JP6422096B2 - C粒子が分散したFe−Pt系スパッタリングターゲット - Google Patents
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Description
1)FeおよびPtからなる母材金属にC(炭素)粒子が分散した組織を有する焼結体スパッタリングターゲットであって、前記C粒子について測定した顕微ラマン散乱分光スペクトルにおけるピーク強度比(IG/ID)が、母材金属との界面から2μm以上離れた測定点では1.0未満であり、母材金属との界面から2μm以内の測定点では1.0以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
2)母材金属の組成比が、原子比率でPtが5〜70%、残部がFeであることを特徴とする上記1)記載のスパッタリングターゲット。
3)C(炭素)の含有割合が体積比率で10〜50%であることを特徴とする上記1)又は2)記載のスパッタリングターゲット。
4)母材金属であるFeおよびPt以外に、Ag、Au、B、Cr、Cu、Ga、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Si、Sn、Ta、W、V、Znから選択されるいずれか一種以上の元素を添加金属成分として含有し、母材金属の組成比における添加金属成分の原子数比率が0.5〜20%であることを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。
5)C(炭素)に加えて、酸化物、炭化物、窒化物のいずれか一種以上の化合物を非磁性材料として体積比率で10〜30%含有することを特徴とする上記1)〜4)のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。
その外周部においては結晶性を高めることで(誘電率が低いため安定的な放電が可能)、高いスパッタ率(スパッタリングのし易さ)とアーキングの抑制の両立を実現することができるものである。そしてこれにより、スパッタリング時の歩留まりを改善することができると共に、パーティクルの発生を安定的に低減することができるという、優れた効果を発揮するものである。これが本発明の基本的な概念である。
ここで重要なことは、炭素原料をマトリックス中に一様に分散させるために、C原料粉末に含まれている数百μm〜数mmの大きさの塊を解砕あるいはふるいで取り除くことである。方法としては、攪拌混合機、攪拌転動混合機、100〜200メッシュ程度のふるい等を使用することができる。なお、ふるいは、粗大粒の除去だけではなく、解砕や混合の機能も兼ね備えるものである。
また、このようなC原料粉末の解砕やふるい分けは、炭素原料とその他の原料を混合した後に行うこともできる。混合装置としては、縦型ミキサー、V型混合機もしくはこれに準ずる性能を有する混合機を使用することができる。
一方で、ボールミルや媒体攪拌ミル等のように衝撃力で原料を微粉砕してしまうような混合装置は、炭素原料の微粉砕を促進し、炭素原料同士の凝集を助長してしまうため好ましくない。但し、ごく短時間の使用その他の微粉砕の影響を抑える条件であれば、このような装置を使用することも可能である。
原料粉末として平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒子径50μmのC粉末を用意し、組成が30Fe−30Pt−40C(mol%)となるように秤量した。このときC粉末にはフラーレンを使用した。なお、ここで用いたフラーレン粉は、昇華精製して得られた単結晶化フラーレン粉(C60純度が99.9%のもの)を用いた。
原料粉末として平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径2μmのAg粉末、平均粒子径20μmのC粉末を用意し、組成が26Fe−26Pt−8Ag−40C(mol%)となるように秤量した。このときC粉末にはハードカーボンを使用した。なお、ここで用いたハードカーボン粉は、スクロース(ショ糖)をAr雰囲気中で保持温度1200℃、保持時間8時間で熱処理したものを、粉砕・分級して得たものである。
原料粉末として平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒子径50μmのC粉末、平均粒径20μmのTiC粉末、平均粒径8μmのBN粉末を用意し、組成が32Fe−32Pt−20C−8TiC−8BN(mol%)となるように秤量した。このときC粉末にはハードカーボンを使用した。なお、ここで用いたハードカーボン粉は実施例2と同じものである。
原料粉末として平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒子径20μmのC粉末を用意し、組成が30Fe−30Pt−40C(mol%)となるように秤量した。このときC粉末には黒鉛を使用した。なお、ここで用いた黒鉛粉は、純度99.9%の人造黒鉛を粉砕・分級したものである。
原料粉末として平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒子径20μmのC粉末を用意し、組成が30Fe−30Pt−40C(mol%)となるように秤量した。このときC粉末には平均粒子径20μmの黒鉛を使用した。
次に、攪拌ミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度300°C/時間、保持温度1100°C、保持時間2時間とし、昇温開始時から保持終了まで30MPaで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
原料粉末として平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒子径50μmのC粉末を用意し、組成が10Fe−20Pt−70C(mol%)となるように秤量した。このときC粉末にはフラーレンを使用した。なお、ここで用いたフラーレン粉は、実施例1と用いたものと同じものである。
原料粉末として平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒子径20μmのC粉末を用意し、組成が10Fe−20Pt−70C(mol%)となるように秤量した。このときC粉末には黒鉛を使用した。なお、ここで用いた黒鉛粉は、比較例1と同じものである。
Claims (5)
- FeおよびPtからなる母材金属にC(炭素)粒子が分散した組織を有する焼結体スパッタリングターゲットであって、前記C粒子について測定した顕微ラマン散乱分光スペクトルにおけるピーク強度比(IG/ID)が、母材金属との界面から2μm以上離れた測定点では1.0未満であり、母材金属との界面から2μm以内の測定点では1.0以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 母材金属の組成比が、原子比率でPtが5〜70%、残部がFeであることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲット。
- C(炭素)の含有割合が体積比率で10〜50%であることを特徴とする請求項1又は2記載のスパッタリングターゲット。
- 母材金属であるFeおよびPt以外に、Ag、Au、B、Cr、Cu、Ga、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Si、Sn、Ta、W、V、Znから選択されるいずれか一種以上の元素を添加金属成分として含有し、母材金属の組成比における添加金属成分の原子数比率が0.5〜20%であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- C(炭素)に加えて、酸化物、炭化物、窒化物のいずれか一種以上の化合物を体積比率で10〜30%含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
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