JP7417501B2 - 酸化物単結晶ウエハの製造方法 - Google Patents
酸化物単結晶ウエハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7417501B2 JP7417501B2 JP2020157065A JP2020157065A JP7417501B2 JP 7417501 B2 JP7417501 B2 JP 7417501B2 JP 2020157065 A JP2020157065 A JP 2020157065A JP 2020157065 A JP2020157065 A JP 2020157065A JP 7417501 B2 JP7417501 B2 JP 7417501B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- seed crystal
- crystal
- seed
- neck portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 321
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 45
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title description 35
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 16
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 15
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 37
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021343 molybdenum disilicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
[1]種結晶を原料融液に接触させた後、前記種結晶を引上げながらネック部を形成する工程、前記ネック部の下に単結晶インゴットを育成する工程、前記種結晶と前記単結晶インゴットとを、前記ネック部の途中で切断分離し、前記ネック部の一部が長さ4mm以上残った種結晶を作製する工程、及び前記単結晶インゴットをスライスして単結晶ウエハを作製する工程を含む酸化物単結晶ウエハの製造方法。
[2]前記ネック部の一部が残った種結晶を作製する工程は、前記種結晶にネック部の少なくとも長さ6mm以上残した状態で切断分離する上記[1]に記載の酸化物単結晶ウエハの製造方法。
[3]前記ネック部を形成する工程は、前記ネック部を長さ10mm以上形成する上記[1]又は[2]に記載の酸化物単結晶ウエハの製造方法。
[4]前記種結晶に残ったネック部を原料融液に接触させた後、前記種結晶を引上げながらネック部を育成する工程、前記ネック部の下に単結晶インゴットを育成する工程、前記種結晶と前記単結晶インゴットとを、前記ネック部の途中で切断分離し、前記ネック部の一部が残った種結晶を作製する工程、及び
前記単結晶インゴットをスライスして単結晶ウエハを作製する工程をさらに含む上記[1]~[3]のいずれか1つに記載の酸化物単結晶ウエハの製造方法。
[5]前記酸化物単結晶が、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムである上記[1]~[4]のいずれか1つに記載の酸化物単結晶ウエハの製造方法。
以下、本発明の一実施形態に係る酸化物単結晶の製造方法を説明する。本発明の一実施形態に係る酸化物単結晶の製造方法は、種結晶を原料融液に接触させた後、種結晶を引上げながらネック部を形成する工程、ネック部の下に単結晶インゴットを育成する工程、種結晶と単結晶インゴットとを、ネック部の途中で切断分離し、ネック部の一部が長さ4mm以上残った種結晶を作製する工程、及び単結晶インゴットをスライスして単結晶ウエハを作製する工程を含む。ネック部を形成する工程及び単結晶インゴットを育成する工程では、例えば図1に示す単結晶製造装置を用いてCZ法によりネック部を形成し、単結晶インゴットを育成することができる。
単結晶製造装置100は、高周波誘導加熱方式の装置であり、チャンバー10内に坩堝1を配置する。坩堝1は、耐火物製の坩堝台4上に載置される。チャンバー10内には、坩堝1を囲むように、断熱材5が配置される。また、坩堝1を囲むようにワークコイル2が配置され、ワークコイル2により発生する高周波磁場によって、坩堝1に渦電流が流れ、坩堝1が発熱する。すなわち、坩堝1自体が発熱体となる。チャンバー10の上部には、シード棒3が回転可能かつ上下方向に移動可能に設けられる。
その後、ワークコイル2の出力を所定の速度で低下させることで、育成した単結晶を徐冷し、チャンバー10内の温度が室温近傍となった後に、チャンバー10内から育成した単結晶を取り出す。
[種結晶]
種結晶の品質は単結晶インゴットの品質及び製造歩留り、さらにはウエハにした際のデバイス特性にまで影響する。このため、品質の優れた種結晶を用いて単結晶を育成することは重要である。予め選別した品質の優れた種結晶を用意して単結晶の育成を行うのが好ましい。例えば、特許第4000772号公報(XRTによるリネージを含まない種の選別)、及び特開平8-310899号公報(鏡面を顕微鏡観察し欠陥ないものを選別)には、品質の優れた種結晶を得る方法が記載されている。
(種付け)
用意した種結晶7をシード棒3の先端に取付け、坩堝1の中にコングルエント組成に調合した原料の焼成粉末を所定量充填し、加熱して融液8にする。例えば、タンタル酸リチウム(LT)の場合は、約1700℃で融解させるとよい。ニオブ酸リチウム(LN)の場合は、LTよりも400℃低い約1300℃で融解させるとよい。その後融液8の温度を融点付近(LTの場合は1650℃付近、LNの場合は1250℃付近)に調整後、種結晶7を10rpmで回転させながら引下げ(図2)、その下端を融液8の表面に接触させ(種付け)、単結晶の育成の開始を準備する。このとき、融液8の表面は表面張力により種結晶7に引き寄せられ種結晶7の下端を3mm程度侵食する(図3)。この状態を暫く保持し、融液表面を観察する。これは融液温度が結晶育成を行うのに適した温度であるか判別するためであり、種結晶が融液から離れてしまったり(融液温度が適温より高い)、急激に結晶化が進行してしまったり(融液温度が適温より低い)した場合は、種結晶をいったん融液8から切離し、再度、融液8の温度を調整してから種付けを行う。
融液温度が適温と判断された場合、シード棒3を下げ種結晶7の下端をさらに融液8内にA[mm]挿入し、種結晶7の先端部分を溶かす(図4)。こうすると、種結晶7の先端を完全に融液に接触させることができる。これにより、種結晶7を切出す際に生じた先端部分の残留歪や、種結晶7と融液8とを接触させた際に両者間の温度差によって生じるヒートショック歪等が低減し、品質のよい単結晶を引き上げることができる。
(ネック部の形成)
種結晶7を7rpm程度の回転速度で回転させながら8mm/時程度以下の速度で上方に引き上げることにより、ネック部9aを形成する(図5)。ネック部9aの直径は、形成する単結晶を保持するのに耐えうる太さであり、5mm以上の太さが好ましい。形成するネック部9aの長さB[mm]は、B≧(3+A)[mm]とするのが好ましい。こうすると、後工程で種結晶先端にネック部の一部が残るように切断して、再利用できる種結晶の長さが短くなるのを防ぐことができる(図6)。すなわち、A=3mmとした場合にはB≧6mmとするのが好ましい。
ネック部を形成した後、所望の結晶径になるまで徐々に結晶径を太くしていきコーン部を形成する。続いて直胴部を形成する(図6)。コーン部及び直胴部を形成する際には10mm/h以下の育成速度で単結晶を育成すると、欠陥の少ない単結晶が得られやすく望ましい。直胴部が所望の長さになったところで液面から切り離す。その後、室温まで徐冷することにより単結晶インゴットを得ることができる(図7)。
次に、得られた単結晶インゴットと種結晶とを切り離す(図8)。切断は、例えばマイクログラインダーを用いる。切断はネック部9aの途中で切断し、種結晶にネック部の一部9a’が一体化されて残るようにする。このようにすると、このネック部の一部9a’が一体化された種結晶を作製することができる。そして、このネック部の一部9a’が一体化された種結晶全体を次バッチの種結晶7’として再利用できる上、製造バッチ毎に種結晶の長さが短くなっていくのを抑制することができる。こうして、1本の種結晶から作製可能な単結晶インゴット数を増やすことが可能となる。種結晶に一体化されて残されたネック部9a’の長さC[mm]は、C≧4[mm]とするのが好ましく、C≧(3+A)[mm]とするのがより好ましい。こうすると、実質的に1本の種結晶を半永久的に製造に使い続けることが可能となる。すなわち、A=3mmとした場合にはC≧6mmとするのがより好ましい。また、製造バッチ毎に種結晶の長さが短くなっていくのを抑制する観点から、C≧8[mm]とするのがさらに好ましく、C≧10[mm]とするのがよりさらに好ましい。また、生産性の観点からC≦18[mm]とするのが好ましい。
作製した単結晶インゴットは所望の厚みにスライスし、研磨を行って単結晶ウエハ11とする(図9)。
上記のインゴット切断分離工程で得られたネック部の一部が一体化された種結晶7’をそのまま種結晶として用いて、上記の種付け~単結晶インゴットの育成~種結晶の作製~単結晶ウエハの作製の工程を行って単結晶ウエハを作製することができる(図10)。すなわち、本発明の一実施形態に係る酸化物単結晶の製造方法は、種結晶7’に残ったネック部9a’を原料融液8に接触させた後、種結晶7’を引上げながらネック部を育成する工程、ネック部の下に単結晶インゴットを育成する工程、種結晶と単結晶インゴットとを、ネック部の途中で切断分離し、ネック部の一部が残った種結晶を作製する工程、及び単結晶インゴットをスライスして単結晶ウエハを作製する工程をさらに含むことが好ましい。具体的には、このとき、種結晶先端にはネック部の一部が一体化して残っており、シード棒の先端にはネック部の一部が下方になるように種結晶を取付ける。種付けの操作を行うと、種結晶を融液に接触時に生じる表面張力及び歪除去を目的とした種結晶の溶かしこみにより種結晶が短くなるものの、一体化して残っていたネック部があるので、種結晶本体の短縮化を抑制することができる。特に、ネック部長さCを4mm以上、好ましくは6mm以上残しておくと、種結晶本体の短縮化を防ぐことができ、好ましい。
本発明の一実施形態に係る酸化物単結晶ウエハの製造方法は、種結晶を原料融液に接触させた後、種結晶を引上げながらネック部を形成する工程、ネック部の下に単結晶インゴットを育成する工程、種結晶と単結晶インゴットとを、ネック部の途中で切断分離し、ネック部の一部が長さ4mm以上残った種結晶を作製する工程、及び単結晶インゴットをスライスして単結晶ウエハを作製する工程を含んでいれば、特に限定されない。
実施例及び比較例では、単結晶製造装置100を用いてCZ法により結晶方位が42°RYで、直胴部長が約90mm、直径が4インチのLiTaO3(LT)単結晶の育成を行った。
Li2O-Ta2O5のコングルエント組成に調整した原料粉末をイリジウム製の坩堝に充填し、高周波加熱により原料粉末を融解させた。用意した種結晶の先端を融液に接触させ、融液が種付け温度として適温と判断されたところで種結晶を融液に3mm挿入し種結晶先端の歪を除去した。そして、再度融液が適温であることを確認してから徐々に種結晶を引上げることで上記形状のLT単結晶インゴットを得た。窒素と酸素の混合ガス中、引上げ速度1~5mm/h、回転数5~20rpmの条件下で種結晶の引上げを行った。
用意した種結晶は断面が1cm×1cmの正方形で長さ8cmのサイズであり、この様な種結晶を複数本用意して実施例ならびに比較例を行った。
以下、実施例及び比較例におけるLT単結晶インゴットの作製を詳細に説明する。
引上げを実施するに当たり、実施例では種結晶の先端を融液に接触させ、融液が適温と判断されたところで種結晶を3mm融液に挿入し、再度、融液が適温であることを確認してから、まずネック部を15mm形成した。ネック部は種結晶の回転速度7rpm、引上げ速度3mm/hで育成し、ネック部の直径は10mmとした。
比較例では、種結晶の先端を融液に接触させ、融液が適温と判断されたところで種結晶を融液に3mm挿入した。再度、融液が適温であることを確認してから、まずネック部を5mm形成してから単結晶育成を開始した。ネック部は回転速度7rpm、引上げ速度3mm/hで育成し、ネック部の直径は10mmとした。
2 ワークコイル
3 シード棒
4 坩堝台
5 断熱材
6 熱電対
7 種結晶
7’ 次バッチの種結晶
8 原料融液
9 円筒状単結晶インゴット
9a ネック部
9a’ 種結晶に一体化されて残されたネック部
9a” 単結晶インゴットに一体化されて残ったネック部
9b コーン部
9c 直胴部
10 チャンバー
100 単結晶製造装置
Claims (5)
- 種結晶を原料融液に接触させ、前記原料融液に挿入させた後、前記種結晶を引上げながらネック部を形成する工程、
前記ネック部の下に単結晶インゴットを育成する工程、
前記種結晶と前記単結晶インゴットとを、前記ネック部の途中で切断分離し、前記ネック部の一部が長さ4mm以上残った種結晶を作製する工程、及び
前記単結晶インゴットをスライスして単結晶ウエハを作製する工程、
を含み、
前記ネック部の径は5mm以上であり、
前記種結晶を前記原料融液に挿入したときの挿入長さが1~3mmである酸化物単結晶ウエハの製造方法。 - 前記ネック部の一部が残った種結晶を作製する工程は、前記種結晶にネック部の少なくとも長さ6mm以上残した状態で切断分離する請求項1に記載の酸化物単結晶ウエハの製造方法。
- 前記ネック部を形成する工程は、前記ネック部を長さ10mm以上形成する請求項1又は2に記載の酸化物単結晶ウエハの製造方法。
- 前記種結晶に残ったネック部を原料融液に接触させた後、前記種結晶を引上げながらネック部を育成する工程、
前記ネック部の下に単結晶インゴットを育成する工程、
前記種結晶と前記単結晶インゴットとを、前記ネック部の途中で切断分離し、前記ネック部の一部が残った種結晶を作製する工程、及び
前記単結晶インゴットをスライスして単結晶ウエハを作製する工程、
をさらに含む請求項1~3のいずれか1項に記載の酸化物単結晶ウエハの製造方法。 - 前記酸化物単結晶が、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムである請求項1~4のいずれか1項に記載の酸化物単結晶ウエハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020157065A JP7417501B2 (ja) | 2020-09-18 | 2020-09-18 | 酸化物単結晶ウエハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020157065A JP7417501B2 (ja) | 2020-09-18 | 2020-09-18 | 酸化物単結晶ウエハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022050890A JP2022050890A (ja) | 2022-03-31 |
JP7417501B2 true JP7417501B2 (ja) | 2024-01-18 |
Family
ID=80855065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020157065A Active JP7417501B2 (ja) | 2020-09-18 | 2020-09-18 | 酸化物単結晶ウエハの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7417501B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002137986A (ja) | 2000-10-26 | 2002-05-14 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 単結晶引き上げ方法 |
JP2017065951A (ja) | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 住友金属鉱山株式会社 | タンタル酸リチウム単結晶及びその製造方法 |
-
2020
- 2020-09-18 JP JP2020157065A patent/JP7417501B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002137986A (ja) | 2000-10-26 | 2002-05-14 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 単結晶引き上げ方法 |
JP2017065951A (ja) | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 住友金属鉱山株式会社 | タンタル酸リチウム単結晶及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022050890A (ja) | 2022-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5633732B2 (ja) | サファイア単結晶の製造方法およびサファイア単結晶の製造装置 | |
TWI324643B (ja) | ||
JP4142332B2 (ja) | 単結晶シリコンの製造方法、単結晶シリコンウェーハの製造方法、単結晶シリコン製造用種結晶、単結晶シリコンインゴットおよび単結晶シリコンウェーハ | |
WO2021020539A1 (ja) | ScAlMgO4単結晶及びその作成方法並びに自立基板 | |
JPWO2021005731A1 (ja) | ヒ化ガリウム単結晶基板 | |
JP5318365B2 (ja) | シリコン結晶素材及びこれを用いたfzシリコン単結晶の製造方法 | |
JP2018150198A (ja) | 大口径ScAlMgO4単結晶並びにその育成方法及び育成装置 | |
JP7072146B2 (ja) | 鉄ガリウム合金の単結晶育成方法 | |
JP7417501B2 (ja) | 酸化物単結晶ウエハの製造方法 | |
JP2018058710A (ja) | シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶 | |
JP4060106B2 (ja) | 一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板及びスパッタリング用ターゲット素材 | |
JP7310339B2 (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶の育成方法 | |
JP4622329B2 (ja) | 希土類珪酸塩単結晶及び希土類珪酸塩単結晶の製造方法 | |
KR101574755B1 (ko) | 단결정의 제조방법 | |
JP2010265150A (ja) | サファイア単結晶の製造方法及び種結晶の製造方法 | |
JP6439733B2 (ja) | 非磁性ガーネット単結晶の育成方法 | |
WO2005007940A1 (ja) | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ | |
JP4735594B2 (ja) | 酸化物単結晶の育成方法 | |
JP5944639B2 (ja) | Tgg単結晶育成におけるシーディング方法 | |
KR19990077913A (ko) | 실리콘 단결정의 제조방법 및 이 방법으로 제조된 실리콘 단결정 | |
JP2021031342A (ja) | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 | |
JP2021031341A (ja) | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 | |
JP7275674B2 (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶の育成方法 | |
JP2013147361A (ja) | サファイア単結晶およびサファイア単結晶の製造方法 | |
JP4200690B2 (ja) | GaAsウェハの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220502 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20220502 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220824 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230309 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230328 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230808 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230926 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240105 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7417501 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |