JP6381054B2 - メモリデバイスに関連するコマンドの無効化 - Google Patents
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Description
[項目1]
メモリデバイスであって、
コマンドが上記メモリデバイスに対して無効化されているかどうかを示す値を含むモードレジスタと、
デバイス処理論理回路と
を備え、
上記デバイス処理論理回路が、
上記コマンドのインスタンスを取得し、
上記モードレジスタに含まれる上記値に基づいて、上記コマンドの上記インスタンスが、上記デバイス処理論理回路によって実行されるべきかどうか判定するためのものである、
メモリデバイス。
[項目2]
上記デバイス処理論理回路がさらに、
上記コマンドが無効化されていることを示す上記値に基づいて、上記コマンドの上記インスタンスを実行しない、
項目1に記載のメモリデバイス。
[項目3]
上記デバイス処理論理回路がさらに、上記コマンドが無効化されていないことを示す上記値に基づいて上記コマンドの上記インスタンスを実行する、項目1または2に記載のメモリデバイス。
[項目4]
上記モードレジスタがフィールドを含み、上記コマンドが無効化されているかどうかを示す上記値が上記フィールドに含まれる、項目1から3のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
[項目5]
上記コマンドの上記インスタンスが、バスを介して取得される、項目1から4のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
[項目6]
上記コマンドの上記インスタンスが、メモリコントローラによって生成され、上記コマンドの上記インスタンスが、上記メモリコントローラによって、上記バスを介して、上記メモリデバイスへと転送される、項目5に記載のメモリデバイス。
[項目7]
上記メモリコントローラが、コンピューティングデバイス内に含まれる処理論理回路と関連する、項目6に記載のメモリデバイス。
[項目8]
上記デバイス処理論理回路がさらに、
第2のコマンドのインスタンスおよび値を取得し、
上記第2のコマンドの上記インスタンスを実行し、上記第2のコマンドの上記インスタンスの上記実行が、上記モードレジスタ内の上記値の設定を含む、項目1から7のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
[項目9]
上記コマンドはベンダ固有コマンドである、項目1から8のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
[項目10]
上記コマンドは、ポストパッケージリペア(PPR)コマンドである、項目1から9のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
[項目11]
上記コマンドをそれ以降無効化しないようにするイベントが発生し、上記イベント発生後、上記モードレジスタが、上記コマンドが無効化されていないことを示す値に設定される、項目1から10のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
[項目12]
上記イベントは、上記メモリデバイスの電源サイクル、または、上記メモリデバイスのリセットである、項目11に記載のメモリデバイス。
[項目13]
メモリデバイスと、
上記メモリデバイスに対して、コマンドが無効化されているかどうかを示す値を保持するモードレジスタと、
上記コマンドのインスタンスを取得し、
上記モードレジスタが保持する上記値に基づいて、上記デバイス処理論理回路によって、上記コマンドの上記インスタンスが実行されるべきかどうか判定するための
デバイス処理論理回路と
を備える、コンピューティングデバイス。
[項目14]
上記モードレジスタおよび上記デバイス処理論理回路が上記メモリデバイスに含まれる、項目13に記載のコンピューティングデバイス。
[項目15]
上記コマンドのインスタンスを生成するためのメモリコントローラと、
上記メモリコントローラから上記メモリデバイスへと上記コマンドの上記インスタンスを転送するためのバスと、
を備える、項目13または14に記載のコンピューティングデバイス。
[項目16]
上記コマンドが無効化されていないと判定された場合に、上記デバイス処理論理回路が上記コマンドの上記インスタンスをさらに実行する、項目13から15のいずれか一項に記載のコンピューティングデバイス。
[項目17]
上記コマンドがポストパッケージリペア(PPR)コマンドである、項目13から16のいずれか一項に記載のコンピューティングデバイス。
[項目18]
上記デバイス処理論理回路がさらに、
第2のコマンドのインスタンスおよび値を取得し、
上記第2のコマンドの上記インスタンスを実行し、
上記第2のコマンドの上記インスタンスの上記実行が、上記モードレジスタ内での上記値の設定を含む、
項目13から17のいずれか一項に記載のコンピューティングデバイス。
[項目19]
1または複数のコンピュータ実行可能命令を実行するための処理論理回路と、
上記処理論理回路を上記メモリデバイスとインターフェースで接続するためのメモリコントローラと、
を含み、
上記処理論理回路によるコンピュータ実行可能命令の実行の結果、上記メモリコントローラが上記コマンドの上記インスタンスを生成する、
項目13から18のいずれか一項に記載のコンピューティングデバイス。
[項目20]
上記メモリデバイスの電源サイクルまたはリセットの結果、上記モードレジスタが、上記コマンドが無効化されていないことを示す値を含むようになる、項目13から19のいずれか一項に記載のコンピューティングデバイス。
[項目21]
メモリデバイスでコマンドのインスタンスを取得する段階と、
上記メモリデバイス内に含まれるモードレジスタのフィールドに保持される値に基づいて、上記コマンドの上記インスタンスが、上記メモリデバイスによって実行されるべきかどうか判定する段階と
を含み、
上記モードレジスタが、上記メモリデバイスの動作モードを指定するためのレジスタであり、上記メモリデバイスの電源サイクルまたはリセットが実行されるまで、上記値が上記フィールドに保持される方法。
[項目22]
メモリデバイスでコマンドのインスタンスを取得する手段と、
上記メモリデバイス内に含まれるモードレジスタのフィールドに保持される値に基づいて、上記コマンドの上記インスタンスが上記メモリデバイスによって実行されるべきかどうか判定するための手段と
を含み、
上記モードレジスタが、上記メモリデバイスの動作モードを指定するためのレジスタであり、
上記メモリデバイスの電源サイクルまたはリセットが実行されるまで、上記値は上記フィールドに保持される装置。
[項目23]
コマンドがメモリデバイスに対して無効化されているかどうかを示す値を保持するための手段と、
上記コマンドのインスタンスを取得するための手段と、
上記メモリデバイスに対し上記コマンドが無効化されているかどうかを示す上記値に基づいて、上記コマンドの上記インスタンスが実行されるべきかどうかを判定する手段と
を含む装置。
[項目24]
上記コマンドが無効化されていないと判定された場合に上記コマンドの上記インスタンスを実行するための手段をさらに含む、項目23に記載の装置。
[項目25]
上記コマンドが無効化されていると判定された場合に上記コマンドの上記インスタンスを実行しないための手段をさらに含む、項目23または24に記載の装置。
[項目26]
上記コマンドが、ベンダ固有コマンドであるか、または、ポストパッケージリペア(PPR)コマンドである、項目23から25のいずれか一項に記載の装置。
Claims (19)
- メモリデバイスであって、
メモリセルと、
ポスト・パッケージ・リペア(PPR)が前記メモリデバイスに対して無効化されているかどうかを示す値を含むモードレジスタと、
デバイス処理論理回路と
を備え、
前記デバイス処理論理回路が、
PPRを引き起こすコマンドを受信し、
前記モードレジスタに含まれる前記値に部分的に基づいて、前記コマンドの受信に応じて、前記メモリセルの一つ以上について前記PPRを選択的に引き起こすかまたは引き起こさないことであって、PPRが無効化されていることを前記モードレジスタに含まれる前記値が示すとの判定に部分的に基づいて、前記PPRを引き起こさず、PPRが無効化されていないことを前記モードレジスタに含まれる前記値が示すとの判定に部分的に基づいて、前記PPRを引き起こすことを行う、
メモリデバイス。 - 前記デバイス処理論理回路が、
PPRが無効化されていないことを前記モードレジスタ内の前記値が示すとの判定に部分的に基づいて、前記コマンドの受信に応じて、前記メモリセルの行を再マッピングする、
請求項1に記載のメモリデバイス。 - 前記デバイス処理論理回路が、
第2のコマンドおよび前記値を受信し、
前記第2のコマンドの受信に応じて、前記値を前記モードレジスタ内に記憶させる、
請求項1または請求項2に記載のメモリデバイス。 - 前記PPRを引き起こすコマンドはベンダ固有コマンドである、
請求項1から請求項3の何れか一項に記載のメモリデバイス。 - 前記PPRを引き起こすコマンドをそれ以降無効化させないイベントの発生に応じる形で、前記モードレジスタを、前記PPRを引き起こすコマンドが無効化されていないことを示す値に設定する、
請求項1から請求項4の何れか一項に記載のメモリデバイス。 - 前記イベントは、前記メモリデバイスの電源サイクル、または、前記メモリデバイスのリセットである、
請求項5に記載のメモリデバイス。 - 前記デバイス処理論理回路は、前記モードレジスタを含む、
請求項1から請求項6の何れか一項に記載のメモリデバイス。 - 前記メモリデバイスが、ダイナミックRAM(DRAM)デバイス、フラッシュメモリ・デバイス、スタティックRAM(SRAM)デバイス、ゼロキャパシタRAM(ZRAM)デバイス、ツイン・トランジスタRAM(TTRAM)デバイス、読み出し専用メモリ(ROM)デバイス、フェロエレクトリック・トランジスタRAM(FeTRAM)デバイス、磁気抵抗RAM(MRAM)デバイス、相転移メモリ(PCM)デバイス、PCM及びスイッチング(PCMS)デバイス、ナノワイヤベースのデバイス、抵抗RAM(RRAM(登録商標))デバイス、または電子的に消去可能なプログラマブルRAM(EEPROM)デバイスを備える、
請求項1から請求項7の何れか一項に記載のメモリデバイス。 - メモリデバイスであって、
メモリセルと、
ポスト・パッケージ・リペア(PPR)が前記メモリデバイスに対して無効化されているかどうかを示す値を含むモードレジスタと、
PPRを引き起こすコマンドを受信する手段と、
前記モードレジスタに含まれる前記値に部分的に基づいて、前記コマンドの受信に応じて、前記メモリセルの一つ以上についてPPRを選択的に引き起こすかまたは引き起こさない手段であって、PPRが無効化されていることを前記モードレジスタに含まれる前記値が示すとの判定に部分的に基づいて、前記PPRを引き起こさず、PPRが無効化されていないことを前記モードレジスタに含まれる前記値が示すとの判定に部分的に基づいて、前記PPRを引き起こす手段と、
を備えるメモリデバイス。 - PPRが無効化されていないことを前記モードレジスタ内の前記値が示すとの判定に部分的に基づいて、前記コマンドの受信に応じて、前記メモリセルの行を再マッピングする手段、
をさらに備える請求項9に記載のメモリデバイス。 - 第2のコマンドおよび前記値を受信する手段と、
前記第2のコマンドの受信に応じて、前記値を前記モードレジスタ内に記憶させる手段と、
をさらに備える請求項9または請求項10に記載のメモリデバイス。 - 前記PPRを引き起こすコマンドはベンダ固有コマンドである、
請求項9から請求項11の何れか一項に記載のメモリデバイス。 - 前記PPRを引き起こすコマンドをそれ以降無効化させないイベントの発生に応じる形で、前記モードレジスタを、前記PPRを引き起こすコマンドが無効化されていないことを示す値に設定する、
請求項9から請求項12の何れか一項に記載のメモリデバイス。 - 前記イベントは、前記メモリデバイスの電源サイクル、または、前記メモリデバイスのリセットである、
請求項13に記載のメモリデバイス。 - 前記メモリデバイスが、ダイナミックRAM(DRAM)デバイス、フラッシュメモリ・デバイス、スタティックRAM(SRAM)デバイス、ゼロキャパシタRAM(ZRAM)デバイス、ツイン・トランジスタRAM(TTRAM)デバイス、読み出し専用メモリ(ROM)デバイス、フェロエレクトリック・トランジスタRAM(FeTRAM)デバイス、磁気抵抗RAM(MRAM)デバイス、相転移メモリ(PCM)デバイス、PCM及びスイッチング(PCMS)デバイス、ナノワイヤベースのデバイス、抵抗RAM(RRAM(登録商標))デバイス、または電子的に消去可能なプログラマブルRAM(EEPROM)デバイスを備える、
請求項9から請求項14の何れか一項に記載のメモリデバイス。 - メモリコントローラと、
前記メモリコントローラと通信可能に結合されたメモリデバイスと、
を備えるシステムであって、
前記メモリデバイスは、
ポスト・パッケージ・リペア(PPR)が前記メモリデバイスに対して無効化されているかどうかを示す値を含むモードレジスタと、
デバイス処理論理回路と、
を有し、
前記デバイス処理論理回路は、
PPRを引き起こすコマンドを前記メモリコントローラから受信し、
前記モードレジスタに含まれる前記値に部分的に基づいて、前記コマンドの受信に応じて、前記PPRを選択的に引き起こすかまたは引き起こさないことであって、PPRが無効化されていることを前記モードレジスタに含まれる前記値が示すとの判定に部分的に基づいて、前記PPRを引き起こさず、PPRが無効化されていないことを前記モードレジスタに含まれる前記値が示すとの判定に部分的に基づいて、前記PPRを引き起こすことを行う、
システム。 - 前記メモリデバイスと通信可能に結合されたプロセッサをさらに備える、
請求項16に記載のシステム。 - 前記プロセッサは、前記メモリコントローラを含む、
請求項17に記載のシステム。 - 前記プロセッサと通信可能に結合されたディスプレイ装置をさらに備える、
請求項17または請求項18に記載のシステム。
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