JP6485307B2 - タンタル酸リチウム単結晶及びその製造方法 - Google Patents
タンタル酸リチウム単結晶及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6485307B2 JP6485307B2 JP2015190896A JP2015190896A JP6485307B2 JP 6485307 B2 JP6485307 B2 JP 6485307B2 JP 2015190896 A JP2015190896 A JP 2015190896A JP 2015190896 A JP2015190896 A JP 2015190896A JP 6485307 B2 JP6485307 B2 JP 6485307B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal
- lithium tantalate
- thermal conductivity
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015190896A JP6485307B2 (ja) | 2015-09-29 | 2015-09-29 | タンタル酸リチウム単結晶及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015190896A JP6485307B2 (ja) | 2015-09-29 | 2015-09-29 | タンタル酸リチウム単結晶及びその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017065951A JP2017065951A (ja) | 2017-04-06 |
| JP2017065951A5 JP2017065951A5 (enExample) | 2018-07-05 |
| JP6485307B2 true JP6485307B2 (ja) | 2019-03-20 |
Family
ID=58493760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015190896A Active JP6485307B2 (ja) | 2015-09-29 | 2015-09-29 | タンタル酸リチウム単結晶及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6485307B2 (enExample) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7417501B2 (ja) * | 2020-09-18 | 2024-01-18 | 信越化学工業株式会社 | 酸化物単結晶ウエハの製造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000196407A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Tdk Corp | 弾性表面波装置 |
| JP3589064B2 (ja) * | 1999-01-27 | 2004-11-17 | 日本ビクター株式会社 | 圧電結晶及び圧電素子 |
| JP3893012B2 (ja) * | 1999-05-22 | 2007-03-14 | 独立行政法人科学技術振興機構 | Clbo単結晶の育成方法 |
| JP4113004B2 (ja) * | 2003-02-20 | 2008-07-02 | 株式会社山寿セラミックス | 圧電基板用単結晶、それを用いた弾性表面波フィルタおよびその製造方法 |
| JP4301564B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2009-07-22 | 株式会社山寿セラミックス | 圧電性酸化物単結晶の帯電抑制処理方法、および帯電抑制処理装置 |
| KR20080059391A (ko) * | 2005-10-19 | 2008-06-27 | 가부시키가이샤 야마즈 세라믹스 | 강유전체 단결정, 그것을 이용한 탄성 표면파 필터 및 그제조방법 |
| JP4770552B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-09-14 | ソニー株式会社 | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 |
| JP2008301066A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Yamajiyu Ceramics:Kk | タンタル酸リチウム(lt)又はニオブ酸リチウム(ln)単結晶複合基板 |
| JP2009007203A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物単結晶育成装置及びそれを用いた酸化物単結晶の製造方法 |
| JP2010280525A (ja) * | 2009-06-03 | 2010-12-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | タンタル酸リチウム基板と、タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 |
| JP5839577B2 (ja) * | 2012-05-09 | 2016-01-06 | 信越化学工業株式会社 | 弾性表面波素子用化学量論組成タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 |
| JP5984058B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2016-09-06 | 住友金属鉱山株式会社 | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法及びタンタル酸リチウム単結晶 |
-
2015
- 2015-09-29 JP JP2015190896A patent/JP6485307B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2017065951A (ja) | 2017-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2007046176A1 (ja) | 強誘電体単結晶、それを用いた弾性表面波フィルタ及びその製造方法 | |
| CN103173861B (zh) | 用于高温压电器件的掺杂型钽酸镓镧晶体及其制备方法 | |
| JP6485307B2 (ja) | タンタル酸リチウム単結晶及びその製造方法 | |
| JP5839577B2 (ja) | 弾性表面波素子用化学量論組成タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 | |
| CN103014865A (zh) | 一种硅酸铝镓锶钽压电晶体及其制备方法 | |
| CN106533386A (zh) | 一种黄长石型结构晶体的零/近零频率温度系数切型及其加工方法与应用 | |
| US7090724B2 (en) | Langasite single crystal ingot, substrate for piezoelectric device and method for manufacture thereof, and surface acoustic wave device | |
| JP2010280525A (ja) | タンタル酸リチウム基板と、タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 | |
| JP3911967B2 (ja) | 圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイス | |
| JP4353262B2 (ja) | 弾性表面波デバイス及び圧電デバイス用基板 | |
| JP4270232B2 (ja) | 圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイス | |
| JP5792115B2 (ja) | 弾性表面波素子用化学量論組成タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 | |
| JP6186099B1 (ja) | 弾性表面波素子用基板及びその製造方法 | |
| JP5098922B2 (ja) | 圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイス | |
| JP5507870B2 (ja) | 表面弾性波素子用基板の製造方法 | |
| JP6822109B2 (ja) | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜とその製造方法、及び光アイソレータ | |
| JP3968934B2 (ja) | 圧電デバイス用基板の製造方法 | |
| JP2000247793A (ja) | ランガサイト型結晶の作製方法 | |
| JP3911992B2 (ja) | 圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイス | |
| JP3835286B2 (ja) | 圧電材料、圧電デバイス用基板及び表面弾性波装置 | |
| CN107925399B (zh) | 弹性表面波元件用基板及其制造方法 | |
| JP4239506B2 (ja) | 圧電デバイス用基板の製造方法 | |
| JPH0375520B2 (enExample) | ||
| JP2014152061A (ja) | 弾性波素子用基板 | |
| JP6969091B2 (ja) | 非磁性ガーネット単結晶、非磁性ガーネット単結晶基板、非磁性ガーネット単結晶の製造方法、及び非磁性ガーネット単結晶基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180517 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180517 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190117 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190122 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190204 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6485307 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |