CN103678027A - 存储器装置及其操作方法、控制方法和存储器控制器 - Google Patents

存储器装置及其操作方法、控制方法和存储器控制器 Download PDF

Info

Publication number
CN103678027A
CN103678027A CN201210546028.6A CN201210546028A CN103678027A CN 103678027 A CN103678027 A CN 103678027A CN 201210546028 A CN201210546028 A CN 201210546028A CN 103678027 A CN103678027 A CN 103678027A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ecc
error
data
storage arrangement
information
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201210546028.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103678027B (zh
Inventor
洪俊雄
何信义
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Macronix International Co Ltd
Original Assignee
Macronix International Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Macronix International Co Ltd filed Critical Macronix International Co Ltd
Publication of CN103678027A publication Critical patent/CN103678027A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103678027B publication Critical patent/CN103678027B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1076—Parity data used in redundant arrays of independent storages, e.g. in RAID systems
    • G06F11/1084—Degraded mode, e.g. caused by single or multiple storage removals or disk failures
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
    • G06F11/1048—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices using arrangements adapted for a specific error detection or correction feature
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/349—Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/38—Response verification devices
    • G11C29/42—Response verification devices using error correcting codes [ECC] or parity check
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/44—Indication or identification of errors, e.g. for repair
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C2029/0409—Online test
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C2029/0411—Online error correction

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Detection And Correction Of Errors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种存储器装置及其操作方法，存储器装置储存关于对应数据的错误校正码ECC并包括ECC逻辑以通过使用错误校正码ECC来校正错误。此方法包括通过使用错误校正码ECC而校正存储器装置上的数据，并产生存储器装置上的ECC信息，ECC信息关于错误校正码ECC的使用。此方法因应于从存储器装置外部的一过程而在一输入端口上被接收的一命令，在装置的一输出端口上提供ECC信息。本发明亦提供一种存储器装置的控制方法。此方法包括传送一命令至请求对应于存储器装置中的数据的ECC信息的存储器装置，并因应于此命令接收来自存储器装置的ECC信息。此方法包括通过使用ECC信息来执行一存储器管理功能。

Description

存储器装置及其操作方法、控制方法和存储器控制器
技术领域
本发明是有关于包括错误校正码(ECC)逻辑的存储器装置及其操作方法、控制方法和存储器控制器。
背景技术
用于集成电路存储器的存储器技术逐渐发展越来越小的技术节点，且逐渐部署在单一集成电路上的越来越大的存储器阵列。当关于存储器单元的技术发展时，用于感测数据的容限(margin)会变得更严格。又，存储器单元保留以存储器单元状态的扰动(由存储器单元及邻近存储器单元高速及高容积存取所导致的)的形式存在的数据数值的能力，可能受限于更严格的容限。
为了处理像那些起因于更严格的容限及存储器单元扰动的关键问题，当这些技术按大小及密度的缩放时，嵌入于集成电路存储器的错误校正码(ECC)的使用已变得更普及。除了校正一存储器装置中的错误存储器位以外，可能在校正的过程中产生的ECC信息可能用于存储器管理功能。存储器管理功能可包括故障区块管理(bad block management)、重新映像(re-mapping)、更新(refreshing)以及耗损均衡(wear leveling)。
举例而言，一存储器控制器可根据是否针对关于此页的ECC信息来更新存储器装置中的某一页来作出决定。然而，当校正错误存储器位的ECC逻辑被嵌入至集成电路存储器中时，集成电路存储器外部的存储器控制器并不容易取得ECC信息。经错误校正码ECC校正的数据仅并不包括ECC信息，例如哪个位已被校正或多少位已被校正。因此，在只有经错误校正码ECC校正的数据被提供给存储器控制器的环境中，无法取得关于可被使用在存储器管理功能中的错误校正码ECC的使用所需要的信息。
理想上是可提供一种解决方法以提供ECC信息给集成电路存储器外部的一存储器控制器，以使存储器控制器可执行具有需要的ECC信息的存储器管理功能。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种存储器装置的操作方法，存储器装置储存关于对应数据的错误校正码ECC，并包括ECC逻辑以通过使用错误校正码ECC来校正错误。此方法包括通过使用错误校正码ECC而校正存储器装置上的数据，并产生存储器装置上的ECC信息，ECC信息关于错误校正码ECC。此方法因应于从存储器装置外部的一过程而在一输入端口上被接收的一命令，在装置的一输出端口上提供ECC信息。本发明亦提供一种存储器装置的控制方法。此方法包括传送一命令至请求对应于存储器装置中的数据的ECC信息的存储器装置，并因应于此命令接收来自存储器装置的ECC信息。此方法包括通过使用ECC信息来执行一存储器管理功能。
本发明的其他实施样态及优点可在图式、详细说明与随附的权利要求范围的检阅时被看到。
附图说明
图1为显示依据已知技术的存储器装置(具有内部ECC逻辑)外部的主机系统的简化图。
图2为显示存储器装置外部的主机系统的简化图，于此存储器装置提供经错误校正码ECC校正的数据连同对应的ECC信息。
图3为显示存储器装置外部的主机系统的简化图，于此存储器装置提供不具有对应的经错误校正码ECC校正的数据的ECC信息。
图4为显示与提供ECC信息相关的存储器装置的操作方法的流程图。
图5为显示与接收ECC信息相关的存储器的控制方法的流程图。
图6为存储器装置的方块图，存储器装置因应于在输入端口上所接收的命令来提供ECC信息。
图7A显示依据已知技术的例示命令表。
图7B显示在本技术的一个实施例中的例示新命令表。
图8为例示计算机系统的方块图。
图9为显示通过使用ECC信息的读取扰动的管理的流程图。
【主要元件符号说明】
E0H、E8H、38H、39H：第二循环
00H、0DH、3CH、3CH、05H、08H、34H：第一循环
30H：第二循环
31H：第二循环
110：主机系统
120：存储器装置
130：读取命令
140：经错误校正码ECC校正的数据
212：主机系统
222：存储器装置
232：命令
242：经错误校正码ECC校正的数据
332：命令
342：ECC信息
410-450：步骤
450：经错误校正码ECC校正的数据
510-540：步骤
600：存储器装置
601：输入/输出端口
602：控制端口
603：扩充命令译码器
604：列译码器(X-译码器)
605：行选择器(Y-选择器)
606：感测放大器
610：控制器
612：控制信号
640：ECC逻辑
645：ECC信息
690：存储器阵列
710：例示命令表
720：表格
810：计算机系统
812：总线子系统
814：ECC快闪管理
816：处理器
818：网络接口子系统
820：用户接口输出装置
822：用户接口输入设备
824：储存子系统
826：存储器
828：ECC/ECC信息
830：主随机存取存储器(RAM)
832：只读存储器(ROM)
910-980：步骤
具体实施方式
参考图1至图9提供本发明的实施例的详细说明。
如于本发明所使用的，一位为存储器阵列中的数字数据的基本单位。一位可能只具有两个可能的数值：数位一(1)或零(0)。一字节为存储器阵列中的数字数据的一单位。一字节可包括多重的位，例如8个位。一个字为存储器阵列中的数字数据的一单位。一个字可包括多重的字节，例如对应于32位或64位的4个字节或8个字节，如果一字节具有8个位的话。一页为数据的基本组，其储存于存储器阵列中，存储器阵列被配置成因应于单一读取命令而被读取。一页可具有一固定大小，例如2,112个字节，于此每个字节具有8个位。一区块为储存于存储器阵列的一区段或段中的一组数据，于此区块可能是一页、多页或其他大小的数据。此区块可具有依据被应用的存储器管理过程，而非依据因应于单一读取命令来读取数据的大小所选择的大小。
图1为显示依据已知技术的一存储器装置120外部的一主机系统110的简化图。存储器装置120储存关于对应数据的错误校正码ECC，并包括ECC逻辑以通过使用错误校正码ECC来校正错误。主机系统110包括使用一命令集(例如向存储器装置120请求经错误校正码ECC校正的数据的一读取命令130)的程序或其他逻辑。存储器装置120因应于读取命令130提供经错误校正码ECC校正的数据140给主机系统110。然而，主机系统110并未要求，且存储器装置120并未提供可能在通过存储器装置120内部的ECC逻辑来校正错误位的过程中所产生的ECC信息。因此，主机系统110并不能够使用ECC信息以通过使用ECC信息来执行存储器管理功能，例如故障区块管理、重新映射、更新以及耗损均衡。
图2为显示如于此所说明的一存储器装置222外部的一主机系统212的简化图。存储器装置222储存关于对应数据的错误校正码ECC，并包括ECC逻辑以通过使用错误校正码ECC来校正错误。主机系统212包括程序或其他逻辑，其使用一扩充命令集，例如向存储器装置222要求经错误校正码ECC校正的数据的在附图中标示为″ECC读取″的命令232连同例如被读取数据中的校正的错误的数目的一计数的ECC信息。存储器装置222因应于命令232提供经错误校正码ECC校正的数据242连同请求的ECC信息给主机系统212。因此，主机系统212是使人们能使用ECC信息，以通过使用ECC信息来执行存储器管理功能，例如故障区块管理、重新映射、更新以及耗损均衡。为了支持这个扩充命令集，存储器装置222包括逻辑以监视ECC逻辑功能并搜集待被主机使用的ECC信息(例如错误计数或其他统计)。
可通过监视ECC逻辑而被搜集的错误校正码ECC统计的例子包括在对应数据中的ECC侦测的单一位错误的计数、ECC侦测的多位错误的计数、ECC侦测的固定位(stuck bit)错误的计数、侦测的重复错误的计数、ECC侦测的非重复错误的计数、ECC侦测的列故障的计数以及ECC侦测的行故障的计数。ECC统计可包括在对应数据中的ECC校正的单一位错误的计数、ECC校正的多位错误的计数、ECC校正的重复错误的计数、ECC校正的非重复错误的计数、通过ECC不可校正的错误的计数。
存储器装置222上的ECC逻辑可支持任何适当的ECC机制。代表的ECC机制包括汉明码、扩充汉明码、多维度奇偶检查码、里德所罗门码(Reed-Solomon code)、BCH码(Bose-Chaudhuri-Hocquenghem)、涡轮码以及低密度奇偶检查码。与一特定数据集相关的错误校正码ECC的长度取决于3个因素：(1)ECC机制；(2)最大的校正位计数；(3)一页的数据长度。BCH码为可以校正多重位错误的循环的一类的错误校正码。举例而言，为了提供在8千位的数据的一页中的40位的最大的校正位计数，BCH ECC码的长度为560位。关于另一例子，为了提供在8千位页中的24位的最大的校正位计数，BCH ECC码的长度为336位。
图3为显示一存储器装置222外部的一主机系统212(像图2中的那些)的简化图，且于其中相同的元件具有相同的参考数字且不再说明。命令332可请求ECC信息342，而存储器装置222可提供不具有对应的经ECC校正的数据的ECC信息342。
图4为显示与提供ECC信息相关的一存储器装置的操作方法的流程图。此流程图显示由与提供ECC信息相关的存储器装置所执行的步骤。存储器装置储存关于对应数据的错误校正码ECC并包括ECC逻辑以通过使用错误校正码ECC来校正错误。一第一步骤包括接收来自存储器装置(410)外部的一过程的在一输入端口上被接收的一命令。一第二步骤包括通过使用错误校正码ECC而校正存储器装置(420)上的数据。此数据可能通过被存储器装置所接收与一随机读取中的命令协调的地址，或通过在一序列读取中由一地址计数器所产生的地址而被寻址。一第三步骤包括产生关于错误校正码ECC的使用的在存储器装置上的信息(430)。第二步骤包括校正数据，而包括产生ECC信息的第三步骤可能因应于此命令被执行。一第四步骤包括因应于来自存储器装置(440)外部的一过程而在一输入端口上被接收的命令，提供在存储器装置的一输出端口上的ECC信息。此命令请求由对应于数据的ECC逻辑所产生的ECC信息。如果命令请求除了ECC信息以外的经错误校正码ECC校正的数据，则一第五步骤包括提供经错误校正码ECC校正的数据(450)。
错误校正码ECC是与数据的对应的ECC页相关，且关于错误校正码ECC的使用的信息包括通过使用错误校正码ECC而为一对应的ECC页所校正的位数的一计数。
此命令可能是一读取命令，用于读取与至少一错误校正码ECC(用于侦测并校正数据的区块中的错误)相关的数据的一区块。此命令可能是一读取命令，用于读取每个与至少一错误校正码ECC(用于侦测并校正在数据的相关区块中的错误)相关的多重区块数据。
ECC信息可包括关于来自通过使用错误校正码ECC对对应数据执行ECC逻辑的结果的ECC统计。ECC统计的例子是结合图2被说明。ECC信息可能储存于存储器装置上的一缓存器。命令可能是一读取命令，用于读取储存于缓存器中的ECC信息。
图5为显示与接收ECC信息相关的存储器的控制方法的流程图。一第一步骤包括传送一命令至一存储器装置，其请求对应于存储器装置中的数据的ECC信息(510)。存储器装置储存关于对应数据的错误校正码ECC，并包括ECC逻辑以通过使用错误校正码ECC来校正错误。命令可请求除了ECC信息以外的经错误校正码ECC校正的数据。一第二步骤包括因应于此命令接收来自存储器装置的ECC信息(520)。如果命令请求经错误校正码ECC校正的数据，则一第三步骤包括接收除了ECC信息以外的经错误校正码ECC校正的数据(530)。一第四步骤包括通过使用ECC信息来执行一存储器管理功能(540)。
此命令可能是一读取命令，用于读取与至少一错误校正码ECC(用于侦测并校正在数据的区块中的错误)相关的数据的一区块。ECC信息可包括关于来自通过使用错误校正码ECC对对应数据执行ECC逻辑的结果的ECC统计。存储器装置可能是集成电路。此方法可能在与存储器装置连通的一个别的集成电路中被实施。此方法可能通过使用由与存储器装置连通的一处理器所执行的一计算机程序而被实施。
通过使用ECC信息的存储器管理功能可包括将存储器装置的实体地址映像至由一主机处理器的一操作系统所使用的逻辑地址，将于逻辑地址的一范围下的数据从一第一范围的实体地址复制至一第二范围的实体地址，利用错误位的数目在多个区块的数据上加标记，侦测具有大于一阈值的错误位的数目的数据的区块，或选择用于写入新数据的一区块。通过使用ECC信息的存储器管理功能可能用于例如故障区块管理、重新映像、更新以及耗损均衡的任务。
图6为包括储存关于对应数据的错误校正码ECC的一存储器阵列690的一存储器装置600的方块图。存储器装置600亦包括ECC逻辑640及一控制器610，ECC逻辑640通过使用错误校正码ECC来侦测并校正对应数据中的错误，而控制器610耦接至存储器阵列690与ECC逻辑640。控制器610包括耦接至存储器阵列690与ECC逻辑640的控制逻辑，用于因应于存储器装置600的一输入端口上的一命令，提供ECC信息645给存储器装置的一输出端口上的对应数据。存储器装置600中的数据的一区块是与至少一错误校正码ECC相关。
存储器装置600包括一输入/输出端口601以及一控制端口602。控制端口602包括接收与外部装置连通的控制信号612的电路，包括例如芯片致能信号、读取致能信号、写入致能信号、命令致能信号、地址致能信号、时钟脉冲信号等的控制信号。依据于控制端口602所接收的控制信号612的数值，输入/输出端口601作为存储器装置600的输入端口或输出端口。输入/输出端口601包括接收输入信号并传输输出信号的电路。输入信号可包括命令信号、地址信号以及输入数据信号。输出信号可包括ECC信息与经错误校正码ECC校正的数据。
除了ECC信息以外，控制逻辑提供在存储器装置600的一输出端口上的经错误校正码ECC校正的数据。控制逻辑可使ECC逻辑因应于命令而产生除了ECC信息以外的校正数据。错误校正码ECC是与数据的对应的ECC页相关，且关于错误校正码ECC的使用的信息包括通过使用错误校正码ECC而为一对应的ECC页所校正的位数的一计数。
存储器装置600的输入端口上的命令可能是一读取命令，用于读取与至少一错误校正码ECC(用于侦测并校正在数据的区块中的错误)相关的数据的一区块。此命令亦可以是一读取命令，用于读取每个与至少一错误校正码ECC(用于侦测并校正在数据的相关区块中的错误)相关的数据的多重区块。
控制逻辑可更包括逻辑，用于将ECC信息储存在存储器装置上的一缓存器中。命令可能是一读取命令，用于读取在缓存器中的ECC信息。
一扩充命令译码器603被耦接至输入/输出端口601与控制端口602，控制端口602侦测并导致用于操作存储器装置600的命令(包括读取命令及写入命令)的执行。在某些技术中，写入命令被称为，或可包括编程及擦除命令。扩充命令译码器603因而与一列译码器(X-译码器)604及一行选择器(Y-选择器)605耦接，以供存取至存储器阵列690。感测放大器606是经由行选择器605耦接至存储器阵列690。
控制器610可包括一个或多个状态机、缓存器档案以及其他被部署以执行存储器的功能(包括读取及写入功能)的逻辑电路。控制器610可通过使用一个或多个专用的逻辑电路、可编程门阵列电路、具有相关软件的一可编程处理器或这些型式的电路的组合而被实施。在某些实施例中，部分控制器功能可在譬如与存储器控制器或一主机处理器相关的硬件或软件中被实施的存储器装置600。
于此例子中，存储器装置600亦包括显示成与输入/输出端口601耦接的ECC逻辑640与ECC信息645。在一写入操作期间，寻址存储器阵列690中的数据的一区块，ECC逻辑640计算与数据的区块有关联的待储存的一ECC码。在一读取操作期间，寻址存储器阵列690中的数据的一区块，来自被寻址区块与供区块用的储存的ECC码的数据是从存储器阵列690被读取。ECC逻辑640侦测数据的被寻址区块是否包括任何错误，以及侦测到的错误是否可被校正。在一既定实施例中，错误的数目以及错误是否可在数据的错误检查区块中被校正，是取决于所利用的ECC码的型式。如果错误可被校正，则来自ECC逻辑640的校正数据可能与来自被寻址区块的数据结合，并被提供作为输出。
图7A显示包括嵌入式ECC逻辑，提供经错误校正码ECC校正的数据，而非提供关于错误校正码ECC的使用的ECC信息的一例示已知技术存储器装置的一例示命令表710。此表被说明于此，不仅作为本发明的限制，而且作为与图7B相关所说明的本发明的新命令的对比。
例示命令表710包括三个读取命令以从一存储器装置当中读取数据。每个命令包括一第一循环且可包括一第二循环，第一循环包括两个十六近制数字，而第二循环包括两个其他十六近制数字。第一读取命令为″读取模式(Read Mode)″，其包括一第一循环00H及一第二循环30H，于此H表示十六近制数值。在操作中，一存储器控制器将第一读取命令的第一循环00H依序传送至存储器装置、列及行地址以及第二循环30H。当存储器装置在确认第二循环30H之后准备就绪时，存储器控制器可依序读出来自存储器装置的数据。
第二读取命令为″随机数据输出(Random Data Output)″，其包括一第一循环05H及一第二循环E0H。在操作中，存储器控制器将第二读取命令的第一循环05H依序传送至存储器装置、行地址以及第二循环E0H。当存储器装置在确认第二循环E0H之后准备就绪时，存储器控制器可随机读出来自存储器装置的一页之内的数据。
第三读取命令为与″快取读取结束(Cache Read End)″相关联的″快取读取开始(Cache Read Begin)″。″快取读取开始″命令包括一第一循环00H及一第二循环31H。″快取读取结束″命令包括一第一循环34H而不具有一第二循环。在操作中，存储器控制器将第一循环00H依序传送至存储器装置、供开始页选择用的列及行地址以及第二循环31H。当存储器装置在确认第二循环31H之后准备就绪时，存储器控制器可以为多页而有顺序地读出来自存储器装置的数据。存储器控制器传送″快取读取结束″命令的第一循环34H以结束快取读取操作。
然而，上述具有三个命令的存储器装置的数据读出并不包括对应于通过嵌入在存储器装置中的ECC逻辑而执行的任何操作的ECC信息。如此，存储器控制器基于关于对于此页的错误校正码ECC的使用的ECC信息，无法执行包括故障区块管理、重新映射、更新、耗损均衡等的任何存储器管理功能，其乃因为ECC信息并非是存储器控制器可容易取得的。
图7B显示在本技术的一个实施例中，关于包括嵌入式ECC逻辑并提供关于错误校正码ECC的使用的ECC信息给存储器装置外部的装置的一例示存储器装置的新命令的一表格720。表格720中的每个命令是在一输入/输出端口(例如在图6中所说明的存储器装置600的输入/输出端口601)上被接收。新命令的表格720包括三个读取命令以向储存关于对应数据的错误校正码ECC的一存储器装置请求ECC信息。三个读取命令是供从存储器装置读出数据的三种不同的情况用。每个命令包括一第一循环且可包括一第二循环，第一循环包括两个十六近制数字，而第二循环包括两个其他十六近制数字。关于新命令的数值是由存储器装置所支持的一相同命令集中的其他命令所特有的。表格720中的数值是只为了图例目的，且并未限制本发明。又，此命令并未受限于一第一循环及一第二循环。对实施本发明的一特定的存储器装置而言，关于每个命令，每循环可能有一个或多个循环及/或一个或多个二进制/十六近制数字。
存储器装置因应于一读取命令(例如关于本发明而于此所说明的那些命令)来提供ECC信息。ECC信息是通过对应于存储器装置中的数据的ECC逻辑而产生。ECC信息包括一些位，例如64位。ECC信息可包括对应于数据的区块的经错误校正码ECC校正的位的计数，且计数可能储存于对应于数据的区块的缓存器中。存储器装置可提供具有ECC信息的经错误校正码ECC校正的数据。
第一读取命令为″ECC读取模式″，其包括一第一循环08H及一第二循环38H。在操作中，一存储器控制器将第一读取命令的第一循环08H依序传送至存储器装置、列及行地址以及第二循环38H。当存储器装置在确认第二循环38H之后准备就绪时，存储器控制器可有顺序地读出来自存储器装置的ECC信息(可选择地具有经错误校正码ECC校正的数据)。
第二读取命令为″ECC随机数据输出″，其包括一第一循环0DH及一第二循环E8H。在操作中，存储器控制器将第二读取命令的第一循环0DH依序传送至存储器装置、行地址以及第二循环E8H。当存储器装置在确认第二循环E8H之后准备就绪时，存储器控制器可随机地读出来自存储器装置的一页之内的ECC信息(可选择地具有经错误校正码ECC校正的数据)。
第三读取命令为与“ECC快取读取结束”相关联的“ECC快取读取开始”。“ECC快取读取开始”命令包括一第一循环08H及一第二循环39H。″ECC快取读取结束″命令包括一第一循环3CH而不具有一第二循环。在操作中，存储器控制器将第一循环08H依序传送至存储器装置、供开始页选择用的列及行地址以及第二循环39H。当存储器装置在确认第二循环39H之后准备就绪时，存储器控制器可为多页依序读出来自存储器装置的ECC信息(可选择地具有经错误校正码ECC校正的数据)。存储器控制器传送″ECC快取读取结束″命令的第一循环3CH以结束ECC快取读取操作。
图8为依据一个实施例的一例示计算机系统的方块图。计算机系统810一般包括至少一处理器816，其经由总线子系统812与一些周边装置相通。这些周边装置可包括一储存子系统824(包括譬如存储器装置及具有ECC/ECC信息828的一闪存)、用户接口输入设备822、用户接口输出装置820以及一网络接口子系统818。输入及输出装置允许用户与计算机系统810交互作用。网络接口子系统818提供一接口给外部网络。
用户接口输入设备822可包括一键盘；指向装置，例如一鼠标、轨迹球、触摸板或绘图板；一扫描仪；并入显示器的一触控屏幕；音频输入设备，例如语音识别系统及麦克风；以及其他型式的输入设备。一般而言，专门用语″输入设备″的使用是意图包括所有可能型式的装置以及输入信息进入计算机系统810中的方法。
用户接口输出装置820可包括一显示子系统、一打印机、一传真机或例如音频输出装置的非视觉显示器。显示子系统可包括一阴极射线管(CRT)、一平板装置，例如一液晶显示器(LCD)、一投影装置或用于建立一看得见的影像的某些其他机构。显示子系统亦可例如经由音频输出装置提供一非视觉显示器。一般而言，专门用语″输出装置″的使用是意图包括所有可能型式的装置，以及从计算机系统810输出信息至用户或至另一个机器或计算机系统的方法。
储存子系统824储存程序设计及数据构成，其提供于此所说明的某些或所有模块及方法的功能性。这些软件模块通常由处理器816单独或与其他处理器结合来执行。
使用于储存子系统824中的存储器826可包括一些存储器，其包括：一主随机存取存储器(RAM)830，其供指令与数据在程序执行期间的储存用；以及一只读存储器(ROM)832，其中储存固定指令。储存子系统824可为程序及数据文件提供持久的储存，且可包括一硬式磁盘驱动器、一软式磁盘驱动器连同相关的可移除媒体、一CD-ROM驱动器、一光驱或可移除媒体卡匣。实施某些实施例的功能性的模块可能储存于储存子系统824中，或储存于由处理器容易接达的其他机器中。
计算机系统810可包括一个具有ECC快闪管理814的存储器控制器，ECC快闪管理814包括使用一扩充命令集的程序或其他逻辑。扩充命令集包括一命令，以向具有ECC/ECC信息828连同ECC信息(例如被读取的数据中的校正错误的数目的一计数)的闪存请求经错误校正码ECC校正的数据。具有ECC/ECC信息828的闪存因应于此命令，提供经错误校正码ECC校正的数据连同请求的ECC信息给具有ECC快闪管理814的存储器控制器。因此，允许具有ECC快闪管理814的存储器控制器使用ECC信息，以通过使用ECC信息来执行存储器管理功能(例如故障区块管理、重新映射、更新以及耗损均衡)。为了支持扩充命令集，具有ECC/ECC信息828的闪存包括逻辑以监视ECC逻辑功能并搜集待被具有ECC快闪管理814的存储器控制器所使用的ECC信息(例如错误计数或其他统计)。
总线子系统812提供一种用于让计算机系统810的各种元件与子系统如预期的彼此通信的机制。虽然总线子系统812是概要显示为单一总线，但总线子系统的替代实施例可使用多重总线。
计算机系统810可以是属于变化型式，包括一工作站、服务器、计算丛集、刀锋服务器、服务器农场(server farm)或任何其他数据处理系统或计算装置。由于计算机及网络的千变万化的本质，在图8中所描绘出的计算机系统810的说明是只意图作为一个例子。计算机系统810的多数其他的组态是可能具有比在图8中所描绘出的计算机系统更多或更少的元件。
图9为显示使用ECC信息的读取扰动的管理的流程图。一存储器装置包括多个数据的页的区块。当一区块中的某些页上的数据的重复读取导致相同区块中的未被选取的页的数据损失时，发生读取扰动。一主机系统(例如与图2或图3相关所说明的主机系统212)通过使用ECC信息来控制用于管理读取扰动的流程。于步骤910，此流程获得一特定页上的读取计数。于步骤920，此流程比较获得的读取计数与一读取计数阈值。于步骤930，如果读取计数超过读取计数阈值，则此流程传送一命令至要求对应于此页的ECC信息的存储器装置。于步骤940，此流程因应于此命令接收来自存储器装置的ECC信息。举例而言，ECC信息可包括此页中的经错误校正码ECC校正的错误位的数目。于步骤950，此流程比较经错误校正码ECC校正的错误位的接收到的数目与一ECC错误阈值。于步骤955，如果经错误校正码ECC校正的错误位的数目小于ECC错误阈值，则关于此页的读取计数被减少了读取计数阈值。如果经错误校正码ECC校正的错误位的数目大于ECC错误阈值，则此流程通过将此页上的数据复制至一不同的实体位置而接着针对此页执行一更新过程。于步骤960，此流程传送一命令以读取来自目前页的数据。于步骤970，此流程接收来自目前区块的页。于步骤980，此流程传送一命令至存储器装置以写入数据至存储器装置的另一个实体区块。在操作期间，可能为存储器装置中的每个页重复此流程。
本发明提供一种存储器装置的操作方法，存储器装置储存关于对应数据的错误校正码ECC，并包括ECC逻辑以通过使用错误校正码ECC来校正错误。此方法包括通过使用错误校正码ECC而校正存储器装置上的数据，并产生关于错误校正码ECC的使用的存储器装置上的信息。此方法因应于从存储器装置外部的一过程而在一输入端口上被接收的一命令，提供装置的一输出端口上的ECC信息。
进一步的实施方式更提供以下特征。在一些实施例中，此方法提供除了该ECC信息以外的该装置的该输出端口上的该经错误校正码ECC校正的数据。此方法包括根据命令执行校正信息及产出信息。
这些错误校正码ECC是与数据的对应的ECC页相关，且关于该错误校正码ECC的使用的信息包括通过使用该错误校正码ECC而校正一对应的ECC页的位数的一计数。该ECC信息包括关于来自通过使用错误校正码ECC对对应数据执行该ECC逻辑的结果的ECC统计。
该命令为一读取命令，用于读取与至少一错误校正码ECC相关的数据的一区块，该至少一错误校正码ECC用于侦测并校正在数据的该区块中的错误。该命令为一读取命令，用于读取与至少一错误校正码ECC相关的数据的一区块，该至少一错误校正码ECC用于侦测并校正在数据的该区块中的错误。
该命令为一读取命令，用于读取在该缓存器中的该ECC信息。该命令为一读取命令，用于读取该缓存器中的该ECC信息。
本发明更提供一种存储器装置的控制方法。此方法包括传送一命令至该存储器装置，其请求对应于该存储器装置中的数据的ECC信息，该存储器装置储存关于该对应数据的多个错误校正码ECC，并包括ECC逻辑以通过使用这些错误校正码ECC来校正错误。此方法包括因应于该命令，接收来自该存储器装置的该ECC信息。此方法包括通过使用该ECC信息执行一存储器管理功能。
进一步的实施方式更提供以下特征。在一些实施例中，此方法包括接收除了该ECC信息以外的经错误校正码ECC校正的数据。该ECC信息包括关于来自通过使用错误校正码ECC对对应数据执行该ECC逻辑的结果的ECC统计。该命令为一读取命令，用于读取与至少一错误校正码ECC相关的数据的一区块，该至少一错误校正码ECC用于侦测并校正在数据的该区块中的错误。该命令为一读取命令，用于读取每个与至少一错误校正码ECC相关的数据的多重区块，该至少一错误校正码ECC用于侦测并校正在数据的相关区块中的错误。
该存储器控制器是在与该存储器装置连通的一个别的集成电路中被实施。该存储器控制器是通过使用由与该存储器装置连通的一处理器所执行的一计算机程序而被实施。
该存储器管理功能包括将该存储器装置的多个实体地址映像至由一主机处理器的一操作系统所使用的多个逻辑地址。将于逻辑地址的一范围下的数据从一第一范围的实体地址复制至一第二范围的实体地址。利用错误位的数目在多个区块的数据上加标记。侦测具有大于一阈值的错误位的数目的数据的多个区块。
本发明提供一种一种存储器装置，包括一存储器阵列、ECC逻辑及控制逻辑。存储器阵列储存数据及关于对应数据的多个错误校正码ECC。ECC逻辑用于通过使用这些错误校正码ECC来侦测并校正在该对应数据中的错误。控制逻辑耦接至该存储器阵列与该ECC逻辑，以因应于该装置的一输入端口上的一命令，提供关于该存储器装置的一输出端口上的对应数据的ECC信息。
进一步的实施方式更提供以下特征。在一些实施例中，该控制逻辑提供除了该ECC信息以外的该装置的该输出端口上的经错误校正码ECC校正的数据，其中该输出端口包括多个电路，其传送多个输出信号，该些输出信号包括该ECC信息与该经错误校正码ECC校正的数据。该控制逻辑允许该ECC逻辑因应于该命令来产生除了该ECC信息以外的校正数据。
这些错误校正码ECC是与数据的对应的ECC页相关，而关于该错误校正码ECC的使用的信息包括通过使用该错误校正码ECC而对一对应的ECC页校正的位数的一计数。该ECC信息包括关于来自通过使用错误校正码ECC对对应数据执行该ECC逻辑的结果的ECC统计。
该命令为一读取命令，用于读取每个与至少一错误校正码ECC相关的数据的多重区块，该至少一错误校正码ECC用于侦测并校正在数据的相关区块中的错误。该命令为一读取命令，用于读取与至少一错误校正码ECC相关的数据的一区块，该至少一错误校正码ECC用于侦测并校正在数据的该区块中的错误。
该控制逻辑更包括逻辑，用于将ECC信息储存在该存储器装置上的一缓存器中。该命令为一读取命令，用于读取在该缓存器中的该ECC信息。
本发明提供一种存储器控制器，包括传送一命令至一存储器装置的逻辑，该存储器装置请求对应于该存储器装置中的数据的ECC信息。因应于该命令接收来自该存储器装置的该ECC信息的逻辑。通过使用该ECC信息执行一存储器管理功能的逻辑。应用包括该命令的一命令集的逻辑。
进一步的实施方式更提供以下特征。在一些实施例中，存储器控制器包括接收具有该ECC信息的经错误校正码ECC校正的数据的逻辑。该ECC信息包括关于来自通过使用错误校正码ECC对对应数据执行该ECC逻辑的结果的ECC统计。
该命令为一读取命令，用于读取与至少一错误校正码ECC相关的数据的一区块，该至少一错误校正码ECC可取得以侦测并校正在数据的该区块中的错误。该命令为一读取命令，用于读取与至少一错误校正码ECC相关的数据的一区块，该至少一错误校正码ECC用于侦测并校正在数据的该区块中的错误。
该存储器装置为一集成电路，而该存储器控制器是在与该存储器装置连通的一个别的集成电路中被实施。该存储器控制器是通过使用由与该存储器装置连通的一处理器所执行的一计算机程序而被实施。
该存储器管理功能包括将该存储器装置的多个实体地址映像至由一主机处理器的一操作系统所使用的多个逻辑地址。将于逻辑地址的一范围下的数据从一第一范围的实体地址复制至一第二范围的实体地址。利用错误位的数目在多个区块的数据上加标记。侦测具有大于一阈值的错误位的数目的数据的多个区块。
虽然参考上述的较佳实施例及例子揭露了本发明，但吾人应理解到这些例子是意图提供例示意义而非限制意义。吾人考虑到熟习本项技艺者将轻易想到修改及组合，其中这些修改及组合将落在随附权利要求范围的发明及范畴的精神之内。

Claims (20)

1.一种存储器装置的操作方法，该存储器装置储存关于对应数据的错误校正码ECC并包括ECC逻辑以通过使用这些错误校正码ECC来校正错误，该操作方法包括：
通过使用这些错误校正码ECC而校正该存储器装置上的该数据；
产生该存储器装置上的ECC信息，该ECC信息关于这些错误校正码ECC的使用；以及
因应于从该存储器装置外部的一过程而在一输入端口上被接收的一命令，在该装置的一输出端口上提供该ECC信息；
其中该ECC信息包括关于来自通过使用这些错误校正码ECC对对应数据执行该ECC逻辑的结果的ECC统计。
2.根据权利要求1所述的方法，包括：提供除了该ECC信息以外的该装置的该输出端口上的经该错误校正码ECC校正的数据。
3.根据权利要求1所述的方法，这些错误校正码ECC是与数据的对应的ECC页相关，且关于这些错误校正码ECC的使用的信息包括通过使用这些错误校正码ECC而校正一对应的ECC页的位数的一计数。
4.根据权利要求1所述的方法，其中该命令为一读取命令，用于读取与至少一错误校正码ECC相关的数据的一区块，该至少一错误校正码ECC用于侦测并校正在数据的该区块中的错误。
5.一种存储器装置的控制方法，包括：
传送一命令至该存储器装置，其请求对应于该存储器装置中的数据的ECC信息，该存储器装置储存关于该对应数据的多个错误校正码ECC，并包括ECC逻辑以通过使用这些错误校正码ECC来校正错误；
因应于该命令，接收来自该存储器装置的该ECC信息；以及
通过使用该ECC信息执行一存储器管理功能；
其中该ECC信息包括关于来自通过使用这些错误校正码ECC对对应数据执行该ECC逻辑的结果的ECC统计。
6.根据权利要求5所述的方法，包括接收除了该ECC信息以外的经这些错误校正码ECC校正的数据。
7.根据权利要求5所述的方法，其中该命令为一读取命令，用于读取与至少一错误校正码ECC相关的数据的一区块，该至少一错误校正码ECC用于侦测并校正在数据的该区块中的错误。
8.根据权利要求5所述的方法，其中该存储器装置为一集成电路，而该方法是在与该存储器装置连通的一个别的集成电路中被实施。
9.根据权利要求5所述的方法，其中该方法是通过使用由与该存储器装置连通的一处理器所执行的一计算机程序而被实施。
10.根据权利要求5所述的方法，其中该存储器管理功能包括：侦测具有大于一阈值的错误位的数目的数据的多个区块。
11.一种存储器装置，包括：
一存储器阵列，储存数据及关于对应数据的多个错误校正码ECC；
ECC逻辑，用于通过使用这些错误校正码ECC来侦测并校正在该对应数据中的错误；以及
控制逻辑，耦接至该存储器阵列与该ECC逻辑，以因应于该装置的一输入端口上的一命令，提供关于该存储器装置的一输出端口上的对应数据的ECC信息；
其中该ECC信息包括关于来自通过使用这些错误校正码ECC对对应数据执行该ECC逻辑的结果的ECC统计。
12.根据权利要求11所述的装置，其中该控制逻辑提供除了该ECC信息以外的该装置的该输出端口上的经这些错误校正码ECC校正的数据，其中该输出端口包括多个电路，其传送多个输出信号，该些输出信号包括该ECC信息与经这些错误校正码ECC校正的数据。
13.根据权利要求11所述的装置，其中这些错误校正码ECC是与数据的对应的ECC页相关，而关于这些错误校正码ECC的使用的信息包括通过使用这些错误校正码ECC而对一对应的ECC页校正的位数的一计数。
14.根据权利要求11所述的装置，其中该命令为一读取命令，用于读取每个与至少一错误校正码ECC相关的数据的多重区块，该至少一错误校正码ECC用于侦测并校正在数据的相关区块中的错误。
15.一种存储器控制器，包括：
传送一命令至一存储器装置的逻辑，该存储器装置请求对应于该存储器装置中的数据的ECC信息；
因应于该命令接收来自该存储器装置的该ECC信息的逻辑；
通过使用该ECC信息执行一存储器管理功能的逻辑；以及
应用包括该命令的一命令集的逻辑；
其中该ECC信息包括关于来自通过使用这些错误校正码ECC对对应数据执行该ECC逻辑的结果的ECC统计。
16.根据权利要求15所述的存储器控制器，包括：接收具有该ECC信息的经这些错误校正码ECC校正的数据的逻辑。
17.根据权利要求15所述的存储器控制器，其中该命令为一读取命令，用于读取与至少一错误校正码ECC相关的数据的一区块，该至少一错误校正码ECC可取得以侦测并校正在数据的该区块中的错误。
18.根据权利要求15所述的存储器控制器，其中该存储器装置为一集成电路，而该存储器控制器是在与该存储器装置连通的一个别的集成电路中被实施。
19.根据权利要求15所述的存储器控制器，其中该存储器控制器是通过使用由与该存储器装置连通的一处理器所执行的一计算机程序而被实施。
20.根据权利要求15所述的存储器控制器，其中该存储器管理功能包括：侦测具有大于一阈值的错误位的数目的数据的多个区块。
CN201210546028.6A 2012-09-12 2012-12-17 存储器装置及其操作方法、控制方法和存储器控制器 Active CN103678027B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/612,433 US9009566B2 (en) 2012-09-12 2012-09-12 Outputting information of ECC corrected bits
US13/612,433 2012-09-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103678027A true CN103678027A (zh) 2014-03-26
CN103678027B CN103678027B (zh) 2016-12-28

Family

ID=50234652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210546028.6A Active CN103678027B (zh) 2012-09-12 2012-12-17 存储器装置及其操作方法、控制方法和存储器控制器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9009566B2 (zh)
CN (1) CN103678027B (zh)
TW (1) TWI500039B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105740161A (zh) * 2014-11-03 2016-07-06 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置以及快闪存储器控制方法
CN106663045A (zh) * 2014-09-26 2017-05-10 英特尔公司 在存储器与主机系统之间交换ecc元数据
CN106971758A (zh) * 2015-11-16 2017-07-21 三星电子株式会社 半导体存储装置、存储系统以及操作存储系统的方法
CN110347529A (zh) * 2014-11-13 2019-10-18 旺宏电子股份有限公司 用于执行错误侦测协议的存储器装置及方法
CN112540866A (zh) * 2019-09-20 2021-03-23 华邦电子股份有限公司 存储器装置及其数据存取方法

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9274715B2 (en) * 2013-08-02 2016-03-01 Qualcomm Incorporated Methods and apparatuses for in-system field repair and recovery from memory failures
CN104572489B (zh) * 2013-10-23 2019-12-24 深圳市腾讯计算机系统有限公司 磨损均衡方法及装置
US9305663B2 (en) * 2013-12-20 2016-04-05 Netapp, Inc. Techniques for assessing pass/fail status of non-volatile memory
DE102014104717B4 (de) * 2014-04-03 2019-08-01 Hyperstone Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Datenerneuerung für eine Erhöhung der Zuverlässigkeit von Flashspeichern
US9965345B2 (en) 2014-09-24 2018-05-08 Macronix International Co., Ltd. Health management of non-volatile memory
US9811420B2 (en) * 2015-03-27 2017-11-07 Intel Corporation Extracting selective information from on-die dynamic random access memory (DRAM) error correction code (ECC)
US9740558B2 (en) * 2015-05-31 2017-08-22 Intel Corporation On-die ECC with error counter and internal address generation
US9817714B2 (en) 2015-08-28 2017-11-14 Intel Corporation Memory device on-die error checking and correcting code
US9684555B2 (en) 2015-09-02 2017-06-20 International Business Machines Corporation Selective memory error reporting
KR102661936B1 (ko) * 2016-06-27 2024-04-30 삼성전자주식회사 저장 장치
US10572344B2 (en) * 2017-04-27 2020-02-25 Texas Instruments Incorporated Accessing error statistics from DRAM memories having integrated error correction
TWI657336B (zh) * 2017-08-28 2019-04-21 慧榮科技股份有限公司 用以檢測資料儲存裝置之資料儲存方法及其資料儲存裝置
US10733046B2 (en) 2018-04-20 2020-08-04 Micron Technology, Inc. Transaction metadata
TWI680375B (zh) * 2018-08-23 2019-12-21 慧榮科技股份有限公司 具有分散式信箱架構的多處理器系統及其處理器錯誤檢查方法
US11048649B2 (en) 2018-10-17 2021-06-29 Macronix International Co., Ltd. Non-sequential page continuous read
US10977121B2 (en) 2018-10-17 2021-04-13 Macronix International Co., Ltd. Fast page continuous read
US10957384B1 (en) 2019-09-24 2021-03-23 Macronix International Co., Ltd. Page buffer structure and fast continuous read
US11302366B2 (en) 2020-03-06 2022-04-12 Macronix International Co., Ltd. Method and system for enhanced read performance in low pin count interface
US11249913B2 (en) 2020-03-06 2022-02-15 Macronix International Co., Ltd. Continuous read with multiple read commands
EP3936996A4 (en) 2020-04-01 2022-07-06 Changxin Memory Technologies, Inc. READ-WRITE METHOD AND STORAGE DEVICE
EP3985494B1 (en) 2020-04-01 2024-01-17 Changxin Memory Technologies, Inc. Read-write method and memory device
CN113495674B (zh) 2020-04-01 2023-10-10 长鑫存储技术有限公司 读写方法及存储器装置
CN113495675B (zh) 2020-04-01 2023-08-11 长鑫存储技术有限公司 读写方法及存储器装置
CN113495671B (zh) * 2020-04-01 2023-10-17 长鑫存储技术有限公司 读写方法及存储器装置
EP3964940A4 (en) 2020-04-01 2022-08-17 Changxin Memory Technologies, Inc. READ/WRITE METHOD AND STORAGE DEVICE
CN113495672B (zh) 2020-04-01 2023-08-11 长鑫存储技术有限公司 读写方法及存储器装置
JP7553041B2 (ja) * 2020-04-09 2024-09-18 ミネベアミツミ株式会社 チェックサム付加方法およびチェックサム付加装置
JP6886547B1 (ja) 2020-05-13 2021-06-16 ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション 半導体記憶装置およびｅｃｃ関連情報の読出し方法
US12067239B2 (en) * 2021-12-30 2024-08-20 Micron Technology, Inc. Data stripe protection
US12014087B2 (en) * 2022-07-20 2024-06-18 Silicon Motion, Inc. Method and apparatus for performing data management of memory device with aid of targeted protection control
TWI835381B (zh) * 2022-11-02 2024-03-11 慧榮科技股份有限公司 資料加密的錯誤偵測裝置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100269015A1 (en) * 2009-04-08 2010-10-21 Google Inc. Data storage device
US20100332923A1 (en) * 2009-06-29 2010-12-30 Sandisk Corporation System and method responsive to a rate of change of a performance parameter of a memory
CN102124527A (zh) * 2008-05-16 2011-07-13 弗森-艾奥公司 用于检测和替代失效的数据存储器的装置、系统和方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2840445B1 (fr) * 2002-06-03 2004-09-10 St Microelectronics Sa Circuit memoire comportant un code correcteur d'erreur
US7958430B1 (en) * 2005-06-20 2011-06-07 Cypress Semiconductor Corporation Flash memory device and method
US7681109B2 (en) * 2005-10-13 2010-03-16 Ramot At Tel Aviv University Ltd. Method of error correction in MBC flash memory
US7596643B2 (en) * 2007-02-07 2009-09-29 Siliconsystems, Inc. Storage subsystem with configurable buffer
EP2215636B1 (de) * 2007-11-26 2014-07-23 Hyperstone GmbH VERFAHREN ZUR GLEICHMÄßIGEN NUTZUNG MEHRERER FLASHSPEICHERCHIPS
US8566508B2 (en) * 2009-04-08 2013-10-22 Google Inc. RAID configuration in a flash memory data storage device
US8418026B2 (en) * 2010-10-27 2013-04-09 Sandisk Technologies Inc. Hybrid error correction coding to address uncorrectable errors
US20120117303A1 (en) * 2010-11-04 2012-05-10 Numonyx B.V. Metadata storage associated with flash translation layer
TW201239893A (en) * 2011-03-25 2012-10-01 Silicon Motion Inc Method for enhancing data protection performance, and associated personal computer and storage medium
US9158621B2 (en) * 2011-08-29 2015-10-13 Sandisk Technologies Inc. System and method of copying data

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102124527A (zh) * 2008-05-16 2011-07-13 弗森-艾奥公司 用于检测和替代失效的数据存储器的装置、系统和方法
US20120221924A1 (en) * 2008-05-16 2012-08-30 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for detecting and replacing failed data storage
US20100269015A1 (en) * 2009-04-08 2010-10-21 Google Inc. Data storage device
US20100332923A1 (en) * 2009-06-29 2010-12-30 Sandisk Corporation System and method responsive to a rate of change of a performance parameter of a memory

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106663045A (zh) * 2014-09-26 2017-05-10 英特尔公司 在存储器与主机系统之间交换ecc元数据
CN106663045B (zh) * 2014-09-26 2020-12-18 英特尔公司 在存储器控制器处执行错误校正的方法和装置
CN105740161A (zh) * 2014-11-03 2016-07-06 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置以及快闪存储器控制方法
CN110347529A (zh) * 2014-11-13 2019-10-18 旺宏电子股份有限公司 用于执行错误侦测协议的存储器装置及方法
CN106971758A (zh) * 2015-11-16 2017-07-21 三星电子株式会社 半导体存储装置、存储系统以及操作存储系统的方法
US11231996B2 (en) 2015-11-16 2022-01-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating memory systems
US11593199B2 (en) 2015-11-16 2023-02-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating memory systems
US11994948B2 (en) 2015-11-16 2024-05-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating memory systems
CN112540866A (zh) * 2019-09-20 2021-03-23 华邦电子股份有限公司 存储器装置及其数据存取方法
CN112540866B (zh) * 2019-09-20 2024-01-23 华邦电子股份有限公司 存储器装置及其数据存取方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201411633A (zh) 2014-03-16
TWI500039B (zh) 2015-09-11
US20140075265A1 (en) 2014-03-13
US9009566B2 (en) 2015-04-14
CN103678027B (zh) 2016-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103678027A (zh) 存储器装置及其操作方法、控制方法和存储器控制器
CN102023815B (zh) 在固态存储器中实现raid
US6158025A (en) Apparatus and method for memory error detection
US5410545A (en) Long-term storage of controller performance
CN102567242B (zh) 执行同时读取与写入存储器操作的方法及设备
US8902671B2 (en) Memory storage device, memory controller thereof, and method for programming data thereof
US20060117239A1 (en) Method and related apparatus for performing error checking-correcting
CN101681281A (zh) 检测出现的坏块
CN101809541A (zh) 快闪存储器中的错误扫描
CN103473146A (zh) 存储器控制方法、存储器控制器以及电子装置
CN103038830A (zh) 借助元数据标签的非规则奇偶校验分布检测
TW201503153A (zh) 快閃記憶體裝置、記憶體控制器及快閃記憶體的控制方法
KR20150029402A (ko) 데이터 저장 시스템 및 그것의 동작 방법
US8572436B2 (en) Computing device and method for managing motherboard test
US10127099B2 (en) Bad sector repair method and apparatus
TW201730892A (zh) 邏輯性移除非揮發性記憶體儲存裝置缺陷頁之裝置及方法
CN115587011A (zh) 管理存储装置中的调试日志的方法
CN102831932B (zh) 数据读取方法、存储器控制器及存储器储存装置
CN102324251B (zh) 用以指示存储器中的编程失败的信号线
US6625728B1 (en) Method and apparatus for locating and displaying a defective component in a data processing system during a system startup using location and progress codes associated with the component
CN101388256A (zh) 用于一存储器元件产生一低级错误更正码的控制器及其方法
CN104102456A (zh) 存储器装置机器操作方法
CN110058954A (zh) 用于错误测试的存储器系统
JP4359327B2 (ja) 半導体集積回路装置、ｉｃカードおよび検査装置
CN110543434B (zh) Nand快闪器件、存储表管理方法、设备和存储介质

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant