JP6399464B2 - フィンベース電子装置のための固定ソース拡散接合 - Google Patents
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Description
[項目1]
基板上にフィンを形成する段階と、
前記基板上に、かつ、前記フィンの下部上に、第1ドーパント型のガラスを堆積する段階と、
前記基板及び前記フィン上に、第2ドーパント型のガラスを堆積する段階と、
複数の前記ドーパントを前記フィン及び前記基板に打ち込むべく、前記ガラスをアニールする段階と、
前記ガラスを除去する段階と、
前記フィンの前記下部に接触せずに、前記フィン上に第1コンタクトと第2コンタクトとを形成する段階と
を備える
方法。
[項目2]
前記フィン上に制御ゲートを形成する段階であって、前記制御ゲートは、前記第1コンタクトと前記第2コンタクトとの間において前記フィンを通る電流フローを制御する、前記フィンの上面及び複数の側面上の導電材である、段階をさらに備える項目1に記載の方法。
[項目3]
制御ゲートを形成する前記段階は、前記フィン上にポリシリコンをパターニングし、前記ポリシリコンを除去し、前記ポリシリコンによるボイドを金属で埋め戻す段階を含む、項目1又は2に記載の方法。
[項目4]
制御ゲートを形成する前記段階は、前記ガラスを除去する前記段階の後、かつ、前記第1コンタクトと前記第2コンタクトとを形成する前記段階の前に、前記フィン上に制御ゲートを形成する段階を含む、項目1から3のいずれか一項に記載の方法。
[項目5]
前記第1コンタクトは、ソースを含み、前記第2コンタクトは、ドレインを含み、前記方法は、前記フィンの前記下部に接触せずに、前記ソースと前記ドレインとの間において前記フィン上にゲートを形成する段階をさらに備える項目1から4のいずれか一項に記載の方法。
[項目6]
前記ガラスを除去する前記段階の後に、シリコンの前記基板上に酸化物を堆積する段階をさらに備え、前記酸化物は、前記フィンの前記下部を覆う深度を有し、前記酸化物は、ドープされた前記ソース、前記ゲート、及び前記ドレインを形成する前に、前記フィンの前記下部を絶縁する、項目5に記載の方法。
[項目7]
第1ドーパント型のガラスを堆積する前記段階は、
前記基板及び前記フィン上に、前記第1ドーパント型の前記ガラスを堆積する段階と、
前記基板、及び前記フィンの部分上に、ブロッキング材料を堆積する段階と、
前記ブロッキング材料に覆われていない、堆積した前記ガラスを除去する段階と、
前記ブロッキング材料を除去する段階とを含む、
項目1から6の何れか一項に記載の方法。
[項目8]
第2ドーパント型のガラスを堆積する前記段階は、前記フィンの部分から前記第1ドーパント型の前記ガラスを除去し、前記フィンの前記部分上に、かつ、前記第1ドーパント型の前記ガラス上に、前記第2ドーパント型の前記ガラスを堆積する段階を含む、項目7に記載の方法。
[項目9]
基板と、
前記基板の上方のフィンであって、第1ドーパント型のチャンネルと、第2ドーパント型のウェルの少なくとも一部分とを有するフィンと、
前記フィンの前記ウェルに接触せずに形成された、前記フィンの第1コンタクト及び第2コンタクトと
を備える
装置。
[項目10]
前記第1コンタクトと前記第2コンタクトとの間の抵抗を制御するべく、前記フィン上及び前記フィンの周りに形成された前記第1コンタクトと前記第2コンタクトとの間における制御ゲートをさらに備える項目9に記載の装置。
[項目11]
前記第1コンタクト及び前記第2コンタクトは、前記フィンにおいてドーパントを含む、項目10に記載の装置。
[項目12]
前記制御ゲートは、前記フィンの前記チャンネル上及び前記チャンネルの周りにおいて、両側に延在する、項目11に記載の装置。
[項目13]
前記第1コンタクトは、ソースを含み、前記第2コンタクトは、ドレインを含み、前記装置は、前記フィンの前記ウェルに接触せずに形成された前記ソースと前記ドレインとの間において形成された、前記フィンの前記第2ドーパント型のゲートをさらに備える項目9から12のいずれか一項又は複数項に記載の装置。
[項目14]
前記ゲートは、エピタキシャル成長の前記フィン上にある、項目13に記載の装置。
[項目15]
前記第1ドーパント型の前記チャンネルは、前記ソースと前記ドレインとの間の電流チャンネルであり、前記ゲートに適用される電圧は、電流が前記チャンネルを流れるか否かを決定する、項目13又は14に記載の装置。
[項目16]
前記ソースと前記ドレインとの間において制御ゲートをさらに備え、前記制御ゲートは、前記フィンの前記チャンネル上及び前記チャンネルの周りにおいて、両側に延在し、前記チャンネルを通る電流フローを制限する、項目13から15のいずれか一項又は複数項に記載の装置。
[項目17]
通信チップと、
電源と、
複数のトランジスタを有するプロセッサであって、少なくとも1つのトランジスタは、基板と、前記基板の上方のフィンであって、第1ドーパント型のチャンネル及び第2ドーパント型のウェルの少なくとも一部分を含むフィンと、前記フィンの前記ウェルに接触せずに形成された前記フィンの前記第1ドーパント型のソース及びドレインと、前記フィンの前記ウェルに接触せずに形成された前記ソースと前記ドレインとの間に形成された、前記フィンの前記第2ドーパント型のゲートとを含む接合型ゲート電界効果トランジスタである、プロセッサと
を備える
コンピューティングシステム。
[項目18]
前記ゲートは、前記フィン上にドープされたガラスを堆積し、前記ガラスをアニールし、前記ガラスを除去することによって、前記フィンにおいて形成される、項目17に記載のコンピューティングシステム。
[項目19]
前記接合型ゲート電界効果トランジスタは、前記ソースと前記ゲートとの間において、制御ゲートをさらに含み、前記制御ゲートは、前記フィン上及び前記フィンの周りに形成され、前記ソースと前記ドレインとの間の抵抗を制御する、項目17又は18に記載のコンピューティングシステム。
[項目20]
前記制御ゲートは、前記フィン上にポリシリコンをパターニングし、前記ポリシリコンを除去し、前記ポリシリコンによるボイドを金属で埋め戻すことによって、形成される、項目19に記載のコンピューティングシステム。
Claims (23)
- シリコンを含み、フィン下部およびフィン上部を有し、前記フィン下部がN型の導電型を有するフィンと、
ホスホシリケートガラス(PSG)を含む層であって、前記フィンの前記フィン下部の第1の側壁上および第2の側壁上に直接、前記PSGを含み、前記フィンの前記フィン下部の前記第1の側壁の側面に隣接する第1の上端部を有する前記PSGを含み、前記フィンの前記フィン下部の前記第2の側壁の側面に隣接する第2の上端部を有する前記PSGを含む前記層と、
酸素を含む絶縁材料であって、前記絶縁材料は、前記フィンの前記フィン下部の前記第1の側壁上および前記第2の側壁上に直接ある前記PSGを含む前記層の側面に隣接し、前記絶縁材料は、第1の上面部および第2の上面部を有し、前記絶縁材料の前記第1の上面部は、前記PSGを含む前記層の前記第1の上端部の下方にあり、前記絶縁材料の前記第2の上面部は、前記PSGを含む前記層の前記第2の上端部の下方にある前記絶縁材料と、
前記フィンの前記フィン上部の上面の上方であって、且つ、前記フィンの前記フィン上部の側壁の側面に隣接するゲート電極であって、前記PSGを含む前記層の前記第1の上端部および前記第2の上端部の上方にあり、前記絶縁材料の前記第1の上面部および前記第2の上面部の上方にある前記ゲート電極と
を備える集積回路構造。 - 前記絶縁材料の前記第1の上面部は、前記フィンの前記フィン下部の前記第1の側壁上の前記PSGを含む前記層の側面に隣接する
請求項1に記載の集積回路構造。 - 前記絶縁材料の前記第2の上面部は、前記フィンの前記フィン下部の前記第2の側壁上の前記PSGを含む前記層の側面に隣接する
請求項1又は2に記載の集積回路構造。 - 前記フィンの前記フィン下部の前記第1の側壁上および前記第2の側壁上に直接ある前記PSGを含む前記層の側面に直接隣接する絶縁層を更に備え、
前記絶縁材料は、前記絶縁層の側面に直接隣接する
請求項1から3のいずれか一項に記載の集積回路構造。 - 前記絶縁層は、ホウケイ酸ガラス(BSG)を含む
請求項4に記載の集積回路構造。 - 前記絶縁層は、前記PSGを含む前記層の前記第1の上端部の側面に隣接する第1の上端部を有し、
前記絶縁層は、前記PSGを含む前記層の前記第2の上端部の側面に隣接する第2の上端部を有する
請求項4又は5に記載の集積回路構造。 - 前記絶縁層の前記第1の上端部は、前記PSGを含む前記層の前記第1の上端部と実質的に同一平面上であり、前記絶縁層の前記第2の上端部は、前記PSGを含む前記層の前記第2の上端部と実質的に同一平面上であり、
請求項6に記載の集積回路構造。 - 前記絶縁材料の前記第1の上面部は、前記絶縁層の前記第1の上端部の下方にあり、前記絶縁材料の前記第2の上面部は、前記絶縁層の前記第2の上端部の下方にある
請求項6に記載の集積回路構造。 - 前記ゲート電極は、前記絶縁層の前記第1の上端部および前記第2の上端部の上方にある
請求項6から8のいずれか一項に記載の集積回路構造。 - 前記PSGを含む前記層の前記第1の上端部は、前記PSGを含む前記層の前記第2の上端部と実質的に同一平面上にある
請求項1から9のいずれか一項に記載の集積回路構造。 - 前記絶縁材料の前記第1の上面部は、前記絶縁材料の前記第2の上面部と実質的に同一平面上にある
請求項10に記載の集積回路構造。 - シリコンを含み、フィン下部およびフィン上部を有し、前記フィン下部がN型の導電型を有するフィンと、
N型ドーパントを含み、前記フィンの前記フィン下部の第1の側壁上および第2の側壁上に直接あり、前記フィンの前記フィン下部の前記第1の側壁の側面に隣接する第1の上端部を有し、前記フィンの前記フィン下部の前記第2の側壁の側面に隣接する第2の上端部を有する誘電体層と、
酸素を含む絶縁材料であって、前記絶縁材料は、前記フィンの前記フィン下部の前記第1の側壁上および前記第2の側壁上に直接ある前記誘電体層の側面に隣接し、前記絶縁材料は、第1の上面部および第2の上面部を有し、前記絶縁材料の前記第1の上面部は、前記誘電体層の前記第1の上端部の下方にあり、前記絶縁材料の前記第2の上面部は、前記誘電体層の前記第2の上端部の下方にある前記絶縁材料と、
前記フィンの前記フィン上部の上面の上方であって、前記フィンの前記フィン上部の側壁の側面に隣接するゲート電極であって、前記誘電体層の前記第1の上端部および前記第2の上端部の上方にあり、前記絶縁材料の前記第1の上面部および前記第2の上面部の上方にある前記ゲート電極と、
を備える集積回路構造。 - 前記N型ドーパントは、リンである
請求項12に記載の集積回路構造。 - 前記絶縁材料の前記第1の上面部は、前記フィンの前記フィン下部の前記第1の側壁上の前記誘電体層の側面に隣接する
請求項12又は13に記載の集積回路構造。 - 前記絶縁材料の前記第2の上面部は、前記フィンの前記フィン下部の前記第2の側壁上の前記誘電体層の側面に隣接する
請求項12から14のいずれか一項に記載の集積回路構造。 - 前記フィンの前記フィン下部の前記第1の側壁上および前記第2の側壁上に直接ある前記誘電体層の側面に直接隣接する絶縁層を更に備え、
前記絶縁材料は、前記絶縁層の側面に直接隣接する
請求項12から15のいずれか一項に記載の集積回路構造。 - 前記絶縁層は、ホウケイ酸ガラス(BSG)を含む
請求項16に記載の集積回路構造。 - 前記誘電体層は、前記誘電体層の前記第1の上端部の側面に隣接する第1の上端部を有し、
前記絶縁層は、前記誘電体層の前記第2の上端部の側面に隣接する第2の上端部を有する
請求項16に記載の集積回路構造。 - 前記絶縁層の前記第1の上端部は、前記誘電体層の前記第1の上端部と実質的に同一平面上にあり、前記絶縁層の前記第2の上端部は、前記誘電体層の前記第2の上端部と実質的に同一平面上にある
請求項18に記載の集積回路構造。 - 前記絶縁材料の前記第1の上面部は、前記絶縁層の前記第1の上端部の下方にあり、前記絶縁材料の前記第2の上面部は、前記絶縁層の前記第2の上端部の下方にある
請求項18に記載の集積回路構造。 - 前記ゲート電極は、前記絶縁層の前記第1の上端部および前記第2の上端部の上方にある
請求項18から20のいずれか一項に記載の集積回路構造。 - 前記誘電体層の前記第1の上端部は、前記誘電体層の前記第2の上端部と実質的に同一平面上にある
請求項12から21のいずれか一項に記載の集積回路構造。 - 前記絶縁材料の前記第1の上面部は、前記絶縁材料の前記第2の上面部と同一平面上にある
請求項22に記載の集積回路構造。
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