JP6473971B2 - フォトルミネッセンス測定治具及びこれを用いたフォトルミネッセンス測定方法 - Google Patents
フォトルミネッセンス測定治具及びこれを用いたフォトルミネッセンス測定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6473971B2 JP6473971B2 JP2015236902A JP2015236902A JP6473971B2 JP 6473971 B2 JP6473971 B2 JP 6473971B2 JP 2015236902 A JP2015236902 A JP 2015236902A JP 2015236902 A JP2015236902 A JP 2015236902A JP 6473971 B2 JP6473971 B2 JP 6473971B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- photoluminescence
- fixing
- measurement
- jig
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 title claims description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 63
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 93
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 21
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 5
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 5
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Images
Description
前記サンプルを載置するサンプル保持台と、前記サンプルの短辺側表面の外周部を押さえ込んで固定する一対の固定治具と、該固定治具を前記サンプル保持台に固定する固定ネジとを有することを特徴とするフォトルミネッセンス測定治具を提供する。
前記固定ネジで前記サンプル保持台に固定されるL字型のベース部位と、該ベース部位から断面がくさび形の支え板が多数延伸する櫛部とを有し、
前記支え板が前記サンプルの短辺側表面の外周部に接触することで、前記サンプルを押さえ込んで固定するものであることが好ましい。
上記本発明のフォトルミネッセンス測定治具を用いて、測定対象となる短冊状のサンプルを固定してフォトルミネッセンスを測定することを特徴とするフォトルミネッセンスの測定方法を提供する。
上記したように、フォトルミネッセンス測定の際にサンプルを板ばねで固定すると、板ばね直下のシリコン片に応力が加わり、PLスペクトルが歪む・2つに分離するなどの異常が発生しやすかった。また、板ばねを用いずに、サンプルの裏面にシリコングリースなどを塗って、接着保持台に押しつけて固着する方法の場合には、サンプルが治具からはがれやすく、これによりPL測定時に装置内にサンプルが落下するなどの問題が発生していた。
図1に示すように本発明のフォトルミネッセンス測定治具1は、サンプル2を載置するサンプル保持台3と、サンプル2の短辺側表面の外周部を押さえ込んで固定する一対の固定治具4と、該固定治具4をサンプル保持台3に固定する固定ネジ5とを有する。
・フォトルミネッセンス測定装置:Photoluminor−D(株式会社堀場製作所製)
・測定温度:液体ヘリウム冷却(温度4K)
・測定対象:シリコンウェーハ
フォトルミネッセンス測定治具として、図8に示すような従来の板ばね式のフォトルミネッセンス測定治具を用いたこと以外は、実施例と同様にしてフォトルミネッセンスの測定を行った。
4…固定治具、 5…固定ネジ、 6…レーザー、 7…ベース部位、 8…支え板、
9…櫛部。
Claims (3)
- フォトルミネッセンス測定装置において測定対象となる短冊状のサンプルを固定するフォトルミネッセンス測定治具であって、
前記サンプルを載置するサンプル保持台と、前記サンプルの短辺側表面の外周部を押さえ込んで固定する一対の固定治具と、該固定治具を前記サンプル保持台に固定する固定ネジとを有することを特徴とするフォトルミネッセンス測定治具。 - 前記固定治具は、
前記固定ネジで前記サンプル保持台に固定されるL字型のベース部位と、該ベース部位から断面がくさび形の支え板が多数延伸する櫛部とを有し、
前記支え板が前記サンプルの短辺側表面の外周部に接触することで、前記サンプルを押さえ込んで固定するものであることを特徴とする請求項1に記載のフォトルミネッセンス測定治具。 - フォトルミネッセンスの測定方法であって、
請求項1又は請求項2に記載のフォトルミネッセンス測定治具を用いて、測定対象となる短冊状のサンプルを固定してフォトルミネッセンスを測定することを特徴とするフォトルミネッセンスの測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015236902A JP6473971B2 (ja) | 2015-12-03 | 2015-12-03 | フォトルミネッセンス測定治具及びこれを用いたフォトルミネッセンス測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015236902A JP6473971B2 (ja) | 2015-12-03 | 2015-12-03 | フォトルミネッセンス測定治具及びこれを用いたフォトルミネッセンス測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017102064A JP2017102064A (ja) | 2017-06-08 |
JP6473971B2 true JP6473971B2 (ja) | 2019-02-27 |
Family
ID=59017917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015236902A Active JP6473971B2 (ja) | 2015-12-03 | 2015-12-03 | フォトルミネッセンス測定治具及びこれを用いたフォトルミネッセンス測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6473971B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04109169A (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-10 | Terumo Corp | 分析装置 |
JPH04269646A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-09-25 | Sekisui House Ltd | 赤外分光々度計の試料ステージ |
JP2003073839A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-03-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 膜評価用基板ホルダ及び膜評価方法 |
JP2005077176A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Sony Corp | 落下衝撃試験装置及びそれに用いる治具の締め付け装置 |
US20050157288A1 (en) * | 2003-11-26 | 2005-07-21 | Sematech, Inc. | Zero-force pellicle mount and method for manufacturing the same |
JP4995656B2 (ja) * | 2007-07-19 | 2012-08-08 | 株式会社クラーロ | 顕微鏡装置 |
-
2015
- 2015-12-03 JP JP2015236902A patent/JP6473971B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017102064A (ja) | 2017-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
McElhiney et al. | The adsorption of Xe and CO on Ag (111) | |
JP5096747B2 (ja) | ビーム検出部材およびそれを用いたビーム検出器 | |
JP6501230B2 (ja) | 多元素同時型蛍光x線分析装置および多元素同時蛍光x線分析方法 | |
Vollmer et al. | Two dimensional band structure mapping of organic single crystals using the new generation electron energy analyzer ARTOF | |
KR20170031268A (ko) | 탄화규소 단결정 웨이퍼의 내부 응력 평가 방법, 및 탄화규소 단결정 웨이퍼의 휨의 예측 방법 | |
KR102017957B1 (ko) | 검량선의 작성 방법, 탄소 농도 측정 방법 및 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 | |
Tomlinson et al. | Intermittent‐contact Scanning Electrochemical Microscopy (IC‐SECM) as a Quantitative Probe of Defects in Single Crystal Boron Doped Diamond Electrodes | |
KR20130093519A (ko) | 에지-온 광발광을 사용하여 반도체 재료의 벌크 불순물을 측정하는 방법 | |
JP6473971B2 (ja) | フォトルミネッセンス測定治具及びこれを用いたフォトルミネッセンス測定方法 | |
CN109580688B (zh) | 用于GaN中痕量杂质元素浓度及分布的高精度检测方法 | |
Zhang et al. | Influence of rapid thermal annealing on Ge-Si interdiffusion in epitaxial multilayer Ge0. 3Si0. 7/Si superlattices with various GeSi thicknesses | |
JP2008298770A (ja) | レーザーイオン化質量分析法及びレーザーイオン化質量分析に使用される試料支持用基板 | |
Bloos et al. | Contactless millimeter wave method for quality assessment of large area graphene | |
JP2009099820A (ja) | 検査装置、検査方法および半導体装置の製造方法 | |
JPS6161697B2 (ja) | ||
JP2008109012A (ja) | 半導体ウェーハの評価方法および評価装置 | |
Yoshimoto et al. | Application of UV-Raman spectroscopy for characterization of the physical crystal structure following flash anneal of an ultrashallow implanted layer | |
Fabry et al. | Diagnostic and monitoring tools of large scale Si-manufacturing: trace-analytical tools and techniques in Si-wafer manufacturing | |
JP7447392B2 (ja) | SiC基板の評価方法及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法 | |
JP2009008396A (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
JP6369349B2 (ja) | カソードルミネッセンス測定用治具及びカソードルミネッセンスの測定方法 | |
JP2006216825A (ja) | 半導体ウエーハの熱処理工程に用いる部材または治具のドーパント汚染の評価方法 | |
JP5471780B2 (ja) | ボロンドープp型シリコン中の鉄濃度測定方法およびボロンドープp型シリコンウェーハの製造方法 | |
JP5556090B2 (ja) | ボロンドープp型シリコン中の鉄濃度分析における定量分析限界決定方法 | |
WO2006103832A1 (ja) | 半導体ウエーハのドーパント汚染の評価方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171218 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190104 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190117 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6473971 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |