JP6440296B2 - 色素増感太陽電池用増感剤としてのトリフェニルアミン結合型ジベンゾピロメテン系色素 - Google Patents
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Description
すなわち本発明は、
(1)下記式(1)で表される化合物
(2)式(1)におけるAr1及びAr2がベンゼン環である前項(1)に記載の化合物、
(3)式(1)におけるY1及びY2がそれぞれ独立に芳香族残基であり、かつY3が水素原子である前項(1)又は(2)に記載の化合物、
(4)式(1)におけるMがホウ素原子である前項(1)乃至(3)のいずれか一項に記載の化合物、
(5)式(1)におけるA9及びA10の一方が式(3003)で表される基である前項(1)乃至(4)のいずれか一項に記載の化合物、
(6)式(3003)におけるR3及びR4がそれぞれ独立に芳香族残基である前項(5)に記載の化合物、
(7)式(1)におけるQ1及びQ2が硫黄原子である前項(1)乃至(6)のいずれか一項に記載の化合物、
(8)式(1)におけるA1及びA2の一方がカルボキシル基で他方がカルボキシル基、シアノ基又はアシル基である前項(1)乃至(7)のいずれか一項に記載の化合物、
(9)式(1)におけるA4及びA7が水素原子であり、かつA5及びA6が脂肪族炭化水素残基である前項(1)乃至(8)のいずれか一項に記載の化合物、
(10)式(1)中、n1及びn2が1乃至3の整数であり、Mがホウ素原子であり、Y1及びY2がベンゼン環、ナフタレン環又はチオフェン環から水素原子1個を除いた基であり、Y3が水素原子であり、Z1及びZ2がフッ素原子であり、Ar1及びAr2がベンゼン環又はナフタレン環であり、A1及びA2がそれぞれ独立にカルボキシル基又はシアノ基であり、A3、A4、A7及びA8が水素原子であり、A5及びA6が脂肪族炭化水素残基であり、A9及びA10の一方が水素原子で他方が下記式(3101)〜(3114):
(11)下記式(105)
(12) 基板上の酸化物半導体微粒子の薄膜に、前項(1)乃至(11)の何れか一項に記載の式(1)で表される化合物を担持させた光電変換素子、
(13)酸化物半導体微粒子が、二酸化チタン、酸化亜鉛又は酸化スズを含有する前項(12)に記載の光電変換素子、
(14)前項(12)又は(13)に記載の光電変換素子を備える太陽電池、
に関する。
本発明の化合物は、下記式(1)で表される構造を有する。
Y1、Y2及びY3が表す芳香族残基が有していてもよい置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子、臭素原子又は塩素原子が好ましい。
Y1、Y2及びY3が表す芳香族残基が有していてもよい置換基としてのリン酸エステル基としては、リン酸(炭素数1乃至4)アルキルエステル基等が挙げられる。その具体例は、リン酸メチル基、リン酸エチル基、リン酸n−プロピル基及びリン酸n−ブチル基である。
Y1、Y2及びY3が表す芳香族残基が有していてもよい置換基としてのメルカプト基としては、非置換メルカプト基;メチルメルカプト基、エチルメルカプト基、n−プロピルメルカプト基、イソプロピルメルカプト基、n−ブチルメルカプト基、イソブチルメルカプト基、sec−ブチルメルカプト基、及びt−ブチルメルカプト基等の炭素数1乃至4のアルキルメルカプト基;並びにフェニルメルカプト基等のアリールメルカプト基が挙げられる。
Y1、Y2及びY3が表す芳香族残基が有していてもよい置換基としてのアリールオキシ基としては、フェノキシ基及びナフトキシ基等の単環式、二環式又は三環式の炭素数5乃至16のアリールオキシ基が挙げられ、これらはフェニル基又はメチル基を置換基として有していてもよい。
Y1、Y2及びY3が表す芳香族残基が有していてもよい置換基としてのアシル基としては、F,Cl等のハロゲンで置換されてもよい炭素数1乃至10のアルキルカルボニル基及びアリールカルボニル基等が挙げられ、好ましくはハロゲンで置換されてもよい炭素数1乃至4のアルキルカルボニル基であり、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、トリフルオロメチルカルボニル基、ペンタフルオロエチルカルボニル基、ベンゾイル基及びナフトイル基等が挙げられる。
Y1、Y2及びY3が表す芳香族残基が有していてもよい置換基としての芳香族残基としては、Y1、Y2及びY3が表す芳香族残基と同じものが挙げられる。また、該芳香族残基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、Y1、Y2及びY3が表す芳香族残基が有していてもよい置換基と同じもの(但し、芳香族残基を除く)が挙げられる。
これらの脂肪族炭化水素残基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、Y1、Y2及びY3が表す芳香族残基が有していてもよい置換基と同じものが挙げられる。
また、式(1)中のZ1及びY1、並びにZ2及びY2は、互いに結合して環を形成してもよく、また、Y1及びY2が芳香族残基の場合、Z1及びY1が表す芳香族残基上の置換基、並びにZ2及びY2が表す芳香族残基上の置換基は、互いに結合して環を形成してもよい。
式(1)中、Ar1及びAr2はそれぞれ独立に芳香環を表す。該芳香環としては、Y1、Y2及びY3が表す芳香族残基の説明部分に具体例として記載した芳香環と同じものが挙げられ、それぞれ独立にベンゼン環又はナフタレン環であることが好ましく、ベンゼン環であることがより好ましい。
A1及びA2が表す芳香族残基としては、Y1、Y2及びY3が表す芳香族残基と同じものが挙げられる。該芳香族残基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、Y1、Y2及びY3が表す芳香族残基が有していてもよい置換基と同じものが挙げられる。
A1及びA2が表す芳香族残基としては、カルボキシル基、水酸基、リン酸基、スルホン酸基、及びこれらの酸性基の塩からなる群より選択される基を少なくとも1つ以上置換基として有する芳香族残基であることが好ましく、下記式(1001)乃至(1033)のいずれかで表される基であることがより好ましい。
A1とA2とで互いに結合して形成する複素環としては、例えば、S、N及びO等のヘテロ原子を含む4乃至7員環の複素環が好ましく、下記式(2001)乃至(2017)のいずれかで表される環であることがより好ましく、式(2007)又は(2012)で表される環であることが更に好ましく、式(2007)で表される環であることが特に好ましい。尚、式(2001)乃至(2017)中の*印は、式(1)においてA1及びA2の両者が結合している炭素原子を表す。
A3、A4、A5、A6、A7及びA8が表す脂肪族炭化水素残基、ハロゲン原子及びアルコキシ基としては、Y1、Y2及びY3が表す芳香族残基が有していてもよい置換基としての脂肪族炭化水素残基、ハロゲン原子及びアルコキシ基と同じものが挙げられる。
また、A4及びA5は互いに結合して環を形成してもよく、A6及びA7は互いに結合して環を形成してもよい。これらが形成する環としては、Y1、Y2及びY3が表す芳香族残基の説明部分に具体例として記載した芳香環と同じものが挙げられる。
A4及びA5は互いに結合して形成する環、及びA6及びA7が互いに結合して形成する環は置換基を有していてもよく、該置換基としてはY1、Y2及びY3が表す芳香族残基が有していてもよい置換基と同じものが挙げられる。
R1、R2、R3及びR4が表す芳香族残基としては、Y1、Y2及びY3が表す芳香族残基と同じものが挙げられる。該芳香族残基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、スルファモイル基、シアノ基、イソシアノ基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、ニトロ基、ニトロシル基、ハロゲン原子、リン酸エステル基、アミノ基、メルカプト基、アミド基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルバモイル基、アシル基、アルデヒド基、カルボニル基、芳香族残基及び脂肪族炭化水素残基等が挙げられる。
R1、R2、R3及びR4が表す脂肪族炭化水素残基としては、Y1、Y2及びY3が表す芳香族残基が有していてもよい置換基としての脂肪族炭化水素残基と同じものが挙げられる。
式(3003)におけるR3及びR4としては、それぞれ独立に芳香族残基であることが好ましく、それぞれ独立にフェニル基又は式(3001)で表される基であることがより好ましく、両者が同一のフェニル基又は式(3001)で表される基であることが更に好ましく、両者がフェニル基であることが特に好ましい。尚、R3及び/又はR4が式(3001)で表される基の場合、該式(3001)で表される基中のR1及びR2は、A9及びA10のいずれか一方が表す式(3001)で表される基におけるのと同じであり、好ましいものもまた同じである。
R5、R6、R7及びR8が表す芳香族残基としては、R1、R2、R3及びR4が表す芳香族残基と同じものが挙げられる。該芳香族残基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、R1、R2、R3及びR4が表す芳香族残基が有していてもよい置換基と同じものが挙げられる。
R5、R6、R7及びR8が表す脂肪族炭化水素残基、アシル基、アミド基及びアルコキシ基としては、Y1、Y2及びY3が表す芳香族残基が有していてもよい置換基としての脂肪族炭化水素残基、アシル基、アミド基及びアルコキシ基と同じものが挙げられる。
式(3003)におけるR5、R6、R7及びR8としては、それぞれ独立に水素原子又はアルコキシ基であることが好ましく、水素原子又は炭素数1〜4のアルコキシ基であることがより好ましく、水素原子であることが更に好ましい。
より具体的には、式(3001)又は(3003)で表される基としては、下記式(3101)〜(3114)の何れかで表される基であることが好ましく、下記式(3102)、(3103)、(3107)、(3108)、(3110)、(3111)(3113)又は(3114)で表される基であることがより好ましく、下記式(3103)、(3107)又は(3111)で表される基であることが更に好ましく、下記式(3103)又は(3107)で表される基であることが特に好ましく、下記式(3107)であることが最も好ましい。
A9及びA10のどちらか一方が表す脂肪族炭化水素残基、アシル基及びアミド基としては、Y1、Y2及びY3が表す芳香族残基が有していてもよい置換基としての脂肪族炭化水素残基、アシル基及びアミド基と同じものが挙げられる。
A9及びA10のどちらか一方が表すアルコキシカルボニル基としては、R5、R6、R7及びR8が表すアルコキシカルボニル基と同じものが挙げられる。
式(1)におけるQ1及びQ2としては、それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子であることが好ましく、硫黄原子であることがより好ましい。
式(1)で表されるメチン系色素は、シス体、トランス体、ラセミ体等の構造異性体をとり得るが、特に限定されず、いずれの異性体も本発明における光増感用色素として良好に使用しうるものである。
すなわち、n1及びn2が1乃至3の整数、Mがホウ素原子、Y1及びY2がベンゼン環、ナフタレン環又はチオフェン環から水素原子1個を除いた基、Y3が水素原子、Z1及びZ2がフッ素原子、Ar1及びAr2がベンゼン環又はナフタレン環、A1及びA2がそれぞれ独立にカルボキシル基又はシアノ基、A3、A4、A7及びA8が水素原子、A5及びA6が脂肪族炭化水素残基、A9及びA10の一方が水素原子であって他方が上記式(3101)〜(3114)のいずれかで表される基、Q1及びQ2が酸素原子又は硫黄原子である式(1)の化合物がより好ましい。
また、n1及びn2が1、Mがホウ素原子、Y1及びY2がベンゼン環から水素原子1個を除いた基、Y3が水素原子、Z1及びZ2がフッ素原子、Ar1及びAr2がベンゼン環、A1及びA2の一方がカルボキシル基で他方がカルボキシル基又はシアノ基、A3、A4、A7及びA8が水素原子、A5及びA6が炭素数3乃至8の直鎖アルキル基、A9及びA10の一方が水素原子であって他方が上記式(3101)又は(3107)で表される基、Q1及びQ2が硫黄原子である式(1)の化合物が更に好ましい。
また、酸化物半導体の微粒子としては金属酸化物が好ましく、その具体例としてはチタン、スズ、亜鉛、タングステン、ジルコニウム、ガリウム、インジウム、イットリウム、ニオブ、タンタル、バナジウムなどの酸化物が挙げられる。これらのうち、チタン、スズ、亜鉛、ニオブ、インジウム等の酸化物が好ましく、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズが最も好ましい。これらの酸化物半導体は単一で使用することも出来るが、混合したり、半導体の表面にコーティングさせて使用することも出来る。また酸化物半導体の微粒子の粒径は平均粒径として、通常1〜500nmで、好ましくは1〜100nmである。またこの酸化物半導体の微粒子は大きな粒径のものと小さな粒径のものを混合したり、多層にして用いることも出来る。
正孔輸送材料としては、アミン誘導体;ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリチオフェン等の導電性高分子;トリフェニレン系化合物などが挙げられる。また、p型半導体としてはCuI、CuSCN等が挙げられる。対極としては導電性を持っており、レドックス電解質の還元反応を触媒的に作用するものが好ましい。例えばガラス又は高分子フィルムに白金、カーボン、ロジウム、ルテニウム等を蒸着したり、導電性微粒子を塗り付けたものが用い得る。
非特許文献5に記載の方法で合成した下記式(101)で表される化合物224.1mg(0.2334mmol)及び炭酸カリウム127.1mg(0.9197mmol)をジメチルホルムアミド10mLに溶解し、ヨウ化メチル0.1mL(1.6mmol)を滴下して50℃で一晩撹拌した。水10mLでクエンチしジクロロメタン10mLにより分液処理をおこなった。有機層を水10mLで洗浄し、硫酸ナトリウムにより乾燥させ、溶媒を留去した。カラムクロマトグラフィー(順相SiO2、CH2Cl2)により精製し下記式(102)で表される化合物を116.6mg得た。
窒素雰囲気下、ジメチルホルムアミド5mLに、合成例1で得られた式(102)で表される化合物を323.2mg(0.3318mmol)、炭酸カリウムを141.4mg(1.0231mmol)及び18−クラウン−6を11.6mg(0.0439mmol)溶解し、そこにジメチルホルムアミド3mLに下記式(103)で表されるホスホニウム塩を301.0mg(0.5012mmol)溶解した溶液を滴下した後、室温で一晩撹拌した。水20mLでクエンチしジクロロメタン50mLにより分液処理を行った。有機層を水50mLで洗浄し硫酸ナトリウムにより乾燥した。溶媒を留去し、カラムクロマトグラフィーカラムクロマトグラフィー(順相SiO2、ジクロロメタン:ヘキサン=3:1(v/v)→ジクロロメタン:ヘキサン=5:1(v/v))により精製し、下記式(104)で表される化合物を64.8mg得た。
グローブバック内で、合成例2で得られた式(104)で表される化合物を65.2mg(0.0536mmol)と、ヨウ化リチウム250mg(1.8678mmol)を酢酸エチル3mLに溶解して、窒素雰囲気下、一晩還流した。2N塩酸10mLでクエンチし、ジクロロメタン20mLで分液処理を行った。有機層を水20mLで洗浄し、硫酸ナトリウムによる乾燥後、溶媒を減圧留去した。ジクロロメタン:ヘキサン(1mL:10mL)で再沈殿をおこない下記式(105)で表される本発明の化合物(化合物番号1の化合物)を58.9mg得た。
実施例1で得られた化合物番号1の化合物を、1.6×10−4Mになるようにアセトンに溶解した。なお、包摂化合物としてデオキシコール酸を40mM添加し、担持溶液(I)とした。また、非特許文献5に記載の前記式(101)で表される化合物を1.6×10−4Mになるようにアセトンに溶解し、包摂化合物としてケノデオキシコール酸を10mM添加し、担持溶液(II)とした。これらの担持溶液中に多孔質基板(透明導電性ガラス電極上に多孔質酸化チタンを500℃にて1時間焼結した半導体の薄膜)を室温(20℃)で12時間浸漬し、浸漬終了後、多孔質基板を担持液から取り出し、アセトンで洗浄、乾燥し、それぞれ化合物を担持した半導体微粒子の薄膜からなる本発明の光電変換素子及び比較例の光電変換素子を得た。このようにして得られた、光電変換素子の半導体微粒子の薄膜側と、白金でスパッタした導電性ガラスのスパッタ面とを20μmの空隙を設けて対峙させて固定し、その空隙に電解質を含む溶液(電解液)を注入し、空隙を満たした。電解液としては、ヨウ素0.1M、ヨウ化リチウム0.1M、メチルブチルイミダゾリウムアイオダイド0.6Mをメトキシプロピオニトリルに溶解したものを用いた。
実施例2及び比較例1で得られた太陽電池の300乃至900nmにおけるIPCEを分光計器株式会社製 SM−25YDを用いてDC法で測定し、得られたIPCEスペクトルを図1に示した。図1中、「1」は実施例2で得られた本発明の太陽電池の測定結果を、「101」は上記式(101)で表される化合物を用いて得られた比較用太陽電池の測定結果をそれぞれ表す。
Claims (12)
- 下記式(1)で表される化合物
(式(1)中、n1及びn2はそれぞれ独立に1乃至5の整数を表す。Mはホウ素原子を表す。Y1、Y2及びY3はそれぞれ独立に水素原子又は芳香族残基を表す。Z1及びZ2はフッ素原子を表す。Ar1及びAr2 はベンゼン環を表す。A1及びA2はそれぞれ独立に水素原子、カルボキシル基、シアノ基、リン酸基又はスルホン酸基を表し、A1及びA2は互いに結合して環を形成してもよい。A3、A4、A5、A6、A7及びA8はそれぞれ独立に水素原子、脂肪族炭化水素残基、ハロゲン原子又はアルコキシル基を表し、n1が2以上でA4及びA5が複数存在する場合、それぞれのA4及びそれぞれのA5は互いに同じか異なっていてもよく、n2が2以上でA6及びA7が複数存在する場合、それぞれのA6及びそれぞれのA7は互いに同じか異なっていてもよい。また、A4及びA5は互いに結合して環を形成してもよく、A6及びA7は互いに結合して環を形成してもよい。A9及びA10は、一方が下記式(3001)又は(3003)
(式(3001)又は(3003)中、R1、R2、R3及びR4はそれぞれ独立に水素原子、芳香族残基又は脂肪族炭化水素残基を表す。R5、R6、R7及びR8はそれぞれ独立に水素原子、芳香族残基、脂肪族炭化水素残基、シアノ基、アシル基、アミド基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基又はベンゼンスルフォニル基を表す。)で表される基を表し、他方が水素原子、芳香族残基、脂肪族炭化水素残基、シアノ基、アシル基、アミド基、アルコキシカルボニル基又はベンゼンスルフォニル基を表す。Q1及びQ2 は硫黄原子を表し、n1が2以上でQ1が複数存在する場合、それぞれのQ1は互いに同じか異なっていてもよく、n2が2以上でQ2が複数存在する場合、それぞれのQ2は互いに同じか異なっていてもよい。)。 - 式(1)におけるY1及びY2がそれぞれ独立に芳香族残基であり、かつY3が水素原子である請求項1に記載の化合物。
- 式(1)におけるMがホウ素原子である請求項1又は2に記載の化合物。
- 式(1)におけるA9及びA10の一方が式(3003)で表される基である請求項1乃至3のいずれか一項に記載の化合物。
- 式(3003)におけるR3及びR4がそれぞれ独立に芳香族残基である請求項4に記載の化合物。
- 式(1)におけるA1及びA2の一方がカルボキシル基で他方がカルボキシル基、シアノ基又はアシル基である請求項1乃至5のいずれか一項に記載の化合物。
- 式(1)におけるA4及びA7が水素原子であって、かつA5及びA6が脂肪族炭化水素残基である請求項1乃至6のいずれか一項に記載の化合物。
- 式(1)中、n1及びn2が1乃至3の整数であり、Mがホウ素原子であり、Y1及びY2がベンゼン環、ナフタレン環又はチオフェン環から水素原子1個を除いた基であり、Y3が水素原子であり、Z1及びZ2がフッ素原子であり、Ar1及びAr2がベンゼン環であり、A1及びA2がそれぞれ独立にカルボキシル基又はシアノ基であり、A3、A4、A7及びA8が水素原子であり、A5及びA6が脂肪族炭化水素残基であり、A9及びA10の一方が水素原子で他方が下記式(3101)〜(3114):
のいずれかで表される基であり、Q1及びQ2 が硫黄原子である請求項1乃至7のいずれか一項に記載の化合物。 - 下記式(105)
で表される請求項1に記載の化合物。 - 基板上の酸化物半導体微粒子の薄膜に、請求項1乃至9のいずれか一項に記載の化合物を担持させた光電変換素子。
- 前記酸化物半導体微粒子が、二酸化チタン、酸化亜鉛又は酸化スズを含有する請求項10に記載の光電変換素子。
- 請求項10又は11に記載の光電変換素子を備えてなる太陽電池。
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