JP6388422B2 - 相変化メモリのデータ記憶方法及び制御装置 - Google Patents
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Description
多ビットデータである記憶予定データを取得する段階と、
記憶予定データに応じて消去パルス信号及び書き込みパルス信号を生成する段階であって、当該書き込みパルス信号は、連続する少なくとも2つのパルスを含む信号であり、当該連続する少なくとも2つのパルスの間の複数の間隔は同一であり、連続する少なくとも2つのパルスの間の複数の間隔は、記憶予定データに応じて決定された値を有する、段階と、
相変化メモリの記憶部が結晶状態に変化するよう、記憶部に消去パルス信号を印加する段階と、
第1の抵抗値を有するアモルファス状態に記憶部が変化するよう、記憶部に書き込みパルス信号を印加する段階であって、その結果、第1の抵抗値を有する記憶部のアモルファス状態を使用することで記憶予定データが表され、第1の抵抗値の大きさと、連続する少なくとも2つのパルスの間の複数の間隔とは特定の関数関係を満たしている、段階とを備える。
記憶予定データが多ビットデータの最大データ又は最小データであるかどうかを決定する段階であって、
記憶予定データに応じて消去パルス信号及び書き込みパルス信号を生成する前記段階は、
記憶予定データが、多ビットデータの最大データでも最小データでもない場合、記憶予定データに応じて、消去パルス信号及び書き込みパルス信号を生成する段階を含む、段階を備える。
記憶予定データが、多ビットデータの最大データ又は最小データである場合、記憶予定データに応じて消去パルス信号を生成し、記憶部の結晶状態を使用することで記憶予定データを表すべく、記憶部が結晶状態に変化するよう、相変化メモリの記憶部に消去パルス信号を印加する段階を備える。
多ビットデータである記憶予定データを取得するよう構成された取得モジュールと、
記憶予定データに応じて消去パルス信号及び書き込みパルス信号を生成するよう構成された生成モジュールであって、書き込みパルス信号は、連続する少なくとも2つのパルスを含む信号であり、連続する少なくとも2つのパルスの間の複数の間隔は同一であり、連続する少なくとも2つのパルスの間の複数の間隔は、記憶予定データに応じて決定された値を有する、生成モジュールと、
相変化メモリの記憶部が結晶状態に変化するよう記憶部に消去パルス信号を印加し、第1の抵抗値を有する記憶部のアモルファス状態を使用して記憶予定データを表すべく、第1の抵抗値を有するアモルファス状態に記憶部が変化するよう記憶部に書き込みパルス信号を印加するよう構成された制御モジュールであって、第1の抵抗値の大きさと、連続する少なくとも2つのパルスの間の複数の間隔とは特定の関数関係を満たしている、制御モジュールとを備える。
記憶予定データが、多ビットデータの最大データ又は最小データであるかどうかを決定するよう構成された決定モジュールを含み、
当該生成モジュールは更に、記憶予定データが、多ビットデータの最大データでも最小データでもない場合、記憶予定データに応じて消去パルス信号及び書き込みパルス信号を生成するよう構成されている。
当該制御モジュールは更に、相変化メモリの記憶部が結晶状態に変化するよう、記憶部に消去パルス信号を印加するよう構成されており、その結果、記憶部の結晶状態を使用して記憶予定データが表される。
プロセッサは、上述された何れかの、相変化メモリのデータ記憶方法を実行し、通信バスを使用することで記憶部によるデータ記憶を制御するよう構成されている。
多ビットデータである記憶予定データを取得するよう構成された取得モジュール601と、
記憶予定データに応じて消去パルス信号及び書き込みパルス信号を生成するよう構成された生成モジュール602であって、当該書き込みパルス信号は連続する少なくとも2つのパルスを含む信号であり、連続する少なくとも2つのパルスの間の複数の間隔は同一であり、連続する少なくとも2つのパルスの間の複数の間隔は、記憶予定データに応じて決定された値を有する、生成モジュール602と、
相変化メモリの記憶部が結晶状態に変化するよう、記憶部に消去パルス信号を印加し、記憶部の第1の抵抗値を有するアモルファス状態を使用することで記憶予定データを表すべく、第1の抵抗値を有するアモルファス状態に記憶部が変化するよう、記憶部に書き込みパルス信号を印加するよう構成された制御モジュール603であって、当該第1の抵抗値の大きさと、連続する少なくとも2つのパルスの間の複数の間隔とは特定の関数関係を満たしている、制御モジュール603とを備える。
記憶予定データが多ビットデータにおける最大データ又は最小データかどうかを決定するよう構成された決定モジュールを含み、
記憶予定データが、多ビットデータにおける最大データでも最小データでもない場合、生成モジュール602は更に、記憶予定データに応じて消去パルス信号及び書き込みパルス信号を生成するよう構成されている。
制御モジュール603は更に、記憶部に消去パルス信号を印加するよう構成されており、これにより、記憶部は結晶状態に変化し、その結果、記憶部の結晶状態を使用することで記憶予定データが表される。
[項目1]
相変化メモリのデータ記憶方法であって、
多ビットデータである記憶予定データを取得する段階と、
上記記憶予定データに応じて消去パルス信号および書き込みパルス信号を生成する段階であって、上記書き込みパルス信号は、連続する少なくとも2つのパルスを含む信号であり、上記連続する少なくとも2つのパルスの間の複数の間隔は同一であり、上記連続する少なくとも2つのパルスの間の上記複数の間隔は、上記記憶予定データに応じて決定された値を有する、段階と、
上記相変化メモリの記憶部が結晶状態に変化するよう、上記記憶部に上記消去パルス信号を印加する段階と、
上記記憶部が、第1の抵抗値を有するアモルファス状態に変化するよう、上記記憶部に上記書き込みパルス信号を印加する段階であって、その結果、上記記憶部の上記第1の抵抗値を有する上記アモルファス状態を使用することで上記記憶予定データが表され、上記第1の抵抗値の大きさと、上記連続する少なくとも2つのパルスの間の上記複数の間隔とは特定の関数関係を満たしている、段階と、
を備える方法。
[項目2]
上記記憶予定データが、上記多ビットデータにおける最大データ又は最小データであるかどうかを決定する段階を更に備え、
上記記憶予定データに応じて消去パルス信号及び書き込みパルス信号を生成する上記段階は、
上記記憶予定データが、上記多ビットデータの上記最大データでも上記最小データでもない場合、上記記憶予定データに応じて上記消去パルス信号及び上記書き込みパルス信号を生成する段階を含む、
項目1に記載の方法。
[項目3]
上記記憶予定データが、上記多ビットデータにおける上記最大データ又は上記最小データである場合、上記記憶予定データに応じて上記消去パルス信号を生成し、上記記憶部の上記結晶状態を使用することで上記記憶予定データを表すべく、上記記憶部が上記結晶状態に変化するよう、上記相変化メモリの上記記憶部に上記消去パルス信号を印加する段階を更に備える、項目2に記載の方法。
[項目4]
上記連続する少なくとも2つのパルスの複数のパルス幅は同一である、項目1から3の何れか一項に記載の方法。
[項目5]
上記連続する少なくとも2つのパルスの上記複数のパルス幅は、30nsから50nsに及ぶ、項目4に記載の方法。
[項目6]
上記連続する少なくとも2つのパルスの間の上記複数の間隔は、10nsから50nsに及ぶ、項目1から5の何れか一項に記載の方法。
[項目7]
上記消去パルス信号及び上記書き込みパルス信号は電圧信号である、又は、上記消去パルス信号及び上記書き込みパルス信号は電流信号である、項目1から6の何れか一項に記載の方法。
[項目8]
上記書き込みパルス信号は、連続する少なくとも2つのパルスを含む電圧信号であり、上記連続する少なくとも2つのパルスの複数の振幅は、1Vから1.5Vに及ぶ、項目7に記載の方法。
[項目9]
相変化メモリの制御装置であって、
多ビットデータである記憶予定データを取得するよう構成された取得モジュールと、
上記記憶予定データに応じて消去パルス信号及び書き込みパルス信号を生成するよう構成された生成モジュールであって、上記書き込みパルス信号は連続する少なくとも2つのパルスを含む信号であり、上記連続する少なくとも2つのパルスの間の複数の間隔は同一であり、上記連続する少なくとも2つのパルスの間の上記複数の間隔は、上記記憶予定データに応じて決定された値を有する、生成モジュールと、
上記相変化メモリの記憶部が結晶状態に変化するよう、上記記憶部に上記消去パルス信号を印加し、上記記憶部の第1の抵抗値を有するアモルファス状態を使用することで上記記憶予定データを表すべく、上記第1の抵抗値を有する上記アモルファス状態に上記記憶部が変化するよう、上記記憶部に上記書き込みパルス信号を印加するよう構成された制御モジュールであって、上記第1の抵抗値の大きさと、上記連続する少なくとも2つのパルスの間の上記複数の間隔とは特定の関数関係を満たしている、制御モジュールと、
を備える制御装置。
[項目10]
上記記憶予定データが、上記多ビットデータにおける最大データ又は最小データかどうかを決定するよう構成された決定モジュールを更に備え、
上記生成モジュールは更に、上記記憶予定データが、上記多ビットデータにおける上記最大データでも上記最小データでもない場合、上記記憶予定データに応じて上記消去パルス信号及び上記書き込みパルス信号を生成するよう構成されている、項目9に記載の装置。
[項目11]
上記生成モジュールは更に、上記記憶予定データが上記多ビットデータにおける上記最大データ又は上記最小データである場合、上記記憶予定データに応じて上記消去パルス信号を生成するよう構成されており、
上記制御モジュールは更に、上記記憶部の上記結晶状態を使用することで上記記憶予定データを表すべく、上記相変化メモリの上記記憶部が上記結晶状態に変化するよう、上記記憶部に上記消去パルス信号を印加するよう構成されている、項目10に記載の装置。
[項目12]
プロセッサ及び通信バスを備え、上記プロセッサは上記通信バスに接続されており、上記通信バスは、相変化メモリの記憶部に接続されており、
上記プロセッサは、項目1から8の何れか一項に記載の相変化メモリのデータ記憶方法を実行し、上記通信バスを使用することで、上記記憶部によるデータ記憶を制御するよう構成されている上記相変化メモリの制御装置。
[項目13]
コンピュータのプロセッサによって呼び出され、実行されるコンピュータ実行命令を備えるコンピュータ可読媒体であって、上記コンピュータ実行命令は、項目1から8の何れか一項に記載の相変化メモリのデータ記憶方法に対応するコンピュータ命令を含む、コンピュータ可読媒体。
Claims (17)
- 相変化メモリに適用されるデータ記憶方法であって、
多ビットデータである第1の記憶予定データを取得する段階と、
前記第1の記憶予定データに応じて第1の消去パルス信号および第1の書き込みパルス信号を生成する段階であって、前記第1の書き込みパルス信号は、連続する少なくとも3つのパルスを含む信号であり、前記連続する少なくとも3つのパルスの間の複数の間隔は同一であり、前記連続する少なくとも3つのパルスの間の前記複数の間隔は、前記第1の記憶予定データに応じて決定された値を有する、段階と、
前記相変化メモリの記憶部が結晶状態に変化することを可能にすべく、前記記憶部に前記第1の消去パルス信号を印加する段階と、
前記記憶部が、第1の抵抗値に対応する第1のアモルファス状態に変化することを可能にすべく、前記記憶部に前記第1の書き込みパルス信号を印加する段階であって、前記第1のアモルファス状態は前記第1の記憶予定データを表す、段階と、
を備える方法。 - 前記第1の書き込みパルス信号における前記連続する少なくとも3つのパルスの複数のパルス幅は同一である、
請求項1に記載の方法。 - 前記第1の書き込みパルス信号における前記連続する少なくとも3つのパルスの前記複数のパルス幅は、30nsから50nsに及ぶ、
請求項2に記載の方法。 - 前記第1の記憶予定データとは異なる第2の記憶予定データを取得する段階であって、前記第2の記憶予定データのビット数は、前記第1の記憶予定データのビット数に等しい、段階と、
前記第2の記憶予定データに応じて第2の消去パルス信号及び第2の書き込みパルス信号を生成する段階であって、前記第2の書き込みパルス信号は、連続する少なくとも3つのパルスを含む信号であり、前記第2の書き込みパルスにおける前記連続する少なくとも3つのパルスの間の複数の間隔は同一であり、前記第2の書き込みパルスにおける前記連続する少なくとも3つのパルスの間の前記複数の間隔は、前記第2の記憶予定データに応じて決定された値を有し、前記第2の書き込みパルスにおける前記連続する少なくとも3つのパルスの間の前記複数の間隔は、前記第1の書き込みパルス信号における前記連続する少なくとも3つのパルスの間の前記複数の間隔とは異なる、段階と、
前記相変化メモリの前記記憶部が前記結晶状態に変化することを可能にすべく、前記記憶部に前記第2の消去パルス信号を印加する段階と、
前記記憶部が、第2の抵抗値に対応する第2のアモルファス状態に変化することを可能にすべく、前記記憶部に前記第2の書き込みパルス信号を印加する段階であって、前記第2のアモルファス状態は前記第2の記憶予定データを表す、段階と、
を更に備える
請求項1から3の何れか1項に記載の方法。 - 第3の記憶予定データを取得する段階であって、前記第3の記憶予定データは、予め設定された多ビットデータに等しく、前記第3の記憶予定データの各ビットは同一である、段階と、
前記第3の記憶予定データに応じて第3の消去パルス信号を生成する段階と、
前記記憶部が結晶状態に変化することを可能にすべく、前記記憶部に前記第3の消去パルス信号を印加する段階であって、前記記憶部の前記結晶状態は、前記第3の記憶予定データを表す、段階と、
を更に備える
請求項1から4の何れか一項に記載の方法。 - 前記第1の書き込みパルス信号における前記連続する少なくとも3つのパルスの間の前記複数の間隔は、10nsから50nsに及ぶ、
請求項1から5の何れか一項に記載の方法。 - 前記第1の書き込みパルス信号における前記連続する少なくとも3つのパルスは同じ振幅を有する、
請求項1から6の何れか一項に記載の方法。 - 前記第1の書き込みパルス信号は、連続する少なくとも3つのパルスを含む電圧信号であり、
前記第1の書き込みパルス信号における前記連続する少なくとも3つのパルスの複数の振幅は、1Vから1.5Vに及ぶ、
請求項1から7の何れか一項に記載の方法。 - 記憶部と、前記記憶部に連結されたコントローラとを備える相変化メモリであって、
前記コントローラは、
多ビットデータである第1の記憶予定データを取得し、
前記第1の記憶予定データに応じて第1の消去パルス信号及び第1の書き込みパルス信号を生成し、
前記相変化メモリの記憶部が結晶状態に変化することを可能にすべく、前記記憶部に前記第1の消去パルス信号を印加し、
前記記憶部が、第1の抵抗値に対応する第1のアモルファス状態であって、前記第1の記憶予定データを表す、第1のアモルファス状態に変化することを可能にすべく、前記記憶部に前記第1の書き込みパルス信号を印加し、
前記第1の書き込みパルス信号は、連続する少なくとも3つのパルスを含む信号であり、
前記連続する少なくとも3つのパルスの間の複数の間隔は同一であり、
前記連続する少なくとも3つのパルスの間の前記複数の間隔は、前記第1の記憶予定データに応じて決定された値を有する、
相変化メモリ。 - 前記第1の書き込みパルス信号における前記連続する少なくとも3つのパルスの複数のパルス幅は同一である、
請求項9に記載の相変化メモリ。 - 前記第1の書き込みパルス信号における前記連続する少なくとも3つのパルスの前記複数のパルス幅は、30nsから50nsに及ぶ、
請求項10に記載の相変化メモリ。 - 前記コントローラは更に、
前記第1の記憶予定データとは異なる第2の記憶予定データを取得し、
前記第2の記憶予定データに応じて第2の消去パルス信号及び第2の書き込みパルス信号を生成し、
前記相変化メモリの前記記憶部が前記結晶状態に変化することを可能にすべく、前記記憶部に前記第2の消去パルス信号を印加し、
前記記憶部が、第2の抵抗値に対応する第2のアモルファス状態であって、前記第2の記憶予定データを表す、第2のアモルファス状態に変化することを可能にすべく、前記記憶部に前記第2の書き込みパルス信号を印加し、
前記第2の記憶予定データのビット数は、前記第1の記憶予定データのビット数に等しく、
前記第2の書き込みパルス信号は、連続する少なくとも3つのパルスを含む信号であり、
前記第2の書き込みパルスにおける前記連続する少なくとも3つのパルスの間の複数の間隔は同一であり、
前記第2の書き込みパルスにおける前記連続する少なくとも3つのパルスの間の前記複数の間隔は、前記第2の記憶予定データに応じて決定された値を有し、
前記第2の書き込みパルスにおける前記連続する少なくとも3つのパルスの間の前記複数の間隔は、前記第1の書き込みパルス信号における前記連続する少なくとも3つのパルスの間の前記複数の間隔とは異なる、
請求項9から11の何れか1項に記載の相変化メモリ。 - 前記コントローラは更に、
第3の記憶予定データを取得し、
前記第3の記憶予定データに応じて第3の消去パルス信号を生成し、
前記記憶部が結晶状態に変化することを可能にすべく、前記記憶部に前記第3の消去パルス信号を印加するよう構成されており、
前記第3の記憶予定データは、予め設定された多ビットデータに等しく、
前記第3の記憶予定データの各ビットは、同一であり、
前記記憶部の前記結晶状態は、前記第3の記憶予定データを表す、
請求項9から12の何れか一項に記載の相変化メモリ。 - 前記第1の書き込みパルス信号における前記連続する少なくとも3つのパルスの間の前記複数の間隔は、10nsから50nsに及ぶ、
請求項9から13の何れか一項に記載の相変化メモリ。 - 前記第1の書き込みパルス信号における前記連続する少なくとも3つのパルスは同じ振幅を有する、
請求項9から14の何れか一項に記載の相変化メモリ。 - 前記第1の書き込みパルス信号は、連続する少なくとも3つのパルスを含む電圧信号であり、
前記第1の書き込みパルス信号における前記連続する少なくとも3つのパルスの複数の振幅は、1Vから1.5Vに及ぶ、
請求項9から15の何れか一項に記載の相変化メモリ。 - コンピュータに請求項1から8の何れか一項に記載の方法を実行させる、
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