JP6442889B2 - 内燃機関の点火制御装置 - Google Patents
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Description
特許文献1に記載された従来例では、冷間始動時やエンジン水温が低いときに、正規の点火タイミングでの点火の後、引き続いて4ms毎に通電及び通電カットを繰り返し2回目の点火及び3回目の点火を追加するようにしたエンジンの点火装置が開示されている。
本発明は、上記従来例の課題に着目してなされたものであり、電圧制御型半導体素子のターンオフ動作時の応答特性を向上させるようにした内燃機関の点火制御装置を提供することを目的としている。
点火制御装置10は、図1に示すように、一次側にバッテリ11から電源電圧が印加され、二次側に点火装置12が接続されたイグニッションコイル13を備えている。このイグニッションコイル13の一次側にはワンチップイグナイタを構成する点火制御部としての半導体装置20が接続されている。この半導体装置20にはエンジンコントロールユニット(ECU)30から点火信号が供給される。
そして、コレクタ端子tc及びエミッタ端子te間には、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)やパワーMOS電界効果トランジスタで構成される電圧制御型半導体素子21が接続されている。この電圧制御型半導体素子21は、高電位側端子となるコレクタがコレクタ端子tcに接続され、低電位側端子となるエミッタがエミッタ端子teに接続されている。また、電圧制御型半導体素子21は、制御端子となるゲートがゲート配線22を介してゲート端子tgに接続されている。ゲート配線22には、少なくとも2つの抵抗R1及びR2が直列に介挿されている。ゲート端子tg側の抵抗R1の抵抗値は電圧制御型半導体素子21のゲート側の抵抗R2の抵抗値より大きく設定されている。一例として、抵抗R1の抵抗値は例えば5kΩ程度に設定され、抵抗R2の抵抗値は例えば500Ω程度に設定されている。
また、電圧制御型半導体素子21のゲート・コレクタ間には、クランプダイオードDcが電圧制御型半導体素子21のコレクタ電極と抵抗R1及びR2間との間に接続されている。このクランプダイオードDcは、電圧制御型半導体素子21のゲート・コレクタ間にクランプ電圧(例えば400V)以上の電圧が印加されたときに、クランプダイオードDcに電流が流れる。この電流は後述するようにグランドに流れる。
さらに、ゲート配線22における電圧制御型半導体素子21のゲート側の抵抗R2と電圧制御型半導体素子21のゲート電極との間で、ゲート電極側とエミッタ端子teとの間にプルダウン用の第1能動素子24が接続されている。この第1能動素子24は、電圧制御型半導体素子21のターオフ動作を高応答で迅速に行うもので、一例としてnチャネルMOS電界効果トランジスタで構成されている。
タイマ回路26の具体的構成は、図2に示すように、第1タイマ部26a第2タイマ部26b及び第3タイマ部26cが直列に接続され、各タイマ部26a〜26cから出力される作動信号がオアゲート26dを介して複数点火回路25に作動信号として出力される。
第2タイマ部26bは、第1タイマ部26aから出力される第1作動信号で起動され、第1タイマ部26aの設定期間より短い第2タイマ期間Tm2でタイムアップして第2作動信号を出力する。
ここで、第1タイマ部26aの第1タイマ期間Tm1は、エンジンコントロールユニット30から出力されるゲート信号のオン期間Tonの例えば80%の期間に設定され、第2タイマ部26b及び第3タイマ部26cの第2タイマ期間Tm2は、ゲート信号のオン期間Tonの例えば10%の期間に設定されている。
制御回路28はゲート配線22に印加されるゲート電圧が電源として供給されている。この制御回路28は、電圧制御型半導体素子21の過電流保護や過熱保護を行うもので、電圧制御型半導体素子21の電流センス端子とエミッタ端子teとの間に接続された電流検出用抵抗R3の電流センス端子側の検出電圧が入力されて、電圧制御型半導体素子21が過電流状態となったときに第2能動素子27をオン状態に制御してゲート配線22をグランドに接続することにより、ゲート電圧を直ちに低下させて、電圧制御型半導体素子21をターンオフさせる。また、制御回路28は、電圧制御型半導体素子21のコレクタ電流Icが電流制限値に達したときに、電流制限値を維持するように第2能動素子27を制御する。第2能動素子27は過電流保護用、過熱保護用、電流制限用等の複数の能動素子で構成してもよい。
次に、ワンチップイグナイタで構成される半導体装置20の構成を図3に示す。
図3に示すように、半導体装置20は、例えばシリコンで形成された半導体基板41に、電圧制御型半導体素子21を形成する半導体素子形成領域42と制御回路37を形成する制御回路形成領域43とが隣接して形成されている。
そして、MOSドレイン電極48dがIGBTゲート電極47gにMOSドレイン電極48dより幅狭の電極配線部49aによって電気的に接続され、MOSソース電極48sが電極配線部49bによってIGBTエミッタ電極46eに電気的に接続されている。
先ず、複数点火回路25およびタイマ回路26を動作させない通常状態では、エンジンコントロールユニット30から点火装置の所定点火時期に、図5(a)に示す比較的長い所定期間ハイレベルとなる電圧信号でなるゲート信号が半導体装置20のゲート端子tgに入力される。
すなわち、エンジンコントロールユニット30から入力されるゲート信号がローレベルからハイレベルに転換した時点t11〜電圧制御型半導体素子21のコレクタ電流Icが電流制限値に達する時点t12までは時点t11でタイマ回路26の第1タイマ部26aが起動されていることを除いては前述した図5における時点t1〜t2と同様の動作を行う。
その後、複数点火回路25の遅延回路25aから時点t14で第1作動信号の遅延信号が出力されると、フリップフロップ回路25bがリセットされて、その肯定出力端子yから出力されるゲート信号がローレベルとなり、第1能動素子24がオフ状態となる。
その後、時点t15で第2タイマ期間Tm2が経過して第2タイマ部26bがタイムアップすると、第2作動信号がオアゲート26dを介して複数点火回路25に出力される。このため、複数点火回路25では、前述した時点t13と同様に、フリップフロップ回路25bがセットされて肯定出力端子yからハイレベルのゲート信号が第1能動素子24のゲートに出力される。このため、第1能動素子24がオン状態に制御されて、電圧制御型半導体素子21のゲートに蓄積された電荷が抵抗素子を介することなく瞬間的に第1能動素子24を通じてグランドに放電される。
その後、時点t16で複数点火回路25の遅延回路25aから第2作動信号の遅延信号がフリップフロップ回路25bのリセット端子rに供給されることにより、このフリップフロップ回路25bがリセットされ、第1能動素子24がオフ状態に復帰し、電圧制御型半導体素子21がターンオン状態に復帰する。
しかしながら、第1の実施形態では、クランプダイオードDcと並列に高耐圧定電流4回路23が接続されている。この高耐圧定電流回路23では、コレクタ電圧Vcが0Vに近い状態から増加するときに、コレクタ・ゲート間電流を図7において特性線L2で示すように、双曲線状に増加させ、その後コレクタ電圧の増加にかかわらず電圧制御型半導体素子21のゲート充填電流に比較して十分に小さい略一定電流値を維持する。
なお、電圧制御型半導体素子21が過電流状態となったときには、この過電流状態を制御回路28で検出して第2能動素子27をオン状態とすることにより、電圧制御型半導体素子21をターンオフさせて動作を停止させることができる。同様に、電圧制御型半導体素子21の温度が上昇して過熱状態となったときにも制御回路28によって、第2能動素子27をオン状態とすることにより、電圧制御型半導体素子21の駆動を停止することができる。
さらに、電圧制御型半導体素子21のコレクタ・ゲート間にクランプダイオードDcと並列に高耐圧定電流回路23を接続したので、コレクタ・ゲート間電流の急激な変化を抑制してコレクタ電圧の変動を抑制することができる。
この第2の実施形態では、複数点火回路25及びタイマ回路26を低温時に動作させるようにしたものである。この第2の実施形態で第1の実施形態と同一部材には同一符号を付してその詳細説明はこれを省略する。
すなわち、第2の実施形態では、図8に示すように、半導体装置20内に温度検出回路50を設けるようにしている。この温度検出回路50は、電圧制御型半導体素子21が寒冷地等で点火装置12が放電点火しにくい低温時にオン状態となる温度検出信号をタイマ回路26に出力する。タイマ回路26は、図9に示すように、オアゲート26dの出力側がアンドゲート26eの一方の入力側に接続され、このアンドゲート26eの他方の入力側に温度検出回路50から入力される温度検出信号が入力されている。
ここで、温度検出回路50は、図10に示すように、半導体基板41の半導体素子形成領域42内に直列に複数段例えば4段直列に接続された温度検出用ダイオードを形成した温度検出領域60が形成されている。温度検出回路50の具体的構成は、図11に示すように、温度検出領域60に形成された温度検出用ダイオードDtのアノードが定電流回路61を介してゲート配線22の抵抗R1及びスピードアップダイオードDsのカソードの接続点に接続され、カソードがエミッタ端子teに接続されている。
この第2の実施形態によると、半導体基板41の電圧制御型半導体素子21を形成した半導体素子形成領域42の温度が低温設定温度より高い場合には、温度検出回路50の定電流回路61と温度検出用ダイオードDtとの接続点の電圧が低温設定電圧より高くなるので、判定回路62からローレベルの温度検出信号Stがタイマ回路26に出力される。
このため、電圧制御型半導体素子21は、エンジンコントロールユニット30から入力されるゲート信号がオン状態からオフ状態となったときにターンオフ状態となり、前述した第1の実施形態の図5と同様の通常点火動作を行う。
このため、エンジンコントロールユニット30から入力されるゲート信号がハイレベルとなると、タイマ回路26から第1作動信号、第2作動信号及び第3作動信号がオアゲート26d及びアンドゲート26eを介して複数点火回路25のフリップフロップ26b及び遅延回路25aに供給される。このため、複数点火回路25で、第1実施形態における多重点火動作と同様の多重点火動作を開始し、図6と同様の動作を行って、第1作動信号、第2作動信号及び第3作動信号が入力される毎にフリップフロップ回路25bがセットされてゲート信号を第1能動素子24に出力する。このため、電圧制御型半導体素子21が瞬時にターンオフされて、コレクタ電圧がクランプダイオードDcによるクランプ電圧まで上昇される。これによって、点火装置12で火花放電を3回繰り返し発生する多重点火動作が行われる。
この第3の実施形態では、半導体装置20にバッテリ11の電源を供給して内部電源を形成し、この内部電源によって内部回路を駆動するようにしたものである。
すなわち、第3の実施形態では、図14に示すように、半導体装置20にバッテリ11からバッテリ電力が供給されるバッテリ電力入力端子tbを形成するとともに、半導体装置20内にバッテリ電力入力端子tbに接続された内部電源回路80が設けられている。
内部電源回路80は、レギュレータの構成を有し、供給されるバッテリ電圧を複数点火回路25、制御回路28及びゲート電圧低下検出回路81を動作させる内部電源電圧に変換して複数点火回路25及び制御回路28に供給するようにしている。
したがって、第3実施形態では、エンジンコントロールユニット30から出力されるゲート信号を、図15に示すように、多重点火形態とすることにより、前述した第1及び第2の実施形態と同様の多重点火動作を行うことができる。このゲート信号は、第1及び第2の実施形態とは異なり、多重点火用のゲート信号とされている。この多重点火用ゲート信号は、図15に示すように、複数ハイレベルの期間が第1タイマ期間Tm1に対応する比較的長い第1矩形波W1と、この第1矩形波W1がローレベルに反転してから遅延回路25aの遅延時間に相当する短い期間が経過した後にハイレベルとなり、ハイレベルの間が第2タイマ期間Tm2から遅延時間を減算した期間に設定された第2矩形波W2と、この第2矩形波W2がローレベルに反転してから遅延回路25aの遅延時間に相当する短い期間が経過した後にハイレベルとなり、ハイレベルの期間が第2矩形波と等しい第3矩形波W3とで形成されている。
この多重点火用ゲート信号が半導体装置20のゲート端子tgに入力されると、第1矩形波W1がハイレベルとなった時点t21で、電圧制御型半導体素子21がターンオン状態となり、コレクタ電流Icが図15(b)に示すように徐々に増加し、これに応じてコレクタ電圧Vcがグランドレベルに近い値に低下する。この第1矩形波W1がハイレベルを継続している状態では、ゲート電圧低下検出回路81では判定回路82からローレベルの判定信号が複数点火回路25のフリップフロップ回路25b及び遅延回路25aに出力しているので、フリップフロップ回路25bはリセット状態を維持し、肯定出力端子yから出力されるゲート信号もローレベルを維持している。このため、第1能動素子24はオフ状態を継続している。
このように第3の実施形態によると、エンジンコントロールユニット30からの多重点火用ゲート信号によって、多重点火動作を行わせ、この際ゲート電圧がハイレベルからローレベルに状態変化するときに、複数点火回路25で第1能動素子24をオン状態に制御するので、電圧制御型半導体素子21のゲートに蓄積された電荷を、抵抗素子を介することなく最小配線抵抗でグランドに放電することができ、電圧制御型半導体素子21のターンオフ動作を、高応答性を持って確実に行うことができる。このため、このため、前述した第1及び第2の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
この第4の実施形態では、前述した第2の実施形態において、通常点火動作から多重点火動作に切換える場合に、クランプ電圧も同時に高めるようにしたものである。
すなわち、第4の実施形態では、図17に示すように、第2の実施形態における図8の構成において、クランプダイオードDcと直列に高耐圧のスイッチ素子90を接続し、これらクランプダイオードDc及びスイッチ素子90の直列回路と並列にクランプダイオードDcのクランプ電圧(例えば400V)より高いクランプ電圧(例えば500V)のクランプダイオードDc1を接続している。そして、スイッチ素子90に温度検出回路50から出力される温度検出信号をインバータ91を介して供給し、温度検出信号がハイレベルであるときにオフ状態とし、ローレベルであるときにオン状態に制御する。
この状態で、電圧制御型半導体素子21がターンオンされた後にターオフされたときに、電圧制御型半導体素子21のコレクタ電圧Vcが上昇するが、このコレクタ電圧では2つのクランプダイオードDc及びDc1のうちクランプ電圧が低い方のクランプダイオードDcによってクランプされる。このため、第2の実施形態と同様の作用効果を受かることができる。
なお、上記第1〜第4の実施形態においては、多重点火動作で、点火装置12を通常時に比較して2回分多く火花放電させる場合について説明したが、これに限定されるものではなく、点火装置12の火花放電回数は任意に設定することができる。
11…バッテリ
12…点火装置
13…イグニッションコイル
20…半導体装置
21…電圧制御型半導体素子
22…ゲート配線
23…高耐圧定電流回路
Dc、Dc1…クランプダイオード
R1〜R4…抵抗
24…第1能動素子
25…複数点火回路
26…タイマ回路
27…第2能動素子
28…制御回路
30…エンジンコントロールユニット
41…半導体基板
42…半導体素子形成領域
43…制御回路形成領域
44…第1能動素子形成領域
50…温度検出回路
60…温度検出領域
Dt…温度検出用ダイオード
61…定電流回路
62…判定回路
70…電圧検出回路
80…内部電源回路
81…ゲート電圧低下検出回路
90…スイッチ素子
Claims (14)
- 内燃機関の点火装置に放電電圧を供給するイグニッションコイルと、該イグニッションコイルの一次側に接続された電圧制御型半導体素子と、前記電圧制御型半導体素子のゲートに、ゲート配線を介して点火期間内で当該電圧制御型半導体素子のターンオン動作及びターンオフ動作させるゲート信号を供給し、該ゲート信号が供給されている間に前記ターンオン動作及び前記ターンオフ動作を複数回繰り返させる多重点火動作が可能な点火制御部とを備え、
前記点火制御部は、前記多重点火動作時における前記電圧制御型半導体素子のターンオフ動作時に、当該電圧制御型半導体素子に蓄積されたゲート電荷をグランドに放電させる能動素子を備え、前記ゲート配線を介して前記能動素子を前記電圧制御型半導体素子のゲートに接続したことを特徴とする内燃機関の点火制御装置。 - 前記ゲート配線における前記能動素子の接続点と前記電圧制御型半導体素子のゲートとの間の抵抗値が300mΩ以下であることを特徴とする請求項1に記載の内燃機関の点火制御装置。
- 前記ゲート配線における前記能動素子の接続点と前記電圧制御型半導体素子のゲートとの間の抵抗値が100mΩ以下であることを特徴とする請求項1に記載の内燃機関の点火制御装置。
- 前記ゲート配線における前記能動素子の接続点と前記電圧制御型半導体素子のゲートとの間の抵抗値が50mΩ以下であることを特徴とする請求項1に記載の内燃機関の点火制御装置。
- 前記能動素子をNチャネルのMOSFETで構成し、半導体基板に前記電圧制御型半導体素子を形成する半導体素子形成領域と前記MOSFETを形成する能動素子形成領域を隣接して形成し、前記能動素子形成領域のドレイン電極を前記半導体素子形成領域のゲート電極に電極配線部を介して接続したことを特徴とする請求項1に記載の内燃機関の点火制御装置。
- 前記点火制御部は、前記点火装置の点火期間内に前記電圧制御型半導体素子のターンオン動作及びターンオフ動作を複数回行わせるゲート信号を供給するゲート信号供給回路と、該ゲート信号のオン状態からオフ状態への状態変化時に前記能動素子をオン動作させる放電制御回路とを備えていることを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の内燃機関の点火制御装置。
- 前記点火制御部は、前記点火装置の点火期間内に前記電圧制御型半導体素子のターンオン動作及びターンオフ動作を行わせるゲート信号を供給するゲート信号供給回路と、前記ゲート信号がオン状態となってからオフ状態となる前に前記能動素子を複数回繰り返しオン状態とするタイマ信号を出力するタイマ回路と、該タイマ回路のタイマ信号に応じて前記能動素子をオン状態とする放電制御回路とを備えていることを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の内燃機関の点火制御装置。
- 前記点火制御部は、温度検出回路を有し、該温度検出回路で検出した温度が設定温度以下であるときに前記電圧制御型半導体素子のターンオン動作及びターンオフ動作を複数回行わせるように構成されていることを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の内燃機関の点火制御装置。
- 前記点火制御部は、前記イグニッションコイルに電力を供給する直流電源の電源電圧を検出する電圧検出回路を有し、該電圧検出回路で検出した電源電圧が設定電圧以下であるときに前記電圧制御型半導体素子のターンオン動作及びターンオフ動作を複数回行わせるように構成されていることを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の内燃機関の点火制御装置。
- 前記点火制御部は、前記電圧制御型半導体素子が形成されたチップ内に形成されていることを特徴とする請求項1から9の何れか1項に記載の内燃機関の点火制御装置。
- 前記点火制御部は、前記電圧制御型半導体素子が形成されたチップとは別のチップに形成されていることを特徴とする請求項1から9の何れか1項に記載の内燃機関の点火制御装置。
- 前記点火制御部は、エンジンコントロールユニットから供給されるゲート信号を電源として動作するように構成されていることを特徴とする請求項1から11の何れか1項に記載の内燃機関の点火制御装置。
- 前記点火制御部は、前記イグニッションコイルに電力を供給する直流電源の電源電圧が供給されて内部動作電力を出力する内部電源回路を備えていることを特徴とする請求項1から12の何れか1項に記載の内燃機関の点火制御装置。
- 前記点火制御部は、前記電圧制御型半導体素子の高電位側端子とゲート端子との間にクランプダイオードと高耐圧定電流回路とが並列接続されていることを特徴とする請求項1から13の何れか1項に記載の内燃機関の点火制御装置。
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GB1504731A (en) | 1976-01-28 | 1978-03-22 | Lumenition Ltd | Optoelectronic ignition systems for internal combustion engines |
JPS56129581U (ja) | 1980-03-03 | 1981-10-01 | ||
JPS6119972A (ja) * | 1984-07-06 | 1986-01-28 | Nippon Denso Co Ltd | 内燃機関用無接点点火装置 |
JPS6228082U (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-20 | ||
JPH073944B2 (ja) | 1988-09-16 | 1995-01-18 | 富士電機株式会社 | 絶縁ゲート型半導体素子の駆動方法 |
JPH07103122A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-18 | Mazda Motor Corp | エンジンの点火装置 |
JP3216966B2 (ja) * | 1995-04-04 | 2001-10-09 | 三菱電機株式会社 | 内燃機関用点火装置 |
JPH08335522A (ja) * | 1995-06-08 | 1996-12-17 | Hitachi Ltd | 内燃機関用点火装置 |
JP3216972B2 (ja) * | 1995-08-04 | 2001-10-09 | 株式会社日立製作所 | 内燃機関の点火装置 |
JP3186619B2 (ja) * | 1995-12-18 | 2001-07-11 | 富士電機株式会社 | 内燃機関点火用回路装置および内燃機関点火用半導体装置 |
US5970964A (en) * | 1995-12-18 | 1999-10-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Circuit device for igniting internal combustion engine and semiconductor device for igniting internal combustion engine |
JP3192074B2 (ja) | 1995-12-27 | 2001-07-23 | 株式会社日立製作所 | 内燃機関用点火装置 |
JP4141014B2 (ja) * | 1998-07-24 | 2008-08-27 | 日本特殊陶業株式会社 | 内燃機関用点火装置 |
JP2000310173A (ja) | 1999-04-28 | 2000-11-07 | Fuji Electric Co Ltd | 内燃機関点火用半導体装置 |
JP3485838B2 (ja) | 1999-05-31 | 2004-01-13 | トヨタ自動車株式会社 | 内燃機関の点火制御装置 |
JP3482161B2 (ja) * | 1999-08-03 | 2003-12-22 | 株式会社日立製作所 | 内燃機関の点火システム |
JP3513063B2 (ja) * | 1999-12-01 | 2004-03-31 | 株式会社日立製作所 | 内燃機関用点火装置 |
JP3917865B2 (ja) | 2000-05-26 | 2007-05-23 | 株式会社日立製作所 | 内燃機関用点火装置 |
JP2002195143A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Denso Corp | 内燃機関用点火コイル |
JP2004036438A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Hitachi Ltd | 点火装置等の内燃機関用の電子装置 |
JP3997905B2 (ja) * | 2002-12-06 | 2007-10-24 | 日産自動車株式会社 | 電圧駆動素子の駆動回路 |
JP3968711B2 (ja) * | 2003-04-11 | 2007-08-29 | 株式会社デンソー | 内燃機関用点火装置およびそのイグナイタ |
JP4983571B2 (ja) * | 2007-05-16 | 2012-07-25 | 株式会社デンソー | 内燃機関用点火装置 |
US8584650B2 (en) * | 2007-11-07 | 2013-11-19 | Ford Global Technologies, Llc | Ignition energy control for mixed fuel engine |
JP5181834B2 (ja) * | 2008-05-26 | 2013-04-10 | 富士電機株式会社 | 半導体集積回路装置 |
JP2010199490A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Fuji Electric Systems Co Ltd | パワー半導体装置の温度測定装置およびこれを使用したパワー半導体モジュール |
ITMI20111669A1 (it) * | 2011-09-16 | 2013-03-17 | St Microelectronics Srl | Accensione graduale in un sistema di accensione di un motore a combustione |
JP2014013798A (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-23 | Fuji Electric Co Ltd | ワンチップイグナイタ及び内燃機関点火装置 |
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