CN101681281A - 检测出现的坏块 - Google Patents

检测出现的坏块 Download PDF

Info

Publication number
CN101681281A
CN101681281A CN200880018929A CN200880018929A CN101681281A CN 101681281 A CN101681281 A CN 101681281A CN 200880018929 A CN200880018929 A CN 200880018929A CN 200880018929 A CN200880018929 A CN 200880018929A CN 101681281 A CN101681281 A CN 101681281A
Authority
CN
China
Prior art keywords
page
leaf
data
read
mistake
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200880018929A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101681281B (zh
Inventor
李铁牛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Micron Technology Inc
Original Assignee
Micron Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Micron Technology Inc filed Critical Micron Technology Inc
Priority to CN201210298956.5A priority Critical patent/CN102880521B/zh
Publication of CN101681281A publication Critical patent/CN101681281A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101681281B publication Critical patent/CN101681281B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/16—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
    • G06F11/20—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using active fault-masking, e.g. by switching out faulty elements or by switching in spare elements
    • G06F11/2017—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using active fault-masking, e.g. by switching out faulty elements or by switching in spare elements where memory access, memory control or I/O control functionality is redundant
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
    • G06F11/1068—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in sector programmable memories, e.g. flash disk
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/0703—Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation
    • G06F11/0706—Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation the processing taking place on a specific hardware platform or in a specific software environment
    • G06F11/073—Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation the processing taking place on a specific hardware platform or in a specific software environment in a memory management context, e.g. virtual memory or cache management
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/349—Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/0703—Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation
    • G06F11/0751—Error or fault detection not based on redundancy
    • G06F11/0754—Error or fault detection not based on redundancy by exceeding limits
    • G06F11/076—Error or fault detection not based on redundancy by exceeding limits by exceeding a count or rate limit, e.g. word- or bit count limit
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2201/00—Indexing scheme relating to error detection, to error correction, and to monitoring
    • G06F2201/85—Active fault masking without idle spares

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

本发明揭示设备及方法，例如从非易失性集成电路存储器装置(106)(例如NAND快闪)读取数据的那些设备及方法。例如，所揭示的技术可体现于操作系统(104)的装置驱动器(110)中。在读取操作期间追踪错误。如果在读取操作期间观察到(204)足够多的错误，那么当请求擦除块或请求写入(210)、(212)、(214)、(310)所述块的页时使所述块退出。一个实施例为从不可校正的错误恢复数据的技术。例如，可将读取模式改变(410)为更可靠的读取模式来尝试恢复数据。一个实施例进一步从所述存储器装置(106)返回数据，而不管所述数据是否可通过解码错误校正代码数据来校正(430)。

Description

检测出现的坏块
技术领域
一般来说，本发明的实施例涉及集成电路。特定来说，实施例涉及用于存储器电路的软件或硬件。
背景技术
快闪存储器是一种形成的可擦除且可重新编程非易失性集成电路存储器。在快闪存储器中，存储器单元按“块”布置以供擦除。在块已被擦除后，其视需要准备好编程。NOR快闪存储器是一种类型的快闪存储器，其提供对个别字节的存取以供数据检索，但具有相对低的密度。
NAND快闪存储器是一种类型的快闪存储器，其提供相对高的密度。所述高密度是部分地通过形成串联连接的单元行来实现。另外，借助NAND快闪存储器，按相对大的字节群组(诸如，数据页)来编程及存取数据。例如，页可对应于阵列中的行或对应于行的一部分。
通常一次一数据“页”地将数据写入到NAND快闪存储器阵列或一次一数据“页”地从NAND快闪存储器阵列读取数据。例如，页可具有2,112个字节，其中2048个为数据字节且64个为备用字节。这些备用字节通常用于错误校正代码(ECC)、耗损均衡信息或其它额外开销数据。错误校正代码增加所存储数据的强健性。通常，一种形式的块码用于产生错误校正代码，诸如循环冗余检查(CRC)总和检查码、汉明码、里德-所罗门错误校正代码或类似码。这些错误校正代码检测在对数据字节的读取中是否存在错误，且只要错误不超过所述错误校正代码的能力即通常可校正这些数据字节中的错误。
快闪存储器具有许多用途。实例包含快闪存储器硬盘驱动器(取代硬盘驱动器)、USB快闪驱动器或拇指驱动器、移动电话、数字相机、数字媒体播放器、游戏机、存储器卡、导航装置、个人数字助理、计算机或类似物。在限制内，错误校正代码可校正数据字节中的数据中的许多错误。然而，超出这些限制，则通常不能校正具有错误的数据。常规技术的一个缺点是到错误变得不可校正时，通常太迟了。
许多将快闪存储器用于数据存储的装置还使用操作系统。所述操作系统充当硬件与其它软件之间的抽象层。例如，所述操作系统的文件系统及装置驱动器通常提供对存储于存储器装置上的数据的存取。在操作系统内可存在额外层。
图1图解说明处理环境的一部分的实例，其包含呈CPU 102形式的微处理器、操作系统104及存储器装置106。存储器装置106可为NAND快闪存储器装置。操作系统104进一步包含文件系统108及装置驱动器110。将理解，操作系统104可具有对不止一个文件系统及不止一个装置驱动器及与本论述无关的其它组件的支持。还图解说明易失性存储器装置114(例如DRAM)及直接存储器存取(DMA)控制器116。
CPU 102执行指令，包含操作系统104的代码。文件系统108的代码提供低级信息(例如，存储器装置106的逻辑地址)与高级信息(例如，文件名称及目录)之间的抽象。用于装置驱动器110的代码通常处置到及从存储器装置106的数据传送的低级信息。装置驱动器110可为CPU 102提供代码以直接存取存储器装置106(称作处理器输入/输出)，或可提供启动存储器控制器116以处置总线控制从而使得数据传送到存储器装置106或从存储器装置106传送的代码。存储器控制器116的使用释放CPU102来处置其它任务。
借助处理器输入/输出(PIO)及DMA输入/输出两者，装置驱动器110可处置与写入及读取操作相关联的ECC信息。在许多操作系统中，许多装置驱动器存在以支持到各种不同类型的存储器装置的读取及从各种不同类型的存储器装置的写入。除借助文件系统108映射之外，应注意，许多NAND快闪存储器装置针对坏块管理及耗损管理在逻辑地址与物理地址之间利用虚拟映射(其可称作快闪转译层)。
附图说明
本文中提供这些图式及相关联的描述来图解说明本发明的具体实施例，而不是打算限制本发明。
图1图解说明处理环境，其包含CPU、操作系统及存储器装置。
图2为大致图解说明用于从存储器装置读取数据页的过程的实施例的流程图。
图3为大致图解说明用于经降格的块的抢先退出的过程的实施例的流程图。
图4为大致图解说明用于恢复确定具有不可校正的错误的数据的过程的实施例的流程图。
具体实施方式
设备及方法从非易失性集成电路存储器装置(例如NAND快闪)读取数据。例如，这些技术可体现于操作系统的装置驱动器中。在读取操作期间维持(例如，追踪)至少部分错误历史。页的读取操作通常比对应块的擦除操作或对所述页的编程更加频繁地发生。在这些读取操作期间所遇到及追踪的错误可提供对正读取的页及块的可靠性的指示。
如果在读取操作期间观察到足够多的错误，那么指示(例如，指定)所述块的退出。可(例如)通过在请求擦除或写入(编程)所述块时将所述块添加到坏块表来使所述块退出。
一个实施例包含从不可校正的错误恢复数据的技术。例如，可将读取模式改变为更可靠的读取模式来尝试恢复数据。此读取模式可具有较不进取性的定时。一个实施例进一步从存储器装置返回数据，而不管所述数据是否可通过解码错误校正代码数据来校正。与通常发生灾难性失败的硬盘装置相反，集成电路存储器装置通常具有小数目个位故障，即时在错误校正失败时此也使得大多数数据可用。
体现所揭示技术的操作系统的装置驱动器可体现于软件中(代码中)、硬件中(模块中)或软件与硬件的组合中。另外，虽然在NAND快闪存储器的背景中进行描述，但本文中所述的原理及优点也将可应用于其它形式的非易失性集成电路。所属领域的技术人员将明了本发明的其它实施例，包含不提供本文中所阐明的全部益处及特征的实施例。
图2为大致图解说明用于从存储器装置106(图1)读取数据页且维持错误历史的过程的流程图。在一个实施例中，由操作系统的装置驱动器110(图1)执行所述过程，且存储器装置106为NAND快闪存储器装置。所属领域的技术人员将了解，所图解说明的过程可按各种方式加以修改。例如，在另一实施例中，可对所图解说明的过程的各个部分加以组合、以替代顺序重新布置、予以移除及进行类似操作。在所述过程的开始，假定数据已连同对应错误校正代码数据一起存储于存储器装置中。
通常将结合读取存储器装置106(图1)的块的单个页来描述所述过程的所图解说明的实施例。使用计数器来维持所述块的错误历史。存储器装置106具有许多块且每一块可具有一个计数器用于错误追踪。在一个实施例中，使用计数器阵列来存储所述计数器。当块的计数器达到特定阈值水平MAX(其可为预先确定的值，例如为10的值)时，所述过程确定使所述块及早退出。例如，如稍后将结合图3更详细地描述，可在将擦除所述块时或在将写入所述块的页时使所述块退出。可使用易失性或非易失性存储器来存储所述计数器。然而，出于强健性考虑，通常优选地在与存储器装置106自身不同的装置上存储这种类型的信息。在一个实施例中，在加电时将计数器复位为零以使得历史在加电时复位。此复位提供对块中突然降格的相对快速回应。
所述过程通过接收对存储器装置106(图1)的特定页的读取的请求来开始。所述请求可经由来自操作系统104(图1)的比装置驱动器110(图1)高的层(例如来自文件系统108(图1))的子例程调用。所述过程使用低级指令请求202特定页，例如允许CPU 102与存储器装置106通信的机器代码或用于使CPU 102指令DMA控制器116与存储器装置106通信的指令。存储器装置106在内部存取存储器阵列且为所述页提供数据。解码ECC数据以检测是否存在任何错误且还用于在错误存在且是可校正的情况下校正错误。对ECC的解码可为软件功能或硬件功能。在一个实施例中，编码及解码ECC是由装置驱动器110执行的功能。在替代实施例中，对ECC的编码及解码是DMA控制器116的功能。
所述过程确定204是否在读取所述页时检测到一个或一个以上错误。错误可被校正或不可被校正。如果在错误检测过程期间没遇到错误，那么所述过程继续进行以退出(不更新对应于所述页的所述块的计数器)并向装置驱动器110(图1)的调用例程(例如文件系统108(图1))返回状况“OK”。所请求的数据在存储器装置106(图1)的输出缓冲器处可用，在数据总线的逻辑地址处，可被传送到另一位置，例如传送到另一缓冲器或类似物。
如果所述过程确定204已发生错误，那么所述过程继续进行以确定206所述错误(s)是否可经由解码错误校正代码(ECC)数据来校正。如果所述错误可在ECC的限制内被校正，那么所述过程继续进行以确定208所述错误已被校正到达的程度。例如，在一个实施例中，所述过程将未校正数据与已校正数据进行比较以获得错误数目的计数。否则，如果对错误校正代码的校正来说错误太多，那么所述过程指示所述块的及早退出210。在一个实施例中，将计数器设定210为阈值MAX以提供对及早退出的指示。指示将待及早退出的块与实际退出的块不同。
可通过将块标记为坏的(例如通过将所述块添加到坏块表)来使所述块退出。通常在存储器装置106(图1)自身上存储坏块表。然而，在不再想要来自块的数据以前，尚不应将所述块标记为坏的。将块标记为坏的将防止对所述块的读取存取。因此，在一个实施例中，所述过程在请求擦除操作或请求写入来将块标记为坏的以前保持等待，如稍后将结合图3的更多描述。在一个实施例中，所述过程向调用例程(例如文件系统108(图1))返回错误，所述文件系统接着起始使所述块退出的程序。
在一个实施例中，所述过程从指示及早退出状态210前进到数据恢复过程来尝试恢复数据。稍后将结合图4更详细地描述此数据恢复过程的一个实施例。在替代实施例中，所述过程从指示及早退出状态210前进且向装置驱动器的调用例程(例如文件系统108(图1))返回“读取错误”状况，并退出。
现返回到对错误是否可被校正的确定206，如果错误可被校正，那么所述过程确定208经ECC校正这些错误所到达的程度。视为相对少或相对多的错误数目可取决于页大小及特定存储器装置106(图1)的特性。所属领域的技术人员将容易确定适当的阈值。另外，虽然所图解说明的确定208为二元(即，两个可能决策)，但将理解，还可使用一个或一个以上中间水平。
在一个实施例中，在2048字节页(不包含ECC)的情况下，“少”视为所述页上的可校正的错误，且“多”视为两个或两个以上可校正的错误。在此实例中，在所述页上存在一个可校正的错误时，所述过程从确定208继续进行到递增计数器状态212，且在存在不止一个可校正的错误时，所述过程从确定208继续进行到指示及早退出状态214。
在递增计数器状态212中，所述过程针对页的正被读取的特定块使计数器递增计数1。计数器阵列可存储存储器装置106(图1)的多个块的各种计数，例如，存储器装置106的每一块一个计数器。因为块含有许多页，所以来自多个页的错误可对特定块的计数做出贡献。所述过程接着继续进行以向装置驱动器110(图1)的调用例程(例如文件系统108(图1))返回状况“OK”并退出。如将观察到，如果在重复读取块的相同页或其它页时具有错误，那么存储于用于所述块的计数器中的计数将增加。所述计数存储在读取所述块的页时所遇到的错误历史。
现返回到在遇到相对多的(例如，两个或两个以上)错误时所使用的确定208的路线，在指示及早退出状态214中，所述过程更新计数器以指定所述块的及早退出。例如，可将计数器设定为阈值水平MAX，如结合状态210所述。在所图解说明的实施例中，状态210及状态214各自将计数器设定为阈值水平MAX以指定所述块的及早退出。在替代实施例中，状态214以增量调整计数器，所述增量等于或大于状态212的增量，但可能小于计数器值从状态210的跳跃。所述过程接着继续进行以向装置驱动器110(图1)的调用例程(例如文件系统108(图1))返回状况“OK”并退出。在图2中所图解说明的过程识别正降格且应使其退出的块。出于可靠性目的，相对早地(例如当正从块读取数据时)而不是相对迟地(例如当新的数据正写入到块时)辨识降格块可有利。
图3为大致图解说明用于经降格的块的抢先退出的过程的实流程图。在一个实施例中，由操作系统的装置驱动器执行所述过程，且所述存储器装置为NAND快闪存储器装置。所属领域的技术人员将了解，所图解说明的过程可按各种方式加以修改。例如，在另一实施例中，可对所图解说明的过程的各个部分加以组合、以替代顺序重新布置、予以移除或进行类似操作。在NAND快闪存储器中，虽然是以页级执行的读取或写入，但擦除是以块级执行的。
所述过程由擦除来自存储器装置的块的请求或由写入到块的页的请求起始。例如，所述请求可来自操作系统104(图1)的文件系统108(图1)。所述请求可处于更新数据的背景中，可用于删除数据，可用于格式化或类似操作。
所述过程检索310与将擦除的块或将写入的页的对应块相关联的错误历史。例如，错误历史可为较早结合图2所述的计数。
所述过程继续进行以确定所述块是否可靠320。在认为所述块可靠时，所述过程继续进行以指挥存储器装置106(图1)擦除330所述块。所述过程确定350在存储器装置106内的擦除过程或写入过程期间是否发生错误。假定存储器装置106擦除所述块或无错地写入到页，则所述过程以对调用例程(例如文件系统108(图1))状况“OK”退出。如果在擦除或写入过程中存在错误(例如被卡的位)，那么所述过程以可以错误状况退出。
如果认为所述块不可靠，那么所述过程继续进行以拒绝360所请求的擦除或写入操作并以错误状况(例如I/O错误)退出。例如，如果计数器处于或高于用于识别可能不可靠的块的阈值，那么可认为所述块不可靠。响应于所述错误状况，较高层调用例程(例如文件系统108(图1))可接着在请求装置驱动器110(图1)将所述块标记为坏的之前回收所述块的先前已写入页(如果存在)。可将这些先前已写入页以及待写入的当前页写入到不同块。在将块标记为坏的之后，所述块不可用。在一些存储器装置中，通过将块添加到存储器装置106(图1)中的坏块表来完成将所述块标记为坏的。在一个实施例中，在文件系统108的请求下，将块添加到坏块表也由装置驱动器110(图1)处置。所述块的及早退出可有利地准许将在所述块变坏之前使所述块退出。此可帮助避免以后的数据损失。
图4为大致图解说明用于恢复确定具有不可校正的错误的数据的过程的流程图。在一个实施例中，由操作系统104(图1)的装置驱动器110(图1)执行所述过程，且存储器装置106(图1)为NAND快闪存储器装置。所属领域的技术人员将了解，所图解说明的过程可按各种方式加以修改。例如，在另一实施例中，可对所图解说明的过程的各个部分加以组合、以替代顺序重新布置、予以移除及进行类似操作。
在一个实施例中，所述过程在从存储器装置的产生不可校正的错误的数据读取时开始。当存在错误校正代码(ECC)要校正太多错误时，可产生不可校正的错误。例如，所述过程可在图2的指示及早退出状态210后开始。
在状态410中，所述过程改变读取操作模式来尝试以可校正方式读取数据。大多数计算机系统经配置以在正常操作期间以最高兼容速度(快速读取模式)存取存储器装置(例如存储器装置106(图1))。在一个实施例中，读取操作模式改变为可靠的读取模式。此可包含(例如)较慢贡献速度、较长等待时间或类似物。在另一实例中，可将读取模式从直接存储器存取(DMA)模式改变为使用微处理器来控制存取的模式，其也称为处理器输入/输出或PIO。通常，所述DMA模式优选，因为其使用释放微处理器来执行其它任务。然而，借助PIO，微处理器可以比借助DMA多的控制来执行读取操作。例如，所述过程可请求临时停用产生噪声的装置，例如扬声器或蜂窝电话。在另一实例中，所述过程可故意减慢存储器装置106的定时。所属领域的技术人员将容易确定其它技术。还可组合这些计数的各种特征。
所述过程继续进行以请求对从存储器装置先前读取的页的读取420。此读取对应于重新读取。错误校正代码数据还检索并重新应用于确定430数据是否现在可校正。在许多情况下，数据可在使用更可靠的模式的读取之后校正。如果数据可校正，那么所述过程继续进行以提供440已校正数据，且所述过程以状况“OK”退出。
如果数据不可校正，那么所述过程确定450是重试还是提供具有错误的数据460。对重试或提供数据的确定450可基于(例如)循环计数器、定时器及类似物。所述过程可返回到状态410或读取状态420以重新读取数据。如果所述过程返回到状态410，那么还可尝试不同的(例如，第三、第四等等)读取模式。例如，如果存在不止一个可靠的读取模式，那么可单独及/或按组合尝试各种读取模式的特征。
如果数据仍不可校正，那么一个实施例仍然提供具有错误的数据460。不同于往往发生灾难性失败的硬盘装置，固态装置(例如NAND快闪)中的错误通常由单个位故障表征。虽然当页不可校正时，错误的数目将通常大于一个位，但返回具有错误的数据可比不返回数据好。例如，在许多情况下，数据的具有错误的部分将不明显。例如，如果程序代码存储于页中，那么具有错误的部分可对应于代码的并不始终执行的部分。相反，当不提供数据时，那么整个页的数据不可用，在此情况下，程序几乎始终崩溃。
一个实施例为一种监视非易失性集成电路存储器装置的块的方法，其中所述方法包含：解码错误校正代码以确定在读取所述存储器装置的所述块的数据页时是否具有至少一个错误；及至少在读取所述页时具有至少一个错误时维持所述存储器装置的所述块的对应于所读取的所述页的错误历史，其中所述错误历史用于指示是否使所述块及早退出。
一个实施例为一种管理非易失性集成电路存储器装置的块的方法，其中所述方法包含：接收擦除存储器块或写入到所述存储器块的页的命令；及至少部分地基于与所述块的一个或一个以上页的读取操作相关联的错误历史停用擦除或写入。
一个实施例为一种从非易失性集成电路存储器装置存取数据页的方法，其中所述方法包含：请求从所述存储器装置对所述数据页的读取；检查与所述页相关联的错误校正代码(ECC)；及向操作系统提供指示正确地读取了所述数据页的状况而不管所述数据页是否包含任何不可校正的错误。
一个实施例为一种维持用于指示非易失性集成电路存储器装置的块的一个或一个以上指示的方法，其中所述方法包含至少部分地响应于以下步骤中的至少一者防止对所述块的进一步擦除或重新编程：确定作为相对于所述存储器块的至少一个页执行的至少一个读取操作的一部分检测到的错误是经由解码错误校正代码不可校正的；或确定针对所述存储器装置的所述块收集的错误历史指示在所述块的先前读取操作期间已发生至少一个错误。
一个实施例为一种用于监视非易失性集成电路存储器装置的块的设备，其中所述装置包含：经配置以解码错误校正代码从而确定在读取所述存储器装置的所述块的数据页时是否具有至少一个错误的模块；经配置以至少在读取所述页时具有至少一个错误时维持所述存储器装置的所述块的对应于所读取的所述页的错误历史的模块，其中所述错误历史用于指示是否使所述块及早退出。
上文已描述各种实施例。虽然是参照这些具体实施例加以描述，但这些描述打算具有说明性而不是打算具有限制性。所属领域的技术人员可想出各种修改及应用，而不背离如所附权利要求书中所界定的本发明的真正精神及范围。

Claims (23)

1、一种监视非易失性集成电路存储器装置的块的方法，所述方法包括：
解码错误校正代码以确定在读取所述存储器装置的所述块的数据页时是否具有至少一个错误；及
至少在读取所述页时具有至少一个错误时维持所述存储器装置的所述块的对应于所读取的所述页的错误历史，其中所述错误历史用于指示是否使所述块及早退出。
2、如权利要求1所述的方法，其中维持所述历史进一步包括：
维持计数，其中至少部分地响应于确定所述至少一个错误对应于一个错误而递增所述计数；
其中响应于所述计数达到阈值指示所述块的及早退出。
3、如权利要求2所述的方法，其进一步包括在给使用所述存储器装置的装置加电时复位所述计数。
4、如权利要求1所述的方法，其中维持所述历史进一步包括在当读取所述块的所述页时遇到多个错误时更新所述历史以指示所述块的及早退出，其中通过将未校正数据与已校正数据进行比较来确定错误数目的计数。
5、如权利要求1所述的方法，其中维持所述历史包括将所述历史的计数设定为至少阈值，其中如果所述计数达到至少所述阈值，那么指示所述块的及早退出。
6、如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个错误包括不可校正的多个错误，所述方法进一步包括起始数据恢复过程以尝试恢复所述数据。
7、如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个错误包括通过解码错误校正代码(ECC)不可校正的多个错误，且其中使用第一读取模式读取所述页，所述方法进一步包括改变为不同的读取模式并重新读取所述页。
8、如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个错误包括不可校正的错误，所述方法进一步包括即使在读取到不可校正的错误时也向操作系统返回成功读取操作的状况。
9、如权利要求1所述的方法，其进一步包括在与所述存储器装置自身不同的装置上维持所述存储器装置的所述块的所述错误历史。
10、如权利要求1所述的方法，其中所述存储器装置包括NAND快闪存储器装置。
11、如权利要求1所述的方法，其中由操作系统执行所述方法。
12、一种管理非易失性集成电路存储器装置的块的方法，所述方法包括：
接收擦除存储器块或写入到所述存储器块的页的命令；及
至少部分地基于与所述块的一个或一个以上页的读取操作相关联的错误历史停用擦除或写入。
13、如权利要求12所述的方法，其进一步包括回收所述块的先前已写入页，且接着停用所述块的使用。
14、如权利要求12所述的方法，其中停用包括将所述块添加到所述存储器装置中的坏块表以将所述块标记为坏的。
15、如权利要求12所述的方法，其进一步包括检查在所述块的一个或一个以上页的读取操作期间所遇到的错误的计数。
16、一种从非易失性集成电路存储器装置存取数据页的方法，所述方法包括：
请求从所述存储器装置对所述数据页的读取；
检查与所述页相关联的错误校正代码(ECC)；及
向操作系统提供指示正确地读取了所述数据页的状况而不管所述数据页是否包含任何不可校正的错误。
17、如权利要求16所述的方法，其中可选择至少第一读取操作模式及比所述第一读取操作模式慢的第二读取操作模式用于从所述装置读取数据，其中请求对所述页的所述读取进一步包括：
确定对初始读取的解码已产生不可校正的错误，其中所述初始读取使用所述第一读取操作模式执行；
从所述第一读取操作模式改变为所述第二读取操作模式；及
请求对所述页的另一读取。
18、如权利要求17所述的方法，其中所述第一读取操作模式包括直接存储器存取(DMA)，且其中所述第二读取操作模式包括使用微处理器来控制存取。
19、如权利要求17所述的方法，其进一步包括至少部分地基于循环计数器确定是否请求对所述页的另一读取。
20、如权利要求17所述的方法，其进一步包括至少部分地基于定时器确定是否请求对所述页的另一读取。
21、如权利要求16所述的方法，其进一步包括由操作系统的驱动器执行所述方法。
22、一种维持用于指示非易失性集成电路存储器装置的块的一个或一个以上指示的方法，所述方法包括：
至少部分地响应于以下步骤中的至少一者防止对所述块的进一步擦除或重新编程：
确定作为相对于所述存储器块的至少一个页执行的至少一个读取操作的一部分检测到的错误是经由解码错误校正代码不可校正的；或
确定针对所述存储器装置的所述块收集的错误历史指示在所述块的先前读取操作期间已发生至少一个错误。
23、一种用于监视非易失性集成电路存储器装置的块的设备，所述设备包括：
经配置以解码错误校正代码从而确定在读取所述存储器装置的所述块的数据页时是否具有至少一个错误的模块；及
经配置以至少在读取所述页时具有至少一个错误时维持所述存储器装置的所述块的对应于所读取的所述页的错误历史的模块，其中所述错误历史用于指示是否使所述块及早退出。
CN200880018929XA 2007-06-07 2008-05-16 检测出现的坏块 Active CN101681281B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210298956.5A CN102880521B (zh) 2007-06-07 2008-05-16 非易失性存储器装置中管理块和存取数据页的方法及设备

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/759,585 US7765426B2 (en) 2007-06-07 2007-06-07 Emerging bad block detection
US11/759,585 2007-06-07
PCT/US2008/063938 WO2008154119A1 (en) 2007-06-07 2008-05-16 Emerging bad block detection

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210298956.5A Division CN102880521B (zh) 2007-06-07 2008-05-16 非易失性存储器装置中管理块和存取数据页的方法及设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101681281A true CN101681281A (zh) 2010-03-24
CN101681281B CN101681281B (zh) 2012-10-10

Family

ID=39628943

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210298956.5A Active CN102880521B (zh) 2007-06-07 2008-05-16 非易失性存储器装置中管理块和存取数据页的方法及设备
CN200880018929XA Active CN101681281B (zh) 2007-06-07 2008-05-16 检测出现的坏块

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210298956.5A Active CN102880521B (zh) 2007-06-07 2008-05-16 非易失性存储器装置中管理块和存取数据页的方法及设备

Country Status (8)

Country Link
US (4) US7765426B2 (zh)
EP (3) EP2162822B1 (zh)
JP (1) JP2010529557A (zh)
KR (2) KR101557736B1 (zh)
CN (2) CN102880521B (zh)
AT (1) ATE514131T1 (zh)
TW (1) TWI370355B (zh)
WO (1) WO2008154119A1 (zh)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103116550A (zh) * 2013-01-11 2013-05-22 深圳市硅格半导体有限公司 切换闪存中物理块工作模式的方法和装置
CN103562888A (zh) * 2011-05-31 2014-02-05 美光科技公司 用于提供数据完整性的设备及方法
CN103631721A (zh) * 2012-08-23 2014-03-12 华为技术有限公司 一种隔离内存中坏块的方法及系统
CN103839595A (zh) * 2012-11-20 2014-06-04 Arm有限公司 用于校正从存储器装置访问的数据中的错误的设备及方法
CN104937555A (zh) * 2012-12-07 2015-09-23 美光科技公司 用于分层迭代错误校正的停止准则
CN105027085A (zh) * 2013-03-14 2015-11-04 美光科技公司 选择性自参考读取
CN103650058B (zh) * 2010-12-30 2016-08-24 意法半导体国际有限公司 控制非易失性存储器的可靠性损失的方法和集成电路卡
CN108039191A (zh) * 2017-12-20 2018-05-15 宣城新维保网络技术有限公司 一种存储器模拟测试方法
CN108630267A (zh) * 2017-03-21 2018-10-09 东芝存储器株式会社 计算机系统和存储器设备
CN111522500A (zh) * 2019-02-01 2020-08-11 睿宽智能科技有限公司 重复读取方法
CN111684529A (zh) * 2018-01-12 2020-09-18 美光科技公司 读取重试暂存空间
CN112840324A (zh) * 2018-09-07 2021-05-25 铠侠股份有限公司 存储器系统中的汇集式前线ecc解码器
CN112867984A (zh) * 2018-09-13 2021-05-28 铠侠股份有限公司 池级存储管理

Families Citing this family (230)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7765426B2 (en) * 2007-06-07 2010-07-27 Micron Technology, Inc. Emerging bad block detection
KR101473344B1 (ko) * 2007-08-24 2014-12-17 삼성전자 주식회사 플래시 메모리를 스토리지로 사용하는 장치 및 그 동작방법
KR101413736B1 (ko) * 2007-09-13 2014-07-02 삼성전자주식회사 향상된 신뢰성을 갖는 메모리 시스템 및 그것의웨어-레벨링 기법
TW200919448A (en) * 2007-10-17 2009-05-01 Silicon Motion Inc Storage device and method of accessing a status thereof
US8074145B2 (en) * 2007-11-12 2011-12-06 Harris Corporation Memory system and related method using software-defined radio with write-protected, non-volatile memory
TWI381390B (zh) * 2008-04-10 2013-01-01 Phison Electronics Corp 快閃記憶體的損壞區塊辨識方法、儲存系統及其控制器
US20100332942A1 (en) * 2008-09-10 2010-12-30 Arm Limited Memory controller for NAND memory using forward error correction
US8510614B2 (en) * 2008-09-11 2013-08-13 Mediatek Inc. Bad block identification methods
US8161354B2 (en) * 2008-10-16 2012-04-17 Genesys Logic, Inc. Flash memory controller having configuring unit for error correction code (ECC) capability and method thereof
WO2010054410A2 (en) * 2008-11-10 2010-05-14 Fusion Multisystems, Inc. (Dba Fusion-Io) Apparatus, system, and method for predicting failures in solid-state storage
US9170897B2 (en) 2012-05-29 2015-10-27 SanDisk Technologies, Inc. Apparatus, system, and method for managing solid-state storage reliability
US9063874B2 (en) 2008-11-10 2015-06-23 SanDisk Technologies, Inc. Apparatus, system, and method for wear management
US9449719B2 (en) * 2008-12-19 2016-09-20 Seagate Technology Llc Solid-state storage device including a high resolution analog-to-digital converter
CN102077173B (zh) * 2009-04-21 2015-06-24 艾格瑞系统有限责任公司 利用写入验证减轻代码的误码平层
US8176367B2 (en) 2009-05-28 2012-05-08 Agere Systems Inc. Systems and methods for managing end of life in a solid state drive
US8151137B2 (en) * 2009-05-28 2012-04-03 Lsi Corporation Systems and methods for governing the life cycle of a solid state drive
US8549384B1 (en) * 2009-06-26 2013-10-01 Marvell International Ltd. Method and apparatus for determining, based on an error correction code, one or more locations to store data in a flash memory
US8321727B2 (en) * 2009-06-29 2012-11-27 Sandisk Technologies Inc. System and method responsive to a rate of change of a performance parameter of a memory
US8910002B2 (en) * 2009-08-24 2014-12-09 OCZ Storage Solutions Inc. NAND flash-based storage device with built-in test-ahead for failure anticipation
KR101678909B1 (ko) * 2009-09-17 2016-11-23 삼성전자주식회사 플래시 메모리 시스템 및 그것의 소거 리프레쉬 방법
TWI408688B (zh) * 2009-10-12 2013-09-11 Phison Electronics Corp 用於快閃記憶體的資料寫入方法及其控制器與儲存系統
US8312349B2 (en) * 2009-10-27 2012-11-13 Micron Technology, Inc. Error detection/correction based memory management
US8429468B2 (en) * 2010-01-27 2013-04-23 Sandisk Technologies Inc. System and method to correct data errors using a stored count of bit values
US8327226B2 (en) * 2010-02-03 2012-12-04 Seagate Technology Llc Adjustable error correction code length in an electrical storage device
US20110230711A1 (en) * 2010-03-16 2011-09-22 Kano Akihito Endoscopic Surgical Instrument
US8341339B1 (en) 2010-06-14 2012-12-25 Western Digital Technologies, Inc. Hybrid drive garbage collecting a non-volatile semiconductor memory by migrating valid data to a disk
US8959284B1 (en) 2010-06-28 2015-02-17 Western Digital Technologies, Inc. Disk drive steering write data to write cache based on workload
US9146875B1 (en) 2010-08-09 2015-09-29 Western Digital Technologies, Inc. Hybrid drive converting non-volatile semiconductor memory to read only based on life remaining
US9268499B1 (en) 2010-08-13 2016-02-23 Western Digital Technologies, Inc. Hybrid drive migrating high workload data from disk to non-volatile semiconductor memory
US9058280B1 (en) 2010-08-13 2015-06-16 Western Digital Technologies, Inc. Hybrid drive migrating data from disk to non-volatile semiconductor memory based on accumulated access time
US8639872B1 (en) 2010-08-13 2014-01-28 Western Digital Technologies, Inc. Hybrid drive comprising write cache spanning non-volatile semiconductor memory and disk
US8683295B1 (en) 2010-08-31 2014-03-25 Western Digital Technologies, Inc. Hybrid drive writing extended error correction code symbols to disk for data sectors stored in non-volatile semiconductor memory
US8775720B1 (en) 2010-08-31 2014-07-08 Western Digital Technologies, Inc. Hybrid drive balancing execution times for non-volatile semiconductor memory and disk
US8782334B1 (en) 2010-09-10 2014-07-15 Western Digital Technologies, Inc. Hybrid drive copying disk cache to non-volatile semiconductor memory
US11614893B2 (en) 2010-09-15 2023-03-28 Pure Storage, Inc. Optimizing storage device access based on latency
US8468318B2 (en) 2010-09-15 2013-06-18 Pure Storage Inc. Scheduling of I/O writes in a storage environment
US11275509B1 (en) 2010-09-15 2022-03-15 Pure Storage, Inc. Intelligently sizing high latency I/O requests in a storage environment
US8589625B2 (en) 2010-09-15 2013-11-19 Pure Storage, Inc. Scheduling of reconstructive I/O read operations in a storage environment
US8589655B2 (en) 2010-09-15 2013-11-19 Pure Storage, Inc. Scheduling of I/O in an SSD environment
US12008266B2 (en) 2010-09-15 2024-06-11 Pure Storage, Inc. Efficient read by reconstruction
US8732426B2 (en) 2010-09-15 2014-05-20 Pure Storage, Inc. Scheduling of reactive I/O operations in a storage environment
US9244769B2 (en) 2010-09-28 2016-01-26 Pure Storage, Inc. Offset protection data in a RAID array
US8825977B1 (en) * 2010-09-28 2014-09-02 Western Digital Technologies, Inc. Hybrid drive writing copy of data to disk when non-volatile semiconductor memory nears end of life
US8775868B2 (en) 2010-09-28 2014-07-08 Pure Storage, Inc. Adaptive RAID for an SSD environment
US8825976B1 (en) 2010-09-28 2014-09-02 Western Digital Technologies, Inc. Hybrid drive executing biased migration policy during host boot to migrate data to a non-volatile semiconductor memory
US8670205B1 (en) 2010-09-29 2014-03-11 Western Digital Technologies, Inc. Hybrid drive changing power mode of disk channel when frequency of write data exceeds a threshold
US8699171B1 (en) 2010-09-30 2014-04-15 Western Digital Technologies, Inc. Disk drive selecting head for write operation based on environmental condition
US8429343B1 (en) 2010-10-21 2013-04-23 Western Digital Technologies, Inc. Hybrid drive employing non-volatile semiconductor memory to facilitate refreshing disk
US8612798B1 (en) 2010-10-21 2013-12-17 Western Digital Technologies, Inc. Hybrid drive storing write data in non-volatile semiconductor memory if write verify of disk fails
US8427771B1 (en) 2010-10-21 2013-04-23 Western Digital Technologies, Inc. Hybrid drive storing copy of data in non-volatile semiconductor memory for suspect disk data sectors
US8560759B1 (en) 2010-10-25 2013-10-15 Western Digital Technologies, Inc. Hybrid drive storing redundant copies of data on disk and in non-volatile semiconductor memory based on read frequency
US9069475B1 (en) 2010-10-26 2015-06-30 Western Digital Technologies, Inc. Hybrid drive selectively spinning up disk when powered on
US8422296B2 (en) 2010-12-22 2013-04-16 HGST Netherlands B.V. Early detection of degradation in NAND flash memory
US8422303B2 (en) 2010-12-22 2013-04-16 HGST Netherlands B.V. Early degradation detection in flash memory using test cells
US8369143B2 (en) 2010-12-22 2013-02-05 HGST Netherlands B.V. Early detection of degradation in NOR flash memory
US8649215B2 (en) 2010-12-22 2014-02-11 HGST Netherlands B.V. Data management in flash memory using probability of charge disturbances
US8599609B2 (en) 2010-12-22 2013-12-03 HGST Netherlands B.V. Data management in flash memory using probability of charge disturbances
US9213594B2 (en) 2011-01-19 2015-12-15 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Apparatus, system, and method for managing out-of-service conditions
US9092337B2 (en) 2011-01-31 2015-07-28 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Apparatus, system, and method for managing eviction of data
KR101739878B1 (ko) * 2011-02-22 2017-05-26 삼성전자주식회사 컨트롤러, 이의 동작방법, 및 상기 컨트롤러를 포함한 메모리 시스템
US8560922B2 (en) 2011-03-04 2013-10-15 International Business Machines Corporation Bad block management for flash memory
TW201239893A (en) * 2011-03-25 2012-10-01 Silicon Motion Inc Method for enhancing data protection performance, and associated personal computer and storage medium
KR20120128014A (ko) 2011-05-16 2012-11-26 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템의 동작 방법
US8693252B2 (en) 2011-07-12 2014-04-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and system for adjusting read voltage in flash memory device
KR101824068B1 (ko) 2011-07-28 2018-03-15 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러 구동방법, 및 메모리 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템, 메모리 카드 및 휴대용 전자장치
US8589640B2 (en) 2011-10-14 2013-11-19 Pure Storage, Inc. Method for maintaining multiple fingerprint tables in a deduplicating storage system
US11636031B2 (en) 2011-08-11 2023-04-25 Pure Storage, Inc. Optimized inline deduplication
US8630056B1 (en) 2011-09-12 2014-01-14 Western Digital Technologies, Inc. Hybrid drive adjusting spin-up profile based on cache status of non-volatile semiconductor memory
US8909889B1 (en) 2011-10-10 2014-12-09 Western Digital Technologies, Inc. Method and apparatus for servicing host commands by a disk drive
US8977804B1 (en) 2011-11-21 2015-03-10 Western Digital Technologies, Inc. Varying data redundancy in storage systems
US9268701B1 (en) 2011-11-21 2016-02-23 Western Digital Technologies, Inc. Caching of data in data storage systems by managing the size of read and write cache based on a measurement of cache reliability
US8977803B2 (en) 2011-11-21 2015-03-10 Western Digital Technologies, Inc. Disk drive data caching using a multi-tiered memory
US8904091B1 (en) 2011-12-22 2014-12-02 Western Digital Technologies, Inc. High performance media transport manager architecture for data storage systems
US9767032B2 (en) 2012-01-12 2017-09-19 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for cache endurance
US8719540B1 (en) 2012-03-15 2014-05-06 Pure Storage, Inc. Fractal layout of data blocks across multiple devices
US9047187B2 (en) * 2012-06-28 2015-06-02 Intel Corporation Defect management in memory systems
US8793558B2 (en) * 2012-08-27 2014-07-29 Freescale Semiconductor, Inc. Adaptive error correction for non-volatile memories
US8930776B2 (en) 2012-08-29 2015-01-06 International Business Machines Corporation Implementing DRAM command timing adjustments to alleviate DRAM failures
KR101991437B1 (ko) * 2012-08-30 2019-06-20 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치 및 그의 동작방법
US10623386B1 (en) 2012-09-26 2020-04-14 Pure Storage, Inc. Secret sharing data protection in a storage system
US11032259B1 (en) 2012-09-26 2021-06-08 Pure Storage, Inc. Data protection in a storage system
US8745415B2 (en) 2012-09-26 2014-06-03 Pure Storage, Inc. Multi-drive cooperation to generate an encryption key
JP2014086062A (ja) * 2012-10-29 2014-05-12 Sony Corp 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システム、および、記憶制御方法
US8959281B1 (en) 2012-11-09 2015-02-17 Western Digital Technologies, Inc. Data management for a storage device
US11733908B2 (en) 2013-01-10 2023-08-22 Pure Storage, Inc. Delaying deletion of a dataset
US9063967B2 (en) 2013-01-10 2015-06-23 Pure Storage, Inc. Performing copies in a storage system
US11768623B2 (en) 2013-01-10 2023-09-26 Pure Storage, Inc. Optimizing generalized transfers between storage systems
US10908835B1 (en) 2013-01-10 2021-02-02 Pure Storage, Inc. Reversing deletion of a virtual machine
US9690953B2 (en) * 2013-03-14 2017-06-27 Apple Inc. Generating efficient reads for a system having non-volatile memory
US9934085B2 (en) * 2013-05-29 2018-04-03 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Invoking an error handler to handle an uncorrectable error
KR102252379B1 (ko) * 2013-06-24 2021-05-14 삼성전자주식회사 메모리 시스템 및 이의 독출 방법
US9141176B1 (en) 2013-07-29 2015-09-22 Western Digital Technologies, Inc. Power management for data storage device
US9070379B2 (en) 2013-08-28 2015-06-30 Western Digital Technologies, Inc. Data migration for data storage device
US9164828B2 (en) 2013-09-26 2015-10-20 Seagate Technology Llc Systems and methods for enhanced data recovery in a solid state memory system
US9424179B2 (en) 2013-10-17 2016-08-23 Seagate Technology Llc Systems and methods for latency based data recycling in a solid state memory system
US10019352B2 (en) 2013-10-18 2018-07-10 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for adaptive reserve storage
US9201729B2 (en) 2013-10-21 2015-12-01 Seagate Technology, Llc Systems and methods for soft data utilization in a solid state memory system
US9378840B2 (en) 2013-10-28 2016-06-28 Seagate Technology Llc Systems and methods for sub-zero threshold characterization in a memory cell
US8917471B1 (en) 2013-10-29 2014-12-23 Western Digital Technologies, Inc. Power management for data storage device
US9323467B2 (en) 2013-10-29 2016-04-26 Western Digital Technologies, Inc. Data storage device startup
US10263770B2 (en) 2013-11-06 2019-04-16 Pure Storage, Inc. Data protection in a storage system using external secrets
US11128448B1 (en) 2013-11-06 2021-09-21 Pure Storage, Inc. Quorum-aware secret sharing
US10365858B2 (en) 2013-11-06 2019-07-30 Pure Storage, Inc. Thin provisioning in a storage device
US9276609B2 (en) 2013-11-16 2016-03-01 Seagate Technology Llc Systems and methods for soft decision generation in a solid state memory system
US9389937B2 (en) 2013-11-19 2016-07-12 Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. Managing faulty memory pages in a computing system
US9208086B1 (en) 2014-01-09 2015-12-08 Pure Storage, Inc. Using frequency domain to prioritize storage of metadata in a cache
US9576683B2 (en) 2014-02-06 2017-02-21 Seagate Technology Llc Systems and methods for hard error reduction in a solid state memory device
US9378810B2 (en) 2014-02-11 2016-06-28 Seagate Technology Llc Systems and methods for last written page handling in a memory device
US10656864B2 (en) 2014-03-20 2020-05-19 Pure Storage, Inc. Data replication within a flash storage array
US9443616B2 (en) * 2014-04-02 2016-09-13 Seagate Technology Llc Bad memory unit detection in a solid state drive
US9431129B2 (en) * 2014-04-30 2016-08-30 Qualcomm Incorporated Variable read delay system
US9779268B1 (en) 2014-06-03 2017-10-03 Pure Storage, Inc. Utilizing a non-repeating identifier to encrypt data
US11399063B2 (en) 2014-06-04 2022-07-26 Pure Storage, Inc. Network authentication for a storage system
US9218244B1 (en) 2014-06-04 2015-12-22 Pure Storage, Inc. Rebuilding data across storage nodes
US9218407B1 (en) 2014-06-25 2015-12-22 Pure Storage, Inc. Replication and intermediate read-write state for mediums
US10496556B1 (en) 2014-06-25 2019-12-03 Pure Storage, Inc. Dynamic data protection within a flash storage system
US10296469B1 (en) 2014-07-24 2019-05-21 Pure Storage, Inc. Access control in a flash storage system
US9495255B2 (en) 2014-08-07 2016-11-15 Pure Storage, Inc. Error recovery in a storage cluster
US9558069B2 (en) 2014-08-07 2017-01-31 Pure Storage, Inc. Failure mapping in a storage array
US9864761B1 (en) 2014-08-08 2018-01-09 Pure Storage, Inc. Read optimization operations in a storage system
US10430079B2 (en) 2014-09-08 2019-10-01 Pure Storage, Inc. Adjusting storage capacity in a computing system
US10164841B2 (en) 2014-10-02 2018-12-25 Pure Storage, Inc. Cloud assist for storage systems
US10430282B2 (en) 2014-10-07 2019-10-01 Pure Storage, Inc. Optimizing replication by distinguishing user and system write activity
US9489132B2 (en) 2014-10-07 2016-11-08 Pure Storage, Inc. Utilizing unmapped and unknown states in a replicated storage system
US9727485B1 (en) 2014-11-24 2017-08-08 Pure Storage, Inc. Metadata rewrite and flatten optimization
US9773007B1 (en) 2014-12-01 2017-09-26 Pure Storage, Inc. Performance improvements in a storage system
US9588842B1 (en) 2014-12-11 2017-03-07 Pure Storage, Inc. Drive rebuild
US9552248B2 (en) 2014-12-11 2017-01-24 Pure Storage, Inc. Cloud alert to replica
US9864769B2 (en) 2014-12-12 2018-01-09 Pure Storage, Inc. Storing data utilizing repeating pattern detection
US10545987B2 (en) 2014-12-19 2020-01-28 Pure Storage, Inc. Replication to the cloud
US10296354B1 (en) 2015-01-21 2019-05-21 Pure Storage, Inc. Optimized boot operations within a flash storage array
US11947968B2 (en) 2015-01-21 2024-04-02 Pure Storage, Inc. Efficient use of zone in a storage device
US9710165B1 (en) 2015-02-18 2017-07-18 Pure Storage, Inc. Identifying volume candidates for space reclamation
TWI602185B (zh) * 2015-03-04 2017-10-11 旺宏電子股份有限公司 記憶體裝置及其操作方法
US10082985B2 (en) 2015-03-27 2018-09-25 Pure Storage, Inc. Data striping across storage nodes that are assigned to multiple logical arrays
US10178169B2 (en) 2015-04-09 2019-01-08 Pure Storage, Inc. Point to point based backend communication layer for storage processing
US10652103B2 (en) 2015-04-24 2020-05-12 Goldman Sachs & Co. LLC System and method for handling events involving computing systems and networks using fabric monitoring system
US10108472B2 (en) * 2015-05-13 2018-10-23 SK Hynix Inc. Adaptive read disturb reclaim policy
US10140149B1 (en) 2015-05-19 2018-11-27 Pure Storage, Inc. Transactional commits with hardware assists in remote memory
US10310740B2 (en) 2015-06-23 2019-06-04 Pure Storage, Inc. Aligning memory access operations to a geometry of a storage device
US9547441B1 (en) 2015-06-23 2017-01-17 Pure Storage, Inc. Exposing a geometry of a storage device
US11341136B2 (en) 2015-09-04 2022-05-24 Pure Storage, Inc. Dynamically resizable structures for approximate membership queries
KR20170028825A (ko) 2015-09-04 2017-03-14 퓨어 스토리지, 아이앤씨. 압축된 인덱스들을 사용한 해시 테이블들에서의 메모리 효율적인 스토리지 및 탐색
US11269884B2 (en) 2015-09-04 2022-03-08 Pure Storage, Inc. Dynamically resizable structures for approximate membership queries
US9843453B2 (en) 2015-10-23 2017-12-12 Pure Storage, Inc. Authorizing I/O commands with I/O tokens
US9417809B1 (en) 2015-12-07 2016-08-16 International Business Machines Corporation Efficient management of page retirement in non-volatile memory utilizing page retirement classes
US9620227B1 (en) 2016-01-08 2017-04-11 Western Digital Technologies, Inc. Characterizing and operating a non-volatile memory device
CN105843700B (zh) * 2016-03-25 2019-01-15 中国科学院微电子研究所 一种控制器
TWI576699B (zh) 2016-03-31 2017-04-01 慧榮科技股份有限公司 紀錄資料區塊的使用時間的方法及其裝置
US10452297B1 (en) 2016-05-02 2019-10-22 Pure Storage, Inc. Generating and optimizing summary index levels in a deduplication storage system
US10133503B1 (en) 2016-05-02 2018-11-20 Pure Storage, Inc. Selecting a deduplication process based on a difference between performance metrics
US10203903B2 (en) 2016-07-26 2019-02-12 Pure Storage, Inc. Geometry based, space aware shelf/writegroup evacuation
US10146604B2 (en) * 2016-08-23 2018-12-04 Oracle International Corporation Bad block detection and predictive analytics in NAND flash storage devices
US10191662B2 (en) 2016-10-04 2019-01-29 Pure Storage, Inc. Dynamic allocation of segments in a flash storage system
US10545861B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Pure Storage, Inc. Distributed integrated high-speed solid-state non-volatile random-access memory
US10162523B2 (en) 2016-10-04 2018-12-25 Pure Storage, Inc. Migrating data between volumes using virtual copy operation
US10756816B1 (en) 2016-10-04 2020-08-25 Pure Storage, Inc. Optimized fibre channel and non-volatile memory express access
US10481798B2 (en) 2016-10-28 2019-11-19 Pure Storage, Inc. Efficient flash management for multiple controllers
US10185505B1 (en) 2016-10-28 2019-01-22 Pure Storage, Inc. Reading a portion of data to replicate a volume based on sequence numbers
US10359942B2 (en) 2016-10-31 2019-07-23 Pure Storage, Inc. Deduplication aware scalable content placement
US10452290B2 (en) 2016-12-19 2019-10-22 Pure Storage, Inc. Block consolidation in a direct-mapped flash storage system
US11550481B2 (en) 2016-12-19 2023-01-10 Pure Storage, Inc. Efficiently writing data in a zoned drive storage system
US10204693B2 (en) * 2016-12-31 2019-02-12 Western Digital Technologies, Inc. Retiring computer memory blocks
US11093146B2 (en) 2017-01-12 2021-08-17 Pure Storage, Inc. Automatic load rebalancing of a write group
KR20180090422A (ko) 2017-02-02 2018-08-13 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법
US10528488B1 (en) 2017-03-30 2020-01-07 Pure Storage, Inc. Efficient name coding
US11403019B2 (en) 2017-04-21 2022-08-02 Pure Storage, Inc. Deduplication-aware per-tenant encryption
US10944671B2 (en) 2017-04-27 2021-03-09 Pure Storage, Inc. Efficient data forwarding in a networked device
US10402266B1 (en) 2017-07-31 2019-09-03 Pure Storage, Inc. Redundant array of independent disks in a direct-mapped flash storage system
US10831935B2 (en) 2017-08-31 2020-11-10 Pure Storage, Inc. Encryption management with host-side data reduction
US10776202B1 (en) 2017-09-22 2020-09-15 Pure Storage, Inc. Drive, blade, or data shard decommission via RAID geometry shrinkage
US10789211B1 (en) 2017-10-04 2020-09-29 Pure Storage, Inc. Feature-based deduplication
US10884919B2 (en) 2017-10-31 2021-01-05 Pure Storage, Inc. Memory management in a storage system
US10860475B1 (en) 2017-11-17 2020-12-08 Pure Storage, Inc. Hybrid flash translation layer
US11144638B1 (en) 2018-01-18 2021-10-12 Pure Storage, Inc. Method for storage system detection and alerting on potential malicious action
US11010233B1 (en) 2018-01-18 2021-05-18 Pure Storage, Inc Hardware-based system monitoring
US10970395B1 (en) 2018-01-18 2021-04-06 Pure Storage, Inc Security threat monitoring for a storage system
US10467527B1 (en) 2018-01-31 2019-11-05 Pure Storage, Inc. Method and apparatus for artificial intelligence acceleration
US11036596B1 (en) 2018-02-18 2021-06-15 Pure Storage, Inc. System for delaying acknowledgements on open NAND locations until durability has been confirmed
US11494109B1 (en) 2018-02-22 2022-11-08 Pure Storage, Inc. Erase block trimming for heterogenous flash memory storage devices
US20190294346A1 (en) * 2018-03-26 2019-09-26 International Business Machines Corporation Limiting simultaneous failure of multiple storage devices
US11934322B1 (en) 2018-04-05 2024-03-19 Pure Storage, Inc. Multiple encryption keys on storage drives
TWI649754B (zh) * 2018-04-16 2019-02-01 群聯電子股份有限公司 記憶體管理方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元
US11995336B2 (en) 2018-04-25 2024-05-28 Pure Storage, Inc. Bucket views
US11385792B2 (en) 2018-04-27 2022-07-12 Pure Storage, Inc. High availability controller pair transitioning
US10678433B1 (en) 2018-04-27 2020-06-09 Pure Storage, Inc. Resource-preserving system upgrade
US11003537B2 (en) * 2018-05-29 2021-05-11 Micron Technology, Inc. Determining validity of data read from memory by a controller
US10678436B1 (en) 2018-05-29 2020-06-09 Pure Storage, Inc. Using a PID controller to opportunistically compress more data during garbage collection
US11436023B2 (en) 2018-05-31 2022-09-06 Pure Storage, Inc. Mechanism for updating host file system and flash translation layer based on underlying NAND technology
US10776046B1 (en) 2018-06-08 2020-09-15 Pure Storage, Inc. Optimized non-uniform memory access
US11281577B1 (en) 2018-06-19 2022-03-22 Pure Storage, Inc. Garbage collection tuning for low drive wear
US11869586B2 (en) 2018-07-11 2024-01-09 Pure Storage, Inc. Increased data protection by recovering data from partially-failed solid-state devices
US11194759B2 (en) 2018-09-06 2021-12-07 Pure Storage, Inc. Optimizing local data relocation operations of a storage device of a storage system
US11133076B2 (en) 2018-09-06 2021-09-28 Pure Storage, Inc. Efficient relocation of data between storage devices of a storage system
US10846216B2 (en) 2018-10-25 2020-11-24 Pure Storage, Inc. Scalable garbage collection
US11113409B2 (en) 2018-10-26 2021-09-07 Pure Storage, Inc. Efficient rekey in a transparent decrypting storage array
CN109828894B (zh) * 2018-12-27 2022-06-21 东软集团股份有限公司 设备状态数据的采集方法、装置、存储介质和电子设备
US11194473B1 (en) 2019-01-23 2021-12-07 Pure Storage, Inc. Programming frequently read data to low latency portions of a solid-state storage array
US11588633B1 (en) 2019-03-15 2023-02-21 Pure Storage, Inc. Decommissioning keys in a decryption storage system
US11334254B2 (en) 2019-03-29 2022-05-17 Pure Storage, Inc. Reliability based flash page sizing
US11397674B1 (en) 2019-04-03 2022-07-26 Pure Storage, Inc. Optimizing garbage collection across heterogeneous flash devices
US11775189B2 (en) 2019-04-03 2023-10-03 Pure Storage, Inc. Segment level heterogeneity
US10990480B1 (en) 2019-04-05 2021-04-27 Pure Storage, Inc. Performance of RAID rebuild operations by a storage group controller of a storage system
US11099986B2 (en) 2019-04-12 2021-08-24 Pure Storage, Inc. Efficient transfer of memory contents
US11487665B2 (en) 2019-06-05 2022-11-01 Pure Storage, Inc. Tiered caching of data in a storage system
US11281394B2 (en) 2019-06-24 2022-03-22 Pure Storage, Inc. Replication across partitioning schemes in a distributed storage system
US10929046B2 (en) 2019-07-09 2021-02-23 Pure Storage, Inc. Identifying and relocating hot data to a cache determined with read velocity based on a threshold stored at a storage device
US11422751B2 (en) 2019-07-18 2022-08-23 Pure Storage, Inc. Creating a virtual storage system
US11086713B1 (en) 2019-07-23 2021-08-10 Pure Storage, Inc. Optimized end-to-end integrity storage system
US11963321B2 (en) 2019-09-11 2024-04-16 Pure Storage, Inc. Low profile latching mechanism
US11403043B2 (en) 2019-10-15 2022-08-02 Pure Storage, Inc. Efficient data compression by grouping similar data within a data segment
US11567670B2 (en) 2019-10-25 2023-01-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Firmware-based SSD block failure prediction and avoidance scheme
US11687418B2 (en) 2019-11-22 2023-06-27 Pure Storage, Inc. Automatic generation of recovery plans specific to individual storage elements
US11720714B2 (en) 2019-11-22 2023-08-08 Pure Storage, Inc. Inter-I/O relationship based detection of a security threat to a storage system
US11675898B2 (en) 2019-11-22 2023-06-13 Pure Storage, Inc. Recovery dataset management for security threat monitoring
US11645162B2 (en) 2019-11-22 2023-05-09 Pure Storage, Inc. Recovery point determination for data restoration in a storage system
US11520907B1 (en) 2019-11-22 2022-12-06 Pure Storage, Inc. Storage system snapshot retention based on encrypted data
US11755751B2 (en) 2019-11-22 2023-09-12 Pure Storage, Inc. Modify access restrictions in response to a possible attack against data stored by a storage system
US11625481B2 (en) 2019-11-22 2023-04-11 Pure Storage, Inc. Selective throttling of operations potentially related to a security threat to a storage system
US11500788B2 (en) 2019-11-22 2022-11-15 Pure Storage, Inc. Logical address based authorization of operations with respect to a storage system
US11720692B2 (en) 2019-11-22 2023-08-08 Pure Storage, Inc. Hardware token based management of recovery datasets for a storage system
US11657155B2 (en) 2019-11-22 2023-05-23 Pure Storage, Inc Snapshot delta metric based determination of a possible ransomware attack against data maintained by a storage system
US11651075B2 (en) 2019-11-22 2023-05-16 Pure Storage, Inc. Extensible attack monitoring by a storage system
US11615185B2 (en) 2019-11-22 2023-03-28 Pure Storage, Inc. Multi-layer security threat detection for a storage system
US11941116B2 (en) 2019-11-22 2024-03-26 Pure Storage, Inc. Ransomware-based data protection parameter modification
US11341236B2 (en) 2019-11-22 2022-05-24 Pure Storage, Inc. Traffic-based detection of a security threat to a storage system
US11340979B2 (en) * 2019-12-27 2022-05-24 Seagate Technology Llc Mitigation of solid state memory read failures with a testing procedure
KR20210123884A (ko) * 2020-04-06 2021-10-14 에스케이하이닉스 주식회사 스토리지 장치 및 그 동작 방법
US20220027464A1 (en) * 2020-07-23 2022-01-27 Nxp Usa, Inc. Systems and methods for constraining access to one time programmable storage elements
US11500753B2 (en) 2020-09-02 2022-11-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Multi-non-volatile memory solid state drive block-level failure prediction with unified device log

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6256642B1 (en) * 1992-01-29 2001-07-03 Microsoft Corporation Method and system for file system management using a flash-erasable, programmable, read-only memory
US5657332A (en) * 1992-05-20 1997-08-12 Sandisk Corporation Soft errors handling in EEPROM devices
JP3941149B2 (ja) * 1996-12-03 2007-07-04 ソニー株式会社 半導体不揮発性記憶装置
US5923897A (en) * 1996-04-01 1999-07-13 Microsoft Corporation System for adapter with status and command registers to provide status information to operating system and processor operative to write eject command to command register
US5715193A (en) * 1996-05-23 1998-02-03 Micron Quantum Devices, Inc. Flash memory system and method for monitoring the disturb effect on memory cell blocks due to high voltage conditions of other memory cell blocks
AU7313600A (en) * 1999-09-17 2001-04-24 Hitachi Limited Storage where the number of error corrections is recorded
US6832329B2 (en) * 2001-02-08 2004-12-14 International Business Machines Corporation Cache thresholding method, apparatus, and program for predictive reporting of array bit line or driver failures
US6614689B2 (en) 2001-08-13 2003-09-02 Micron Technology, Inc. Non-volatile memory having a control mini-array
US6948026B2 (en) 2001-08-24 2005-09-20 Micron Technology, Inc. Erase block management
JP4034949B2 (ja) * 2001-09-06 2008-01-16 株式会社ルネサステクノロジ 不揮発性半導体記憶装置
US6895285B2 (en) * 2002-05-23 2005-05-17 American Megatrends, Inc. Computer system status monitoring
US6895464B2 (en) * 2002-06-03 2005-05-17 Honeywell International Inc. Flash memory management system and method utilizing multiple block list windows
US6948041B2 (en) 2002-10-24 2005-09-20 Micron Technology, Inc. Permanent memory block protection in a flash memory device
JP4073799B2 (ja) * 2003-02-07 2008-04-09 株式会社ルネサステクノロジ メモリシステム
JP2004259324A (ja) * 2003-02-24 2004-09-16 Alpine Electronics Inc 記録装置の動作制御装置および記録装置の動作制御方法
JP4299558B2 (ja) * 2003-03-17 2009-07-22 株式会社ルネサステクノロジ 情報記憶装置および情報処理システム
JP2004005628A (ja) * 2003-05-01 2004-01-08 Mitsubishi Electric Corp 二重化メモリシステム
US7203874B2 (en) 2003-05-08 2007-04-10 Micron Technology, Inc. Error detection, documentation, and correction in a flash memory device
US7012835B2 (en) 2003-10-03 2006-03-14 Sandisk Corporation Flash memory data correction and scrub techniques
US7173852B2 (en) * 2003-10-03 2007-02-06 Sandisk Corporation Corrected data storage and handling methods
US6975538B2 (en) 2003-10-08 2005-12-13 Micron Technology, Inc. Memory block erasing in a flash memory device
US20050144524A1 (en) * 2003-12-04 2005-06-30 International Business Machines Corporation Digital reliability monitor having autonomic repair and notification capability
US7370260B2 (en) * 2003-12-16 2008-05-06 Freescale Semiconductor, Inc. MRAM having error correction code circuitry and method therefor
US7272758B2 (en) 2004-08-31 2007-09-18 Micron Technology, Inc. Defective memory block identification in a memory device
JP3942612B2 (ja) 2004-09-10 2007-07-11 東京エレクトロンデバイス株式会社 記憶装置、メモリ管理方法及びプログラム
KR100645058B1 (ko) * 2004-11-03 2006-11-10 삼성전자주식회사 데이터 신뢰성을 향상시킬 수 있는 메모리 관리 기법
US7275190B2 (en) 2004-11-08 2007-09-25 Micron Technology, Inc. Memory block quality identification in a memory device
JP4691355B2 (ja) * 2004-12-28 2011-06-01 日本電産サンキョー株式会社 不揮発性メモリ
JP4950886B2 (ja) * 2005-07-15 2012-06-13 パナソニック株式会社 不揮発性記憶装置、メモリコントローラ及び不良領域検出方法
US20070047327A1 (en) 2005-08-31 2007-03-01 Micron Technology, Inc. Erase method for flash memory
US7478268B2 (en) * 2005-09-13 2009-01-13 International Business Machines Corporation Deallocation of memory in a logically-partitioned computer
US7512847B2 (en) * 2006-02-10 2009-03-31 Sandisk Il Ltd. Method for estimating and reporting the life expectancy of flash-disk memory
JP4840859B2 (ja) * 2006-05-10 2011-12-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置、及び起動方法
US7809994B2 (en) * 2006-05-17 2010-10-05 Sandisk Corporation Error correction coding for multiple-sector pages in flash memory devices
US7765426B2 (en) * 2007-06-07 2010-07-27 Micron Technology, Inc. Emerging bad block detection
US8276043B2 (en) * 2008-03-01 2012-09-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103650058B (zh) * 2010-12-30 2016-08-24 意法半导体国际有限公司 控制非易失性存储器的可靠性损失的方法和集成电路卡
CN103562888A (zh) * 2011-05-31 2014-02-05 美光科技公司 用于提供数据完整性的设备及方法
US9170898B2 (en) 2011-05-31 2015-10-27 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for providing data integrity
CN103562888B (zh) * 2011-05-31 2017-03-08 美光科技公司 用于提供数据完整性的设备及方法
CN103631721A (zh) * 2012-08-23 2014-03-12 华为技术有限公司 一种隔离内存中坏块的方法及系统
CN103839595A (zh) * 2012-11-20 2014-06-04 Arm有限公司 用于校正从存储器装置访问的数据中的错误的设备及方法
CN103839595B (zh) * 2012-11-20 2018-07-06 Arm 有限公司 用于校正从存储器装置访问的数据中的错误的设备及方法
US11405058B2 (en) 2012-12-07 2022-08-02 Micron Technology, Inc. Stopping criteria for layered iterative error correction
CN104937555B (zh) * 2012-12-07 2018-01-16 美光科技公司 用于控制存储器装置的方法和控制器及存储器系统
US10998923B2 (en) 2012-12-07 2021-05-04 Micron Technology, Inc. Stopping criteria for layered iterative error correction
US10193577B2 (en) 2012-12-07 2019-01-29 Micron Technology, Inc. Stopping criteria for layered iterative error correction
CN104937555A (zh) * 2012-12-07 2015-09-23 美光科技公司 用于分层迭代错误校正的停止准则
CN103116550A (zh) * 2013-01-11 2013-05-22 深圳市硅格半导体有限公司 切换闪存中物理块工作模式的方法和装置
CN108717858A (zh) * 2013-03-14 2018-10-30 美光科技公司 选择性自参考读取
CN105027085B (zh) * 2013-03-14 2018-06-22 美光科技公司 选择性自参考读取
US11789796B2 (en) 2013-03-14 2023-10-17 Ovonyx Memory Technology, Llc Selective reading of memory with improved accuracy
CN108717858B (zh) * 2013-03-14 2023-04-18 美光科技公司 选择性自参考读取
CN105027085A (zh) * 2013-03-14 2015-11-04 美光科技公司 选择性自参考读取
US11379286B2 (en) 2013-03-14 2022-07-05 Ovonyx Memory Technology, Llc Selective reading of memory with improved accuracy
CN108630267B (zh) * 2017-03-21 2022-03-11 铠侠股份有限公司 计算机系统和存储器设备
CN108630267A (zh) * 2017-03-21 2018-10-09 东芝存储器株式会社 计算机系统和存储器设备
CN108039191A (zh) * 2017-12-20 2018-05-15 宣城新维保网络技术有限公司 一种存储器模拟测试方法
CN111684529A (zh) * 2018-01-12 2020-09-18 美光科技公司 读取重试暂存空间
CN111684529B (zh) * 2018-01-12 2023-11-28 美光科技公司 读取重试暂存空间
CN112840324A (zh) * 2018-09-07 2021-05-25 铠侠股份有限公司 存储器系统中的汇集式前线ecc解码器
CN112840324B (zh) * 2018-09-07 2024-03-15 铠侠股份有限公司 存储器系统中的汇集式前线ecc解码器
CN112867984A (zh) * 2018-09-13 2021-05-28 铠侠股份有限公司 池级存储管理
US11853583B2 (en) 2018-09-13 2023-12-26 Kioxia Corporation Pool-level storage management
CN112867984B (zh) * 2018-09-13 2024-05-17 铠侠股份有限公司 池级存储管理
CN111522500A (zh) * 2019-02-01 2020-08-11 睿宽智能科技有限公司 重复读取方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150121128A1 (en) 2015-04-30
ATE514131T1 (de) 2011-07-15
US20080307270A1 (en) 2008-12-11
EP2162822A1 (en) 2010-03-17
CN102880521A (zh) 2013-01-16
US20100287410A1 (en) 2010-11-11
CN101681281B (zh) 2012-10-10
EP2367110A1 (en) 2011-09-21
KR101522744B1 (ko) 2015-05-26
CN102880521B (zh) 2015-09-30
WO2008154119A1 (en) 2008-12-18
US8930771B2 (en) 2015-01-06
US20110239061A1 (en) 2011-09-29
EP2367110B1 (en) 2013-06-26
KR101557736B1 (ko) 2015-10-06
TWI370355B (en) 2012-08-11
TW200912631A (en) 2009-03-16
JP2010529557A (ja) 2010-08-26
EP2162822B1 (en) 2011-06-22
EP2372549A1 (en) 2011-10-05
US7765426B2 (en) 2010-07-27
KR20140141684A (ko) 2014-12-10
KR20100033507A (ko) 2010-03-30
US7954004B2 (en) 2011-05-31
US9405639B2 (en) 2016-08-02
EP2372549B1 (en) 2013-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101681281B (zh) 检测出现的坏块
US11157357B2 (en) Operation methods of memory system and host, and computing system
US8423838B2 (en) Block management method, memory controller, and memory storage apparatus
CN103218274A (zh) 一种预防故障累加的方法和固态硬盘
CN111755039A (zh) 在恢复进程期间减少存储器系统中单元干扰的设备及方法
CN105808371A (zh) 数据备份与恢复方法、控制芯片及存储装置
CN113227959A (zh) 具有读取错误处理的存储器控制器
US8301981B2 (en) Data access method for flash memory and storage system and controller thereof
CN103984506A (zh) 闪存存储设备数据写的方法和系统
US10229742B2 (en) Flash memory device
US20140164822A1 (en) Host computer and method for managing sas expanders of sas expander storage system
CN112612639A (zh) 操作存储器系统的方法、操作主机的方法和计算系统
CN112394879B (zh) 操作存储设备的方法、存储设备及操作存储系统的方法
CN110764693B (zh) 一种提高Nand flash数据稳定性的方法以及装置
CN112181281A (zh) 数据存储装置及其操作方法
KR102680511B1 (ko) 데이터 저장 장치 및 그 동작 방법
US9274709B2 (en) Indicators for storage cells
US7500052B2 (en) Quick drive replacement detection on a live RAID system

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant