JP6442154B2 - 画像取得装置及び画像取得方法 - Google Patents

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Description

本発明は、対象物の放射線画像を取得する画像取得装置及び画像取得方法に関する。
異物検査等を目的として、ベルトコンベア上を流れる対象物の放射線画像（放射線透過画像）を取得する画像取得装置が知られている（例えば特許文献１参照）。このような画像取得装置では、ラインスキャンカメラを用いて、搬送される対象物の放射線画像を取得している。
特開２００９−０８００２８号公報
上述した放射線画像を用いた技術は、異物検査等を行う上で極めて有効な技術であるが、取得される放射線画像のより一層の鮮明度向上が求められている。そこで本発明は、より鮮明な放射線画像を取得することができる画像取得装置及び画像取得方法を提供することを目的とする。
本発明に係る画像取得装置は、搬送方向に搬送される対象物の放射線画像を取得する画像取得装置であって、放射線を出力する放射線源と、対象物を搬送方向に搬送する搬送手段と、対象物を透過した放射線をシンチレーション光に変換する変換部、シンチレーション光を検出し検出信号を出力するラインスキャンカメラ部、及び、所定の設定増幅率にて検出信号を増幅し該増幅信号を出力する増幅部を有する検出手段と、増幅信号に基づいて、放射線画像を生成する画像生成部と、所定の撮像条件に基づいて、第１の増幅率又は第１の増幅率よりも低い増幅率である第２の増幅率のいずれか一方を設定増幅率として設定する設定手段と、を備える。
また、本発明に係る画像取得装置は、搬送方向に搬送される対象物の放射線画像を取得する装置であって、放射線を出力する放射線源と、対象物を搬送方向に搬送する搬送手段と、対象物を透過した放射線をシンチレーション光に変換する変換部、シンチレーション光を検出し検出信号を出力するラインスキャンカメラ部、及び、所定の撮像条件に基づいて設定された増幅率にて検出信号を増幅し該増幅信号を出力する増幅部を有する検出手段と、増幅信号に基づいて、放射線画像を生成する画像生成部と、を備える。
これらの画像取得装置では、対象物を透過した放射線に基づく検出信号が所定の設定増幅率にて増幅されて放射線画像が生成される。そして、設定増幅率は、所定の撮像条件に基づいて設定され、例えば、第１の増幅率又は第１の増幅率よりも低い増幅率である第２の増幅率のいずれか一方が設定される。鮮明な放射線画像を生成するために適切な増幅率は撮像条件によって変わるものであるところ、撮像条件に応じて設定増幅率が設定（選択）されることにより、鮮明な放射線画像を生成することができる。
また、ラインスキャンカメラ部は、搬送方向と交差する方向に並列した複数のラインセンサを有してもよい。これにより、搬送方向に搬送される対象物に係るシンチレーション光を、搬送方向と交差する方向に並列した複数のラインセンサで確実に検出することができる。
また、撮像条件は、放射線画像の複数の画素の輝度値に関するパラメータであってもよい。画素の輝度値を撮像条件とすることにより、設定増幅率を適切に設定することができる。
また、撮像条件は、画像生成部により生成される放射線画像に基づいて設定されたものであってもよい。画像生成部により生成される放射線画像に基づいて撮像条件を設定することにより、撮像条件を確実且つ容易に設定することができる。
また、撮像条件は、設定増幅率を第１の増幅率とした環境下で、画像生成部により生成される放射線画像に基づいて設定されたものであってもよい。比較的増幅率が高い第１の増幅率で生成された放射線画像は、画素の輝度値に関するパラメータの特定が容易である。そのため、当該放射線画像に基づいて、撮像条件を適切に設定することができる。
また、輝度値に関するパラメータは、放射線画像の複数の画素の輝度値の統計値であってもよい。これにより、設定増幅率をより適切に設定することができる。
また、統計値は、複数の画素の輝度値のばらつき度合いであってもよい。ばらつき度合いを考慮することにより、設定増幅率を適切に設定することができる。
また、放射線画像の複数の画素は、放射線画像の異なる空間に係る複数の画素であってもよい。これにより、放射線画像の異なる空間に係る複数の画素のパラメータを考慮して、設定増幅率を適切に設定することができる。
また、放射線画像の複数の画素は、放射線画像の異なる時間に係る複数の画素であってもよい。これにより、放射線画像の異なる時間に係る複数の画素のパラメータを考慮して、設定増幅率を適切に設定することができる。
また、撮像条件は、放射線源の出力パラメータであってもよい。放射線源出力パラメータを撮像条件とすることにより、設定増幅率を適切に設定することができる。
また、設定手段は、撮像条件のパラメータに対応するテーブルを有し、該テーブルを用いて設定増幅率を設定してもよい。テーブルを用いて設定増幅率を設定することにより、設定増幅率の設定を確実且つ簡易に行うことができる。
また、設定手段は、撮像条件のパラメータに対応する閾値を有し、該閾値を用いて設定増幅率を設定してもよい。閾値を用いて設定増幅率を設定することにより、設定増幅率の設定を確実且つ簡易に行うことができる。
本発明に係る画像取得方法は、対象物を透過した放射線をシンチレーション光に変換し、ラインスキャンカメラ部によりシンチレーション光を検出し検出信号を出力するステップと、所定の撮像条件に基づいて、第１の増幅率又は第１の増幅率よりも低い増幅率である第２の増幅率のいずれか一方を設定増幅率として設定するステップと、設定増幅率にて検出信号を増幅し増幅信号を出力するステップと、増幅信号に基づいて放射線画像を生成するステップと、を備える。
また、本発明に係る画像取得方法は、対象物を搬送方向に搬送しながら、ラインスキャンカメラ部により対象物を透過した放射線を検出し、検出信号を出力し、所定の撮像条件に基づいた増幅率で検出信号を増幅して増幅信号を出力し、増幅信号に基づいて放射線画像を生成する、各ステップを備える。
本発明によれば、鮮明な放射線画像を取得することができる。
本実施形態に係る画像取得装置の構成図である。 電流電圧変換アンプの一例を説明する図である。 電圧増幅アンプの一例を説明する図である。 Ｘ線透過画像に基づく撮像条件の設定について説明する図である。 輝度のばらつきを示す図である。
以下、図面を参照しつつ本実施形態に係る画像取得装置、及び、画像取得装置を用いた画像取得方法について説明する。なお、図面の説明においては同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
図１は、本実施形態に係る画像取得装置１の構成図である。図１に示されるように、画像取得装置１は、搬送方向ＴＤに搬送される対象物Ｆに対してＸ線（放射線）を照射し、対象物Ｆを透過したＸ線に基づきＸ線透過画像（放射線画像）を取得する、Ｘ線透過画像取得装置である。画像取得装置１は、Ｘ線透過画像を用いて対象物Ｆに含まれる異物検出又は手荷物検査、基板検査等を行う。画像取得装置１は、ベルトコンベア（搬送手段）６０と、Ｘ線照射器（放射線源）５０と、Ｘ線検出カメラ（検出手段、設定手段）１０と、制御装置（画像生成部）２０と、表示装置３０と、各種入力を行うための入力装置４０と、を備えて構成されている。
ベルトコンベア６０は、対象物Ｆが載置されるベルト部を有しており、該ベルト部を搬送方向ＴＤに移動させることにより、対象物Ｆを所定の搬送速度で搬送方向ＴＤに搬送する。対象物Ｆの搬送速度は、例えば４８ｍ／分である。ベルトコンベア６０は、必要に応じて、搬送速度を、例えば２４ｍ／分や、９６ｍ／分等の搬送速度に変更することができる。また、ベルトコンベア６０は、ベルト部の高さ位置を適宜変更し、Ｘ線照射器５０と対象物Ｆとの距離を変更することができる。なお、ベルトコンベア６０で搬送される対象物Ｆとしては、例えば、食肉等の食品、タイヤ等のゴム製品、樹脂製品、金属製品、鉱物等の資源材料、廃棄物、及び電子部品や電子基板等、様々な物品を挙げることができる。
Ｘ線照射器５０は、Ｘ線源としてＸ線を対象物Ｆに照射（出力）する装置である。Ｘ線照射器５０は、点光源であり、一定の照射方向に所定の角度範囲でＸ線を拡散させて照射する。Ｘ線照射器５０は、Ｘ線の照射方向がベルトコンベア６０に向けられると共に、拡散するＸ線が対象物Ｆの幅方向（搬送方向ＴＤと交差する方向）全体に及ぶように、ベルトコンベア６０から所定の距離を離れてベルトコンベア６０の上方に配置されている。また、Ｘ線照射器５０は、対象物Ｆの長さ方向（搬送方向ＴＤと平行な方向）においては、長さ方向における所定の分割範囲が照射範囲とされ、対象物Ｆがベルトコンベア６０にて搬送方向ＴＤへ搬送されることにより、対象物Ｆの長さ方向全体に対してＸ線が照射されるようになっている。Ｘ線照射器５０は、制御装置２０により管電圧及び管電流が設定され、設定された管電圧及び管電流に応じた所定のエネルギー、放射線量のＸ線を、ベルトコンベア６０に向けて照射する。
Ｘ線検出カメラ１０は、Ｘ線照射器５０により対象物Ｆに照射されたＸ線のうち、対象物Ｆを透過したＸ線を検出し、該Ｘ線に基づく信号を出力する。Ｘ線検出カメラ１０は、Ｘ線を検出する構成が２組配置されたデュアルラインＸ線カメラである。本実施形態に係る画像取得装置１では、デュアルラインＸ線カメラのそれぞれのライン（第１のライン及び第２のライン）で検出されたＸ線に基づき、それぞれＸ線透過画像が生成される。そして、生成された２つのＸ線透過画像について、平均処理又は加算処理等を行うことによって、１つのラインで検出されたＸ線に基づきＸ線透過画像を生成する場合と比べて、少ないＸ線量で鮮明な（輝度の大きい）画像を取得することができる。
Ｘ線検出カメラ１０は、シンチレータ（変換部）１１ａ，１１ｂと、ラインスキャンカメラ（ラインスキャンカメラ部）１２ａ，１２ｂと、センサ制御部１３と、アンプ（増幅部）１４ａ，１４ｂと、ＡＤ変換器１５ａ，１５ｂと、補正回路１６ａ，１６ｂと、出力インターフェース１７ａ，１７ｂと、アンプ制御部（設定手段）１８と、を有している。シンチレータ１１ａ、ラインスキャンカメラ１２ａ、アンプ１４ａ、ＡＤ変換器１５ａ、補正回路１６ａ、及び出力インターフェース１７ａはそれぞれ電気的に接続されており、第１のラインに係る構成である。また、シンチレータ１１ｂ、ラインスキャンカメラ１２ｂ、アンプ１４ｂ、ＡＤ変換器１５ｂ、補正回路１６ｂ、及び出力インターフェース１７ｂはそれぞれ電気的に接続されており、第２のラインに係る構成である。第１のラインのラインスキャンカメラ１２ａと、第２のラインのラインスキャンカメラ１２ｂとは、搬送方向ＴＤに沿って並んで配置されている。なお、以下では、第１のラインと第２のラインとで共通する構成については、第１のラインの構成を代表して説明する。
シンチレータ１１ａは、ラインスキャンカメラ１２ａ上に接着等により固定されており、対象物Ｆを透過したＸ線をシンチレーション光に変換する。シンチレータ１１ａは、シンチレーション光をラインスキャンカメラ１２ａに出力する。
ラインスキャンカメラ１２ａは、シンチレータ１１ａからのシンチレーション光を検出し、電荷に変換して、検出信号（電気信号）としてアンプ１４ａに出力する。ラインスキャンカメラ１２ａは、搬送方向ＴＤと交差する方向に並列した複数のラインセンサを有している。ラインセンサは、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサやＣＭＯＳ（ComplementaryMetal-Oxide Semiconductor）イメージセンサ等であり、複数のフォトダイオードを含んでいる。
センサ制御部１３は、ラインスキャンカメラ１２ａ，１２ｂが、対象物Ｆの同じ領域を透過したＸ線を撮像できるように、ラインスキャンカメラ１２ａ，１２ｂを、所定の検出周期で繰り返し撮像するよう制御する。所定の検出周期は、例えば、ラインスキャンカメラ１２ａ，１２ｂ間の距離、ベルトコンベア６０の速度、Ｘ線照射器５０とベルトコンベア６０上の対象物Ｆとの距離（ＦＯＤ（Focus Object Distance：線源物体間距離））、並びに、Ｘ線照射器５０とラインスキャンカメラ１２ａ，１２ｂとの距離（ＦＤＤ（FocusDetector Distance：線源センサ間距離））に基づいて、ラインスキャンカメラ１２ａ，１２ｂ共通の周期が設定されてもよい。また、所定の周期は、ラインスキャンカメラ１２ａ，１２ｂそれぞれのラインセンサの画素配列方向と直交する方向のフォトダイオードの画素幅に基づいて、それぞれ個別に設定されてもよい。この場合には、ラインスキャンカメラ１２ａ，１２ｂ間の距離、ベルトコンベア６０の速度、Ｘ線照射器５０とベルトコンベア６０上の対象物Ｆとの距離（ＦＯＤ（Focus Object Distance：線源物体間距離））、並びに、Ｘ線照射器５０とラインスキャンカメラ１２ａ，１２ｂとの距離（ＦＤＤ（FocusDetector Distance：線源センサ間距離））に応じて、ラインスキャンカメラ１２ａ，１２ｂ間の検出周期のズレ（遅延時間）を特定し、それぞれ個別の周期が設定されてもよい。
アンプ１４ａは、所定の設定増幅率にて検出信号を増幅し、該増幅信号をＡＤ変換器１５ａに出力する。設定増幅率は、アンプ制御部１８によって設定される増幅率である。アンプ制御部１８は、所定の撮像条件（制御装置２０における選択。詳細は後述）に基づいて、アンプ１４ａ，１４ｂの設定増幅率を、比較的高い増幅率である高ゲイン（第１の増幅率）、又は、高ゲインよりも低い増幅率である低ゲイン（第２の増幅率）のいずれか一方に設定する。ゲイン変換は電気容量の切り替えにより行い、例えば０．５ｐＦから１５ｐＦまでを０．５ｐＦ刻みで３０種類選択することが可能となっている。低ゲインは高ゲインよりも相対的に低い増幅率であればよく、例えば、最大値の１５ｐＦを１倍とすると、低ゲインは、１倍の増幅率であり、高ゲインは、２倍の増幅率である。なお、電気容量は自由に組み合わせることができ、電気容量の数は何種類であってもよく、低ゲインと高ゲインの範囲は自由に設定してもよい。
アンプ１４ａは、例えば、図２及び図３に示すように、電流信号を増幅する電流電圧変換アンプ１４ｘ、及び、電圧信号を増幅する電圧増幅アンプ１４ｙの少なくもいずれか一方を用いることができる。アンプ１４ａが電流電圧変換アンプ１４ｘにより構成される場合、並びに、アンプ１４ａが電流電圧変換アンプ１４ｘ及び電圧増幅アンプ１４ｙにより構成される場合のそれぞれについて、アンプ制御部１８による設定増幅率の設定を、図２及び図３も参照して詳細に説明する。図２に示す例は電流電圧変換アンプ１４ｘに電気容量が並列接続されている例であり、図３に示す例は電圧増幅アンプ１４ｙに帰還抵抗が並列接続されている例である。
図２に示す例では、電流電圧変換アンプ１４ｘは、ラインスキャンカメラ１２ａのフォトダイオードから出力された電流信号（検出信号）を電圧信号に変換する。電流電圧変換アンプ１４ｘには、電気容量Ｃ１が並列接続されている。これにより、電流信号は電気容量Ｃ１に応じた増幅率（例えば上述した第２の増幅率）にて増幅され、電圧信号として出力される。また、電流電圧変換アンプ１４ｘには、電気容量Ｃ２がスイッチＳ１を介して並列接続されている。当該スイッチＳ１が接続状態（閉状態）とされることにより、電流信号は、電気容量Ｃ１及び電気容量Ｃ２トータルの電気容量に応じた、電気容量Ｃ１のみの場合の増幅率よりも大きい増幅率（例えば上述した第１の増幅率）にて増幅され、電圧信号として出力される。また、電流電圧変換アンプ１４ｘには、スイッチＳ２が並列接続されている。当該スイッチＳ２は、電気容量をリセットするためのスイッチである。アンプ制御部１８は、スイッチＳ１及びスイッチＳ２の開閉を制御することにより、電流電圧変換アンプ１４ｘの設定増幅率を設定する。なお、電気容量Ｃ１，Ｃ２は、同じ電気容量であってもよいし異なってもよい。また、電気容量の数は２つに限定されず３つ以上であってもよい。
また、図３に示す例では、電圧増幅アンプ１４ｙは、電流電圧変換アンプ１４ｘから出力された電圧信号（検出信号）を増幅する。電圧増幅アンプ１４ｙには、帰還抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３がそれぞれ並列接続されている。帰還抵抗Ｒ２についてはスイッチＳ３、帰還抵抗Ｒ３についてはスイッチＳ４を介して、それぞれ並列接続されている。ここで、設定増幅率は、入力側に設けられた入力抵抗Ｒｉの抵抗値と、帰還抵抗の抵抗値との比により決まる。アンプ制御部１８は、スイッチＳ３及びスイッチＳ４の開閉を制御することにより、帰還抵抗の抵抗値を変化させ、電圧増幅アンプ１４ｙの設定増幅率を設定する。なお、帰還抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の抵抗値は同じであってもよいし異なってもよい。また、帰還抵抗の数を増やすことで、より多くの増幅率から設定増幅率を設定してもよい。
図１に戻り、ＡＤ変換器１５ａは、アンプ１４ａにより出力された増幅信号（電圧信号）をデジタル信号に変換し、補正回路１６ａに出力する。補正回路１６ａは、デジタル信号に対して、信号増幅等の所定の補正を行い、補正後のデジタル信号を出力インターフェース１７ａに出力する。出力インターフェース１７ａは、デジタル信号をＸ線検出カメラ１０外部に出力する。
制御装置２０は、例えばＰＣ等のコンピュータである。制御装置２０は、Ｘ線検出カメラ１０（より詳細には、出力インターフェース１７ａ，１７ｂ）から出力されたデジタル信号（増幅信号）に基づいてＸ線透過画像を生成する。制御装置２０は、出力インターフェース１７ａ，１７ｂから出力された２つのデジタル信号を平均処理又は加算処理することにより、１つのＸ線透過画像を生成する。生成されたＸ線透過画像は、表示装置３０に出力され、表示装置３０によって表示される。また、制御装置２０は、Ｘ線照射器５０及びセンサ制御部１３を制御する。
また、制御装置２０は、所定の撮像条件を特定し、特定した撮像条件をアンプ制御部１８に出力する。所定の撮像条件とは、アンプ制御部１８がアンプ１４ａ，１４ｂに設定増幅率を設定するための設定基準である。制御装置２０は、Ｘ線照射器５０から照射されるＸ線の信号領域に応じて、撮像条件を特定する。なお、シンチレータ１１ａ，１１ｂには、Gd2O2S：Tb、Gd2O2S：Pr、CsI：Tl、CdWO4、CaWO4、Gd2SiO5：Ce、Lu0.4Gd1.6SiO5、Bi4Ge3O12、Lu2SiO5：Ce、Y2SIO5、YALO3：Ce、Y2O2S：Tb、YTaO4：Tm、等のどれを用いても良い。これらシンチレータの種類によって蛍光変換効率はそれぞれ異なっており、蛍光変換効率に応じてアンプの増幅率を設定できるのが望ましい。制御装置２０は、シンチレータ部に例えばCdWO4を用いたとする。一般的にCdWO4は蛍光変換量は約12〜15[photon/keV]程度であり、CsI(Tl)：約54[photon/keV]程度やGOS(Tb)：約60[photon/keV]程度に比べX線フォトンの蛍光変換量が低い。また、Ｘ線エネルギーが低い条件、例えば管電圧30kV程度ではＸ線フォトンの可視光へ変換量がより低くなる。
このようにＸ線フォトンが可視光に変換する際の変換量が低い条件（シンチレータ部が蛍光変換量の低いCdWO4で管電圧30kV）において、低ゲイン（第2の増幅率）を1倍、高ゲイン（第1の増幅率）を2倍で12bit出力としたときの例を挙げて説明する。この条件のとき、画像のノイズ成分が量子ノイズより回路系ノイズが支配的となる領域で、例えば信号領域が300countより小さい場合には、「信号領域が300countよりも小さい」ことを撮像条件とする。アンプ制御部１８は、「信号領域が300countよりも小さい」という撮像条件に基づいて、設定増幅率を高ゲイン（第１の増幅率）に設定する。また、制御装置２０は、高ゲイン２倍と仮定しているため、12bit出力の最大値4095countの半分の値である2047countより大きい値はゲインを掛けれないため、信号領域が2047countより大きい場合には、「信号領域が2047countよりも大きい」ことを撮像条件とする。アンプ制御部１８は、「信号領域が2047countよりも大きい」という撮像条件に基づいて、設定増幅率を低ゲイン（第２の増幅率）に設定する。ここで、制御装置２０は、信号領域が300count以上〜2047count以下である場合には、Ｘ線照射器５０の出力パラメータ、又は、Ｘ線透過画像の複数の画素の輝度値に関するパラメータを、撮像条件として特定する。以下、信号領域が300count以上〜2047count以下である場合の撮像条件の特定について説明する。なお、この設定値はゲイン倍率やシンチレータの種類によっても変化するため、各条件によって設定値は変更してよい。
制御装置２０は、Ｘ線照射器５０の出力パラメータ、具体的には、Ｘ線照射器５０から出力されるＸ線に係る管電圧及び管電流を撮像条件とする。制御装置２０により撮像条件とされたＸ線に係る管電圧が所定値よりも高く、管電流が所定値よりも低い場合には、アンプ制御部１８は、当該撮像条件に基づき、設定増幅率を低ゲイン（第２の増幅率）に設定する。一方、制御装置２０により撮像条件とされたＸ線に係る管電圧が所定値よりも低く、管電流が所定値よりも高い場合には、アンプ制御部１８は、当該撮像条件に基づき、設定増幅率を高ゲイン（第１の増幅率）に設定する。
また、制御装置２０は、Ｘ線透過画像の複数の画素の輝度値に関するパラメータを撮像条件とする。このような輝度値に関するパラメータに基づく撮像条件は、制御装置２０により生成されるＸ線透過画像に基づいて特定される。当該撮像条件は、対象物Ｆを流さない状態での撮像（空撮り）によって生成されたＸ線透過画像に基づいて特定されるものであってもよいし、テストピースを流した状態での撮像によって生成されたＸ線透過画像に基づいて特定されるものであってもよい。また、撮像条件は、設定増幅率を高ゲイン（第１の増幅率）とした環境下で制御装置２０により生成されるＸ線透過画像に基づいて特定（設定）されるものであってもよい。以下、図４も参照しながら、Ｘ線透過画像に基づく撮像条件の特定について説明する。
Ｘ線透過画像の複数の画素の輝度値に関するパラメータは、例えば、１回の撮像で取得されるＸ線透過画像Ｘｐを複数個合わせたＸ線透過画像Ｘａに基づいて特定される（図４参照）。図４に示す例では、１回の撮像で得られるＸ線透過画像Ｘｐには、ラインセンサの画素数（１００ピクセル）分の複数の画素（１００ピクセル）が含まれている。このような複数の画素は、Ｘ線透過画像の異なる空間に係る複数の画素である。以下、異なる空間に係る複数の画素が並ぶ方向を水平方向（空間軸方向）として説明する場合がある。また、図４に示す例では、Ｘ線透過画像Ｘｐが繰り返し複数回撮像されており、撮像の繰り返し回数（９００回）に応じた複数の画素（９００ピクセル）が取得される。このような複数の画素は、Ｘ線透過画像の異なる時間に係る複数の画素である。以下、異なる時間に係る複数の画素が並ぶ方向を垂直方向（時間軸方向）として説明する場合がある。よって、図４に示す例では、空間軸方向及び時間軸方向の画素を合わせると、１００ピクセル×９００ピクセルのＸ線透過画像Ｘａが取得される。
Ｘ線透過画像の複数の画素の輝度値に関するパラメータとは、例えばＸ線透過画像の複数の画素の輝度値の統計値である。統計値とは、例えば複数の画素の輝度値のばらつき度合いである。制御装置２０により撮像条件とされた輝度値のばらつき度合いが所定値よりも大きい場合には、アンプ制御部１８は、当該撮像条件に基づき、設定増幅率を低ゲイン（第２の増幅率）に設定する。一方、制御装置２０により撮像条件とされた輝度値のばらつき度合いが所定値よりも小さい場合には、アンプ制御部１８は、当該撮像条件に基づき、設定増幅率を高ゲイン（第１の増幅率）に設定する。
複数の画素の輝度値のばらつき度合いは、空間軸方向における複数の画素の輝度値のばらつき度合いに基づいて求められる。例えば図４に示す例において、空間軸方向における複数の画素の輝度値のばらつき度合いは、空間軸方向において同じ位置の画素の時間軸方向における輝度値の平均値（平均輝度）を求め（時間的な平均輝度を求め）、各平均輝度を空間軸方向における複数の画素単位で比較することにより求めることができる。ばらつき度は、標準偏差や、最大値及び最小値の差等から求める。より詳細には、ばらつき度は、平均輝度分布の最頻度に対する誤差（％）に基づいて求められる。例えば図５に示すように、時間平均をした空間軸方向における複数の画素の輝度値として、輝度ｆｂが最頻度の輝度値（複数の画素の輝度値として最も多い輝度値）であったとすると、当該輝度ｆｂに対する輝度値の誤差が、最頻度に対する輝度値の誤差とされる。なお、ばらつき度は、平均値又は中間値に対する誤差（％）に基づいて求めてもよい。すなわち、時間平均をした空間軸方向における複数の画素の平均値又は中間値に対する誤差に基づいてばらつき度を求めてもよい。また、ばらつき度は、時間平均をした空間軸方向における複数の画素の最大値と最小値との差に基づいて求めてもよい。
また、複数の画素の輝度値のばらつき度合いは、時間軸方向における複数の画素の輝度値のばらつき度合いにより求められるものであってもよい。この場合には、同じ時間に取得された画素の輝度値の平均値（平均輝度）を求め（空間的な平均輝度を求め）、各平均輝度を時間軸方向における複数の画素単位で比較することにより求めることができる。なお、本実施形態における輝度値は、アナログ値であってもデジタル値であってもよい。
上述した、アンプ制御部１８による撮像条件に基づく設定増幅率の設定は、例えば撮像条件のパラメータ（輝度値のばらつき度合い等）に対応するテーブルに基づいて行われるものであってもよい。すなわち、アンプ制御部１８は、撮像条件のパラメータに対応するテーブルを予め記憶しておき、該テーブルを用いて、設定増幅率として高ゲイン（第１の増幅率）を設定するか、低ゲイン（第２の増幅率）を設定するかを決定してもよい。また、アンプ制御部１８による撮像条件に基づく設定増幅率の設定は、例えば撮像条件のパラメータ（輝度値のばらつき度合い等）に対応する閾値に基づいて行われるものであってもよい。すなわち、アンプ制御部１８は、撮像条件のパラメータに対応する閾値を予め記憶しておき、該閾値を上回るか否かに応じて、設定増幅率として高ゲイン（第１の増幅率）を設定するか、低ゲイン（第２の増幅率）を設定するかを決定してもよい。
次に、画像取得装置１を用いた画像取得方法について説明する。本画像取得方法は、搬送方向ＴＤに搬送される対象物ＦのＸ線透過画像を取得する画像取得方法である。本画像取得方法では、最初に、Ｘ線源であるＸ線照射器５０によりＸ線が出力される（Ｘ線を出力するステップ）。また、ベルトコンベア６０により対象物Ｆが搬送方向ＴＤに搬送される（対象物Ｆを搬送方向ＴＤに搬送するステップ）。つづいて、Ｘ線検出カメラ１０のシンチレータ１１ａ，１１ｂにより、対象物Ｆを透過したＸ線がシンチレーション光に変換される（シンチレーション光に変換するステップ）。つづいて、ラインスキャンカメラ１２ａ，１２ｂによりシンチレーション光が検出され検出信号が出力される（検出信号を出力するステップ）。つづいて、アンプ１４ａ，１４ｂにより、所定の設定増幅率にて検出信号が増幅され増幅信号が出力される（増幅信号を出力するステップ）。なお、少なくとも、当該増幅信号を出力するステップよりも前に、アンプ制御部１８により、所定の撮像条件に基づき、高ゲイン（第１の増幅率）、又は、高ゲインよりも低い増幅率である低ゲイン（第２の増幅率）のいずれか一方が設定増幅率として設定されている。最後に、制御装置２０により、増幅信号に基づきＸ線透過画像が生成される。以上が、画像取得装置１を用いた画像取得方法である。
次に、上述した本実施形態に係る画像取得装置１の作用効果について説明する。
本実施形態に係る画像取得装置１では、対象物Ｆを透過したＸ線に基づく検出信号が所定の設定増幅率にて増幅されて、Ｘ線透過画像が生成される。そして、設定増幅率は、所定の撮像条件に基づき、高ゲイン（第１の増幅率）又は第１の増幅率よりも低い増幅率である低ゲイン（第２の増幅率）のいずれか一方が設定される。鮮明なＸ線透過画像を生成するために適切な増幅率は撮像条件によって変わるものであるところ、撮像条件に応じて設定増幅率が選択されることにより、鮮明なＸ線透過画像を生成することができる。
また、画像取得装置１のラインスキャンカメラ１２ａ，１２ｂは、搬送方向ＴＤと交差する方向に並列した複数のラインセンサを有している。複数のラインセンサにより、対象物Ｆに係るシンチレーション光を確実に検出することができる。
また、撮像条件をＸ線透過画像の複数の画素の輝度値に関するパラメータとすることにより、アンプ制御部１８は、設定増幅率を適切に設定することができる。より詳細には、輝度値に関するパラメータはＸ線透過画像の複数の画素の輝度値の統計値であり、当該統計値は、複数の画素の輝度値のばらつき度合いである。ベルトコンベア６０により搬送される対象物ＦのＸ線透過画像を取得する場合、対象物Ｆを構成する成分等によって、Ｘ線検出カメラ１０に入射するＸ線量は大きく異なる。例えば対象物ＦのうちＸ線を透過しにくい成分で構成される部分においては、Ｘ線検出カメラ１０に入射するＸ線量は少なくなる。一方、対象物ＦのうちＸ線を透過しやすい成分で構成される部分においては、Ｘ線検出カメラ１０に入射するＸ線量は多くなる。このようなＸ線量の違い等によって、Ｘ線透過画像における複数の画素の輝度値にばらつきが生じる。輝度値のばらつき度合いが大きい場合には、低ゲインを設定することによりＸ線透過画像が鮮明になる。よって、複数の画素の輝度値のばらつきを撮像条件として、アンプ制御部１８が高ゲイン又は低ゲインを設定することにより、鮮明な（ＳＮの向上が図られた）Ｘ線透過画像を生成することができる。なお、輝度値のばらつき度合いが小さい場合には、アンプ制御部１８が高ゲインを設定することにより信号量を増やし長寿命化を図ることができる。アンプ制御部１８の設定変更によって信号量を増やすため、Ｘ線照射器５０の出力パラメータである管電圧や管電流を増やす操作は必要としない。Ｘ線照射器５０の寿命は、出力パラメータである管電圧や管電流によって影響を受けることが分かっており、それらの値が大きくなるとＸ線照射器５０の寿命は短くなる。アンプ制御部１８によるゲインの設定変更によって信号量を増やした場合、Ｘ線照射器５０の出力を大きくすることなく信号量を増やすことができるため、Ｘ線照射器５０の寿命を長くすることができる。また、ラインスキャンカメラ１２ａ，１２ｂやシンチレータ１１ａ，１１ｂの寿命は、Ｘ線の被曝量に影響を受けることが分かっている。従って、アンプ制御部１８によるゲインの設定変更によって信号量を増やした場合、Ｘ線照射器５０の出力パラメータを大きくすることなく、信号量を増やすことができるため、ラインスキャンカメラ１２ａ，１２ｂやシンチレータ１１ａ，１１ｂの寿命を長くすることができる。
また、撮像条件が、制御装置２０により生成されたＸ線透過画像に基づいて設定されたものであるので、撮像条件を容易に設定することができる。さらに、撮像条件の設定に係るＸ線透過画像が、アンプ制御部１８により高ゲイン（第１の増幅率）設定とされた環境下で生成されたものであるので、Ｘ線透過画像の複数の画素の輝度値に関するパラメータが明確になり、輝度値に関するパラメータを容易に特定することができる。これにより、Ｘ線透過画像に基づいて、より容易且つ適切に撮像条件を設定することができる。
また、Ｘ線透過画像の複数の画素はＸ線透過画像の異なる空間に係る複数の画素である。これにより、Ｘ線透過画像の異なる空間に係る複数の画素のパラメータを考慮して、設定増幅率を適切に設定することができる。
また、Ｘ線透過画像の複数の画素はＸ線透過画像の異なる時間に係る複数の画素であってもよい。この場合には、Ｘ線透過画像の異なる時間に係る複数の画素のパラメータを考慮して、設定増幅率を適切に設定することができる。
また、撮像条件は、Ｘ線照射器５０の出力パラメータ、具体的には、Ｘ線照射器５０から出力されるＸ線に係る管電圧及び管電流に基づくものであってもよい。Ｘ線照射器５０の管電圧が高く管電流が低い場合には、複数の画素の輝度値がばらつく傾向にある。そのため、制御装置２０により撮像条件とされたＸ線に係る管電圧が所定値よりも高く、管電流が所定値よりも低い場合には、アンプ制御部１８は、当該撮像条件に基づき、設定増幅率を低ゲイン（第２の増幅率）に設定する。一方、制御装置２０により撮像条件とされたＸ線に係る管電圧が所定値よりも低く、管電流が所定値よりも高い場合には、アンプ制御部１８は、当該撮像条件に基づき、設定増幅率を高ゲイン（第１の増幅率）に設定する。これにより、設定増幅率を適切に設定することができる。
また、アンプ制御部１８が、撮像条件のパラメータに対応するテーブルを有し、該テーブルを用いて、設定増幅率として高ゲイン（第１の増幅率）を設定するか、低ゲイン（第２の増幅率）を設定するかを決定してもよい。これにより、設定増幅率の設定を確実且つ簡易に行うことができる。
また、アンプ制御部１８が、撮像条件のパラメータに対応する閾値を有し、該閾値を上回るか否かに応じて、設定増幅率として高ゲイン（第１の増幅率）を設定するか、低ゲイン（第２の増幅率）を設定するかを決定してもよい。これにより、設定増幅率の設定を確実且つ簡易に行うことができる。
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
例えば、Ｘ線検出カメラはデュアルラインＸ線カメラであるとして説明したがこれに限定されず、シングルラインＸ線カメラや、デュアルエナジＸ線カメラ、ＴＤＩ（Time Delay Integration）スキャンＸ線カメラであってもよい。
１…画像取得装置、１０…Ｘ線検出カメラ、１１ａ，１１ｂ…シンチレータ、１２ａ，１２ｂ…ラインスキャンカメラ、１４ａ，１４ｂ…アンプ、１４ｘ…電流電圧変換アンプ、１４ｙ…電圧増幅アンプ、１８…アンプ制御部、２０…制御装置、５０…Ｘ線照射器、Ｆ…対象物、ＴＤ…搬送方向。

Claims (13)

  1. 搬送方向に搬送される対象物の放射線画像を取得する画像取得装置であって、
    放射線を出力する放射線源と、
    前記対象物を前記搬送方向に搬送する搬送手段と、
    前記対象物を透過した放射線をシンチレーション光に変換する変換部、前記シンチレーション光を検出し検出信号を出力するラインスキャンカメラ部、及び、所定の設定増幅率にて前記検出信号を増幅し該増幅信号を出力する増幅部を有する検出手段と、
    前記増幅信号に基づいて、放射線画像を生成する画像生成部と、
    所定の撮像条件に基づいて、第１の増幅率又は第１の増幅率よりも低い増幅率である第２の増幅率のいずれか一方を前記設定増幅率として設定する設定手段と、を備える画像取得装置。
  2. 前記ラインスキャンカメラ部は、前記搬送方向と交差する方向に並列した複数のラインセンサを有する、請求項１記載の画像取得装置。
  3. 前記撮像条件は、放射線画像の複数の画素の輝度値に関するパラメータである、請求項１又は２記載の画像取得装置。
  4. 前記撮像条件は、前記画像生成部により生成される放射線画像に基づいて設定されたものである、請求項１〜３のいずれか一項記載の画像取得装置。
  5. 前記撮像条件は、前記設定増幅率を前記第１の増幅率とした環境下で、前記画像生成部により生成される放射線画像に基づいて設定されたものである、請求項４記載の画像取得装置。
  6. 前記輝度値に関するパラメータは、放射線画像の複数の画素の輝度値の統計値である、請求項３記載の画像取得装置。
  7. 前記統計値は、複数の画素の輝度値のばらつき度合いである、請求項６記載の画像取得装置。
  8. 放射線画像の複数の画素は、放射線画像の異なる空間に係る複数の画素である、請求項３〜７のいずれか一項記載の画像取得装置。
  9. 放射線画像の複数の画素は、放射線画像の異なる時間に係る複数の画素である、請求項３〜８のいずれか一項記載の画像取得装置。
  10. 前記撮像条件は、前記放射線源の出力パラメータである、請求項１〜９のいずれか一項記載の画像取得装置。
  11. 前記設定手段は、前記撮像条件のパラメータに対応するテーブルを有し、該テーブルを用いて前記設定増幅率を設定する、請求項１〜１０のいずれか一項記載の画像取得装置。
  12. 前記設定手段は、前記撮像条件のパラメータに対応する閾値を有し、該閾値を用いて前記設定増幅率を設定する、請求項１〜１１のいずれか一項記載の画像取得装置。
  13. 搬送方向に搬送される対象物の放射線画像を取得する画像取得方法であって、
    前記対象物を透過した放射線をシンチレーション光に変換し、ラインスキャンカメラ部により前記シンチレーション光を検出し検出信号を出力するステップと、
    所定の撮像条件に基づいて、第１の増幅率又は第１の増幅率よりも低い増幅率である第２の増幅率のいずれか一方を設定増幅率として設定するステップと、
    前記設定増幅率にて前記検出信号を増幅し増幅信号を出力するステップと、
    前記増幅信号に基づいて放射線画像を生成するステップと、を備える画像取得方法。

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