JP6486478B2 - ウエハー移送装置 - Google Patents

ウエハー移送装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6486478B2
JP6486478B2 JP2017536278A JP2017536278A JP6486478B2 JP 6486478 B2 JP6486478 B2 JP 6486478B2 JP 2017536278 A JP2017536278 A JP 2017536278A JP 2017536278 A JP2017536278 A JP 2017536278A JP 6486478 B2 JP6486478 B2 JP 6486478B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
laser
thickness
processing
guide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017536278A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018509751A (ja
Inventor
キム,ソ・ミ
Original Assignee
エスケー シルトロン カンパニー リミテッド
エスケー シルトロン カンパニー リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エスケー シルトロン カンパニー リミテッド, エスケー シルトロン カンパニー リミテッド filed Critical エスケー シルトロン カンパニー リミテッド
Publication of JP2018509751A publication Critical patent/JP2018509751A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6486478B2 publication Critical patent/JP6486478B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67715Changing the direction of the conveying path
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H01L21/67265Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02057Cleaning during device manufacture
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26Bombardment with radiation
    • H01L21/263Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604Chemical etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706Mechanical details, e.g. roller, belt
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781Batch transfer of wafers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
    • Y10S414/138Wafers positioned vertically within cassette
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/14Wafer cassette transporting
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/141Associated with semiconductor wafer handling includes means for gripping wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Description

実施例はウエハー移送装置に関するものである。
一般に、ウエハー食刻工程の重要品質項目である食刻量を確認するために、食刻されるウエハーの厚さ測定が必要である。
厚さ測定装備を用いて、ウエハー食刻工程以前にウエハーの厚さを測定し、食刻装備でウエハーを食刻した後にウエハーの厚さを測定する。
ターゲット(target)であるウエハーと電気容量測定プローブ(probe)の間に電場を形成し、ウエハーと電気容量測定プローブ(probe)の間の距離(gap)による電気容量の差を用いてウエハー厚さを測定することができる。
上述したように、一般に、食刻量の確認のために、ウエハー食刻以前及び食刻以後に別個の厚さ測定装備でウエハーの厚さを測定するが、このような2回の厚さ測定によって時間及び人力の損失が発生することがある。
実施例はウエハー厚さ測定による時間及び人力の損失を減らすことができるウエハー移送装置を提供する。
実施例によるウエハー移送装置は、垂直方向又は水平方向に移動するガイド(guide);前記ガイドに取り付けられ、互いに離隔したウエハーを装着させる移送アーム;前記ガイドに配置され、前記移送アームに装着された互いに離隔したウエハーに第1レーザーを放出するレーザー放出部;及び前記移送アームの下側に配置され、前記第1レーザーのうち前記互いに離隔したウエハーの間の隙間を通過した第2レーザーを捕集するレーザー感知部を含む。
前記レーザー放出部から照射される第1レーザー、及びレーザー捕集器によって捕集される第2レーザーに基づき、前記互いに離隔したウエハーの厚さを測定する制御部をさらに含むことができる。
前記第1レーザーの水平方向の放出領域の一端は前記ウエハーのうち第1ウエハーのエッジに整列され、前記第1レーザーの水平方向の放出領域の他端は前記ウエハーのうち最後のウエハーのエッジに整列されることができる。
前記ウエハー移送装置は、前記ガイドと前記レーザー感知部の間に連結され、前記レーザー感知部を前記ガイドに固定させるレーザー感知支持部をさらに含むことができる。
前記レーザー感知支持部は前記ガイドと一緒に水平方向又は垂直方向に移動することができる。
前記レーザー感知支持部は、前記ガイドの一端と前記レーザー感知部の一端を連結する第1レーザー感知支持部;及び前記ガイドの他端と前記レーザー感知部の他端を連結する第2レーザー感知支持部を含むことができる。
前記移送アームは、前記ガイドの一端に結合される第1及び第2アーム;前記ガイドの他端に結合される第3及び第4アーム;前記第1〜第4アームと連結される支持部;及び前記支持部と連結され、前記ウエハーが載置される載置棒を含むことができる。
前記第1〜第4アームは前記ガイドに結合された部分を軸として回転移動することができる。
前記載置棒は、一端が前記第1支持部に連結され、他端が第3支持部に連結される第1及び第2載置棒;及び一端が前記第2支持部に連結され、他端が第4支持部に連結される第3及び第4載置棒を含むことができる。
前記第1〜第4載置棒は前記ウエハーが装着されるスロット(slot)を含むことができる。
前記ウエハー移送装置は、前記ガイドを水平方向に移動させる移送レールをさらに含むことができる。
前記ガイドは、前記移送レールによって水平方向に移動し、前記移送アームと連結される水平ガイド;及び前記水平ガイドと連結され、前記水平ガイドを垂直方向に移動させる垂直ガイドを含むことができる。
他の実施例によるウエハー移送装置は、垂直方向又は水平方向に移動するガイド;前記ガイドと連結され、互いに離隔したウエハーを装着させる移送アーム;前記ガイドに配置され、前記移送アームに装着された互いに離隔したウエハーにレーザーを放出するレーザー放出部;前記移送アームの下側に配置され、前記互いに離隔したウエハーの間の隙間を通過したレーザーを捕集するレーザー感知部;及び前記レーザー捕集器によって捕集されなかった領域の長さを算出し、算出された長さのそれぞれに対応するウエハーの厚さを測定する制御部を含む。
実施例によるウエハー加工方法は、レーザーを照射するレーザー放出部及びレーザーを感知するレーザー感知部を備えるウエハー移送装置に装着されたウエハーを加工するウエハー加工方法であって、前記レーザー放出部によって、前記ウエハー移送装置に装着されたウエハーにレーザーを照射するレーザー照射段階;前記レーザー感知部によって、前記ウエハー移送装置に装着されたウエハーの間を通過したレーザーを感知するレーザー感知段階;前記感知された結果によって、前記ウエハー移送装置に装着されたウエハーの厚さを測定する厚さ測定段階;及び前記測定された厚さに基づき、前記ウエハー移送装置に装着されたウエハーを加工する加工段階を含む。
前記ウエハー加工方法は、前記ウエハー移送装置によって前記ウエハーを移送する段階をさらに含み、前記レーザー照射段階、前記レーザー感知段階、及び前記厚さ測定段階は前記移送する段階中に行うことができる。
前記ウエハー加工方法は、前記測定されたウエハーの厚さを既設定の厚さ値と比較する比較段階をさらに含み、前記加工段階は、前記比較段階によって比較された結果によって前記ウエハーの加工進行を決定するかあるいは加工時間を制御することができる。
前記加工段階は前記ウエハーを食刻する段階であってもよい。
前記ウエハー加工方法は、前記加工段階後、前記レーザー照射段階、前記レーザー感知段階、及び前記厚さ測定段階を行うことで、前記加工段階によって加工されたウエハーの厚さを測定する厚さ測定段階;及び前記加工段階によって加工されたウエハーの測定された厚さが既設定の厚さと同じになるまで、前記レーザー照射段階、前記レーザー感知段階、前記厚さ測定段階、前記比較段階、及び前記加工段階を繰り返し行う段階をさらに含むことができる。
前記加工段階は、前記食刻段階で食刻されたウエハーを洗浄する洗浄段階をさらに含むことができる。
前記加工段階は、前記洗浄段階で洗浄されたウエハーを乾燥させる乾燥段階をさらに含むことができる。
実施例はウエハー厚さ測定による時間及び人力の損失を減らすことができる。
実施例によるウエハー移送装置の正面図を示す。
図1のウエハー移送装置の側面図を示す。
図1に示したウエハー移送装置を用いたウエハー加工工程を示す。
図2に示したレーザー放出部及びレーザー捕集器を示す。
他の実施例による移送装置の正面図を示す。
図5の移送装置の側面図を示す。
実施例によるウエハー加工方法を示すフローチャートである。
以下、実施例は添付の図面及び実施例についての説明によって明らかになるであろう。実施例の説明において、それぞれの層(膜)、領域、パターン又は構造物が基板、各層(膜)、領域、パッド又はパターンの“上(on)”に又は “下(under)”に形成されるものとして記載される場合、“上(on)”と“下(under)”は“直接(directly)”又は “他の層を介して(indirectly)”形成されるものを全て含む。また、各層の上又は下に対する基準は図面に基づいて説明する。
図面において、大きさは説明の便宜及び明確性のために誇張されるか省略されるかあるいは概略的に示された。また、各構成要素の大きさは実際の大きさをそのまま反映するものではない。また、同じ参照番号は図面の説明で同じ要素を示す。
図1は実施例によるウエハー移送装置100の正面図を示し、図2は図1のウエハー移送装置100の側面図を示す。
図1及び図2を参照すると、ウエハー移送装置100は、垂直ガイド102、移送レール105、水平ガイド110、移送アーム(moving arm)120、レーザー放出部130、及びレーザー感知部160を含む。
移送アーム120は、アーム122a、122b、124a、124b、支持部122a1、122b1、124a1、124b1、及び載置棒151〜154を含むことができる。
移送レール105は垂直ガイド102と連結され、垂直ガイド102を第1方向、例えば水平方向201に移動させる。
垂直ガイド102は水平ガイド110と移送レール105を連結し、移送レール105に沿って移動することができ、水平ガイド110を第2方向、例えば垂直方向202に移動させる。
水平ガイド110は垂直ガイド102に連結され、垂直ガイド102を介して移送レール105と連結され、垂直ガイド102によって垂直方向202に移動することができ、移送レール105によって水平方向201に移動することができる。
水平ガイド110は移送アーム120を支持し、プレート(plate)状又はボックス(box)状であってもよいが、これに限定されるものではなく、複数のウエハーを移送するのに十分な形状又は長さを有することができる。
移送アーム(moving arm)120は水平ガイド110と連結又は/及び固定され、互いに離隔して位置する複数のウエハーのエッジ部を掴むかあるいは支持することができる。
例えば、移送アーム120は前面又は後面が垂直方向202に平行になるように互いに離隔して配置される複数のウエハーのエッジ部を掴むかあるいは支持することができる。
例えば、移送アーム120の一端は水平ガイド110に連結され、水平ガイド110に連結された移送アーム120の一端を軸として移送アーム120が回転することができ、移送アーム120の他端は互いに離隔して配置される複数のウエハーのエッジ部を掴むかあるいは支持することができる。
移送アーム120は、水平ガイド110の一端に結合又は固定される第1及び第2アーム122a、122b、水平ガイド110の他端に結合又は固定される第3及び第4アーム124a、124b、第1〜第4アーム122a、122b、124a、124bと連結される支持部122a、122b1、124a1、124b1、及び支持部122a、122b1、124a1、124b1と連結され、ウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)が載置される載置棒151〜154を含むことができる。124a及び124a1は図1及び図2に示されてはいないが、122a及び122a1と同一の形状を有することができる。
水平ガイド110の中心線301を基準として、第1アーム122aは水平ガイド110の一端の一側に結合又は固定されることができ、第2アーム122bは水平ガイド110の一端の他側に結合又は固定されることができる。例えば、水平ガイド110の中心線301は水平ガイド110の一端の中央を通り、垂直方向202に平行な仮想線であってもよい。
水平ガイド110の中心線301を基準として、第3アーム124aは水平ガイド110の他端の一側に結合又は固定されることができ、第4アーム124bは水平ガイド110の他端の他側に結合又は固定されることができる。例えば、水平ガイド110の中心線301は水平ガイド110の他端の中央を通り、垂直方向202に平行な仮想線であってもよい。
複数のウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)を掴むか支持するために、第1〜第4アーム122a、122b、124a、124bのそれぞれは水平ガイド110に結合又は固定された部分を軸として一定角度だけ回転移動することができる。
支持部122a1、122b1、124a1、124b1のそれぞれは第1〜第4アーム122a、122b、124a、124bのうち対応するいずれか一つと連結され、載置棒151〜154を支持する役目をする。
例えば、第1支持部122a1の一端は第1アーム122aと連結されることができ、第2支持部122b1の一端は第2アーム122bと連結されることができ、第3支持部124a1の一端は第3アーム124aと連結されることができ、第4支持部124b1の一端は第4アーム124bと連結されることができる。
載置棒151〜154は第1及び第2アーム122a、122bと第3及び第4アーム124a、124bの間に連結される。
例えば、第1及び第2載置棒151、152のそれぞれの一端は第1支持部122a1に連結されることができ、第1及び第2載置棒151、152のそれぞれの他端は第3支持部124aに連結されることができる。外周面が曲面であるウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)のエッジ部を安定に支持するために、第1載置棒151は第2載置棒152の上側に位置することができ、水平ガイド110の中心線301から第1載置棒151は水平方向201に第2載置棒152よりもっと遠く離隔して位置することができる。
例えば、水平ガイド110の中心線301から第1載置棒151までの離隔距離は中心線301から第2載置棒152までの離隔距離より大きくてもよい。
また、第3及び第4載置棒153、154のそれぞれの一端は第2支持部122b1に連結されることができ、第3及び第4載置棒153、154のそれぞれの他端は第4支持部124b1に連結されることができる。また、外周面が曲面であるウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)のエッジ部を安定に支持するために、第3載置棒153は第4載置棒154の上側に位置することができ、水平ガイド110の中心線301から第3載置棒153は水平方向201に第4載置棒154よりもっと遠く離隔して位置することができる。
例えば、水平ガイド110の中心線301から第3載置棒153までの離隔距離は中心線301から第4載置棒154までの離隔距離より大きくなることができる。
図示されてはいないが、ウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の安定的な支持のために、第1〜第4載置棒151〜154のそれぞれは、ウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)が挿入、装着、又はローディング(loading)されることができる互いに離隔した溝又はスロット(slot)を備えることができる。
レーザー放出部130は水平ガイド110に配置され、レーザー(laser)L1を放出する。例えば、レーザー放出部130は水平ガイド110の下面112に配置されることができ、第1〜第4載置棒151〜154に装着又はローディング(load)されたウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)に向けてレーザーL1を放出することができる。レーザー放出部130のレーザーL1は垂直方向202に放出されることができる。
レーザー感知部160は移送アーム120の下側に移送アーム120から離隔してレーザー放出部130と向き合うように配置される。
例えば、レーザー感知部160は第1〜第4アーム122a、122b、124a、124b及び載置棒151〜154の下側に配置されることができ、第1〜第4アーム122a、122b、124a、124b及び載置棒151〜154から離隔することができる。
レーザー感知部160は、レーザー放出部130から照射されるレーザーL1のうちウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の間の隙間Gを通過したレーザーL2を感知又は捕集するレーザー捕集器162、及びレーザー捕集器162を支持するレーザー捕集器支持部164を含むことができる。他の実施例では、レーザー捕集器支持部164は省略することができる。
レーザー放出部130によって照射されるレーザーL1は第1〜第4載置棒151〜154に装着又はローディングされた互いに離隔した複数のウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)と垂直方向202に互いにオーバーラップすることができる。
図4は図2に示したレーザー放出部130及びレーザー捕集器162を示す。
図4を参照すると、レーザー放出部130によって照射されるレーザーL1の水平方向201への放出領域の長さX1は第1〜第4載置棒151〜154のウエハー装着領域Sの長さより大きいか同一であってもよい。これはウエハーの厚さを測定することができるようにするためである。ここで、ウエハー装着領域Sは複数のウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)が配置される領域、及び複数のウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の間に位置する領域を含むことができる。
例えば、レーザー放出部130によって放出されるレーザーL1の水平方向201への放出領域の一端は第1〜第4載置棒151〜154に装着又はローディングされた第1ウエハーW1の一端又はエッジに整列されることができ、レーザーL1の水平方向201への放出領域の他端は第1〜第4載置棒151〜154に装着又はローディングされた最後のウエハーWnの一端又はエッジに整列されることができる。
例えば、第1ウエハーW1の一端は第2ウエハーW2と向き合う第1ウエハーW1の一面の反対面のエッジであってもよく、最後のウエハーWnの一端は最後直前のウエハーWn−1と向き合う最後のウエハーWnの一面の反対面のエッジであってもよい。
また、レーザー捕集器162は、垂直方向202にレーザー放出部130に整列又は対応するように、第1〜第4アーム122a、122b、124a、124bの下側に配置される。
例えば、レーザー捕集器162は第1〜第4載置棒151〜154の下側に配置されることができ、ウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の間の隙間G1〜Gk(kは1<k<nの自然数)を通過したレーザーL2を捕集することができる。
レーザー放出部130によって放出されるレーザーL1の水平方向201の長さX1からレーザー捕集器162によって捕集されたレーザーL1の水平方向201への長さの和を差し引けば、ウエハーW1〜Wnの厚さの総和を求めることができる。
また、レーザー放出部130によって放出されるレーザーL1の一部はウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)を通過することができなくてレーザー捕集器162に捕集されることができなく、レーザー放出部130によって放出されるレーザーL1の残部はウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の間の隙間G1〜Gkを通過してレーザー捕集器162に捕集されることができる。
レーザー捕集器162によって捕集されなかった領域P1〜Pm(mは1<m<nの自然数)の間にはレーザー捕集器162によって捕集された領域Y1〜Yk(kは1<k<nの自然数)が位置することができる。
レーザー捕集器162によって捕集されなかった領域P1〜Pm(mは1<m<nの自然数)の長さはウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の厚さに相当することができる。
レーザー捕集器162によって捕集された領域Y1〜Yk(kは1<k<nの自然数)のうち隣り合う2個の領域(例えば、Y1とY2)の間に位置する捕集されなかった領域(例えば、P2)の長さがウエハー(例えば、W2)の厚さに相当することができる。
例えば、捕集されなかった領域のうち対応するいずれか一つの長さがこれに対応するウエハーの厚さに相当することができる。
制御部(図示せず)はウエハー移送装置100のレーザー放出部130から照射されるレーザーL1、及びレーザー捕集器162によって捕集されるレーザーによって、図4で上述したように、ウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)のそれぞれの厚さを測定することができる。
例えば、制御部はレーザー捕集器162によって捕集される領域Y1〜Ykの間に位置する捕集されなかった領域P1〜Pmの長さを算出し、算出された長さのそれぞれに基づき、算出された長さのそれぞれに対応するウエハーの厚さを測定することができる。
制御部(図示せず)はウエハー移送装置100とは別に構成することができるが、これに限定されるものではなく、ウエハー移送装置100に含まれるように構成することもできる。
図3は図1に示したウエハー移送装置100によるウエハー加工工程を示す。
図3を参照すると、ウエハー加工工程は、ウエハー食刻工程、ウエハー洗浄工程及びウエハー乾燥工程を含むことができる。
第1処理槽301[m1]は第1処理液312を収容することができ、第2処理槽302は第2処理液314を収容することができる。第3処理槽303には乾燥ガス316が噴射されることができる。
第1〜第3処理槽301のそれぞれには実施例によるウエハー移送装置100のレーザー感知部160が配置されることができるが、これに限定されるものではなく、図5で説明するように、レーザー感知部160は水平ガイド部110に固定されて水平ガイド部110と一緒に移動することもできる。
まず、ウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)はウエハー移送装置100にローディングされることができ、ウエハー移送装置100のレーザー放出部130及びレーザー感知部160によって、ローディングされたウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の厚さを測定することができる。
そして、ウエハー移送装置100を用いて、第1処理液312を収容した第1処理槽301にウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)を移送することができ、第1処理槽301に移送されたウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)を第1処理液312に浸した後、既設定の時間の間に第1処理工程を行うことができる。例えば、第1処理液312は食刻液であってもよく、第1処理工程は食刻工程であってもよいが、これに限定されるものではない。
ウエハー移送装置100のレーザー放出部130及びレーザー感知部160を用いて、第1処理工程が行われるうちにウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の厚さを実時間で測定することができる。
第1処理工程が完了すると、ウエハー移送装置100を用いて、第1処理液312からウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)を取り出し、第1処理工程が完了したウエハーを第2処理槽302に移送することができる。この時、レーザー放出部130及びレーザー感知部160によって、第1処理液312から取り出されたウエハーの厚さを測定することもできる。
そして、ウエハー移送装置100によって第2処理槽302に移送されたウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)を第2処理液314に浸した後、既設定の時間の間に第2処理工程を行うことができる。例えば、第2処理液314は洗浄液であってもよく、第2処理工程は洗浄工程であってもよいが、これに限定されるものではない。
ウエハー移送装置100のレーザー放出部130及びレーザー感知部160を用いて、第2処理工程が行われるうちにウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の厚さを実時間で測定することができる。
第2処理工程が完了すると、ウエハー移送装置100を用いて、第2処理液314からウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)を取り出し、第2処理工程が完了したウエハーを第3処理槽302内に移送することができる。この時、レーザー放出部130及びレーザー感知部160によって、第2処理液314から取り出されたウエハーの厚さを測定することもできる。
そして、ウエハー移送装置100によって第3処理槽303内に移送されたウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)に対して乾燥ガス316を放出してウエハーを乾燥させる第3処理工程を行う。レーザー放出部130及びレーザー感知部160を用いて、第3処理工程が行われるうちにウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の厚さを実時間で測定することができる。
上述したように、実施例は、ウエハーに対する処理工程のために処理槽にウエハーを移送することはもちろんのこと、処理工程中のウエハーの厚さを実時間で測定することができる。実施例は別個の厚さ測定装置を使わないので、厚さ測定にかかる時間及び人力の浪費を減らすことができる。
また、実施例は処理工程中のウエハーの厚さを実時間で測定するので、ウエハー厚さの変化を処理工程に反映することができ、よって処理工程の正確度を向上させることができる。
図5は他の実施例による移送装置200の正面図を示し、図6は図5の移送装置200の側面図を示す。図1及び図2と同一の図面符号は同じ構成を示し、同じ構成については説明を簡略にするか省略する。
図5及び図6を参照すると、ウエハー移送装置200は、垂直ガイド102、移送レール105、水平ガイド110、移送アーム(moving arm)120、レーザー放出部130、レーザー感知部160、及びレーザー感知支持部170−1、170−2を含む。
ウエハー移送装置200は、図1及び図2に示したウエハー移送装置100に加え、レーザー感知支持部170−1、170−2、及び制御部180をさらに含むことができる。
レーザー感知支持部170−1、170−2は水平ガイド110とレーザー感知部160の間に連結され、レーザー感知部160を水平ガイド110に固定させる。
第1レーザー感知支持部170−1は水平ガイド110の一端とレーザー感知部160の一端を連結することができ、第2レーザー感知支持部170−2は水平ガイド110の他端とレーザー感知部160の他端を連結することができる。
例えば、第1レーザー感知支持部170−1は水平ガイド110の一端とレーザー捕集器支持部164の一端を連結することができ、第2レーザー感知支持部170−2は水平ガイド110の他端とレーザー捕集器支持部164の他端を連結することができる。
レーザー感知支持部170−1、170−2によってレーザー感知部160が水平ガイド110に固定されることができるから、水平ガイド110が水平方向又は垂直方向に移動するとき、レーザー感知部160も水平ガイド110と一緒に水平方向又は垂直方向に移動することができる。
制御部180は、ウエハー移送装置200のレーザー放出部130から照射されるレーザーL1についての情報、及びレーザー捕集器162によって捕集されるレーザーL2についての情報に基づき、図4で上述したように、ウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)のそれぞれの厚さを測定することができる。
レーザー感知部160も水平ガイド110と一緒に水平方向又は垂直方向に移動するから、図3のように複数の処理槽301〜303のそれぞれにウエハー厚さ測定のためのレーザー感知部160を設ける必要がない。
また、レーザー感知部160も水平ガイド110と一緒に水平方向又は垂直方向に移動するから、ウエハー移送装置200が移送レール105に沿って移動しているうちにもウエハーW1〜Wnの厚さを実時間で測定することができる。
図7は実施例によるウエハー加工方法を示すフローチャートである。
図7を参照すると、実施例は、レーザー放出部130及びレーザー感知部160を含む移送装置100、200を用いて、移送装置100、200に装着されたウエハーを加工する方法を示す。
まず、レーザー放出部130によって、移送装置100、200の載置棒151〜154に装着されたウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)にレーザーを照射する(S110)。
ついで、レーザー感知部160によって、移送装置100、200に装着されたウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の間を通過したレーザーを感知する(S120)。
感知された結果によって、移送装置100、200に装着されたウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の厚さを測定する(S130)。ウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の厚さは図4で説明したように測定することができる。
測定されたウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の厚さに基づき、移送装置100、200に装着されたウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)を加工する(S140〜S160)。
測定されたウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の厚さを既設定の厚さ値と比較し、比較された結果によってウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の加工進行を決定するか、あるいは加工時間を制御することができる。
測定されたウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の厚さが既設定の厚さ値より小さいか同じであるかを判断する(S140)。
測定されたウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の厚さが既設定の厚さ値より大きい場合には、移送装置100、200に装着されたウエハーの加工工程を行う(S150)。
この時、測定されたウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の厚さに基づき、移送装置100、200に装着されたウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の加工時間を制御することができる。
例えば、測定されたウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の厚さと既設定の厚さ値の差が大きいほどウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の加工時間を増やすことができる。
ウエハーの加工工程は、図3に示した食刻工程、洗浄工程、又は乾燥工程の少なくとも一つを含むことができる。
例えば、ウエハーの加工工程は、図3に示した食刻工程、又は洗浄工程の少なくとも一つを含むことができ、図3に示した乾燥工程をさらに含むことができる。
ついで、加工段階(S150)を行った後、レーザー照射段階(S110)、レーザー感知段階(S120)、及び厚さ測定段階(S130)を順次行うことで、加工段階(S150)によって加工されたウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の厚さを測定する(S110〜S130)。
加工段階(S150)によって加工されたウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の測定された厚さが既設定の厚さより小さいか同じになるまで、上述したレーザー照射段階(S110)、レーザー感知段階(S120)、厚さ測定段階(S130)、厚さ比較段階(S140)、及び加工段階(S150)を繰り返し行う。
結局、加工段階(S150)によって加工されたウエハーW1〜Wn(nは1より大きい自然数)の測定された厚さが既設定の厚さより小さいか同じ場合には、ウエハーの加工を中断する(S160)。
例えば、S110〜S130段階を行って厚さを測定する。そして、測定された厚さが既設定の厚さより小さいか同じではない場合(S140)、移送装置100、200に装着されたウエハーの加工工程(例えば、食刻工程)を行うことができる(S150)。
加工工程(S150)によって食刻及び洗浄されたウエハーに対し、S110〜S130段階を行って厚さを測定する。そして、測定された厚さと既設定の厚さを比較する(S140)。測定された厚さが既設定の厚さより大きい場合には、移送装置100、200に装着されたウエハーの加工工程(例えば、洗浄工程)を行うことができる(S150)。一方、測定された厚さが既設定の厚さより小さいか同じ場合には、ウエハーの加工工程を中止することができる。
実施例は、加工工程前後のウエハーの厚さを実時間で測定することができ、測定された厚さに基づいて後続の加工工程の進行可否及び加工工程の工程時間を調節することによってウエハーを正確な厚さに加工することができる。
以上で実施例について説明された特徴、構造、効果などは本発明の少なくとも一実施例に含まれ、必ずしも一実施例にのみ限定されるものではない。また、各実施例で例示された特徴、構造、効果などは実施例が属する分野の通常の知識を有する者によって他の実施例に対しても組合せ又は変形して実施可能である。したがって、このような組合せ及び変形に関する内容は本発明の範囲に含まれるものとして解釈されなければならないであろう。
[産業上の利用可能性]
実施例はウエハー製造工程中にウエハーを移送する工程に使われることができる。

Claims (12)

  1. 垂直方向又は水平方向に移動するガイド(guide);
    前記ガイドに取り付けられ、互いに離隔したウエハーを装着させる移送アーム;
    前記ガイドに配置され、前記移送アームに装着された互いに離隔したウエハーに第1レーザーを放出するレーザー放出部;及び
    前記移送アームの下側に配置され、前記第1レーザーのうち前記互いに離隔したウエハーの間の隙間を通過した第2レーザーを捕集するレーザー感知部を含み、
    さらに、前記レーザー放出部から照射される第1レーザー、及びレーザー捕集器によって捕集される第2レーザーに基づき、前記互いに離隔したウエハーの厚さを測定する制御部を含む、ウエハー移送装置。
  2. 前記第1レーザーの水平方向の放出領域の一端は前記ウエハーのうち第1ウエハーのエッジに整列され、前記第1レーザーの水平方向の放出領域の他端は前記ウエハーのうち最後のウエハーのエッジに整列される、請求項1に記載のウエハー移送装置。
  3. 前記ガイドと前記レーザー感知部の間に連結され、前記レーザー感知部を前記ガイドに固定させるレーザー感知支持部をさらに含む、請求項1または2に記載のウエハー移送装置。
  4. 前記レーザー感知支持部は前記ガイドと一緒に水平方向又は垂直方向に移動する、請求項3に記載のウエハー移送装置。
  5. 前記レーザー感知支持部は、
    前記ガイドの一端と前記レーザー感知部の一端を連結する第1レーザー感知支持部;及び
    前記ガイドの他端と前記レーザー感知部の他端を連結する第2レーザー感知支持部を含む、請求項3に記載のウエハー移送装置。
  6. レーザーを照射するレーザー放出部及びレーザーを感知するレーザー感知部を備えるウエハー移送装置に装着されたウエハーを加工するウエハー加工方法であって、
    前記レーザー放出部によって、前記ウエハー移送装置に装着されたウエハーにレーザーを照射するレーザー照射段階;
    前記レーザー感知部によって、前記ウエハー移送装置に装着されたウエハーの間を通過したレーザーを感知するレーザー感知段階;
    前記感知された結果によって、前記ウエハー移送装置に装着されたウエハーの厚さを測定する厚さ測定段階;及び
    前記測定された厚さに基づき、前記ウエハー移送装置に装着されたウエハーを加工する加工段階を含む、ウエハー加工方法。
  7. 前記ウエハー移送装置によって前記ウエハーを移送する段階をさらに含み、
    前記レーザー照射段階、前記レーザー感知段階、及び前記厚さ測定段階は前記移送する段階中に行う、請求項6に記載のウエハー加工方法。
  8. 前記測定されたウエハーの厚さを既設定の厚さ値と比較する比較段階をさらに含み、
    前記加工段階は、前記比較段階によって比較された結果によって前記ウエハーの加工進行を決定するかあるいは加工時間を制御する、請求項6又は7に記載のウエハー加工方法。
  9. 前記加工段階は前記ウエハーを食刻する段階である、請求項6ないし8のいずれかに記載のウエハー加工方法。
  10. 前記加工段階後、前記レーザー照射段階、前記レーザー感知段階、及び前記厚さ測定段階を行うことで、前記加工段階によって加工されたウエハーの厚さを測定する厚さ測定段階;及び
    前記加工段階によって加工されたウエハーの測定された厚さが既設定の厚さと同じになるまで、前記レーザー照射段階、前記レーザー感知段階、前記厚さ測定段階、前記比較段階、及び前記加工段階を繰り返し行う段階をさらに含む、請求項8に記載のウエハー加工方法。
  11. 前記加工段階は、前記食刻段階で食刻されたウエハーを洗浄する洗浄段階をさらに含む、請求項9に記載のウエハー加工方法。
  12. 前記加工段階は、前記洗浄段階で洗浄されたウエハーを乾燥させる乾燥段階をさらに含む、請求項11に記載のウエハー加工方法
JP2017536278A 2015-01-22 2015-06-17 ウエハー移送装置 Active JP6486478B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150010385A KR101680214B1 (ko) 2015-01-22 2015-01-22 웨이퍼 이송 장치
KR10-2015-0010385 2015-01-22
PCT/KR2015/006131 WO2016117777A1 (ko) 2015-01-22 2015-06-17 웨이퍼 이송 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018509751A JP2018509751A (ja) 2018-04-05
JP6486478B2 true JP6486478B2 (ja) 2019-03-20

Family

ID=56417288

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017536278A Active JP6486478B2 (ja) 2015-01-22 2015-06-17 ウエハー移送装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10192794B2 (ja)
JP (1) JP6486478B2 (ja)
KR (1) KR101680214B1 (ja)
CN (1) CN107210255B (ja)
DE (1) DE112015006031B4 (ja)
WO (1) WO2016117777A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220030387A (ko) 2020-08-28 2022-03-11 삼성전자주식회사 두께 추정 방법 및 공정 제어 방법

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02106830A (ja) 1988-10-17 1990-04-18 Meidensha Corp 真空インタラプタ用電極の製造方法
JPH07118502B2 (ja) * 1989-01-27 1995-12-18 日立電子エンジニアリング株式会社 カセット内ウェハのハンドリング方法および装置
JPH02106830U (ja) * 1989-02-09 1990-08-24
JPH03250749A (ja) 1990-02-28 1991-11-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハ移替装置におけるウエハ検出装置および方法
JP3131751B2 (ja) 1992-11-05 2001-02-05 東京エレクトロン株式会社 被処理体検出装置
US5319216A (en) 1991-07-26 1994-06-07 Tokyo Electron Limited Substrate detector with light emitting and receiving elements arranged in staggered fashion and a polarization filter
JP3060394B2 (ja) * 1991-08-30 2000-07-10 大日本スクリーン製造株式会社 表面処理装置
JPH05315309A (ja) * 1992-05-01 1993-11-26 Kaijo Corp 半導体基板自動処理装置
KR0118207B1 (ko) 1992-09-25 1997-09-30 기다오까 다까시 반도체 세정장치 및 웨이퍼카세트
JP3110218B2 (ja) * 1992-09-25 2000-11-20 三菱電機株式会社 半導体洗浄装置及び方法、ウエハカセット、専用グローブ並びにウエハ受け治具
JPH0837229A (ja) * 1994-07-25 1996-02-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 基板ティーチング装置
JP3248654B2 (ja) 1994-08-08 2002-01-21 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
JPH08129353A (ja) 1994-11-01 1996-05-21 Casio Comput Co Ltd 表示装置
JPH11176912A (ja) 1997-12-08 1999-07-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体基板処理装置及びその制御方法
KR20010014319A (ko) 1998-05-01 2001-02-26 히가시 데츠로 막 두께 측정 장치, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP4389305B2 (ja) * 1999-10-06 2009-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP4069236B2 (ja) * 2000-06-05 2008-04-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
US6472237B1 (en) * 2001-10-26 2002-10-29 Motorola, Inc. Method and system for determining a thickness of a layer
US8313277B2 (en) * 2003-11-10 2012-11-20 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing process modules
KR20060039134A (ko) 2004-11-02 2006-05-08 삼성전자주식회사 웨이퍼 카세트 어라인 장치
KR101339002B1 (ko) * 2006-12-13 2013-12-09 (주)스마트에이스 기판식각장치 및 식각방법
JP2008177329A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Mitsubishi Electric Corp ウエットエッチング方法
US7972969B2 (en) * 2008-03-06 2011-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for thinning a substrate
US8129279B2 (en) * 2008-10-13 2012-03-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polish process control for improvement in within-wafer thickness uniformity
JP6091193B2 (ja) * 2011-12-27 2017-03-08 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置及び処理方法
JP5871845B2 (ja) * 2013-03-12 2016-03-01 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板処理装置、基板取出方法および記憶媒体
KR101469000B1 (ko) * 2013-07-17 2014-12-04 주식회사 엠엠테크 글라스 박형화 장치 및 그 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN107210255B (zh) 2020-05-05
KR101680214B1 (ko) 2016-11-28
JP2018509751A (ja) 2018-04-05
KR20160090515A (ko) 2016-08-01
US10192794B2 (en) 2019-01-29
DE112015006031T5 (de) 2017-09-28
US20180005907A1 (en) 2018-01-04
DE112015006031B4 (de) 2022-05-12
CN107210255A (zh) 2017-09-26
WO2016117777A1 (ko) 2016-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9960063B2 (en) Substrate transport apparatus and substrate transport method
US8179536B2 (en) Measurement of overlay offset in semiconductor processing
JP5597774B2 (ja) 基板検査方法
CN102192870B (zh) 微粒数测量方法
KR20160143736A (ko) 반도체 웨이퍼 검사용 x-레이 검사 장치
JP5333158B2 (ja) 液体試料配置機構、それを用いた屈折率測定装置及び屈折率測定方法
JP4490779B2 (ja) 基板処理装置
KR102264851B1 (ko) 포크 로봇 및 포크의 삽입 거리 산출 방법
JP6486478B2 (ja) ウエハー移送装置
JP6386732B2 (ja) 検出装置、検出方法、及びリソグラフィ装置
JP7401232B2 (ja) 非破壊検査装置
KR102405151B1 (ko) 접액 노즐의 세정 방법 및 세정 장치
JP6333065B2 (ja) 塗布装置
KR102227473B1 (ko) 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법
KR101581372B1 (ko) 노치리스 웨이퍼 제조 장치 및 이의 제조 방법
KR102013671B1 (ko) 기판 처리 장치 및 처리액 노즐 검사 방법
JP5946209B2 (ja) シート抵抗率計測機構付きレーザアニール装置
KR101736849B1 (ko) 기판 중심 검출 방법, 기판 반송 방법, 반송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치.
JP6121732B2 (ja) 基板検査装置および基板検査方法
KR100838431B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20230080770A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2006310768A (ja) 部品形状測定方法、部品実装方法
KR20230100217A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2015102508A (ja) 電極温度測定方法及び電極温度測定装置
JPH11325882A (ja) ウェーハフラットネスデータ処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180827

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180911

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181211

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190122

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190219

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6486478

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250