JPH03250749A - 半導体ウエハ移替装置におけるウエハ検出装置および方法 - Google Patents
半導体ウエハ移替装置におけるウエハ検出装置および方法Info
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- JPH03250749A JPH03250749A JP2048151A JP4815190A JPH03250749A JP H03250749 A JPH03250749 A JP H03250749A JP 2048151 A JP2048151 A JP 2048151A JP 4815190 A JP4815190 A JP 4815190A JP H03250749 A JPH03250749 A JP H03250749A
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- semiconductor wafers
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 160
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、前工程から搬送されるウェハカセット内の半
導体ウェハを外部に移し替える半導体ウェハ移替装置に
おけるウェハ検出装置および方法に関するものである。
導体ウェハを外部に移し替える半導体ウェハ移替装置に
おけるウェハ検出装置および方法に関するものである。
従来、この種の半導体ウェハ検出装置におけるウェハ検
出装置は第４図に示すように構成されている。これを同
図に基づいて説明すると、同図において、符号１で示す
ものは所定の間隔をもって並列する半導体ウェハ２を支
承する多数の凹溝３を有するウェハカセット、４はこの
ウェハカセット１の下方に進退自在に設けられ各半導体
ウエハ２を検出する検出器である。
出装置は第４図に示すように構成されている。これを同
図に基づいて説明すると、同図において、符号１で示す
ものは所定の間隔をもって並列する半導体ウェハ２を支
承する多数の凹溝３を有するウェハカセット、４はこの
ウェハカセット１の下方に進退自在に設けられ各半導体
ウエハ２を検出する検出器である。
このように構成されたウェハ検出装置によるウェハ検出
は、搬送装置（図示せず）によってウェハカセット１を
所定の検出位置に搬送した後に行われる。この場合、ウ
エハカセ−／ ） １内の半導体ウェハ２は、検出器４
によって１個ずつ検出される。そして、ウェハ検出後に
は、搬送装置（図示せず）によって半導体ウェハ２が次
工程に搬送される。
は、搬送装置（図示せず）によってウェハカセット１を
所定の検出位置に搬送した後に行われる。この場合、ウ
エハカセ−／ ） １内の半導体ウェハ２は、検出器４
によって１個ずつ検出される。そして、ウェハ検出後に
は、搬送装置（図示せず）によって半導体ウェハ２が次
工程に搬送される。
ところで、この種の半導体ウェハ移替装置におけるウェ
ハ検出装置および方法においては、検出器４が各凹溝３
内の半導体ウェハ２の有無を検出するものであるため、
仮に１つの凹溝３によって複数の半導体ウェハ２が支承
されている場合でもウェハ検出されていた。この結果、
ウェハ移替時にウェハ把持不十分によって半導体ウェハ
２が損傷してしまい、ウェハ移替上の信顛性が低下する
という問題があった。また、ウェハ検出時に検出器４を
各凹溝３に対応する位置に停止させるものであるため、
半導体ウェハ２の検出に多大の時間を費やし、ウェハ移
替効率が低下するという問題もあった。
ハ検出装置および方法においては、検出器４が各凹溝３
内の半導体ウェハ２の有無を検出するものであるため、
仮に１つの凹溝３によって複数の半導体ウェハ２が支承
されている場合でもウェハ検出されていた。この結果、
ウェハ移替時にウェハ把持不十分によって半導体ウェハ
２が損傷してしまい、ウェハ移替上の信顛性が低下する
という問題があった。また、ウェハ検出時に検出器４を
各凹溝３に対応する位置に停止させるものであるため、
半導体ウェハ２の検出に多大の時間を費やし、ウェハ移
替効率が低下するという問題もあった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、ウェ
ハ移替上の信顧性およびウェハ移替効率を高めることが
できる半導体ウェハ移替装置におけるウェハ検出装置お
よび方法を提供するものである。
ハ移替上の信顧性およびウェハ移替効率を高めることが
できる半導体ウェハ移替装置におけるウェハ検出装置お
よび方法を提供するものである。
本発明に係る半導体ウェハ移替装置におけるウェハ検出
装置は、所定の位置で停止するウェハカセット内の半導
体ウェハを外部に移し替える半導体ウェハ移替装置にお
けるウェハ検出装置であって、停止位置のウェハカセッ
ト下方に所定の間隔をもって並列する半導体ウェハを位
置決めする位置決め部材を昇降自在に設け、この位置決
め部材によるウェハ位置決め状態においてウェハ径方向
から半導体ウェハを検出するイメージセンサおよびウェ
ハ径方向から半導体ウェハを光照射する光源をウェハカ
セットの上下方に設けたものである。
装置は、所定の位置で停止するウェハカセット内の半導
体ウェハを外部に移し替える半導体ウェハ移替装置にお
けるウェハ検出装置であって、停止位置のウェハカセッ
ト下方に所定の間隔をもって並列する半導体ウェハを位
置決めする位置決め部材を昇降自在に設け、この位置決
め部材によるウェハ位置決め状態においてウェハ径方向
から半導体ウェハを検出するイメージセンサおよびウェ
ハ径方向から半導体ウェハを光照射する光源をウェハカ
セットの上下方に設けたものである。
本発明の別の発明に係る半導体ウェハ移替装置における
ウェハ検出方法は、所定の位置で停止するウェハカセッ
ト内の半導体ウェハを外部に移し替える半導体ウェハ移
替装置におけるウェハ検出方法であって、停止位置のウ
ェハカセット下方に所定の間隔をもって並列する半導体
ウェハを位置決め部材によって位置決めした後、ウェハ
径方向から半導体ウェハを光照射してイメージセンサに
よって半導体ウェハを検出するものである。
ウェハ検出方法は、所定の位置で停止するウェハカセッ
ト内の半導体ウェハを外部に移し替える半導体ウェハ移
替装置におけるウェハ検出方法であって、停止位置のウ
ェハカセット下方に所定の間隔をもって並列する半導体
ウェハを位置決め部材によって位置決めした後、ウェハ
径方向から半導体ウェハを光照射してイメージセンサに
よって半導体ウェハを検出するものである。
本発明においては、所定の間隔をもって並列する半導体
ウェハを位置決め部材によって位置決めしてから、イメ
ージセンサによって一挙に検出することができる。
ウェハを位置決め部材によって位置決めしてから、イメ
ージセンサによって一挙に検出することができる。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第１ばば本発明に係る半導体ウェハ移替装置におけるウ
ェハ検出装置を示す斜視図、第２図は本発明におけるウ
ェハ検出装置の位置決め部材を示す斜視図で、同図にお
いて第３図と同一の部材については同一の符号を付し、
詳細な説明は省略する。同図において、符号１）で示す
ものは所定の間隔をもって並列する半導体ウェハ２を位
置決めする位置決め部材で、前記停止位置おけるウェハ
カセット１の下方に昇降自在に設けられている。
ェハ検出装置を示す斜視図、第２図は本発明におけるウ
ェハ検出装置の位置決め部材を示す斜視図で、同図にお
いて第３図と同一の部材については同一の符号を付し、
詳細な説明は省略する。同図において、符号１）で示す
ものは所定の間隔をもって並列する半導体ウェハ２を位
置決めする位置決め部材で、前記停止位置おけるウェハ
カセット１の下方に昇降自在に設けられている。
この位置決め部材１）は、本出願人が先に特願平１−１
８９６５０号の明細書中に開示した「位置決め装置」の
構成と同一の構成とする。この位置決め部材１）の下方
内部には、半導体ウェハ２をウェハ径方向から光照射す
る光＃１２が設けられている。１３は半導体ウェハ２を
検出するラインイメージセンサで、前記ウェハカセット
ｌの上方に設けられている。また、工４は半導体ウェハ
２を挟持する位置決め片である。なお、図中矢印Ａおよ
びＢは各々前記カセット１と前記位置決め部材１）の移
動方向を示す。
８９６５０号の明細書中に開示した「位置決め装置」の
構成と同一の構成とする。この位置決め部材１）の下方
内部には、半導体ウェハ２をウェハ径方向から光照射す
る光＃１２が設けられている。１３は半導体ウェハ２を
検出するラインイメージセンサで、前記ウェハカセット
ｌの上方に設けられている。また、工４は半導体ウェハ
２を挟持する位置決め片である。なお、図中矢印Ａおよ
びＢは各々前記カセット１と前記位置決め部材１）の移
動方向を示す。
このように構成されたウェハ検出装置においては、所定
の間隔をもって並列する半導体ウェハ２を位置決め部材
１）によって位置決めしてから、イメージセンサ１３に
よって一挙に検出することができる。
の間隔をもって並列する半導体ウェハ２を位置決め部材
１）によって位置決めしてから、イメージセンサ１３に
よって一挙に検出することができる。
したがって、本実施例においては、ウェハ移替時に各半
導体ウェハ２を確実に把持することができるから、ウェ
ハ損傷の発生を防止することができる。
導体ウェハ２を確実に把持することができるから、ウェ
ハ損傷の発生を防止することができる。
また、本実施例において、ウェハ検出時に半導体ウェハ
２を一挙に検出できることは、半導体ウェハ２の検出時
間を短縮することができる。
２を一挙に検出できることは、半導体ウェハ２の検出時
間を短縮することができる。
次に、本発明の別の発明の半導体ウェハ移替装置におけ
るウェハ検出方法について説明する。
るウェハ検出方法について説明する。
先ず、予めその内部に半導体ウェハ２が収納されたウェ
ハカセット１を搬送装置（図示せず）によって所定の検
出位置に搬送する。次いで、所定の間隔をもって並列す
る半導体ウェハ２を位置決め部材ＩＩによって一枚ずつ
把持して位置決めする。しかる後、光ａ１２によって半
導体ウェハ２をウェハ径方向から光照射してから、ライ
ンイメージセンサ１３によって検出する。このとき、光
＃２から発する光が相互に隣接する２つの半導体ウェハ
２間を通過して各半導体ウェハ２の有無が検出される。
ハカセット１を搬送装置（図示せず）によって所定の検
出位置に搬送する。次いで、所定の間隔をもって並列す
る半導体ウェハ２を位置決め部材ＩＩによって一枚ずつ
把持して位置決めする。しかる後、光ａ１２によって半
導体ウェハ２をウェハ径方向から光照射してから、ライ
ンイメージセンサ１３によって検出する。このとき、光
＃２から発する光が相互に隣接する２つの半導体ウェハ
２間を通過して各半導体ウェハ２の有無が検出される。
ここで、ラインイメージセンサ１３による半導体ウェハ
２の検出は、第３図に示す手順を経て行われる。すなわ
ち、ウェハ検出値は、２値化処理されてデータ変換され
、このデータのサンプリング後にシフトレジスタに書き
込まれるのである。
２の検出は、第３図に示す手順を経て行われる。すなわ
ち、ウェハ検出値は、２値化処理されてデータ変換され
、このデータのサンプリング後にシフトレジスタに書き
込まれるのである。
なお、本実施例においては、光源１２を位置決め部材１
）内に配設する例を示したが、本発明はこれに限定され
ず、位置決め部材１）外に配設しても何等差し支えない
。
）内に配設する例を示したが、本発明はこれに限定され
ず、位置決め部材１）外に配設しても何等差し支えない
。
（発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、停止位置のウェハ
カセット下方に所定の間隔をもって並列する半導体ウェ
ハを位置決めする位置決め部材を昇降自在に設け、この
位置決め部材によるウェハ位置決め状態においてウェハ
径方向から半導体ウェハを検出するイメージセンサおよ
びウェハ径方向から半導体ウェハを光照射する光源をウ
ェハカセットの上下方に設けたので、また、本発明の別
の発明に係る半導体ウェハ移替装置におけるウェハ検出
方法によれば、停止位置のウェハカセット下方に所定の
間隔をもって並列する半導体ウェハを位置決め部材によ
って位置決めした後、ウェハ径方向から半導体ウェハを
光照射してイメージセンサによって半導体ウェハを検出
するので、所定の間隔をもって並列する半導体ウェハを
位置決め部材によって位置決めしてから、イメージセン
サによって一挙に検出することができる。したがって、
ウェハ移替時に各半導体ウェハを確実に把持することが
できるから、ウェハ損傷の発生を防止することができ、
ウェハ移替上の信顛性を高めることができる。また、ウ
ェハ検出時に半導体ウェハを一挙に検出できることは、
半導体ウェハの検出時間を短縮することができるから、
ウェハ移替効率を高めることもできる。
カセット下方に所定の間隔をもって並列する半導体ウェ
ハを位置決めする位置決め部材を昇降自在に設け、この
位置決め部材によるウェハ位置決め状態においてウェハ
径方向から半導体ウェハを検出するイメージセンサおよ
びウェハ径方向から半導体ウェハを光照射する光源をウ
ェハカセットの上下方に設けたので、また、本発明の別
の発明に係る半導体ウェハ移替装置におけるウェハ検出
方法によれば、停止位置のウェハカセット下方に所定の
間隔をもって並列する半導体ウェハを位置決め部材によ
って位置決めした後、ウェハ径方向から半導体ウェハを
光照射してイメージセンサによって半導体ウェハを検出
するので、所定の間隔をもって並列する半導体ウェハを
位置決め部材によって位置決めしてから、イメージセン
サによって一挙に検出することができる。したがって、
ウェハ移替時に各半導体ウェハを確実に把持することが
できるから、ウェハ損傷の発生を防止することができ、
ウェハ移替上の信顛性を高めることができる。また、ウ
ェハ検出時に半導体ウェハを一挙に検出できることは、
半導体ウェハの検出時間を短縮することができるから、
ウェハ移替効率を高めることもできる。
第１図は本発明に係る半導体ウェハ移替装置におけるウ
ェハ検出装置を示す斜視図、第２図は同じく本発明にお
けるウェハ検出装置の位置決め部材を示す斜視図、第３
図はそのウェハ検出装置におけるブロック図、第４図は
従来の半導体ウェハ移替装置におけるウェハ検出装置を
示す斜視図である。 １・・・・ウェハカセット、２・・・・半導体ウェハ、
３・・・・凹溝、１）・・・・位置決め部材、１２・・
・・光源、１３・・・・ラインイメージセンサ。
ェハ検出装置を示す斜視図、第２図は同じく本発明にお
けるウェハ検出装置の位置決め部材を示す斜視図、第３
図はそのウェハ検出装置におけるブロック図、第４図は
従来の半導体ウェハ移替装置におけるウェハ検出装置を
示す斜視図である。 １・・・・ウェハカセット、２・・・・半導体ウェハ、
３・・・・凹溝、１）・・・・位置決め部材、１２・・
・・光源、１３・・・・ラインイメージセンサ。
Claims (2)
- （１）所定の位置で停止するウェハカセット内の半導体
ウェハを外部に移し替える半導体ウェハ移替装置におけ
るウェハ検出装置であって、前記停止位置のウェハカセ
ット下方に所定の間隔をもって並列する半導体ウェハを
位置決めする位置決め部材を昇降自在に設け、この位置
決め部材によるウェハ位置決め状態においてウェハ径方
向から半導体ウェハを検出するイメージセンサおよびウ
ェハ径方向から半導体ウェハを光照射する光源を前記ウ
ェハカセットの上下方に設けたことを特徴とする半導体
ウェハ移替装置におけるウェハ検出装置。 - （２）所定の位置で停止するウェハカセット内の半導体
ウェハを外部に移し替える半導体ウェハ移替装置におけ
るウェハ検出方法であって、前記停止位置のウェハカセ
ット下方に所定の間隔をもって並列する半導体ウェハを
位置決め部材によって位置決めした後、ウェハ径方向か
ら半導体ウェハを光照射してイメージセンサによって半
導体ウェハを検出することを特徴とする半導体移替装置
におけるウェハ検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2048151A JPH03250749A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 半導体ウエハ移替装置におけるウエハ検出装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2048151A JPH03250749A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 半導体ウエハ移替装置におけるウエハ検出装置および方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03250749A true JPH03250749A (ja) | 1991-11-08 |
Family
ID=12795364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2048151A Pending JPH03250749A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 半導体ウエハ移替装置におけるウエハ検出装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03250749A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107210255A (zh) * | 2015-01-22 | 2017-09-26 | Lg矽得荣株式会社 | 晶片传送设备 |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP2048151A patent/JPH03250749A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107210255A (zh) * | 2015-01-22 | 2017-09-26 | Lg矽得荣株式会社 | 晶片传送设备 |
| JP2018509751A (ja) * | 2015-01-22 | 2018-04-05 | エスケー シルトロン カンパニー リミテッド | ウエハー移送装置 |
| US10192794B2 (en) | 2015-01-22 | 2019-01-29 | Sk Siltron Co., Ltd. | Wafer transfer device |
| DE112015006031B4 (de) | 2015-01-22 | 2022-05-12 | Lg Siltron Incorporated | Wafertransfervorrichtung und Waferverarbeitungsverfahren |
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