JP6422230B2

JP6422230B2 - プリント回路基板用絶縁樹脂組成物およびこれを用いた製品

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Publication number: JP6422230B2
Application number: JP2014076476A
Authority: JP
Inventors: ジュンリ，ヒュン; ショックムン，ジン; フィジョ，デ; ヒュンユ，ション; ヨンキム，ジン; フィユン，グム
Original assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date: 2013-11-19
Filing date: 2014-04-02
Publication date: 2018-11-14
Anticipated expiration: 2034-04-02
Also published as: TWI620783B; KR20150057460A; TW201520263A; KR101987305B1; JP2015099907A

Description

本発明は、プリント回路基板用絶縁樹脂組成物およびこれを用いた製品に関する。

電子機器の発展に伴い、プリント回路基板の低重量化、薄板化および小型化が日々、進行中である。このような傾向に応えるために、プリント回路の配線がさらに複雑化および高密度化しつつある。このように基板に対して要求される電気的、熱的および機械的特性は、より重要な要素として作用している。プリント回路基板は、主に、回路配線の機能を果たす銅と、層間絶縁の機能を果たす高分子とからなる。絶縁層を構成する高分子は、銅と比較すると、熱膨張係数、ガラス転移温度および厚さ均一性など、様々な特性が要求され、特に、絶縁層の厚さを薄く作製する必要がある。

近年、エポキシモールディングコンパウンド（ＥＭＣ）や基板材料などに用いられる絶縁層の有機材料としてエポキシ樹脂以外の補強材が多く使用されるにつれて、電極として用いられる回路層と絶縁層との界面接着力の低下が問題視されている。

従来、絶縁層を構成する有機物のうちエポキシ樹脂は、主に、回路層との接着剤として機能してきた。しかし、絶縁層内のエポキシ樹脂の割合が次第に減少するにつれて回路層と絶縁層との接着強度が次第に減少した。

エポキシモールディングコンパウンドや基板材料として広く用いられるエポキシ樹脂の機械的安定性および熱安定性を高めるために、ビスマレイミド（ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、シアネートエステル（ｃｙａｎａｔｅｅｓｔｅｒ）などの有機補強材が用いられており、また、材料のガラス転移温度（Ｔｇ）を高めるために、全芳香族硬化剤や様々な分子量分布を有する硬化剤などが用いられている。

しかし、従来の方式では、絶縁層にエポキシ樹脂を含むことで、回路層との接着強度を向上させることができたが、他の有機補強材を絶縁層の組成物に含むことで、エポキシ樹脂の添加量が減少して、回路層との接着強度が次第に減少するようになった。

一方、特許文献１には、エポキシ基含有不飽和化合物を含む感光性樹脂組成物について開示されているが、これにより、ガラス転移温度、熱膨張係数（ＣＴＥ）および剥離強度（ｐｅｅｌｓｔｒｅｎｇｔｈ）の特性を向上させるには限界があった。

韓国公開特許第２０１２−００８９９４７号公報

本発明は、上述した従来技術の問題点を解決するためのものであって、本発明の一つの目的は、プリント回路基板用絶縁樹脂組成物において、エポキシ樹脂およびビピリジン構造を有する硬化剤により、ガラス転移温度（Ｔｇ）、熱膨張係数（ＣＴＥ）および剥離強度（ｐｅｅｌｓｔｒｅｎｇｔｈ）の特性を向上したプリント回路基板用絶縁樹脂組成物を提供することにある。

本発明の他の目的は、前記絶縁樹脂組成物を含むプリプレグを提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、前記プリプレグを適用して製造された銅張積層板上にビルドアップ層を積層して製造されたプリント回路基板を提供することにある。

本発明の一つの目的を達成するためのプリント回路基板用絶縁樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、ビピリジン構造を有する硬化剤と、を含むことができる。

前記プリント回路基板用絶縁樹脂組成物において、前記絶縁樹脂組成物１００重量部に対して、エポキシ樹脂を２５〜７５重量部含有し、ビピリジン構造を有する硬化剤を１０〜５５重量部含有することができる。

前記プリント回路基板用絶縁樹脂組成物において、前記エポキシ樹脂は、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、リン系エポキシ樹脂およびビスフェノールＦ型エポキシ樹脂から選択される一つ以上のものであってもよい。

前記プリント回路基板用絶縁樹脂組成物において、前記ビピリンジン構造が、下記式で表されることができる。

ここで、ａは１〜１０の整数、ｂは１〜１３の整数、ｃは１〜１３の整数、ｄは１〜２１の整数、ｅは１〜２１の整数、ｆは１〜１０の整数およびｇは１〜１０の整数である。

前記プリント回路基板用絶縁樹脂組成物において、前記硬化剤が、ビピリジン構造を３０〜６０重量％含有することができる。

前記プリント回路基板用絶縁樹脂組成物において、前記絶縁樹脂組成物は、無機充填剤と、シアネートエステルと、ビスマレイミドと、をさらに含むことができる。

前記プリント回路基板用絶縁樹脂組成物において、前記絶縁樹脂組成物１００重量部に対して前記無機充填剤を８２〜４８８重量部含有することができる。

前記プリント回路基板用絶縁樹脂組成物において、前記無機充填剤は、シリカ（ＳｉＯ_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ_４）、水酸化アルミニウム（ＡｌＯＨ_３）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）_２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ_３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ホウ酸アルミニウム（ＡｌＢＯ_３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）およびジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ_３）から選択される一つ以上のものであってもよい。

前記プリント回路基板用絶縁樹脂組成物において、前記絶縁樹脂組成物１００重量部に対して前記シアネートエステルを１０〜６５重量部含有することができる。

前記プリント回路基板用絶縁樹脂組成物において、前記シアネートエステルは、ビスフェノールＡ型シアネートエステル、クレゾールノボラック型シアネートエステルおよびフェノールノボラック型シアネートエステルから選択される一つ以上のものであってもよい。

前記プリント回路基板用絶縁樹脂組成物において、前記絶縁樹脂組成物１００重量部に対して前記ビスマレイミドを１０〜４３重量部含有することができる。

前記プリント回路基板用絶縁樹脂組成物において、前記ビスマレイミドは、１，１´−（メチレンジ−４，１−フェニレン）ビスマレイミド（１，１´−（ｍｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉ−４，１−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ）であってもよい。

本発明の他の目的を達成するためのプリプレグは、本発明の一つの目的を達成するための絶縁樹脂組成物を含むワニス（ｖａｒｎｉｓｈ）に有機繊維または無機繊維を含浸および乾燥して製造されることができる。

前記プリプレグにおいて、前記無機繊維または有機繊維は、ガラス繊維、炭素繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、サーモトロピック（ｔｈｅｒｍｏｔｒｏｐｉｃ）液晶高分子繊維、リオトロピック液晶高分子繊維、アラミド繊維、ポリピリドビスイミダゾール繊維、ポリベンゾチアゾール繊維、およびポリアリレート繊維から選択される一つ以上のものであってもよい。

本発明のさらに他の目的を達成するためのプリント回路基板は、本発明の他の目的を達成するためのプリプレグの片面または両面に銅箔を貼り付けて得た銅張積層板（ＣＣＬ）上にビルドアップ層を積層して製造されることができる。

本発明に係るプリント回路基板用絶縁樹脂組成物およびこれを用いたプリプレグ、銅張積層板、並びにプリント回路基板によれば、ガラス転移温度および熱膨張係数の耐熱性の特性を向上させることができる。

また、前記絶縁樹脂組成物にビピリジン構造を有する硬化剤を含むことで、金属層との配位結合により金属層と絶縁層との剥離強度の機械的物性を向上させることができる。

本発明の一実施例による絶縁樹脂組成物の構成を説明するために概略的に示した図である。

本発明の目的、特定の長所および新規の特徴は、添付図面に係る以下の詳細な説明および好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、「一面」、「他面」、「第１」、「第２」などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、構成要素が前記用語によって限定されるものではない。以下、本発明を説明するにあたり、本発明の要旨を不明瞭にする可能性がある係る公知技術についての詳細な説明は省略する。

以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施例による絶縁樹脂組成物の構成を説明するために概略的に示した図である。

図１を参照すると、本発明では、絶縁樹脂組成物に絶縁層と金属層との配位結合が可能なビピリジン構造を有する硬化剤を含むことで、熱膨張係数、ガラス転移温度および剥離強度の特性を向上させることができる。

（エポキシ樹脂）
本発明の一実施例によるプリント回路基板用絶縁樹脂組成物は、乾燥した後の樹脂組成物の接着フィルムとしての取り扱い性を高めるためにエポキシ樹脂を含むことができる。前記エポキシ樹脂は、分子内に１個以上のエポキシ官能基を含むものを意味し、４個以上のエポキシ官能基を含むものが、結合力向上のために好ましい。

前記エポキシ樹脂は、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、リン系エポキシ樹脂およびビスフェノールＦ型エポキシ樹脂から選択される一つ以上のものであってもよく、特にこれに限定されるものではない。

前記絶縁樹脂組成物においてエポキシ樹脂の使用量は、前記絶縁樹脂組成物１００重量部に対して２５〜７５重量部であることができる。前記エポキシ樹脂の使用量が２５重量部未満の場合には、金属層との接着力が低下して基板材料としての使用が困難になる恐れがあり、７５重量部を超える場合には、硬化していないエポキシ樹脂が組成物内に残存する恐れがある。これにより前記エポキシ樹脂の硬化密度が減少して基板材料の耐熱性が減少し、熱膨張係数が高くなり、ガラス転移温度が低くなりうる。

（ビピリジン構造を有する硬化剤）
本発明の一実施例によるプリント回路基板用絶縁樹脂組成物は、下記式で表されるビピリジン構造を有する硬化剤を含むことができる。

（ここで、ａは１〜１０の整数、ｂは１〜１３の整数、ｃは１〜１３の整数、ｄは１〜２１の整数、ｅは１〜２１の整数、ｆは１〜１０の整数およびｇは１〜１０の整数である。）

前記硬化剤は、フェノール、アミン、無水酸などの官能基を二つ以上含むことでエポキシ樹脂との架橋反応が可能となる。前記絶縁樹脂組成物において硬化剤の使用量は、絶縁樹脂組成物１００重量部に対して１０〜５５重量部であることができる。前記硬化剤の使用量が１０重量部未満の場合には、エポキシ樹脂との硬化度が低下して耐熱性が減少する恐れがあり、５５重量部を超える場合には、組成物内のエポキシ樹脂の量が減少して耐化学性が減少する恐れがある。

また、前記硬化剤は、分子内に金属層との配位結合が可能なビピリジン構造を有することで金属層と絶縁層との剥離強度を向上させることができる。前記ビピリジン構造は、硬化剤内において３０〜６０重量％含有することができる。前記ビピリジン構造が硬化剤内の３０重量％未満の場合には、金属層との剥離強度向上の効果を得ることができず、６０重量％を超える場合には、エポキシ樹脂との架橋密度が減少して熱的強度が減少する恐れがある。

（無機充填剤）
本発明の一実施例によるプリント回路基板用絶縁樹脂組成物は、熱膨張係数向上のために無機充填剤をさらに含むことができる。

前記プリント回路基板用絶縁樹脂組成物において、無機充填剤の使用量は、絶縁樹脂組成物１００重量部に対して８２〜４８８重量部であることができる。前記無機充填剤の使用量が８２重量部未満の場合には、前記樹脂組成物の熱膨張係数が高くなり、耐熱性が低下して基板材料としての使用が困難になる恐れがあり、４８８重量部を超える場合には、金属層との剥離強度が低下して基板工程への適用が困難になる恐れがある。

前記無機充填剤は、シリカ（ＳｉＯ_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ_４）、水酸化アルミニウム（ＡｌＯＨ_３）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）_２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ_３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ホウ酸アルミニウム（ＡｌＢＯ_３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）およびジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ_３）から選択される一つ以上のものであってもよく、特にこれに限定されるものではない。

（シアネートエステル）
本発明の一実施例によるプリント回路基板用絶縁樹脂組成物は、耐熱性向上のためにシアネートエステルをさらに含むことができる。

前記プリント回路基板用絶縁樹脂組成物において、シアネートエステルの使用量は、絶縁樹脂組成物１００重量部に対して１０〜６５重量部であることができる。前記シアネートエステルの使用量が１０重量部未満の場合には、前記樹脂組成物のガラス転移温度が高くなり、耐熱性が低下して基板材料としての使用が困難になる恐れがあり、６５重量部を超える場合には、金属層との剥離強度が低下して樹脂組成物の基板工程への適用が困難になる恐れがある。

前記シアネートエステルは、ビスフェノールＡ型シアネートエステル、クレゾールノボラック型シアネートエステルおよびフェノールノボラック型シアネートエステルから選択される一つ以上のものであってもよく、特にこれに限定されるものではない。

（ビスマレイミド）
本発明の一実施例によるプリント回路基板用絶縁樹脂組成物は、耐熱性向上のためにビスマレイミドをさらに含むことができる。

前記プリント回路基板用絶縁樹脂組成物において、ビスマレイミドの使用量は、絶縁樹脂組成物１００重量部に対して１０〜４３重量部であることができる。前記ビスマレイミドの使用量が１０重量部未満の場合には、前記樹脂組成物のガラス転移温度が高くなり耐熱性が低下して基板材料としての使用が困難になる恐れがあり、４３重量部を超える場合には、前記樹脂組成物の吸湿率が増加して材料の信頼性が減少し、樹脂組成物の基板工程への適用が困難になる恐れがある。

前記ビスマレイミドは、１，１´−（メチレンジ−４，１−フェニレン）ビスマレイミド（１，１´−（ｍｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉ−４，１−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ）を使用してもよく、特にこれに限定されるものではない。

本発明の一実施例による絶縁樹脂組成物は、本技術分野において公知のいかなる一般的な方法で半固状のドライフィルムに製造されることができる。例えば、ロールコータ（ｒｏｌｌｃｏａｔｅｒ）、カーテンコータ（ｃｕｒｔａｉｎｃｏａｔｅｒ）またはコンマコータ（ｃｏｍｍａｃｏａｔｅｒ）などを用いてフィルム状に製造して乾燥した後、これを基板上に適用してビルドアップ方式による多層プリント回路基板の製造の際に、絶縁層（または絶縁フィルム）またはプリプレグとして用いることができる。かかる絶縁フィルムまたはプリプレグは、熱膨張係数およびガラス転移温度の特性を向上させることができる。

このように、本発明の一実施例によるプリント回路基板用絶縁樹脂組成物を含むワニスに無機繊維または有機繊維を含浸および乾燥してプリプレグを製造することができる。

前記無機繊維または有機繊維は、ガラス繊維、炭素繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、サーモトロピック（ｔｈｅｒｍｏｔｒｏｐｉｃ）液晶高分子繊維、リオトロピック液晶高分子繊維、アラミド繊維、ポリピリドビスイミダゾール繊維、ポリベンゾチアゾール繊維、およびポリアリレート繊維から選択される一つ以上のものであってもよく、特にこれに限定されるものではない。

前記プリプレグの片面または両面に銅箔を貼り付けて銅張積層板（ＣＣＬ）を製造することができる。これにより、エポキシ樹脂と、ビピリジン構造を有する硬化剤と、を含む絶縁層は、金属層との剥離強度を向上させることができる。

また、本発明の一実施例によるプリント回路基板用絶縁樹脂組成物からなる絶縁フィルムまたはプリプレグは、プリント回路基板の製造の際に内層として用いられる銅張積層板上に積層して多層プリント回路基板の製造に用いることができる。例えば、前記絶縁樹脂組成物からなる絶縁フィルムまたはプリプレグをパターン加工した内層回路基板上に積層してから硬化し、デスミア工程を行った後、電気めっき工程により回路層を形成して多層プリント回路基板を製造することができる。

以下、実施例および比較例により本発明についてより具体的に説明するが、下記の例に本発明の範疇が限定されない。

（ビピリジン構造を有する硬化剤の製造）
（製造例１）
還流装置が取り付けられた１００ｍｌの丸底フラスコに、２，２´−ビピリジン−４，４´−ジカルボン酸７．３ｇ、４−アミノフェノール８．７ｇ、イソフタル酸６．６ｇ、４−ヒドロキシ安息香酸６．４ｇ、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸３．１ｇ、酢酸無水物２２．４ｇを添加した。前記フラスコに密閉された機械的攪拌機、窒素注入チューブ、温度計および還流コンデンサを装着した。前記フラスコの内部を窒素ガスで充分置換した後、フラスコ内部の温度を窒素ガス流動下で約１４０℃の温度に上昇させ、その温度でフラスコ内部の温度を維持しつつ約１時間還流させた。次に、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸５．６ｇをさらに添加した後、反応副生成物である酢酸と未反応の酢酸無水物を除去して約３００℃まで温度を上げた後、約３０分間反応させてビピリジン構造を有する硬化剤を合成した。

（ビピリジン構造を有しない硬化剤の製造）
（製造例２）
還流装置が取り付けられた１００ｍｌの丸底フラスコに４−アミノフェノール８．７ｇ、イソフタル酸１０．０ｇ、４−ヒドロキシ安息香酸６．４ｇ、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸３．１ｇ、酢酸無水物２２．４ｇを添加した。次に、前記製造例１のような条件で反応させてビピリジン構造を有しない硬化剤を合成した。

（実施例１）
ビピリジン構造を有する製造例１の硬化剤３３．０ｇ、エポキシ樹脂（ＡｒａｌｄｉｔｅＭＹ−７２１、Ｈｕｎｔｓｍａｎｎ社製）２２．０ｇおよびジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）０．２２ｇを４５．０ｇのＮ，Ｎ´−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）に添加して混合溶液をワニス状に製造し、ガラス繊維を前記ワニスに含浸した後、約２００℃で５分間乾燥してプリプレグを製造した。また、前記プリプレグを約２２０℃の温度、３０ｋｇｆ／ｃｍ^２の圧力で約６０分間硬化させて銅張積層板を作製した。

（実施例２）
前記実施例１で製造された混合溶液に粒径が５００μｍの球状シリカ（アドマテックス社製）３１２ｇを添加してワニスを作製し、前記実施例１と同じ方法で銅張積層板を作製した。

（比較例１）
ビピリジン構造を有しない製造例２の硬化剤３３．０ｇ、エポキシ樹脂（ＡｒａｌｄｉｔｅＭＹ−７２１、Ｈｕｎｔｓｍａｎｎ社製）２２．０ｇおよびジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）０．２２ｇを４５．０ｇのＮ，Ｎ´−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）に添加して混合溶液をワニス状に製造し、ガラス繊維を前記ワニスに含浸した後、約２００℃で５分間乾燥してプリプレグを製造した。また、前記プリプレグを約２２０℃の温度、３０ｋｇｆ／ｃｍ^２の圧力で約６０分間硬化させて銅張積層板を作製した。

（比較例２）
前記比較例１で製造された混合溶液に粒径が５００μｍの球状シリカ（アドマテックス社製）３１２ｇを添加してワニスを作製し、前記比較例１と同じ方法で銅張積層板を作製した。

実施例１および実施例２、比較例１および比較例２で製造された銅張積層板の銅箔を除去したサンプルをもって、熱膨張係数およびガラス転移温度を測定した。

熱膨張係数を測定するために、ＴＡ社製のＴＭＡ装備を用いて引張モード（Ｔｅｎｓｉｌｅｍｏｄｅ）で測定し、１次に、１分当たり１０℃ずつ約３００℃まで走査し、冷却後、２次に、１分当たり１０℃ずつ約３１０℃まで走査して、２次に走査した結果値の熱膨張係数を測定した。

また、ガラス転移温度は、ＴＡ社製のＤＳＣ装備を用いて測定し、それぞれ製造されたサンプルの約５ｍｇを前記装備に投入して１分当たり１０℃ずつ３００℃まで１次測定し、冷却した後、１分当たり１０℃ずつ３００℃まで２次測定して、２次測定した結果値で、ガラス転移温度を測定した。

最後に、実施例１および実施例２、比較例１および比較例２で製造された銅張積層板の表面から約１ｃｍの銅箔を剥離して引張強度測定器（ｕｎｉｖｅｒｓａｌｔｅｓｔｉｎｇｍａｃｈｉｎｅ、ＵＴＭ）を用いて銅箔と絶縁層との剥離強度を測定した。

前記表１から分かるように、本発明により無機充填剤を含まない絶縁樹脂組成物からなる実施例１のプリプレグは、比較例１で製造されたプリプレグと比較すると、ガラス転移温度、熱膨張係数および剥離強度の特性を向上させる効果がある。

前記表２から分かるように、本発明により無機充填剤を含む絶縁樹脂組成物からなる実施例２のプリプレグは、比較例２で製造されたプリプレグと比較すると、ガラス転移温度、熱膨張係数および剥離強度の特性を向上させる効果がある。

以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明はこれに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。

本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。

本発明は、プリント回路基板用絶縁樹脂組成物およびこれを用いた製品に適用可能である。

Claims

エポキシ樹脂と、
ビピリジン構造を有する硬化剤と、を含む、プリント回路基板用絶縁樹脂組成物であって、
前記硬化剤が、前記ビピリジン構造を前記硬化剤内において３０〜６０重量％含有する、プリント回路基板用絶縁樹脂組成物。
前記絶縁樹脂組成物１００重量部に対して、エポキシ樹脂を２５〜７５重量部含有し、ビピリジン構造を有する硬化剤を１０〜５５重量部含有する、請求項１に記載のプリント回路基板用絶縁樹脂組成物。
前記エポキシ樹脂は、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、リン系エポキシ樹脂およびビスフェノールＦ型エポキシ樹脂から選択される一つ以上のものである、請求項１に記載のプリント回路基板用絶縁樹脂組成物。
前記ビピリジン構造が、下記式で表される、請求項１に記載のプリント回路基板用絶縁樹脂組成物。

（ここで、ａは１〜１０の整数、ｂは１〜１３の整数、ｃは１〜１３の整数、ｄは１〜２１の整数、ｅは１〜２１の整数、ｆは１〜１０の整数およびｇは１〜１０の整数である。）
無機充填剤と、
シアネートエステルと、
ビスマレイミドと、をさらに含む、請求項１に記載のプリント回路基板用絶縁樹脂組成物。
前記絶縁樹脂組成物１００重量部に対して前記無機充填剤を８２〜４８８重量部含有する、請求項５に記載のプリント回路基板用絶縁樹脂組成物。
前記無機充填剤は、シリカ（ＳｉＯ_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ_４）、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ） _３）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）_２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ_３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ホウ酸アルミニウム（ＡｌＢＯ_３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）およびジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ_３）から選択される一つ以上のものである、請求項６に記載のプリント回路基板用絶縁樹脂組成物。
前記絶縁樹脂組成物１００重量部に対して前記シアネートエステルを１０〜６５重量部含有する、請求項５に記載のプリント回路基板用絶縁樹脂組成物。
前記シアネートエステルは、ビスフェノールＡ型シアネートエステル、クレゾールノボラック型シアネートエステルおよびフェノールノボラック型シアネートエステルから選択される一つ以上のものである、請求項８に記載のプリント回路基板用絶縁樹脂組成物。
前記絶縁樹脂組成物１００重量部に対して前記ビスマレイミドを１０〜４３重量部含有する、請求項５に記載のプリント回路基板用絶縁樹脂組成物。
前記ビスマレイミドは、１，１´−（メチレンジ−４，１−フェニレン）ビスマレイミド（１，１´−（ｍｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉ−４，１−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ）である、請求項１０に記載のプリント回路基板用絶縁樹脂組成物。
請求項１に記載の絶縁樹脂組成物を含むワニス（ｖａｒｎｉｓｈ）に有機繊維または無機繊維を含浸および乾燥して製造される、プリプレグ。
前記無機繊維または有機繊維は、ガラス繊維、炭素繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、サーモトロピック（ｔｈｅｒｍｏｔｒｏｐｉｃ）液晶高分子繊維、リオトロピック液晶高分子繊維、アラミド繊維、ポリピリドビスイミダゾール繊維、ポリベンゾチアゾール繊維、およびポリアリレート繊維から選択される一つ以上のものである、請求項１２に記載のプリプレグ。
請求項１２に記載のプリプレグの片面または両面に銅箔を貼り付けて得た銅張積層板（ＣＣＬ）上にビルドアップ層を積層して製造される、プリント回路基板。