも、Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２の少なくとも１つ以上がアルケニル基を表す化合物と、一般式（Ｉ）で表される化合物とを組み合わせて用いることで、電圧保持率（ＶＨＲ）の低下を顕著に抑えることができる。同様に、Ｒ^Ｎ２１及びＲ^Ｎ２２の少なくとも１つ以上がアルケニル基を表す化合物と一般式（Ｉ）で表される化合物とを組み合わせて用いることで、電圧保持率（ＶＨＲ）の低下を顕著に抑えることができ、また、Ｒ^Ｎ３１及びＲ^Ｎ３２の少なくとも１つ以上がアルケニル基を表す化合物と、一般式（Ｉ）で表される化合物とを組み合わせて用いることで、電圧保持率（ＶＨＲ）の低下を顕著に抑えることができる。

また、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。

アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点は環構造中の炭素原子を表す。）

Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１及びＡ^Ｎ３２はそれぞれ独立してΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造を表すことがより好ましく、

トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すことがより好ましい。

Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１及びＺ^Ｎ３２はそれぞれ独立して−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合を表すことが好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合が更に好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−又は単結合が特に好ましい。

Ｘ^Ｎ２１はフッ素原子が好ましい。

Ｔ^Ｎ３１は酸素原子が好ましい。

ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２及びｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２は１又は２が好ましく、ｎ^Ｎ１１が１でありｎ^Ｎ１２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ１１が２でありｎ^Ｎ１２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ１１が１でありｎ^Ｎ１２が１である組み合わせ、ｎ^Ｎ１１が２でありｎ^Ｎ１２が１である組み合わせ、ｎ^Ｎ２１が１でありｎ^Ｎ２２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ２１が２でありｎ^Ｎ２２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ３１が１でありｎ^Ｎ３２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ３１が２でありｎ^Ｎ３２が０である組み合わせ、が好ましい。

本発明の組成物の総量に対しての式（Ｎ−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、０％であり、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％であり、２０％である。

本発明の組成物の総量に対しての式（Ｎ−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、０％であり、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％であり、２０％である。

本発明の組成物の総量に対しての式（Ｎ−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、０％であり、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％であり、２０％である。

本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が低く上限値が低いことが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値が低く上限値が低いことが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高く上限値が高いことが好ましい。

本発明の液晶組成物は、一般式（Ｎ−１）として、一般式（Ｎ−ｉ−１）で表される化合物を１種又は２種以上含有することが好ましい。

（式中、Ａ^ｉ１１、Ａ^ｉ１２及びＡ^ｉ１３はそれぞれ独立して１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すが、１，４−シクロへキシレン基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよく、１，４−フェニレン基中に存在する１個の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子又は塩素原子に置換されてもよく、Ｚ^ｉ１は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＦ_２ＣＦ_２−を表し、ｍ^ｉ１１及びｍ^ｉ１２はそれぞれ独立して０又は１を表し、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２及びＺ^Ｎ１２は、それぞれ独立して一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２及びＺ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
一般式（Ｎ−ｉ−１）で表される化合物は、一般式（Ｎ−ｉ−１Ａ）、一般式（Ｎ−ｉ−１Ｂ）又は一般式（Ｎ−ｉ−１Ｃ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ａ^ｉ１１及びＺ^ｉ１は、それぞれ独立して一般式（Ｎ−ｉ−１）におけるＲ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ａ^ｉ１１及びＺ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ａ^ｉ１１、Ａ^ｉ１２及びＺ^ｉ１は、それぞれ独立して一般式（Ｎ−ｉ−１）におけるＲ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ａ^ｉ１１、Ａ^ｉ１２及びＺ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、ｍ^ｉ１３は１を表し、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ａ^ｉ１１、Ａ^ｉ１２、Ａ^ｉ１３、Ｚ^ｉ１、Ｚ^ｉ２及びｍ^ｉ１１は、それぞれ独立的に一般式（Ｎ−ｉ−１）におけるＲ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ａ^ｉ１１、Ａ^ｉ１２、Ａ^ｉ１３、Ｚ^ｉ１、Ｚ^ｉ２及びｍ^ｉ１１と同じ意味を表す。）
一般式（Ｎ−ｉ−１Ａ）で表される化合物としては、下記一般式（Ｎ−ｉ−１Ａ−１）〜一般式（Ｎ−ｉ−１Ａ−４）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２は、それぞれ独立して一般式（Ｎ−ｉ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
一般式（Ｎ−ｉ−１Ｂ）で表される化合物としては、下記一般式（Ｎ−ｉ−１Ｂ−１）〜一般式（Ｎ−ｉ−１Ｂ−７）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２２は、それぞれ独立して一般式（Ｎ−ｉ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
一般式（Ｎ−ｉ−１Ｃ）で表される化合物としては、下記一般式（Ｎ−ｉ−１Ｃ−１）〜一般式（Ｎ−ｉ−１Ｃ−４）で表される化合物であることが好ましく、一般式（Ｎ−ｉ−１Ｃ−１）、及び一般式（Ｎ−ｉ−１Ｃ−２）で表される化合物であることがより好ましい。

（式中、Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２２は、それぞれ独立して一般式（ｉ−１）におけるＲ^ｉ１及びＲ^ｉ２と同じ意味を表す。）
本発明の液晶組成物は、一般式（ｉ）で表される化合物を１種又は２種以上含有することが好ましいが、一般式（ｉ−１Ａ）、一般式（ｉ−１Ｂ）又は一般式（ｉ−１Ｃ）で表される化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上を含有してもよいし、一般式（ｉ−１Ａ）、一般式（ｉ−１Ｂ）又は一般式（ｉ−１Ｃ）で表される化合物をそれぞれ１種以上含有してもよい。一般式（ｉ−１Ａ）及び一般式（ｉ−１Ｂ）で表される化合物を１種又は２種以上含有することが好ましく、２種から１０種含有することがより好ましい。

更に詳述すると、一般式（ｉ−１Ａ）、一般式（ｉ−１Ｂ）及び一般式（ｉ−１Ｃ）は一般式（ｉ−１Ａ−１）、一般式（ｉ−１Ｂ−１）及び一般式（ｉ−１Ｃ−１）で表される化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有することが好ましく、一般式（ｉ−１Ａ−１）で表される化合物及び一般式（ｉ−１Ｂ−１）で表される化合物の組み合わせであることがより好ましい。

また、本発明の液晶組成物は、一般式（ＬＣ３）として、一般式（Ｎ−ｉｉ）で表される化合物を１種又は２種以上含有することが好ましい。

（式中、Ａ^ｉｉ１、Ａ^ｉｉ２はそれぞれ独立して１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すが、１，４−シクロへキシレン基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよく、１，４−フェニレン基中に存在する１個の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子又は塩素原子に置換されてもよく、ｍ^ｉｉ１及びｍ^ｉｉ２はそれぞれ独立して１又は２を表し、Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２は、それぞれ独立して一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
一般式（Ｎ−ｉｉ−１）として、一般式（Ｎ−ｉｉ−１）で表される化合物を１種又は２種以上含有することが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ａ^ｉｉ１及びｍ^ｉｉ１は一般式（Ｎ−ｉｉ）におけるＲ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ａ^ｉｉ１及びｍ^ｉｉ１と同じ意味を表す。）
一般式（Ｎ−ｉｉ−１）で表される化合物は、一般式（Ｎ−ｉｉ−１Ａ）又は一般式（Ｎ−ｉｉ−１Ｂ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２及びＡ^ｉｉ１は一般式（ｉｉ）におけるＲ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２及びＡ^ｉｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ａ^ｉｉ１１及びＡ^ｉｉ１１はそれぞれ独立して１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すが、１，４−シクロへキシレン基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよく、１，４−フェニレン基中に存在する１個の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子又は塩素原子に置換されてもよく、Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２は一般式（ｉｉ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
一般式（Ｎ−ｉｉ−１Ａ）で表される化合物としては、下記一般式（Ｎ−ｉｉ−１Ａ−１）及び一般式（Ｎ−ｉｉ−１Ａ−２）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２は、一般式（Ｎ−ｉｉ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
一般式（Ｎ−ｉｉ−１Ｂ）で表される化合物としては、下記一般式（Ｎ−ｉｉ−１Ｂ−１）〜一般式（Ｎ−ｉｉ−１Ｂ−３）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２は、一般式（ｉｉ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
本発明の液晶組成物は、一般式（ｉｉ）で表される化合物を１種又は２種以上含有することが好ましいが、一般式（Ｎ−ｉｉ−１Ａ）及び一般式（Ｎ−ｉｉ−１Ｂ）で表される化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上を含有してもよいし、一般式（Ｎ−ｉｉ−１Ａ）及び一般式（Ｎ−ｉｉ−１Ｂ）で表される化合物をそれぞれ１種以上含有してもよい。一般式（Ｎ−ｉｉ−１Ａ）及び一般式（Ｎ−ｉｉ−１Ｂ）で表される化合物を２種から１０種含有することが好ましい。

更に詳述すると、一般式（Ｎ−ｉｉ−１Ａ）は一般式（Ｎ−ｉｉ−１Ａ−１）で表される化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有することが好ましく、一般式（Ｎ−ｉｉ−１Ｂ）は一般式（Ｎ−ｉｉ−１Ｂ−１）及び一般式（Ｎ−ｉｉ−１Ｂ−２）で表される化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有することが好ましく、一般式（ｉｉ−１Ａ−１）及び一般式（ｉｉ−１Ｂ−１）で表される化合物の組み合わせであることがより好ましい。

また、一般式（Ｎ−１）として、下記一般式（ＬＣ３−ｂ）で表される化合物を１種又は２種以上含有することが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２及びＺ^Ｎ１１はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２及びＺ^Ｎ１１と同じ意味を表し、Ｘ^{ＬＣ３ｂ１}〜Ｘ^{ＬＣ３ｂ４}は水素原子又はフッ素原子を表すが、Ｘ^{ＬＣ３ｂ１}及びＸ^{ＬＣ３ｂ２}、又はＸ^{ＬＣ３ｂ３}及びＸ^{ＬＣ３ｂ４}のうちの少なくとも一方の組み合わせは共にフッ素原子を表し、ｍ^{ＬＣ３ｂ１}は０又は１を表す。ただし、一般式（ＬＣ３−ｂ）において、一般式（ｉ−１）及び一般式（ｉｉ）で表される化合物は除く。）
一般式（ＬＣ３−ｂ）としては、下記一般式（ＬＣ３−ｂ１）〜一般式（ＬＣ３−ｂ１０）を表すことが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２はそれぞれ独立して一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２の組み合わせは特に限定されないが、両方がアルキル基を表すもの、両方がアルケニル基を表すもの、いずれか一方がアルキル基を表し、他方がアルケニル基を表すもの、いずれか一方がアルキル基を表し、他方がアルコキシを表すもの、及びいずれか一方がアルキル基をあらわし、他方がアルケニルオキシ基を表すものであることが好ましく、両方がアルキル基を表すもの、及び両方がアルケニル基を表すものであることがより好ましい。

また、一般式（ＬＣ３−ｂ）としては、下記一般式（ＬＣ３−ｃ）を表すことが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２はそれぞれ独立して一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
一般式（Ｎ−２）で表される化合物は一般式（Ｎ−２−１）〜（Ｎ−２−３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｎ２１１及びＲ^Ｎ２２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−２）におけるＲ^Ｎ２１１及びＲ^Ｎ２２と同じ意味を表す。）
一般式（Ｎ−３）で表される化合物は一般式（Ｎ−３−１）及び（Ｎ−３−２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

一般式（Ｎ−３−１）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｎ３１及びＲ^Ｎ３２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−３）におけるＲ^Ｎ３１及びＲ^Ｎ３２と同じ意味を表す。）
＜一般式（ＩＩ）で表される化合物の第三態様＞
第四成分は誘電率異方性が０程度である、いわゆる非極性液晶化合物であり、以下の一般式（Ｌ）で示される化合物を挙げることができる。

本発明の組成物は、一般式（Ｌ）で表される化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましい。一般式（Ｌ）で表される化合物は誘電的にほぼ中性の化合物（Δεの値が−２〜２）に該当する。

（式中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎ^Ｌ１は０、１、２又は３を表し、
Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３はそれぞれ独立して
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｚ^Ｌ１及びＺ^Ｌ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎ^Ｌ１が２又は３であってＡ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｌ１が２又は３であってＺ^Ｌ３が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、一般式（Ｊ）、一般式（Ｎ−１）、一般式（Ｎ−２）及び一般式（Ｎ−３）で表される化合物を除く。）
一般式（Ｌ）で表される化合物は単独で用いてもよいが、組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類であり、８種類であり、９種類であり、１０種類以上である。

本発明の組成物において、一般式（Ｌ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、０％であり、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％である。

本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を低く上限値が低いことが好ましい。

信頼性を重視する場合にはＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はともにアルキル基であることが好ましく、化合物の揮発性を低減させることを重視する場合にはアルコキシ基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合には少なくとも一方はアルケニル基であることが好ましい。

Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２は、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。

アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点は環構造中の炭素原子を表す。）

中でも、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２の少なくとも１つ以上がアルケニル基を表す化合物と、一般式（Ｉ）で表される化合物とを組み合わせて用いることで、電圧保持率（ＶＨＲ）の低下を顕著に抑えることができる。

ｎ^Ｌ１は応答速度を重視する場合には０が好ましく、ネマチック相の上限温度を改善するためには２又は３が好ましく、これらのバランスをとるためには１が好ましい。また、組成物として求められる特性を満たすためには異なる値の化合物を組み合わせることが好ましい。

Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３はΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、それぞれ独立してトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造を表すことがより好ましく、

トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すことがより好ましい。

Ｚ^Ｌ１及びＺ^Ｌ２は応答速度を重視する場合には単結合であることが好ましい。

分子内のハロゲン原子数は０個又は１個が好ましい。

一般式（Ｌ）で表される化合物は一般式（Ｌ−１）で表される化合物から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｌ１１及びＲ^Ｌ１２は、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。一般式（Ｌ−１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

好ましい含有量の下限値は、本発明の組成物の総量に対して、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１５％であり、２０％であり、２５％であり、３０％であり、３５％であり、４０％であり、４５％であり、５０％であり、５５％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、９５％であり、９０％であり、８５％であり、８０％であり、７５％であり、７０％であり、６５％であり、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％である。

本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値が中庸で上限値が中庸であることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値が低く上限値が低いことが好ましい。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｌ１１は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ^Ｌ２は一般式（Ｌ）中のＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。）
一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物は、式（Ｌ−１−１．１１）〜式（Ｌ−１−１．１３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−１．１２）又は式（Ｌ−１−１．１３）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ−１−１．１３）で表される化合物であることが好ましい。

また、一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物は、式（Ｌ−１−１．２１）から式（Ｌ−１−１．２４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−１．２２）から式（Ｌ−１−１．２４）で表される化合物であることが好ましい。特に、式（Ｌ−１−１．２２）で表される化合物は本発明の組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（Ｌ−１−１．２３）又は式（Ｌ−１−１．２４）で表される化合物を用いることが好ましい。

また、一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物は、式（Ｌ−１−１．３１）及び式（Ｌ−１−１．４１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

また、一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^１２１及びＲ^１２２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表す。）
一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物は、式（Ｌ−１−２．１）から式（Ｌ−１−２．１２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−２．１）、式（Ｌ−１−２．３）又は式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物であることが好ましい。特に、式（Ｌ−１−２．１）で表される化合物は本発明の組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（Ｌ−１−２．３）、式（Ｌ−１−２．４）、式（Ｌ−１−２．１１）及び式（Ｌ−１−２．１２）で表される化合物を用いることが好ましい。式（Ｌ−１−２．３）、式（Ｌ−１−２．４）、式（Ｌ−１−２．１１）及び式（Ｌ−１−２．１２）で表される化合物の合計の含有量は、低温での溶解度をよくするために２０％以上にすることは好ましくない。

また、一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、一般式（Ｌ−１−３）及び／又は（Ｌ−１−４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^ｉｉ３１及びＲ^ｉｉ４１はそれぞれ独立して一般式（Ｌ）中のＲ^ｉｉ２と同じ意味を表す。）
また、一般式（Ｌ）で表される化合物は、下記一般式（Ｌ−２）から一般式（Ｌ−１１）で表される化合物であることが好ましい。本発明の液晶組成物は、一般式（Ｌ）で表される化合物として、一般式（Ｌ−２）から一般式（Ｌ−１１）で表される化合物を１種又は２種以上含有することが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｌ３１及びＲ^Ｌ３２は、炭素原子数１から５のアルキル基又は炭素原子数２から５のアルケニル基、Ｒ^Ｌ３２は、炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から５のアルコキシル基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から５のアルケニルオキシ基を表す。）
一般式（Ｌ）で表される化合物は、一般式（Ｌ−４）、一般式（Ｌ−６）、一般式（Ｌ−７）及び一般式（Ｌ−８）から選ばれる化合物であることが好ましく、一般式（Ｌ−６）、一般式（Ｌ−７）及び一般式（Ｌ−８）から選ばれる化合物であることが更に好ましく、一般式（Ｌ−７）及び一般式（Ｌ−８）から選ばれる化合物であることが更に好ましく、一般式（Ｌ−６）及び一般式（Ｌ−８）から選ばれる化合物であることも好ましい。更に詳述すると、大きなΔｎが求められる場合には、一般式（Ｌ−６）、一般式（Ｌ−８）及び一般式（Ｌ−１１）から選ばれる化合物であることが好ましい。
また、一般式（Ｌ−４）、一般式（Ｌ−７）及び一般式（Ｌ−８）で表される化合物においては、Ｒ^Ｌ３１は炭素原子数１から５のアルキル基又は炭素原子数２から５のアルケニル基、Ｒ^Ｌ３２は炭素原子数１から５のアルキル基又は炭素原子数１から５のアルコキシ基であることが好ましく、Ｒ^Ｌ３１は炭素原子数２から５のアルケニル基であることが更に好ましく、炭素原子数２又は３のアルケニル基であることが更に好ましく、一般式（Ｌ−６）で表される化合物においては、Ｒ^Ｌ３１及びＲ^Ｌ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１から５のアルキル基又は炭素原子数２から５のアルケニル基であることが好ましい。

また、一般式（Ｌ）で表される化合物として、一般式（Ｌ−１２）、一般式（Ｌ−１３）又は一般式（Ｌ−１４）で表される化合物を１種又は２種以上含有することも好ましい。

（式中、Ｒ^Ｌ５１及びＲ^Ｌ５２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｌ５１及びＸ^Ｌ５２はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｘ^Ｌ５１及びＸ^Ｌ５２のいずれか一つはフッ素原子であり、他の一つは水素原子である。）
また、一般式（Ｌ）で表される化合物として、一般式（Ｌ−１６．１）から一般式（Ｌ−１６．３）で表される化合物を１種又は２種以上含有してもよい。

また、一般式（Ｌ）で表される化合物として、一般式（Ｎ−００１）で表される化合物を１種又は２種以上含有してもよい。

（式中、Ｒ^Ｎ１及びＲ^Ｎ２はそれぞれ独立して炭素原子数１から８のアルキル基、炭素原子数１から８のアルコキシル基、炭素原子数２から８のアルケニル基又は炭素原子数２から８のアルケニルオキシル基を表し、Ｌ^１及びＬ^２はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、ＣＨ_３又はＣＦ_３を表す。ただし、Ｌ^１及びＬ^２の両方がフッ素原子を表すものを除く。）
Ｒ^Ｎ１及びＲ^Ｎ２は、炭素原子数１から５のアルキル基を表すことが好ましい。

本発明の液晶組成物は、２５℃において誘電率異方性（Δε）が正の値を有することが好ましく、２５℃における誘電率異方性（Δε）が１．５から２０．０であることが好ましく、１．５から１８．０がより好ましく、１．５から１５．０がより好ましく、１．５から１１がさらに好ましく、１．５から８が特に好ましい
誘電率異方性（Δε）が正の値を有する液晶組成物は、一般式（Ｊ）で表される化合物及び一般式（Ｌ）で表される化合物を含有することが好ましい。より具体的には、一般式（Ｍ）で表される化合物及び一般式（Ｌ−１）で表される化合物を含有することが好ましく、一般式（Ｍ−１）及び／又は一般式（Ｍ−２）で表される化合物及び一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物を含有することが好ましい。

本発明の液晶組成物は、一般式（ｉ）及び／又は一般式（ｉｉ）で表される化合物、一般式（Ｊ）で表される化合物及び一般式（Ｌ）で表される化合物の合計の含有量は、組成物中に下限値として、５％以上含有することが好ましく、８０％以上含有することが好ましく、８５％以上含有することが好ましく、８８％以上含有することが好ましく、９０％以上含有することが好ましく、９２％以上含有することが好ましく、９５％以上含有することが好ましく、９７％以上含有することが好ましく、９８％以上含有することが好ましく、９９％以上含有することが好ましく、実質的に他の化合物を含有しないことが好ましい。また、上限値として、９０％以下含有することが好ましく、９５％以下含有することが好ましく、９８％以下含有することが好ましく、９９％以下含有することが好ましく、実質的に他の化合物を含有しないことが好ましい。実質的にとは、製造時に不可避的に生成する不純物等の意図せず含有する化合物を除くという意味である。

本発明の液晶組成物は、一般式（ｉ）及び／又は一般式（ｉｉ）で表される化合物、一般式（Ｍ）で表される化合物及び一般式（Ｌ）で表される化合物の合計の含有量は、組成物中に下限値として、５％以上含有することが好ましく、８０％以上含有することが好ましく、８５％以上含有することが好ましく、８８％以上含有することが好ましく、９０％以上含有することが好ましく、９２％以上含有することが好ましく、９５％以上含有することが好ましく、９７％以上含有することが好ましく、９８％以上含有することが好ましく、９９％以上含有することが好ましく、実質的に他の化合物を含有しないことが好ましい。また、上限値として、９０％以下含有することが好ましく、９５％以下含有することが好ましく、９８％以下含有することが好ましく、９９％以下含有することが好ましく、実質的に他の化合物を含有しないことが好ましい。

本発明の液晶組成物は、一般式（ｉ）及び／又は一般式（ｉｉ）で表される化合物、一般式（Ｊ）で表される化合物及び一般式（Ｌ−１）で表される化合物の合計の含有量は、組成物中に下限値として、５％以上含有することが好ましく、１０％以上含有することが好ましく、１３％以上含有することが好ましく、１５％以上含有することが好ましく、１８％以上含有することが好ましく、２０％以上含有することが好ましく、２３％以上含有することが好ましく、２５％以上含有することが好ましく、２８％以上含有することが好ましく、３０％以上含有することが好ましく、３３％以上含有することが好ましく、３５％以上含有することが好ましく、３８％以上含有することが好ましく、４０％以上含有することが好ましい。また、上限値として、９５％以下含有することが好ましく、９０％以下含有することが好ましく、８８％以下含有することが好ましく、８５％以下含有することが好ましく、８３％以下含有することが好ましく、８０％以下含有することが好ましく、７８％以下含有することが好ましく、７５％以下含有することが好ましく、７３％以下含有することが好ましく、７０％以下含有することが好ましく、６８％以下含有することが好ましく、６５％以下含有することが好ましく、６３％以下含有することが好ましく、６０％以下含有することが好ましく、５５％以下含有することが好ましく、５０％以下含有することが好ましく、４０％以下含有することが好ましい。

本発明の液晶組成物は、２５℃において誘電率異方性（Δε）が負の値を有することが好ましく、２５℃における誘電率異方性（Δε）が−２．０から−８．０であることが好ましく、−２．０から−６．０が好ましく、−２．０から−５．０がより好ましく、−２．５から−４．０が特に好ましい。

誘電率異方性（Δε）が負の値を有する液晶組成物は、一般式（Ｎ−１）〜一般式（Ｎ−３）で表される化合物及び一般式（Ｌ）で表される化合物を含有することが好ましい。より具体的には、一般式（Ｎ−１）で表される化合物及び一般式（Ｌ−１）で表される化合物を含有することが好ましく、一般式（Ｎ−１）で表される化合物及び一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物を含有することが好ましい。

本発明の液晶組成物は、一般式（ｉ）及び／又は一般式（ｉｉ）で表される化合物、一般式（Ｎ−１）〜一般式（Ｎ−３）で表される化合物及び一般式（Ｌ）で表される化合物の合計の含有量は、組成物中に下限値として、５％以上含有することが好ましく、８０％以上含有することが好ましく、８５％以上含有することが好ましく、８８％以上含有することが好ましく、９０％以上含有することが好ましく、９２％以上含有することが好ましく、９５％以上含有することが好ましく、９７％以上含有することが好ましく、９８％以上含有することが好ましく、９９％以上含有することが好ましく、実質的に他の化合物を含有しないことが好ましい。また、上限値として、９０％以下含有することが好ましく、９５％以下含有することが好ましく、９８％以下含有することが好ましく、９９％以下含有することが好ましく、実質的に他の化合物を含有しないことが好ましい。

本発明の液晶組成物は、一般式（ｉ）及び／又は一般式（ｉｉ）で表される化合物、一般式（Ｎ−１）で表される化合物及び一般式（Ｌ）で表される化合物の合計の含有量は、組成物中に下限値として、５％以上含有することが好ましく、８０％以上含有することが好ましく、８５％以上含有することが好ましく、８８％以上含有することが好ましく、９０％以上含有することが好ましく、９２％以上含有することが好ましく、９５％以上含有することが好ましく、９７％以上含有することが好ましく、９８％以上含有することが好ましく、９９％以上含有することが好ましく、実質的に他の化合物を含有しないことが好ましい。また、上限値として、９０％以下含有することが好ましく、９５％以下含有することが好ましく、９８％以下含有することが好ましく、９９％以下含有することが好ましく、実質的に他の化合物を含有しないことが好ましい。

本発明の液晶組成物は、一般式（ｉ）及び／又は一般式（ｉｉ）で表される化合物、一般式（Ｊ）で表される化合物及び一般式（Ｌ−１）で表される化合物の合計の含有量は、組成物中に下限値として、５％以上含有することが好ましく、１０％以上含有することが好ましく、１３％以上含有することが好ましく、１５％以上含有することが好ましく、１８％以上含有することが好ましく、２０％以上含有することが好ましく、２３％以上含有することが好ましく、２５％以上含有することが好ましく、２８％以上含有することが好ましく、３０％以上含有することが好ましく、３３％以上含有することが好ましく、３５％以上含有することが好ましく、３８％以上含有することが好ましく、４０％以上含有することが好ましい。また、上限値として、９５％以下含有することが好ましく、９０％以下含有することが好ましく、８８％以下含有することが好ましく、８５％以下含有することが好ましく、８３％以下含有することが好ましく、８０％以下含有することが好ましく、７８％以下含有することが好ましく、７５％以下含有することが好ましく、７３％以下含有することが好ましく、７０％以下含有することが好ましく、６８％以下含有することが好ましく、６５％以下含有することが好ましく、６３％以下含有することが好ましく、６０％以下含有することが好ましく、５５％以下含有することが好ましく、５０％以下含有することが好ましく、４０％以下含有することが好ましい。

本発明の液晶組成物は、２５℃における屈折率異方性（Δｎ）が０．０８から０．１４であるが、０．０９から０．１３がより好ましく、０．０９から０．１２が特に好ましい。更に詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合は０．１０から０．１３であることが好ましく、厚いセルギャップに対応する場合は０．０８から０．１０であることが好ましい。

本発明の液晶組成物は、２５℃における粘度（η）が１０から５０ｍＰａ・ｓであるが、１０から４０ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、１０から３５ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。

本発明の液晶組成物は、２５℃における回転粘性（γ_１）が６０から１３０ｍＰａ・ｓであるが、６０から１１０ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、６０から１００ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。

本発明の液晶組成物は、ネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ｎｉ）が６０℃から１２０℃であるが、７０℃から１００℃がより好ましく、７０℃から８５℃が特に好ましい。

本発明の液晶組成物は、上述の化合物以外に、通常のネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶、酸化防止剤、又は重合性モノマー等を含有してもよい。

例えば、本発明の液晶組成物は、通常のネマチック液晶、スメクチック液晶として、２５℃における誘電率異方性（Δε）が＋２．０から＋５０．０である液晶化合物を含有しても良く、その含有量は０質量％から５０質量％であるが、１質量％から３０質量％であることが好ましく、３質量％から３０質量％であることが好ましく、５質量％から２０質量％であることが好ましい。

例えば、液晶組成物は重合性モノマーとしてビフェニル誘導体、ターフェニル誘導体等の重合性化合物を０．０１から２質量％含有していてもよい。

重合性モノマーとしては、一つの反応性基を有する単官能性の重合性化合物、及び二官能又は三官能等の二つ以上の反応性基を有する多官能性の重合性化合物を一種又は二種以上含有してもよい。反応性基を有する重合性化合物はメソゲン性部位を含んでいても、含んでいなくてもよい。

反応性基を有する重合性化合物において、反応性基は光による重合性を有する置換基が好ましい。

反応性基を有する重合性化合物のうち、単官能性の反応基を有する重合性化合物として具体的には、下記一般式（ＶＩ）

（式中、Ｘ^３は、水素原子又はメチル基を表し、Ｓｐ^３は、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｔ−（式中、ｔは２〜７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、Ｖは炭素原子数２〜２０の直鎖もしくは分岐多価アルキレン基又は炭素原子数５〜３０の多価環状置換基を表すが、多価アルキレン基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよく、炭素原子数５〜２０のアルキル基（基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよい。）又は環状置換基により置換されていてもよく、Ｗは水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜８のアルキレン基を表す。）で表される重合性化合物が好ましい。

上記一般式（ＶＩ）において、Ｘ^３は、水素原子又はメチル基を表すが、反応速度を重視する場合には水素原子が好ましく、反応残留量を低減することを重視する場合にはメチル基が好ましい。

上記一般式（ＶＩ）において、Ｓｐ^３は、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｔ−（式中、ｔは２〜７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表すが、炭素鎖があまり長くないことが好ましく、単結合又は炭素原子数１〜５のアルキレン基が好ましく、単結合又は炭素原子数１〜３のアルキレン基がより好ましい。また、Ｓｐ^３が−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｔ−を表す場合も、ｔは１〜５が好ましく、１〜３がより好ましい。

上記一般式（ＶＩ）において、Ｖは炭素原子数２〜２０の直鎖もしくは分岐多価アルキレン基又は炭素原子数５〜３０の多価環状置換基を表すが、多価アルキレン基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよく、炭素原子数５〜２０のアルキル基（基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよい。）又は環状置換基により置換されていてもよく、２つ以上の環状置換基により置換されていることが好ましい。

一般式（ＶＩ）で表される重合性化合物は更に具体的には、一般式（Ｘ１ａ）

（式中、Ａ^１は水素原子又はメチル基を表し、
Ａ^２は単結合又は炭素原子数１〜８のアルキレン基（該アルキレン基中の１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立して酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていてもよく、該アルキレン基中の１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子、メチル基又はエチル基で置換されていてもよい。）を表し、
Ａ^３及びＡ^６はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜１０のアルキル基（該アルキル基中の１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立して酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子は、それぞれ独立してハロゲン原子又は炭素原子数１〜１７のアルキル基で置換されていてもよい。）を表わし、
Ａ^４及びＡ^７はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜１０のアルキル基（該アルキル基中の１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立して酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子は、それぞれ独立してハロゲン原子又は炭素原子数１〜９のアルキル基で置換されていてもよい。）を表し、
ｐは１〜１０を表し、
Ｂ^１、Ｂ^２及びＢ^３は、それぞれ独立して水素原子、炭素原子数１〜１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基（該アルキル基中の１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立して酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子は、それぞれ独立してハロゲン原子又は炭素原子数３〜６のトリアルコキシシリル基で置換されていてもよい。）を表わす化合物が挙げられる。

また、一般式（ＶＩ）で表される重合性化合物は具体的には、一般式（Ｘ１ｂ）

（式中、Ａ^８は水素原子又はメチル基を表し、
６員環Ｔ^１、Ｔ^２及びＴ^３はそれぞれ独立して

のいずれか（ただしｑは１から４の整数を表す。）を表し、
ｑは０又は１を表し、
Ｙ^１及びＹ^２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ−を表し、
Ｙ^３は単結合、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、
Ｂ^８は炭素原子数１〜１８の炭化水素基を表す。）で表わす化合物も挙げられる。

更に、一般式（ＶＩ）で表される重合性化合物は具体的には、一般式（Ｘ１ｃ）

（式中、Ｒ^７０は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ^７１は縮合環を有する炭化水素基を表す。）で表わす化合物も挙げられる。

また、 反応性基を有する重合性化合物の内、多官能性の反応基を有する重合性化合物が、下記一般式（ＶＩＩ）

（式中、Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｓｐ^１及びＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２〜７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、Ｕは炭素原子数２〜２０の直鎖もしくは分岐多価アルキレン基又は炭素原子数５〜３０の多価環状置換基を表すが、多価アルキレン基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよく、炭素原子数５〜２０のアルキル基（基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよい。）又は環状置換基により置換されていてもよく、ｋは１〜５の整数を表す。）で表される重合性化合物が好ましい。
上記一般式（ＶＩＩ）において、Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表すが、反応速度を重視する場合には水素原子が好ましく、反応残留量を低減することを重視する場合にはメチル基が好ましい。

上記一般式（ＶＩＩ）において、Ｓｐ^１及びＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２〜７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表すが、炭素鎖があまり長くないことが好ましく、単結合又は炭素原子数１〜５のアルキレン基が好ましく、単結合又は炭素原子数１〜３のアルキレン基がより好ましい。また、Ｓｐ^１及びＳｐ^２が−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−を表す場合も、ｓは１〜５が好ましく、１〜３がより好ましく、Ｓｐ^１及びＳｐ^２の少なくとも一方が、単結合であることがより好ましく、いずれも単結合であることが特に好ましい。

上記一般式（ＶＩＩ）において、Ｕは炭素原子数２〜２０の直鎖もしくは分岐多価アルキレン基又は炭素原子数５〜３０の多価環状置換基を表すが、多価アルキレン基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよく、炭素原子数５〜２０のアルキル基（基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよい。）、環状置換基により置換されていてもよく、２つ以上の環状置換基により置換されていることが好ましい。

上記一般式（ＶＩＩ）において、Ｕは具体的には、以下の式（ＶＩＩ−１）から式（ＶＩＩ−５）を表すことが好ましく、式（ＶＩＩ−１）から式（ＶＩＩ−３）を表すことがより好ましく、式（ＶＩＩ−１）を表すことが特に好ましい。

（式中、両端はＳｐ^１又はＳｐ^２に結合するものとする。）
Ｕが環構造を有する場合、前記Ｓｐ^１及びＳｐ^２は少なくとも一方が単結合を表すことが好ましく、両方共に単結合であることも好ましい。

上記一般式（ＶＩＩ）において、ｋは１〜５の整数を表すが、ｋが１の二官能化合物、又はｋが２の三官能化合物であることが好ましく、二官能化合物であることがより好ましい。

更に詳述すると、一般式（Ｐ）

で表される重合性化合物を一種又は二種以上含有することが好ましい。

一般式（Ｐ）において、Ｘ^２０１及びＸ^２０２は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又は−ＣＦ_３基を表す。Ｘ^２０１及びＸ^２０２は、いずれも水素原子であるジアクリレート誘導体、いずれもメチル基であるジメタクリレート誘導体が好ましく、一方が水素原子でありもう一方がメチル基である化合物も好ましい。用途により好ましい化合物を用いることができるが、ＰＳＡ表示素子においては、一般式（Ｐ）で表される重合性化合物はメタクリレート誘導体を少なくとも１個有することが好ましく、２個有することも好ましい。

一般式（Ｐ）において、Ｓｐ^２０１及びＳｐ^２０２は、それぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２から７の整数を表し、酸素原子は環に結合するものとする。）を表す。Ｓｐ^２０１及びＳｐ^２０２は、ＰＳＡ型の液晶表示素子においては少なくとも一方が単結合であることが好ましく、いずれも単結合である化合物又は一方が単結合でもう一方が炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−であることが好ましく、この場合、炭素原子数１〜４のアルキレン基が好ましく、ｓは１〜４が好ましい。

一般式（Ｐ）において、Ｍ^２０１、Ｍ^２０２及びＭ^２０３は、それぞれ独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン基（基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−によって置換されていてもよい。）、１，４−フェニレン基（基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝によって置換されていてもよい。）、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表し、基中の水素原子は、それぞれ独立して、フッ素原子、−ＣＦ_３基、炭素原子数１から１０のアルキル基、炭素原子数１から１０のアルコキシル基又は式（Ｒ−１）から式（Ｒ−１５）のいずれかによって置換されていてもよい。

一般式（Ｐ）において、Ｚ^２０１及びＺ^２０２は、それぞれ独立して、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−（式中、Ｙ^１及びＹ^２は、それぞれ独立して、フッ素原子又は水素原子を表す。）、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合が好ましく、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−又は単結合が更に好ましい。

一般式（Ｐ）において、ｎ^２０１は、０、１又は２を表すが、０又は１が好ましい。但し、Ｍ^２０２及びＺ^２０２が複数存在する場合、それぞれ異なっていても良く、同じでもよい。

一般式（Ｐ）で表される重合性化合物を少なくとも１種含有していても良く、１種〜５種含有することが好ましく、１種〜３種含有することが更に好ましい。
一般式（Ｐ）の含有量は０．０１〜２．００質量％であることが好ましく、０．０５〜１．００質量％であることが更に好ましく、０．１０〜０．５０質量％であることが特に好ましい。

更に具体的には、一般式（Ｐ）においてｎ^２０１が０の場合、Ｓｐ^２０１及びＳｐ^２０２の間の環構造は、式（ＸＸａ−１）から式（ＸＸａ−５）であることが好ましく、式（ＸＸａ−１）から式（ＸＸａ−３）であることが更に好ましく、式（ＸＸａ−１）又は式（ＸＸａ−２）であることが特に好ましい。但し、式の両端はＳｐ^２０１又はＳｐ^２０２に結合するものとする。

これらの骨格を含む一般式（Ｐ）で表される重合性化合物は重合後の配向規制力がＰＳＡ型の液晶表示素子に最適であり、良好な配向状態が得られることから、表示ムラが抑制されるか、又は、全く発生しない効果がある。

以上のことから、重合性モノマーとして、式（ＸＸ−１）から一般式（ＸＸ−１０）で表される化合物が好ましく、式（ＸＸ−１）から式（ＸＸ−４）が更に好ましい。

式（ＸＸ−１）から一般式（ＸＸ−１０）中、Ｓｐ^ｘｘは炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２から７の整数を表し、酸素原子は環に結合するものとする。）を表す。

式（ＸＸ−１）から一般式（ＸＸ−１０）中、１，４−フェニレン基中の水素原子は、更に、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＦ_３、−ＣＨ_３、式（Ｒ−１）から式（Ｒ−１５）のいずれかによって置換されていてもよい。

一般式（Ｐ）においてｎ^２０１が１の場合、例えば、式（Ｐ３１）から式（Ｐ４８）のような重合性化合物が好ましい。

式（Ｐ３１）から式（Ｐ４８）中の１，４−フェニレン基及びナフタレン基中の水素原子は、更に、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＦ_３、−ＣＨ_３、式（Ｒ−１）から式（Ｒ−１５）のいずれかによって置換されていてもよい。

これらの骨格を含む一般式（Ｐ）で表される重合性化合物は重合後の配向規制力がＰＳＡ型の液晶表示素子に最適であり、良好な配向状態が得られることから、表示ムラが抑制されるか、又は、全く発生しない効果がある。

一般式（Ｐ）においてｎ^２０１が１、なおかつ、式（Ｒ−１）又は式（Ｒ−２）を複数個有する場合、例えば、式（Ｐ３０１）から式（Ｐ３１６）のような重合性化合物が好ましい。

式（Ｐ３０１）から式（Ｐ３１６）中の１，４−フェニレン基及びナフタレン基中の水素原子は、更に、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＦ_３、−ＣＨ_３によって置換されていてもよい。

一般式（Ｐ）で表される重合性化合物として、例えば、式（Ｉａ−１）〜式（Ｉａ−３１）のような重合性化合物も好ましい。

また、本発明の液晶組成物は、不対電子を有さないヒンダードアミン系光安定剤及び／又は酸化防止剤を更に含有してもよい。酸化防止剤は、一般式（Ｈ−１）から一般式（Ｈ−４）で表されるヒンダードフェノールが好ましい。

一般式（Ｈ−１）から一般式（Ｈ−４）中、Ｒ^Ｈ１は炭素原子数１から１０のアルキル基、炭素原子数１から１０のアルコキシル基、炭素原子数２から１０のアルケニル基又は炭素原子数２から１０のアルケニルオキシ基を表すが、基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−Ｏ−又は−Ｓ−に置換されても良く、また、基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子又は塩素原子に置換されてもよい。更に具体的には、炭素原子数２から７のアルキル基、炭素原子数２から７のアルコキシル基、炭素原子数２から７のアルケニル基又は炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基であることが好ましく、炭素原子数３から７のアルキル基又は炭素原子数２から７のアルケニル基であることが更に好ましい。
一般式（Ｈ−４）中、Ｍ^Ｈ４は炭素原子数１から１５のアルキレン基（該アルキレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−に置換されていてもよい。）、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、単結合、１，４−フェニレン基（１，４−フェニレン基中の任意の水素原子はフッ素原子により置換されていてもよい。）又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表すが、炭素原子数１から１４のアルキレン基であることが好ましく、揮発性を考慮すると炭素原子数は大きい数値が好ましいが、粘度を考慮すると炭素原子数は大き過ぎない方が好ましいことから、炭素原子数２から１２が更に好ましく、炭素原子数３から１０が更に好ましく、炭素原子数４から１０が更に好ましく、炭素原子数５から１０が更に好ましく、炭素原子数６から１０が更に好ましい。
一般式（Ｈ−１）から一般式（Ｈ−４）中、１，４−フェニレン基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝によって置換されていてもよい。また、１，４−フェニレン基中の水素原子はそれぞれ独立して、フッ素原子又は塩素原子で置換されていてもよい。
一般式（Ｈ−１）から一般式（Ｈ−４）中、１，４−シクロヘキシレン基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−によって置換されていてもよい。また、１，４−シクロヘキシレン基中の水素原子はそれぞれ独立して、フッ素原子又は塩素原子で置換されていてもよい。
更に具体的には、例えば、式（Ｈ−１１）から式（Ｈ−１５）が挙げられる。

本発明の液晶組成物は、酸化防止剤を１質量ｐｐｍ以上含有してもよいが、１０質量ｐｐｍ以上が好ましく、２０質量ｐｐｍ以上が好ましく、５０質量ｐｐｍ以上が好ましい。酸化防止剤の含有量の上限は１００００質量ｐｐｍであるが、１０００質量ｐｐｍが好ましく、５００質量ｐｐｍが好ましく、１００質量ｐｐｍが好ましい。

本発明の液晶組成物を用いた液晶表示素子は、表示不良がない又は抑制された、表示品位の優れた応答速度の速いものであり、特に、アクティブマトリックス駆動の液晶表示素子として、例えばＴＮ型、ＯＣＢ型、ＶＡ型、ＶＡ−ＩＰＳ型、ＰＳＶＡ型、ＰＳＡ型、ＦＦＳ型、ＩＰＳ型又はＥＣＢ型に適用できる。なお、ＰＳＶＡ型とＰＳＡ型は実質的に同義である。

更に、重合性化合物を含有した本発明の液晶組成物は、電圧印加下あるいは電圧無印加下で該液晶組成物中に含有する重合性化合物を重合させて作製した高分子安定化のＶＡ型、ＰＳＡ型、ＴＮ型、ＯＣＢ型、ＥＣＢ型、ＩＰＳ型、ＦＦＳ型又はＶＡ−ＩＰＳ型等の液晶表示素子を提供できる。

以下に実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は「質量％」を意味する。
実施例において化合物の記載について以下の略号を用いる。
（側鎖）
−ｎ −Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１ 炭素数ｎの直鎖状のアルキル基
ｎ− Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１− 炭素数ｎの直鎖状のアルキル基
−Ｏｎ −ＯＣ_ｎＨ_２ｎ＋１ 炭素数ｎの直鎖状のアルコキシ基
ｎＯ− Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１Ｏ− 炭素数ｎの直鎖状のアルコキシ基
−Ｖ −ＣＨ＝ＣＨ_２
Ｖ− ＣＨ_２＝ＣＨ−
−Ｖ１ −ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_３
１Ｖ− ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−
−２Ｖ −ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ_２
Ｖ２− ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−
−２Ｖ１ −ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_３
１Ｖ２− ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−
（連結基）
−ＣＦＦＯ− −ＣＦ_２−Ｏ−
−ＯＣＦＦ− −Ｏ−ＣＦ_２−
−１Ｏ− −ＣＨ_２−Ｏ−
−Ｏ１− −Ｏ−ＣＨ_２−
−ＣＯＯ− −ＣＯＯ−
−ＯＣＯ− −ＯＣＯ−
（環構造）

実施例では、分子中に１つ又は２つ以上の不対電子を有するヒンダードアミン系光安定剤として、以下で表される化合物を添加剤に用いた。

また、比較例は以下で表される化合物を添加剤に用いた。

なお、上記化合物Ａ−１は、化合物Ｂ−１を光照射することにより合成して得られた。また、上記化合物Ａ−２〜Ａ−９は、化合物Ｂ−２〜Ｂ−５をそれぞれ光照射することにより合成して得られた。

実施例中、測定した特性は以下の通りである。

比抵抗値：川口電機（株）ＭＭＡＩＩを用いて、1.5gの液晶の比抵抗値を測定した。

電子スピン共鳴：ブルーカー製E580を用いて、原料および液晶のラジカル量を測定した。

ハルスラジカルの合成：メリーゴーラウンド方式の光照射装置で溶液に希釈したハルスを光照射した。得られたラジカル化合物は、ＧＣおよびＧＣ-MSで定量した。

ＶＨＲ（ＵＶ）：サンプルを導入した評価セルを１００℃で２時間アニールし、高圧水銀ランプでＵＶを３（Ｊ）照射後の電圧保持率（１Ｖ、５Ｈｚ、６０℃）。但し、照度は３６５ｎｍで１００ｍＷ／ｃｍ^２とした。テストパネルのセル厚は３．５μｍ、配向膜はＡＬ１６３０１（膜厚８０ｎｍ）である。


（実施例１〜４、比較例１〜５）
以下に示す組成物（ＬＣ−Ａ）を調整した。

以下のＬＣ−Ａの液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表のとおりであった。

以下のＬＣ−Ａの液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表のとおりであった。

液晶組成物ＬＣ−Ａを１００質量部に対して、上記式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ｂ−１）及び式（Ｂ−２）で表される化合物を以下の表で示す割合で添加し、比抵抗値とＶＨＲを測定した。結果を以下に示す。

比較例２〜５及び実施例１〜４より、式（Ａ−１）及び（Ａ−２）で表される化合物の少なくともいずれか一つを含有することで、高い比抵抗値を得られることがわかる。また、実施例１〜４は、比較例１〜５よりも高いＶＨＲ（ＵＶ）であることが確認された。また、表示ムラがないことを確認した。なお、実施例１〜４で用いた液晶組成物のＴ_ｎｉ、Δｎ、Δε及びγ_１の値は、液晶組成物ＬＣ−Ａの値と同じであった。















































（実施例５〜８、比較例６〜１０）
以下に示す組成物（ＬＣ−Ｂ）を調整した。

以下のＬＣ−Ｂの液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表のとおりであった。

液晶組成物ＬＣ−Ｂを１００質量部に対して、上記式（Ａ−３）、式（Ａ−５）、式（Ｂ−３）及び式（Ｂ−５）で表される化合物を以下の表で示す割合で添加し、比抵抗値とＶＨＲを測定した。結果を以下に示す。

比較例７〜１０及び実施例５〜８より、式（Ａ−３）及び（Ａ−５）で表される化合物の少なくともいずれか一つを含有することで、高い比抵抗値を得られることがわかる。また、実施例５〜８は、比較例６〜１０よりも高いＶＨＲ（ＵＶ）であることが確認された。また、表示ムラがないことを確認した。なお、実施例５〜８で用いた液晶組成物のＴ_ｎｉ、Δｎ、Δε及びγ_１の値は、液晶組成物ＬＣ−Ｂの値と同じであった。
（実施例９〜１２、比較例１１〜１５）
以下に示す組成物（ＬＣ−Ｃ）を調整した。

以下のＬＣ−Ｃの液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表のとおりであった。

以下のＬＣ−Ｃの液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表のとおりであった。

液晶組成物ＬＣ−Ｃを１００質量部に対して、上記式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ｂ−１）及び式（Ｂ−２）で表される化合物を以下の表で示す割合で添加し、比抵抗値とＶＨＲを測定した。結果を以下に示す。

比較例１２〜１５及び実施例９〜１２より、式（Ａ−１）及び（Ａ−２）で表される化合物の少なくともいずれか一つを含有することで、高い比抵抗値を得られることがわかる。また、実施例９〜１２は、比較例１１〜１５よりも高いＶＨＲ（ＵＶ）であることが確認された。また、表示ムラがないことを確認した。なお、実施例９〜１２で用いた液晶組成物のＴ_ｎｉ、Δｎ、Δε及びγ_１の値は、液晶組成物ＬＣ−Ｃの値と同じであった。































（実施例１３〜１６、比較例１６〜２０）
以下に示す組成物（ＬＣ−Ｄ）を調整した。

以下のＬＣ−Ｄの液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表のとおりであった。

以下のＬＣ−Ｄの液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表のとおりであった。

液晶組成物ＬＣ−Ｄを１００質量部に対して、上記式（Ａ−３）、式（Ａ−４）、式（Ｂ−３）及び式（Ｂ−４）で表される化合物を以下の表で示す割合で添加し、比抵抗値とＶＨＲを測定した。結果を以下に示す。

比較例１７〜２０及び実施例１３〜１６より、式（Ａ−３）及び（Ａ−４）で表される化合物の少なくともいずれか一つを含有することで、高い比抵抗値を得られることがわかる。また、実施例１３〜１６は、比較例１６〜２０よりも高いＶＨＲ（ＵＶ）であることが確認された。また、表示ムラがないことを確認した。なお、実施例１３〜１６で用いた液晶組成物のＴ_ｎｉ、Δｎ、Δε及びγ_１の値は、液晶組成物ＬＣ−Ｄの値と同じであった。














































（実施例１７〜２０、比較例２１〜２５）
以下に示す組成物（ＬＣ−Ｅ）を調整した。

以下のＬＣ−Ｅの液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表のとおりであった。

以下のＬＣ−Ｅの液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表のとおりであった。

液晶組成物ＬＣ−Ｅを１００質量部に対して、上記式（Ａ−１）、式（Ａ−６）、式（Ｂ−１）及び式（Ｂ−６）で表される化合物を以下の表で示す割合で添加し、比抵抗値とＶＨＲを測定した。結果を以下に示す。

比較例２２〜２５及び実施例１７〜２０より、式（Ａ−１）及び（Ａ−６）で表される化合物の少なくともいずれか一つを含有することで、高い比抵抗値を得られることがわかる。また、実施例１７〜２０は、比較例２１〜２５よりも高いＶＨＲ（ＵＶ）であることが確認された。また、表示ムラがないことを確認した。なお、実施例１７〜２０で用いた液晶組成物のＴ_ｎｉ、Δｎ、Δε及びγ_１の値は、液晶組成物ＬＣ−Ｅの値と同じであった。
















































（実施例２１〜２６、比較例２４〜２６）
以下に示す組成物（ＬＣ−Ｆ）を調整した。

以下のＬＣ−Ｆの液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表のとおりであった。

以下のＬＣ−Ｆの液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表のとおりであった。

液晶組成物ＬＣ−Ｆを１００質量部に対して、上記式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）及び式（Ｂ−２）で表される化合物を以下の表で示す割合で添加し、比抵抗値とＶＨＲを測定した。結果を以下に示す。

比較例２５〜２６及び実施例２１〜２６より、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）及び（Ａ−９）で表される化合物の少なくともいずれか一つを含有することで、高い比抵抗値を得られることがわかる。また、実施例２１〜２６は、比較例２４〜２６よりも高いＶＨＲ（ＵＶ）であることが確認された。また、表示ムラがないことを確認した。なお、実施例２１〜２４で用いた液晶組成物のＴ_ｎｉ、Δｎ、Δε及びγ_１の値は、液晶組成物ＬＣ−Ｆの値と同じであった。















































（実施例２７〜３１、比較例２７〜３０）
以下に示す組成物（ＬＣ−Ｉ）を調整した。

以下のＬＣ−Ｉの液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表のとおりであった。

以下のＬＣ−Ｉの液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表のとおりであった。

液晶組成物ＬＣ−Ｉを１００質量部に対して、上記式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ｂ−１）及び式（Ｂ−２）で表される化合物を以下の表で示す割合で添加し、比抵抗値とＶＨＲを測定した。結果を以下に示す。

比較例２８〜３１及び実施例２７〜３０より、式（Ａ−１）及び（Ａ−２）で表される化合物の少なくともいずれか一つを含有することで、高い比抵抗値を得られることがわかる。また、実施例２７〜３０は、比較例２７〜３１よりも高いＶＨＲ（ＵＶ）であることが確認された。また、表示ムラがないことを確認した。なお、実施例２７〜３０で用いた液晶組成物のＴ_ｎｉ、Δｎ、Δε及びγ_１の値は、液晶組成物ＬＣ−Ｉの値と同じであった。















































（実施例３１〜３４、比較例３２〜３６）
以下に示す組成物（ＬＣ−Ｊ）を調整した。

以下のＬＣ−Ｊの液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表のとおりであった。

以下のＬＣ−Ｊの液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表のとおりであった。

液晶組成物ＬＣ−Ｊを１００質量部に対して、上記式（Ａ−４）、式（Ａ−５）、式（Ｂ−４）及び式（Ｂ−５）で表される化合物を以下の表で示す割合で添加し、比抵抗値とＶＨＲを測定した。結果を以下に示す。

比較例３３〜３６及び実施例３１〜３４より、式（Ａ−１）及び（Ａ−２）で表される化合物の少なくともいずれか一つを含有することで、高い比抵抗値を得られることがわかる。また、実施例３１〜３４は、比較例３２〜３６よりも高いＶＨＲ（ＵＶ）であることが確認された。また、表示ムラがないことを確認した。なお、実施例３１〜３４で用いた液晶組成物のＴ_ｎｉ、Δｎ、Δε及びγ_１の値は、液晶組成物ＬＣ−Ｊの値と同じであった。






























（実施例３５〜３５、比較例３７〜４５）
以下に示す組成物（ＬＣ−Ｋ）を調整した。

以下のＬＣ−Ｋの液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表のとおりであった。

以下のＬＣ−Ｋの液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表のとおりであった。

液晶組成物ＬＣ−Ｋを１００質量部に対して、上記式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ｂ−１）及び式（Ｂ−２）で表される化合物を以下の表で示す割合で添加し、比抵抗値とＶＨＲを測定した。結果を以下に示す。

比較例３８〜４１及び実施例３５〜３８より、式（Ａ−１）及び（Ａ−２）で表される化合物の少なくともいずれか一つを含有することで、高い比抵抗値を得られることがわかる。また、実施例３５〜３８は、比較例３７〜４１よりも高いＶＨＲ（ＵＶ）であることが確認された。また、表示ムラがないことを確認した。なお、実施例３５〜３８で用いた液晶組成物のＴ_ｎｉ、Δｎ、Δε及びγ_１の値は、液晶組成物ＬＣ−Ｋの値と同じであった。














































（実施例３９〜４４、比較例４２〜４４）
以下に示す組成物（ＬＣ−Ｌ）を調整した。

以下のＬＣ−Ｌの液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表のとおりであった。

以下のＬＣ−Ｌの液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表のとおりであった。

液晶組成物ＬＣ−Ｌを１００質量部に対して、上記式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（Ａ−１）及び式（Ｂ−２）で表される化合物を以下の表で示す割合で添加し、比抵抗値とＶＨＲを測定した。結果を以下に示す。

比較例４３〜４４及び実施例３９〜４４より、式（Ａ−１）及び（Ａ−２）で表される化合物の少なくともいずれか一つを含有することで、高い比抵抗値を得られることがわかる。また、実施例３９〜４４は、比較例４２〜４４よりも高いＶＨＲ（ＵＶ）であることが確認された。また、表示ムラがないことを確認した。なお、実施例３９〜４４で用いた液晶組成物のＴ_ｎｉ、Δｎ、Δε及びγ_１の値は、液晶組成物ＬＣ−Ｌの値と同じであった。

Claims (7)

1. 分子中に１つ又は２つ以上の不対電子を有するヒンダードアミン系光安定剤として、一般式（ｉ）
   

   

   （式中、Ｒ ^ｉ０ は水素原子、水酸基、−Ｏ・、又は炭素原子数１〜２０のアルキル基を表し、該アルキル基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ _２ −は、それぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｓｉ（ＣＨ _３ ） _２ −、トランス１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基又はナフタレン−２，６−ジイル基に置換されてもよく、Ｒ ^ｉ０ 中の１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子、塩素原子又はシアノ基で置換されていてもよく、
   Ｒ ^ｉ１ 、Ｒ ^ｉ２ 、Ｒ ^ｉ３ 及びＲ ^ｉ４ はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、該Ｒ ^ｉ１ とＲ ^ｉ２ 及び／又はＲ ^ｉ３ とＲ ^ｉ４ は互いに結合して環を形成してもよく、
   Ｒ ^ｉ５ 、Ｒ ^ｉ６ 、Ｒ ^ｉ７ 及びＲ ^ｉ８ はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、Ｒ ^ｉ５ とＲ ^ｉ６ 及び／又はＲ ^ｉ７ とＲ ^ｉ８ がアルキル基を表す場合、該Ｒ ^ｉ５ とＲ ^ｉ６ 及び／又はＲ ^ｉ７ とＲ ^ｉ８ は互いに結合して環を形成してもよく、
   ｎ ^ｉ は０又は１を表し、
   ｍ ^ｉ は２〜６の整数を表し、Ｍ ^ｉ は２〜６価の有機基を表し、Ｍ ^ｉ の価数はｍ ^ｉ が表す数と同じ数であり、複数存在するＲ ^ｉ０ は同一であっても異なっていてもよいが、少なくとも１つ以上のＲ ^ｉ０ は−Ｏ・を表し、且つ、少なくとも１つ以上のＲ ^ｉ０ は水素原子、水酸基又は炭素原子数１〜２０のアルキル基を表し、
   複数存在するＲ ^ｉ１ 、Ｒ ^ｉ２ 、Ｒ ^ｉ３ 、Ｒ ^ｉ４ 、Ｒ ^ｉ５ 、Ｒ ^ｉ６ 、Ｒ ^ｉ７ 、Ｒ ^ｉ８ 及びｎ ^ｉ は同一であっても異なっていてもよい。）
   又は一般式（ｉｉ）
   

   

   （式中、Ｒ ^ｉｉ０ は水素原子、水酸基、−Ｏ・、又は炭素原子数１〜２０のアルキル基を表し、該アルキル基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ _２ −は、それぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｓｉ（ＣＨ _３ ） _２ −、トランス１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基又はナフタレン−２，６−ジイル基に置換されてもよく、Ｒ ^ｉｉ０ 中の１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子、塩素原子又はシアノ基で置換されていてもよく、
   Ｒ ^ｉｉ１ 、Ｒ ^ｉｉ２ 、Ｒ ^ｉｉ３ 及びＲ ^ｉｉ４ はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、該Ｒ ^ｉｉ１ とＲ ^ｉｉ２ 及び／又はＲ ^ｉｉ３ とＲ ^ｉｉ４ は互いに結合して環を形成してもよく、
   Ｒ ^ｉｉ５ 、Ｒ ^ｉｉ６ 、Ｒ ^ｉｉ７ 及びＲ ^ｉｉ８ はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、Ｒ ^ｉｉ５ とＲ ^ｉｉ６ 及び／又はＲ ^ｉｉ７ とＲ ^ｉｉ８ がアルキル基を表す場合、該Ｒ ^ｉｉ５ とＲ ^ｉｉ６ 及び／又はＲ ^ｉｉ７ とＲ ^ｉｉ８ は互いに結合して環を形成してもよく、
   ｎ ^ｉｉ は０又は１を表し、
   ｍ ^ｉｉ は２から４を表し、Ｕ ^ｉｉ は環構造を形成する２×ｍ ^ｉｉ 価の有機基を表し、複数存在するＲ ^ｉｉ０ は同一であっても異なっていてもよいが、少なくとも１つ以上のＲ ^ｉｉ０ は−Ｏ・を表し、且つ、少なくとも１つ以上のＲ ^ｉｉ０ は水素原子、水酸基又は炭素原子数１〜２０のアルキル基を表し、
   複数存在するＲ ^ｉｉ１ 、Ｒ ^ｉｉ２ 、Ｒ ^ｉｉ３ 、Ｒ ^ｉｉ４ 、Ｒ ^ｉｉ５ 、Ｒ ^ｉｉ６ 、Ｒ ^ｉｉ７ 、Ｒ ^ｉｉ８ 及びｎ ^ｉｉ は同一であっても異なっていてもよい。）
   で表される化合物を１種又は２種以上含有する液晶組成物。
2. 更に、一般式（ＩＩ）
   

   

   （式中、Ｒ^ＩＩ１は炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
   Ａ^ＩＩ１及びＡ^ＩＩ２はそれぞれ独立して
   （ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
   （ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
   （ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
   からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていてもよく、
   Ｚ^ＩＩ１は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
   Ｙ^ＩＩ１は水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基又は炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、また、アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、
   ｍ^ＩＩ１は１、２、３又は４を表すが、ｍ^ＩＩ１が２、３又は４を表す場合、複数存在するＡ^ＩＩ１及びＺ^ＩＩ１は同一であっても異なっていても良い。）
   で表される液晶化合物を１種又は２種以上含有する請求項１に記載の液晶組成物。
3. 更に、重合性化合物を１種又は２種以上含有する請求項１又は２に記載の液晶組成物。
4. 前記ヒンダードアミン系光安定剤の含有量の総量が液晶組成物において０．００１質量％から５質量％である請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶組成物。
5. 一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有量の総量が液晶組成物において１０質量％以上である請求項２から４のいずれか１項に記載の液晶組成物。
6. ２５℃における屈折率異方性（Δｎ）が０．０８から０．１４の範囲であり、２５℃における回転粘性（γ１）が６０から１３０ｍＰａ・ｓの範囲であり、ネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ｎｉ）が６０℃から１２０℃の範囲である請求項１から５のいずれか１項に記載の液晶組成物。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の組成物を使用した表示素子。